KR20080107181A - 고효율 태양전지 - Google Patents

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KR20080107181A
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안세원
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Abstract

본 발명은 고효율 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 기판과 기판 위에 상하부면에 투명전극층을 가지고 비정질 실리콘으로 이루어진 상부 태양전지셀 및 결정질 실리콘으로 이루어진 하부 태양전지셀을 접착층으로 접착하는 태양전지 모듈과 이를 순차적으로 형성하는 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 저가의 생산비용으로 고효율의 태양전지를 제조할 수 있는 효과가 있다.
태양전지, 투명전극층, 비정질 실리콘, 결정질 실리콘, 접착층

Description

고효율 태양전지{HIGH EFFICIENCY SOLAR CELL}
도 1은 종래 기술의 일 실시예에 따른 결정질 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 대한 단면도.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 대한 단면도.
도 3a는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법의 공정 일부에 대한 단면도.
도 3b는 도 3a에 의한 태양전지 모듈의 제조과정을 나타낸 상면도.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 대한 단면도.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 등가회로도.
도 6a, 도 7a, 및 도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도.
도 6b, 도 7b, 및 도 8b는 상기 도 6a, 도 7a, 및 도 8a 각각의 태양전지 모듈을 제조하는 과정과 완성된 태양전지를 개략적으로 나타낸 상면도.
도 9는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 4단자 구조를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 2단자 구조를 개략적으로 나타낸 단면도.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도.
{도면의 주요부분에 대한 부호의 설명}
100,200,300,400,600,700,800,900,1000,1100,1200,1300: 기판
101,201,401,601,701,801,901,1001,1101,1201,1301: 접착층
102,202,402,602,702,802,902,1002,1102,1202,1302: 결정질 하부 태양전지셀
103,203,403,903,1003,1103,1203,1303: 후면층(수분차단층)
2041,2042,3041,3042,4041,4042,6041,6042,7041,7042,8041,8042,9041,9042,1004,1104,1204,1304: 투명전극층
205,305,405,605,705,805,905,1005,1105,1205,1305: 비정질 상부 태양전지셀
306,406: 버스(bus) 전극
407,4071,4072,6071,6072,7071,7072,8071,8072: 금속 전극
608,708: 접촉 전극
1106,1307: 무반사 코팅층 1206,1306: 오염방지 코팅층
본 발명은 저가의 생산비용으로 고효율의 태양전지를 제조할 수 있는 태양전지의 제조방법과 이로부터 제조된 고효율의 태양전지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 기판과 기판 위에 상하부면에 투명전극층을 가지고 비정질 실리콘으로 이루어진 상부 태양전지셀 및 결정질 실리콘으로 이루어진 하부 태양전지셀을 접착층으로 접착하는 태양전지 모듈과 이를 순차적으로 형성하는 제조방법에 관한 것이다.
차세대 에너지원으로서 연구 개발되고 있는 태양전지는 결정질 실리콘 태양전지로부터 최근에는 비정질 실리콘을 중심으로 한 소재를 판형 유리나 금속에 다층으로 증착한 박막형 태양전지 분야에 이르기까지 활발하게 연구가 진행되고 있다.
특히, 비정질 실리콘 태양전지는 광전변환효율이 결정형 실리콘 태양전지에 비해 비교적 낮은 단점이 있으나 증착되는 소재와 다층셀 구조의 관점에서 광전변환효율을 향상시킬 수 있으며 대면적 태양전지 모듈을 저가의 제조비용으로 생산할 수 있고 에너지 회수 년수가 짧은 기술이어서 많은 장점을 가지고 있다. 따라서, 비정질 실리콘 태양전지와 결정질 실리콘 태양전지를 결합하여 각 태양전지의 장점을 취합하여 활용하는 방법의 연구가 진행되고 있다.
종래 결정질 실리콘 태양전지 모듈은 실리콘 웨이퍼를 이용한 단일 셀들을 전기적으로 직렬 접속한 후, 그 전면(광 입사 방향)은 EVA(ethylene-vinyl acetate)와 커버글라스(Cover Glass)를 이용하고, 그 후면(광 입사 반대방향)은 EVA 와 후면시트(Back sheet)를 이용하여 패키징(packaging) 및 라미네이팅(laminating)하는 공정으로 제작 되어진다. 도 1은 결정질 태양전지 모듈의 제조 공정을 간략히 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 결정질 태양전지 모듈은 커버 글라스 기판(100) 위에 결정질 실리콘 태양전지 모듈(102)을 접착층인 EVA(101)를 매개로 하여 형성한 후, 다시 EVA(101)를 매개로 후면 시트(103)을 접착하여 가열 및 압착하는 라미네이팅 공정을 거쳐 형성된다. 이때 후면 시트는 수분 차단 기능을 가지는 것일 수 있다.
상기 커버 글라스 기판에서 태양전지셀이 접착되는 쪽의 표면은 요철구조일 수 있으며 이를 위하여 커버 글라스 기판의 표면을 텍스처링(texturing) 할 수 있다.
이러한 기판의 표면을 텍스처링하는 이유는, 유리와 EVA간의 계면에서 빛의 입사각을 크게 하여 태양전지 내부에서의 빛의 광경로를 길게 함으로써 보다 많은 광자(photon)가 태양전지 모듈에 흡수하기 위함이다.
상기 텍스처링 공정은 진공에서의 건조 에칭법(dry etching), 산이나 염기를 통한 화학적 에칭법(chemical etching), 샌드 블러스트법 등의 다양한 방법을 통하여 이루어 질 수 있다.
그러나 종래의 결정질 실리콘 태양전지 모듈은 태양광의 자외선 영역에서의 광전 변환효율이 낮기 때문에 텍스처링(texturing) 효과에 의한 태양전지 효율의 증가에 한계가 있다. 일반적인 다결정 태양전지 모듈의 효율은 현재 14% 수준이다.
따라서 효율증가를 위하여 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하여 모듈을 제작하는 경우도 가능하지만 이는 다결정에 비해 효율은 높으나 여전히 자외선 영역에서의 광전 변환 효율은 낮고, 단결정 실리콘 웨이퍼의 가격이 매우 높기 때문에 저가 고효율의 태양전지를 얻기 위한 새로운 공정기술의 개발이 필요한 실정이다.
한편, 새로운 태양전지 공정기술로서 탠덤(tandem)형 태양전지 구조가 제안되어 개발, 판매되고 있다.
탠덤형 태양전지는 박막형 실리콘 태양전지를 이용하여 자외선 및 적외선 영역의 빛을 모두 사용하기 위한 구조로써 비정질 실리콘 태양전지를 증착한 후, 그 하부에 미결정 실리콘 태양전지를 증착 및 직렬 접속하여 제작한다.
이러한 탠덤형 구조는 상부 태양전지셀 또는 하부 태양전지셀의 출력이 다른 경우, 출력이 약한 태양전지셀에 의해 전압 혹은 전류가 제한되는 단점이 있다.
따라서, 상부 또는 하부 태양전지셀의 전압/전류의 매칭(matching)이 중요하기 때문에 공정조건에 효율이 매우 민감하며, 하부 미결정 실리콘 태양전지의 두께가 얇고 결함(defect)가 많기 때문에 고효율 태양전지를 얻기가 쉽지 않은 문제가 있다.
본 발명의 목적은 상기와 같은 종래 태양전지의 광전변환효율의 개선과 생산성 개선의 문제점을 해결하기 위하여 결정질 실리콘 태양전지의 장점과 박막형 태양전지의 장점을 결합하여 안출된 것으로서, 기존의 결정질 실리콘 태양전지보다 고효율의 태양전지를 얻을 수 있도록 제안된 것이다.
또한 본 발명의 다른 목적은 고효율의 태양전지를 대면적으로 생산비용을 절감하는 간단한 공정을 통해 제공할 수 있는 태양전지의 제조방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 태양전지는 기판, 상하부면에 투명전극층을 가지고 비정질 실리콘으로 이루어진 상부 태양전지셀 및 결정질 실리콘으로 이루어진 하부 태양전지셀을 포함하되, 상기 상부 태양전지셀 및 하부 태양전지셀 사이에 접착층을 포함할 수 있다.
상기 상부 태양전지셀은 상부 및 하부 투명전극층에 의해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함할 수 있고, 상기 하부 태양전지셀은 상하부면에 금속전극을 구비하고, 상기 금속전극을 통해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함할 수 있다.
상기 상부 태양전지셀의 하부 투명전극층은 버스(bus) 금속전극을 더 포함하고, 상기 하부 태양전지셀의 상하부면에 금속전극을 더 포함할 수 있는데, 이 때 바람직하게는 증착되는 상기 버스위치, 크기, 모양이 상호 동일하게 패터닝할 수 있다.
또한, 상기 버스 금속전극과 하부 태양전지셀의 상부면의 금속전극은 접촉금속으로 연결될 수 있다.
본 발명에서 상기 기판의 태양전지셀이 적층되는 일면은 요철구조일 수 있다.
본 발명에서, 상기 기판은 외부 표면에 무반사 코팅층, 오염방지층, 및 이들의 이중층 중 어느 하나의 층을 포함할 수 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 태양전지 제조방법은 기판 위에 상하부면에 투명전극층을 가지고 비정질 실리콘으로 이루어진 상부 태양전지셀을 형성하고, 상기 상부 태양전지셀과 결정질 실리콘으로 이루어진 하부 태양전지셀을 접착층으로 매개하여 접착하는 단계와, 가열 및 압착하여 라미네이팅하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명에서 상기 상부 태양전지셀은 상부 및 하부 투명전극층에 의해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함하고, 상기 하부 태양전지셀은 상하부면에 금속전극을 구비하고 상기 금속전극을 통해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함할 수 있다.
본 발명에서, 상기 태양전지셀의 배선 구조는 특정하게 한정되지 아니하나, 상기 상부 태양전지셀 및 하부 태양전지셀을 병렬로 연결하여 각 양극 단자와 음극 단자에서 배선하는 2단자 구조일 수 있다.
또는 각 태양전지셀에서 양극 단자와 음극 단자에서 배선하여 전체적으로 직렬로 접속된 4단자 구조를 뽑아낼 수 있다.
본 발명에서, 상기 상부 태양전지셀의 하부 투명전극층에 버스(bus) 금속전극을 형성하고, 상기 하부 태양전지셀의 상부 및 하부에 금속전극을 형성하는 단계 를 더 추가할 수 있다.
상기 버스 금속전극과 하부 태양전지셀의 상부 금속전극은 접촉금속을 형성하는 단계를 통하여 상호 연결되도록 할 수 있다.
태양전지셀을 배선함에 있어서, 본 발명의 일 실시예는 상기 접촉금속을 통하여 단자가 배선되도록 할 수 있다.
본 발명에서, 상기 기판의 태양전지셀이 적층되는 일면을 표면 텍스쳐링하는 단계를 추가할 수 있다.
또한 상기 기판의 외부 표면에 무반사 코팅층, 오염방지층, 및 이들의 이중층 중 어느 하나의 층을 형성하는 단계를 더 추가하는 것도 가능하다.
본 발명은 태양전지를 제조함에 있어서 보다 고효율의 태양전지를 얻기 위한 방법에 대한 것이다.
본 발명은 박막형 실리콘 태양전지의 장점과 결정질 실리콘 태양전지의 장점을 모두 이용하기 위하여 안출된 것으로, 태양전지 모듈의 기판, 특히 커버 글라스(cover glass) 위에 비정질 실리콘 태양전지를 증착하여 자외선 부분의 광흡수를 이용하도록 하며, 그 위에 기존의 결정질 실리콘 태양전지를 접착하여 보다 고효율의 태양전지를 얻을 수 있도록 제안된 것이다.
상기 상부 비정질 실리콘 태양전지셀 부분은 입사광의 자외선 영역에 의한 발전이 가능하며, 하부 결정질 실리콘 태양전지셀 부분은 비정질 실리콘 태양전지셀을 투과한 적외선 영역의 발전이 가능하므로 보다 고효율의 태양전지를 제조할 수 있다.
태양전지의 공정상 기판 위에 상부 태양전지셀, 하부 태양전지셀의 순으로 적층되지만, 완성된 태양전지 모듈은 기판이 태양광 쪽을 향하도록 위에 있기 때문에 이하에서는 기판이 위로 가는 구조의 태양전지 모듈을 상정하고 구성요소들의 상하 위치를 특정하여 기재하도록 할 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 설명하기로 한다. 하기의 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하며 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 공지 기능 및 구성에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조공정과 이로부터 제조된 고효율의 태양전지를 단면도이다.
도 2를 참조하면, 초기 단계로서 기판(200)의 일면에 표면 텍스처링(texturing)하는 과정을 거쳐 요철구조를 형성한다. 이 단계는 이후 형성될 상부 태양전지셀 및 하부 태양전지셀의 특성에 따라 선택적인 과정이며 필수적인 과정은 아니다. 이는 기판의 일면에 텍스쳐링이 되어 있으면 그 면적이 넓어져 상부 투명전지셀의 광전변환효율이 증가될 수 있으나 상대적으로 하부 태양전지셀의 효율이 감소하는 트레이드오프(trade-off) 현상이 일어날 수 있기 때문이다.
상기 기판(200)은 투명하여 태양광이 투과될 수 있는 소재이면 가능하며 바 람직하게는 유리 기판을 사용한다.
상기 기판(200) 위에 투명전극층이 상하로 적층된 비정질 실리콘으로 이루어진 태양전지셀(205)을 증착한다.
먼저 상부 투명전극층(2041)을 증착하고 그 후 비정질 실리콘의 태양전지층(205)을 적층한 후 하부 투명전극층(2042)을 증착한다.
상기의 상부 태양전지셀로 형성되는 비정질 실리콘 태양전지셀은 통상적인 박막형 태양전지 모듈 공정에서 사용되는 방법으로 증착될 수 있으며 바람직하게는 진공증착법을 사용한다.
이후 도면의 설명에서 후술될 것이지만 상부 태양전지셀을 복수 개의 단위 태양전지셀의 집합으로 형성할 경우에는 상부 투명전극층, 상부 태양전지셀, 및 하부 투명전극층의 형성시 레이저 또는 기타 스크라이빙 방법에 의해 패터닝하는 과정을 거쳐 각 태양전지 단위셀을 전기적으로 직렬로 연결할 수 있다. 상기 패터닝 방법과 단위셀의 직렬연결 방법은 반드시 상술한 방법에 한정되지 않는다.
도 2의 본 발명의 일 실시예에서는 상기 상부 태양전지셀의 증착 후 접착층(201)을 매개로 하여 결정질 실리콘 태양전지셀(202)을 접착한다.
상기 결정질 실리콘 태양전지셀(202)은 결정질 실리콘 웨이퍼로부터 도핑과정을 거쳐 형성될 수 있다.
상부 태양전지셀과 마찬가지로 이후 도면에서 후술할 것이지만, 상기 하부 결정질 실리콘 태양전지셀(202)도 복수 개의 단위셀의 집합으로 각각 직렬연결되어 구비될 수 있다.
복수 개의 결정질 실리콘 태양전지 단위셀은 통상적인 방법으로 형성되어 전기적으로 직렬연결될 수 있으나, 패터닝하여 금속성의 리본 또는 와이어로 연결하거나 솔더링(soldering)을 통하여 직렬연결될 수 있다.
상기 두 개의 태양전지셀을 접착하는 접착층은 태양전지의 접착성분을 함유하는 성분이면 가능할 것이고 특정한 물질에 한정되지 않는다. 다만, 바람직하게는 에틸렌 비닐 아세테이트(ethylene vinyl acetate, EVA)를 사용할 수 있다.
도 2의 본 발명의 일 실시예는 두 개의 태양전지셀을 접착하고 난 후 추가적으로 접착층을 매개로 상기 하부 태양전지셀의 상부에 후면층을 결합할 수 있다. 후면층은 바람직하게는 수분을 차단하는 기능을 가지는 성분을 포함할 수 있다.
상기 순차적으로 형성된 태양전지 모듈은 최종적으로 가열 및 압착하는 라미네이트 공정을 거쳐 박막화된다.
상기 도 2의 본 발명의 일 실시예에 따른 공정을 거쳐 제조된 태양전지는 기판을 제일 상부로 둘 경우, 기판(200), 상부 투명전극층(2041), 비정질 실리콘의 상부 태양전지셀(205), 하부 투명전극층(2042), 접착층(201), 결정질 실리콘의 하부 태양전지셀(202), 접착층(201), 후면층(203)으로 순차적으로 구성된다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 제조방법의 공정 일부에 대한 단면도(도 3a)와 상기 제조방법을 상면에서 관찰한 것을 개략적으로 나타낸 태양전지 제조방법의 상면도(도 3b)이다.
도 3을 참조하면, 상기 도 2의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법 중 기 판(300) 위에 상부 투명전극층(3041), 비정질 실리콘의 상부 태양전지셀(305), 및 하부 투명전극층(3042)를 진공 증착법에 의해 순차적으로 형성하고 난 후, 상기 하부 투명전극층 위에 버스(bus) 전극층(306)을 추가로 더 형성한다.
상기 버스 전극은 금속막을 이용하여 형성될 수 있는데. 일반적인 금속막의 형성방법을 통해 얻어지며 반드시 특정의 방법에 한정되는 것은 아니다.
즉, 진공증착한 후 포토 레지스트 공정을 이용하여 패터닝 할 수도 있으며 스크린 프린팅을 통해서도 얻어질 수 있다.
태양전지 모듈에서 버스 전극의 위치와 형태는 태양전지의 설계에 따라 자유롭게 변환할 수 있는 것이 바람직하다.
도 3a를 참조하면, 기판(300) 위에 상부 투명전극층(3041), 비정질 실리콘의 상부 태양전지셀(305), 및 하부 투명전극층(3042)가 형성된 후 패터닝에 따라서 버스 금속전극층(306)이 형성된 것을 알 수 있다.
도 3a의 본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법은 대면적 박막형 태양전지의 상면에서 살펴보면 도 3b와 같은 형태로 제조됨을 알 수 있다.
도 3b를 참조하면 투명한 기판(300)을 제일 상부로 하여 순차적으로 기판의 아래쪽에 상부 투명전극층(3041), 비정질 실리콘의 상부 태양전지셀(305), 및 하부 투명전극층(3042)이 형성되고 그 아래에 일정한 패턴대로 버스 전극이 형성됨을 알 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 태양전지 모듈 및 그 제조방법에 대한 단면도인데, 상기 도 3의 버스 전극이 구비된 상부 태양전지셀과 결합되는 하부 결정질 실리콘 태양전지셀의 상하부에 금속 전극(407)이 형성된 것을 나타낸 것이다.
도 4에서 도시된 바와 같이 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 제조방법은 도 2에 개시된 것과 크게 다르지 않으나, 하부 투명전극층(4042) 위에 버스 전극을 형성하고, 이들 버스 전극과 동일한 형태나 위치, 크기를 가지는 금속 전극(407)이 하부 결정질 태양전지셀의 상부에 증착되는 과정을 추가한 것이다.
상기 버스 전극을 형성하는 과정 및 금속 전극을 형성하는 과정은 특별히 그 순서의 선후에 제한받지 아니한다.
따라서, 상부 태양전지셀 및 투명전극층을 증착한 후 형성되는 버스 전극의 형성단계가 결정질 실리콘 웨이퍼로부터 유래되는 하부 태양전지셀의 상부 및 하부에 금속전극을 형성하는 단계보다 먼저 또는 나중일 수 있다.
다만, 상기 버스 전극과 금속전극은 금속으로서 빛이 투과하지 못하므로 그 형태와 위치, 차지하는 면적에 따라 광의 투과도가 달라져 태양전지의 효율에 영향을 준다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서 상기 버스 전극이 먼저 형성되거나 하부 태양전지셀의 상부에 금속전극이 먼저 형성되든지 간에 그 순서는 관계없으나, 먼저 형성된 전극의 크기, 형태, 위치에 의해 광효율이 제한된다.
즉, 버스 전극과 금속 전극이 형성된 부분은 태양광이 투과하지 못하므로, 둘 중 먼저 형성된 전극에 비하여 나중에 형성된 전극이 형태와 다르거나 크기가 크거나 위치가 달라질 경우 광이 투과하는 부분이 상대적으로 증가하여 광효율이 감소되기 때문에 먼저 형성된 전극과 위치, 크기, 형태가 동일하거나 적어도 먼저 형성된 전극과 동일한 위치에 형성되면서 그보다 형태나 크기가 작게 구비하는 것이 바람직하다.
바람직하게는 버스 전극(406)과 하부 태양전지셀의 상부 금속전극(4071)은 상호 위치와 크기 및 형태가 동일할 것이다.
일반적으로 하부의 결정질 실리콘 위에 형성된 금속 전극(4071)은 빛에 의해서 형성된 전자와 정공을 보다 잘 수집하도록 기능한다. 이러한 금속전극이 형성된 부분으로는 빛이 투과하지 못하기 때문에, 상부의 비정질 태양전지의 하부 투명전극층(4042) 상의 동일한 위치에 금속 버스 전극(406)이 형성된다면, 하부 결정질 태양전지의 빛 입사량의 감소에 의한 효율의 감소 없이 상부 비정질 실리콘 태양전지의 효율을 높일 수 있으므로 보다 고효율을 얻을 수 있다.
상기 버스 전극과 금속 전극은 복수 개가 형성될 수 있으며 이 중에서 양 전극을 연결하는 접촉전극을 형성하여 연결함으로써 광효율을 더 증가시킬 수 있다.
이미 상술한 바와 같이 본 발명의 일 실시에에 따르면, 상기 상부 및 하부 태양전지셀은 전기적으로 직렬 연결된 복수 개의 단위셀들의 집합으로 형성될 수 있는데, 도 5에는 이러한 태양전지 모듈의 등가회로도를 나타내었다.
하부에서 태양광이 입사할 경우를 기준할 때 아래 쪽의 태양전지셀은 기판을 중심으로 상부 태양전지셀로 정의되며, 본 발명에서는 비정질 실리콘으로 구성된다. 그 위 쪽의 태양전지셀은 기판을 중심으로 하부 태양전지셀로 정의되며, 본 발 명에서는 결정질 실리콘으로 구성된다.
종래 기술의 문제점에서 언급한 바와 같이 비정질과 미결정 혹은 이종접합 등 적층 또는 탠덤형(tandem)의 태양전지를 구현함에 있어서 그 전압과 전류의 매칭과 연결은 매우 중요한 요소가 된다.
본 발명의 일 실시예에서는 비정질의 상부 셀과 결정질의 하부 셀이 각각 직렬로 연결되고, 상/하부 셀은 어느 한쪽의 전압에 의해 제한받지 않도록 전압을 매칭하기 위하여 다시 병렬연결이 되도록 하였다.
이러한 태양전지 모듈 구조는 병렬연결된 양극 전극과 음극 전극에서 각각 하나씩 단자를 뽑아내어 배선하는 2단자 구조이다. 상기 2단자 구조의 태양전지는 외부 ㅇ와이어링(wiring)이 용이한 구조이다.
도 5를 자세히 살펴보면, 상부 셀은 비정질 실리콘을 가정하여 하나의 단위셀당 약 0.9V의 개방전압(Voc)이 발생하므로 2개의 단위셀을 직렬로 연결하여 약 1.8V의 개방전압을 얻도록 한 구조이다.
또한, 하부 셀은 결정질 실리콘을 가정하여 하나의 단위셀당 약 0.6V의 개방전압(Voc)를 발생시키므로 3개의 단위셀을 직렬로 연결하여 역시 약 1.8V의 개방전압을 얻을 수 있도록 한 것이다.
도 5의 등가회로를 실제 태양전지 모듈에서 구현한 것은 도 6 내지 도 8에 도시하였다.
도 6a, 도 7a, 및 도 8a는 각 태양전지셀이 단위셀의 집합으로 구성된 본 발 명의 일 실시예에 따른 태양전지의 단면도이고, 도 6b, 도 7b, 및 도 8b는 상기 도 6a, 도 7a, 및 도 8a 각각의 태양전지 모듈을 제조하는 과정과 완성된 태양전지를 개략적으로 나타낸 상면도이다.
상부의 비정질의 실리콘 태양전지셀은 통상적으로 박막형 태양전지 모듈공정에 사용되는 레이져 혹은 기타의 스크라이빙 방법에 의하여 단위셀을 형성하고 이들 단위셀을 투명전극층으로 매개로 하여 직렬로 연결할 수 있다.
하부의 결정질 실리콘 태양전지셀 역시 통상의 방법대로, 결정형 웨이퍼를 단위셀로 절단한 후 금속성의 리본 혹은 금속 와이어와 솔더링(soldering)을 통하여 각 단위셀을 전기적으로 직렬 연결할 수 있다.
도 6a, 도 7a, 및 도 8a의 태양전지 모듈 구조는 도 5의 등가회로를 구성하고 있으나, 전극의 배선방법에 그 차이가 있다.
도 6a를 참조하면, 상/하부 태양전지셀의 원할한 연결을 위해, 상부 태양전지 단위셀 중 어느 하나의 셀의 하부 투명전극층(TCO)(6042)과 하부 태양전지 단위셀 중 어느 하나의 셀의 상부 금속 전극(6071) 사이에 금속성의 접촉전극층(contact electrode)(608)을 추가로 형성하였다.
상기 하부 투명전극층(TCO)(6042) 위에는 버스 전극을 구비하여 이 버스 전극이 접촉전극과 연결될 수도 있다.
이러한 접촉전극의 형성은 외부에 도선으로 연결되는 기존의 버스 전극과 같이 전기저항을 줄이고, 전하수집 효율을 높이기 위한 것으로 형성방법은 진공증착 후 포토 레지스트 공정을 이용하여 패터닝 할 수도 있고, 스크린 프린팅을 통해서 도 얻어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
접촉 전극의 위치 및 형태는 모듈의 설계에 따라 자유롭게 변환될 수 있으나, 접촉 전극 역시 금속성이어서 접촉전극이 형성된 부분은 빛이 투과하지 못하므로 상기 하부 결정질 태양전지 단위셀의 상부 금속 전극과 위치 및 모양이 동일한 것이 바람직하다.
버스 전극이 상부 태양전지셀의 하부 투명전극층에 형성될 경우라면 버스 전극, 접촉전극, 금속전극 모두 위치, 크기, 형태가 동일한 것이 바람직하다.
일반적으로 하부의 결정질 실리콘 위에는 빛에 의해서 형성된 전자와 정공을 보다 잘 수집하도록 금속 전극이 형성된다. 이러한 금속전극이 형성된 부분으로는 빛이 투과하지 못하기 때문에, 상부의 비정질 태양전지의 후면전극에 동일한 위치에 접촉 전극이 형성된다면, 하부 결정질 태양전지의 빛 입사량의 감소에 의한 효율의 감소 없이 상부 비정질 실리콘 태양전지의 효율을 높일 수 있으므로 보다 고효율을 얻을 수 있다.
도 6a를 참조하면, 2단자 구조에서 하나의 단자가 배선되는 곳은 접촉전극일 수 있다.
접촉전극이 매개하는 상/하부 태양전지셀의 인접되는 층의 반도체 영역은 동일한 것이어야 도통되므로 접촉전극에서 배선되는 단자는 인접되는 상/하부 태양전지셀의 층이 p형 반도체층이라면 양극 전극 단자일 것이고, n형 반도체층이라면 음극 전극 단자일 것이다.
도 6a를 참조하면 첫 번째 단자(1)는 상/하부 태양전지 단위셀을 연결하는 외부도선으로 나오며, 두 번째 단자(2)는 접촉전극에서 바로 나오도록 한 것을 도시하였다.
접촉전극이 금속성이므로 외부로 터미널을 연결함에 있어서 기존 결정질 실리콘 태양전지의 버스 전극 연결 방법을 이용할 수 있다.
도 6b에 상기 태양전지 모듈의 일 실시예를 도시하였다.
도 6b를 참조하면 상부에서 관찰된 펼친 그림에서 단위셀로 분리된 상부 태양전지셀과 하부 태양전지셀에서 2개의 터미널이 배선되는 것을 알 수 있으며, 우측 도면으로부터 2단자 배선구조의 최종적인 태양전지 모듈의 형태를 알 수 있다.
도 7a는 두 번째 단자(2)를 접촉전극(708)에서 직접 뽑아내지 않고, 상부 태양전지 단위셀의 하부 투명전극층(7042)에서 유도한 예를 나타낸다.
상부의 비정질 실리콘 태양전지 단위셀이 여러 방법에 의하여 직렬 연결되어 있으며, 투명전극층 역시 기판상에 존재하므로 두 개의 단자를 모두 상부 비정질 실리콘 cell 기판에서 도출할 수 있어, 태양전지의 모듈화에 있어서 배선의 용이성이 좋아지는 장점이 있다.
도 7a에 의한 태양전지 모듈을 제조하는 방법에 대한 상면도와 최종 완성된 태양전지 모듈은 도 7b에 개략적으로 도시하였다.
한편 도 8a는 접촉전극을 형성하지 않고 전압이 매칭된 2단자 구조를 나타내었다. 하부 결정질 실리콘 태양전지 단위셀의 버스 전극은 모두 외부에서 연결 되 어지므로, 하부 태양전지 단위셀의 상부에 형성된 금속 전극(8071)에서 유도하여 상부 비정질 실리콘 태양전지 단위셀의 기판에 있는 하부 투명전극층(8042)과 연결함으로써 도 5에서 제시한 등가회로와 같은 구조가 2개의 터미널로 구현될 수 있다.
상기 태양전지 모듈의 제조방법에 대한 상면도와 최종 완성된 태양전지 모듈은 도 8b에 개략적으로 도시하였다.
상술한 접촉전극의 형성이 곤란하거나, 에틸렌 비닐 아세테이트 등과 같은 접착층을 관통하여 양 태양전지셀의 접촉이 용이하지 않을 경우, 도 8a에 의해 제안된 배선은 용이하게 배선을 할 수 있는 장점이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 두 개의 상하 다른 태양전지층을 접합함으로서 태양광의 자외선 영역과 적외선 영역의 넓은 범위를 이용하여 고효율의 태양전지를 얻을 수 있다는 것 이외에도 서로 개방전압이 다른 태양전지의 직렬 및 병렬 접속이 가능하다는 것에도 장점이 있다. 상부 및 하부 태양전지셀의 전압이 매칭된 후에, 전류 매칭은 상/하부 각 태양전지 단위셀의 설계와 스크라이빙 등으로 조절할 수 있다.
도 9 내지 도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 4단자 구조와 2단자 구조를 개략적으로 나타낸 단면도이다.
도 9를 참조하면 상/하부 태양전지셀에서 각각 양극 단자와 음극 단자 배선한 4단자 구조임을 알 수 있고 이들 전압을 연결할 경우 직렬 전압임을 알 수 있 다.
도 10을 참조하면 상/하부 태양전지셀에서 양극 단자끼리, 음극 단자끼리 연결하여 배선함으로써 2단자의 병렬 전압으로 배선된 구조임을 알 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 다양한 배선 구조를 가지도록 태양전지 모듈 구조의 변형이 가능하다.
일반적으로 탠덤(tandem)형 소자에 있어서는 상/하부 태양전지셀 간의 전극의 연결이 쉽지 않기 때문에 투명 전극에 의한 직렬 접속법으로 되어 있는 2-터미널 구조를 이루고 있으나, 본 발명에 의하여 제작된 태양전지 모듈은 전극을 각각 뽑아낼 수 있기 때문에 4-터미널 구조가 가능하므로, 높은 전류가 요구되는 응용분야에서는 병렬 접속을, 높은 전압이 요구되는 응용분야에서는 직렬 접속으로 선택적으로 사용이 가능하다.
도 11 내지 도 13은 본 발명의 다른 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 단면도이다.
상기 도 11 내지 도 13을 참조하면 태양광이 입사되는 기판의 외부 표면에 무반사 코팅층, 오염방지층, 및 이들의 이중층 중 어느 하나의 층을 형성하는 단계를 더 추가하는 것을 특징으로 한다.
도 11에서는 기판의 외부 표면에 무반사 코팅층(1106)을 성막하였으며, 도 12에서는 기판의 외부 표면에 오염 방지 코팅층(1206)을, 도 13에서는 기판의 외부면에 무반사 코팅층(1307)과 오염방지 코팅층(1306)을 성막한 것이다.
상기 무반사 코팅층은 태양전지 모듈의 입사광량을 증가시키기 위하여 입사된 태양광이 다시 반사되지 않도록 성막한 것이고, 오염방지 코팅층은 태양전지를 장기적으로 사용할 때 먼지나 이물질과 같은 오물이 흡착되어 태양광의 입사량이 저하되는 것을 방지하기 위하여 성막한다.
이러한 성막 공정은 태양전지 모듈이 제조된 후에 최종 과정에서 추가될 수도 있고, 초기 기판의 텍스처링 공정 직후에 추가될 수도 있고, 비정질 실리콘의 상부 태양전지셀의 성막 후 추가될 수도 있다. 그러나, 비정질 실리콘 태양전지의 증착온도가 200℃ 이상의 고온이므로, 이전 과정에서 성막 된다면 무반사 혹은 오염방지 기능에 손상 받을 수 있기 때문에 비정질 실리콘 상부 태양전지셀의 성막 이후에 추가되는 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허등록청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 종래의 결정질 실리콘 태양전지모듈에 비해 광전 변환 효율이 높고 제작과정이 간단하므로, 저가의 생산비용으로 고효율의 실리콘계 태양전지를 제공하는 효과가 있다.
또한 본 발명의 실리콘계 박막형 태양전지는 원하는 가정이나 공공주택, 농 업용 하우스 등의 지붕이나 창문과 같은 건설자재 등 다양한 산업분야에서 대면적의 태양전지로서 널리 보급이 가능하고 활용될 수 있어 친환경적인 대체 에너지의 경제적 고부가가치를 제공하는 효과가 있다.

Claims (7)

  1. 기판, 상하부면에 투명전극층을 가지고 비정질 실리콘으로 이루어진 상부 태양전지셀 및 결정질 실리콘으로 이루어진 하부 태양전지셀을 포함하며, 상기 상부 태양전지셀 및 하부 태양전지셀 사이에 접착층을 포함하는 태양전지
  2. 제 1항에 있어서, 상기 상부 태양전지셀은 상부 및 하부 투명전극층에 의해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
  3. 제 1항에 있어서, 상기 하부 태양전지셀은 상하부면에 금속전극을 구비하고, 상기 금속전극을 통해 전기적으로 직렬로 연결된 복수 개의 태양전지 단위셀을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
  4. 제 1항에 있어서, 상기 상부 태양전지셀의 하부 투명전극층은 버스(bus) 금속전극을 더 포함하고, 상기 하부 태양전지셀의 상하부면에 금속전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
  5. 제 4항에 있어서, 상기 버스 금속전극과 하부 태양전지셀의 상부면의 금속전극은 접촉금속으로 연결된 것을 특징으로 하는 태양전지
  6. 제 1항에 있어서, 상기 기판의 태양전지셀이 적층되는 일면은 요철구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
  7. 제 1항에 있어서, 상기 기판은 외부 표면에 무반사 코팅층, 오염방지층, 및 이들의 이중층 중 어느 하나의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101005611B1 (ko) * 2008-12-31 2011-01-06 주식회사 효성 태양전지모듈 및 그 제조방법
KR101030447B1 (ko) * 2009-02-27 2011-04-25 성균관대학교산학협력단 이종접합 실리콘 태양전지와 그 제조방법
WO2011053025A3 (ko) * 2009-10-28 2011-09-22 엘지이노텍주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
KR101372621B1 (ko) * 2012-06-26 2014-03-11 주식회사 포스코 나노 임프린팅 및 포토 레지스트를 이용한 전극의 패터닝 방법과 이에 의해 제조된 태양전지 모듈용 기판 및 태양전지 모듈

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101005611B1 (ko) * 2008-12-31 2011-01-06 주식회사 효성 태양전지모듈 및 그 제조방법
KR101030447B1 (ko) * 2009-02-27 2011-04-25 성균관대학교산학협력단 이종접합 실리콘 태양전지와 그 제조방법
WO2011053025A3 (ko) * 2009-10-28 2011-09-22 엘지이노텍주식회사 태양전지 및 이의 제조방법
US8987585B2 (en) 2009-10-28 2015-03-24 Lg Innotek Co., Ltd. Solar cell and method fabricating the same
KR101372621B1 (ko) * 2012-06-26 2014-03-11 주식회사 포스코 나노 임프린팅 및 포토 레지스트를 이용한 전극의 패터닝 방법과 이에 의해 제조된 태양전지 모듈용 기판 및 태양전지 모듈

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