KR20140095658A - 태양 전지 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 상기 광전 변환부의 일면에서 서로 이격 형성되는 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 교차하도록 형성되며 상기 제2 전극과 절연되면서 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 리본을 포함한다.
Description
본 발명은 태양 전지에 관한 것으로, 좀더 상세하게는, 전극과 리본의 연결 구조를 개선한 태양 전지에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예상되면서 이들을 대체할 대체 에너지에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양 전지는 태양광 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 차세대 전지로서 각광받고 있다.
태양 전지는 광전 변환을 일으킬 수 있도록 반도체 기판에 도전형 영역 및 이에 전기적으로 연결되는 전극을 형성하여 형성될 수 있다. 그리고 태양 전지에는 특성을 향상하기 위하여 도전형 영역을 패시베이션하는 패시베이션 막, 반사를 방지하기 위한 반사 방지막 등도 형성된다.
그런데 종래 태양 전지에서는 반도체 기판에서 캐리어의 긴 이동 거리 등에 의하여 태양 전지의 효율이 저하될 수 있다. 따라서 태양 전지의 효율을 최대화할 수 있도록 설계되는 것이 요구된다.
본 발명은 효율을 최대화할 수 있는 태양 전지를 제공하고자 한다.
본 발명의 실시예에 따른 태양 전지는, 광전 변환부; 상기 광전 변환부의 일면에서 서로 이격 형성되는 제1 전극 및 제2 전극; 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 교차하도록 형성되며 상기 제2 전극과 절연되면서 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 리본을 포함한다.
본 실시예에서는 리본이 제1 및 제2 전극이 모두 형성된 부분에서 제1 및 제2 전극을 가로질러 배치된다. 이에 따라 제1 또는 제2 전극을 통하여 수집된 캐리어의 이동 거리를 줄일 수 있어, 제1 또는 제2 전극의 저항에 따른 캐리어의 손실을 최소화할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지의 효율을 향상할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 후면 사시도이다.
도 2는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 태양 전지를 도시한 후면 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 5는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 태양 전지에서 제1 및 제2 도전형 영역을 도시한 후면 평면도이다.
도 6은 도 1의 태양 전지 모듈에서 이웃한 두 개의 태양 전지의 연결 구조를 도시한 후면 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 8은 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 2는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 태양 전지를 도시한 후면 평면도이다.
도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 잘라서 본 단면도이다.
도 5는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 태양 전지에서 제1 및 제2 도전형 영역을 도시한 후면 평면도이다.
도 6은 도 1의 태양 전지 모듈에서 이웃한 두 개의 태양 전지의 연결 구조를 도시한 후면 평면도이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다.
도 8은 본 발명의 변형예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다.
이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명한다. 그러나 본 발명이 이러한 실시예에 한정되는 것은 아니며 다양한 형태로 변형될 수 있음은 물론이다.
도면에서는 본 발명을 명확하고 간략하게 설명하기 위하여 설명과 관계 없는 부분의 도시를 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 극히 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 참조부호를 사용한다. 그리고 도면에서는 설명을 좀더 명확하게 하기 위하여 두께, 넓이 등을 확대 또는 축소하여 도시하였는바, 본 발명의 두께, 넓이 등은 도면에 도시된 바에 한정되지 않는다.
그리고 명세서 전체에서 어떠한 부분이 다른 부분을 "포함"한다고 할 때, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 부분을 배제하는 것이 아니며 다른 부분을 더 포함할 수 있다. 또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 부분이 위치하는 경우도 포함한다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 위치하지 않는 것을 의미한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 및 이의 제조 방법을 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 태양 전지 모듈을 도시한 후면 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150), 태양 전지(150)의 전면 상에 위치하는 전면 기판(110) 및 태양 전지(150)의 후면 상에 위치하는 후면 시트(200)을 포함할 수 있다. 또한, 태양 전지 모듈(100)은 태양 전지(150)와 전면 기판(110) 사이의 제1 밀봉재(131)와, 태양 전지(150)와 후면 시트(200) 사이의 제2 밀봉재(132)를 포함할 수 있다.
먼저, 태양 전지(150)는 태양 에너지를 전기 에너지로 변환하는 반도체 소자로써, 실리콘 태양 전지(silicon solar cell)일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 태양 전지(150)는 화합물 반도체 태양 전지(compound semiconductor solar cell), 탠덤형 태양 전지(tandem solar cell), 염료 감응형 태양 전지 등 다양한 구조를 가질 수 있다.
일례로, 본 실시예에서는 제1 및 제2 전극(도 2의 참조부호 42, 44)이 반도체 기판(도 2의 참조부호 10)의 후면에 위치한 형태의 실리콘 태양 전지를 태양 전지(150)로 사용할 수 있다. 이를 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세하게 후술한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 태양 전지(150)에는 다양한 구조 및 방식의 광전 변환부가 적용될 수 있다.
그리고 태양 전지(150)는 리본(142)을 포함하며, 이웃한 태양 전지(150)는 리본(142)에 의하여 전기적으로 직렬, 병렬 또는 직병렬로 연결되어 태양 전지 스트링(140)을 이룬다.
그리고 버스 리본(145)은 태양 전지 스트링(140)의 리본(142) 양끝단을 교대로 연결하여, 태양 전지 스트링(140)을 전기적으로 연결한다. 버스 리본(145)은 태양 전지 스트링(140)의 단부에서 태양 전지 스트링(140)의 길이 방향과 교차하는 방향으로 배치될 수 있다. 이러한 버스 리본(145)은 태양 전지(150)가 생산한 전기를 모으며 전기가 역류되는 것을 방지하는 정션 박스(미도시)와 연결된다.
제1 밀봉재(131)는 태양 전지(150)의 수광면에 위치하고, 제2 밀봉재(132)는 태양 전지(150)의 이면에 위치할 수 있으며, 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 라미네이션에 의해 접착하여, 태양 전지(150)에 악영향을 미칠 수 있는 수분이나 산소를 차단하며, 태양 전지의 각 요소들이 화학적으로 결합할 수 있도록 한다.
이러한 제1 밀봉재(131)와 제2 밀봉재(132)는 에틸렌초산비닐 공중합체 수지(EVA), 폴리비닐부티랄, 규소 수지, 에스테르계 수지, 올레핀계 수지 등이 사용될 수 있다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 제1 및 제2 밀봉재(131, 132)는 그 외 다양한 물질을 이용하여 라미네이션 이외의 다른 방법에 의하여 형성될 수 있다.
전면 기판(110)은 태양광을 투과하도록 제1 밀봉재(131) 상에 위치하며, 외부의 충격 등으로부터 태양 전지(150)를 보호하기 위해 강화유리인 것이 바람직하다. 또한, 태양광의 반사를 방지하고 태양광의 투과율을 높이기 위해 철분이 적게 들어간 저철분 강화유리인 것이 더욱 바람직하다.
후면 시트(200)은 태양 전지(150)의 이면에서 태양 전지(150)를 보호하는 층으로서, 방수, 절연 및 자외선 차단 기능을 한다. 후면 시트(200)은 TPT(Tedlar/PET/Tedlar) 타입일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 후면 시트(200)는 전면 기판(110) 측으로부터 입사된 태양광을 반사하여 재이용될 수 있도록 반사율이 우수한 재질일 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 후면 시트(200)가 태양광이 입사될 수 있는 투명 재질로 형성되어 양면 태양 전지 모듈(100)을 구현할 수도 있다.
본 실시예에서 복수의 태양 전지(150)를 구성하는 하나의 태양 전지(150)의 구조를 도 2 내지 도 5를 참조하여 상세하게 설명한 다음, 전기적으로 연결된 복수의 태양 전지(150)의 구조를 도 6을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 2는 도 1의 태양 전지 모듈에서 하나의 태양 전지를 도시한 후면 평면도이다. 도 3은 도 2의 III-III선을 따라 잘라서 본 단면도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV선을 따라 잘라서 본 단면도이다. 이때, 도 2에서는 명확하고 간략한 도시를 위하여 패시베이션 막(32)을 도시하지 않는다.
도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 실시예에서 태양 전지(150) 각각은, 반도체 기판(10)과, 반도체 기판(10)의 일면(이하 "후면")에 형성된 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)과, 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)에 각기 전기적으로 연결되는 제1 및 제2 전극(42, 44)을 포함한다. 여기서, 반도체 기판(10), 그리고 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)이 광전 변환부를 구성하게 된다. 그리고 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)을 패시베이션하는 패시베이션 막(32)을 더 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 평면으로 볼 때 리본(142)이 제1 및 제2 전극(42, 44)과 교차하도록 형성되되, 제1 및 제2 전극(42, 44) 중 어느 하나와 절연되면서 다른 하나에 전기적으로 연결된다. 그리고 리본(142)과 제1 및 제2 전극(42, 44)의 절연 및 연결을 위하여 절연층(46a, 46b), 그리고 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)을 더 포함할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
반도체 기판(10)은 다양한 반도체 물질을 포함할 수 있는데, 일례로 제1 도전형 불순물을 포함하는 실리콘을 포함할 수 있다. 실리콘으로는 단결정 실리콘 또는 다결정 실리콘이 사용될 수 있으며, 제1 도전형은 일례로 n형일 수 있다. 즉, 반도체 기판(10)은 인(P), 비소(As), 비스무스(Bi), 안티몬(Sb) 등의 5족 원소를 포함하는 단결정 또는 다결정 실리콘으로 이루어질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반도체 기판(10)이 p형일 수도 있다.
반도체 기판(10)의 전면 및 후면은, 텍스쳐링(texturing)되어 피라미드 등의 형태의 요철을 가질 수 있다. 이와 같은 텍스쳐링에 의해 반도체 기판(10)의 전면 등에 요철이 형성되어 표면 거칠기가 증가되면, 반도체 기판(10)의 전면 등을 통하여 입사되는 광의 반사율을 낮출 수 있다. 따라서 pn 접합까지 도달하는 광량을 증가시킬 수 있어, 광 손실을 최소화할 수 있다.
도면에서는 반도체 기판(10)의 전면 쪽에만 텍스쳐링이 된 것을 도시하였으나, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 전면 및 후면 중 적어도 어느 하나의 면이 텍스쳐링될 수 있다.
텍스처링으로는 습식 또는 건식 텍스처링을 사용할 수 있다. 습식 텍스처링은 텍스처링 용액에 반도체 기판(10)을 침지하는 것에 의해 수행될 수 있으며, 공정 시간이 짧은 장점이 있다. 건식 텍스처링은 다이아몬드 그릴 또는 레이저 등을 이용하여 반도체 기판(10)의 표면을 깍는 것으로, 요철을 균일하게 형성할 수 있는 반면 공정 시간이 길고 반도체 기판(10)에 손상이 발생할 수 있다. 그 외에 반응성 이온 식각(RIE) 등에 의하여 반도체 기판(10)을 텍스쳐링 할 수도 있다. 이와 같이 본 발명에서는 다양한 방법으로 반도체 기판(10)을 텍스쳐링 할 수 있다.
반도체 기판(10)의 전면에는 전면 전계층(50)이 형성될 수 있다. 이러한 전면 전계층(50)은 반도체 기판(10)보다 높은 농도로 불순물이 도핑된 영역으로, 후면 전계층(back surface field, BSF)와 유사하게 작용한다. 즉, 입사되는 태양 광에 의해 분리된 전자와 정공이 반도체 기판(10)의 전면에서 재결합되어 소멸되는 것을 방지한다.
일례로, 이온 주입법, 열 확산법 등의 다양한 방법에 의하여 불순물을 반도체 기판(10)에 도핑하여 전면 전계층(50)을 형성할 수 있다.
그리고 전면 전계층(50) 위에는 반사 방지막(60)이 형성될 수 있다. 반사 방지막(60)은 반도체 기판(10)의 전면에 전체적으로 형성될 수 있다. 반사 방지막(60)은 반도체 기판(10)의 전면으로 입사되는 광의 반사율을 감소시키고, 전면 전계층(50)의 표면 또는 벌크 내에 존재하는 결함을 부동화 시킨다.
반도체 기판(10)의 전면을 통해 입사되는 광의 반사율을 낮추는 것에 의하여 반도체 기판(10)과 제1 또는 제2 도전형 영역(22, 24)의 계면에 형성된 pn 접합까지 도달되는 광량을 증가할 수 있다. 이에 따라 태양 전지(150)의 단락 전류(Isc)를 증가시킬 수 있다. 그리고 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다. 이와 같이 반사 방지막(60)에 의해 태양 전지(150)의 개방 전압과 단락 전류를 증가시켜 태양 전지(150)의 변환 효율을 향상할 수 있다.
이러한 방사 방지막(60)은 다양한 물질로 형성될 수 있다. 일례로, 반사 방지막(60)은 실리콘 질화막, 수소를 포함한 실리콘 질화막, 실리콘 산화막, 실리콘 산화 질화막, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 단일막 또는 2개 이상의 막이 조합된 다층막 구조를 가질 수 있다. 반사 방지막(60)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅 등과 같은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 반사 방지막(60)이 다양한 물질을 포함할 수 있으며 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있음은 물론이다.
그리고 반도체 기판(10)의 후면 쪽에 서로 다른 도전형 도펀트를 가지는 p형의 제1 도전형 영역(22) 및 n형의 제2 도전형 영역(24)이 형성된다. 이러한 제1 도전형 영역(22)과 제2 도전형 영역(24)은 션트를 방지할 수 있도록 서로의 사이에 아이솔레이션 영역(36)을 두고 서로 이격될 수 있다. 아이솔레이션 영역(36)에 의하여 제1 도전형 영역(22)과 제2 도전형 영역(24)이 서로 일정 간격(일례로, 수십㎛~ 수백㎛)만큼 이격될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 제1 도전형 영역(22)과 제2 도전형 영역(24)이 서로 접하면서 형성되는 것도 가능하다. 그리고 제1 도전형 영역(22)과 제2 도전형 영역(24)의 두께는 서로 동일할 수도 있고, 서로 다른 두께를 가질 수도 있다. 본 발명이 상술한 간격 또는 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)의 두께에 한정되는 것은 아니다.
이러한 제1 도전형 영역(22)은 p형 불순물을 도핑(일례로, 이온 주입)하여 형성될 수 있고, 제2 도전형 영역(24)은 n형 불순물을 도핑(일례로, 이온 주입)하여 형성될 수 있다. p형 불순물로 3족 원소(B, Ga, In 등)을 사용할 수 있고, n형 불순물로 5족 원소(P, As, Sb 등) 등을 사용할 수 있다. 일례로, 이온 주입법, 열 확산법 등의 다양한 방법에 의하여 불순물을 반도체 기판(10)에 도핑하여 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)을 형성할 수 있다.
그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, p형 불순물을 가지는 비정질 실리콘으로 구성된 층 및 n형 불순물을 가지는 비정질 실리콘으로 구성된 층을 각기 반도체 기판(10)의 후면 상에 형성하여 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)을 형성할 수도 있다. 이 외에도 다양한 방법에 의하여 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)을 형성할 수 있음은 물론이다.
도 5에 도시한 바와 같이, 제1 도전형 영역(22)과 제2 도전형 영역(24)은 각기 복수 개로 구비되어 위치할 수 있다. 본 실시예에서는 복수 개의 제1 도전형 영역(22)이 서로 이격 위치하면서 스트라이프 형상을 가지고, 복수 개의 제2 도전형 영역(24)이 서로 이격 위치하면서 스트라이프 형상을 가지며, 제1 도전형 영역(22) 및 제2 도전형 영역(24)이 서로 하나씩 교번하여 위치하는 것을 예시하였다. 이때, 전자보다 정공의 이동 속도가 상대적으로 낮기 때문에 이를 고려하여 p형인 제1 도전형 영역(22)의 면적을 n형인 제2 도전형 영역(24)보다 크게 할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며, 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)의 위치, 배열, 면적 등은 다양하게 변형될 수 있다.
다시 도 2 내지 도 4를 참조하면, 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24) 상에는 패시베이션 막(32)이 형성될 수 있다. 이러한 패시베이션 막(32)은 반도체 기판(10)의 후면(즉, 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)의 표면)에 존재하는 결함을 부동화하여 소수 캐리어의 재결합 사이트를 제거할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(150)의 개방 전압(Voc)을 증가시킬 수 있다.
본 실시예에서 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)에 대응하는 패시베이션 막(32)이 동일한 물질을 포함하는 단일층으로 구비되어 한 종류의 패시베이션 막(32)이 형성된 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 제1 및 제2 도전형 영역(22, 24)에 각기 대응하는 물질을 포함하는 복수의 패시베이션 막을 포함할 수도 있다. 이러한 패시베이션 막(32)으로는 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산화 질화물, 알루미늄 산화물, 하프늄 산화물, 지르코늄 산화물, MgF2, ZnS, TiO2 및 CeO2으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 적어도 하나 사용할 수 있다.
패시베이션 막(32)은 진공 증착법, 화학 기상 증착법, 스핀 코팅, 스크린 인쇄 또는 스프레이 코팅 등과 같은 다양한 방법에 의하여 형성될 수 있다.
패시베이션 막(32) 상에는 제1 도전형 영역(22)에 연결되는 제1 전극(42)과 제2 도전형 영역(24)에 연결되는 제2 전극(44)이 형성될 수 있다. 좀더 구체적으로, 제1 전극(42)은 패시베이션 막(32)을 관통하는 제1 관통홀에 의하여 제1 도전형 영역(22)에 연결되고, 제2 전극(44)은 패시베이션 막(32)을 관통하는 제2 관통홀에 의하여 제2 도전형 영역(24)에 연결될 수 있다.
패시베이션 막(32)에 제1 및 제2 개구부를 형성하고, 이 개구부 내에 도금법, 증착법 등의 다양한 방법으로 제1 및 제2 전극(42, 44)을 형성할 수 있다.
또는, 제1 및 제2 전극 형성용 페이스트를 패시베이션 막(32) 상에 각기 스크린 인쇄 등으로 도포한 후에 파이어 스루(fire through) 또는 레이저 소성 컨택(laser firing contact) 등을 하여 상술한 형상의 제1 및 제2 전극(42, 44)을 형성하는 것도 가능하다. 이 경우에는 별도로 제1 및 제2 개구부를 형성하는 공정을 추가하지 않아도 된다.
제1 및 제2 전극(42, 44)은 반도체 기판(10)의 후면에서 서로 이격 형성된다. 일례로, 제1 전극(42)이 서로 이격되는 복수의 제1 전극부(일명 "핑거 전극")(420)을 포함하여 복수의 제1 전극부(420)가 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 이와 유사하게 제2 전극(44)이 서로 이격되는 복수의 제2 전극부(일명 "핑거 전극")(440)를 포함하여 복수의 제2 전극부(440)가 스트라이프 형상을 가질 수 있다. 그리고 제1 전극부(420)와 제2 전극부(440)가 하나씩 서로 교번하여 위치할 수 있다. 이에 의하여 광전 변환에 의하여 형성된 전자 및 정공을 효율적으로 수집할 수 있도록 한다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 전극(42, 44)이 다양한 평면 형상 및 배치를 가질 수 있다.
제1 전극(42)에 연결되는 제1 리본(142a)은 제1 및 제2 전극(42, 44)의 길이 방향과 교차하도록 배치된다. 즉, 제1 리본(142a)이 제1 및 제2 전극(42, 44)이 모두 형성된 부분에서 제1 및 제2 전극(42, 44)을 가로질러서 형성되고, 제1 리본(142a)이 제2 전극(44)과 절연되면서 제1 전극(42)에 전기적으로 연결된다. 이와 유사하게, 제2 전극(44)에 연결되는 제2 리본(142b)은 제1 및 제2 전극(44)의 길이 방향과 교차하도록 배치된다. 즉, 제2 리본(142b)이 제1 및 제2 전극(42, 44)이 모두 형성된 부분에서 제1 및 제2 전극(42, 44)을 가로질러서 형성되고, 제2 리본(142b)이 제1 전극(42)과 절연되면서 제2 전극(44)에 전기적으로 연결된다.
좀더 구체적으로, 제1 리본(142a)과 제2 전극(44) 사이, 그리고 제2 리본(142b)과 제1 전극(42) 사이에 절연층(46a, 46b)이 위치하고, 제1 리본(142a)과 제1 전극(42) 사이에 제1 리본(142a)과 제1 전극(42)을 연결하는 제1 연결층(48a)이 위치하며, 제2 리본(142b)과 제2 전극(44) 사이에 제2 리본(142b)과 제2 전극(44)을 연결하는 제2 연결층(48b)이 위치한다.
절연층(46a, 46b)은 다양한 절연 물질(일례로, 실리콘 산화물(SiO2), 티타늄 산화물(TiO2) 등)을 포함할 수 있다. 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)은 다양한 금속 물질(일례로, 니켈(Ni), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 주석(Sn), 아연(Zn), 인듐(In), 티타늄(Ti), 금(Au) 등)을 포함할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것이 아니며 다양한 물질이 절연층(46a, 46b), 그리고 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)으로 사용될 수 있다.
상술한 바와 같이, 제1 전극(42)은 복수의 제1 전극부(420)를 포함하고 제2 전극(44)은 복수의 제2 전극부(440)를 포함한다. 따라서, 제1 리본(142a)과 복수의 제2 전극부(440) 사이, 그리고 제2 리본(142b)과 제1 전극부(420) 사이에 절연층(46a, 46b)이 위치한다. 그리고 제1 리본(142a)과 복수의 제1 전극부(420) 사이에 제1 연결층(48a)이 위치하고, 제2 리본(142b)과 복수의 제2 전극부(440) 사이에 제2 연결층(48b)이 위치한다. 그러면, 제1 리본(142a)이 제1 연결층(48a)에 의하여 복수의 제1 전극부(420)에 연결되면서 절연층(46a, 46b)에 의하여 제2 전극부(440)에 의하여 절연된다. 마찬가지로, 제2 리본(142b)이 제2 연결층(48b)에 의하여 복수의 제2 전극부(440)에 연결되면서 절연층(46a, 46b)에 의하여 제1 전극부(420)에 의하여 절연된다.
본 실시예에서 절연층(46a, 46b)이 제1 리본(142a)과 제1 전극(42) 사이에 위치한 제1 절연층(46a)과, 제2 리본(142b)과 제2 전극(44) 사이에 위치한 제2 절연층(46b)을 별개로 구비한다. 그리고 제1 절연층(46a)은 제1 리본(142a)과 복수의 제2 전극부(440) 사이에 각기 대응하도록 서로 이격된 복수의 제1 절연 부분(460a)을 포함하고, 제2 절연층(46b)은 제2 리본(142b)과 복수의 제1 전극부(420) 사이에 각기 대응하도록 서로 이격된 복수의 제2 절연 부분(460b)을 포함할 수 있다.
그리고 제1 연결층(48a)은 제1 리본(142a)과 복수의 제1 전극부(420) 사이에 각기 대응하도록 서로 이격된 복수의 제1 연결 부분(480a)을 포함하고, 제2 연결층(48b)은 제2 리본(142b)과 복수의 제2 전극부(440) 사이에 각기 대응하도록 서로 이격된 복수의 제2 연결 부분(480b)을 포함할 수 있다.
이때, 상술한 바와 같이 제1 전극부(420)와 제2 전극부(440)가 서로 교번하여 형성되고, 제1 및 제2 리본(142a, 142b)이 복수의 제1 및 제2 전극부(410, 420)를 가로질러 형성된다. 이에 따라 제1 리본(142a)의 길이 방향에서 볼 때 제1 절연 부분(460a)과 제1 연결 부분(480a)이 교번하여 위치하고, 제2 리본(142b)의 길이 방향에서 볼 때 제2 절연 부분(460b)과 제2 연결 부분(480b)이 교번하여 위치할 수 있다.
이때, 제1 연결 부분(480a)과 제1 절연 부분(460a)은 서로 접하면서 형성되거나 일부가 중첩되어 형성될 수도 있고, 서로 일정 간격을 두고 이격되어 형성될 수도 있다. 그리고 제1 연결 부분(480a)은 제1 전극부(420)의 위에서 부분적으로 또는 전체적으로 형성될 수도 있고, 또는 제1 전극부(420)를 가로질러 제1 전극부(420)의 폭보다 길게 형성될 수도 있다. 제1 절연 부분(460a)은 제2 전극부(440)의 위에 전체적으로 형성될 수도 있고, 또는 제2 전극부(440)를 가로질러 제1 전극부(440)의 폭보다 길게 형성될 수도 있다.
이와 유사하게 제2 연결 부분(480b)과 제2 절연 부분(460b)은 서로 접하면서 형성되거나 일부가 중첩되어 형성될 수도 있고, 서로 일정 간격을 두고 이격되어 형성될 수도 있다. 그리고 제2 연결 부분(480b)은 제2 전극부(440)의 위에서 부분적으로 또는 전체적으로 형성될 수도 있고, 또는 제2 전극부(440)를 가로질러 제2 전극부(440)의 폭보다 길게 형성될 수도 있다. 제2 절연 부분(460b)은 제2 전극부(440)의 위에서 전체적으로 형성될 수도 있고, 또는 제2 전극부(440)를 가로질러 제1 전극부(440)의 폭보다 길게 형성될 수도 있다.
상술한 제1 및 제2 절연층(46a, 46b)의 제1 및 제2 절연 부분(460a, 460b)은 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 에어로젤 젯 인쇄 등의 다양한 인쇄법에 의하여 형성된 인쇄층일 수 있다. 그리고 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)의 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b)은 스크린 인쇄, 잉크젯 인쇄, 에어로젤 젯 인쇄 등의 다양한 인쇄법에 의하여 형성된 인쇄층일 수 있다. 이에 따라 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)의 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b), 그리고 제1 및 제2 절연층(46a, 46b)의 제1 및 제2 절연 부분(460a, 460b)은 1회의 인쇄 공정에 의하여 형성되어 10㎛ 내지 20㎛의 두께를 가질 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 도금, 증착 등의 다양한 방법을 사용할 수 있다.
불필요한 쇼트 등을 좀더 효율적으로 방지하기 위하여 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)을 먼저 형성한 다음 제1 및 제2 절연층(46a, 46b)을 형성할 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 절연층(46a, 46b)을 먼저 형성한 다음 제1 및 제2 연결층(48a, 48b)을 형성할 수도 있다.
리본(142)은 전기적 특성이 우수하며 물리적 특성이 우수한 다양한 물질로 이루어질 수 있다. 일례로, 리본(142)이 솔더용 물질을 포함할 수 있는데, Sn/Ag/Cu계, Sn/Ag/Pb계, Sn/Ag계, Sn/Pb계 물질 등을 포함할 수 있다. 또는, 우수한 전도성의 금속 물질(일례로, 알루미늄) 등을 포함할 수도 있다. 또는, 리본(142)이 솔더용 물질 상에 산화 방지막 등이 적층되어 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
이때, 제1 리본(142a)이 각 태양 전지(150)에 복수로 위치하고, 제2 리본(142b)이 각 태양 전지(150)에 복수로 위치할 수 있다. 이때, 하나의 제1 리본(142a)과 하나의 제2 리본(142b)이 하나의 리본쌍(142)을 구성할 수 있다. 복수 개의 리본쌍이 각 태양 전지(150)에 대응하도록 배치되고, 제1 및 제2 전극(42, 44)의 길이 방향에서 복수 개의 리본쌍(142)이 대칭적으로 위치할 수 있다. 이에 의하여 태양 전지(150)의 광전 변환 작용에 의하여 생성된 캐리어를 효율적으로 수집할 수 있다.
도면에서는 하나의 리본쌍(142)이 태양 전지(150)의 일 가장자리(도면의 좌측 가장자리)로부터 일정 거리만큼 이격되어 태양 전지(150)의 일측에 위치하고, 다른 하나의 리본쌍(142)이 태양 전지(150)의 다른 가장자리(도면의 우측 가장자리)로부터 일정 거리만큼 이격되어 태양 전지(150)의 타측에 위치할 수 있다. 이에 따라 두 개의 리본쌍(142)이 대칭적으로 형성될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 및 제2 리본(142a, 142b)는 태빙, 전도성 필름 등을 이용하여 제1 및 제2 연결층()에 전기적 및 물리적으로 연결될 수 있다. 태빙 공정을 이용하는 방법으로는 알려진 다양한 공정, 물질 등이 사용될 수 있으므로 상세한 설명을 생략한다.
다양한 접착제, 접착 필름을 이용하는 방법으로는, 전도성 필름 또는 테이프를 이용할 수 있다. 일례로, 제1 및 제2 전극(42, 44) 및 리본(142) 사이에 전도성 테이프를 위치시킨 다음, 열 압착에 의해 이들을 연결할 수 있다. 전도성 필름은 도전성이 우수한 금, 은, 니켈, 구리 등으로 형성된 도전성 입자가 에폭시 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리카보네이트 수지 등으로 형성된 필름 내에 분산된 것일 수 있다. 이러한 전도성 필름을 열을 가하면서 압착하면 도전성 입자가 필름의 외부로 노출되고, 노출된 도전성 입자에 의해 제1 및 제2 전극(42, 44)과 리본(142)이 전기적으로 연결될 수 있다. 이와 같이 전도성 테이프 또는 필름을 이용할 경우에는, 공정 온도가 낮아져 태양 전지 스트링(140)의 휘어짐이 방지될 수 있다. 이때, 전도성 테이프 또는 필름은 리본(142)에 코팅되어 리본(142)과 일체로 형성될 수 있다.
이와 같이 본 실시예에서는 제1 리본(142a)이 제1 및 제2 전극(42, 44)이 모두 형성된 부분에서 제1 및 제2 전극(42, 44)을 가로질러 배치된다. 이에 따라 제1 전극(42)을 통하여 수집된 캐리어의 이동 거리를 줄일 수 있어, 제1 전극(42)의 저항에 따른 캐리어의 손실을 최소화할 수 있다. 이와 유사하게 제2 리본(142b)에 의하여 제2 전극(44)을 통하여 수집된 캐리어의 이동 거리를 줄일 수 있어, 제2 전극(44)의 저항에 따른 캐리어의 손실을 최소화할 수 있다. 이를 좀더 상세하게 설명한다.
종래에는 광전 변환부의 일면(즉, 후면)에 제1 및 제2 전극이 함께 위치하는 경우에, 제1 전극은 복수의 제1 전극부의 일 단부를 연결하도록 일측 가장자리에 형성된 제1 연결부를 포함하고, 제2 전극은 복수의 제2 전극부의 다른 단부를 연결하도록 타측 가장자리에 형성된 제2 연결부를 포함한다. 그리고 일 태양 전지의 제1 연결부와 다른 태양 전지의 제2 연결부를 리본 또는 클립 등을 이용하여 서로 연결한다. 그러면, 제1 전극을 통하여 이동하는 캐리어의 최대 이동 거리는 제1 전극의 다른 단부부터 일 단부까지 이동하는 거리에 해당하여 제1 전극(또는 반도체 기판)의 전체 길이가 되며, 제2 전극을 통하여 이동하는 캐리어의 최대 이동 거리는 제2 전극의 일 단부부터 다른 단부까지 이동하는 거리에 해당하여 제2 전극(또는 반도체 기판)의 전체 길이가 된다. 그러면 제1 또는 제2 전극을 통하여 캐리어가 이동할 때 캐리어의 최대 이동 거리가 길어짐에 따라 저항 문제가 크게 작용하게 된다. 이러한 저항 문제를 해결하기 위하여 제1 및 제2 전극의 두께를 증가시키면 반도체 기판이 휘는 등의 문제가 발생할 수 있다. 또는 제1 및 제2 전극의 물질을 저항이 낮은 물질로 대체하고자 하는 경우에는 재료비의 부담이 있다.
반면에, 본 실시예에서는 캐리어의 최대 이동 거리가 이웃한 제1 리본(142a) 사이의 거리의 절반 정도에 불과하다. 도면에서와 같이 일례로 제1 리본(142a)이 각 태양 전지(150)에 두 개 위치한 경우에 캐리어의 최대 이동 거리는 제1 전극(42)(반도체 기판(10))의 전체 길이의 대략 4분의 1 정도가 된다. 이에 따라 캐리어 이동 거리를 최소하하여 캐리어 손실을 최소화할 수 있다. 이는 제2 전극(44)의 경우에도 마찬가지다. 이에 따라 제1 및 제2 전극(42, 44)의 두께를 증가시키거나 물질을 대체하는 등을 하지 않고도 우수한 전기적 특성을 나타낼 수 있다. 또한, 별도로 버스바 전극(복수의 제1 전극부를 가로지르면서 리본(142)에 대응하여 형성되는 전극부)을 구비하지 않고 제1 전극부(420) 또는 제2 전극부(440)로만 제1 또는 제2 전극(42, 44)을 형성할 수 있다. 이에 따라 버스바 전극의 폭에 의한 캐리어의 손실을 방지할 수 있다.
상술한 실시예에서는 제1 및 제2 리본(142a, 142b)이 모두 제1 및 제2 전극(42, 44)을 가로질러 형성되는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 제1 및 제2 리본(142a, 142b) 어느 하나만 제1 및 제2 전극(42, 44)을 가로질러 형성되는 등 다양한 변형이 가능하다.
상술한 태양 전지(150)를 다른 태양 전지(150)와 연결하는 구조를 도 6을 참조하여 설명한다. 도면에서 상부에 위치한 태양 전지(150)에서는, 상술한 바와 같이, 제1 리본(142a)이 p형의 제1 전도형 영역(22)에 연결되는 제1 전극(42)에 연결되고 제2 리본(142b)이 n형의 제2 전도형 영역(24)에 연결되는 제2 전극(44)에 연결된다. 그리고 하부에 위치한 태양 전지(150)에서는, 상부의 태양 전지(150)와는 반대로, 제1 리본(142a)이 n형의 제2 전도형 영역(24)에 연결되는 제2 전극(44)에 연결되고 제2 리본(142b)이 p형의 제1 전도형 영역(22)에 연결되는 제1 전극(42)에 연결된다. 이에 의하여 이웃한 태양 전지(150)를 직렬로 연결할 수 있게 된다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니며 다양한 방식으로 이웃한 태양 전지(150)를 연결할 수 있다.
이와 같이 본 실시예에서는 리본(142)이 이웃한 태양 전지(150)에 연결되게 부착하는 것에 의하여 쉽게 이웃한 태양 전지(150)를 전기적으로 연결할 수 있다. 이에 따라 이웃한 태양 전지(150)를 전기적으로 연결하는 공정을 단순화하여 생산성을 향상할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지를 좀더 상세하게 설명한다. 앞서 설명한 부분과 동일 또는 유사한 부분에 대해서는 상세한 설명을 생략하고 서로 다른 부분만을 상세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양 전지의 후면 평면도이다. 간략한 도시 및 명확한 설명을 위하여 도 7에서는 리본(142)의 경계선만을 표시하였다.
도 6 및 도 7에 도시한 바와 같이, 제1 리본(142a)과 복수의 제2 전극부(440), 그리고 제2 리본(142b)과 복수의 제1 전극부(420) 사이에 위치한 절연층(46)이 일체로 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 반도체 기판(10), 그리고 제1 및 제2 전극(42, 44)을 전체적으로 덮도록 절연층(46)이 형성되는 것을 예시하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 리본(142)이 형성될 부분에만 대응하여 절연층(46)이 형성될 수도 있다.
제1 리본(142a)이 형성된 부분에서 복수의 제1 전극부(420)에 대응하도록 절연층(46)에 제1 개구부가 형성되고, 제1 개구부 내에 제1 연결층(48a)의 제1 연결 부분(48a)이 형성된다. 그리고 제2 리본(142b)이 형성된 부분에서 복수의 제2 전극부(440)에 대응하도록 절연층(46)에 제2 개구부가 형성되고, 제2 개구부 내에 제2 연결층(48b)의 제2 연결 부분(480b)이 형성된다.
상술한 구조는 절연층(46)에 제1 및 제2 개구부를 형성하고 제1 및 제2 개구부 내에 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b)을 형성한 다음 제1 및 제2 리본(142a, 142b)를 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b)에 각기 연결하는 것에 의하여 형성될 수 있다. 또는 절연층(46)을 형성한 다음 제1 리본(142a) 및 제2 리본(142b)을 형성한 다음 레이저 소성 컨택 등에 의하여 해당 부분을 용융하는 것에 의하여 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b)를 형성할 수도 있다.
본 실시예에서는 제1 연결층(48a, 48b)이 각기 복수의 제1 및 제2 연결 부분(480a, 480b)를 구비하는 것을 예시하였다. 그러나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 일 변형예로서, 도 8에 도시한 바와 같이, 제1 연결층(48a)이 제1 리본(142a)의 길이 방향에서 길게 형성되면서 제1 연결 부분(480a)에 의하여 제1 전극(42)에 연결될 수 있다. 이와 유사하게 제2 연결층(48b)이 제2 리본(142b)의 길이 방향에서 길게 형성되면서 제2 연결 부분(480b)에 의하여 제2 전극(42)에 의하여 연결될 수 있다. 이에 의하면 제1 리본(142a)과 제1 연결층(48a)의 접촉 면적, 그리고 제2 리본(142b)과 제2 연결층(48b)의 접촉 면적을 증가하여 전기적 특성을 향상할 수 있다.
상술한 바에 따른 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 태양 전지 모듈
150: 태양 전지
22: 제1 도전형 영역
24: 제2 도전형 영역
42: 제1 전극
44: 제2 전극
46, 46a, 46b: 절연층
48, 48a, 48b: 연결층
142a: 제1 리본
142b: 제2 리본
150: 태양 전지
22: 제1 도전형 영역
24: 제2 도전형 영역
42: 제1 전극
44: 제2 전극
46, 46a, 46b: 절연층
48, 48a, 48b: 연결층
142a: 제1 리본
142b: 제2 리본
Claims (20)
- 광전 변환부;
상기 광전 변환부의 일면에서 서로 이격 형성되는 제1 전극 및 제2 전극; 및
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 교차하도록 형성되며, 상기 제2 전극과 절연되면서 제1 전극에 전기적으로 연결되는 제1 리본
을 포함하는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 리본과 상기 제2 전극 사이에 절연층이 위치하고,
상기 제1 리본과 상기 제1 전극 사이에 연결층이 위치하는 태양 전지. - 제2항에 있어서,
상기 제1 전극은 복수의 제1 전극부를 포함하고,
상기 제2 전극은 복수의 제2 전극부를 포함하며,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제2 전극부 사이에 상기 절연층이 위치하고,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제1 전극부 사이에 상기 연결층이 위치하는 태양 전지. - 제3항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극부가 서로 이격되는 스트라이프 형상을 가지며, 상기 복수의 제2 전극부가 서로 이격되는 스트라이프 형상을 가지는 태양 전지. - 제3항에 있어서,
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부가 서로 교번하여 형성되고,
상기 제1 리본의 길이 방향에서 상기 절연층과 상기 연결층이 교번하여 위치하는 태양 전지. - 제3항에 있어서,
상기 절연층이 상기 복수의 제2 전극부에 대응하도록 서로 이격된 복수의 절연 부분을 포함하는 태양 전지. - 제3항에 있어서,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제2 전극부 사이에 위치한 상기 절연층이 일체로 형성되고,
상기 복수의 제1 전극부에 대응하도록 상기 절연층에 복수의 개구부가 형성되며,
상기 개구부 내에 상기 연결층이 형성되는 태양 전지. - 제2항에 있어서,
상기 연결층 및 상기 절연층의 두께가 10㎛ 내지 20㎛인 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 리본이 상기 각 태양 전지에서 복수 개로 구비되는 태양 전지. - 제9항에 있어서,
상기 복수의 제1 리본이 상기 각 태양 전지에서 대칭적으로 형성되는 태양 전지. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극과 교차하도록 형성되며, 상기 제1 전극과 절연되면서 상기 제2 전극에 연결되는 제2 리본
을 더 포함하는 태양 전지. - 제11항에 있어서,
상기 제1 리본과 상기 제2 전극 사이, 그리고 상기 제2 리본과 상기 제1 전극 사이에 절연층이 위치하고,
상기 제1 리본과 상기 제1 전극 사이에 제1 연결층이 위치하고,
상기 제2 리본과 상기 제2 전극 사이에 제2 연결층이 위치하는 태양 전지. - 제12항에 있어서,
상기 제1 전극은 복수의 제1 전극부를 포함하고,
상기 제2 전극은 복수의 제2 전극부를 포함하며,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제2 전극부 사이, 그리고 상기 제2 리본과 상기 제1 전극부 사이에 상기 절연층이 위치하고,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제1 전극부 사이에 상기 제1 연결층이 위치하고,
상기 제2 리본과 상기 복수의 제2 전극부 사이에 상기 제2 연결층이 위치하는 태양 전지. - 제13항에 있어서,
상기 복수의 제1 전극부가 서로 이격되는 스트라이프 형상을 가지며, 상기 복수의 제2 전극부가 서로 이격되는 스트라이프 형상을 가지는 태양 전지. - 제13항에 있어서,
상기 제1 전극부와 상기 제2 전극부가 서로 교번하여 형성되고,
상기 제1 리본의 길이 방향에서 상기 절연층과 상기 제1 연결층이 교번하여 위치하고,
상기 제2 리본의 길이 방향에서 상기 절연층과 상기 제2 연결층이 교번하여 위치하는 태양 전지. - 제13항에 있어서,
상기 절연층이, 상기 제1 리본과 상기 복수의 제1 전극부 사이에 위치한 제1 절연층과 상기 제2 리본과 상기 복수의 제1 전극부 사이에 위치한 제2 절연층을 포함하는 태양 전지. - 제16항에 있어서,
상기 제1 절연층이 상기 복수의 제2 전극부에 대응하도록 서로 이격된 복수의 제1 절연 부분을 포함하고,
상기 제2 절연층이 상기 복수의 제1 전극부에 대응하도록 서로 이격된 복수의 제2 절연 부분을 포함하는 태양 전지. - 제13항에 있어서,
상기 제1 리본과 상기 복수의 제2 전극부, 그리고 제2 리본과 상기 복수의 제1 전극부 사이에 위치한 상기 절연층이 일체로 형성되고,
상기 복수의 제1 전극부에 대응하도록 상기 절연층에 복수의 제1 개구부가 형성되고 상기 복수의 제2 전극부에 대응하도록 상기 절연층에 복수의 제2 개구부가 형성되며,
상기 제1 개구부 내에 상기 제1 연결층이 형성되고,
상기 제2 개구부 내에 상기 제2 연결층이 형성되는 태양 전지. - 제12항에 있어서,
상기 연결층 및 상기 절연층의 두께가 10㎛ 내지 20㎛인 태양 전지. - 제11항에 있어서,
상기 제1 리본과 상기 제2 리본을 하나씩 구비한 리본쌍이 복수 개 구비되어, 상기 복수 개의 리본쌍이 각 태양 전지에서 대칭적으로 형성되는 태양 전지.
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| KR1020130008156A KR20140095658A (ko) | 2013-01-24 | 2013-01-24 | 태양 전지 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPWO2016068051A1 (ja) * | 2014-10-31 | 2017-08-31 | シャープ株式会社 | 光電変換素子、それを備えた太陽電池モジュールおよび太陽光発電システム |
| US9819024B2 (en) | 2013-05-15 | 2017-11-14 | Quantumscape Corporation | Solid state catholytes and electrolytes for energy storage devices |
| US9859560B2 (en) | 2014-06-04 | 2018-01-02 | Quantumscape Corporation | Electrode materials with mixed particle sizes |
| US10116001B2 (en) | 2015-12-04 | 2018-10-30 | Quantumscape Corporation | Lithium, phosphorus, sulfur, and iodine including electrolyte and catholyte compositions, electrolyte membranes for electrochemical devices, and annealing methods of making these electrolytes and catholytes |
| US10374254B2 (en) | 2015-06-24 | 2019-08-06 | Quantumscape Corporation | Composite electrolytes |
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-
2013
- 2013-01-24 KR KR1020130008156A patent/KR20140095658A/ko not_active Application Discontinuation
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| US10535878B2 (en) | 2013-05-15 | 2020-01-14 | Quantumscape Corporation | Solid state catholyte or electrolyte for battery using LiaMPbSc (M=Si, Ge, and/or Sn) |
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