JP2010157681A - 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は、透明基板と、上記透明基板上に順不同に積層されたメッシュ電極および透明電極と、上記メッシュ電極および透明電極の上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記メッシュ電極の厚みが、上記メッシュ電極および透明電極と対向電極との間で短絡が生じない厚みであることを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。
【選択図】図1
Description
しかしながら、有機薄膜太陽電池に用いられるITO電極は、厚みが150nm程度と薄く、シート抵抗が20Ω/□程度と大きいため、発生した電流がITO電極を通過する際に消費され、発電効率が低下するという問題がある。この現象は、有機薄膜太陽電池の面積が大きくなるにつれて顕著に現れる。
しかしながら、シリコン太陽電池や色素増感太陽電池に用いられる金属メッシュの厚みは2μm〜20μm程度と非常に厚い。一方、有機薄膜太陽電池では、光電変換層等の有機層の厚みは100nm〜200nmと非常に薄い。そのため、有機薄膜太陽電池に、シリコン太陽電池や色素増感太陽電池に用いられる金属メッシュをそのまま適用すると、光電変換層等の有機層の厚みが薄いために電極間で短絡が生じるという問題がある。
本発明の有機薄膜太陽電池は、透明基板と、上記透明基板上に順不同に積層されたメッシュ電極および透明電極と、上記メッシュ電極および透明電極の上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極とを有する有機薄膜太陽電池であって、上記メッシュ電極の厚みが、上記メッシュ電極および透明電極と上記対向電極との間で短絡が生じない厚みであることを特徴とするものである。
図1は、本発明の有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。図1に示す例において、有機薄膜太陽電池1は、透明基板2と、透明基板2上に形成されたメッシュ電極3と、メッシュ電極3上に形成された透明電極4と、透明電極4上に形成された正孔取出し層6と、正孔取出し層6上に形成された光電変換層7と、光電変換層7上に形成された対向電極8とを有している。そして、メッシュ電極3は、メッシュ電極3および透明電極4と対向電極8との間で短絡が生じないような厚みを有している。
本発明に用いられるメッシュ電極および透明電極は、透明基板上に順不同に積層されるものである。本発明においては、メッシュ電極および透明電極側が受光面となる。これらのメッシュ電極および透明電極は、通常、光電変換層で発生した正孔を取り出すための電極(正孔取出し電極)とされる。以下、メッシュ電極および透明電極について説明する。
本発明に用いられるメッシュ電極は、網目状の電極であり、メッシュ電極の厚みは、メッシュ電極および透明電極と対向電極との間で短絡が生じない厚みとなっている。
なお、「塗布量」とは、塗布膜厚を意味する。「主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法」とは、主に塗布量を調整することによって厚みを制御することができる方法であり、主として塗布量以外のパラメータ、例えば回転数(遠心力)などを調整することにより厚みを制御する方法を除くものである。「主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法」は、主に塗布量(塗布膜厚)を調整することによって厚みを制御することができる方法であればよく、具体的には、塗布速度、吐出量、塗布ギャップなどを調整して塗布量(塗布膜厚)を調整することができる。主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法としては、例えば、ダイコート法、ビードコート法、バーコート法、グラビアコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などの印刷法を挙げることができる。一方、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法には、スピンコート法は含まれない。
メッシュ電極および透明電極の上に、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成する場合、メッシュ電極の厚みが上記範囲よりも厚いと、メッシュ電極のエッジを覆うことが困難となり、電極間で短絡が生じやすくなる。また、メッシュ電極の厚みが上記範囲よりも厚いと、表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されてしまうおそれがある。光電変換層の厚みが厚すぎると、電子拡散長および正孔拡散長を超えてしまい変換効率が低下する。表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されないように、メッシュ電極の厚みを調整することが好ましい。特に、光電変換層内を正孔および電子が移動できる距離は100nm程度であることが知られていることからも、表面張力によって所望の厚みよりも厚く光電変換層が形成されないように、メッシュ電極の厚みを調整することが好ましいのである。
一方、例えばスピンコート法により光電変換層を形成する場合、遠心力により均質な膜とするので、メッシュ電極の厚みが比較的厚くても、メッシュ電極のエッジを覆うことができる。また、スピンコート法の場合、回転数によって厚みを調整することができるので、メッシュ電極の厚みが比較的厚くても、均質な膜を得ることができる。
よって、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成する場合には、上記範囲が特に好ましいのである。
また、メッシュ電極は、上述のような導電性金属からなる単層であっても良く、また透明基板や透明電極との密着性向上のために、導電性金属層とコンタクト層とを適宜積層したものであっても良い。コンタクト層の形成材料としては、例えば、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケルクロム(Ni−Cr)等が挙げられる。コンタクト層は所望のメッシュ電極と透明基板や透明電極との密着性を得るために導電性金属層に積層されるものであり、導電性金属層の片側にのみ積層しても良く、導電性金属層の両側に積層しても良い。
本発明の有機薄膜太陽電池においては、光電変換層内で発生した電荷がメッシュ電極により輸送される。この際、電荷は放射状に輸送されると考えられる。六角形の格子状または平行四辺形の格子状の場合は、放射状の集電において、電流分布を比較的均一にすることができる。
一方、平行四辺形の格子状の場合、平行四辺形の鋭角が40°〜80°の範囲内であることが好ましく、より好ましくは50°〜70°の範囲内、さらに好ましくは55°〜65°の範囲内である。また、平行四辺形の4辺の長さは、太陽電池の外形形状に合わせて適宜設定される。すなわち、平行四辺形が鋭角60°・鈍角120°で4辺の長さが等しい菱形である場合、電流分布が比較的均一になる均電流エリアの形状は平行四辺形の鋭角の頂点を結ぶ対角線方向に電流が流れやすい楕円形状となる。そのため、太陽電池の中心部から外周部電極となり得るメッシュ電極の外周部までの距離を勘案して、平行四辺形の4辺の長さは適宜設定される。
中でも、メッシュ電極の厚みが200nm〜300nmの場合、開口部の比率は80%〜98%の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85%〜98%の範囲内である。一方、メッシュ電極の厚みが100nm〜200nmの場合、開口部の比率は70%〜80%の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75%〜80%の範囲内である。
また、メッシュ電極の形状が六角形の格子状である場合、開口部の比率は70%〜80%の範囲内であることが好ましく、より好ましくは75%〜80%の範囲内である。一方、メッシュ電極の形状が平行四辺形の格子状である場合、開口部の比率は80%〜98%の範囲内であることが好ましく、より好ましくは85%〜98%の範囲内である。
開口部の比率が上述の範囲未満であると、メッシュ電極の線幅を太くしてメッシュ電極の面積を大きくすることができ、抵抗を小さくことができるものの、充分に光を透過させることができないために光電変換効率が低下するおそれがあるからである。また、開口部の比率が上述の範囲を超えると、充分に光を透過させて光電変換効率を高めることはできるものの、メッシュ電極の線幅が小さくなりメッシュ電極の面積が小さくなって、メッシュ電極での電荷の移動効率が低下し、抵抗が大きくなるおそれがあるからである。さらに、開口部の比率が大きすぎるものは、安定した形成が困難だからである。また、開口部の比率が大きすぎると、メッシュ電極に所望の抵抗値を付与するために、メッシュ電極の厚みを厚くする必要が生じるので、生産効率が低下したり、またメッシュ電極による段差が大きくなるために光電変換層を連続的な膜として形成することが困難となったりするからである。
なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製 表面抵抗計(ロレスタMCP:四端子プローブ)を用い、JIS R1637(ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法:4探針法による測定方法)に基づき、測定した値である。
金属薄膜のパターニング方法としては、所望のパターンに精度良く形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、例えばフォトエッチング法等を挙げることができる。
本発明に用いられる透明電極の構成材料としては、導電性および透明性を有するものであれば特に限定されなく、In−Zn−O(IZO)、In−Sn−O(ITO)、ZnO−Al、Zn−Sn−O等を挙げることができる。中でも、後述する対向電極の構成材料の仕事関数等を考慮して適宜選択することが好ましい。例えば対向電極の構成材料を仕事関数の低い材料とした場合には、透明電極の構成材料は仕事関数の高い材料であることが好ましい。導電性および透明性を有し、かつ仕事関数の高い材料としては、ITOが好ましく用いられる。
なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製 SMカラーコンピュータ(型番:SM−C)を用いて測定した値である。
なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製 表面抵抗計(ロレスタMCP:四端子プローブ)を用い、JIS R1637(ファインセラミックス薄膜の抵抗率試験方法:4探針法による測定方法)に基づき、測定した値である。
この透明電極の膜厚としては、単層である場合はその膜厚が、複数層からなる場合は総膜厚が、0.1nm〜500nmの範囲内であることが好ましく、中でも1nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄いと、透明電極のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性があり、一方、膜厚が上記範囲より厚いと、全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性があるからである。
本発明に用いられる光電変換層は、メッシュ電極および透明電極と対向電極との間に形成されるものである。なお、「光電変換層」とは、有機薄膜太陽電池の電荷分離に寄与し、生じた電子および正孔を各々反対方向の電極に向かって輸送する機能を有する部材をいう。
本発明における光電変換層の第1態様は、電子受容性および電子供与性の両機能を有する単一の層であり、電子供与性材料および電子受容性材料を含有するものである。この光電変換層では、光電変換層内で形成されるpn接合を利用して電荷分離が生じるため、単独で光電変換層として機能する。
導電性高分子はいわゆるπ共役高分子であり、炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系から成り立っており、半導体的性質を示すものである。導電性高分子材料は、高分子主鎖内にπ共役が発達しているため主鎖方向への電荷輸送が基本的に有利である。また、導電性高分子の電子伝達機構は、主にπスタッキングによる分子間のホッピング伝導であるため、高分子の主鎖方向のみならず、光電変換層の膜厚方向への電荷輸送も有利である。さらに、導電性高分子材料は、導電性高分子材料を溶媒に溶解もしくは分散させた塗工液を用いることで湿式塗工法により容易に成膜可能であることから、大面積の有機薄膜太陽電池を高価な設備を必要とせず低コストで製造できるという利点がある。
なお、例えばフェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体(Poly[1,4-phenyleneethynylene-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)-1,4-phenyleneethene-1,2-diyl-1,4-(2,5-dioctadodecyloxyphenylene)ethene-1,2-diyl])の合成方法については、Macromolecules, 35, 3825 (2002) や、Mcromol. Chem. Phys., 202, 2712 (2001) に詳しい。
また、電子受容性化合物がドープされる電子供与性の導電性高分子材料としては、上述した電子供与性の導電性高分子材料を挙げることができる。ドープされる電子受容性化合物としては、例えばFeCl3(III)、AlCl3、AlBr3、AsF6やハロゲン化合物のようなルイス酸を用いることができる。なお、ルイス酸は電子受容体として作用する。
中でも、光電変換層用塗工液の塗布方法は、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法であることが好ましい。主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法としては、例えば、ダイコート法、ビードコート法、バーコート法、グラビアコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、オフセット印刷法などの印刷法を挙げることができる。印刷法は有機薄膜太陽電池の大面積化に好適である。
乾燥処理の方法として、例えば、加熱乾燥、送風乾燥、真空乾燥、赤外線加熱乾燥等、一般的な方法を用いることができる。
本発明における光電変換層の第2態様は、電子受容性の機能を有する電子受容性層と電子供与性の機能を有する電子供与性層とが積層されたものである。以下、電子受容性層および電子供与性層について説明する。
本態様に用いられる電子受容性層は、電子受容性の機能を有するものであり、電子受容性材料を含有するものである。
本発明に用いられる電子供与性層は、電子供与性の機能を有するものであり、電子供与性材料を含有するものである。
本発明に用いられる対向電極は、上記メッシュ電極および透明電極と対向する電極である。通常、対向電極は、光電変換層で発生した電子を取り出すための電極(電子取出し電極)とされる。本発明においては、メッシュ電極および透明電極側が受光面となるので、対向電極は透明性を有さなくともよい。
対向電極の膜厚は、単層である場合にはその膜厚が、複数層からなる場合には各層を合わせた総膜厚が、0.1nm〜500nmの範囲内、中でも1nm〜300nmの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記範囲より薄い場合は、対向電極のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。
本発明に用いられる透明基板としては、特に限定されるものではなく、例えば石英ガラス、パイレックス(登録商標)、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を挙げることができる。
本発明においては、図1に例示するように、光電変換層7とメッシュ電極3および透明電極4(正孔取出し電極)との間に正孔取出し層6が形成されていることが好ましい。正孔取出し層は、光電変換層から正孔取出し電極への正孔の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層から正孔取出し電極への正孔取出し効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
これらの中でも、特にポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)、トリフェニルジアミン(TPD)が好ましく用いられる。
本発明においては、図7に例示するように、光電変換層7と対向電極8(電子取出し電極)との間に電子取出し層9が形成されていてもよい。電子取出し層は、光電変換層から電子取出し電極への電子の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層から電子取出し電極への電子取出し効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
本発明の有機薄膜太陽電池は、大面積であっても良好な発電効率を示すものである。有機薄膜太陽電池の面積としては、特に限定されるものではないが、50mm□以上であることが好ましい。
なお、これらの機能層については、特開2007−73717号公報等に記載のものと同様とすることができる。
本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法は、透明基板と、上記透明基板上に順不同に積層されたメッシュ電極および透明電極と、上記メッシュ電極および透明電極上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極とを有する有機薄膜太陽電池を製造するための有機薄膜太陽電池の製造方法であって、上記透明基板上に金属薄膜を形成し、上記金属薄膜上にレジストを配置し、フォトエッチング法により上記金属薄膜を網目状にパターニングして、上記メッシュ電極を形成するメッシュ電極形成工程を有することを特徴とするものである。
まず、透明基板2上に全面に金属薄膜3aを成膜する(図8(a))。次に、金属薄膜3a上にレジスト21aを配置し(図8(b))、露光および現像を行い、レジスト画像21bを形成する(図8(c))。次いで、レジスト画像21bをマスクとして露出している金属薄膜3aをエッチングし(図8(d))、レジスト画像21bを除去して、メッシュ電極3bを形成する(図8(e))。次に、メッシュ電極3b上に透明導電膜を形成し透明電極4とする(図8(f))。次に、図示しないが、透明電極上に正孔取出し層および光電変換層を形成し、光電変換層上に対向電極を形成して、図1に例示するような有機薄膜太陽電池1が得られる。
また、必要に応じて、光電変換層上に電子取出し層を形成し、電子取出し層上に対向電極を形成してもよい。この場合、図7に例示するような有機薄膜太陽電池1が得られる。
以下、本発明の有機薄膜太陽電池の製造方法におけるメッシュ電極形成工程について説明する。
本発明におけるメッシュ電極形成工程は、透明基板上に金属薄膜を形成し、上記金属薄膜上にレジストを配置し、フォトエッチング法により上記金属薄膜を網目状にパターニングして、メッシュ電極を形成する工程である。
金属薄膜の成膜方法としては、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を挙げることができる。
レジストの露光方法および現像方法としては、一般的な方法を適用することができる。
この際、金属薄膜を網目状にパターニングすればよく、その形状としては、網目状であれば特に限定されるものではなく、所望の導電性、透過性、強度等により適宜選択される。例えば、多角形や円形の格子状等が挙げられる。中でも、金属薄膜を六角形または平行四辺形の格子状にパターニングすることが好ましい。なお、形状については、上記「A.有機薄膜太陽電池」のメッシュ電極の項に記載したメッシュ電極の形状と同様である。
本発明においては、通常、メッシュ電極形成工程後に、光電変換層を形成する光電変換層形成工程が行われる。
この際、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により光電変換層を形成することが好ましい。有機薄膜太陽電池の大面積化に適しているからである。
なお、光電変換層およびその形成方法等については、上記「A.有機薄膜太陽電池」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。
[実施例1]
外形サイズ50mm□・膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、スパッタリング法(成膜圧力:0.1Pa、成膜パワー:180W、時間:3分/12分/3分)にて厚み20nm/300nm/20nmでNi/Cu/Niを積層した。Ni/Cu/Ni膜の全面にドライフィルムレジスト(旭化成、サンフォートAQ-1558、ネガ型)を0.4kgf/cm2のラミネート圧、温度120℃にてラミネートし、所定の形状のフォトマスクを介してUV照射を行い、ドライフィルムレジスト上に所望の形状を転写した。その後、0.5wt%の炭酸ナトリウム水溶液中にてレジストの未露光部を除去し、所望の形状のレジスト画像を形成した。レジスト画像をマスクとして露出しているNi/Cu/Ni膜を塩化第2鉄溶液(45ボーメ)で液温50℃にてエッチングした。Ni/Cu/Ni膜をエッチングするために要した時間は、3秒であった。その後、2wt%の水酸化ナトリウム溶液を用いて液温50℃でレジスト除去を行い、所定の開口部を有するNi/Cu/Niの金属メッシュを形成した。
金属メッシュの上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法(パワー:3.7kW、酸素分圧:73%、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20℃)により透明電極であるITO膜(膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□)を成膜した。次いで、上記ITO膜が形成された基板をアセトン、基板洗浄液、IPAを用いて洗浄した。これにより、ITO電極の見かけシート抵抗(ITO電極および金属メッシュの積層体としてのシート抵抗)が0.1Ω/□にまで低減した。
次に、ポリチオフェン(P3HT:poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl))とC60PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid mettric ester)をブロモベンゼンに溶解させ、固形分濃度1.4wt%の光電変換層用塗工液を準備した。次いで、光電変換層用塗工液を正孔取出し層上にスピンコート法にて回転数600rpmの条件で塗布して、光電変換層を形成した。その後、上記光電変換層が形成された基板を大気曝露した。
次に、温度150℃のホットプレート上で上記光電変換層等が形成された基板を加熱乾燥した。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極上から封止して有機薄膜太陽電池とした。
PENフィルム基材上にITO電極および金属メッシュの順番に積層した以外は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。
金属メッシュを形成しない以外は、実施例1と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。
実施例1、2の有機薄膜太陽電池(ITO電極の見かけシート抵抗:0.1Ω/□)と、比較例1の有機薄膜太陽電池(ITO電極のシート抵抗:20Ω/□)とについて、発電評価を実施した。評価方法として、A.M1.5、擬似太陽光(100mW/cm2)を照射光源とし、ソースメジャーユニット(HP社製、HP4100)で電圧印加により電流電圧特性の評価を行った。
比較例1の有機薄膜太陽電池の発電効率が0.05%であったのに対し、実施例1の有機薄膜太陽電池の発電効率は2.2%、実施例2の有機薄膜太陽電池の発電効率は1.5%にまで向上した。ITO電極上に極薄の金属メッシュを配置することで、光透過性は低減するが、ITO電極の見かけシート抵抗が低減したことによる電力ロスは低減され、結果として変換効率が向上することが確認された。
外形サイズ50mm□・膜厚125μmのPENフィルム基材の片面全面に、スパッタリング法(成膜圧力:0.1Pa、成膜パワー:180W)にて厚み60m/300nmでCr/Cuを積層した。Cr/Cu膜の全面にドライフィルムレジスト(旭化成、サンフォートAQ-1558、ネガ型)を0.4kgf/cm2のラミネート圧、温度120℃にてラミネートし、所定の形状のフォトマスクを介してUV照射を行い、ドライフィルムレジスト上に所望の形状を転写した。その後、0.5wt%の炭酸ナトリウム水溶液中にてレジストの未露光部を除去し、所望の形状のレジスト画像を形成した。レジスト画像をマスクとして露出しているCu膜をエッチング液(CA5330H/株式会社メック製)で液温50℃にてエッチングした。Cu膜をエッチングするために要した時間は、10秒であった。その後、2wt%の水酸化ナトリウム溶液を用いて液温50℃でレジスト除去を行った。続いてCu配線部以外に残存しているCr膜を選択エッチング液(WCR3015/株式会社アデカ製)で液温40℃にて除去し、開口幅:0.45mm/配線幅:0.05mmの六角形格子形状のメッシュ形状を有するCr/Cuの金属メッシュを形成した。また、金属メッシュの開口率は82%であった。
金属メッシュの上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法(パワー:3.7kW、酸素分圧:73%、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20℃)により透明電極であるITO膜(膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□)を成膜した。次いで、上記ITO膜が形成された基板をアセトン、基板洗浄液、IPAを用いて洗浄した。これにより、ITO電極の見かけシート抵抗(ITO電極および金属メッシュの積層体としてのシート抵抗)が0.1Ω/□にまで低減した。
次に、実施例1と同様にして光電変換層を形成した。その後、上記光電変換層が形成された基板を大気曝露した。
次に、温度150℃のホットプレート上で上記光電変換層等が形成された基板を加熱乾燥した。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極上から封止して有機薄膜太陽電池とした。
得られた有機薄膜太陽電池について、実施例1と同様にして電流電圧特性の評価を行った。評価結果を表1に示す。
金属メッシュの厚みを下記表2に示す厚みとし、金属メッシュの開口部の比率を80%とし、金属電極Ca/Alの厚みを30nm/450nmとした以外は、参考例1〜3と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。
得られた有機薄膜太陽電池について、実施例1と同様にして電流電圧特性の評価を行った。評価結果を表2に示す。
金属メッシュの厚みが厚すぎても薄すぎても、変換効率が減少する傾向にあることが分かった。
外形サイズ50mm□・膜厚125μmのPENフィルム基材の上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法(パワー:3.7kW、酸素分圧:73%、製膜圧力:0.3Pa、製膜レート:150nm/min、基板温度:20℃)により透明電極であるITO膜(膜厚:150nm、シート抵抗:20Ω/□)を成膜した。次いで、上記ITO膜が形成された基板をアセトン、基板洗浄液、IPAを用いて洗浄した。
次に、ITO膜上に、スパッタリング法(成膜圧力:0.1Pa、成膜パワー:180W)にて下記表3に示す厚みでNi/Cu/Niを積層した。Ni/Cu/Ni膜の全面にドライフィルムレジスト(旭化成、サンフォートAQ-1558、ネガ型)を0.4kgf/cm2のラミネート圧、温度120℃にてラミネートし、所定の形状のフォトマスクを介してUV照射を行い、ドライフィルムレジスト上に所望の形状を転写した。その後、0.5wt%の炭酸ナトリウム水溶液中にてレジストの未露光部を除去し、所望の形状のレジスト画像を形成した。レジスト画像をマスクとして露出しているNi/Cu/Ni膜をエッチング液(CA5330H/メック株式会社製)で液温50℃にてエッチングした。その後、2wt%の水酸化ナトリウム溶液を用いて液温50℃でレジスト除去を行い、六角形の開口部がハニカム状に配列された形状を有するNi/Cu/Niの金属メッシュを形成した。
最後に、光電変換層上に、Ca/Al電極を蒸着形成し、太陽電池セルを作製した。
実施例1と同様の方法にて太陽電池特性を測定したところ、以下のような結果を得た。
シミュレーションにより、メッシュ電極形状の最適化を実施した。メッシュ電極モデルを構築し、種々の形状のメッシュ電極を配置し、電流の流れ方を検証した。メッシュ電極の開口部の形状を、円形、三角形、四角形、六角形とし、電流方向に対し配置方向を変化し、シミュレーションを実施した。シミュレーションは、Ansof社製のQ3Dシミュレータを使用した。
各形状のシミュレーション結果を図9〜図19にそれぞれ示す。なお、図9〜図19において、矢印dは電流方向を示す。
四角形の場合、ストレート配列(図11(a)、(b))の場合には、電流方向に対して横方向に電流が流れなかった。一方、ジグザグ配列(図12(a)、(b))の場合には、低電流領域は大幅に減少するが、開口部の前後に低電流領域が存在していた。
三角形の場合、ストレート配列(図15(a)、(b)、図16(a)、(b))の場合には、開口部の端部に過電流領域が生じ、また開口部の前後に低電流領域が生じ、電流密度分布が最も大きくなった。一方、ジグザグ配列(図17(a)、(b))の場合には、電流方向に対して横方向に電流が流れず、入射量をロスしてしまうが、それ以外の領域では比較的均一な電流分布を確認できた。
菱形の場合、鋭角が60°の場合(図18(a)、(b))には、非常に良好な電流分布を示した。一方、角度が90°の場合(図19(a)、(b))には、電流方向に対して交差部分に若干の低電流領域が生じた。
六角形の場合、ストレート配列(図13(a)、(b))の場合には、低電流領域が存在し、電流分布密度は良好ではなかった。一方、ジグザグ配列(図14(a)、(b))の場合には、良好な電流分布を示した。さらに、ジグザグ配列の場合(図14(b)、図20)、電流方向に対して開口部の向きを90°回転させることで、過電流領域と低電流領域とが変化した。
結果として、六角形および菱形が良好な電流分布を示した。
さらに、菱形の場合について、電流を中心部から外周部に向かって放射状に流した場合のシミュレーション結果を図22に示す。この場合も、電流分布は比較的均一であった。そして、電流分布が比較的均一となる均電流エリアの形状は、菱形の鋭角の頂点を結ぶ対角線方向に電流が流れやすい楕円形状になった。
2 … 基板
3 … メッシュ電極
4 … 透明電極
6 … 正孔取出し層
7 … 光電変換層
8 … 対向電極
9 … 電子取出し層
11 … 入射光
Claims (10)
- 透明基板と、前記透明基板上に順不同に積層されたメッシュ電極および透明電極と、前記メッシュ電極および透明電極の上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された対向電極とを有する有機薄膜太陽電池であって、
前記メッシュ電極の厚みが、前記メッシュ電極および透明電極と前記対向電極との間で短絡が生じない厚みであることを特徴とする有機薄膜太陽電池。 - 前記メッシュ電極の厚みが200nm〜300nmの範囲内であることを特徴とする請求項1に記載の有機薄膜太陽電池。
- 前記メッシュ電極の形状が、六角形または平行四辺形の格子状であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の有機薄膜太陽電池。
- 前記メッシュ電極の開口部の比率が80%〜98%の範囲内であることを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池。
- 前記メッシュ電極が真空成膜法にて形成された金属薄膜であることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池。
- 前記透明基板上に前記メッシュ電極および前記透明電極の順に積層されていることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池。
- 前記透明基板上に前記透明電極および前記メッシュ電極の順に積層されていることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれかに記載の有機薄膜太陽電池。
- 透明基板と、前記透明基板上に順不同に積層されたメッシュ電極および透明電極と、前記メッシュ電極および透明電極の上に形成された光電変換層と、前記光電変換層上に形成された対向電極とを有する有機薄膜太陽電池を製造するための有機薄膜太陽電池の製造方法であって、
前記透明基板上に金属薄膜を形成し、前記金属薄膜上にレジストを配置し、フォトエッチング法により前記金属薄膜を網目状にパターニングして、前記メッシュ電極を形成するメッシュ電極形成工程を有することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記メッシュ電極の厚みが200nm〜300nmの範囲内であり、
前記メッシュ電極形成工程後に、主に塗布量に応じて厚みを調整することが可能な方法により前記光電変換層を形成する光電変換層形成工程を有することを特徴とする請求項8に記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 前記メッシュ電極形成工程にて、前記金属薄膜を、六角形または平行四辺形の格子状にパターニングすることを特徴とする請求項8または請求項9に記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
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