JP6162891B2 - 有機太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

有機太陽電池およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6162891B2
JP6162891B2 JP2016519452A JP2016519452A JP6162891B2 JP 6162891 B2 JP6162891 B2 JP 6162891B2 JP 2016519452 A JP2016519452 A JP 2016519452A JP 2016519452 A JP2016519452 A JP 2016519452A JP 6162891 B2 JP6162891 B2 JP 6162891B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
solar cell
layer
organic solar
auxiliary electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016519452A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016521921A (ja
Inventor
ハンケン・イ
ジェヒュン・ソン
ジェチョル・イ
ジョン・ミン・チェ
ソンリム・ジャン
スン・ホン・イ
ソン・ホ・ジャン
Original Assignee
エルジー・ケム・リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エルジー・ケム・リミテッド filed Critical エルジー・ケム・リミテッド
Publication of JP2016521921A publication Critical patent/JP2016521921A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6162891B2 publication Critical patent/JP6162891B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/81Electrodes
    • H10K30/82Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • H10K30/83Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80Constructional details
    • H10K30/87Light-trapping means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50Photovoltaic [PV] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Description

本明細書は2013年6月14日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第10−2013−0068553号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
本明細書は有機太陽電池およびその製造方法に関する。
急増するエネルギー消費量とエネルギー源の限定的な埋蔵量のため、燃料費の急増とエネルギー源の枯渇の問題はこれ以上傍観できない状態に達した。また、それと共に二酸化炭素の排出に対する各国の規制がより強化している。このような問題点に対する対策として、清浄で資源枯渇の問題のない太陽光、風力、水力などの再生可能で無限に近い自然エネルギーに対する研究がより活発に行われている。特に場所、位置などに大きな制約のない太陽光を用いるための研究が大きく脚光を浴びている。
太陽光をエネルギー源として用いる方法のうち、現在に最も活発な研究が行われているものは太陽電池である。太陽電池は光起電力効果(photovoltaic effect)を用いて太陽光を電気に変換させる半導体素子であり、シリコンまたは化合物半導体などの無機半導体材料を用いた太陽電池は既に市販して用いられている。また、最近では高分子樹脂などの有機物を用いた有機太陽電池も研究されている。
有機太陽電池の光変換効率は、入射した光を電気エネルギーに変換することで、入射した光が光活性層内の有機物質を励起させて電子と正孔が不安定に結合された形態であるエキシトン(exciton)を形成し、この電子と正孔が各々ドナー(donor)層と受容(accept)層を通過して電極にまで移動して電気エネルギーに転換される効率をいう。
有機太陽電池用の材料としては、大きく、ドナーであるp−型有機半導体材料とアクセプターであるn−型有機半導体材料に区分することができる。p−型有機半導体材料は、光が吸収されて生成されたエキシトン(exciton)が形成されれば、n−型有機半導体材料との接合部(junction)において正孔(hole)と電子(electron)に分離して電子をよく提供できるドナーである。n−型有機半導体材料は、アクセプターに還元されて電子をよく受容できる材料をいう。様々なドナーおよびアクセプターの材料が報告されているが、P3HT/PCBMまたはPCPDTBT/PCBMなどを除いては3%以上の効率を期待し難い現状である。
有機太陽電池が無機太陽電池に比べて低い効率を有する理由のうち1つは、無機太陽電池に比べて非常に低い電荷移動度を持っているためである。例えば、光吸収を増加させるために光活性層の厚さを厚くする場合、電荷移動度の低下および電場の減少によって電荷の再結合が増加して効率を改善するのに限界があり、モジュール実現のために大面積のセルを製作する場合、透明電極の抵抗増加による効率の効率下落(Cell to module loss)が大きく発生する。このような問題を解決するために、オプティカルスペーサ(optical spacer)、金属ナノ粒子などを用いるか、電極抵抗を最小化できる新しいモジュール構造などが提案されたことがある。
Adv.Mater.2006,18,572−576 Appl.Phys.Lett.93,073307(2008) Solar Energy Materials & Solar Cells 101(2012) 289−294
本明細書は光変換効率を高めることができる有機太陽電池およびその製造方法を提供する。
本明細書は、第1電極、前記第1電極に対向して備えられた第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられた光活性層を含む1層以上の有機物層、および前記第1電極上に接して備えられた補助電極を含み、
前記補助電極は入射光が到達する第1または第2電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さい有機太陽電池を提供する。
また、本明細書は前記有機太陽電池の製造方法を提供する。具体的には、基板を準備するステップ、前記基板上に第1電極を形成するステップ、前記第1電極上に補助電極を形成するステップ、前記補助電極上に光活性層を含む1層以上の有機物層を形成するステップ、および前記有機物層上に第2電極を形成するステップを含み、前記補助電極の上面および下面の面積が互いに異なる有機太陽電池の製造方法を提供する。
本明細書の有機太陽電池は光活性層に到達する光の量を多くして高い光吸収効率を有する。
また、本明細書の有機太陽電池は光の再吸収を可能にして高い光吸収効率を有する。
なお、本明細書の有機太陽電池は電極の抵抗を下げて大面積の素子製作時に高い充填率の実現が可能である。
本明細書の一実現例による有機太陽電池における補助電極の形態を例示したものである。 本明細書の一実現例による有機太陽電池における補助電極の形態を例示したものである。 本明細書の一実現例による有機太陽電池における補助電極の形態を例示したものである。 本明細書の一実現例による有機太陽電池の一例を示すものである。 本明細書の一実現例による有機太陽電池の一例を示すものである。 本明細書の一実現例による有機太陽電池の製造方法を示すものである。 製造例1の方法でPRパターニングをした直後の光学顕微鏡写真である。 製造例1の方法でPRパターニングとCu/Alエッチングをした直後のSEM断面写真である。
本明細書において、ある部材が他の部材「上に」位置しているとする時、これは、ある部材が他の部材に接している場合だけでなく、2つの部材の間にまた他の部材が存在する場合も含む。
本明細書において、ある部分がある構成要素を「含む」とする時、これは、特に逆の記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含んでもよいことを意味する。
以下、本明細書についてより詳細に説明する。
本明細書の一実現例は、第1電極、前記第1電極に対向して備えられた第2電極、前記第1電極と前記第2電極との間に備えられた光活性層を含む1層以上の有機物層、および前記第1電極上に接して備えられた補助電極を含み、
前記補助電極は入射光が到達する第1または第2電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さい有機太陽電池を提供する。
本発明者らは、高い透明電極の抵抗値を解決するために補助電極を導入し、補助電極の形状を調節して光吸収効率を増大できる有機太陽電池を開発した。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池の第1電極は光吸収のための透明電極であってもよい。但し、前記透明電極は、透過度は高い反面、電気伝導度が低いという問題がある。よって、本明細書の一実現例によれば、前記透明電極の低い電気伝導度を補うために透明電極上に導電性の高い補助電極を用いることができる。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極は高い電気伝導度のために金属材質からなってもよく、それによって光の透過度が阻害するという問題を減少させるために、入射光が到達する電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さくなるように形成することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は、前記第1電極に入射光が到達し、前記補助電極は前記第1電極に接する面の面積が対向する面の面積より小さいものであってもよい。この場合、前記第1電極は透明電極であり、前記透明電極に光が入射する場合を意味することができる。
図1は、本明細書の一実現例による有機太陽電池における補助電極の形態を例示したものである。具体的には、図1は、基板101上に備えられた第1電極201上に備えられた補助電極301を示すものである。図1は、ITOからなる第1電極上に補助電極が形成され、光が透過する場合の断面を示すものである。図1において、矢印は入射する光を意味する。さらに、図1において、光が入射する補助電極の面積が小さいため、より多い光が第1電極を通過できることが分かり、入射した光が補助電極の側面に反射されて光活性層に再吸収されることが分かる。図1は光が第1電極に垂直方向に入射する場合の効果のみを例示したものであるが、光が垂直でない入射方向に入射する場合も同様の効果を発揮することができる。
また、本明細書の一実現例によれば、前記光活性層に吸収されず第2電極から反射して出る光が補助電極によって再反射されて光活性層に吸収されることができる。
図4は、本明細書の一実現例による有機太陽電池の一例を示すものである。具体的には、図4は、基板101上に第1電極201、補助電極301、正孔輸送層401、光活性層501、第2電極601が順に備えられた有機太陽電池を示すものである。図4は、光が第1電極に入射する場合の補助電極の断面の形態を示すものである。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は前記第2電極に入射光が到達し、前記補助電極は前記第1電極に接する面の面積が対向する面の面積より大きいものであってもよい。これは、前記第2電極が透明電極である逆方向構造の有機太陽電池であってもよい。すなわち、前記有機太陽電池の第2電極に光が入射する場合、前記補助電極は第1電極と接する面の面積がそれに対向する面の面積より広いものであってもよい。この場合、第2電極を透過して光活性層に吸収されなかった余分の光が前記補助電極に反射されて再吸収される。具体的には、前記補助電極によって第1電極に抜け出る光の量を減らし、光を再吸収して光吸収効率を高めることができる。
図5は、本明細書の一実現例による有機太陽電池の一例を示すものである。具体的には、図5は、基板101上に第1電極201、補助電極301、正孔輸送層401、光活性層501、第2電極601が順に備えられた有機太陽電池を示すものである。図5は、光が第2電極に入射する場合の補助電極の断面の形態を示すものである。すなわち、図5は、第2電極および光活性層を通過した余分の光が第1電極を通して抜け出る面積に比べて補助電極によって光が反射される面積が広いため、補助電極によって反射された余分の光が光活性層に再吸収される。
また、本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は、直射光が第2電極に光が入射し、光活性層に吸収されなかった余分の光が第1電極上に備えられた補助電極に反射されて光活性層に再吸収される。この場合、光の効率性が落ちる反射光を補助的に吸収することができるため、有機太陽電池の効率がより上昇する。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極の垂直断面は台形状であってもよい。前記垂直断面とは、第1電極の広い面を水平面にし、それに垂直な断面を意味する。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極は、上面と下面の線幅の比が1:1.3〜1:2、または1.3:1〜3:1であってもよい。
前記「下面」は入射光が到達する第1または第2電極に最も近い前記補助電極の一面を意味し、前記「上面」は前記補助電極の「下面」に対向する補助電極の一面を意味することができる。または、前記「下面」は前記第1電極に最も近く位置する前記補助電極の一面を意味することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極は金属電極であってもよい。具体的には、前記補助電極は一般的に全ての金属を用いることができる。具体的には、伝導度の良いアルミニウム、銅および/または銀を含むことができる。前記補助電極は、透明電極との付着力およびフォト工程での安定性のためにアルミニウムを用いる場合、モリブデン/アルミニウム/モリブデン層を用いることもできる。より具体的には、前記補助電極は銀を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極はメッシュ構造で備えられたものであってもよい。前記メッシュ構造は網構造であってもよく、前記メッシュの形状は三角形、四角形、ハニカム形態をはじめとする多角形の形状であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極は2層以上からなるものであってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極の各層は入射光が到達する第1または第2電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さいものであってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記2層以上の補助電極は入射光が到達する第1または第2電極に最も近い面の面積がそれに対向する最も遠く離れた面の面積より小さいものであってもよい。
図2および図3は、本明細書の一実現例による有機太陽電池における補助電極の形態を例示したものである。
具体的には、図2は、基板101上に備えられた第1電極201上に備えられた補助電極301を示すのである。図2は、第1電極であるITOに光が入射する場合、2層からなる補助電極を示すものである。すなわち、図2のように補助電極が形成される場合、光が第1電極を通して入射できる量が多くなり、入射した光が反射することによって光の再吸収が可能である。
具体的には、図3は、基板101上に備えられた第1電極201上に備えられた補助電極301を示すのである。図3は、第1電極であるITOに入ってくる場合、光の入射量を増やすことができ、入射した光の反射による再吸収が可能である。さらに、図3のような場合、光が第2電極に入射する場合にも同様に多量の光を反射させて再吸収できる利点がある。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極の各層の垂直断面は各々独立して、正方形、長方形または台形であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極の各層は互いに異なる物質で構成されたものであってもよい。具体的には、第1電極に接する補助電極は銅で形成され、その上に積層された補助電極は銀で形成されてもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記入射光が到達する第1または第2電極は透明電極であってもよい。具体的には、本明細書の一実現例によれば、前記第1電極は透明電極であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記第1および第2電極はいずれも透明電極であってもよい。
本明細書において、「透明」とは可視光線の透過度が30%以上であることを意味することができる、具体的には、本明細書において、「透明」とは可視光線の透過度が50%以上であることを意味することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記第1電極は透明電極であり、前記第2電極は金属電極であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記第2電極は1nm以上20nm以下の金属電極であってもよく、透明金属電極であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は基板をさらに含み、前記第1電極は前記基板上に備えられることができる。
本明細書による前記基板は、透明性、表面平滑性、取り扱い容易性および防水性に優れたガラス基板または透明プラスチック基板または内部に光抽出層が形成された基板であってもよいが、これらに限定されず、有機太陽電池に通常用いられる基板であれば特に制限されない。
本明細書の一実現例によれば、前記透明電極は透明で導電性に優れた物質であってもよいが、それに限定されない。バナジウム、クロム、銅、亜鉛、金のような金属またはこれらの合金;亜鉛酸化物、インジウム酸化物、インジウムスズ酸化物(ITO)、インジウム亜鉛酸化物(IZO)のような金属酸化物;ZnO:AlまたはSNO:Sbのような金属と酸化物の組み合わせ;ポリ(3−メチルチオフェン)、ポリ[3,4−(エチレン−1,2−ジオキシ)チオフェン](PEDOT)、ポリピロールおよびポリアニリンのような導電性高分子などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。
また、本明細書の一実現例によれば、前記透明電極はMOO/Ag/MoOのような金属酸化物/金属/金属酸化物、グラフェン、炭素ナノチューブ、金属ナノ粒子および金属ワイヤー、金属メッシュおよびこれらの2個以上の複合体を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記透明電極は透明導電酸化物層であってもよい。具体的には、前記透明導電酸化物層は、ガラスおよび石英板の他に、PET(polyethylene terephthalate)、PEN(polyethylene naphthelate)、PP(polypropylene)、PI(polyimide)、PC(polycarbornate)、PS(polystyrene)、POM(polyoxyethlene)、AS樹脂(acrylonitrile styrene copolymer)、ABS樹脂(acrylonitrile butadiene styrene copolymer)、TAC(Triacetyl cellulose)およびPAR(polyarylate)などを含むプラスチックのようなフレキシブルで透明な基板上に導電性を有する物質がドーピングされたものが用いられることができる。より具体的には、前記透明導電酸化物層はITO(indium tin oxide)、FTO(fluorine doped tin oxide)、AZO(aluminium doped zinc oxide)、IZO(indium zinc oxide)、ZnO−Ga、ZnO−AlおよびATO(antimony tin oxide)などであってもよく、さらに具体的にはITOであってもよい。
前記透明電極の形成方法は特に限定されないが、例えば、スパッタリング、E−ビーム、熱蒸着、スピンコーティング、スクリーン印刷、インクジェット印刷、ドクターブレードまたはグラビア印刷法を利用して基板の一面に塗布されるか、フィルム形態でコーティングされることによって形成されることができる。
前記透明電極を基板上に形成する場合、これは、洗浄、水分除去および親水性の改質過程を経ることができる。
例えば、パターニングされたITO基板を洗浄剤、アセトン、イソプロピルアルコール(IPA)で順次洗浄した後、水分除去のために加熱板において100〜150℃で1〜30分間、好ましくは120℃で10分間乾燥し、基板が完全に洗浄されれば、基板表面を親水性に改質する。
前記のような表面改質によって接合表面電位を光活性層の表面電位に好適なレベルに維持することができる。また、改質時、透明電極上に高分子薄膜の形成が容易となり、薄膜の品質が向上する。
透明電極のための前処理技術としては、a)平行平板型放電を用いた表面酸化法、b)真空状態でUV紫外線を用いて生成されたオゾンによって表面を酸化する方法、およびc)プラズマによって生成された酸素ラジカルを用いて酸化する方法などがある。
透明電極または基板の状態に応じて前記方法のうち1つを選択することができる。但し、どの方法を利用しても、共通に、透明電極または基板表面の酸素離脱を防止し、水分および有機物の残留を最大限に抑制することが好ましい。この時に前処理の実質的な効果を極大化することができる。
具体的な例として、UVを用いて生成されたオゾンによって表面を酸化する方法を利用することができる。この時、超音波洗浄後、パターニングされたITO基板を加熱板(hot plate)においてベーキング(baking)してよく乾燥させた後、チャンバーに投入し、UVランプを作用させて酸素ガスがUV光と反応して発生するオゾンによってパターニングされたITO基板を洗浄することができる。
しかし、本明細書におけるパターニングされたITO基板の表面改質方法は特に限定させる必要はなく、基板を酸化させる方法であれば、いかなる方法でもよい。
前記金属電極は仕事関数の小さい金属であってもよいが、それに限定されない。具体的には、マグネシウム、カルシウム、ナトリウム、カリウム、チタニウム、インジウム、イットリウム、リチウム、ガドリニウム、アルミニウム、銀、スズおよび鉛のような金属またはこれらの合金;LiF/Al、LiO/Al、LiF/Fe、Al:Li、Al:BaF、Al:BaF:Baのような多層構造の物質であってもよいが、これらに限定されるものではない。具体的には、本明細書の一実現例によれば、前記金属電極は、銀(Ag)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、タングステン(W)、銅(Cu)、モリブデン(Mo)、金(Au)、ニッケル(Ni)およびパラジウム(Pd)からなる群から選択された1種または2種以上を含むことができる。より具体的には、前記金属電極は銀(Ag)であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記基板は、ガラス、高分子物質および金属からなる群から選択された1種以上を含むことができる。具体的には、本明細書の一実現例によれば、前記基板は透明基板であってもよい。具体的には、前記透明基板はソーダ灰ガラスまたは透明プラスチックであってもよいが、これらに限定されるものではない。
本明細書の一実現例によれば、前記基板はフレキシブル基板であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記基板は高分子物質を含むフレキシブル基板であってもよい。具体的には、前記基板はプラスチック材質の基板であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記高分子物質は、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート(PC)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリ塩化ビニル(PVC)、ポリエチレン(PE)、エチレン共重合体、ポリプロピレン(PP)、プロピレン共重合体、ポリ(4−メチル−1−ペンテン)(TPX)、ポリアリレート(PAR)、ポリアセタール(POM)、ポリフェニレンオキシド(PPO)、ポリスルホン(PSF)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリ塩化ビニリデン(PVDC)、ポリ酢酸ビニル(PVAC)、ポリビニルアルコール(PVAL)、ポリビニルアセタール、ポリスチレン(PS)、AS樹脂、ABS樹脂、ポリメチルメタクリレート(PMMA)、フッ素樹脂、フェノール樹脂(PF)、メラミン樹脂(MF)、尿素樹脂(UF)、不飽和ポリエステル(UP)、エポキシ樹脂(EP)、ジアリルフタルレート樹脂(DAP)、ポリウレタン(PUR)、ポリアミド(PA)、シリコン樹脂(SI)またはこれらの混合物および化合物を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記第1電極はアノードであり、前記第2電極はカソードであってもよい。また、前記第1電極はカソードであり、前記第2電極はアノードであってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は逆(inverted)構造であってもよい。具体的には、前記逆構造は基板上に備えられた第1電極がカソードであることを意味する。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池はノーマル構造であってもよい。具体的には、前記ノーマル構造は基板上に備えられた第1電極がアノードであることを意味する。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池は、前記光活性層と前記第2電極との間に備えられた第2電極のバッファ層をさらに含むことができる。具体的には、本明細書の一実現例によれば、前記第2電極のバッファ層は金属電極と光活性層との間に位置することができ、前記バッファ層は金属電極と光活性層との間の界面エネルギーを制御して円滑な電荷流れを誘導することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記第2電極のバッファ層は導電性高分子および/または金属酸化物を含むことができる。具体的には、前記導電性高分子は共役高分子物質、誘電体高分子、グラフェン炭素ナノチューブおよびそれらの複合体などが可能である。具体的には、前記共役高分子物質は、PEN(poly[(9,9−bis(30−(N,N−dimethylamino)propyl)−2,7−fluorene)−alt−2,7−(9,9−dioctylfluorene)])およびFPQ−Br(poly[9,9’−bis[6’’−(N,N,N−trimethylammonium)hexyl]fluorene−co−alt−phenylene]dibromide)などであってもよい。また、前記誘電体高分子は、PEI(Polyethylenimine)およびPEIE(polyethylenimine ethoxylated)などであってもよい。また、前記導電性高分子は、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、芳香族アミン化合物、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT:PSS)およびポリアニリン(Polyaniline)からなる群から選択された1種または2種以上を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、第2電極のバッファ層に含まれる前記金属酸化物はV、および/またはMoOを含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層はn型有機物層およびp型有機物層を含む2層薄膜(bilayer)構造であってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層は電子供与物質および電子受容物質を含むバルクヘテロ接合構造であってもよい。
前記2層薄膜構造の光活性層は、p−n接合型光活性単位としてp型半導体薄膜とn型半導体薄膜の2層ならなってもよい。また、バルクヘテロ接合構造の光活性層は、光活性単位としてn型半導体とp型半導体がブレンドされることができる。
本明細書の前記光活性層は光励起によってp型半導体が電子と正孔が対をなしたエキシトン(exciton)を形成し、前記エキシトンがp−n接合部において電子と正孔に分離する。分離した電子と正孔はn型半導体薄膜およびp型半導体薄膜に各々移動し、これらが各々第1電極と第2電極に収集されることにより、外部で電気エネルギーとして利用することができる。
本明細書の実施状態において、前記光活性層は、光活性物質として、電子供与物質および電子受容物質を含む。本明細書において、光活性物質は前記電子供与物質および前記電子受容物質を意味することができる。
前記光活性層は光励起によって前記電子供与物質が電子と正孔が対をなしたエキシトン(exciton)を形成し、前記エキシトンが電子供与体/電子受容体の界面において電子と正孔に分離する。分離した電子と正孔は電子供与物質および電子受容物質に各々移動し、これらが各々第1電極と第2電極に収集されることにより、外部で電気エネルギーとして利用することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記電子供与物質と電子受容物質の質量比は1:10〜10:1であってもよい。具体的には、本明細書の前記電子受容物質と電子供与物質の質量比は1:0.5〜1:5であってもよい。
本明細書の前記光活性層は、電子供与物質および電子受容物質がBHJ(bulk heterojunction)を形成することができる。本明細書の前記光活性層は、前記電子供与物質および電子受容物質が混合された後に特性を最大化させるために30〜300℃で1秒〜24時間アニーリングを行うことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層は、少なくとも1種の電子供与物質および少なくとも1種の電子受容物質を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層は、少なくとも2種の電子供与物質および少なくとも1種の電子受容物質を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層は、少なくとも1種の電子供与物質および少なくとも2種の電子受容物質を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記電子供与物質は、少なくとも1種の電子供与体、または少なくとも1種の電子受容体と少なくとも1種の電子供与体の重合体を含むことができる。前記電子供与物質は少なくとも1種の電子供与体を含むことができる。また、前記電子供与物質は、少なくとも1種の電子受容体と少なくとも1種の電子供与体の重合体を含むことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記電子供与物質は、PPV(poly(phenylene vinylene))系高分子またはP3HT(poly(3−hexylthiophene))系高分子をはじめとして、下記のような構造の単量体を少なくとも1種以上含む共重合体であってもよい。
前記化合物において、
nは1〜1,000の整数であり、
Rmは水素、置換もしくは非置換のアルキル基;置換もしくは非置換のシクロアルキル基;置換もしくは非置換のアルコキシ基;置換もしくは非置換のアルケニル基;N、O、S原子のうち1個以上を含む置換もしくは非置換の芳香族または脂肪族の複素環基、または置換もしくは非置換のアリール基である。
前記電子供与物質は太陽光の可視光線の全領域を吸収できるようにバンドギャップの小さい物質が好ましく、高分子化合物が一般的であるが、これらのみに限定されものではない。
前記電子供与物質および前記電子受容物質は1:10〜10:1の比率(w/w)で混合される。前記電子供与物質および電子受容物質が混合された後に特性を最大化させるために30〜300℃で1秒〜24時間アニーリングを行うことができる。
本明細書の一実現例によれば、前記光活性層の厚さは10nm〜1,000nmであってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記有機物層は、発光層と正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電荷発生層、電子遮断層、電子輸送層、および電子注入層からなる群から選択された1種または2種以上をさらに含むものであってもよい。
前記電荷発生層(Charge Generating layer)は、電圧を印加すれば正孔と電子が発生する層をいう。
前記正孔輸送層および/または電子輸送層物質は、光活性層において分離された電子と正孔を電極に効率的に伝達させる役割を果たし、その物質は特に制限されない。
前記正孔輸送層物質はPEDOT:PSS(Poly(3,4−ethylenediocythiophene) doped with poly(styrenesulfonic acid))、モリブデン酸化物(MoO);バナジウム酸化物(V);ニッケル酸化物(NiO);およびタングステン酸化物(WO)などであってもよいが、これらのみに限定されるものではない。
前記電子輸送層物質は電子抽出金属酸化物(electron−extracting metal oxides)であってもよく、具体的には、8−ヒドロキシキノリンの金属錯体;Alqを含む錯体;Liqを含む金属錯体;LiF;Ca;チタニウム酸化物(TiO);亜鉛酸化物(ZnO);およびセシウムカーボネート(CsCO)などであってもよいが、これらのみに限定されるものではない。
光活性層は、電子供与体および/または電子受容体のような光活性物質を有機溶媒に溶解させた後、溶液をスピンコーティング、ディップコーティング、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ドクターブレード、刷毛塗り法などの方法により形成することができるが、これらの方法のみに限定されるものではない。
本明細書の一実現例は前記有機太陽電池の製造方法を提供する。具体的には、基板を準備するステップ、前記基板上に第1電極を形成するステップ、前記第1電極上に補助電極を形成するステップ、前記補助電極上に光活性層を含む1層以上の有機物層を形成するステップ、および前記有機物層上に第2電極を形成するステップを含み、前記補助電極の上面および下面の面積が互いに異なる有機太陽電池の製造方法を提供する。
本明細書の一実現例によれば、前記補助電極を形成するステップは、転写法またはエッチング液を用いたエッチング法を利用することができる。
本明細書の一実現例によれば、前記エッチング法は、前記第1電極上に金属層を形成し、前記金属層上にエッチング保護層を形成した後、エッチング液で前記金属層をエッチングすることを含むものであってもよい。
本明細書の一実現例によれば、前記金属層は2以上の金属層であり、前記2以上の金属層は各々エッチング液に対するエッチング速度が互いに異なってもよい。
図6は、本明細書の一実現例による、2以上の金属層からなる補助電極を形成するステップの断面を示すものである。具体的には、図6は、第1電極201上に第1金属層701および第2金属層702を形成し、(a)第2金属層702上にエッチング保護層801形成し、(b)エッチング液を用いてエッチングした後、(c)エッチング保護層801を剥離する過程を示すものである。
本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池の製造方法は、基板を準備するステップ、前記基板上にアノードを形成するステップ、前記アノード上に正孔輸送層を形成するステップ、前記正孔輸送層上に光活性層を形成するステップ、前記光活性層上に電子輸送層を形成するステップ、および前記電子輸送層上にカソードを形成するステップを含むことができる。
また、本明細書の一実現例によれば、前記有機太陽電池の製造方法は、基板を準備するステップ、前記基板の上部にカソードを形成するステップ、前記カソード上に電子輸送層を形成するステップ、前記電子輸送層上に光活性層を形成するステップ、前記光活性層上に正孔輸送層を形成するステップ、および前記正孔輸送層上にアノードを形成するステップを含むことができる。
本明細書の有機太陽電池は、例えば、基板上にアノード、光活性層およびカソードを順次積層させることによって製造することができる。
例えば、本発明による有機太陽電池は、スパッタリング(sputtering)や電子ビーム蒸発(e−beam evaporation)のようなPVD(physical vapor deposition)方法を用いて、基板上に金属または導電性を有する金属酸化物またはこれらの合金を蒸着させてアノードを形成し、その上に真空蒸着ないし溶液塗布法により有機物層を形成した後、その上にカソードとして使用できる物質を蒸着させることによって製造されることができる。
前記各層の有機物層は、様々な単分子ないし高分子素材を用いて、蒸着法でない溶媒工程(solvent process)、例えば、ロールツーロール(roll to roll)、スピンコーティング、ディップコーティング、キャスティング、ロールコート(roll court)、フローコーティング(flow coating)、ドクターブレード、スクリーン印刷、インクジェット印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、スプレーコーティングまたは熱転写法などの方法によって製造することができる。
前記各層の有機物層、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンメッキなどの乾式成膜法などの方法によって製造することができる。
本明細書の一実施状態において、アノード蒸着ステップ、光活性層の積層ステップ、光活性層の整列ステップ、光活性層の熱処理ステップ、カソード蒸着ステップを含むことができる。
前記光活性層の積層ステップは、陽極の上側に電子供与物質、電子受容物質を混合した溶液を噴射して蒸着する複合薄膜構造、すなわち、バルクヘテロ接合で配置することができる。
前記電子受容物質は、有機溶媒に複合高分子物質を溶かした混合液を用いることができる。
以下、本明細書を具体的に説明するために実施例を挙げて詳細に説明する。但し、本明細書による実施例は色々な他の形態に変形されることができ、本明細書の範囲が下記にて詳述する実施例に限定されるものではない。本明細書の実施例は当業界で平均的な知識を有する者に本明細書をより完全に説明するために提供されるものである。
[製造例1]
ガラス上にITO 150nm、Cu 200nm、Al 30nmが順次蒸着されたglass/ITO/Cu/Al基板上にノボラック系のポジティブフォトレジスト(PR)を用いたフォトリソグラフィ方法で線幅が約7μmの六角形メッシュパターンを形成した。次に、リン酸/硝酸/酢酸系のエッチング液を用いて摂氏45℃で9秒間エッチングした後、光学顕微鏡で形状を観察し、走査電子顕微鏡(SEM)で断面を観察した。その後、有機アミン系のストリッパーを用いてノボラックフォトレジストを除去して、ITO/逆テーパー金属補助電極が備えられた透明電極を製造した。
図7は製造例1の方法でPRパターニングをした直後の光学顕微鏡写真であり、図8は製造例1の方法でPRパターニングとCu/Alエッチングをした直後のSEM断面写真である。図8を見れば、ITOはエッチングされずに残っており、同一のエッチング液においてAlよりCuのエッチング速度が速いため、AlはPRの線幅である約7μmを維持してPR下部に位置した反面、Cuはエッチング速度が速いのでAl下部でさらにエッチングされて線幅が非常に狭くなったことが分かる。
[実施例1]
前記製造例1と同様の方法により製造された下面と上面の線幅の比が1:2である金属補助電極が備えられた透明電極上にPEDOT:PSS溶液をコーティングした後、140℃で15分間熱処理した。前記PEDOT:PSS上に1:0.7の比率で混合したP3HT:PCBM溶液をコーティングして約220nmの光活性層を形成した後、前記光活性層上に1×10−7torrでAl電極を蒸着し、150℃で10分間後熱処理して有機太陽電池を製作した。
[実施例2]
前記製造例1と同様の方法により製造された下面と上面の線幅の比が1:3である金属補助電極が備えられた透明電極上にPEDOT:PSS溶液をコーティングした後、140℃で15分間熱処理した。前記PEDOT:PSS上に1:0.7の比率で混合したP3HT:PCBM溶液をコーティングして約220nmの光活性層を形成した後、前記光活性層上に1×10−7torrでAl電極を蒸着し、150℃で10分間後熱処理して有機太陽電池を製作した。
[比較例1]
補助電極を形成せず、前記実施例1と同様の方法により有機太陽電池を製作した。
[比較例2]
補助電極の下面と上面の線幅の比が1:1である金属電極が備えられたことを除いては、前記実施例1と同様の方法により有機太陽電池を製作した。
前記実施例1,2および比較例1,2による有機太陽電池の物性を測定して下記の表1に整理した。
本明細書において、Vocは開放電圧を、Jscは短絡電流を、FFは充填率(Fill factor)を、PCEはエネルギー変換効率を意味する。開放電圧と短絡電流は各々電圧−電流密度曲線の四象限においてX軸とY軸の切片であり、この2値が高いほど太陽電池の効率は好ましく高くなる。また、充填率(Fill factor)は、曲線内部に描ける長方形の広さを短絡電流と開放電圧の積で分けた値である。この3つの値を照射された光の強さで分けるとエネルギー変換効率を求めることができ、高い値であるほど好ましい。
表1から明らかになるように、本明細書の一実施状態による有機太陽電池は、補助電極がない場合または補助電極の上下面の線幅が同一な場合より優れた性能を実現することが分かる。
[実施例3]
前記実施例1ど同様の方法により有機太陽電池を製造し、光活性層の面積を広めながら、補助電極の下面と上面の線幅の比が1:2である補助電極による抵抗減少および光吸収増加の特性を観察した。
実施例3による有機太陽電池の物性は下記の表2の通りである。
[比較例3]
比較例1と同様の方法により有機太陽電池を製造し、光活性層の面積を広めながら、補助電極がない素子の抵抗減少および光吸収増加の特性を観察した。
比較例3による有機太陽電池の物性は下記の表3の通りである。
比較例2と同様の方法により有機太陽電池を製造し、光活性層の面積を広めながら、補助電極の下面と上面の線幅の比が1:1である補助電極による抵抗減少および光吸収増加の特性を観察した。
比較例4による有機太陽電池の物性は下記の表4の通りである。
上記の表2〜4の結果から、光活性層の面積が広くなる場合、本明細書の一実施状態による有機太陽電池は光再吸収効果によって電流密度が上昇して効率がさらに高いことが分かる。
101・・・基板
201・・・第1電極
301・・・補助電極
401・・・正孔輸送層
501・・・光活性層
601・・・第2電極
701・・・第1金属層
702・・・第2金属層
801・・・エッチング保護層

Claims (20)

  1. 第1電極、
    前記第1電極に対向して備えられた第2電極、
    前記第1電極と前記第2電極との間に備えられた光活性層を含む1層以上の有機物層、および
    前記第1電極上に接して備えられた補助電極を含み、
    前記補助電極は入射光が到達する第1または第2電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さく、
    前記有機物層は前記第1電極及び前記補助電極を覆う、有機太陽電池。
  2. 前記第1電極に入射光が到達し、
    前記補助電極は前記第1電極に接する面の面積が対向する面の面積より小さい、請求項1に記載の有機太陽電池。
  3. 前記第2電極に入射光が到達し、
    前記補助電極は前記第1電極に接する面の面積が対向する面の面積より大きい、請求項1に記載の有機太陽電池。
  4. 前記入射光が到達する第1または第2電極は透明電極である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  5. 前記補助電極の垂直断面は台形状である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  6. 前記補助電極は、上面と下面の線幅の比が1:1.3〜1:3、または1.3:1〜3:1である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  7. 前記補助電極は金属電極である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  8. 前記補助電極はメッシュ構造で備えられる、請求項1に記載の有機太陽電池。
  9. 前記補助電極は2層以上からなる、請求項1に記載の有機太陽電池。
  10. 前記補助電極の各層は、入射光が到達する第1または第2電極に近い面の面積がそれに対向する面の面積より小さい、請求項9に記載の有機太陽電池。
  11. 前記2層以上の補助電極は、入射光が到達する第1または第2電極に最も近い面の面積がそれに対向する最も遠く離れた面の面積より小さい、請求項9に記載の有機太陽電池。
  12. 前記補助電極の各層は互いに異なる物質からなる、請求項9に記載の有機太陽電池。
  13. 前記補助電極の各層の垂直断面は、各々独立して正方形、長方形または台形である、請求項9に記載の有機太陽電池。
  14. 前記光活性層は、n型有機物層およびp型有機物層を含む2層薄膜(bilayer)構造である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  15. 前記光活性層は、電子供与物質および電子受容物質を含むバルクヘテロ接合構造である、請求項1に記載の有機太陽電池。
  16. 前記有機物層は、発光層と正孔注入層、正孔輸送層、正孔遮断層、電荷発生層、電子遮断層、電子輸送層、および電子注入層からなる群から選択された1種または2種以上をさらに含む、請求項1に記載の有機太陽電池。
  17. 請求項1〜16のいずれか1項に記載の有機太陽電池の製造方法であって、
    基板を準備するステップ、
    前記基板上に第1電極を形成するステップ、
    前記第1電極上に補助電極を形成するステップ、
    前記補助電極上に光活性層を含む1層以上の有機物層を形成するステップ、および
    前記有機物層上に第2電極を形成するステップを含み、
    前記補助電極の上面および下面の面積が互いに異なる、有機太陽電池の製造方法。
  18. 前記補助電極を形成するステップは、転写法またはエッチング液を用いたエッチング法を利用する、請求項17に記載の有機太陽電池の製造方法。
  19. 前記エッチング法は、前記第1電極上に金属層を形成し、前記金属層上にエッチング保護層を形成した後、エッチング液で前記金属層をエッチングすることを含む、請求項18に記載の有機太陽電池の製造方法。
  20. 前記金属層は2以上の金属層であり、前記2以上の金属層は各々エッチング液に対するエッチング速度が互いに異なる、請求項19に記載の有機太陽電池の製造方法。
JP2016519452A 2013-06-14 2014-06-13 有機太陽電池およびその製造方法 Active JP6162891B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0068553 2013-06-14
KR20130068553 2013-06-14
PCT/KR2014/005225 WO2014200312A1 (ko) 2013-06-14 2014-06-13 유기태양전지 및 이의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016521921A JP2016521921A (ja) 2016-07-25
JP6162891B2 true JP6162891B2 (ja) 2017-07-12

Family

ID=52022516

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016519452A Active JP6162891B2 (ja) 2013-06-14 2014-06-13 有機太陽電池およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10446772B2 (ja)
EP (1) EP2999017B1 (ja)
JP (1) JP6162891B2 (ja)
KR (1) KR101557587B1 (ja)
CN (1) CN105393376B (ja)
WO (1) WO2014200312A1 (ja)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539959B1 (ko) * 2015-01-06 2015-07-30 성안기계 (주) 유기 태양 전지 제조 방법
KR102278243B1 (ko) * 2015-02-25 2021-07-19 한국전자통신연구원 전기변색 소자
KR101702239B1 (ko) 2015-10-30 2017-02-02 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 페로브스카이트 태양전지의 재생방법
KR101928932B1 (ko) * 2015-12-07 2018-12-13 주식회사 엘지화학 중합체 및 이를 포함하는 유기 태양 전지
KR102137547B1 (ko) * 2016-08-12 2020-07-24 삼성에스디아이 주식회사 태양전지용 전면 전극 및 이를 포함하는 태양전지
KR20190020978A (ko) 2017-08-22 2019-03-05 코오롱인더스트리 주식회사 유기 태양전지
WO2019059589A1 (ko) * 2017-09-19 2019-03-28 주식회사 엘지화학 투명 발광소자 디스플레이용 전극 기판 및 이의 제조방법
KR102235223B1 (ko) * 2017-11-28 2021-04-02 주식회사 엘지화학 광활성층 및 이를 포함하는 유기태양전지
CN108400241A (zh) * 2018-01-18 2018-08-14 华北电力大学 用8-羟基喹啉钛作电子传输层的聚合物太阳能电池及其制备方法
CN108899424B (zh) * 2018-06-28 2023-05-19 国家纳米科学中心 一种有机光伏电池及其制备方法
CN109786559A (zh) * 2018-12-28 2019-05-21 浙江清华柔性电子技术研究院 光伏组件及智能发电窗户
TWI732444B (zh) * 2020-02-05 2021-07-01 凌巨科技股份有限公司 太陽能電池緩坡結構及其製造方法
KR20230158247A (ko) 2022-05-11 2023-11-20 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 태양전지 모듈의 분리 용액을 재활용하는 방법 및 이를 이용한 페로브스카이트 태양전지

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
HUP0103329A3 (en) * 1998-08-25 2003-09-29 Lexigen Pharmaceuticals Corp L Expression and export of angiostatin and endostatin as immunofusis
JP4984197B2 (ja) * 1999-02-18 2012-07-25 大日本印刷株式会社 透明フィルム型太陽電池モジュール
JP4776748B2 (ja) * 1999-12-22 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池
AU2003275542B2 (en) * 2002-10-03 2007-06-07 Fujikura Ltd. Electrode substrate, photoelectric conversion element, conductive glass substrate and production method thereof, and pigment sensitizing solar cell
EP1606846B1 (en) * 2003-03-24 2010-10-27 Konarka Technologies, Inc. Photovoltaic cell with mesh electrode
WO2005041217A1 (ja) 2003-10-28 2005-05-06 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とその製造方法及び透明導電積層体を用いたデバイス
TWM266605U (en) * 2004-07-07 2005-06-01 Kingconn Technology Co Ltd Dual purpose memory card connection socket
DE102006023257B4 (de) * 2005-07-09 2011-05-12 Atmel Automotive Gmbh Vorrichtung zum Heissproben von integrierten Halbleiterschaltkreisen auf Wafern
US7314773B2 (en) 2005-08-17 2008-01-01 The Trustees Of Princeton University Low resistance thin film organic solar cell electrodes
KR100764362B1 (ko) * 2005-11-01 2007-10-08 삼성전자주식회사 태양전지용 투명 전극, 그의 제조방법 및 그를 포함하는반도체 전극
EP2109900A1 (en) * 2007-01-08 2009-10-21 Plextronics, Inc. Quantum dot photovoltaic device
EP2316135A4 (en) 2008-08-12 2014-07-09 Dyesol Ltd CURRENT COLLECTION SYSTEMS FOR USE IN FLEXIBLE PHOTOELECTRIC AND DISPLAY DEVICES AND METHODS OF MAKING THE SAME
DE102008045948A1 (de) * 2008-09-04 2010-03-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements und organisches strahlungsemittierendes Bauelement
JP2010141250A (ja) * 2008-12-15 2010-06-24 Dainippon Printing Co Ltd 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP5326731B2 (ja) 2009-03-26 2013-10-30 大日本印刷株式会社 有機薄膜太陽電池
JP2011159934A (ja) 2010-02-04 2011-08-18 Mitsubishi Chemicals Corp 有機太陽電池セル、太陽電池モジュール及び有機太陽電池セルの製造方法
JP2011222819A (ja) 2010-04-12 2011-11-04 Mitsubishi Chemicals Corp 太陽電池
KR101152544B1 (ko) * 2010-07-29 2012-06-01 삼성에스디아이 주식회사 광전 변환 소자용 전극, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 광전 변환 소자
JP2012057011A (ja) * 2010-09-07 2012-03-22 Kyocera Chemical Corp 部分多孔質ポリマー粒子の製造方法及び部分多孔質ポリマー粒子
JP5421218B2 (ja) * 2010-10-26 2014-02-19 出光興産株式会社 光電変換装置、及び光電変換装置の製造方法
JP2012146420A (ja) 2011-01-07 2012-08-02 Toppan Printing Co Ltd 色素増感太陽電池および色素増感太陽電池の製造方法
JP2013016669A (ja) * 2011-07-05 2013-01-24 Fujifilm Corp 光電変換素子の製造方法
CN102637826A (zh) 2012-05-04 2012-08-15 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种大面积有机太阳能电池结构及其制备方法
CN103078057B (zh) * 2013-01-29 2016-01-20 苏州大学 有机太阳能电池及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016521921A (ja) 2016-07-25
CN105393376B (zh) 2017-11-17
EP2999017A1 (en) 2016-03-23
KR20140146010A (ko) 2014-12-24
EP2999017A4 (en) 2016-12-28
US10446772B2 (en) 2019-10-15
KR101557587B1 (ko) 2015-10-05
EP2999017B1 (en) 2019-11-06
WO2014200312A1 (ko) 2014-12-18
US20160141536A1 (en) 2016-05-19
CN105393376A (zh) 2016-03-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6162891B2 (ja) 有機太陽電池およびその製造方法
JP5225305B2 (ja) 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2010157681A (ja) 有機薄膜太陽電池およびその製造方法
JP2006245073A (ja) 有機薄膜太陽電池
JP5323114B2 (ja) 太陽電池モジュール
JP5098957B2 (ja) 有機光電変換素子
JP2014220333A (ja) 光電変換素子の製造方法および光電変換素子
JP2011100923A (ja) 太陽電池の製造方法
JP2016058455A (ja) 光電変換素子、光電変換素子の配線基板、光電変換素子の製造方法、および光電変換構造体
JP5444743B2 (ja) 有機光電変換素子
KR101334222B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP2012099592A (ja) 有機光電変換素子、太陽電池およびその製造方法
JP5439418B2 (ja) 有機薄膜太陽電池モジュール及びサブモジュール
JP5585066B2 (ja) 有機薄膜型太陽電池及びその製造方法
JP2010161270A (ja) 有機光電変換素子とその製造方法
JP5304448B2 (ja) 有機光電変換素子
JP2010093099A (ja) 有機光電変換素子及びその製造方法
JP6076392B2 (ja) 太陽電池モジュールおよびその製造方法
WO2012160911A1 (ja) 有機発電素子
JP5098956B2 (ja) 有機光電変換素子の製造方法
JP2010177615A (ja) 有機エレクトロニクス素子および有機エレクトロニクス素子の製造方法
JP2013026483A (ja) 有機光電変換素子、有機光電変換素子の製造方法及び太陽電池
CN113826230A (zh) 透明电极和透明电极的制造方法,以及具备透明电极的光电转换元件
KR102097517B1 (ko) 반투명 유기 태양전지 및 이의 제조 방법
Fujii Fabrication of flexible and semitransparent PTB7: PC71BM organic solar cells

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161111

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170113

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170522

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170615

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6162891

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250