KR101897278B1 - 투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지 - Google Patents
투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101897278B1 KR101897278B1 KR1020110127777A KR20110127777A KR101897278B1 KR 101897278 B1 KR101897278 B1 KR 101897278B1 KR 1020110127777 A KR1020110127777 A KR 1020110127777A KR 20110127777 A KR20110127777 A KR 20110127777A KR 101897278 B1 KR101897278 B1 KR 101897278B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- transparent
- transparent conductive
- conductive layer
- electrode substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 147
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 140
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 140
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 46
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 29
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 11
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 228
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 22
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 7
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 6
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 5
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 3
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 3
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 2
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000737 Duralumin Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000792 Monel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000109 alkoxy-substituted poly(p-phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001922 gold oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N phosphanylidynenickel Chemical compound [P].[Ni] OFNHPGDEEMZPFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005622 photoelectricity Effects 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical class N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000552 poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl-hexyloxy)-p-phenylenevinylene] polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 229960002796 polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011970 polystyrene sulfonate Substances 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 150000004033 porphyrin derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
[과제] 광선 투과율이 높게 유지되는 동시에, 표면 저항율이 낮고, 도전성이 뛰어난 투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지를 제공하는 것.
[해결 수단] 투명 기재의 한쪽 면에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층이 적층되어서 이루어지는 투명 전극 기판, 투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층을 형성하고, 상기 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성하며, 상기 도전성 금속층을 포토레지스트 패터닝 처리함으로써 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 상기 금속 메쉬층의 면에 제 2 투명 도전층을 형성하여 상기 도전성 금속 메쉬층을 상기 투명 도전층에 의해 피복하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법, 상기 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지이다.
[해결 수단] 투명 기재의 한쪽 면에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층이 적층되어서 이루어지는 투명 전극 기판, 투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층을 형성하고, 상기 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성하며, 상기 도전성 금속층을 포토레지스트 패터닝 처리함으로써 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 상기 금속 메쉬층의 면에 제 2 투명 도전층을 형성하여 상기 도전성 금속 메쉬층을 상기 투명 도전층에 의해 피복하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법, 상기 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지이다.
Description
본 발명은 투명 전극 기판, 그 제조 방법 및 이 투명 전극 기판을 가지는 태양 전지에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 광선 투과율이 높은 투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지에 관한 것이다.
최근 유기 전계 발광(유기 EL), 유기 태양 전지를 포함한 각종 태양 전지, 터치 패널이나 휴대 전화, 전자 페이퍼 등에 있어서, 투명 도전층을 가지는 투명 전극 기판이 활발히 검토되고 있다.
유리 기판 등의 기판 상에 투명 도전층이 형성된 투명 전극 기판은 태양 전지, 유기 EL 소자 등의 전자 디바이스의 전극으로서 일반적으로 사용되고 있다. 그렇지만, 통상의 주석 도프 산화인듐(이하, ITO라고 함) 등의 금속 산화물층을 투명 도전층으로서 이용한 투명 전극 기판은 표면 저항율이 낮지 않은데다 ITO 자체의 체적 저항율도 높다. 유기 EL, 각종 태양 전지, 터치 패널, 휴대 전화, 전자 페이퍼 등의 투명 도전 기판으로는, 예를 들어, 5Ω／□ 정도 이하의 표면 저항율을 가지는 투명 도전 기판이 요구된다.
이와 같은 요구에 대하여, 투명 도전층보다도 체적 저항율이 극히 낮은 금속 재료층을 보조 전극으로서 이용하는 투명 전극 기판이 검토되고 있다.
예를 들면, 특허문헌 1에는 기판 상에 투명 산화물층, 금속층, 투명 산화물층이 이 순서로 적층되어서 이루어지는 투명 도전막 부착 기체가 개시되어 있다. 그렇지만, 이와 같은 구성에서는 광선 투과율이 낮아 박막 디바이스의 투명 전극 기판으로는 실용적이지 않다. 또, 금속층이 투명 산화물층의 전면에 적층되어 있기 때문에, 금속층의 열화에 의해 상기 투명 도전막 부착 기체를 이용한 박막 디바이스의 내구성이 문제가 되는 경우가 있다.
또, 특허문헌 2에는 기판 상에 형성된 ITO로 이루어진 제 1 전극 상에 금속으로 이루어진 스트라이프 모양 또는 메쉬 형상의 보조 전극층이 형성되고, 그 위에 발광 영역을 확정하는 발광층과, 그 위에 형성된 제 2 전극을 포함하는 전계 발광 패널이 개시되어 있다.
또한, 특허문헌 3에는 투명 기판과 상기 투명 기판 상에 순서없이 적층된 금속 박막으로 이루어진 메쉬 전극 및 투명 전극과, 상기 메쉬 전극 및 투명 전극 상에 형성된 광전 변환층과, 상기 광전 변환층 상에 형성된 대향 전극을 가지는 유기 박막 태양 전지가 개시되어 있다.
그렇지만, 이와 같은 구조에서는 금속의 부식에 의한 열화 등의 문제가 일어날 가능성이 있다.
특허문헌 4에는 투명한 기재 시트의 적어도 한쪽 면에 비(卑)금속 또는 비금속으로 이루어진 합금제의 도전성 금속 메쉬층과 도전성 고분자층으로 이루어진 투명 도전성층을 가지는 투명 도전성 필름이, 특허문헌 5에는 투명 지지체 상에 적어도 1종의 금속에 의해 형성된 메쉬 형상의 도전층을 가지는 투명 도전막으로서, 이 도전층 상에 이동(migration) 방지제를 함유하는 투명 도전층이 마련되어 있는 투명 도전막이, 특허문헌 6에는 기판 상에 투명 도전막이 형성되어서 이루어지는 색소 증감형 태양 전지용 전극에 있어서, 이 기판과 투명 도전막 사이에 이 투명 도전막보다도 저항값이 낮은 도전체를 마련한 색소 증감형 태양 전지용 전극이 개시되어 있다.
그렇지만, 태양 전지, 유기 EL 소자 등의 전자 디바이스의 전극으로서 투명 전극 기판에는 투명성이나 도전성 및 내구성의 추가적인 향상이 요구되고 있다.
본 발명은 이와 같은 사정을 감안해 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제를 해결한, 광선 투과율이 높고, 도전성 뛰어난 투명 전극 기판, 그 제조 방법 및 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스를 제공하는 것에 있다.
상기와 같은 문제를 해결하기 위해, 본 발명자들은 열심히 검토한 결과, 하기와 같은 층 구성으로 함으로써 상기 문제를 해결할 수 있다는 것을 알아내어 본 발명을 완성시켰다.
즉, 본 발명은 하기
(1) 투명 기재의 한쪽 면에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층이 적층되어서 이루어진 투명 전극 기판,
(2) 상기 투명 도전층이 금속 산화물로 이루어진 층인 상기 (1)에 기재된 투명 전극 기판,
(3) 상기 도전성 금속 메쉬층의 두께가 1~100㎚인 상기 (1)에 기재된 투명 전극 기판,
(4) 상기 도전성 금속 메쉬층의 개구부의 개구율이 75% 이상인 상기 (1)에 기재된 투명 전극 기판,
(5) 상기 투명 도전층이 산화인듐을 주성분으로 하는 층인 상기 (1)에 기재된 투명 전극 기판,
(6) 상기 도전성 금속 메쉬층이 금, 은, 구리, 백금, 알루미늄, 니켈 및 크롬으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진 층인 상기 (1)에 기재된 투명 전극 기판,
(7) 투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층을 형성하고, 상기 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성하며, 상기 도전성 금속층을 포토레지스트 패터닝 처리함으로써 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 상기 금속 메쉬층의 면에 제 2 투명 도전층을 형성하여 상기 도전성 금속 메쉬층을 상기 투명 도전층에 의해 피복하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법,
(8) 상기 투명 기재의 한쪽 면에 형성되는 제 1 투명 도전층의 두께가 10~1000㎚인 상기 (7)에 기재된 투명 전극 기판의 제조 방법,
(9) 상기 금속 메쉬층의 면에 형성되는 제 2 투명 도전층의 두께가 1~200㎚인 상기 (7) 또는 (8)에 기재된 투명 전극 기판의 제조 방법,
(10) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스, 및
(11) 상기 (1) 내지 (6) 중 어느 하나에 기재된 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
본 발명의 투명 전극 기판은 광선 투과율이 높게 유지되는 동시에, 표면 저항율이 낮고, 도전성이 뛰어나다. 또, 본 발명의 투명 전극 기판을 사용한 태양 전지에서는 높은 광전 변환 효율을 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 투명 전극 기판을 사용한 태양 전지의 일례인 유기 박막 태양 전지의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 2는 도전성 금속 메쉬층 형상의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 2는 도전성 금속 메쉬층 형상의 일례를 나타내는 모식도이다.
이하, 본 발명에 대하여 상세하게 설명한다.
＜투명 전극 기판＞
본 발명의 투명 전극 기판은 투명 기재의 한쪽 면에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층이 적층되어서 이루어지는 것이다.
이하, 본 발명의 투명 전극 기판의 구성 재료에 대하여 설명한다.
[투명 기재]
투명 기재로는 투명성의 관점으로부터 전광선 투과율이 85％ 이상인 것이 바람직하고, 이와 같은 투명 기재로는 일반적으로는, 유리(판) 또는 플라스틱 필름 등이 사용된다.
플라스틱 필름의 종류로는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 트리아세틸 셀룰로오스, 신디오택틱(syndiotactic) 폴리스티렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리카보네이트, 폴리알릴레이트, 폴리술폰, 폴리에스테르술폰, 폴리에테르이미드, 환상 폴리올레핀 등으로 이루어진 플라스틱 필름을 들 수 있다. 그 중에서도 기계적 강도, 내구성, 투명성, 범용성 등이 뛰어난 것으로서 유리(판)이나 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 폴리알릴레이트 등으로 이루어진 플라스틱 필름이 바람직하다. 투명 기재의 두께는 기계 강도, 내구성 및 투명성의 밸런스의 관점으로부터 3㎛~5㎜가 바람직하고, 보다 바람직하게는 5㎛~3㎜이며, 특히 바람직하게는 10㎛~1㎜이다.
[투명
도전층
]
투명 도전층의 재료로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 도전성 금속 산화물, 예를 들면 인듐, 주석, 아연, 갈륨 등의 산화물 및 이들 원소의 복합 산화물 등을 들 수 있다.
보다 구체적으로는, 주석 도프 산화인듐(ITO), 산화이리듐(IrO2), 산화인듐(In2O3), 산화주석(SnO2), 불소 도프 산화주석(FTO), 산화인듐-산화아연(IZO), 산화아연(ZnO), 갈륨 도프 산화아연(GZO), 알루미늄 도프 산화아연(AZO), 산화몰리브덴(MoO3), 산화티탄(TiO2) 등을 들 수 있다.
투명 도전층의 두께는 20~1200㎚인 것이 바람직하고, 30~1000㎚인 것이 더욱 바람직하며, 35~700㎚인 것이 특히 바람직하다.
투명 기재 상에 투명 도전층을 형성하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들면, 이들 투명 도전층의 재료를 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD(물리 기상 증착), 혹은 열 CVD, 원자층 퇴적(ALD) 등의 CVD(화학 기상 증착) 등의 드라이 프로세스, 또는 웨트 프로세스인 잉크젯법이나 스크린 인쇄법 등의 공지의 방법에 의해 형성할 수 있고, 투명 기재나 투명 도전층의 재료에 따라 적절히 선택된다.
투명 도전층은 표면 저항율이 50Ω／□ 이하인 것이 바람직하고, 10Ω／□ 이하인 것이 더욱 바람직하다.
표면 저항율이 50Ω／□을 넘으면, 예를 들어 투명 전극 기판을 박막 태양 전지에 적용했을 경우, 내부 저항이 크기 때문에 광전 변환 효율이 저하되는 일이 있으므로 바람직하지 않다.
본 발명의 투명 전극 기판에 있어서, 투명 도전층은 내부에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 형태로 투명 기재의 한쪽 면에 적층되어 있다.
도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층은 투명 기재의 한쪽 면에 형성되어 있고, 도전성 금속 메쉬층은 투명 도전층의 투명 기재측과 반대측 표면에 가까운 쪽에 매설되어 있는 것이 바람직하다.
즉, 도전성 금속 메쉬층은 투명 도전층 전체의 두께를 100％로 했을 경우, 투명 도전층 전체 두께의 투명 기재측으로부터 50~99％의 거리의 범위의 위치에 매설되어 있는 것이 바람직하다.
도전성 금속 메쉬층이 매설되는 위치가 이 범위이면, 도전성이 양호하다. 이것은 도전성이 뛰어난 도전성 금속 메쉬층이 투명 도전층의 투명 기재와 반대측 면에 가까운 쪽에 매설되어 있음으로써 투명 도전층의 표면 저항율을 저하시켜 도전성을 향상시킬 수 있기 때문이라고 생각된다.
[도전성 금속
메쉬층
]
본 발명의 투명 전극 기판에 있어서, 도전성 금속 메쉬층은 금속 또는 합금으로 이루어지고, 투명 기재의 한쪽 면에 형성된 투명 도전층에 매설되어 있다. 도전성 금속 메쉬층으로는 금속 그리드 패턴에 의한 미세 메쉬 구조의 층을 들 수 있다.
도전성 금속 메쉬층은 두께 방향으로 관통한 개구부를 가진다.
개구부의 개구율로는 투명성의 관점으로부터 75％ 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 80％ 이상이며, 더욱 바람직하게는 90％ 이상이다. 개구율은 이하와 같이 구해진다.
개구율(％)
= [개구부의 면적／(도전성 금속 메쉬층의 면적＋개구부의 면적)]×100％
도전성 금속 메쉬층의 형상은 개구부를 가지고 있으면 되고, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 도 2에 나타낸 것 같은 정방형, 장방형, 육각형 등의 주기성이 있는 메쉬 형상 등을 들 수 있다.
개구부의 피치는 0.1~10㎜가 바람직하고, 보다 바람직하고 0.5~5㎜이다. 개구부의 피치가 0.1㎜ 미만인 경우 투명성이 저하되는 경우가 있고, 10㎜를 넘으면 도전성이 향상되는 효과를 얻기 어렵다.
도전성 금속 메쉬층의 선폭은 10㎚~1000㎛가 바람직하고, 20㎚~500㎛가 보다 바람직하다. 선폭이 1000㎛를 넘으면 개구율이 낮아지기 때문에 투명성이 저하되는 경우가 있고, 10㎚ 미만이면 도전성이 향상되는 효과를 얻기 어렵다.
도전성 금속 메쉬층의 두께는 1~100㎚가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2~50㎚ 정도이다. 1㎚ 이상으로 함으로써 도전성을 유지할 수 있고, 100㎚ 이하로 함으로써 전체의 두께를 얇게 유지하는 것이 가능하며, 또한 재료의 쓸데없음을 생략할 수 있다.
도전성 금속 메쉬층을 형성하기 위한 재료로는 금속이나 합금을 들 수 있다. 예를 들면, 금, 은, 구리, 알루미늄, 티탄, 크롬, 철, 코발트, 니켈, 아연, 주석, 이리듐, 인듐, 텅스텐, 몰리브덴, 백금, 이리듐, 하프늄, 니오브, 탄탈, 텅스텐, 마그네슘 등의 단체 금속, 혹은 이들의 군으로 이루어진 금속 중 적어도 1종을 주체로 하는 합금 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 내부식성이 있고, 도전성이 높다는 관점으로부터, 금, 은, 구리, 백금, 알루미늄, 티탄, 니켈 및 크롬의 금속이 바람직하고, 금, 은, 구리, 백금, 알루미늄, 니켈 및 크롬이 보다 바람직하다.
합금으로는 스테인리스, 니켈-크롬, 인코넬(상품명), 청동, 인 청동, 황동, 듀랄루민, 백동, 인발, 모넬, 니켈 인 합금 등의 금속 인 화합물, 니켈 붕소 등의 금속 붕소 화합물, 질화티탄 등의 금속 질화물 등 적절히 선택 가능하다. 특히, 구리를 주체로 하는 합금이나, 니켈을 주체로 하는 합금, 코발트를 주체로 하는 합금, 크롬을 주체로 하는 합금, 알루미늄을 주체로 하는 합금은 도전성이 뛰어나고 가공성도 양호해서 바람직하게 이용된다.
도전성 금속 메쉬층은 금속이나 합금으로 이루어진 단층이어도 되고, 적어도 2종류 이상의 금속이나 합금으로 이루어진 층을 적층한 다층 구조여도 된다.
다음에, 투명 기재 상에 마련된 투명 도전층의 내부에 도전성 금속 메쉬층을 매설하는 방법에 대하여 설명한다.
도전성 금속 메쉬층을 매설하는 방법으로는, 특별히 한정되지 않으며 도전성 금속 메쉬층의 재료, 메쉬의 형상에 따라 공지의 방법을 적절히 선택 이용할 수 있다. 예를 들면, 투명 기재 상에 마련된 투명 도전층 상에 미리 제작한 도전성 금속 메쉬층을 접착제나 도전성의 페이스트 등을 이용해 붙이고, 추가로 그 위에 투명 도전층을 형성하는 방법이나, 투명 기재 상에 마련된 투명 도전층 상에 잉크젯법, 스크린 인쇄법 등에 의해 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 추가로 그 위에 투명 도전층을 형성하는 방법, 또는 투명 기재 상에 마련된 투명 도전층 상에 메쉬 가공되어 있지 않은 도전성 금속층(이하, 단순히 도전성 금속층이라고 하는 경우가 있음)을 형성하고, 이 도전성 금속층을 메쉬 형상으로 가공해 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 추가로 그 위에 투명 도전층을 형성하는 방법 등을 들 수 있다.
이하, 도전성 금속 메쉬층을 형성하는 방법에 대하여 설명한다.
우선, 상술한 방법에 의해 투명 기재 상에 마련된 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성한다. 상기 방법은 도전성 금속층의 재료에 따라 적절히 선택된다.
다음에, 형성된 도전성 금속층에 대하여 포토리소그래피법을 이용하여 에칭해 메쉬 패턴을 형성하는 방법 등 각종 공지의 기계적 처리 또는 화학적 처리 등을 실시함으로써 메쉬 형상으로 가공해 도전성 금속 메쉬층이 형성된다.
상기와 같이, 형성된 도전성 금속 메쉬층 상에 추가로 상술한 방법에 의해 투명 도전층을 형성함으로써, 도전성 금속 메쉬층이 투명 도전층의 내부에 매설된 형태의 본 발명의 투명 전극 기판을 얻을 수 있다.
본 발명에서는 투명 도전층 중에 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있으므로, 종래와 같은 메쉬 가공되어 있지 않은 도전성 금속층이 투명 도전층의 사이에 마련되어 있는 구조의 것과 비교해서 투명 전극 기판의 투명성이 향상된다. 또, 나아가 종래와 같은 투명 기재 상에 투명 도전층만이 직접 마련되어 있는 구조의 투명 전극 기판이나, 도전성 금속 메쉬층이 투명 기재 상에 직접 마련되고, 그 위에 투명 도전층이 마련되어 있는 투명 전극 기판(즉, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 투명 도전층이 마련되어 있는 투명 전극 기판)과 비교해서 표면 저항율이 낮고, 도전성이 우수하다.
[투명 전극 기판의 제조 방법]
다음에, 본 발명의 투명 전극 기판을 제조하는 방법에 대하여 설명한다.
본 발명의 투명 전극 기판의 제조 방법은 하기와 같다.
우선, 투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층을 형성하고, 상기 제 1 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성하고, 상기 도전성 금속층을 포토레지스트 패터닝 처리 등에 의해 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 상기 금속 메쉬층의 면에 제 2 투명 도전층을 형성하여 상기 도전성 금속 메쉬층을 상기 제 2 투명 도전층에 의해 피복하고 도전성 금속 메쉬층을 투명 도전층 중에 매설하는 것을 특징으로 하는 것이다.
여기서, 포토레지스트 패터닝 처리란 포토리소그래피법을 이용해 도전성 금속층을 에칭해 도전성 금속층에 메쉬 패턴을 형성하는 것이다.
이 방법에 따르면, 투명 기재의 한쪽 면에 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층이 적층되어서 이루어지는 본 발명의 투명 전극 기판을 효율적으로 제조할 수 있다.
도전성 금속층을 형성하기 위한 재료로는 상술한 도전성 금속 메쉬층을 형성하는 재료와 동일한 것을 들 수 있고, 도전성 금속층을 형성하는 방법으로는 상술한 투명 도전층을 형성하는 방법과 동일한 것을 들 수 있으며, 도전성 금속층의 재료에 따라 적절히 선택된다. 구체적으로는, 예를 들면 은이나 구리와 같은 재료를 이용하여 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD(물리 기상 증착), 혹은 열 CVD, 원자층 퇴적(ALD) 등의 CVD(화학 기상 증착) 등의 드라이 프로세스, 또는 웨트 프로세스인 잉크젯법이나 스크린 인쇄법 등의 공지의 방법에 의해 도전성 금속층을 형성할 수 있다.
제 1 투명 도전층 및 제 2 투명 도전층을 형성하기 위한 재료로는 상술한 투명 도전층을 형성하는 재료와 동일한 것을 들 수 있다.
투명 기재의 한쪽 면에 형성되는 제 1 투명 도전층 및 도전성 금속 메쉬층 상에 형성되는 제 2 투명 도전층의 재료는 동일한 것이어도 되고, 상이한 것이어도 되지만 동일한 재료인 것이 바람직하다.
제 1 투명 도전층 및 제 2 투명 도전층을 형성하는 방법으로는 상술한 투명 도전층을 형성하는 방법과 동일한 것을 들 수 있고, 투명 도전층의 재료에 따라 적절히 선택된다.
또, 통상 도전성 금속 메쉬층 상에 형성되는 제 2 투명 도전층의 두께는 투명 기재의 한쪽 면에 형성되는 제 1 투명 도전층의 두께보다 얇게 형성되는 것이 바람직하다.
투명 기재의 한쪽 면에 형성되는 제 1 투명 도전층의 두께는 투명성과 도전성의 관점으로부터, 통상 10~1000㎚, 바람직하게는 10~500㎚, 특히 30~300㎚인 것이 바람직하다.
도전성 금속 메쉬층 상에 형성되는 제 2 투명 도전층의 두께는 통상 1~200㎚, 바람직하게는 10~200㎚, 더욱 바람직하게는 20~100㎚, 특히 바람직하게는 25~50㎚이다. 상기 본 발명의 투명 전극 기판은 투명성 및 도전성이 뛰어나기 때문에 각종 전자 디바이스에 전극으로서 적용할 수 있다.
＜전자
디바이스
＞
본 발명의 전자 디바이스는 상기 본 발명의 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 투명 전극 기판을 적용할 수 있는 전자 디바이스로는 트랜지스터, 메모리, 유기 EL, 유기 태양 전지 등의 유기 디바이스；액정 디스플레이；전자 페이퍼；박막 트랜지스터；일렉트로크로믹；전기 화학 발광 디바이스；터치 패널；디스플레이；광전 변환 디바이스；열전 변환 디바이스；압전 변환 디바이스；축전 디바이스 등을 들 수 있다.
＜태양 전지＞
본 발명의 태양 전지는 상기 본 발명의 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명의 투명 전극 기판을 적용할 수 있는 태양 전지로는 유기 박막 태양 전지, 박막 실리콘형 태양 전지, 하이브리드형 태양 전지, 다접합형 태양 전지, 구상 실리콘형 태양 전지, 전계 효과형 태양 전지, 색소 증감 태양 전지 등 여러 가지의 것을 들 수 있다. 그 중에서도 본 발명의 태양 전지는 상기 본 발명의 투명 전극 기판을 가지는 유기 박막 태양 전지인 것이 바람직하다.
여기에서는 유기 박막 태양 전지를 예로 들어 설명한다.
도 1은 본 발명의 태양 전지의 일례인 유기 박막 태양 전지를 구성하는 층의 일례를 나타내는 단면도이다. 도 1에 있어서, 1은 투명 기재, 2는 제 1 투명 도전층, 3은 도전성 금속 메쉬층, 4는 제 2 투명 도전층, 5는 광전 변환층, 6은 전극, 7은 기재층, 8은 도전성 금속 메쉬층이 매설된 투명 도전층, 9는 본 발명의 투명 전극 기판, 10이 유기 박막 태양 전지다.
[
광전
변환층
]
광전 변환층(도 1에서의 5)은 광전 변환을 실시하는 층으로, 원료의 저비용화, 유연성, 형성의 용이성, 흡광 계수의 높이, 경량화, 내충격성 등의 관점으로부터 유기 반도체인 것이 바람직하다.
광전 변환층은 단층으로 이루어져도 되고, 복수층으로 이루어져도 된다. 단층인 경우에는 광전 변환층은 통상 진성 반도체(i형 반도체)로부터 형성된다.
또, 복수층인 경우 (p형 반도체층／n형 반도체층)의 적층 또는 (p형 반도체층／진성 반도체층／n형 반도체층) 등이다.
광전 변환층의 두께는 단층 또는 복수층인 경우에서 상이하지만, 도전성, 여기자 확산 거리라는 관점으로부터, 일반적으로는 30㎚~2㎛인 것이 바람직하고, 특히 40㎚~300㎚인 것이 바람직하다.
이하, 광전 변환층에 이용되는 유기 반도체에 대하여 설명한다.
(1) 진성 반도체
진성 반도체의 재료로는, 예를 들면 풀러렌, 풀러렌 유도체, 반도체성을 가지는 카본 나노 튜브(CNT) 및 CNT 화합물 중 적어도 1종류로 이루어진 제 1 재료와 폴리페닐렌비닐렌(PPV)의 유도체 또는 폴리티오펜계 고분자 재료로 이루어진 제 2 재료를, 얻어지는 반도체가 진성 반도체가 되도록 혼합한 혼합물을 사용할 수 있다.
풀러렌 유도체로는, 예를 들면 [6,6]-페닐-C61-부티르산메틸(PCBM) 등을 이용할 수 있고, 또 풀러렌의 2량체, 또는 알칼리 금속 혹은 알칼리 토류 금속 등을 도입한 풀러렌 화합물 등도 이용할 수 있다. 또, CNT로는 풀러렌 또는 금속 내포 풀러렌을 내포한 카본 나노 튜브 등을 이용할 수 있다. 나아가, CNT의 측벽이나 선단에 여러 가지 분자를 부가한 CNT 화합물 등도 이용할 수 있다.
폴리페닐렌비닐렌의 유도체로는 폴리[2-메톡시-5-(2'-에틸-헥실옥시)-p-페닐렌-비닐렌](MEH-PPV) 등을 이용할 수 있고, 폴리티오펜계 고분자 재료로는 폴리-3-헥실티오펜(P3HT) 등의 폴리(3-알킬티오펜), 디옥틸플루오렌 염화티오펜 공중합체(F8T2) 등을 이용할 수 있다.
특히 바람직한 진성 반도체로는 PCBM와 P3HT를 질량비로 1：0.3~1：4로 혼합한 혼합물을 들 수 있다.
(2) p형 반도체
p형 반도체의 재료로는, 예를 들면 폴리알킬티오펜 및 그 유도체, 폴리페닐렌 및 그 유도체, 폴리페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리실란 및 그 유도체, 포르피린 유도체, 프탈로시아닌 유도체, 유기 금속 폴리머 등을 들 수 있다. 그 중에서도 폴리알킬티오펜 및 그 유도체가 바람직하다. 또, 이들 유기 재료의 혼합물이어도 된다. 도전성 고분자 화합물로는 폴리(3,4)-에틸렌디옥시티오펜／폴리스티렌설포네이트(PEDOT：PSS)를 바람직하게 사용할 수 있다.
(3) n형 반도체
n형 반도체의 재료로는, 특히 풀러렌 유도체가 바람직하다. 풀러렌 유도체로는, 예를 들면 [6,6]-페닐-C61-부티르산메틸(PCBM) 등을 이용할 수 있다.
광전 변환층(5)을 형성하는 방법으로는 진공 증착법, 스퍼터링법 등의 드라이 프로세스, 딥 코팅, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 바 코팅 등의 각종 코팅 프로세스 등이 적절히 선택된다.
[전극]
전극(도 1에서의 6)의 재료로는 대향 전극이 되는 투명 도전층의 재질(예를 들면, ITO 전극)에 비해 일 함수의 차가 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 은, 알루미늄, 백금, 금, 이리듐, 크롬, 산화아연 등의 금속, 금속 산화물 혹은 합금 외, 상기 금속, 금속 산화물 혹은 합금과의 복합체를 들 수 있다.
전극의 두께는 20㎚~1㎛인 것이 바람직하고, 특히 30~100㎚인 것이 바람직하다.
광전 변환층(5) 상에 전극(6)을 형성하는 방법으로는, 진공 증착, 스퍼터링, 이온 플레이팅 등의 PVD(물리 기상 증착)를 들 수 있고, 대향 전극의 재료(일 함수 등)에 따라 적절히 선택된다.
[
기재층
]
기재층(도 1에서의 7)으로는 일반적으로 유리(판) 또는 플라스틱 필름을 들 수 있고, 전자 디바이스의 용도에 따라 적절히 선택된다. 플라스틱 필름으로는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트, 테트라아세틸 셀룰로오스, 신디오택틱 폴리스티렌, 폴리페닐렌설파이드, 폴리카보네이트, 폴리알릴레이트, 폴리술폰, 폴리에스테르술폰, 폴리에테르이미드, 환상 폴리올레핀 등의 필름을 들 수 있고, 기계적 강도, 내구성 등이 뛰어난 것이 바람직하다.
실시예
이하, 참고예, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이것들에 의해 전혀 한정되는 것은 아니다.
＜
실시예
1＞
[투명 전극 기판의 제작]
투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층이 적층된 기판으로서, 지오마텍(주)제, 제품명 「플랫 ITO」(기재로서 두께 0.7㎜의 유리의 한쪽 면에 ITO막을 250㎚ 가지는 기판)을 준비했다.
다음에, 이 기판의 ITO막 상에 1×10-4Pa 이하의 감압 하, 은(Ag)을 진공 증착법에 의해 두께를 5㎚가 되도록 제막해 도전성 금속층을 형성했다.
다음에, 도전성 금속층에 포토레지스트로 패터닝 처리를 실시하고, 그 후 에칭 처리(포토레지스트 패터닝 처리)를 실시해 도전성 금속 메쉬층으로서 정방형의 주기성이 있는 메쉬 형상(개구부의 피치 1㎜, 도전성 금속 메쉬층의 선폭 30㎛, 개구율 94.1％, 두께 5㎚)을 형성했다.
다음에, 도전성 금속 메쉬층 상에 1×10-4Pa 이하의 감압 하, 스퍼터링법(ULVAC제의 스퍼터 장치, 장치명 「i-sputter」)으로 두께가 30㎚인 ITO막을 제 2 투명 도전층으로서 형성함으로써, 도전성 금속 메쉬층이 투명 도전층 내에 매설된 본 발명의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
실시예
2~4＞
도전성 금속 메쉬층(Ag)의 두께를 표 1에 기재된 두께로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 본 발명의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
1~4＞
도전성 금속층(Ag)의 두께를 표 1에 기재된 두께로 변경하고, 도전성 금속에 포토레지스트 패터닝 처리를 실시하지 않았던 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 메쉬 가공되어 있지 않은 도전성 금속층이 투명 도전층 내에 매설된 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
5＞
도전성 금속층(Ag)이 형성되어 있지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 제 1 투명 도전층으로서의 두께 250㎚의 ITO막 상에 직접 제 2 투명 도전층으로서 두께 30㎚의 ITO막을 형성하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 투명 도전층만이 마련되어 있는 구조의 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
6＞
투명 기재로서 유리판(카와무라히사시산쇼오점사제, 두께 3㎜)의 한쪽 면에 직접 실시예 2와 동일한 조건으로 두께 10㎚의 도전성 금속층을 형성하고, 도전성 금속층의 포토레지스트 패터닝 처리를 실시해 개구율 94.1％의 도전성 금속 메쉬층을 형성했다. 다음에, 실시예 2와 동일한 방법으로 도전성 금속 메쉬층의 면에 두께 150㎚의 투명 도전층으로서 ITO막을 형성하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 투명 도전층이 마련되어 있는 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
7＞
비교예 6에 있어서, 도전성 금속층(Ag)의 두께를 20㎚로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 투명 도전층이 마련되어 있는 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
8＞
비교예 6에 있어서, 도전성 금속층(Ag)의 두께를 30㎚로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 투명 도전층이 마련되어 있는 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
9＞
비교예 6에 있어서, 도전성 금속층(Ag)의 두께를 50㎚로 변경한 것 이외에는 동일하게 하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 투명 도전층이 마련되어 있는 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
10＞
비교예 6에 있어서, 도전성 금속 메쉬층(Ag)을 형성하지 않고, 투명 기재에 직접 두께 150㎚의 투명 도전층으로서 ITO막을 형성하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 투명 기재에 투명 도전층만이 마련되어 있는 구조의 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
＜
비교예
11＞
투명 도전층의 두께를 250㎚의 것으로 한 것 이외에는 비교예 10과 동일하게 하여 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다. 즉, 투명 도전층만이 마련되어 있는 구조의 비교용의 투명 전극 기판을 제작했다.
실시예 1~4에서 얻어진 본 발명의 투명 전극 기판 및 비교예 1~11에서 얻어진 비교용의 투명 전극 기판의 각 특성을 표 1에 정리해 기재한다.
표 1에 기재된 재료의 물성 및 투명 전극 기판의 특성은 하기와 같이 하여 측정했다.
(1) 두께
투명 도전층, 도전성 금속 메쉬층 및 도전성 금속층의 두께는 촉침식 표면 형상 측정 장치(ULVAC사제, 제품명 「Dektak 150」) 에 의해 측정했다.
(2) 표면 저항율의 측정
얻어진 투명 전극 기판의 투명 도전층의 표면을 표면 저항 측정 장치[미츠비시 화학사제, 제품명 「로레스타 GP MCP-T600」]에 의해 4단자법으로 표면 저항율을 측정했다.
(3) 광선 투과율
광선 투과율 측정 장치[일본전색공업사제, 제품명 「NDH-5000」]을 이용해 JIS K7361-1에 준하여 투명 전극 기판의 전광선 투과율을 측정했다.
＜
실시예
5＞
[태양 전지의 제작]
실시예 3에서 제작된 본 발명의 투명 전극 기판을 이용해 태양 전지를 제작했다.
투명 전극 기판의 투명 도전층의 표면에, 우선 폴리티오펜계 도전성 폴리머인 폴리(3,4-에틸렌옥사이드티오펜)(PEDOT)와 폴리스티렌설폰산(PSS)의 혼합물(PEDOT：PSS, 에이치·시·스타크사제, 제품명 「AI4083」)을 스핀 코트법에 의해 두께 50㎚의 막을 형성했다. 계속해서 폴리-3-헥실티오펜(P3HT)과 [6,6]-페닐-C61-부티르산메틸(PCBM)의 2종류의 유기 재료의 혼합 용액(몰비 1：1)을 이용해 스핀 코트법에 의해 두께가 80㎚가 되도록 성막했다. 음극은 진공 증착으로 금속 알루미늄을 두께가 100㎚가 되도록 성막했다. 마지막에 유리 캡에 의해 봉지해 본 발명의 태양 전지를 제작했다.
＜
비교예
12＞
비교예 5의 투명 전극 기판을 이용해 실시예 5와 동일하게 하여 비교용의 태양 전지를 제작했다.
[태양 전지의 평가]
실시예 5 및 비교예 12에서 제작한 태양 전지의 소자 유효 면적 12㎠에 솔라 시뮬레이터[와코무전창(주)제, WXS-50S-1.5]에 의해 의사(擬似) 태양광 스펙트럼(AM1.5(100mW／cm2))를 조사하여 광전 변환 효율을 측정했다. 태양 전지의 평가 결과를 표 2에 나타낸다.
표 1 및 표 2로부터 이하의 점이 확인된다.
(1) 표 1의 실시예 1~4에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 투명 전극 기판은 전광선 투과율이 높고, 투명성이 뛰어나며, 나아가 표면 저항율의 값도 낮고, 뛰어난 도전성을 가지고 있다는 것이 확인되었다.
(2) 한편, 메쉬 가공되어 있지 않은 도전성 금속층이 투명 도전층 내에 매설된 비교예 1~4의 투명 전극 기판은 전광선 투과율이 낮고, 실시예 1~4에 비해 투명성이 나빴다.
또, 투명 기재에 투명 도전층만이 마련되어 있는 구조의 비교예 5, 10 및 11의 투명 전극 기판은 실시예 1~4에 비해 표면 저항율의 값이 높고 도전성이 떨어지고 있다.
또, 비교예 6~9에서 나타내는 바와 같이, 투명 기재에 직접 도전성 금속 메쉬가 직접 마련되고, 도전성 금속 메쉬층이 매설되어 있지 않은 경우, 전광선 투과율은 실시예 1~3에 비해 낮고, 또 표면 저항율의 값도 높으며, 투명성 및 도전성이 떨어지고 있는 것을 알 수 있다.
표 2의 결과에서 나타내는 바와 같이, 본 발명의 투명 전극 기판을 이용한 실시예 5의 태양 전지는 비교예 12의 태양 전지와 비교하여 변환 효율이 높고, 17％ 정도의 효율 향상이 얻어졌다. 이것은 본 발명의 투명성이 높고, 표면 저항율이 낮은 투명 전극 기판을 이용함으로써, 유기 태양 전지의 내부 저항의 저하에 의해 광전 변환 효율이 향상된 결과이다.
본 발명의 투명 전극 기판은 투명성이 높고, 표면 저항율이 낮기 때문에, 투명성과 도전성의 밸런스가 뛰어나다.
본 발명의 투명 전극 기판은 유기 박막 태양 전지 등의 태양 전지；트랜지스터, 메모리, 유기 EL, 유기 태양 전지 등의 유기 디바이스；액정 디스플레이；전자 페이퍼；박막 트랜지스터；일렉트로크로믹；전기 화학 발광 디바이스；터치 패널；디스플레이；열전 변환 디바이스；압전 변환 디바이스；축전 디바이스 등의 전자 디바이스에 사용 가능하다.
1：투명 기재
2：제 1 투명 도전층
3：도전성 금속 메쉬층
4：제 2 투명 도전층
5：광전 변환층
6：전극
7：기재
8：투명 도전층
9：투명 전극 기판
10：태양 전지
2：제 1 투명 도전층
3：도전성 금속 메쉬층
4：제 2 투명 도전층
5：광전 변환층
6：전극
7：기재
8：투명 도전층
9：투명 전극 기판
10：태양 전지
Claims (11)
- 투명 기재의 한쪽 면에 제1 투명 도전층을 구비하고, 상기 제1 투명 도전층 상에 도전성 금속 메쉬층을 구비하며, 상기 도전성 금속 메쉬층을 내부에 매설한 제2 투명 도전층이 적층되어 이루어진 투명 전극 기판으로서,
상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층의 전체 두께를 100%로 했을 경우, 상기 도전성 금속 메쉬층이 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층의 전체 두께의 투명 기재측으로부터 50~99％의 거리의 범위의 위치에 매설되어 이루어지고,
상기 도전성 금속 메쉬층의 두께는 1~50㎚이며,
상기 도전성 금속 메쉬층을 형성하기 위한 재료가 은의 단체 금속 또는 은을 함유하는 합금을 포함하고,
상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층이 주석 도프 산화인듐(ITO)의 층이며,
상기 제1 투명 도전층의 두께가 30~500㎚이며,
상기 제2 투명 도전층의 두께가 20~100㎚이고,
상기 제2 투명 도전층의 두께는 상기 제1 투명 도전층의 두께 보다 얇은 것인 투명 전극 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 금속 메쉬층의 두께가 2~50㎚인 투명 전극 기판. - 청구항 1에 있어서,
상기 도전성 금속 메쉬층의 개구부의 개구율이 75% 이상인 투명 전극 기판. - 투명 기재의 한쪽 면에 제 1 투명 도전층을 형성하고, 상기 투명 도전층 상에 도전성 금속층을 형성하며, 상기 도전성 금속층을 포토레지스트 패터닝 처리함으로써 도전성 금속 메쉬층을 형성하고, 상기 금속 메쉬층의 면에 제 2 투명 도전층을 형성하여 상기 도전성 금속 메쉬층을 상기 투명 도전층에 의해 피복하고,
상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층의 전체 두께를 100%로 했을 경우, 상기 도전성 금속 메쉬층이 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층의 전체 두께의 투명 기재측으로부터 50~99％의 거리의 범위의 위치에 매설되어 이루어지고,
상기 도전성 금속 메쉬층의 두께는 1~50㎚이며,
상기 도전성 금속 메쉬층을 형성하기 위한 재료가 은의 단체 금속 또는 은을 함유하는 합금을 포함하고,
상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층이 주석 도프 산화인듐(ITO)을 포함하는 층이며,
상기 제1 투명 도전층의 두께가 30~500㎚이며,
상기 제2 투명 도전층의 두께가 20~100㎚이고,
상기 제2 투명 도전층의 두께는 상기 제1 투명 도전층의 두께 보다 얇은 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조 방법. - 청구항 4에 있어서,
상기 제1 투명 도전층의 두께가 30~300㎚인 투명 전극 기판의 제조 방법. - 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
상기 제2 투명 도전층의 두께가 25~50㎚인 투명 전극 기판의 제조 방법. - 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 전자 디바이스.
- 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 투명 전극 기판을 가지는 것을 특징으로 하는 태양 전지.
- 삭제
- 삭제
- 삭제
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011000779A JP5913809B2 (ja) | 2011-01-05 | 2011-01-05 | 透明電極基板、その製造方法、該透明電極基板を有する電子デバイス及び太陽電池 |
| JPJP-P-2011-000779 | 2011-01-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20120079803A KR20120079803A (ko) | 2012-07-13 |
| KR101897278B1 true KR101897278B1 (ko) | 2018-09-11 |
Family
ID=46481609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020110127777A KR101897278B1 (ko) | 2011-01-05 | 2011-12-01 | 투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP5913809B2 (ko) |
| KR (1) | KR101897278B1 (ko) |
| CN (1) | CN102593194A (ko) |
| TW (1) | TWI533461B (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023075051A1 (ko) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 인천대학교 산학협력단 | 양면수광형 투명태양전지 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101328483B1 (ko) * | 2012-05-10 | 2013-11-13 | 전자부품연구원 | 금속 메쉬 구조를 갖는 투명 전극 박막 및 그 제조방법 |
| JP2014052435A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Nitto Denko Corp | 透明電極基板、その製造方法および画像表示装置 |
| KR101375781B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2014-03-19 | 한국생산기술연구원 | 나노 및 마이크로 실리콘 복합 구조체의 sod 도핑과 패시베이션 공정을 통한 캐리어 수명이 향상된 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 |
| KR101366737B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2014-02-26 | 한국생산기술연구원 | 번들 제거를 통한 실리콘 나노 및 마이크로 구조체의 무반사 특성이 향상된 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 |
| KR101366740B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2014-02-26 | 한국생산기술연구원 | 균일성이 확보된 POCl₃ 기반 도핑 공정을 이용한 나노/마이크로 실리콘 복합구조체 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따른 태양 전지 |
| KR101375738B1 (ko) * | 2012-10-25 | 2014-03-26 | 한국생산기술연구원 | Ag 나노 입자를 통한 다결정 실리콘 박막의 나노구조 형성방법, 그에 의하여 제조되는 다결정 실리콘 나노 구조체 및 이를 포함하는 다결정 실리콘 박막 태양전지 |
| EP2927977B1 (en) * | 2012-11-30 | 2018-08-22 | LG Display Co., Ltd. | Conductive substrate and method for manufacturing same |
| CN103971787B (zh) * | 2013-02-04 | 2016-06-22 | 深圳欧菲光科技股份有限公司 | 透明导电体及其制备方法 |
| TWI483411B (zh) * | 2013-02-20 | 2015-05-01 | Motech Ind Inc | 太陽能電池及其模組 |
| JP6200004B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2017-09-20 | エルジー・ケム・リミテッド | 透明導電積層体、透明導電積層体を含む透明電極、および透明導電積層体の製造方法｛ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｅｌｅｃｔｒｏｄｅｃｏｍｐｒｉｎｓｉｎｇｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ、ａｎｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｆｏｒｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｌａｍｉｎａｔｅ｝ |
| MX2016002432A (es) * | 2013-08-30 | 2016-12-07 | Basf Coatings Gmbh | Pelicula delgada hibrida organica-inorganica y metodo para su preparacion. |
| CN103885191B (zh) * | 2014-03-12 | 2016-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 3d光栅盒及其制作方法、彩膜基板和显示装置 |
| JP2015195341A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-11-05 | 三菱電機株式会社 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
| KR101541517B1 (ko) * | 2014-03-26 | 2015-08-03 | 부산대학교 산학협력단 | 단결정 구리를 이용한 나노 망사 다층 구조의 투명전극 및 그 제조방법 |
| KR101760252B1 (ko) | 2014-05-15 | 2017-07-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자 |
| CN105702875B (zh) * | 2014-12-11 | 2018-04-27 | 财团法人工业技术研究院 | 发光元件、电极结构与其制作方法 |
| JP2016178117A (ja) * | 2015-03-18 | 2016-10-06 | 積水化学工業株式会社 | 太陽電池用透明電極及び太陽電池用透明電極積層体 |
| WO2016163323A1 (ja) * | 2015-04-06 | 2016-10-13 | 株式会社カネカ | 透明導電フィルムおよび表示デバイス |
| CN104834134B (zh) * | 2015-05-21 | 2017-08-04 | 哈尔滨工业大学 | 一种电致变色玻璃 |
| KR102456121B1 (ko) * | 2015-12-15 | 2022-10-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 광 제어 장치, 그를 포함한 투명표시장치, 및 그의 제조방법 |
| CN105449106B (zh) * | 2015-12-28 | 2018-10-23 | 中国科学院重庆绿色智能技术研究院 | 一种基于超薄金属的透明电极及其制备方法 |
| ITUA20162095A1 (it) * | 2016-03-30 | 2016-06-30 | Fabrizio Chiara | Procedimento di ricopertura di una superficie fotovoltaica e superficie fotovoltaica realizzata mediante un tale procedimento. |
| WO2018004280A1 (ko) * | 2016-06-30 | 2018-01-04 | 부산대학교 산학협력단 | 무결점 단결정 구리 박막을 이용한 산화구리 박막 구조체 및 그 제조방법 |
| JP7071925B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2022-05-19 | 日東電工株式会社 | 粘着剤組成物、粘着剤層、粘着剤層付偏光フィルム、液晶パネル、及び、画像表示装置 |
| KR102035689B1 (ko) * | 2017-02-23 | 2019-10-23 | 동우 화인켐 주식회사 | 필름형 안테나 및 이를 포함하는 화상 표시 장치 |
| CN108630818A (zh) * | 2017-03-15 | 2018-10-09 | Tcl集团股份有限公司 | 具有新型阳极结构的量子点发光二极管器件及其制备方法 |
| CN113544795A (zh) * | 2019-03-01 | 2021-10-22 | 密歇根大学董事会 | 基于超薄导体的半透明电磁干扰屏蔽 |
| JP2021026902A (ja) * | 2019-08-06 | 2021-02-22 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| JP7336305B2 (ja) * | 2019-08-06 | 2023-08-31 | 日東電工株式会社 | 透明導電性フィルム |
| CN112908519B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-04-12 | 大正(江苏)微纳科技有限公司 | 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 |
| CN113284957B (zh) * | 2021-04-21 | 2022-09-23 | 华为技术有限公司 | 太阳能电池和电子设备 |
| CN114283994B (zh) * | 2021-11-23 | 2023-05-09 | 华中科技大学 | 一种嵌入式金属网格柔性电极薄膜及其制备方法和应用 |
| WO2023210660A1 (ja) * | 2022-04-25 | 2023-11-02 | 旭化成株式会社 | メタルグリッド透明電極を用いたフォトディテクター素子及びそれを用いたタッチレスユーザーインターフェイス装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004348A (ja) * | 2006-09-28 | 2009-01-08 | Fujifilm Corp | 自発光表示装置、透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池用透明電極及び電子ペーパー用透明電極 |
| JP2010157681A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10241464A (ja) | 1996-12-26 | 1998-09-11 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜付き基体とその製造方法 |
| JP2004296669A (ja) | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Bridgestone Corp | 色素増感型太陽電池用電極及び色素増感型太陽電池 |
| KR100811473B1 (ko) | 2006-10-17 | 2008-03-07 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광패널 및 그를 포함하는 광원장치 |
| KR101352779B1 (ko) * | 2007-02-28 | 2014-01-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지용 투명전극 및 그 제조방법 |
| JP2009081104A (ja) | 2007-09-27 | 2009-04-16 | Konica Minolta Holdings Inc | 透明導電性フィルム |
| JP5651910B2 (ja) | 2007-12-13 | 2015-01-14 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電膜、及び透明導電膜の製造方法 |
-
2011
- 2011-01-05 JP JP2011000779A patent/JP5913809B2/ja active Active
- 2011-12-01 CN CN201110394002XA patent/CN102593194A/zh active Pending
- 2011-12-01 KR KR1020110127777A patent/KR101897278B1/ko active IP Right Grant
- 2011-12-29 TW TW100149395A patent/TWI533461B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009004348A (ja) * | 2006-09-28 | 2009-01-08 | Fujifilm Corp | 自発光表示装置、透明導電性フイルム、透明導電性フイルムの製造方法、エレクトロルミネッセンス素子、太陽電池用透明電極及び電子ペーパー用透明電極 |
| JP2010157681A (ja) * | 2008-12-04 | 2010-07-15 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機薄膜太陽電池およびその製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023075051A1 (ko) * | 2021-10-27 | 2023-05-04 | 인천대학교 산학협력단 | 양면수광형 투명태양전지 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5913809B2 (ja) | 2016-04-27 |
| TW201246578A (en) | 2012-11-16 |
| KR20120079803A (ko) | 2012-07-13 |
| CN102593194A (zh) | 2012-07-18 |
| TWI533461B (zh) | 2016-05-11 |
| JP2012142500A (ja) | 2012-07-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101897278B1 (ko) | 투명 전극 기판, 그 제조 방법, 이 투명 전극 기판을 가지는 전자 디바이스 및 태양 전지 | |
| Xia et al. | Review on applications of PEDOTs and PEDOT: PSS in perovskite solar cells | |
| WO2012093530A1 (ja) | 透明導電性積層体および有機薄膜デバイス | |
| Sun et al. | Transparent conductive oxide-free perovskite solar cells with PEDOT: PSS as transparent electrode | |
| CN106463626B (zh) | 电荷选择性传输层薄膜的制备方法 | |
| US20100018581A1 (en) | Large area solar cell | |
| US20160111223A1 (en) | A laminated opto-electronic device and method for manufacturing the same | |
| US20170077432A1 (en) | Photovoltaic cell module | |
| KR101519888B1 (ko) | 하이브리드 투명전극 및 이의 제조방법 | |
| Lee et al. | Nano-sized indium-free MTO/Ag/MTO transparent conducting electrode prepared by RF sputtering at room temperature for organic photovoltaic cells | |
| Zhang et al. | Efficient flexible polymer solar cells based on solution-processed reduced graphene oxide–Assisted silver nanowire transparent electrode | |
| Choi et al. | ZnO–Ag–MoO3 transparent composite electrode for ITO-free, PEDOT: PSS-free bulk-heterojunction organic solar cells | |
| Lee et al. | Transparent and flexible PEDOT: PSS electrodes passivated by thin IZTO film using plasma-damage free linear facing target sputtering for flexible organic solar cells | |
| KR20130027725A (ko) | 유기 전자 소자 및 그 제조방법 | |
| Park et al. | Bifunctional graphene oxide hole-transporting and barrier layers for transparent bifacial flexible perovskite solar cells | |
| Jiang et al. | Indium-free flexible perovskite solar cells with AZO/Cu/Ag/AZO multilayer transparent electrodes | |
| Chen et al. | ITO-free flexible organic photovoltaics with multilayer MoO3/LiF/MoO3/Ag/MoO3 as the transparent electrode | |
| Lu et al. | Utilizing insulating nanoparticles as the spacer in laminated flexible polymer solar cells for improved mechanical stability | |
| CN109075253A (zh) | 用于具有溅射接触层的有机半导体器件的系统和方法 | |
| NL2006756C2 (en) | Method for forming an electrode layer with a low work function, and electrode layer. | |
| KR101364461B1 (ko) | 유기태양전지 모듈 및 이의 제조방법 | |
| Maniarasu et al. | Flexible Perovskite Solar Cells | |
| KR102243003B1 (ko) | 정공수송층 형성용 조성물 및 이를 포함하는 반투명 유기 태양전지 | |
| Raman et al. | Inverted organic photovoltaics using highly transparent and flexible InGaON/AgTi/InGaON multilayer electrodes | |
| EP3944350A1 (en) | Photoelectric conversion element and method for manufacturing photoelectric conversion element |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |