CN112908519B - 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 - Google Patents
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- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract description 68
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract description 68
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 152
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 152
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 78
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 22
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 13
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 9
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 9
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 9
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 9
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- -1 ester compounds Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 claims description 4
- CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N butyl acrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C=C CQEYYJKEWSMYFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 4
- 238000003847 radiation curing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 3
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 179
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- VGQNYXDTZUDPEI-UHFFFAOYSA-N 2-[[2-[bis(carboxymethylsulfanyl)methyl]phenyl]-(carboxymethylsulfanyl)methyl]sulfanylacetic acid Chemical compound OC(=O)CSC(SCC(O)=O)C1=CC=CC=C1C(SCC(O)=O)SCC(O)=O VGQNYXDTZUDPEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016747 AlCl3—NaCl—KCl Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021556 Chromium(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000080590 Niso Species 0.000 description 1
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 1
- 239000002042 Silver nanowire Substances 0.000 description 1
- MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N [60]pcbm Chemical compound C123C(C4=C5C6=C7C8=C9C%10=C%11C%12=C%13C%14=C%15C%16=C%17C%18=C(C=%19C=%20C%18=C%18C%16=C%13C%13=C%11C9=C9C7=C(C=%20C9=C%13%18)C(C7=%19)=C96)C6=C%11C%17=C%15C%13=C%15C%14=C%12C%12=C%10C%10=C85)=C9C7=C6C2=C%11C%13=C2C%15=C%12C%10=C4C23C1(CCCC(=O)OC)C1=CC=CC=C1 MCEWYIDBDVPMES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium chloride Substances Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011636 chromium(III) chloride Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M sodium chloride Inorganic materials [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
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- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0026—Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/003—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables using irradiation
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Abstract
本发明提供了一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法,其中透明导电薄膜包括透明基材、透明电极层和金属导电层,透明电极层设置于透明基材的表面,金属导电层设置于透明电极层的表面,金属导电层中包含连续线条状或连续网格状图案的金属线,金属线的表面设置有耐腐蚀层,耐腐蚀层的厚度为1~50nm。本发明的透明导电薄膜具有优良的透光率、导电性能和耐腐蚀性能。
Description
技术领域
本发明涉及导电膜技术领域,特别是涉及一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法。
背景技术
透明导电薄膜是一种既能导电又能在可见光范围内具有高透光率的薄膜,被广泛应用于薄膜光伏组件中,例如钙钛矿型太阳能电池中。钙钛矿型太阳能电池是一种利用钙钛矿型的有机金属卤化物半导体作为吸光材料的太阳能电池。
现有的透明导电薄膜通常由基底层和透明电极层组成。为了进一步提高透明导电薄膜的导电性能,可以在透明导电薄膜中增设金属导电层。但是发明人发现,将上述透明导电薄膜应用于钙钛矿型太阳能电池时,金属导电层中的金属会被钙钛矿型太阳能电池中的卤族离子(例如碘离子)腐蚀,另外虽然设置金属导电层后其导电性能提高,但是透光率下降,影响透明导电薄膜的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法,以进一步提高透明导电薄膜的透光率和导电性能、提高透明导电薄膜的抗化学腐蚀能力。具体技术方案如下:
本发明的第一方面提供了一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜,包括透明基材、透明电极层和金属导电层,其中,所述透明电极层设置于所述透明基材的表面,所述金属导电层设置于所述透明电极层的表面,所述金属导电层中包含连续线条状或连续网格状图案的金属线,所述金属线的表面设置有耐腐蚀层,所述耐腐蚀层的厚度为1~50nm,所述耐腐蚀材料为耐钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素腐蚀的材料。
在本发明的一种实施方案中,所述透明电极层的厚度为20~200nm,所述金属导电层的厚度为10~200nm。
在本发明的一种实施方案中,所述耐腐蚀材料选自镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨、锰、三氧化二铝、二氧化钛、氟碳树脂、环氧树脂及酯类化合物中的任一种。
在本发明的一种实施方案中,所述金属线选自纳米金线、纳米银线和纳米铜线中的任一种,所述金属线的线宽为10~50μm,所述金属线铺设在透明电极层上形成相连的矩形、正六边形或相连接的条纹图案,所述金属线的覆盖面积小于透明电极层表面积的10%。
在本发明的一种实施方案中,所述透明基材选自玻璃、PET、PEN和PI中的任一种,所述玻璃透明基材的厚度为0.3~5mm;所述PET、PEN或PI透明基材的厚度为0.025~0.3mm。
在本发明的一种实施方案中,所述透明电极层中含有导电氧化物,所述导电氧化物选自ITO或FTO。
在本发明的一种实施方案中,所述透明导电薄膜的透光率为80%~90%,方阻为0.1~10Ω/sq。
在本发明的一种实施方案中,所述透明导电薄膜用于钙钛矿型太阳能电池。
本发明的第二方面提供了一种上述任一实施方案所述的透明导电薄膜的制备方法,包括:
在透明基材表面制备透明电极层:
在透明基材的表面沉积一层导电氧化物,然后退火处理得到透明电极层,其中,退火温度为120~170℃,退火时间为20~40min;
在透明电极层的表面制备金属导电层:
在透明电极层的表面印刷感光胶,在感光胶的表面刻蚀出连续线条状或网格状凹槽,通过PVD法沉积金属层,清除感光胶,得到具有连续线条状图案或连续网格状图案的金属线的金属导电层;
在金属导电层的表面制备耐腐蚀层:
在所述金属导电层中的金属线表面电镀一层金属,或者生成一层金属氧化物,或者印刷一层惰性有机物,形成耐腐蚀层。
在本发明的一种实施方案中,所述耐腐蚀层的制备方法为:
将金属导电层置于含有镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰的电镀液中,以金属导电层作为阴极,通过电镀法将镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰镀在金属导电层表面,形成耐腐蚀层,其中,控制电流密度为2~5A/dm2,施镀时间为10~20min;
或者,将金属导电层置于含有铝或钛的电镀液中,以金属导电层作为阴极,通过电镀法将铝或钛电镀在金属导电层表面形成镀层,将镀层置于氧氛围中,以80~120℃氧化8~10h;
或者,将5~10份甲基丙烯酸甲酯,10~15份丙烯酸丁酯,1~2份甲基丙烯酸三氟乙酯,0.5~1份三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,0.001~0.0005份光引发剂二苯甲酮加入到76.5~80份的醋酸乙酯中,搅拌至完全溶解,然后加入0.5~1份纳米二氧化钛,转移至超声发生器中分散至纳米二氧化钛分散均匀,制得金属电极保护液;将金属电极保护液通过丝网印刷法印刷到金属导电层的表面,在紫外光下辐射固化5~10min。
本发明有益效果:
本发明提供的一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法,其中透明导电薄膜由下至上依次包括透明基材、透明电极层和金属导电层,金属导电层中包含连续线条状或连续网格状图案的金属线,提升了透明导电薄膜的透光率和导电性能;金属线的表面设置有耐腐蚀层,耐腐蚀层中含有耐腐蚀材料,避免金属导电层中的金属被钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素腐蚀,从而能够使透明导电薄膜更好地应用于钙钛矿型太阳能电池中。当然,实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,本领域普通技术人员还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明的透明导电薄膜的结构示意图;
图2为本发明的透明导电薄膜的俯视图;
图3为应用本发明透明导电薄膜的钙钛矿型太阳能电池的结构示意图。
图中,1.透明基材,2.透明电极层,3.金属导电层,4.金属线,5.耐腐蚀层,10.透明导电薄膜,11.第一传输层,12.钙钛矿吸光层,13.第二传输层,14.电池透明电极层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。本领域普通技术人员基于本发明中的实施例所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明提供了一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜,如图1和图2所示,包括透明基材1、透明电极层2和金属导电层3,所述透明电极层2设置于所述透明基材1的表面,所述金属导电层3设置于所述透明电极层2的表面。其中,所述金属线4的表面设置有耐腐蚀层5,所述耐腐蚀层5的厚度为1~50nm,优选为3~40nm,更优选为5~30nm。
现有的导电薄膜,由于导电薄膜中未设置金属导电层,因此其透明电极层需要制备的较厚些(通常为300~500nm),才能在退火后具有较高的导电性能。本发明的透明导电薄膜中,金属导电层3中包含连续线条状或连续网格状图案的金属线4,进一步提升了透明导电薄膜的透光率和导电性能,还能够进一步降低透明电极层的厚度。上述图案包括但不限于:由金属线构成的矩形图案、花纹状图案、正六边形图案、或相连接的条纹图案等。
金属线的表面设置有耐腐蚀层5,耐腐蚀层5中含有耐腐蚀材料,避免金属导电层中的金属被钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素(例如碘)的腐蚀,从而使透明导电薄膜更好地应用于钙钛矿型太阳能电池中。
发明人研究发现,耐腐蚀层5的厚度过低时,当透明导电薄膜用于钙钛矿型太阳能电池时,电池中的腐蚀性卤族元素仍会渗透至金属导电层3,腐蚀其中的金属线4;耐腐蚀层5的厚度过高时,影响透明导电薄膜的透光率。通过控制耐腐蚀层5的厚度在上述范围内,既能够避免金属线4被腐蚀又能够使透明导电薄膜具有优良的透光率。
本发明的耐腐蚀材料为耐钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素腐蚀的材料。
在本发明的一种实施方案中,耐腐蚀层中的耐腐蚀材料可以为具有耐卤族元素腐蚀的金属,例如可以选自镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨和锰中的任一种,或者具有化学惰性的金属氧化物,例如可以选自三氧化二铝和二氧化钛中的任一种,或者具有化学惰性的有机物,例如可以选自氟碳树脂、环氧树脂及酯类化合物中的任一种。
在本发明的一种实施方案中,透明电极层2的厚度为20~200nm,金属导电层3的厚度为10~200nm。通过控制透明电极层2、金属导电层3的厚度在上述范围内,可以得到导电性能高、透光率好及机械强度高的透明导电薄膜。
在本发明的一种实施方案中,金属线4选自纳米金线、纳米银线和纳米铜线中的任一种,上述纳米金属线具有低电阻率,能够进一步提高透明导电薄膜的导电性。
在本发明的一种实施方案中,金属线4的线宽为10~50μm。不限于任何理论,当金属线4的线宽过小时,不利于透明导电薄膜导电性能的提升,当金属线4的线宽过大时,影响透明导电薄膜的透光率。通过控制金属线4的长度和线宽在上述范围内,能够使透明导电薄膜具有优良的导电性能和透光率。
本发明对透明基材1的材料和厚度没有特别限制,只要能够满足本发明的要求即可。例如,透明基材1可以选自玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚酰亚胺(PI)中的任一种。玻璃透明基材的厚度为0.3~5mm,具有更高的强度。所述PET、PEN或PI透明基材的厚度为0.025~0.3mm,结构轻薄。
本发明对金属导电层3中的导电氧化物没有特别限制,只要能够使金属导电层3具有高导电性即可。例如可以选自掺铟氧化锡(ITO)或掺氟氧化锡(FTO)。
本发明的透明导电薄膜的透光率为80%~90%,方阻为0.1~10Ω/sq,优选为0.1~0.3Ω/sq,具有优良的透光率和导电性能。
本发明的透明导电薄膜能够用于钙钛矿型太阳能电池,如图3所示,钙钛矿型太阳能电池由下至上依次包括透明导电薄膜10、第一传输层11、钙钛矿吸光层12、第二传输层13和电池透明电极层14。其中,第一传输层和第二传输层中含有电子空穴传输材料,例如二氧化锡(SnO2)、富勒烯(PCBM)、氧化镍(NiO)或聚[双(4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺](PTTA)等,钙钛矿吸光层中含有钙钛矿化合物,透明电极层含有ITO或FTO。
上述钙钛矿型太阳能电池的制备过程为本领域熟知的,例如可以采用溶液旋涂法、溶液刮涂法或狭缝涂布法等方法在透明导电薄膜表面依次制备第一传输层11、钙钛矿吸光层12、第二传输层13和电池透明电极层14。本发明对第一传输层11、钙钛矿吸光层12、第二传输层13和电池透明电极层14的厚度没有特别限制,只要满足钙钛矿型太阳能电池的要求即可。
本发明的透明导电薄膜能够使钙钛矿型太阳能电池具有优良的导电性能和透光率,从而提升钙钛矿型太阳能电池的性能。
在本发明的一种实施方案中,金属导电层3中金属线4的覆盖面积小于透明电极层2表面积的10%,优选为金属线4的覆盖面积为透明电极层2表面积的0.01%~5%。不限于任何理论,当金属线4的面积占透明导电薄膜平面的表面积过小时,影响透明导电薄膜导电性能的提升;当金属线4的面积占透明导电薄膜平面的表面积过大时,影响透明导电薄膜的透光率。通过控制金属线4的面积在上述范围内,能够得到透光率、导电性能均优良的透明导电薄膜。
本发明中,金属导电层3中金属线4的面积占透明导电薄膜平面的表面积的比例,其计算方法可以为:
对金属导电层3拍照,计算单位面积S2内金属线4的表面积S1,金属线4的面积占透明导电薄膜平面的表面积的百分比a为:a=S1/S2×100%。
本发明还提供了一种透明导电薄膜的制备方法,包括:
在透明基材表面制备透明电极层:
在透明基材1的表面沉积一层导电氧化物,然后退火处理得到透明电极层2,其中,退火温度为120~170℃,退火时间为20~40min。
在透明电极层的表面制备金属导电层:
在透明电极层2的表面印刷感光胶,在感光胶的表面刻蚀出连续线条状或连续网格状凹槽,通过PVD法沉积一层金属层,清除感光胶,得到具有连续线条状图案或连续网格状图案的金属线4的金属导电层3。
在金属导电层的表面制备耐腐蚀层:
在所述金属导电层3中的金属线4表面电镀一层金属,或者生成一层金属氧化物,或者印刷一层惰性有机物,形成耐腐蚀层5。
本发明通过在金属导电层中的金属线的表面设置有耐腐蚀层,能够避免金属导电层中的金属被钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素腐蚀,从而能够使透明导电薄膜更好地应用于钙钛矿型太阳能电池中。
本发明对透明电极层退火时,控制退火温度为120~170℃,优选为130~160℃,退火时间为20~40min,优选为25~35min,从而提高第一导电的导电性能。
本发明在制备金属导电层时,可以先在透明电极层2的表面印刷感光胶,然后在感光胶的表面刻蚀出所需的连续线条状或连续网格状凹槽,再通过物理气相沉积(PVD)法使金属沉积在感光胶表面及凹槽内,然后清除感光胶,得到连续线条状图案或连续网格状图案的金属线。本发明对感光胶和清除感光胶所用的试剂没有特别限制,可以是市售的感光胶及试剂,只要能得到本发明的具有连续线条状图案或连续网格状图案的金属线即可。
本发明的耐腐蚀层可以通过不同的工艺制备,例如通过电镀法在所述金属导电层3中的金属线4表面电镀一层金属,或者通过氧化工艺在金属线4表面生成一层金属氧化物,或者通过印刷工艺在金属线4表面印刷一层化学惰性有机物。
在本发明的一种实施方案中,可以将金属导电层置于含有铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰的电镀液中,以金属导电层作为阴极,通过电镀法将铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰沉积在金属导电层3表面,形成耐腐蚀层5。其中,控制电流密度为2~5A/dm2,施镀时间为10~20min。
本发明对电镀液的浓度没有特别限制,只要能够在阴极表面得到所需厚度的镀层即可。
在本发明的一种实施方案中,可以将金属导电层3置于含有铝或钛的电镀液中,以金属导电层3作为阴极,通过电镀法将铝或钛电镀在金属导电层3表面形成镀层,将镀层置于氧氛围中,以80~120℃氧化8~10h,形成耐腐蚀层5。
本发明的氧氛围具体可以指:体积比为1∶1的氮气和氧气的混合气,为了避免气体浪费,可以控制气体流量为100~150sccm。
在本发明的一种实施方案中,还可以将甲基丙烯酸甲酯5~10份,丙烯酸丁酯10~15份,甲基丙烯酸三氟乙酯1~2份,三羟甲基丙烷三丙烯酸酯0.5~1份,光引发剂二苯甲酮0.001~0.0005份加入到76.5~80份的醋酸乙酯中,搅拌至完全溶解,然后加入0.5~1份纳米二氧化钛,转移至超声发生器中分散至纳米二氧化钛分散均匀,制得金属电极保护液;将金属电极保护液通过丝网印刷法印刷到金属导电层3的表面,在紫外光下辐射固化5~10min,形成耐腐蚀层5。
以下,举出实施例及对比例来对本发明的实施方式进行更具体地说明。各种的试验及评价按照下述的方法进行。另外,只要无特别说明,“份”、“%”为重量基准。
测试方法:
透明导电薄膜总厚度测量:
采用台阶仪或者扫描电镜测试透明导电薄膜的厚度。
透明导电薄膜透光率测试:
采用紫外可见光分光光谱仪测试导电膜透光率。
透明导电薄膜方阻测试:
采用方阻仪测试透明导电薄膜的方阻。
透明导电薄膜耐侯性测试:
利用各实施例和对比例制得的透明导电薄膜制造钙钛矿型太阳能电池,按照IEC61215标准中的湿热试验进行测试(双85老化测试):试验温度:85℃±2℃;试验湿度:85%±5%,试验时间:1000h;要求太阳能电池的最大功率衰减不超过5%,若超过则未通过测试。
实施例1
<在透明基材表面制备透明电极层>
在厚度为125μm的PEN透明基材的表面通过真空磁控溅射法沉积一层ITO导电氧化物,然后退火,退火温度为150℃,退火时间为30min,得到透明电极层。透明电极层的厚度为25nm。
<在透明电极层的表面制备金属导电层>
在透明电极层的表面印刷感光胶,然后在感光胶的表面刻蚀出如图2所示的网格状凹槽,通过PVD法沉积一层厚度为100nm的Cu金属层,然后清除感光胶,得到金属导电层。其中,金属线的线宽为40μm。
<在金属导电层的表面制备耐腐蚀层>
以镍板作为阳极,以待电镀的透明导电薄膜作为阴极,按以下配方及工艺条件进行电镀:镀液成分:浓度为150g/L的NiSO4·7H2O、浓度为20g/L的NH4Cl及浓度为25g/L的H3BO3,温度60℃,pH值5.6,电流密度5A/dm2,施镀时间15min,在金属导电层表面形成的耐腐蚀层厚度为30nm。
实施例2
除了<在金属导电层的表面制备耐腐蚀层>不同以外,其余与实施例1相同。
<在金属导电层的表面制备耐腐蚀层>
以涂有铱氧化物或锡氧化物涂层的钛为阳极,待电镀的透明导电薄膜作为阴极,按以下配方及工艺条件进行电镀:浓度为0.4mol/L的CrCl3、浓度为0.9mol/L的HCOOH,温度30℃,pH值2.0,电流密度24A/dm2,施镀时间15min,在金属导电层表面形成的耐腐蚀层厚度为10nm。
实施例3
除了<在金属导电层的表面制备耐腐蚀层>不同以外,其余与实施例1相同。
以牌号1070工业铝为阳极,待电镀的透明导电薄膜作为阴极,在AlCl3-NaCl-KCl(AlCl3、NaCl、KCl之间的质量比为8∶1∶1)三元无机熔盐体系中,于150℃下电镀处理,电流密度为3.33A/dm2,施镀时间15min,得到铝镀层,然后使用氮气和氧气的混合气(体积比1∶1)于100℃温度条件下对铝层进行氧化处理10h,得到厚度为5nm的耐腐蚀层。
实施例4
除了<在金属导电层的表面制备耐腐蚀层>不同以外,其余与实施例1相同。
将5份甲基丙烯酸甲酯,15份丙烯酸丁酯,2份甲基丙烯酸三氟乙酯,1份三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,0.001份光引发剂二苯甲酮加入到76.5份的醋酸乙酯中,搅拌至完全溶解,然后加入0.499份纳米二氧化钛,转移至超声发生器中分散至纳米二氧化钛分散均匀,制得金属电极保护液;将金属电极保护液通过丝网印刷法印刷到金属导电层的表面,在紫外光下辐射固化5~10min,形成厚度为20nm的耐腐蚀层。
对比例1
在厚度为125μm的PEN透明基材的表面通过真空磁控溅射法沉积一层300n厚的ITO导电氧化物,然后退火,退火温度为150℃,退火时间为30min,得到透明导电薄膜。
对比例2
除了透明导电薄膜不包含耐腐蚀层以外,其余与实施例1相同。
太阳能电池的制备:
按照图3所示的钙钛矿型太阳能电池结构,在各实施例和对比例制得的透明导电薄膜上依次制备第一传输层、钙钛矿吸光层、第二传输层和电池透明电极层。其中,第一传输层的厚度为300nm,钙钛矿吸光层的厚度为400nm,第二传输层的厚度为200nm,电池透明电极层的厚度为50nm。
各实施例和对比例的制备参数和性能参数见表1
表1
从实施例1~4和对比例1可以看出,具有本发明金属导电层的透明导电薄膜,其透光率明显提升,方阻明显降低。表明本发明的透明导电薄膜具有优良的透光性能和导电性能。
从实施例1~4和对比例2可以看出,具有本发明耐腐蚀层的透明导电薄膜通过耐候性测试,而对比例2未通过测试,这可能是由于钙钛矿吸光层中的卤素离子腐蚀了透明导电薄膜中的金属导电层,影响了金属导电层收集电子的能力,从而使太阳能电池的功率出现衰减。可见本发明的透明导电薄膜具有优良的耐腐蚀性能,尤其是耐钙钛矿型太阳能电池中卤族元素腐蚀的性能,因此本发明的透明导电薄膜更适合用于钙钛矿型太阳能电池。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并非用于限定本发明的保护范围。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换、改进等,均包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜,包括透明基材(1)、透明电极层(2)和金属导电层(3),其中,所述透明电极层(2)设置于所述透明基材(1)的表面,所述金属导电层(3)设置于所述透明电极层(2)的表面,所述金属导电层(3)中包含连续线条状或连续网格状图案的金属线(4),所述金属线(4)的表面设置有耐腐蚀层(5),所述耐腐蚀层(5)的厚度为1~50nm,所述耐腐蚀层 材料为耐钙钛矿型太阳能电池中的卤族元素腐蚀的材料。
2.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述透明电极层(2)的厚度为20~200nm,所述金属导电层(3)的厚度为10~200nm。
3.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述耐腐蚀层 材料选自镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨、锰、三氧化二铝、二氧化钛、氟碳树脂、环氧树脂及酯类化合物中的任一种。
4.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述金属线(4)选自纳米金线、纳米银线和纳米铜线中的任一种,所述金属线(4)的线宽为10~50μm,所述金属线(4)铺设在透明电极层(2)上形成相连的矩形、正六边形或相连接的条纹图案,所述金属线(4)的覆盖面积小于透明电极层(2)表面积的10%。
5.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述透明基材(1)选自玻璃、PET、PEN和PI中的任一种,所述玻璃透明基材的厚度为0.3~5mm;所述PET、PEN或PI透明基材的厚度为0.025~0.3mm。
6.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述透明电极层(2)中含有导电氧化物,所述导电氧化物选自ITO或FTO。
7.根据权利要求1所述的透明导电薄膜,其中,所述透明导电薄膜的透光率为80%~90%,方阻为0.1~10Ω/sq。
8.根据权利要求1~7任一项所述的透明导电薄膜,所述透明导电薄膜用于钙钛矿型太阳能电池。
9.一种权利要求1~7任一项所述的透明导电薄膜的制备方法,所述方法包括:
在透明基材表面制备透明电极层:
在透明基材(1)的表面沉积一层导电氧化物,然后退火处理得到透明电极层(2),其中,退火温度为120~170℃,退火时间为20~40min;
在透明电极层的表面制备金属导电层:
在透明电极层(2)的表面印刷感光胶,在感光胶的表面刻蚀出连续线条状或网格状凹槽,通过PVD法沉积金属层,清除感光胶,得到具有连续线条状图案或连续网格状图案的金属线(4)的金属导电层(3);
在金属导电层的表面制备耐腐蚀层:
在所述金属导电层(3)中的金属线(4)表面电镀一层金属,或者生成一层金属氧化物,或者印刷一层惰性有机物,形成耐腐蚀层(5)。
10.根据权利要求9所述的透明导电薄膜的制备方法,其中,所述耐腐蚀层的制备方法为:
将金属导电层置于含有镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰的电镀液中,以金属导电层作为阴极,通过电镀法将镍、铬、钛、铋、钼、锆、钨或锰镀在金属导电层(3)表面,形成耐腐蚀层(5),其中,控制电流密度为2~5A/dm2,施镀时间为10~20min;
或者,将金属导电层(3)置于含有铝或钛的电镀液中,以金属导电层(3)作为阴极,通过电镀法将铝或钛电镀在金属导电层(3)表面形成镀层,将镀层置于氧氛围中,以80~120℃氧化8~10h;
或者,将5~10份甲基丙烯酸甲酯,10~15份丙烯酸丁酯,1~2份甲基丙烯酸三氟乙酯,0.5~1份三羟甲基丙烷三丙烯酸酯,0.001~0.0005份光引发剂二苯甲酮加入到76.5~80份的醋酸乙酯中,搅拌至完全溶解,然后加入0.5~1份纳米二氧化钛,转移至超声发生器中分散至纳米二氧化钛分散均匀,制得金属电极保护液;将金属电极保护液通过丝网印刷法印刷到金属导电层(3)的表面,在紫外光下辐射固化5~10min。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110069227.1A CN112908519B (zh) | 2021-01-19 | 2021-01-19 | 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202110069227.1A CN112908519B (zh) | 2021-01-19 | 2021-01-19 | 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112908519A CN112908519A (zh) | 2021-06-04 |
CN112908519B true CN112908519B (zh) | 2022-04-12 |
Family
ID=76115700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202110069227.1A Active CN112908519B (zh) | 2021-01-19 | 2021-01-19 | 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN112908519B (zh) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
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PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
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Denomination of invention: A transparent conductive thin film resistant to chemical corrosion and its preparation method Granted publication date: 20220412 Pledgee: Bank of China Limited Zhenjiang Runzhou Branch Pledgor: Dazheng (Jiangsu) micro nano technology Co.,Ltd. Registration number: Y2024980006540 |