JP2009099687A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】第２配線の配置の精度に優れ、第１配線および第２配線におけるインピーダンスを安定させることのできる配線回路基板を提供すること。
【解決手段】金属支持基板２の上にベース絶縁層３を形成し、ベース絶縁層３の上に第１配線４（第１リード配線４Ｒおよび第１ライト配線４Ｗ）を形成し、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように中間絶縁層５を形成し、中間絶縁層５の上に、第１配線４と厚み方向において対向配置され、第１配線４の幅よりも狭い幅で第２配線６（第２リード配線６Ｒおよび第２ライト配線６Ｗ）を形成し、第２配線６を被覆するようにカバー絶縁層７を形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板に関する。

回路付サスペンション基板やフレキシブル配線回路基板などの配線回路基板は、例えば、ベース絶縁層と、そのベース絶縁層上に形成され、複数の配線を含む導体層と、ベース絶縁層の上に形成され、その導体層を被覆するカバー絶縁層とを備えている。

例えば、導体層のインピーダンスを安定させて、クロストークの発生を抑制すべく、第２絶縁層（第２層）と、その上に、幅方向に間隔を隔てて配置される第２の書込用導体および第２の読取用導体と、これらを被覆する第１絶縁層（第１層）と、その上に、幅方向に間隔を隔てて配置される第１の書込用導体および第１の読取用導体とを備えるディスク用サスペンションの配線部が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。そして、この配線部では、第２の書込用導体および第１の読取用導体が同幅で厚み方向に互いに対向配置されるとともに、第２の読取用導体および第１の書込用導体が同幅で厚み方向に互いに対向配置されている。
特開２００４−１３３９８８号公報（図９）

しかし、特許文献１で提案される配線部を形成するには、第２の書込用導体および第２の読取用導体を形成した後、これらを被覆するように、第１絶縁層を形成するので、第２の書込用導体および第２の読取用導体の幅方向両端部において、その上を被覆する第１絶縁層に、第２の書込用導体および第２の読取用導体に対応する大きな段差を生じる。

そのため、かかる段差が形成される第１絶縁層に、第２の読取用導体および第２の書込用導体と同じ幅で、第１の書込用導体および第１の読取用導体をそれぞれ形成すると、段差に起因して第１の書込用導体および第１の読取用導体の位置ずれが生じ、配置の精度が低下するおそれがある。その結果、配線部におけるインピーダンスが不安定になるという不具合がある。

本発明の目的は、第２配線の配置の精度に優れ、第１配線および第２配線におけるインピーダンスを安定させることのできる配線回路基板を提供することにある。

上記の目的を達成するため、本発明の配線回路基板は、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成される第１配線と、前記第１絶縁層の上に、前記第１配線を被覆するように形成される第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に、前記第１配線と厚み方向において対向配置され、前記第１配線の幅よりも狭い幅で形成される第２配線とを備えることを特徴としている。

また、本発明の配線回路基板では、前記第１配線および前記第２配線は、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられていることが好適である。

本発明の配線回路基板では、第１配線を被覆する第２絶縁層に段差を生じても、第２配線の幅が第１配線の幅よりも狭いため、第２絶縁層における段差の内側の平坦な部分に、第２配線が形成される。そのため、第２配線の配置の精度を向上させることができる。その結果、第１配線および第２配線のインピーダンスを確実に安定させることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態を示す要部断面図、図２は、図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程断面図である。

図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びる金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１絶縁層としてのベース絶縁層３とを備えている。また、配線回路基板１は、ベース絶縁層３の上に形成される第１配線４と、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように形成される第２絶縁層としての中間絶縁層５と、中間絶縁層５の上に形成される第２配線６と、中間絶縁層５の上に、第２配線６を被覆するように形成されるカバー絶縁層７とを備えている。

金属支持基板２は、平板状の金属箔や金属薄板からなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１０〜３０μｍ、好ましくは、１５〜２５μｍである。

ベース絶縁層３は、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、ベース絶縁層３は、幅方向（長手方向に直交する方向）において、金属支持基板２の上面全面に形成されている。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。

第１配線４は、ベース絶縁層３の表面に形成されており、長手方向に沿って平行状に複数（例えば、２本）設けられている。また、各第１配線４は、断面視略矩形状に形成されている。なお、各第１配線４の長手方向両端部には、図示しない第１端子部が設けられている。これら第１配線４および第１端子部は、配線回路パターンとして連続して形成されている。

そして、各第１配線４は、後述する第２配線６とともに、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられており、より具体的には、第１配線４は、第１リード配線４Ｒと第１ライト配線４Ｗとを備えている。第１リード配線４Ｒは、幅方向一方側（図１における左側）に配置されるとともに、第１ライト配線４Ｗは、幅方向他方側（図１における右側）に第１リード配線４Ｒと間隔を隔てて配置されている。

また、第１配線４の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。また、各第１配線４の幅（幅方向長さ）は、例えば、１５〜２１０μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。また、各第１配線４間の間隔（幅方向の間隔であって、第１リード配線４Ｒおよび第１ライト配線４Ｗ間の間隔）は、例えば、１０〜２００μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。

中間絶縁層５は、第１配線４およびベース絶縁層３の表面を被覆している。より具体的には、中間絶縁層５は、幅方向において、第１配線４を含むベース絶縁層３の上面全面に形成されている。また、中間絶縁層５では、第１配線４の上面および側面を被覆する部分（膨出部分）１２が、第１配線４から露出するベース絶縁層３（各第１配線４間における両端部を除く幅方向中央）の表面を被覆するベース側平坦部分１６に対して、厚み方向上方に膨出している。また、膨出部分１２においては、各第１配線４の上側（幅方向両側を除く）に形成される部分が配線側平坦部分１０とされ、各第１配線４の幅方向両側（より具体的には、幅方向両側斜め上方）に形成される部分が第１段差部分（ショルダー部分）１１とされている。各第１段差部分１１は、第１配線４の角部（第１配線４の上面の幅方向両端縁）に対応するように、その上面（表面）が、配線側平坦部分１０の幅方向両端部から下側へ湾曲した後、ベース側平坦部分１６の幅方向両端部に至るように形成されている。なお、中間絶縁層５は、図示しない第１端子部が露出するように、開口されている。

中間絶縁層５の厚みは、ベース側平坦部分１６の厚み（ベース側平坦部分１６の上面およびベース絶縁層３の上面の間の長さ）Ｄ２が、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜１０μｍであり、配線側平坦部分１０の厚み（配線側平坦部分１０の上面および第１配線４の上面の間の長さ）Ｄ１が、例えば、１〜１５μｍ、好ましくは、３〜７μｍである。

配線側平坦部分１０の幅Ｗ１は、例えば、１０〜１９５μｍ、好ましくは、１５〜５０μｍである。また、第１段差部分１１の幅Ｗ２は、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、２μｍ以下である。

第２配線６は、中間絶縁層５の表面に形成されており、長手方向に沿って平行状に複数（例えば、２本）設けられている。すなわち、第２配線６は、各第１配線４と厚み方向上方において対向配置されており、中間絶縁層５の配線側平坦部分１０の上面に形成されている。より具体的には、各第２配線６は、配線側平坦部分１０の幅方向中央の上面に形成されており、つまり、各第２配線６は、その配線側平坦部分１０の上面の幅方向両端部に第２配線６が形成されないマージン部分１３が設けられるように、形成されている。また、各第２配線６は、断面視略矩形状に形成されている。なお、各第２配線６の長手方向両端部には、図示しない第２端子部が設けられている。これら第２配線６および第２端子部は、配線回路パターンとして連続して形成されている。

そして、各第２配線６は、各第１配線４とともに、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられており、より具体的には、第２配線６は、第２リード配線６Ｒと第２ライト配線６Ｗとを備えている。第２リード配線６Ｒは、幅方向一方側（図１における左側）に配置されるとともに、第２ライト配線６Ｗが、幅方向他方側（図１における右側）に第２リード配線６Ｒと間隔を隔てて配置されている。

これにより、第２リード配線６Ｒは、第１リード配線４Ｒと厚み方向上方に対向配置されるとともに、第２ライト配線６Ｗは、第１ライト配線４Ｗと厚み方向上方に対向配置されている。

第２配線６の厚みは、例えば、１〜５０μｍ、好ましくは、５〜１５μｍである。

各第２配線６の幅は、各第１配線４の幅より、例えば、５〜１００μｍ短く形成され、好ましくは、１０〜３０μｍ短く形成されている。また、第２配線６の幅は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。

また、各第２配線６間の間隔は、例えば、１５〜２５０μｍ、好ましくは、２０〜８０μｍである。

また、配線側平坦部分１０の各マージン部分１３の幅（幅方向長さ）Ｗ３は、例えば、５〜２００μｍ、好ましくは、１０〜５０μｍである。

カバー絶縁層７は、第２配線６および中間絶縁層５の表面を被覆している。より具体的には、カバー絶縁層７は、幅方向において、第２配線６を含む中間絶縁層５の上面全面に形成されている。また、カバー絶縁層７では、中間絶縁層５のベース側平坦部分１６の上において、平坦状に形成されており、そして、中間絶縁層５の第１段差部分１１と第２配線６とに対応するように、厚み方向上方に膨出する部分が第２段差部分１４および第３段差部分１５としてそれぞれ形成されている。なお、第２段差部分１４および第３段差部分１５では、その上面が第１段差部分１１の上面と略同一形状に形成されている。なお、カバー絶縁層７は、図示しない第２端子部が露出するように、開口されている。

カバー絶縁層７の厚み（平坦部分の厚み）は、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。

次に、この配線回路基板１の製造方法について、図２を参照して、説明する。

まず、この方法では、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレス（例えば、ＡＩＳＩ（米国鉄鋼協会）の規格に基づく、ＳＵＳ３０４など）などが用いられる。

次いで、この方法では、図２（ｂ）に示すように、ベース絶縁層３を、金属支持基板２の上に形成する。

ベース絶縁層３を形成する絶縁材料としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。

ベース絶縁層３を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を金属支持基板２の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、ベース絶縁層３は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、ベース絶縁層３の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、第１配線４および図示しない第１端子部をベース絶縁層３の上に、上記したパターンで形成する。

第１配線４および図示しない第１端子部を形成する材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの金属材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。

第１配線４および第１端子部を形成するには、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などの公知のパターンニング法が用いられる。好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法では、まず、ベース絶縁層３の上面全面に、図示しない第１金属薄膜（種膜）を形成する。第１金属薄膜としては、銅、クロム、ニッケルおよびそれらの合金などの金属材料が用いられる。第１金属薄膜は、スパッタリング、めっきなどの薄膜形成方法により、形成する。好ましくは、スパッタリングにより第１金属薄膜を形成する。

次いで、第１金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、第１配線４および第１端子部と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、第１配線４および第１端子部を配線回路パターンとして形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

次いで、この方法では、図２（ｄ）に示すように、中間絶縁層５を、ベース絶縁層３の上に、第１配線４を被覆するように、形成する。

中間絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。

中間絶縁層５を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第１配線４を含むベース絶縁層３の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、中間絶縁層５は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、中間絶縁層５の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第１配線４を含むベース絶縁層３の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

次いで、この方法では、図２（ｅ）に示すように、第２配線６および図示しない第２端子部を、中間絶縁層５の上に、上記したパターンで形成する。

第２配線６および第２端子部を形成する材料としては、上記した第１配線４および第１端子部と同様の材料が用いられる。

第２配線６および第２端子部を形成するには、上記と同様のパターンニング法が用いられ、好ましくは、アディティブ法が用いられる。

アディティブ法では、まず、中間絶縁層５の上面全面に、図示しない第２金属薄膜（種膜）を形成する。第２金属薄膜としては、上記と同様の金属材料が用いられる。第２金属薄膜は、上記と同様の薄膜形成方法、好ましくは、スパッタリングにより、形成する。

次いで、第２金属薄膜の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、第２配線６および第２端子部と逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、第２配線６および第２端子部を配線回路パターンとして形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜をエッチングなどにより除去する。

これにより、第２配線６を、第１配線４と厚み方向において対向配置され、かつ、幅が第１配線の幅より狭くなるように、形成することができる。

次いで、この方法では、図２（ｆ）に示すように、カバー絶縁層７を、中間絶縁層５の上に、第２配線６を被覆するように、形成する。

カバー絶縁層７を形成する絶縁材料としては、上記したベース絶縁層３と同様の絶縁材料が用いられる。

カバー絶縁層７を形成するには、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を、第２配線６を含む中間絶縁層５の上面全面に均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に応じて、加熱することによって硬化させる。

また、カバー絶縁層７は、感光性の合成樹脂を塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させることにより、パターンとして形成することもできる。さらに、カバー絶縁層７の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、予め合成樹脂をフィルムに形成して、そのフィルムを、第２配線６を含む中間絶縁層５の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。

その後、必要により、金属支持基板２を所望の形状に外形加工して、配線回路基板１を得る。

そして、この配線回路基板１では、第１配線４を被覆する中間絶縁層５に第１段差部分１１を生じても、各第２配線６の幅が各第１配線４の幅よりも狭いため、中間絶縁層５における第１段差部分１１の内側の配線側平坦部分１０の上面に、第２配線６が形成される。そのため、第２配線６の配置の精度を向上させることができる。その結果、第１配線４および第２配線６のインピーダンスを確実に安定させることができる。

また、第１配線４および第２配線６は、リード配線とライト配線と、つまり、第１リード配線４Ｒ、第２リード配線６Ｒ、第１ライト配線４Ｗおよび第２ライト配線６Ｗとして設けられている。また、第１リード配線４Ｒおよび第２リード配線６Ｒが、厚み方向において対向配置されているので、これらに入力されるリード信号のインピーダンスを安定させることができる。さらに、第１ライト配線４Ｗおよび第２ライト配線６Ｗが、厚み方向において対向配置されているので、これらに入力されるライト信号のインピーダンスを安定させることができる。

なお、上記した説明では、第１配線４を、第１リード配線４Ｒおよび第１ライト配線４Ｗから形成し、第２配線６を、第２リード配線６Ｒおよび第２ライト配線６Ｗから形成したが、これに限定されず、図示しないが、例えば、第１配線４を、リード配線（第１リード配線４Ｒおよび第２リード配線４Ｒ’）のみから形成するとともに、第２配線６を、ライト配線（第１ライト配線４Ｗおよび第２ライト配線４Ｗ’）のみから形成することができる。あるいは、第１配線４を、ライト配線のみから形成するとともに、第２配線６を、リード配線のみから形成することもできる。

また、上記した説明では、本発明の配線回路基板を、金属支持基板２を備える回路付サスペンション基板として例示して説明したが、本発明の配線回路基板は、これに限定されず、例えば、図３に示すように、金属支持基板２を備えないフレキシブル配線回路基板２１として形成することもできる。

以下に実施例および比較例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例および比較例に限定されることはない。

実施例１
まず、厚み２５μｍのステンレス（ＳＵＳ３０４）箔からなる金属支持基板を用意し（図２（ａ）参照）、次いで、金属支持基板の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み１０μｍのポリイミドからなるベース絶縁層を形成した（図２（ｂ）参照）。

次いで、ベース絶縁層の上に、アディティブ法により、第１配線および第１端子部を形成した。

アディティブ法では、ベース絶縁層の上面全面に、第１金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、第１配線および第１端子部の逆パターンのめっきレジストを、第１金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第１金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの第１配線および第１端子部を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第１金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図２（ｃ）参照）。

なお、各第１配線の幅は５０μｍであり、各第１配線間の間隔は２５μｍであった。

次いで、第１配線を含むベース絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、ポリイミドからなる中間絶縁層を形成した（図２（ｄ）参照）。

なお、中間絶縁層には、ベース側平坦部分と、配線側平坦部分および第１段差部分からなる膨出部分と、を形成した。ベース側平坦部分の厚みは μｍ、配線側平坦部分の厚みは５μｍであった。また、配線側平坦部分の幅は４８μｍ、第１段差部分の幅は２２μｍであった。

次いで、中間絶縁層の上に、アディティブ法により、第２配線および第２端子部を形成した。

アディティブ法では、中間絶縁層の上面全面に、第２金属薄膜として厚み０．０３μｍのクロム薄膜と厚み０．０７μｍの銅薄膜とを、クロムスパッタリングと銅スパッタリングとによって順次形成し、次いで、第２配線および第２端子部の逆パターンのめっきレジストを、第２金属薄膜の表面に形成した。次いで、めっきレジストから露出する第２金属薄膜の表面に、厚み１０μｍの第２配線および第２端子部を、電解銅めっきにより形成した。次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜を、化学エッチングにより除去した（図２（ｅ）参照）。

なお、各第２配線は、各第１配線と厚み方向において対向配置されており、配線側平坦部分の上面の幅方向中央に形成された。各第２配線の幅は、各第１配線の幅よりも２５μｍ短く、つまり、２５μｍであった。各第２配線間の間隔は５０μｍであった。また、配線側平坦部分のマージン部分の幅は、２３μｍであった。

次いで、第２配線を含む中間絶縁層の上面全面に、感光性ポリアミック酸樹脂のワニスを塗布し、乾燥後、露光および現像し、さらに加熱硬化することにより、厚み（平坦部分の厚み）５μｍのポリイミドからなるカバー絶縁層を形成した（図１および図２（ｆ）参照）。その後、金属支持基板をエッチングにより、所望の形状に切り抜き、回路付サスペンション基板を得た。

比較例１
第１配線の形成において、第１配線の幅を、２５μｍ（つまり、第２配線の幅と同幅）に変更した以外は、実施例１と同様に処理して、回路付サスペンション基板を得た（図４参照）。

なお、第１配線間の間隔は２５μｍであり、中間絶縁層の配線側平坦部分の幅は２０μｍであった。

（評価）
１） ＳＥＭ観察
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板を、機械研磨法により幅方向に沿って切断し、その切断面（幅方向断面）をＳＥＭ（電子顕微鏡）にて観察した。

その結果、実施例１では、第２配線の位置ずれを生じず、平面視において第２配線が第１配線に含まれていることを確認した。

一方、比較例１では、図４に示すように、第２配線の位置ずれ（つまり、本来の形成位置（仮想線）から、実際の形成位置（実線）にずれる位置ずれ）を生じ、平面視において第２配線の幅方向一端部が第１配線に含まれていないことを確認した。
２） 特性インピーダンス
実施例１および比較例１の回路付サスペンション基板において、第１配線および第２配線の特性インピーダンスの変動幅を、ＴＤＲ（Ｔｉｍｅ Ｄｏｍａｉｎ Ｒｅｆｌｅｃｔｏｍｅｔｒｙ）にて測定した。

その結果、実施例１の特性インピーダンスの変動幅は５Ωであるのに対し、比較例１の特性インピーダンスの変動幅は１５Ωであった。

本発明の配線回路基板の一実施形態（回路付サスペンション基板である態様）を示す要部断面図である。 図１に示す配線回路基板の製造方法を示す工程断面図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、ベース絶縁層を、金属支持基板の上に形成する工程、（ｃ）は、第１配線をベース絶縁層の上に形成する工程、（ｄ）は、中間絶縁層を、ベース絶縁層の上に形成する工程、（ｅ）は、第２配線を、中間絶縁層の上に形成する工程、（ｆ）は、カバー絶縁層を、中間絶縁層の上に形成する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態（フレキシブル配線回路基板である態様）を示す要部断面図である。 比較例１の回路付サスペンション基板を示す要部断面図である。

符号の説明

１ 配線回路基板
３ ベース絶縁層
４ 第１配線
４Ｒ 第１リード配線
４Ｗ 第１ライト配線
５ 中間絶縁層
６ 第２配線
６Ｒ 第２リード配線
６Ｗ 第２ライト配線
２１ フレキシブル配線回路基板

Claims (2)

1. 第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層の上に形成される第１配線と、
   前記第１絶縁層の上に、前記第１配線を被覆するように形成される第２絶縁層と、
   前記第２絶縁層の上に、前記第１配線と厚み方向において対向配置され、前記第１配線の幅よりも狭い幅で形成される第２配線とを備えることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記第１配線および前記第２配線は、リード配線およびライト配線に対応してそれぞれ設けられていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。

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