JP5005307B2 - 配線回路基板およびその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関し、詳しくは、回路付サスペンション基板などの配線回路基板およびその製造方法に関する。
従来より、ステンレスからなる金属支持基板と、その上に形成され、ポリイミド樹脂からなる絶縁層と、その上に形成され、銅からなる導体パターンとを備える回路付サスペンション基板が知られている。
また、近年、データの高密度化の観点から、このような回路付サスペンション基板では、信号の高周波数化が必要になるところ、高周波数化を図ると、導体パターンにおいて伝送損失が大きくなる。
そのため、このような伝送損失を低減させるために、例えば、ステンレス層の上に形成される下側の絶縁層と、その下側の絶縁層の上に形成される下部導体と、その下部導体の上に形成される上側の絶縁層と、その上側の絶縁層の上に形成され、記録側線路および再生側線路からなる導体とを備える、伝送線路が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００５−１１３８７号公報（図５）
しかるに、特許文献１で提案される伝送線路では、導体の下に形成される上側の絶縁層に厚み方向に貫通するピンホールなどが生じたときには、そのピンホールに導体が充填されて、導体および下部導体が互いに導通する場合がある。そのような場合には、導体の電気特性が下部導体との導通により変化するという不具合を生じる。また、ピンホールが記録側線路の下に形成される上側の絶縁層に生じ、さらに、他のピンホールが再生側線路の下に形成される上側の絶縁層にも生じる場合には、上記した不具合に加え、記録側線路と再生側線路とが下部導体を介して短絡するという不具合を生じる。
そのため、このように導体および下部導体が導通する配線回路基板は、不良品として選別する必要がある。しかし、かかる導体と下部導体との導通の有無を検査することは困難である。
本発明の目的は、金属箔と導体パターンとの導通の有無を簡単に検査することのできる配線回路基板およびその製造方法を提供することにある。
上記した目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板の上に形成される第１ベース絶縁層と、前記第１ベース絶縁層の上に形成される金属箔と、前記第１ベース絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第２ベース絶縁層と、前記第２ベース絶縁層の上に形成され、端子部を有する導体パターンとを備え、前記第２ベース絶縁層には、前記金属箔が露出する開口部が形成され、前記金属箔は、前記導体パターンと厚み方向に対向する部分と、前記第２ベース絶縁層の前記開口部と厚み方向に対向する部分とが連続するパターンに形成されていることを特徴としている。
この配線回路基板では、金属箔が第２ベース絶縁層の開口部から露出している。そのため、導体パターンに通電する電解めっきにより、端子部の表面に電解めっき層を形成すれば、金属箔と導体パターンとが導通している場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面にも電解めっき層が形成される。また、金属箔と導体パターンとが導通していない場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されない。そのため、開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されているか否かを判断すれば、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査することができる。
その結果、電解めっき後に、得られた配線回路基板の金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査して、不良品を、簡単、かつ、確実に選別することができる。
また、本発明の配線回路基板では、さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するように形成されるカバー絶縁層と、前記端子部の表面に形成される電解めっき層とを備えていることが好適である。
この配線回路基板では、カバー絶縁層から露出する端子部には、その表面に電解めっき層が形成されている。そのため、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面に、電解めっき層が形成されているか否かを判断すれば、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査することができる。
その結果、得られた配線回路基板の金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査して、不良品を、簡単、かつ、確実に選別することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記端子部が設けられる本体部と、前記本体部から除去可能である除去部とを備え、前記開口部が、前記除去部に形成されていることが好適である。
この配線回路基板では、開口部が形成されている除去部を、端子部が設けられている本体部から除去することができる。そのため、配線回路基板が良品である場合には、ベース絶縁層の開口部に電解めっき層が形成されず、第２ベース絶縁層の開口部から金属箔が露出して、金属箔に腐食のおそれがあるところ、そのような場合には、除去部を本体部から除去することにより、そのような金属箔の腐食のおそれを回避することができる。
その結果、良品として選別された配線回路基板の優れた長期信頼性を確保することができる。
また、本発明の配線回路基板では、前記導体パターンは、幅方向に互いに間隔を隔てて対向して並列配置され、前記端子部に接続される配線を備え、前記金属箔は、前記幅方向の最外両側の前記配線にわたるように形成されていることが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に第１ベース絶縁層を形成する工程と、前記第１ベース絶縁層の上に金属箔を形成する工程と、前記第１ベース絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように、第２ベース絶縁層を形成する工程と、前記第２ベース絶縁層に、前記金属箔が露出する開口部を形成する工程と、前記第２ベース絶縁層の上に、端子部を有する導体パターンを形成する工程と、前記端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成する工程と、を備え、前記金属箔を形成する工程において、前記金属箔を、前記導体パターンと厚み方向に対向する部分と、前記第２ベース絶縁層の前記開口部と厚み方向に対向する部分とが連続するパターンに形成することを特徴としている。
この配線回路基板の製造方法では、端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成するので、金属箔と導体パターンとが導通している場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面にも電解めっき層が形成される。また、金属箔と導体パターンとが導通していない場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されない。そして、端子部の表面に電解めっき層を形成した後、開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されているか否かを判断することにより、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査するので、不良品を、簡単、かつ、確実に選別することができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、電解めっきにより、端子部の表面に電解めっき層を形成するとともに、金属箔および導体パターンが導通している場合には、開口部から露出する金属箔の表面にも電解めっき層が形成される。そのため、１つの工程で、端子部の表面の電解めっき層と、金属箔と導体パターンとが導通している場合における開口部から露出する金属箔の表面に形成される検査のための電解めっき層とを、同時に形成することができる。その結果、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査しながら、配線回路基板を簡単に製造することができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するようにカバー絶縁層を形成する工程を備えていることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、端子部の表面に、電解めっき層を、確実に形成することができるとともに、金属箔および導体パターンが導通している場合には、開口部から露出する金属箔の表面に、電解めっき層を、確実に形成することができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、前記端子部が設けられる本体部と、前記本体部から除去可能であり、前記開口部が形成される除去部との間に切り目を形成する工程を備えていることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、開口部が形成されている除去部を、端子部が設けられる本体部から、切り目に沿って除去することができる。そのため、配線回路基板が良品である場合には、第２ベース絶縁層の開口部に電解めっき層が形成されず、第２ベース絶縁層の開口部から金属箔が露出して、金属箔に腐食のおそれがあるところ、そのような場合には、除去部を本体部から除去することにより、そのような金属箔の腐食のおそれを回避することができる。
その結果、長期信頼性に優れる良品として選別された配線回路基板を得ることができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法において、前記導体パターンを形成する工程では、幅方向に互いに間隔を隔てて対向して並列配置され、前記端子部に接続される配線を有するように、前記導体パターンを形成し、前記金属箔を形成する工程において、前記金属箔を、前記幅方向の最外両側の前記配線にわたるように形成することが好適である。
また、本発明の配線回路基板の製造方法は、金属支持基板を用意する工程と、前記金属支持基板の上に第１ベース絶縁層を形成する工程と、前記第１ベース絶縁層の上に金属箔を形成する工程と、前記金属支持基板の上に、前記金属箔を被覆するように、第２ベース絶縁層を形成する工程と、前記第２ベース絶縁層に、前記金属箔が露出する開口部を形成する工程と、前記第２ベース絶縁層の上に、端子部を有する導体パターンを形成する工程と、前記端子部が設けられる本体部と、前記本体部から除去可能であり、前記開口部が形成される除去部との間に切り目を形成する工程と、前記端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成する工程と、前記電解めっき層を形成した後、前記開口部から露出する前記金属箔の表面に、前記電解めっき層が形成されているか否かを判断することにより、前記金属箔と前記導体パターンとの導通の有無を検査する工程とを備えていることを特徴としている。
この配線回路基板の製造方法では、端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成するので、金属箔と導体パターンとが導通している場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面にも電解めっき層が形成される。また、金属箔と導体パターンとが導通していない場合には、第２ベース絶縁層の開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されない。そして、端子部の表面に電解めっき層を形成した後、開口部から露出する金属箔の表面に電解めっき層が形成されているか否かを判断することにより、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査するので、不良品を、簡単、かつ、確実に選別することができる。
また、この配線回路基板の製造方法では、電解めっきにより、端子部の表面に電解めっき層を形成するとともに、金属箔および導体パターンが導通している場合には、開口部から露出する金属箔の表面にも電解めっき層が形成される。そのため、１つの工程で、端子部の表面の電解めっき層と、金属箔と導体パターンとが導通している場合における開口部から露出する金属箔の表面に形成される検査のための電解めっき層とを、同時に形成することができる。その結果、金属箔と導体パターンとの導通の有無を検査しながら、配線回路基板を簡単に製造することができる。
さらに、この配線回路基板の製造方法では、開口部が形成されている除去部を、端子部が設けられる本体部から、切り目に沿って除去することができる。そのため、配線回路基板が良品である場合には、第２ベース絶縁層の開口部に電解めっき層が形成されず、第２ベース絶縁層の開口部から金属箔が露出して、金属箔に腐食のおそれがあるところ、そのような場合には、除去部を本体部から除去することにより、そのような金属箔の腐食のおそれを回避することができる。
その結果、長期信頼性に優れる良品として選別された配線回路基板を得ることができる。
また、本発明の配線回路基板の製造方法では、さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するようにカバー絶縁層を形成する工程を備えていることが好適である。
この配線回路基板の製造方法では、端子部の表面に、電解めっき層を、確実に形成することができるとともに、金属箔および導体パターンが導通している場合には、開口部から露出する金属箔の表面に、電解めっき層を、確実に形成することができる。
本発明の配線回路基板およびその製造方法によれば、配線回路基板の金属箔と導体パターンとの導通の有無を、簡単、かつ、確実に検査することができる。
図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態の平面図、図２は、図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、良品として選別される配線回路基板の断面図、図３および図４は、図２に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図、図５は、図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、不良品として選別される配線回路基板の断面図である。
図１において、この配線回路基板１は、ハードディスクドライブなどに搭載される回路付サスペンション基板であって、長手方向に延びるように形成されている。また、配線回路基板１は、長手方向一方側に配置され、平面視略矩形状に形成される本体部１５と、本体部１５の長手方向他方側に配置され、平面視略矩形状に形成される除去部１６とを備えている。また、この配線回路基板１には、本体部１５および除去部１６の間に切り目１７が設けられている。
本体部１５は、長手方向に延び、互いに間隔を隔てて配置される複数（４本）の配線８と、各配線８の長手方向一端部に設けられる端子部としての磁気ヘッド側接続端子部１０Ａと、各配線８の長手方向他端部に設けられる端子部としての外部側接続端子部１０Ｂとを一体的に備えている。
各配線８は、幅方向（長手方向に直交する方向）において互いに間隔を隔てて対向して並列配置されている。なお、複数の配線８は、配線回路基板１における本体部１５および除去部１６の幅方向一方側（右側）にマージン部分が確保されるように、配線回路基板１の幅方向他方側（左側）にやや偏って配置されている。
各配線８の幅（幅方向長さ）は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍであり、各配線８間の間隔（幅方向における間隔）は、例えば、１０〜１００μｍ、好ましくは、２０〜５０μｍである。
磁気ヘッド側接続端子部１０Ａは、本体部１５の長手方向一端部に配置され、幅広の角ランドとして、幅方向に沿って並列して複数（４個）設けられている。また、各磁気ヘッド側接続端子部１０Ａには、各配線８の長手方向一端部がそれぞれ接続されている。また、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａには、配線回路基板１の製造後に、磁気ヘッドの端子部（図示せず）が接続される。
外部側接続端子部１０Ｂは、本体部１５の長手方向他端部に配置され、幅広の角ランドとして、幅方向に沿って並列して複数（４個）設けられている。また、各外部側接続端子部１０Ｂには、各配線８の長手方向他端部がそれぞれ接続されている。また、外部側接続端子部１０Ｂには、配線回路基板１の製造後に、リード・ライト基板の端子部（図示せず）が接続される。
各磁気ヘッド側接続端子部１０Ａおよび各外部側接続端子部１０Ｂの長さは、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍであり、その幅は、例えば、２０〜１０００μｍ、好ましくは、３０〜８００μｍである。
なお、以下、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａおよび外部側接続端子部１０Ｂは、特に区別が必要でない場合には、単に端子部１０として説明する。
除去部１６は、本体部１５と連続して隣接配置されている。また、除去部１６は、めっきリード９を備えている。
めっきリード９は、その長手方向他端部が、本体部１５の各磁気ヘッド側接続端子部１０Ａに、切り目１７を横切るようにして、それぞれ接続されている。また、その長手方向一端部は、各磁気ヘッド側接続端子部１０Ａに接続されている複数（４本）のめっきリード９が、１本のめっきリード９にまとめられており、図示しないめっきリード接続端子に接続される。
切り目１７は、本体部１５と除去部１６との間において、幅方向に沿って直線的に設けられており、この切り目１７を境界として、除去部１６が、本体部１５から除去可能とされている。より具体的には、この切り目１７は、図２に示すように、後述する金属支持基板２、第１ベース絶縁層４、金属箔３および第２ベース絶縁層５が幅方向にわたって断続的に除去される、ミシン目形状の切り目１７として形成されている。
切り目１７の幅（長手方向の長さ）は、例えば、４０〜１００μｍ、好ましくは、４０〜８０μｍであり、その長さ（幅方向長さ）は、例えば、６０〜１０００μｍ、好ましくは、８０〜２４０μｍである。また、各切り目１７間の幅方向間隔は、例えば、４０〜９６０μｍ、好ましくは、８０〜１２０μｍである。
そして、この配線回路基板１は、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成される第１ベース絶縁層４と、第１ベース絶縁層４の上に形成される金属箔３と、第１ベース絶縁層４の上に、金属箔３を被覆するように形成される第２ベース絶縁層５とを備えている。また、この配線回路基板１は、第２ベース絶縁層５の上に形成され、配線８、端子部１０およびめっきリード９（図１参照）を有する導体パターン７と、第２ベース絶縁層５の上に、導体パターン７を被覆し、かつ、端子部１０および後述する開口部としてのベース開口部６から露出する金属箔３が露出するように形成されるカバー絶縁層１１と、端子部１０の表面に形成される電解めっき層１３とを備えている。
金属支持基板２は、図１に示すように、本体部１５および除去部１６にわたる配線回路基板１の外形形状に対応する長手方向に延びる平板状の金属箔や金属薄板から形成されている。金属支持基板２を形成する金属材料としては、例えば、ステンレス、４２アロイなどが用いられ、好ましくは、ステンレスが用いられる。金属支持基板２の厚みは、例えば、１５〜３０μｍ、好ましくは、２０〜２５μｍである。
第１ベース絶縁層４は、図２に示すように、金属支持基板２の表面に形成されている。より具体的には、第１ベース絶縁層４は、本体部１５および除去部１６にわたる金属支持基板２の上面に形成されている。すなわち、第１ベース絶縁層４は、その周端縁が、平面視において金属支持基板２の周端縁と同一位置に配置されている。
第１ベース絶縁層４を形成する絶縁材料としては、配線回路基板の絶縁材料として通常用いられる、例えば、ポリイミド、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂が用いられる。これらのうち、好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。第１ベース絶縁層４の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
金属箔３は、第１ベース絶縁層４の表面に形成されており、図１および図２に示すように、本体部１５において、配線８と厚み方向において対向するように、かつ、除去部１６において、後述するベース開口部６と厚み方向において対向するように、パターンとして形成されている。
すなわち、金属箔３は、図１に示すように、本体部１５では、幅方向においては、幅方向の最外両側の配線８にわたるように形成され、かつ、長手方向においては、磁気ヘッド側接続端子部１０Ａの長手方向内側近傍から外部側接続端子部１０Ｂの長手方向内側近傍にわたるように、平面視略矩形状に形成されている。
また、金属箔３は、配線回路基板１の本体部１５の幅方向一方側（右側）のマージン部分に膨出するように形成されている。さらに、金属箔３は、本体部１５において、マージン部分に配置される膨出部分が、長手方向一方側にさらに延び、切り目１７を横切って、除去部１６において、第２ベース絶縁層５のベース開口部６と平面視において重なるように、延出している。
金属箔３を形成する金属材料としては、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、錫、銀、またはそれらの合金などが用いられ、好ましくは、銅が用いられる。金属箔３の厚みは、例えば、０．１〜５μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
第２ベース絶縁層５は、本体部１５および除去部１６にわたって形成されており、その周端縁が、平面視において金属支持基板２の周端縁と同一位置に配置されている。また、第２ベース絶縁層５は、第１ベース絶縁層４の表面に、金属箔３を被覆するように形成されている。また、第２ベース絶縁層５には、除去部１６において、金属箔３の延出部分と厚み方向に対向するように、ベース開口部６が設けられており、このベース開口部６は、金属箔３が露出するように、平面視略矩形状に形成されている。
第２ベース絶縁層５を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層４と同様の絶縁材料が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。第２ベース絶縁層５の厚みは、例えば、１〜１０μｍ、好ましくは、１〜５μｍである。
また、ベース開口部６の長さは、例えば、４０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍであり、その幅は、例えば、４０〜１０００μｍ、好ましくは、１００〜５００μｍである。
また、ベース開口部６の面積は、例えば、１６００〜１×１０６μｍ２、好ましくは、１×１０４〜２．５×１０５μｍ２である。ベース開口部６の面積が上記した範囲を上回ると、金属箔３と導体パターン７とが導通している場合において、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に形成される検査のための電解めっき層１３の厚みが薄くなるので、その電解めっき層１３の形成を検査することが困難となる場合がある。ベース開口部６の面積が上記した範囲を下回ると、金属箔３と導体パターン７とが導通している場合において、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に形成される検査のための電解めっき層１３が狭小となるので、その電解めっき層１３の形成を、検査することが困難となる場合がある。
導体パターン７は、第２ベース絶縁層５の上に、配線８と、端子部１０と、めっきリード９とを一体的に備える上記したパターン（配線回路パターン）として形成されている。
導体パターン７を形成する導体材料としては、配線回路基板の導体材料として通常用いられる、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、またはそれらの合金などの導体材料が用いられる。これらのうち、好ましくは、銅が用いられる。また、導体パターン７の厚みは、例えば、５〜２０μｍ、好ましくは、７〜１５μｍである。
カバー絶縁層１１は、本体部１５および除去部１６にわたり、第２ベース絶縁層５の表面に、各配線８および各めっきリード９を被覆するように、長手方向および幅方向において導体パターン７より長く形成されている。
より具体的には、カバー絶縁層１１は、幅方向においては、幅方向の最外両側の配線８にわたるように形成されている。これにより、このカバー絶縁層１１は、幅方向においては、上記したマージン部分には形成されず、配線８の配置に対応して、配線回路基板１の幅方向他方側（左側）にやや偏って配置されている。そのため、このカバー絶縁層１１から、上記した金属箔３の延出部分における第２ベース絶縁層５のベース開口部６、および、そのベース開口部６から露出する金属箔３が、露出している。
また、カバー絶縁層１１には、カバー開口部１２が、各端子部１０を露出させるように、平面視略矩形状に形成されている。
カバー絶縁層１１を形成する絶縁材料としては、上記した第１ベース絶縁層４と同様の絶縁材料が用いられる。好ましくは、感光性の合成樹脂が用いられ、さらに好ましくは、感光性ポリイミドが用いられる。カバー絶縁層１１の厚みは、例えば、２〜１０μｍ、好ましくは、３〜６μｍである。
電解めっき層１３は、図２に示すように、カバー絶縁層１１のカバー開口部１２内に、充填されている。すなわち、この電解めっき層１３は、カバー絶縁層１１のカバー開口部１２から露出する金属箔３の上面に形成されている。
なお、電解めっき層１３は、図５に示すように、後述する不良品として選別される配線回路基板１では、その第２ベース絶縁層５のベース開口部６内にも、形成される。すなわち、このような電解めっき層１３は、上記したカバー開口部１２内に加え、さらに、第２ベース絶縁層５のベース開口部６から露出する金属箔３の上面にも、形成される。
電解めっき層１３を形成する金属材料としては、例えば、金、銀、ニッケルまたはこれらの合金などの金属材料が用いられ、好ましくは、金が用いられる。
電解めっき層１３（カバー開口部１２内に形成される電解めっき層１３）の厚みは、例えば、０．２５〜３．０μｍ、好ましくは、０．５〜２．０μｍである。なお、配線回路基板１が不良品として選別された場合にベース開口部６内に形成される電解めっき層１３（図５参照）の厚みは、例えば、０．２５〜３．０μｍ、好ましくは、０．５〜２．０μｍである。
次いで、この配線回路基板１の製造方法について図３および図４を参照して、説明する。
まず、この方法では、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２を用意する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、第１ベース絶縁層４を金属支持基板２の上に形成する。
第１ベース絶縁層４を形成するには、金属支持基板２の上面に、例えば、上記した感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布し、乾燥後、露光および現像し、必要により硬化させる。
また、第１ベース絶縁層４は、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要により硬化させることにより、形成することもできる。さらに、第１ベース絶縁層４の形成は、上記の方法に制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、金属支持基板２の表面に、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、金属箔３を、第１ベース絶縁層４の上に形成する。
金属箔３は、第１ベース絶縁層４の上面に、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターンニング法により、上記したパターンで形成する。好ましくは、アディティブ法により、金属箔３を形成する。
アディティブ法では、まず、第１ベース絶縁層４の上面に、点線で示す第１金属薄膜２１を形成する。第１金属薄膜２１は、スパッタリング、好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを積層することにより、形成する。
次いで、この第１金属薄膜２１の上面に、上記したパターンと逆パターンで図示しないめっきレジストを形成した後、めっきレジストから露出する第１金属薄膜２１の上面に、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、上記したパターンで、金属箔３を形成し、その後、めっきレジストおよびそのめっきレジストが積層されていた部分の第１金属薄膜２１を除去する。
電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図３（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら、第１金属薄膜２１を種膜として、第１金属薄膜２１から通電する、電解めっきが用いられる。
無電解めっきとしては、例えば、上記した金属のめっき溶液に、図３（ｂ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬する、無電解めっきが用いられる。
これらのうち、好ましくは、電解めっきにより、金属箔３を形成する。
次いで、この方法では、図３（ｄ）に示すように、第２ベース絶縁層５を、第１ベース絶縁層４の上に、金属箔３を被覆するように形成する。
第２ベース絶縁層５は、金属箔３を含む第１ベース絶縁層４の上面に、例えば、第１ベース絶縁層４と同様の感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光および現像し、必要により硬化させることにより、ベース開口部６を有するパターンで形成する。
また、第２ベース絶縁層５の形成は、これに制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターン（ベース開口部６が形成されたパターン）のフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第１ベース絶縁層４の上面に、金属箔３を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
これにより、第２ベース絶縁層５およびベース開口部６を１つの工程で同時に形成する。
また、例えば、図示しないが、まず、金属箔３を含む第１ベース絶縁層４の上面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要により硬化させることにより、第２ベース絶縁層５を形成し、その後、図３（ｄ）に示すように、レーザー加工や穿孔加工などにより、ベース開口部６を形成することもできる。
また、第２ベース絶縁層５およびベース開口部６の形成は、これに制限されず、例えば、図示しないが、まず、合成樹脂を、ベース開口部６が形成されていないパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第１ベース絶縁層４の上面に、金属箔３を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することにより、第２ベース絶縁層５を形成する。その後、図３（ｄ）に示すように、レーザー加工や穿孔加工などにより、ベース開口部６を形成することもできる。
これにより、第２ベース絶縁層５およびベース開口部６を２つの工程で別々に形成することができる。
次いで、この方法では、図３（ｅ）に示すように、第２ベース絶縁層５の上面に、導体パターン７を形成する。
導体パターン７は、例えば、アディティブ法、サブトラクティブ法などのパターンニング法により形成する。好ましくは、アディティブ法により、導体パターン７を形成する。
アディティブ法では、まず、ベース開口部６から露出する金属箔３を含む第２ベース絶縁層５の上面に、点線で示す第２金属薄膜２２を形成する。第２金属薄膜２２は、第１金属薄膜２１を形成する方法と同様の方法により形成する。好ましくは、クロムスパッタリングおよび銅スパッタリングにより、クロム薄膜と銅薄膜とを順次積層することにより、形成する。
次いで、第２金属薄膜２２の表面に、ドライフィルムレジストを設けて、これを露光および現像し、配線回路パターンと逆パターンの図示しないめっきレジストを形成する。次いで、めっきにより、めっきレジストから露出する第２金属薄膜２２の表面に、導体パターン７を、配線８、端子部１０およびめっきリード９（図１参照）を一体的に備えるパターンで形成し、次いで、めっきレジストおよびめっきレジストが形成されていた部分の第２金属薄膜２２をエッチングなどにより除去する。なお、めっきは、電解めっきまたは無電解めっきのいずれでもよいが、好ましくは、電解めっきが用いられ、さらに好ましくは、電解銅めっきが用いられる。
次いで、この方法では、図４（ｆ）に示すように、カバー絶縁層１１を、第２ベース絶縁層５の上に、導体パターン７を被覆し、かつ、端子部１０およびベース開口部６から露出する金属箔３が露出するように、形成する。
カバー絶縁層１１は、ベース開口部６から露出する金属箔３を含む第２ベース絶縁層５の上面に、導体パターン７を被覆するように、例えば、上記した感光性の合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布し、乾燥後、フォトマスクを介して露光および現像し、必要により硬化させることにより、端子部１０およびベース開口部６から露出する金属箔３が露出するパターンで形成する。
また、カバー絶縁層１１の形成は、これに制限されず、例えば、合成樹脂を上記したパターン（カバー開口部１２が形成されたパターン）のフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第２ベース絶縁層５の上面に、導体パターン７を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することもできる。
また、例えば、図示しないが、まず、第２ベース絶縁層５の上面に、例えば、上記した合成樹脂の溶液（ワニス）を均一に塗布した後、乾燥し、次いで、必要に硬化させることにより、カバー絶縁層１１を形成し、その後、図４（ｆ）に示すように、レーザー加工や穿孔加工などにより、カバー開口部１２を形成することもできる。
また、カバー絶縁層１１およびカバー開口部１２の形成は、これに制限されず、例えば、図示しないが、まず、合成樹脂を、カバー開口部１２が形成されていないパターンのフィルムに予め形成して、そのフィルムを、第２ベース絶縁層５の上面に、導体パターン７を被覆するように、公知の接着剤層を介して貼着することにより、カバー絶縁層１１を形成する。その後、図４（ｆ）に示すように、レーザー加工や穿孔加工などにより、カバー開口部１２を形成することもできる。
次いで、この方法では、図４（ｇ）に示すように、本体部１５と除去部１６との間における、金属支持基板２、第１ベース絶縁層４、金属箔３および第２ベース絶縁層５に、切り目１７を形成する。
切り目１７は、例えば、赤外線レーザーや紫外線レーザー、または、金型で打ち抜くなどの公知の方法により、形成する。切り目１７は、好ましくは、紫外線レーザーによるアブレーション法により、形成する。
次いで、この方法では、図４（ｈ）に示すように、端子部１０の表面に電解めっき層１３を形成する。
電解めっき層１３は、上記した金属のめっき溶液に、図４（ｇ）に示す製造途中の配線回路基板１を浸漬しながら、図示しないめっきリード接続端子から給電して、めっきリード９を介して通電する電解めっきにより形成する。
そして、配線８の下に形成される第２ベース絶縁層５に厚み方向に貫通するピンホール２０が生じている場合には、図５に示すように、導体パターン７の形成時に、そのピンホール２０に導体パターン７を形成する導体材料が充填されて、金属箔３と導体パターン７とが導通するので、上記した電解めっきによって、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面にも電解めっき層１３が形成される。
一方、上記したピンホール２０が生じていない場合には、図２に示すように、金属箔３と導体パターン７とが導通しないので、上記した電解めっきによっても、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に電解めっき層１３が形成されない。
そして、図５に示すように、金属箔３と導体パターン７とが導通している場合、例えば、少なくともいずれか１本の配線８の下に形成される第２ベース絶縁層５に厚み方向に貫通するピンホール２０が生じる（図５の実線では、幅方向最一方側の配線８の下の第２ベース絶縁層５にピンホール２０が生じている形態を示す。）場合には、その配線８の電気特性が金属箔３との導通により変化する。また、例えば、図１および図５の点線に示すように、１本のみならず、複数の配線８の下に形成される第２ベース絶縁層５にピンホール２０が生じる（図１の点線では、４本のすべての配線８の下の第２ベース絶縁層５にピンホール２０が生じている形態を示す。）場合には、上記した電気特性の変化に加え、各配線８が金属箔３を介して短絡する。
その後、この方法では、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に、電解めっき層１３が形成されているか否かを判断することにより、金属箔３と導体パターン７との導通の有無を検査する。
電解めっき層１３が、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に形成されているか否かの判断は、例えば、肉眼観察、顕微鏡観察（例えば、光学顕微鏡）などの外観観察（目視観察）により判断するか、または、例えば、Ｘ線電子分光分析などの表面分析により、判断する。好ましくは、顕微鏡観察などの外観観察により、電解めっき層１３の形成を判断する。
この検査においては、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に電解めっき層１３が形成されていることを確認できれば、金属箔３と導体パターン７とが導通しているものとして、配線回路基板１を不良品として選別する。一方、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に電解めっき層１３が形成されていないことを確認できれば、金属箔３と導体パターン７とが導通していないものとして、配線回路基板１を良品として選別する。
その後、この方法では、図示しないが、めっきリード９およびベース開口部６が形成されている除去部１６を、配線８および端子部１０が設けられる本体部１５から、切り目１７に沿って、折り曲げまたは切り離しなどにより、除去する。
そして、この配線回路基板１の製造方法では、端子部１０の表面に電解めっき層１３を形成した後、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面に電解めっき層１３が形成されているか否かを上記のように判断することにより、金属箔３と導体パターン７との導通の有無を簡単に検査することができる。その結果、配線回路基板１の不良品を、簡単、かつ、確実に選別することができる。
また、この方法では、電解めっきにより、端子部１０の表面に電解めっき層１３を形成するとともに、金属箔３および導体パターン７が導通する場合には、図５に示すように、ベース開口部６から露出する金属箔３の表面にも電解めっき層１３が形成される。
そのため、１つの工程で、端子部１０の電解めっき層１３と、ベース開口部６の検査のための電解めっき層１３とを、同時に形成することができる。その結果、金属箔３と導体パターン７との導通の有無を検査しながら、配線回路基板１を簡単に製造することができる。
また、この方法では、第２ベース絶縁層５の上に、配線８およびめっきリード９を被覆し、かつ、端子部１０および第２ベース絶縁層５のベース開口部６から露出する金属箔３が露出するようにカバー絶縁層１１を形成するので、端子部１０の表面に、電解めっき層１３を、確実に形成することができるとともに、金属箔３および導体パターン７が導通する場合には、ベース開口部６内に、検査のための電解めっき層１３を、確実に形成することができる。
また、この方法では、めっきリード９およびベース開口部６が形成されている除去部１６を、配線８および端子部１０が設けられる本体部１５から、切り目１７に沿って除去する。
これによって、めっきリード９が除去されるので、本体部１５において各配線８を電気的に互いに独立させることができる。
また、配線回路基板１を良品として選別した場合には、第２ベース絶縁層５のベース開口部６に電解めっき層１３が形成されないため、第２ベース絶縁層５のベース開口部６から金属箔３が露出して、金属箔３に腐食のおそれがある。しかし、そのような場合には、除去部１６を本体部１５から除去することにより、そのような金属箔３の腐食のおそれを回避することができる。
その結果、長期信頼性に優れる良品として選別した配線回路基板１を得ることができる。
図６は、本発明の配線回路基板の他の一実施形態の断面図であって、図２に対応する断面図である。なお、上記した各部に対応する部材については、図６において同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
上記した説明では、金属箔３を、第１金属薄膜２１（図４（ｈ）参照）と一体的に形成したが、これに制限されず、例えば、図６に示すように、第１金属薄膜２１と区別して、形成することもできる。
図６において、この配線回路基板１では、第１金属薄膜２１は、金属箔３と第１ベース絶縁層４との間に介在するように形成されている。
また、第１金属薄膜２１と金属箔３とを区別しながら、これらを形成するには、例えば、第１金属薄膜２１を形成する金属材料と、金属箔３を形成する金属材料とを異ならせればよく、好ましくは、第１金属薄膜２１をクロムのみから形成し、金属箔３を銅のみから形成する。
また、上記した図２に示す配線回路基板１の説明では、第２ベース絶縁層５を、金属箔３を被覆するように、直接形成したが、これに制限されず、例えば、図６に示すように、金属箔３の表面に第３金属薄膜２３を形成し、その第３金属薄膜２３を被覆するように、第２ベース絶縁層５を形成することもできる。
第３金属薄膜２３を形成する金属材料としては、例えば、ニッケル、クロム、またはニッケルとクロムとの合金（ニクロム）が用いられる。好ましくは、ニッケルが用いられる。
また、この第３金属薄膜２３は、スパッタリング、電解めっきまたは無電解めっきなどにより、形成する。好ましくは、無電解ニッケルめっきにより、第３金属薄膜２３を形成する。
なお、第２ベース絶縁層５のベース開口部６から露出する第３金属薄膜２３は、ベース開口部６の形成と同時に、またはその形成後に、レーザー加工や穿孔加工などにより、除去する。
また、上記した図２に示す配線回路基板１の説明では、カバー絶縁層１１を、導体パターン７を被覆するように、直接形成したが、これに制限されず、例えば、図６に示すように、導体パターン７の表面に第４金属薄膜２４を形成し、その第４金属薄膜２４を被覆するように、カバー絶縁層１１を形成することもできる。
第４金属薄膜２４を形成する金属材料は、上記した第３金属薄膜２３と同様の金属材料が用いられる。また、第４金属薄膜２４は、上記した第３金属薄膜２３と同様の方法により形成し、好ましくは、無電解ニッケルめっきにより、形成する。
なお、カバー絶縁層１１のカバー開口部１２から露出する端子部１０の上面に形成される第４金属薄膜２４は、カバー開口部１２の形成と同時に、またはその形成後に、レーザー加工や穿孔加工などにより、除去する。
また、上記した図１に示す配線回路基板１の説明では、ベース開口部６を、平面視略矩形状に形成したが、その形状はこれに制限されず、例えば、図示しないが、平面視三角形状、平面視略円形状など、適宜の形状に形成することができる。
本発明の配線回路基板の一実施形態の平面図である。 図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、良品として選別される配線回路基板の断面図である。 図２に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、（ａ）は、金属支持基板を用意する工程、（ｂ）は、第１ベース絶縁層を、金属支持基板の上面に形成する工程、（ｃ）は、金属箔を、第１ベース絶縁層の上面に形成する工程、（ｄ）は、第２ベース絶縁層を、第１ベース絶縁層の上面に、金属箔を被覆し、かつ、金属箔が露出するベース開口部が形成されるように、形成する工程、（ｅ）は、第２ベース絶縁層の上面に、配線、端子部およびめっきリードを有する導体パターンを形成する工程を示す。 図３に続き、図２に示す配線回路基板の製造方法を示す工程図であって、（ｆ）は、カバー絶縁層を、第２ベース絶縁層の上面に、導体パターンを被覆し、かつ、端子部が露出するカバー開口部が形成されるように、形成する工程、（ｇ）は、切り目を形成する工程、（ｈ）は、電解めっき層を、端子部の表面に電解めっきにより形成する工程を示す。 図１に示す配線回路基板のＡ−Ａ線に沿う断面図であって、不良品として選別される配線回路基板の断面図である。 本発明の配線回路基板の他の一実施形態の断面図であって、図２に対応する断面図である。
符号の説明
１ 配線回路基板
２ 金属支持基板
３ 金属箔
４ 第１ベース絶縁層
５ 第２ベース絶縁層
６ ベース開口部
７ 導体パターン
１０ 端子部
１１ カバー絶縁層
１３ 電解めっき層
１５ 本体部
１６ 除去部
１７ 切り目

Claims (10)

  1. 金属支持基板と、
    前記金属支持基板の上に形成される第１ベース絶縁層と、
    前記第１ベース絶縁層の上に形成される金属箔と、
    前記第１ベース絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように形成される第２ベース絶縁層と、
    前記第２ベース絶縁層の上に形成され、端子部を有する導体パターンとを備え、
    前記第２ベース絶縁層には、前記金属箔が露出する開口部が形成され、
    前記金属箔は、前記導体パターンと厚み方向に対向する部分と、前記第２ベース絶縁層の前記開口部と厚み方向に対向する部分とが連続するパターンに形成されていることを特徴とする、配線回路基板。
  2. さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するように形成されるカバー絶縁層と、
    前記端子部の表面に形成される電解めっき層と
    を備えていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
  3. 前記端子部が設けられる本体部と、
    前記本体部から除去可能である除去部とを備え、
    前記開口部が、前記除去部に形成されていることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。
  4. 前記導体パターンは、幅方向に互いに間隔を隔てて対向して並列配置され、前記端子部に接続される配線を備え、
    前記金属箔は、前記幅方向の最外両側の前記配線にわたるように形成されている
    ことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
  5. 金属支持基板を用意する工程と、
    前記金属支持基板の上に第１ベース絶縁層を形成する工程と、
    前記第１ベース絶縁層の上に金属箔を形成する工程と、
    前記第１ベース絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように、第２ベース絶縁層を形成する工程と、
    前記第２ベース絶縁層に、前記金属箔が露出する開口部を形成する工程と、
    前記第２ベース絶縁層の上に、端子部を有する導体パターンを形成する工程と、
    前記端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成する工程と、
    を備え、
    前記金属箔を形成する工程において、前記金属箔を、前記導体パターンと厚み方向に対向する部分と、前記第２ベース絶縁層の前記開口部と厚み方向に対向する部分とが連続するパターンに形成することを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
  6. さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するようにカバー絶縁層を形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項５に記載の配線回路基板の製造方法。
  7. 前記端子部が設けられる本体部と、前記本体部から除去可能であり、前記開口部が形成される除去部との間に切り目を形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項５または６に記載の配線回路基板の製造方法。
  8. 前記導体パターンを形成する工程では、幅方向に互いに間隔を隔てて対向して並列配置され、前記端子部に接続される配線を有するように、前記導体パターンを形成し、
    前記金属箔を形成する工程において、前記金属箔を、前記幅方向の最外両側の前記配線にわたるように形成する
    ことを特徴とする、請求項５〜７のいずれかに記載の配線回路基板の製造方法。
  9. 金属支持基板を用意する工程と、
    前記金属支持基板の上に第１ベース絶縁層を形成する工程と、
    前記第１ベース絶縁層の上に金属箔を形成する工程と、
    前記第１ベース絶縁層の上に、前記金属箔を被覆するように、第２ベース絶縁層を形成する工程と、
    前記第２ベース絶縁層に、前記金属箔が露出する開口部を形成する工程と、
    前記第２ベース絶縁層の上に、端子部を有する導体パターンを形成する工程と、
    前記端子部が設けられる本体部と、前記本体部から除去可能であり、前記開口部が形成される除去部との間に切り目を形成する工程と、
    前記端子部の表面に、電解めっきにより、電解めっき層を形成する工程と、
    前記電解めっき層を形成した後、前記開口部から露出する前記金属箔の表面に、前記電解めっき層が形成されているか否かを判断することにより、前記金属箔と前記導体パターンとの導通の有無を検査する工程と
    を備えていることを特徴とする、配線回路基板の製造方法。
  10. さらに、前記第２ベース絶縁層の上に、前記導体パターンを被覆し、かつ、前記端子部および前記開口部から露出する前記金属箔が露出するようにカバー絶縁層を形成する工程を備えていることを特徴とする、請求項９に記載の配線回路基板の製造方法。
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