JP2009080510A - フォトマスクの製造方法およびフォトマスクブランク - Google Patents
フォトマスクの製造方法およびフォトマスクブランク Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 透光性基板(1)上に、透光性基板(1)上の面内において大域的な開口率差を有する半透光性位相シフトパターン(51)が形成されたハーフトーン型位相フォトマスク(10)の製造方法において、クロム膜(2)のエッチングマスクとして、このクロム膜(2)のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスクパターン(31)を用いる。エッチングマスクパターン(31)をマスクとして、クロム膜(2)にドライエッチングを施してクロムパターン(21)を形成し、クロムパターン(21)をマスクとして半透光性位相シフト膜(5)にドライエッチングを施して半透光性位相シフトパターン(51)を形成し、クロムパターン(21)の所望の一部又は全部を除去する。
【選択図】 図3
Description
図1を参照して、本発明の第1実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。
図1を参照して、本発明の第2実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。第2実施例は、第1実施例において、レジストパターン41を除去後に、無機系エッチングマスクパターン31のみをマスクにして、遮光性クロム膜2のエッチングを行ったこと以外は、第1実施例と同じ条件でフォトマスクを製造した。
第1比較例は、第1実施例によるフォトマスクの製造方法において、無機系エッチングマスク用膜3を形成せずにフォトマスクを製造する方法である。
図3を参照して、本発明の第3実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。
図3を参照して、本発明の第4実施例によるフォトマスクの製造方法について説明する。第4実施例は、第3実施例において、レジストパターン41を除去後に、無機系エッチングマスクパターン31のみをマスクにして、遮光性クロム膜2のエッチングを行ったこと以外は、第3実施例と同じ条件でフォトマスクを製造した。
第2比較例は、第3実施例によるフォトマスクの製造方法において、無機系エッチングマスク用膜3を形成せずにフォトマスクを製造する方法である。
次に、本発明の第5実施例によるクロムレス型位相シフトマスクの製造方法について説明する。
第3比較例は、第1比較例における無機系エッチングマスクの剥離前の状態から、さらに遮光性クロム膜パターンをマスクに基板を掘り込んで、クロムレス型位相シフトマスクを製造した例である。
Claims (19)
- 透光性基板(1)上に、該透光性基板(1)上の面内において大域的な開口率差を有する半透光性位相シフトパターン(51)が形成されたハーフトーン型位相シフトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、
前記透光性基板(1)上に、前記半透光性位相シフトパターン(51)を形成するための半透光性位相シフト膜(5)、クロムパターン(21)を形成するためのクロム膜(2)、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜(3)、及びレジスト膜(4)を少なくとも有するフォトマスクブランク(11)を準備する工程と、
前記レジスト膜(4)に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン(41)を形成する工程と、
前記レジストパターン(41)をマスクとして前記エッチングマスク用膜(3)にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン(31)を形成する工程と、
前記エッチングマスクパターン(31)をマスクとして、前記クロム膜(2)にドライエッチングを施して前記クロムパターン(21)を形成する工程と、
前記クロムパターン(21)をマスクとして前記半透光性位相シフト膜(5)にドライエッチングを施して前記半透光性位相シフトパターン(51)を形成する工程と、
前記クロムパターン(21)の所望の一部又は全部を除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記エッチングマスクパターン(31)を、前記半透光性位相シフト膜(5)のドライエッチングと共に剥離することを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記エッチングマスクパターン(31)を、反射防止機能を有する膜として前記クロムパターン(21)上に残存させることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記半透光性位相シフト膜(5)が、シリコンと窒素及び/又は酸素を含む材料からなる最上層を含むことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記半透光性位相シフト膜(5)が、金属、シリコンと窒素及び/又は酸素を含む材料からなる単層構造の膜であることを特徴とする請求項4に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記エッチングマスクパターン(31)を形成する工程において残存した前記レジストパターン(41)を、前記クロムパターン(21)を形成する工程の前に剥離する工程を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記無機系材料からなるエッチングマスク用膜(3)は、モリブデン、シリコン、タンタル、タングステンのうち何れか一つを少なくとも含む材料からなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記クロムパターン(21)を形成する工程において、前記クロム膜(2)のエッチング速度が前記エッチングマスクパターン(31)のエッチング速度の10倍以上であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 透光性基板(1)上に、該透光性基板上の面内において大域的な開口率差を有する透光性位相シフトパターンが形成されたクロムレス型位相シフトマスクを製造するフォトマスクの製造方法において、
前記透光性基板(1)上に、クロムパターン(21)を形成するためのクロム膜(2)、該クロム膜のエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜(3)、及びレジスト膜(4)を少なくとも有するフォトマスクブランク(11)を準備する工程と、
前記レジスト膜(4)に所望のパターンを露光、現像することによりレジストパターン(41)を形成する工程と、
前記レジストパターン(41)をマスクとして前記エッチングマスク用膜(3)にドライエッチング処理を施してエッチングマスクパターン(31)を形成する工程と、
前記エッチングマスクパターン(31)をマスクとして、前記クロム膜(2)にドライエッチングを施して前記クロムパターン(21)を形成する工程と、
前記クロムパターン(21)をマスクとして前記透光性基板(1)にドライエッチングを施して前記透光性位相シフトパターンを形成する工程と、
前記クロムパターン(21)の所望の一部又は全部を除去する工程と
を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 前記エッチングマスクパターン(31)を、前記透光性基板(1)のドライエッチングと共に剥離することを特徴とする請求項9に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記エッチングマスクパターン(31)を、反射防止機能を有する膜として前記クロムパターン(21)上に残存させることを特徴とする請求項9に記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記エッチングマスクパターン(31)を形成する工程において残存した前記レジストパターン(41)を、前記クロムパターン(21)を形成する工程の前に剥離する工程を有することを特徴とする請求項9〜11のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記無機系材料からなるエッチングマスク用膜(3)は、モリブデン、シリコン、タンタル、タングステンのうち何れか一つを少なくとも含む材料からなることを特徴とする請求項9〜12のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 前記クロム膜パターン(21)を形成する工程において、前記クロム膜(2)のエッチング速度が前記エッチングマスクパターン(31)のエッチング速度の10倍以上であることを特徴とする請求項9〜13のいずれか1つに記載のフォトマスクの製造方法。
- 透光性基板(1)上に、所望の開口を有する半透光性位相シフトパターン(51)が形成されたハーフトーン型位相シフトマスク(10)を製造するための素材となるフォトマスクブランク(11)において、
前記透明基板(1)上に、半透光性位相シフト膜(5)と、クロム膜(2)と、該クロム膜のドライエッチングに対して耐性を有する無機系材料からなるエッチングマスク用膜(3)とが順次積層されていることを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記半透光性位相シフト膜(5)が、シリコンと窒素及び/又は酸素を含む材料からなる最上層を含むことを特徴とする請求項15に記載のフォトマスクブランク。
- 前記半透光性位相シフト膜(5)が、金属、シリコンと窒素及び/又は酸素を含む材料からなる単層構造の膜であることを特徴とする請求項16に記載のフォトマスクブランク。
- 前記エッチングマスク用膜(3)が、前記半透光性位相シフト膜(5)のドライエッチングにおいて共に剥離可能な材料であることを特徴とする請求項15〜17のいずれか1つに記載のフォトマスクブランク。
- 前記エッチングマスク用膜(3)が、反射防止機能を有する膜であることを特徴とする請求項15〜17のいずれか1つに記載のフォトマスクブランク。
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