JP6019731B2 - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6019731B2 JP6019731B2 JP2012110631A JP2012110631A JP6019731B2 JP 6019731 B2 JP6019731 B2 JP 6019731B2 JP 2012110631 A JP2012110631 A JP 2012110631A JP 2012110631 A JP2012110631 A JP 2012110631A JP 6019731 B2 JP6019731 B2 JP 6019731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phase shift
- pattern
- film
- etching
- hard mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
以下に、当初の特許請求の範囲に記載していた発明を付記する。
[1]
露光波長に対して透明な基板上に、位相シフト膜と、遮光膜と、ハードマスクとが順次積層された位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜及び遮光膜は、前記ハードマスクをエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなり、前記位相シフト膜及びハードマスクは、前記遮光膜をエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなり、前記遮光膜は、前記位相シフト膜をエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなることを特徴とする位相シフトマスクブランク。
[2]
前記ハードマスクをエッチング可能なドライエッチングは、非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)であることを特徴とする項1に記載の位相シフトマスクブランク。
[3]
前記遮光膜をエッチング可能なドライエッチングは、酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)であることを特徴とする項1または2に記載の位相シフトマスクブランク。
[4]
前記位相シフト膜をエッチング可能なドライエッチングは、フッ素系エッチング(F系)であることを特徴とする項1〜3のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[5]
前記ハードマスクは、(1)Ta、Ti、Zr、Nb、及びHfから選ばれる少なくとも1種の金属膜もしくは窒化膜、(2)これらの複数層膜もしくは傾斜膜、のいずれかを含むことを特徴とする項1〜4のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[6]
前記ハードマスクは、TaNを含むことを特徴とする項1〜5のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[7]
前記ハードマスクの膜厚は、1nm以上30nm以下であることを特徴とする項1〜6のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[8]
前記遮光膜は、(1)Cr酸化物、Cr窒化物、もしくはCr酸窒化物を主成分とする金属化合物膜、(2)Crを主成分とする金属膜もしくは合金膜、(3)これらの複数層膜もしくは傾斜膜、のいずれかを含むことを特徴とする項1〜7のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[9]
前記遮光膜の膜厚は、30nm以上60nm以下であることを特徴とする項1〜8のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[10]
前記位相シフト膜は、(1)Siの酸化膜、窒化膜、または酸窒化膜、(2)SiおよびMoの酸化膜、窒化膜、または酸窒化膜、(3)これらの複数層膜もしくは傾斜膜、を含むことを特徴とする項1〜9のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[11]
前記位相シフト膜の膜厚は、30nm以上80nm以下であることを特徴とする項1〜10のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[12]
前記ハードマスクがTaNを主成分とし、前記遮光膜がCrを主成分とし、前記位相シフト膜がMoSiを主成分とする位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜及び遮光膜は、前記ハードマスクをエッチング可能な非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記位相シフト膜及びハードマスクは、前記遮光膜をエッチング可能な酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記遮光膜は、前記位相シフト膜をエッチング可能なフッ素系エッチング(F系)では実質的にエッチングされない材質からなることを特徴とする項1〜11のいずれかに記載の位相シフトマスクブランク。
[13]
項1〜12のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクを用いて製造された位相シフトマスクであって、露光波長に対して透明な基板上に形成された位相シフトパターンと、前記位相シフトパターン上に選択的に形成された遮光膜パターンとを具備し、前記位相シフトパターン及び遮光膜パターンは、前記ハードマスクをエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなり、前記位相シフトパターン及びハードマスクは、前記遮光膜パターンをエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなることを特徴とする位相シフトマスク。
[14]
前記遮光膜パターンは、前記位相シフト膜をエッチング可能なドライエッチングでは実質的にエッチングされない材質からなり、前記遮光膜パターンは、前記ハードマスクのパターンをマスクとしたドライエッチングにより形成され、前記位相シフトパターンは、前記遮光膜パターンをマスクとしたドライエッチングにより形成されたものであることを特徴とする項13に記載の位相シフトマスク。
[15]
項1〜12のいずれかに記載の位相シフトマスクブランクのハードマスクをパターニングしてハードマスクパターンを形成する工程、
前記ハードマスクパターンをマスクとして前記遮光膜をドライエッチングし、遮光膜パターンを形成する工程、
前記遮光膜パターンと前記位相シフト膜を実質的にエッチングせずに前記ハードマスクパターンをドライエッチングにより除去する工程、及び
前記遮光膜パターンをマスクとして前記位相シフト膜をドライエッチングし、位相シフトパターンを形成する工程
を具備することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
11,31・・・露光波長に対して透明な基板、
12,32・・・位相シフト膜
13,33・・・遮光膜、
14,34・・・ハードマスク、
15,23,35・・・レジストパターン、
16,36・・・ハードマスクパターン、
17,37・・・遮光膜パターン、
18,38・・・位相シフトパターン、
19・・・第2のレジストパターン、
21,41・・・ハードマスクパターンの残渣、
22・・・遮光膜パターンの残渣、
39・・・アンダーカット、
40・・・段差
Claims (2)
- 露光波長に対して透明な基板上に、MoSiを主成分とする位相シフト膜と、Crを主成分とする遮光膜と、TaNを主成分とするハードマスクとが順次積層された位相シフトマスクブランクであって、前記位相シフト膜及び遮光膜は、前記ハードマスクをエッチング可能な非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記位相シフト膜及びハードマスクは、前記遮光膜をエッチング可能な酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)では実質的にエッチングされない材質からなり、前記遮光膜は、前記位相シフト膜をエッチング可能なフッ素系エッチング(F系)では実質的にエッチングされない材質からなる位相シフトマスクブランクの前記ハードマスクを、前記非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)を利用してパターニングすることにより、ハードマスクパターンを形成する工程、
前記ハードマスクパターンをマスクとして用いて前記遮光膜を前記酸素含有塩素系エッチング(Cl/O系)でドライエッチングすることにより、遮光膜パターンを形成する工程、
前記遮光膜パターンと前記位相シフト膜とを実質的にエッチングせずに、前記ハードマスクパターンを、前記非酸素含有塩素系エッチング(Cl系)でドライエッチングすることにより除去する工程、及び
前記遮光膜パターンをマスクとして用いて前記位相シフト膜と前記基板とを前記フッ素系エッチング(F系)でドライエッチングすることにより、位相シフトパターンを形成するとともに、前記基板を掘り込む工程
を含んだ位相シフトマスクの製造方法。 - 前記遮光膜パターンをマスクとして用いた前記フッ素系エッチング(F系)により、前記基板を1nm〜3nm掘り込む請求項1に記載の位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012110631A JP6019731B2 (ja) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012110631A JP6019731B2 (ja) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013238691A JP2013238691A (ja) | 2013-11-28 |
JP6019731B2 true JP6019731B2 (ja) | 2016-11-02 |
Family
ID=49763764
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012110631A Active JP6019731B2 (ja) | 2012-05-14 | 2012-05-14 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6019731B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6601245B2 (ja) | 2015-03-04 | 2019-11-06 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びマスクパターン形成方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI259329B (en) * | 2003-04-09 | 2006-08-01 | Hoya Corp | Method of manufacturing a photomask, and photomask blank |
WO2011030521A1 (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-17 | Hoya株式会社 | マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法および反射型マスクの製造方法 |
JP2011123426A (ja) * | 2009-12-14 | 2011-06-23 | Toppan Printing Co Ltd | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 |
-
2012
- 2012-05-14 JP JP2012110631A patent/JP6019731B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013238691A (ja) | 2013-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4989800B2 (ja) | マスクブランク及び転写用マスクの製造方法 | |
JP6266842B2 (ja) | マスクブランク、マスクブランクの製造方法、位相シフトマスク、位相シフトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP5510947B2 (ja) | フォトマスクの製造方法およびフォトマスク | |
TWI526775B (zh) | 空白光罩及光罩之製造方法 | |
JP6965920B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2007249198A (ja) | 4階調フォトマスクの製造方法、及びフォトマスクブランク | |
TW201025420A (en) | Photo mask blank | |
JP7184558B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
TWI772645B (zh) | 空白光罩、光罩之製造方法及光罩 | |
WO2020241116A1 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP2010164779A (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2010237692A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP2011129611A (ja) | 反射型マスクの製造方法 | |
JP6019731B2 (ja) | 位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2009086389A (ja) | フォトマスクブランク及びフォトマスクの製造方法 | |
JP6903878B2 (ja) | 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク | |
JP2012203317A (ja) | 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法 | |
JP2009271562A (ja) | フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法 | |
JP2010164777A (ja) | フォトマスクの製造方法及びフォトマスクブランク | |
JP7411840B2 (ja) | フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法及びフォトマスク | |
JP7296927B2 (ja) | 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び位相シフトマスク | |
JP2006085096A (ja) | 露光用マスクとその製造方法 | |
JP5434825B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP2012078553A (ja) | クロムレス位相シフトマスク及びクロムレス位相シフトマスクの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150420 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160223 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160919 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6019731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |