JP2013238777A - フォトマスクブランク、フォトマスクの製造方法、および位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】透明基板1上に設けられる遮光膜2は単層構造若しくは多層構造を有し、少なくとも1層はスズを含有するクロム系材料で成膜されている。また、この遮光膜2は光学濃度が2以上で4以下であり且つ反射防止機能を有する。遮光膜2を構成するスズを含有するクロム系材料からなる層は、遮光性を低下させることなく、酸素を含む塩素系ドライエッチング時のエッチング速度を有意に向上させることができる。このため、係る遮光膜にパターンを転写する際の、レジストパターンやハードマスクパターンへの負荷が軽減され、高い精度でのパターン転写が可能になる。
【選択図】図1
Description
ドライエッチング特性を評価する実験例として、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、クロムターゲットとスズターゲットを別個に設けたコ・スパッタリングによるDCスパッタ法にて、スズ濃度の異なる2種類のCrON膜を、厚み44nmで成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上に、遮光層と反射防止層からなる遮光膜を形成した。遮光層としては石英基板上にクロムとスズと窒素からなる膜(膜厚46nm)を成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上に、遮光層と反射防止層からなる遮光膜を形成した。遮光層としては石英基板上にクロムとスズと窒素からなる膜(膜厚46nm)を成膜した。
直流スパッタ装置を用い、石英基板の上に、遮光層と反射防止層からなる遮光膜を形成した。遮光層としては石英基板上にクロムとスズと窒素からなる膜(膜厚46nm)を成膜した。
2 遮光膜
3 ハードマスク膜
4 レジスト膜
5 レジストパターン
11 チャンバ
12 対向電極
13 ICP発生用高周波発信器
14 アンテナコイル
15 試料
16 平面電極
17 RIE用高周波発信器
18 排気口
19 ガス導入口
Claims (9)
- 透明基板上に単層構造若しくは多層構造の遮光膜が設けられており、
前記遮光膜は光学濃度が2以上で4以下であり且つ反射防止機能を有し、
前記遮光膜はクロム系材料からなる層を少なくとも1層備え、
前記クロム系材料からなる層のうち少なくとも1層はスズを含有するクロム系材料からなる、
ことを特徴とするフォトマスクブランク。 - 前記スズを含有するクロム系材料は、スズの含有量がクロムの含有量に対し、原子比で0.01倍以上2倍以下である、
請求項1に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は全層がクロム系材料からなる、
請求項1又は2に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜は全層が前記スズを含有するクロム系材料からなる、
請求項3に記載のフォトマスクブランク。 - 前記クロム系材料は、クロム金属、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸化窒化炭化物の何れかであり、
前記スズを含有するクロム系材料は、スズ−クロム金属、スズ−クロム酸化物、スズ−クロム窒化物、スズ−クロム炭化物、スズ−クロム酸化窒化物、スズ−クロム酸化炭化物、スズ−クロム窒化炭化物、スズ−クロム酸化窒化炭化物の何れかである、
請求項1乃至4の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記遮光膜上にハードマスク膜を備え、
該ハードマスク膜は、酸素を含む塩素系ドライエッチングに対してエッチング耐性を有する、
請求項1乃至5の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。 - 前記ハードマスク膜は、シリコンを含有し、更に、軽元素として窒素と酸素の少なくとも一方を含有する、
請求項6に記載のフォトマスクブランク。 - 請求項1乃至7の何れか1項に記載のブランクを用いたフォトマスクの製造方法であって、
前記スズを含有するクロム系材料からなる層を、酸素を含む塩素系ドライエッチングでエッチング加工して遮光膜パターンを形成する工程を備えている、フォトマスクの製造方法。 - 前記工程により得られた前記遮光膜パターンをエッチングマスクとして用い、前記遮光膜の下方に設けられた位相シフト膜または透明基板をフッ素系ドライエッチングして前記透明基板上にパターン転写を行う、位相シフトマスクの製造方法。
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