WO2012070209A1 - フォトマスクブランクおよびフォトマスクの製造方法ならびにクロム系材料膜 - Google Patents
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Definitions
- such a thickness direction region has a thickness of 50% or more of the entire thickness of the chromium-based material film. As long as it has.
- Such a configuration is applied to a light-shielding film provided on a photomask blank, and the light-shielding film has a laminated structure of an antireflection layer and a light shielding layer, and at least one of the antireflection layer and the light shielding layer is a mixed system of chromium.
- the element having a liquid phase temperature of 400 ° C. or less has a region where the element is added in an amount of 0.01 atomic% to 20 atomic% with respect to chromium.
- This chromium-based material film is a film having a thickness of 10 nm obtained by film formation using a composite target of chromium and indium, and the indium concentration inside the film is 0.01 or less in terms of the composition ratio to chromium.
- the indium concentration in the surface region corresponding to about 1/6 of the overall film thickness is remarkably high.
- chromium-based materials (base materials) used in the invention include chromium metal, chromium oxide, chromium nitride, chromium carbide, chromium oxynitride, chromium oxide carbide, chromium nitride carbide, chromium oxynitride Examples thereof include carbides, and the above-described elements are contained in these base materials.
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Abstract
Description
本実施例では、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、単一のターゲット中にクロム領域とインジウム領域を有する複合ターゲットを用いたDCスパッタ法にて、Inの濃度の異なる2種類のCrN膜(Cr:N=9:1)を厚み10nmで成膜した(実施例1および実施例2)。
本実施例では、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、クロムターゲットとスズターゲットを別個に設けたコスパッタリングによるDCスパッタ法にて、スズの濃度の異なる2種類のCrON膜を、厚み44nmで成膜した(実施例3および実施例4)。
本比較例では、一辺が152mmで厚みが6mmの矩形の石英基板上に、クロムターゲットとスズターゲットを別個に設けたコスパッタリングによるDCスパッタ法にて、Ni, Zn Cuを約3原子%含有するCrON膜を、厚み44nmで、実施例3および実施例4と同様に成膜した。
2 対向電極
3 ICP発生用高周波発信器
4 アンテナコイル
5 試料
6 平面電極
7 RIE用高周波発信器
8 排気口
9 ガス導入口
Claims (17)
- 金属元素としてクロムを含むクロム系材料膜を備えたフォトマスクブランクであって、
前記クロム系材料膜は、クロムとの混合系が、液相となる温度が400℃以下である元素が添加されているクロム系材料膜である、フォトマスクブランク。 - 前記クロム系材料膜の厚み方向に、前記元素が0.01原子%以上20原子%以下で添加されている領域を有している、請求項1に記載のフォトマスクブランク。
- 前記厚み方向の領域は、前記クロム系材料膜の全体の膜厚の50%以上の厚みを有することを特徴とする、請求項2に記載のフォトマスクブランク。
- 前記添加される元素は、インジウムまたはスズである、請求項1~3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料は、クロム金属、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸化窒化炭化物の何れかである、請求項1~3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜は、遮光性膜、エッチングマスク膜、または、エッチングストッパ膜の何れかである、請求項1~3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記遮光性膜は、反射防止層と遮光層の積層構造を有し、
前記反射防止層と前記遮光層の少なくとも一方は、クロムとの混合系が、液相となる温度が400℃以下である元素がクロムに対して0.01原子%以上20原子%以下で添加されている領域を有している、請求項6に記載のフォトマスクブランク。 - 前記クロム系材料膜に対する塩素系ドライエッチングの速度(RCl)とフッ素系ドライエッチングの速度(RF)との比(RCl/RF)が、液相となる温度が400℃以下である前記元素が添加されていないクロム系材料膜に比較して大きい、ことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。
- 前記クロム系材料膜は、クロムターゲットと前記元素を含有するターゲットを同時にスパッタリングするコスパッタリングにより形成されたものである、請求項1~3の何れか1項に記載のフォトマスクブランク。
- クロム系材料膜を備えたフォトマスクブランクであって、
前記クロム系材料膜は、厚み方向に、スズが0.5原子%以上含有されている領域を有している、フォトマスクブランク。 - 前記クロム系材料膜を遮光性膜として備え、該遮光性膜は、反射防止層と遮光層の積層構造を有し、該反射防止層と該遮光層の少なくとも一方においてスズを含有している、請求項10に記載のフォトマスクブランク。
- フォトマスクの製造方法であって、
請求項1又は10に記載のフォトマスクブランクを用い、
前記クロム系材料膜を少なくとも塩素と酸素を含む混合ガスによりパターニングする工程を備えている、フォトマスクの製造方法。 - 塩素系ドライエッチングを行う、金属元素として主としてクロムを含むクロム系材料膜において、クロムとの混合系が、液相となる温度が400℃以下である元素が添加されているクロム系材料膜。
- 前記クロム系材料膜の厚み方向に、前記元素が0.01原子%以上20原子%以下で添加されている領域を有している、請求項13に記載のクロム系材料膜。
- 前記厚み方向の領域は、前記クロム系材料膜の全体の膜厚の50%以上の厚みを有することを特徴とする、請求項14に記載のクロム系材料膜。
- 前記添加される元素は、インジウムまたはスズである、請求項13~15の何れか1項に記載のクロム系材料膜。
- 前記クロム系材料は、クロム金属、クロム酸化物、クロム窒化物、クロム炭化物、クロム酸化窒化物、クロム酸化炭化物、クロム窒化炭化物、クロム酸化窒化炭化物の何れかである、請求項13~15の何れか1項に記載のクロム系材料膜。
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