JP2016191784A - マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク、位相シフトマスクの製造方法、及び、半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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- 230000010363 phase shift Effects 0.000 title claims abstract description 227
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 70
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 142
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 90
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 89
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 87
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 79
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims abstract description 50
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 41
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 37
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 155
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 81
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 64
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 53
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 31
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 664
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 43
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 36
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 29
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 27
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 18
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 17
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 16
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 9
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 9
- 238000013461 design Methods 0.000 description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 7
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 7
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 6
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001941 electron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- 238000009412 basement excavation Methods 0.000 description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- 101150013999 CRBN gene Proteins 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 101150016677 ohgt gene Proteins 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 1
- 150000003482 tantalum compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
透光性基板上に、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層した構造を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、単層又は2層以上の積層構造を有し、
前記ハードマスク膜は、前記遮光膜の表面に接して設けられ、
前記遮光膜を構成する層は、クロム及び酸素を含有し、さらにインジウム、スズ及びモリブデンから選ばれる少なくとも1以上の金属元素を含有する材料で形成され、
前記遮光膜を構成する層におけるクロム及び前記金属元素の合計含有量は、50原子%以上80原子%以下であり、
前記ハードマスク膜は、タンタルと酸素を含有する材料で形成され、
前記ハードマスク膜の酸素含有量は、50原子%以上である
ことを特徴とするマスクブランク。
前記遮光膜の全ての層におけるクロム含有量は、いずれも40原子%以上60原子%以下であることを特徴とする構成1に記載のマスクブランク。
前記遮光膜の全ての層の間におけるクロム含有量の差は、20原子%以下であることを特徴とする構成1又は2に記載のマスクブランク。
前記遮光膜の全ての層におけるクロム及び前記金属元素の合計含有量に対する前記金属元素の合計含有量の比率は、いずれも50%以下であることを特徴とする構成1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
前記遮光膜は、ArFエキシマレーザ光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
前記遮光膜は、厚さが70nm以下であることを特徴とする構成1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
前記透光性基板と前記遮光膜の間に位相シフト膜を備えることを特徴とする構成1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
前記遮光膜及び位相シフト膜の積層構造におけるArFエキシマレーザ光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とする構成7に記載のマスクブランク。
前記遮光膜は、厚さが60nm以下であることを特徴とする構成7又は8に記載のマスクブランク。
構成1から6のいずれかに記載のマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された掘込パターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記透光性基板に掘り込みパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
構成7から9のいずれかに記載のマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
前記ハードマスク膜上に形成された位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記位相シフト膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
構成10又は11に記載の位相シフトマスクの製造方法によって製造された位相シフトマスクを用い、リソグラフィー法により前記位相シフトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
一般的に、クロム(Cr)系材料の薄膜において、高Cr材料であるCrN膜は比較的強い引張応力を有していることが知られている。また、低Cr材料であるCrOCN膜やCrOC膜は、圧縮応力の傾向を有していることも知られている。例えば、上述の特許文献2には、成膜条件によってCrN膜の膜応力を調整することが記載されている。具体的には、成膜時にCrN膜の窒素含有量を調整することにより、CrN膜の膜応力を、引張応力、又は、圧縮応力とすることが記載されている。そして、CrN膜のN含有量と膜応力との傾向について記載されている。
図1、及び、図2に、マスクブランクの実施形態の概略構成を示す。図1に示すマスクブランク10は、透光性基板11における一方の主表面11S上に、主表面11S側から順に、遮光膜12、及び、ハードマスク膜13が積層された構成であり、遮光膜12が単層で構成されている。図2に示すマスクブランク10Aは、透光性基板11における一方の主表面11S上に、主表面11S側から順に、遮光膜12、及び、ハードマスク膜13が積層された構成であり、遮光膜12が主表面11S側から下層12Aと上層12Bとの複数層(本例では2層)で構成されている。以下の説明では、下層12Aと上層12Bとをまとめて遮光膜12とも称する。また、図1、及び、図2に示すマスクブランク10,10Aは、ハードマスク膜13上に、必要に応じてレジスト膜14を有する構成であってもよい。以下、マスクブランク10、及び、マスクブランク10Aの主要構成部の詳細を説明する。
透光性基板11は、リソグラフィーにおける露光工程で用いられる露光光に対して透過性が良好な材料からなる。このような材料としては、合成石英ガラス、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、低熱膨張ガラス(SiO2−TiO2ガラス等)、その他各種のガラス基板を用いることができる。特に、合成石英ガラスを用いた石英基板は、ArFエキシマレーザ光(波長:193nm)に対する透明性が高いので、マスクブランク10,10Aの透光性基板11として好適に用いることができる。
マスクブランク10,10Aに適用される遮光膜12は、図1に示すように単層で形成されていてもよく、また、図2に示すように、複数の層に分かれて形成されていてもよい。図2に示すマスクブランク10Aでは、遮光膜12が複数の層に分かれて形成されている例として、主表面11S側から下層12Aと、上層12Bとが形成された構成を示している。
ハードマスク膜13は、遮光膜12の表面に接して設けられている。ハードマスク膜13は、遮光膜12をエッチングする際に用いられるエッチングガスに対してエッチング耐性を有する材料で形成された膜である。このハードマスク膜13は、遮光膜12にパターンを形成するためのドライエッチングが終わるまでの間、エッチングマスクとして機能することができるだけの膜の厚さがあれば十分であり、基本的に光学特性の制限を受けない。このため、ハードマスク膜13の厚さは遮光膜12の厚さに比べて大幅に薄くすることができる。
ハードマスク膜13は、遮光膜12をエッチングする際に行なう、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスを用いた高バイアスエッチング条件でのエッチング耐性が十分に高い必要がある。エッチング耐性が十分でないと、ハードマスク膜13のパターンのエッジ部分がエッチングされ、マスクパターンが縮小するため、遮光パターンの精度が悪化する。Taを含有する材料は、材料中の酸素含有量が少なくとも50原子%(原子%)以上とすることにより、塩素系ガスと酸素ガスとの混合ガスによるドライエッチングに対する耐性を十分に高めることができる。
マスクブランク10,10Aは、ハードマスク膜13の表面に接して、有機系材料のレジスト膜14が100nm以下の膜厚で形成されていることが好ましい。DRAM hp32nm世代に対応する微細パターンの場合、遮光膜12に形成すべき遮光パターンに、線幅が40nmのSRAF(Sub-Resolution Assist Feature)が設けられることがある。しかし、この場合でも上述のようにハードマスク膜13を設けたことによってレジスト膜14の膜厚を抑えることができ、これによってこのレジスト膜14で構成されたレジストパターンの断面アスペクト比を1:2.5と低くすることができる。したがって、レジスト膜14の現像時、リンス時等にレジストパターンが倒壊や脱離することを抑制することができる。なお、レジスト膜14は、膜厚が80nm以下であることがより好ましい。レジスト膜14は、電子線描画露光用のレジストであると好ましく、さらにそのレジストが化学増幅型であるとより好ましい。
以上の構成のマスクブランク10,10Aは、次のような手順で製造する。先ず、透光性基板11を用意する。この透光性基板11は、端面及び主表面11Sが所定の表面粗さ(例えば、一辺が1μmの四角形の内側領域内において自乗平均平方根粗さRqが0.2nm以下)に研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理が施されたものである。
上述の透光性基板、遮光膜、及び、ハードマスク膜からなるマスクブランクの構成は、位相シフト膜を備えるマスクブランクにも適用可能である。図3及び図4に、遮光膜、ハードマスク膜とともに位相シフト膜を備えるマスクブランクの概略構成を示す。
位相シフト膜21は、透光性基板11と遮光膜12との間に形成されている。位相シフト膜21は、露光転写工程で用いられる露光光に対して所定の透過率を有し、かつ位相シフト膜を透過した露光光と、位相シフト膜の厚さと同じ距離だけ大気中を透過した露光光とが、所定の位相差となるような光学特性を有する。
このうち、半金属元素は、ケイ素に加え、いずれの半金属元素であってもよい。非金属元素は、窒素に加え、いずれの非金属元素であってもよく、例えば酸素(O)、炭素(C)、フッ素(F)及び水素(H)から選ばれる一以上の元素を含有させると好ましい。金属元素は、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、ニオブ(Nb)、バナジウム(V)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、ルテニウム(Ru)、スズ(Sn)、ホウ素(B)、ゲルマニウム(Ge)が例示される。
以上のような構成のマスクブランク20,20Aは、次のような手順で製造する。先ず、透光性基板11を用意する。この透光性基板11は、端面及び主表面11Sが所定の表面粗さに研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理が施されたものである。
次に、この透光性基板11上に、スパッタ法によって位相シフト膜21を成膜する。位相シフト膜21を成膜した後には、後処理として所定の加熱温度でのアニール処理を行う。
次に、位相シフト膜21に、スパッタ法によって遮光膜12としてCrOM膜を成膜する。遮光膜12を複数の層で形成する場合には、CrOM膜の組成が異なるように複数回の成膜を行なう。そして、遮光膜12上にスパッタ法によってハードマスク膜13としてTaO膜を成膜する。スパッタ法による各層の成膜においては、各層を構成する材料を所定の組成比で含有するスパッタリングターゲット及びスパッタガスを用い、さらには必要に応じて上述の希ガスと反応性ガスの混合ガスとをスパッタガスとして用いた成膜を行う。
次に、上述のマスクブランクを用いた位相シフトマスクの製造方法について説明する。以下の位相シフトマスクの製造方法では、図1に示す構成のマスクブランクを用いた堀込みレベンソン型の位相シフトマスクの製造方法を例に説明する。なお、図2に示すような遮光膜が複数の層により形成されている場合にも、同様の方法によりレベンソン型の位相シフトマスクを作製することができる。
以上の手法により、遮光膜12で構成された遮光パターンを形成する。この遮光パターンは、位相シフトパターン形成領域11Aに遮光パターンを有し、外周領域11Bに孔形状のアライメントパターン15を有する。
この際、先ず透光性基板11上に、レジスト膜16をスピン塗布法によって形成する。次に、塗布したレジスト膜16に対して露光描画を行った後、現像処理等の所定の処理を行う。これにより、位相シフトパターン形成領域11Aのレジスト膜16に、透光性基板11が露出する掘込パターンを形成する。なお、ここでは、リソグラフィーの合わせズレのマージンを取った開口幅でレジスト膜16に掘込パターンを形成し、レジスト膜16に形成する掘込パターンの開口が、遮光パターンの開口を完全に露出するように、掘込パターンを形成する。
以上の作用により、酸素含有塩素系ガスによるドライエッチングによって形成される遮光膜12のパターンの側壁形状が良好となり、パターン精度が良好な位相シフトマスク30を作製することができる。
次に、図3に示す構成のマスクブランクを用いた、ハーフトーン型の位相シフトマスクの製造方法を例に説明する。なお、図4に示すような遮光膜が複数の層により形成されている場合にも、同様の方法によりレベンソン型の位相シフトマスクを作製することができる。
以上の手法により、遮光膜12で構成された遮光パターンを形成する。この遮光パターンは、位相シフトパターン形成領域11Aに遮光パターンを有し、外周領域11Bに孔形状のアライメントパターンを有する。
さらに、図17に示すように、第2レジストパターン27を除去し、洗浄等の所定の処理を行い、位相シフトマスク31を得る。
CrOMからなる遮光膜12のドライエッチング工程において、酸素含有塩素系ガスを用いて高いバイアス電圧を掛けるドライエッチング条件により、CrOMからなる遮光膜12のエッチングレートの低下を抑制しつつ、エッチングの異方性の傾向を高めることが可能となる。これにより、遮光膜12にパターンを形成するときのサイドエッチングが低減される。
さらに、TaOからなるハードマスク膜13をパターンマスクとして用いることにより、エッチングレートが速められた上記条件においても、パターンマスク形状の変形や縮小が抑制され、精度の高い遮光膜12のパターニングが可能となる。
従って、遮光膜12のパターンの側壁形状が良好となり、パターン精度が良好な位相シフトマスク31を作製することができる。
次に、上述の製造方法により作製された位相シフトマスクを用いる半導体デバイスの製造方法について説明する。半導体デバイスの製造方法は、上述の製造方法によって製造された堀込みレベンソン型の位相シフトマスク、及び、ハーフトーン型の位相シフトマスクを用いて、基板上のレジスト膜に対して位相シフトマスクの転写パターン(位相シフトパターン)を露光転写することを特徴としている。このような半導体デバイスの製造方法は、次のように行う。
以上のような処理を、転写用マスクを交換しつつ基板上において繰り返し行い、さらに必要な加工処理を行うことにより、半導体デバイスを完成させる。
[マスクブランクの製造]
図1を参照し、主表面の寸法が約152mm×約152mmで、厚さが約6.35mmの合成石英ガラスからなる透光性基板11を準備した。この透光性基板11は、端面及び主表面を所定の表面粗さ(自乗平均平方根粗さRqで0.2nm以下)に研磨され、その後、所定の洗浄処理及び乾燥処理が施されている。
図5〜図10を参照し、作製した実施例1のマスクブランク10を用い、以下の手順で実施例1の位相シフトマスク30を作製した。先ず、ハードマスク膜13上に、レジスト膜(第1レジスト膜)14を形成した。そして、図5を参照し、レジスト膜14に対して、ハードマスク膜13に形成すべき遮光パターンを電子線描画し、その後所定の現像処理、レジスト膜14の洗浄処理を行い、遮光パターンとアライメントパターン(以下、これらのパターンをまとめて遮光パターン等という。)を形成した。
以上の手順を得て作製された位相シフトマスク30に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、この実施例1の位相シフトマスク30を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
図1を参照し、上述の実施例1のマスクブランク10の作製において、遮光膜12を、クロム、スズ、酸素、炭素及び窒素からなるCrSnOCN膜(膜厚:57nm、組成:Cr=60原子%、Sn=8原子%、O=13原子%、C=9原子%、N=10原子%)で形成したことを除き、上述の実施例1と同様の方法で、実施例2のマスクブランク10を作製した。
実施例2で作製したマスクブランク10を用いて、上述の実施例1と同様の方法で、実施例2の位相シフトマスク30を作製した。
以上の手順を得て作製された実施例2の位相シフトマスク30に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、この実施例2の位相シフトマスク30を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
図3を参照し、実施例1と同様の手順で透光性基板11を準備した。そして、この透光性基板11について、遮光膜が形成される側の主表面11Sの表面形状を測定した。なお、この透光性基板11の水素含有量をレーザーラマン分光光度法によって測定したところ、3.0×1017分子数/cm3であった。
図11〜図17を参照し、作製した実施例3のマスクブランク20を用い、以下の手順で実施例3の位相シフトマスク31を作製した。先ず、ハードマスク膜13上に、レジスト膜(第1レジスト膜)14を形成した。そして、図11を参照し、レジスト膜14に対して、位相シフト膜に形成すべき位相シフトパターンとアライメントマークパターンを含む第1パターンを電子線描画し、所定の現像処理及び洗浄処理を行い、第1レジストパターン22を形成した。第1レジストパターン22は、SRAFパターンのパターン寸法に対応する40nm幅のラインアンドスペースの位相シフトパターンを形成した。
以上の手順を得て作製された実施例3の位相シフトマスク31に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、この実施例3の位相シフトマスク31を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
図3を参照し、上述の実施例3のマスクブランク20の作製において、遮光膜12を、クロム、スズ、酸素、炭素及び窒素からなるCrSnOCN膜(膜厚:42nm、組成:Cr=60原子%,Sn=8原子%,O=13原子%,C=9原子%,N=10原子%)で形成したことを除き、上述の実施例3と同様の方法で、実施例4のマスクブランク20を作製した。
実施例4で作製したマスクブランク20を用いて、上述の実施例1と同様の方法で、実施例4の位相シフトマスク31を作製した。
以上の手順を得て作製された実施例4の位相シフトマスク31に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、この実施例4の位相シフトマスク31を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
図4を参照し、上述の実施例3のマスクブランク20の作製において、遮光膜12を、クロム、スズ、酸素及び炭素からなる下層12A(CrSnOC膜,膜厚:45nm,組成:Cr=65原子%,Sn=8原子%,O=16原子%,C=11原子%)と、クロム、スズ、酸素及び炭素からなる上層12B(CrSnOC膜,膜厚:5nm,組成:Cr=47原子%,Sn=5原子%,O=16原子%,C=11原子%)との積層構造で形成したことを除き、上述の実施例3と同様の方法で、実施例5のマスクブランク20Aを作製した。
実施例5で作製したマスクブランク20Aを用いて、上述の実施例3と同様の方法で、実施例5の位相シフトマスク31を作製した。
以上の手順を得て作製された実施例5の位相シフトマスク31に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、設計仕様を十分に満たしていた。この結果から、この実施例5の位相シフトマスク31を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したとしても、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンは高精度で形成できるといえる。
[マスクブランクの製造]
上述の実施例1のマスクブランク10の作製において、ハードマスク膜13をケイ素、酸素及び窒素からなるSiON膜(膜厚:10nm,組成:Si=37原子%,O=44原子%,N=19原子%)で形成したことを除き、上述の実施例1と同様の方法で、比較例のマスクブランク10を作製した。
上記比較例1のマスクブランク10を用いて、上述の実施例1の位相シフトマスク30の製造の手順と同様の手順で、比較例1の位相シフトマスク30を製造した。
比較例1の位相シフトマスク30に対し、AIMS193(Carl Zeiss社製)を用いて、波長193nmの露光光で半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写したときにおける転写像のシミュレーションを行った。このシミュレーションの露光転写像を検証したところ、転写不良が確認された。これは、遮光パターンのパターン側壁形状の垂直性が悪く、ラインエッジラフネスも悪いことが、転写不良の発生要因と推察される。この結果から、この比較例1の位相シフトマスク30を露光装置のマスクステージにセットし、半導体デバイス上のレジスト膜に露光転写した場合、最終的に半導体デバイス上に形成される回路パターンに不良箇所が発生してしまうといえる。
Claims (12)
- 透光性基板上に、遮光膜及びハードマスク膜が順に積層した構造を有するマスクブランクであって、
前記遮光膜は、単層又は2層以上の積層構造を有し、
前記ハードマスク膜は、前記遮光膜の表面に接して設けられ、
前記遮光膜を構成する層は、クロム及び酸素を含有し、さらにインジウム、スズ及びモリブデンから選ばれる少なくとも1以上の金属元素を含有する材料で形成され、
前記遮光膜を構成する層におけるクロム及び前記金属元素の合計含有量は、50原子%以上80原子%以下であり、
前記ハードマスク膜は、タンタルと酸素を含有する材料で形成され、
前記ハードマスク膜の酸素含有量は、50原子%以上である
ことを特徴とするマスクブランク。 - 前記遮光膜の全ての層におけるクロム含有量は、いずれも40原子%以上60原子%以下であることを特徴とする請求項1に記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜の全ての層の間におけるクロム含有量の差は、20原子%以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜の全ての層におけるクロム及び前記金属元素の合計含有量に対する前記金属元素の合計含有量の比率は、いずれも50%以下であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、ArFエキシマレーザ光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、厚さが70nm以下であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記透光性基板と前記遮光膜の間に位相シフト膜を備えることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜及び位相シフト膜の積層構造におけるArFエキシマレーザ光に対する光学濃度が2.8以上であることを特徴とする請求項7に記載のマスクブランク。
- 前記遮光膜は、厚さが60nm以下であることを特徴とする請求項7又は8に記載のマスクブランク。
- 請求項1から6のいずれかに記載のマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
ハードマスク膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光パターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、遮光膜に遮光パターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された掘込パターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、透光性基板に掘り込みパターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項7から9のいずれかに記載のマスクブランクを用いる位相シフトマスクの製造方法であって、
記ハードマスク膜上に形成された位相シフトパターンを有するレジスト膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、前記ハードマスク膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成されたハードマスク膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、遮光膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記位相シフトパターンが形成された遮光膜をマスクとし、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、位相シフト膜に位相シフトパターンを形成する工程と、
前記遮光膜上に形成された遮光パターンを有するレジスト膜をマスクとし、塩素系ガスと酸素ガスの混合ガスを用いたドライエッチングにより、前記遮光膜に遮光パターンを形成する工程と
を有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 請求項10又は11に記載の位相シフトマスクの製造方法によって製造された位相シフトマスクを用い、リソグラフィー法により前記位相シフトマスクの転写パターンを半導体基板上にパターン転写する露光工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016191784A true JP2016191784A (ja) | 2016-11-10 |
JP6544964B2 JP6544964B2 (ja) | 2019-07-17 |
Family
ID=57245542
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (1)
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---|---|
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---|---|
JP6544964B2 (ja) | 2019-07-17 |
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