JP2008309878A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008309878A5 JP2008309878A5 JP2007155322A JP2007155322A JP2008309878A5 JP 2008309878 A5 JP2008309878 A5 JP 2008309878A5 JP 2007155322 A JP2007155322 A JP 2007155322A JP 2007155322 A JP2007155322 A JP 2007155322A JP 2008309878 A5 JP2008309878 A5 JP 2008309878A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming method
- negative
- developer
- pattern forming
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (10)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007155322A JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | パターン形成方法 |
EP08010600.8A EP2003505B1 (en) | 2007-06-12 | 2008-06-11 | Method of forming patterns |
US12/137,232 US7998655B2 (en) | 2007-06-12 | 2008-06-11 | Method of forming patterns |
TW097121644A TWI341961B (en) | 2007-06-12 | 2008-06-11 | Method of forming patterns |
KR1020080055461A KR101041419B1 (ko) | 2007-06-12 | 2008-06-12 | 패턴 형성 방법 |
US12/895,516 US8071272B2 (en) | 2007-06-12 | 2010-09-30 | Method of forming patterns |
US13/283,125 US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2011-10-27 | Method of forming patterns |
US14/083,816 US8895225B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-11-19 | Method of forming patterns |
US14/521,622 US9176386B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-10-23 | Method of forming patterns |
US14/859,794 US9458343B2 (en) | 2007-06-12 | 2015-09-21 | Method of forming patterns |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007155322A JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | パターン形成方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008309878A JP2008309878A (ja) | 2008-12-25 |
JP2008309878A5 true JP2008309878A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | 2010-08-05 |
JP4590431B2 JP4590431B2 (ja) | 2010-12-01 |
Family
ID=39745017
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007155322A Active JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2007-06-12 | パターン形成方法 |
Country Status (5)
Families Citing this family (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4554665B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
EP2138898B1 (en) * | 2007-04-13 | 2014-05-21 | FUJIFILM Corporation | Method for pattern formation, and use of resist composition in said method |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
KR100989567B1 (ko) | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
KR100989565B1 (ko) * | 2007-06-12 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
EP2157477B1 (en) * | 2007-06-12 | 2014-08-06 | FUJIFILM Corporation | Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
JP5311331B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2013-10-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 液浸リソグラフィの現像処理方法および該現像処理方法を用いた電子デバイス |
JP5639755B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2014-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液 |
JP5557550B2 (ja) | 2009-02-20 | 2014-07-23 | 富士フイルム株式会社 | 電子線又はeuv光を用いた有機溶剤系現像又は多重現像パターン形成方法 |
JP5601884B2 (ja) * | 2009-06-04 | 2014-10-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線または感放射線性樹脂組成物を用いたパターン形成方法及びパターン |
EP2280308A1 (en) * | 2009-06-08 | 2011-02-02 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Processes for photolithography |
KR20110058128A (ko) * | 2009-11-25 | 2011-06-01 | 제일모직주식회사 | 레지스트 보호막용 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 보호막 조성물 |
JP5593075B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2014-09-17 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、パターン、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
JP5440468B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5639795B2 (ja) * | 2010-02-18 | 2014-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP5795481B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2015-10-14 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトリソグラフィパターンを形成する方法 |
JP5624906B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2014-11-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜 |
WO2011118644A1 (ja) * | 2010-03-23 | 2011-09-29 | Jsr株式会社 | 上層膜形成用組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP5387601B2 (ja) | 2010-03-24 | 2014-01-15 | 信越化学工業株式会社 | アセタール化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5708082B2 (ja) | 2010-03-24 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物 |
JP5618625B2 (ja) | 2010-05-25 | 2014-11-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
IL213195A0 (en) * | 2010-05-31 | 2011-07-31 | Rohm & Haas Elect Mat | Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns |
JP5533797B2 (ja) | 2010-07-08 | 2014-06-25 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US8841058B2 (en) * | 2010-08-03 | 2014-09-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photolithography material for immersion lithography processes |
JP5062352B2 (ja) | 2010-09-09 | 2012-10-31 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP5765298B2 (ja) * | 2010-09-09 | 2015-08-19 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
TW201224664A (en) | 2010-09-29 | 2012-06-16 | Jsr Corp | Composition for forming liquid immersion upper layer film, and polymer |
KR101393197B1 (ko) * | 2010-10-19 | 2014-05-08 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물 |
US11675269B2 (en) * | 2010-10-21 | 2023-06-13 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Composition for forming resist overlayer film for EUV lithography |
WO2012053527A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
TWI506370B (zh) | 2011-01-14 | 2015-11-01 | Shinetsu Chemical Co | 圖案形成方法及使用於該方法之光阻組成物 |
JP5677127B2 (ja) | 2011-02-18 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
KR20140007854A (ko) * | 2011-02-23 | 2014-01-20 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 네가티브형 패턴 형성 방법 및 포토레지스트 조성물 |
JP5846957B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2016-01-20 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及びレジスト膜 |
JP2012181523A (ja) | 2011-02-28 | 2012-09-20 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 現像剤組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 |
JP6118500B2 (ja) | 2011-02-28 | 2017-04-19 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト組成物、およびフォトリソグラフィパターンを形成する方法 |
JP5482722B2 (ja) * | 2011-04-22 | 2014-05-07 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5353943B2 (ja) | 2011-04-28 | 2013-11-27 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5772717B2 (ja) | 2011-05-30 | 2015-09-02 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5817650B2 (ja) * | 2011-06-13 | 2015-11-18 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
TWI450038B (zh) | 2011-06-22 | 2014-08-21 | Shinetsu Chemical Co | 圖案形成方法及光阻組成物 |
WO2013002417A1 (en) * | 2011-06-30 | 2013-01-03 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, multi-layered resist pattern, multi-layered film for organic solvent development, resist composition, method for manufacturing electronic device, and electronic device |
JP5771570B2 (ja) * | 2011-06-30 | 2015-09-02 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、積層レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP5910361B2 (ja) | 2011-07-14 | 2016-04-27 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
US8728721B2 (en) * | 2011-08-08 | 2014-05-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of processing substrates |
JP5835148B2 (ja) | 2011-08-26 | 2015-12-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2013061647A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトリソグラフィ方法 |
JP2013061648A (ja) | 2011-09-09 | 2013-04-04 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | フォトレジスト上塗り組成物および電子デバイスを形成する方法 |
JP5780222B2 (ja) | 2011-09-16 | 2015-09-16 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5793389B2 (ja) * | 2011-09-30 | 2015-10-14 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP5807510B2 (ja) | 2011-10-27 | 2015-11-10 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP5894762B2 (ja) * | 2011-10-27 | 2016-03-30 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
JP6002378B2 (ja) | 2011-11-24 | 2016-10-05 | 東京応化工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法 |
JP5692035B2 (ja) | 2011-12-15 | 2015-04-01 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP2013152450A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
KR102047863B1 (ko) * | 2011-12-28 | 2019-11-22 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물, 중합체, 화합물 및 화합물의 제조 방법 |
JP6182864B2 (ja) * | 2012-01-17 | 2017-08-23 | 住友化学株式会社 | レジストパターンの製造方法 |
GB2499663A (en) * | 2012-02-27 | 2013-08-28 | Conductive Inkjet Tech Ltd | Protective coatings for photo-resists that are separately applied with different solvents but removed together using same solvent |
JP6075124B2 (ja) | 2012-03-15 | 2017-02-08 | Jsr株式会社 | 現像液の精製方法 |
US8795947B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-08-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition and method of forming resist pattern |
US8795948B2 (en) | 2012-03-22 | 2014-08-05 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Resist composition, method of forming resist pattern and polymeric compound |
US8846295B2 (en) | 2012-04-27 | 2014-09-30 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition containing a protected hydroxyl group for negative development and pattern forming method using thereof |
JP6115322B2 (ja) | 2012-06-19 | 2017-04-19 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5846061B2 (ja) | 2012-07-09 | 2016-01-20 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US8835103B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-09-16 | Macronix International Co., Ltd. | Lithography process and structures |
JP5737242B2 (ja) | 2012-08-10 | 2015-06-17 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5780221B2 (ja) | 2012-08-20 | 2015-09-16 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5962520B2 (ja) | 2013-01-15 | 2016-08-03 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5817744B2 (ja) | 2013-01-17 | 2015-11-18 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体 |
JP5828325B2 (ja) | 2013-01-28 | 2015-12-02 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP6007199B2 (ja) * | 2013-01-31 | 2016-10-12 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、これを用いた電子デバイスの製造方法 |
US9057960B2 (en) | 2013-02-04 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Resist performance for the negative tone develop organic development process |
US8999625B2 (en) | 2013-02-14 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes |
JP5910536B2 (ja) | 2013-02-22 | 2016-04-27 | 信越化学工業株式会社 | 単量体、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5803957B2 (ja) | 2013-03-05 | 2015-11-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
US9017934B2 (en) | 2013-03-08 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist defect reduction system and method |
US9110376B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-08-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9256128B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-02-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US9245751B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-01-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Anti-reflective layer and method |
US9543147B2 (en) | 2013-03-12 | 2017-01-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of manufacture |
US9354521B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-05-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US8932799B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-01-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9175173B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-11-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Unlocking layer and method |
US9502231B2 (en) | 2013-03-12 | 2016-11-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist layer and method |
US9117881B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-08-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Conductive line system and process |
JP6065862B2 (ja) | 2013-04-10 | 2017-01-25 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法、レジスト組成物、高分子化合物及び単量体 |
US9164384B2 (en) * | 2013-04-26 | 2015-10-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Patterning process and resist composition |
US9341945B2 (en) | 2013-08-22 | 2016-05-17 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method of formation and use |
US10036953B2 (en) | 2013-11-08 | 2018-07-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist system and method |
JP6159701B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-07-05 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及び、パターン形成方法 |
US10095113B2 (en) | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
US9761449B2 (en) | 2013-12-30 | 2017-09-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Gap filling materials and methods |
US9703200B2 (en) | 2013-12-31 | 2017-07-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Photolithographic methods |
JP6267533B2 (ja) | 2014-02-14 | 2018-01-24 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
US9599896B2 (en) | 2014-03-14 | 2017-03-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist system and method |
US9581908B2 (en) | 2014-05-16 | 2017-02-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Photoresist and method |
JP6131910B2 (ja) | 2014-05-28 | 2017-05-24 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
EP3175495B1 (en) * | 2014-08-01 | 2020-01-01 | Orthogonal Inc. | Photolithographic patterning of devices |
WO2016052384A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、上層膜形成用組成物、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法 |
WO2016052365A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法 |
JP6448654B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-01-09 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、レジストパターン、及び、電子デバイスの製造方法 |
CN106605174B (zh) | 2014-09-30 | 2020-05-19 | 富士胶片株式会社 | 负型图案形成方法、保护膜形成用组合物及电子元件制法 |
KR101961639B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2019-03-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 및 전자 디바이스의 제조 방법 |
JP6134367B2 (ja) | 2014-10-31 | 2017-05-24 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | フォトレジスト保護膜組成物 |
KR102350503B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2022-01-14 | 인텔 코포레이션 | 화학적 보조 패터닝을 위한 감광성 정렬 층 |
JP6527937B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2019-06-12 | 富士フイルム株式会社 | 上層膜形成用組成物及びその製造方法、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 |
JP6594409B2 (ja) * | 2015-03-27 | 2019-10-23 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、レジストパターン、電子デバイスの製造方法、及び、上層膜形成用組成物 |
US10073344B2 (en) | 2015-04-13 | 2018-09-11 | Jsr Corporation | Negative resist pattern-forming method, and composition for upper layer film formation |
JP6394481B2 (ja) | 2015-04-28 | 2018-09-26 | 信越化学工業株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
KR101982559B1 (ko) | 2015-05-29 | 2019-05-27 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 레지스트 패턴, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 상층막 형성용 조성물 |
KR102095314B1 (ko) | 2015-09-30 | 2020-03-31 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴 형성 방법, 전자 디바이스의 제조 방법, 및 적층체 |
WO2017056828A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び積層体 |
JP6754424B2 (ja) * | 2016-03-30 | 2020-09-09 | 富士フイルム株式会社 | 保護膜形成用組成物、保護膜形成用組成物の製造方法、パターン形成方法、および、電子デバイスの製造方法 |
SG11202007193SA (en) * | 2018-03-23 | 2020-08-28 | Merck Patent Gmbh | Negative-working ultra thick film photoresist |
CN114690552A (zh) * | 2020-12-30 | 2022-07-01 | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 | 光致抗蚀剂组合物及图案形成方法 |
KR20220097262A (ko) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈 엘엘씨 | 포토레지스트 탑코트 조성물 및 패턴 형성 방법 |
Family Cites Families (122)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4099062A (en) | 1976-12-27 | 1978-07-04 | International Business Machines Corporation | Electron beam lithography process |
US4212935A (en) | 1978-02-24 | 1980-07-15 | International Business Machines Corporation | Method of modifying the development profile of photoresists |
JPS5820420B2 (ja) | 1978-12-15 | 1983-04-22 | 富士通株式会社 | パタ−ン形成方法 |
US4318976A (en) | 1980-10-27 | 1982-03-09 | Texas Instruments Incorporated | High gel rigidity, negative electron beam resists |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58187926A (ja) | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Toyo Soda Mfg Co Ltd | 放射線ネガ型レジストの現像方法 |
US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
EP0256031B1 (en) | 1986-01-29 | 1992-03-04 | Hughes Aircraft Company | Method for developing poly(methacrylic anhydride) resists |
JP2881969B2 (ja) * | 1990-06-05 | 1999-04-12 | 富士通株式会社 | 放射線感光レジストとパターン形成方法 |
ES2101710T3 (es) | 1990-12-20 | 1997-07-16 | Siemens Ag | Procedimiento fotolitografico. |
DE4120172A1 (de) | 1991-06-19 | 1992-12-24 | Hoechst Ag | Strahlungsempfindliches gemisch, das als bindemittel neue polymere mit einheiten aus amiden von (alpha),(beta)-ungesaettigten carbonsaeuren enthaelt |
US5268260A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist develop and strip solvent compositions and method for their use |
US5470693A (en) * | 1992-02-18 | 1995-11-28 | International Business Machines Corporation | Method of forming patterned polyimide films |
JP3057879B2 (ja) | 1992-02-28 | 2000-07-04 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
JPH05265212A (ja) | 1992-03-17 | 1993-10-15 | Fujitsu Ltd | レジスト材料およびそれを用いるパターン形成方法 |
JPH06138666A (ja) | 1992-10-23 | 1994-05-20 | Nikon Corp | レジスト現像液 |
JPH06194847A (ja) | 1992-12-22 | 1994-07-15 | Tokuyama Sekiyu Kagaku Kk | ネガ型フォトレジスト用現像液 |
JP3009320B2 (ja) | 1993-12-24 | 2000-02-14 | 三菱電機株式会社 | 分解性樹脂および感光性樹脂組成物 |
JP2715881B2 (ja) | 1993-12-28 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 感光性樹脂組成物およびパターン形成方法 |
US5866304A (en) | 1993-12-28 | 1999-02-02 | Nec Corporation | Photosensitive resin and method for patterning by use of the same |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07261392A (ja) * | 1994-03-17 | 1995-10-13 | Fujitsu Ltd | 化学増幅レジスト及びこれを用いるレジストパターンの形成方法 |
JPH0876382A (ja) * | 1994-09-08 | 1996-03-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | レジストパターンの形成方法 |
JP3690847B2 (ja) | 1995-09-20 | 2005-08-31 | 富士通株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP3691897B2 (ja) | 1996-03-07 | 2005-09-07 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
TW329539B (en) | 1996-07-05 | 1998-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | The semiconductor device and its manufacturing method |
JP3071401B2 (ja) | 1996-07-05 | 2000-07-31 | 三菱電機株式会社 | 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
TW372337B (en) | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
US5972570A (en) | 1997-07-17 | 1999-10-26 | International Business Machines Corporation | Method of photolithographically defining three regions with one mask step and self aligned isolation structure formed thereby |
ID25549A (id) | 1997-09-12 | 2000-10-12 | Goodrich Co B F | Komposisi tahan cahaya yang terdiri dari polimer polimer polisiklik dengan kelompok pendan asam labile |
JP3363079B2 (ja) | 1997-11-07 | 2003-01-07 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
US6030541A (en) | 1998-06-19 | 2000-02-29 | International Business Machines Corporation | Process for defining a pattern using an anti-reflective coating and structure therefor |
US6849377B2 (en) | 1998-09-23 | 2005-02-01 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
JP4327360B2 (ja) | 1998-09-23 | 2009-09-09 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | ホトレジスト、ポリマーおよびマイクロリソグラフィの方法 |
JP3943741B2 (ja) * | 1999-01-07 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP2000321789A (ja) | 1999-03-08 | 2000-11-24 | Somar Corp | レジストパターン形成用処理液及びレジストパターン形成方法 |
US7521405B2 (en) * | 2002-08-12 | 2009-04-21 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
US7129199B2 (en) * | 2002-08-12 | 2006-10-31 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process solutions containing surfactants |
JP3950584B2 (ja) | 1999-06-29 | 2007-08-01 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物 |
JP2001056555A (ja) | 1999-08-20 | 2001-02-27 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ネガ型レジスト組成物及びそれを用いた感光材料 |
US6338934B1 (en) | 1999-08-26 | 2002-01-15 | International Business Machines Corporation | Hybrid resist based on photo acid/photo base blending |
JP3444821B2 (ja) | 1999-10-06 | 2003-09-08 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型フォトレジスト組成物 |
US6221568B1 (en) | 1999-10-20 | 2001-04-24 | International Business Machines Corporation | Developers for polychloroacrylate and polychloromethacrylate based resists |
JP3351424B2 (ja) | 1999-12-28 | 2002-11-25 | 日本電気株式会社 | スルホニウム塩化合物及びレジスト組成物、並びにそれを用いたパターン形成方法 |
JP2001215731A (ja) | 2000-02-01 | 2001-08-10 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト現像液および現像方法 |
KR20040012688A (ko) | 2000-11-29 | 2004-02-11 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 중합체 중의 보호기, 포토레지스트 및 미세석판인쇄 방법 |
US6509134B2 (en) | 2001-01-26 | 2003-01-21 | International Business Machines Corporation | Norbornene fluoroacrylate copolymers and process for the use thereof |
JP3660258B2 (ja) | 2001-03-05 | 2005-06-15 | 株式会社半導体先端テクノロジーズ | 微細レジストパターンおよび微細パターンの形成方法並びに半導体装置の製造方法 |
US6660459B2 (en) | 2001-03-14 | 2003-12-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for developing a photoresist layer with reduced pattern collapse |
JP4645789B2 (ja) | 2001-06-18 | 2011-03-09 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
DE10142590A1 (de) | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße |
JP2003122024A (ja) | 2001-10-19 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
JP3822101B2 (ja) | 2001-12-26 | 2006-09-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 感放射線組成物及びパタン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US7521168B2 (en) | 2002-02-13 | 2009-04-21 | Fujifilm Corporation | Resist composition for electron beam, EUV or X-ray |
JP2003249437A (ja) | 2002-02-26 | 2003-09-05 | Sony Corp | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP3909829B2 (ja) | 2002-03-18 | 2007-04-25 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物 |
US6946410B2 (en) * | 2002-04-05 | 2005-09-20 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for providing nano-structures of uniform length |
GB0216621D0 (en) | 2002-07-17 | 2002-08-28 | Imaging Res Solutions Ltd | Imaging compounds |
JP3850767B2 (ja) | 2002-07-25 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
CA2493926A1 (en) | 2002-07-26 | 2004-02-05 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography |
JP4039173B2 (ja) | 2002-08-12 | 2008-01-30 | 株式会社ジェイテクト | 相対移動情報検出装置 |
JP2006156422A (ja) | 2002-12-27 | 2006-06-15 | Nikon Corp | パターン形成方法、電子デバイス製造方法、及び電子デバイス |
JP4434762B2 (ja) | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
MXPA05008118A (es) * | 2003-02-19 | 2005-09-30 | Ciba Sc Holding Ag | Derivados de oxima halogenados y el uso de los mismos como acidos latentes. |
TW200424767A (en) | 2003-02-20 | 2004-11-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Immersion exposure process-use resist protection film forming material, composite film, and resist pattern forming method |
US7090964B2 (en) * | 2003-02-21 | 2006-08-15 | Asml Holding N.V. | Lithographic printing with polarized light |
US7674847B2 (en) | 2003-02-21 | 2010-03-09 | Promerus Llc | Vinyl addition polycyclic olefin polymers prepared with non-olefinic chain transfer agents and uses thereof |
KR20050098957A (ko) | 2003-02-25 | 2005-10-12 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성 방법 |
JP4360957B2 (ja) | 2003-03-27 | 2009-11-11 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7016754B2 (en) | 2003-05-08 | 2006-03-21 | Onwafer Technologies, Inc. | Methods of and apparatus for controlling process profiles |
JP4825405B2 (ja) | 2003-05-08 | 2011-11-30 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | フォトレジスト組成物およびそれらの調製方法 |
CN100549051C (zh) | 2003-06-26 | 2009-10-14 | 捷时雅株式会社 | 光刻胶聚合物组合物 |
JP4533639B2 (ja) | 2003-07-22 | 2010-09-01 | 富士フイルム株式会社 | 感刺激性組成物、化合物及び該感刺激性組成物を用いたパターン形成方法 |
JP4265766B2 (ja) | 2003-08-25 | 2009-05-20 | 東京応化工業株式会社 | 液浸露光プロセス用レジスト保護膜形成用材料、該保護膜形成材料からなるレジスト保護膜、および該レジスト保護膜を用いたレジストパターン形成方法 |
TWI366067B (en) | 2003-09-10 | 2012-06-11 | Fujifilm Corp | Photosensitive composition and pattern forming method using the same |
JP3993549B2 (ja) | 2003-09-30 | 2007-10-17 | 株式会社東芝 | レジストパターン形成方法 |
US20050170277A1 (en) | 2003-10-20 | 2005-08-04 | Luke Zannoni | Fluorinated photoresists prepared, deposited, developed and removed in carbon dioxide |
US7449573B2 (en) | 2004-02-16 | 2008-11-11 | Fujifilm Corporation | Photosensitive composition, compound for use in the photosensitive composition, and method of pattern formation with the photosensitive composition |
US7119025B2 (en) | 2004-04-08 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Methods of eliminating pattern collapse on photoresist patterns |
JP4355944B2 (ja) * | 2004-04-16 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びこれに用いるレジスト上層膜材料 |
JP4606136B2 (ja) | 2004-06-09 | 2011-01-05 | 富士通株式会社 | 多層体、レジストパターン形成方法、微細加工パターンを有する装置の製造方法および電子装置 |
JP4989047B2 (ja) * | 2004-07-02 | 2012-08-01 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス |
EP1621927B1 (en) | 2004-07-07 | 2018-05-23 | FUJIFILM Corporation | Positive type resist composition for use in liquid immersion exposure and a method of forming the pattern using the same |
JP4697406B2 (ja) * | 2004-08-05 | 2011-06-08 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物,レジスト保護膜材料及びパターン形成方法 |
US7129016B2 (en) | 2004-11-12 | 2006-10-31 | International Business Machines Corporation | Positive resist containing naphthol functionality |
CN101137938B (zh) | 2004-11-25 | 2011-07-06 | Nxp股份有限公司 | 光刻方法 |
JP2006227174A (ja) | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Ricoh Co Ltd | レジスト現像液及びパターン形成方法 |
US7960087B2 (en) | 2005-03-11 | 2011-06-14 | Fujifilm Corporation | Positive photosensitive composition and pattern-forming method using the same |
US7981595B2 (en) | 2005-03-23 | 2011-07-19 | Asml Netherlands B.V. | Reduced pitch multiple exposure process |
EP1720072B1 (en) | 2005-05-01 | 2019-06-05 | Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. | Compositons and processes for immersion lithography |
US7205093B2 (en) * | 2005-06-03 | 2007-04-17 | International Business Machines Corporation | Topcoats for use in immersion lithography |
JP4871549B2 (ja) | 2005-08-29 | 2012-02-08 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
KR100688570B1 (ko) | 2005-08-31 | 2007-03-02 | 삼성전자주식회사 | 식각 마스크 패턴 형성용 코팅 조성물 및 이를 이용한반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법 |
JP2007071978A (ja) | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
TWI403843B (zh) | 2005-09-13 | 2013-08-01 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法 |
US7750101B2 (en) | 2005-09-28 | 2010-07-06 | Daicel Chemical Industries, Ltd. | Polycyclic ester containing cyano group and lactone skeleton |
TW200728330A (en) | 2005-09-29 | 2007-08-01 | Jsr Corp | Radiation sensitive resin composition for optical waveguides, optical waveguide and method for manufacturing optical waveguide |
JP2007108581A (ja) | 2005-10-17 | 2007-04-26 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US7396482B2 (en) * | 2005-10-28 | 2008-07-08 | Infineon Technologies Ag | Post exposure resist bake |
JP4810401B2 (ja) | 2005-11-08 | 2011-11-09 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型レジスト組成物及び該ポジ型レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
TWI430030B (zh) | 2005-11-08 | 2014-03-11 | Fujifilm Corp | 正型光阻組成物及使用此正型光阻組成物之圖案形成方法 |
JP2007140188A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Fujifilm Corp | ポジ型感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5114021B2 (ja) * | 2006-01-23 | 2013-01-09 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP5151038B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2013-02-27 | 富士通株式会社 | レジストカバー膜形成材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
US7521172B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-04-21 | International Business Machines Corporation | Topcoat material and use thereof in immersion lithography processes |
JP4895030B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2012-03-14 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物、レジスト保護膜材料、及びパターン形成方法 |
US7771914B2 (en) * | 2006-10-17 | 2010-08-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
US8530148B2 (en) | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8637229B2 (en) | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
EP2138898B1 (en) | 2007-04-13 | 2014-05-21 | FUJIFILM Corporation | Method for pattern formation, and use of resist composition in said method |
EP1980911A3 (en) | 2007-04-13 | 2009-06-24 | FUJIFILM Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8034547B2 (en) | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
KR100989567B1 (ko) | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
EP2157477B1 (en) | 2007-06-12 | 2014-08-06 | FUJIFILM Corporation | Use of a resist composition for negative working-type development, and method for pattern formation using the resist composition |
JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP4617337B2 (ja) | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
KR100989565B1 (ko) | 2007-06-12 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 네가티브 톤 현상용 레지스트 조성물 및 이것을 사용한 패턴형성방법 |
US20080311530A1 (en) | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Allen Robert D | Graded topcoat materials for immersion lithography |
NZ586871A (en) | 2008-01-17 | 2013-05-31 | Tensegrity Technologies Inc | Designing a foot orthotic using an array of movable pins applied in sequential series to plantar surface of foot |
US8568964B2 (en) * | 2009-04-27 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Flood exposure process for dual tone development in lithographic applications |
US8574810B2 (en) * | 2009-04-27 | 2013-11-05 | Tokyo Electron Limited | Dual tone development with a photo-activated acid enhancement component in lithographic applications |
-
2007
- 2007-06-12 JP JP2007155322A patent/JP4590431B2/ja active Active
-
2008
- 2008-06-11 EP EP08010600.8A patent/EP2003505B1/en active Active
- 2008-06-11 TW TW097121644A patent/TWI341961B/zh active
- 2008-06-11 US US12/137,232 patent/US7998655B2/en active Active
- 2008-06-12 KR KR1020080055461A patent/KR101041419B1/ko active IP Right Grant
-
2010
- 2010-09-30 US US12/895,516 patent/US8071272B2/en active Active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2008309878A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
TWI343513B (en) | Method of forming patterns | |
JP2008310314A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
JP2008309879A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
CN105190445B (zh) | 刻蚀用清洗液以及使用其的图案形成方法 | |
JP6796635B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性組成物、感活性光線性又は感放射線性組成物の精製方法、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 | |
JPWO2020004306A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、樹脂 | |
JP2015055844A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
JP6148907B2 (ja) | 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 | |
JP2008292975A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
WO2015037467A1 (ja) | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、処理剤 | |
JP6027779B2 (ja) | リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 | |
CN104335119B (zh) | 图案形成方法、光化射线敏感或放射线敏感树脂组合物、抗蚀剂膜、电子器件的制造方法以及电子器件 | |
CN107407887A (zh) | 上层膜形成用组合物、图案形成方法、抗蚀剂图案及电子器件的制造方法 | |
JP6126551B2 (ja) | パターン剥離方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP7029462B2 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
TW201202848A (en) | Pattern forming method, chemical amplification resist composition and resist film | |
WO2015016191A1 (ja) | パターン形成方法、パターン、並びに、これらを用いたエッチング方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス | |
JPWO2020045534A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び化合物 | |
WO2021200056A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、フォトマスク製造用感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びフォトマスクの製造方法 | |
CN107407886A (zh) | 图案形成方法、抗蚀剂图案、电子器件的制造方法及上层膜形成用组合物 | |
JP2010244062A5 (US20080242721A1-20081002-C00053.png) | ||
JPWO2020158366A1 (ja) | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 | |
JP6154653B2 (ja) | リソグラフィー用現像またはリンス液およびそれを用いたパターン形成方法 | |
JP7045381B2 (ja) | パターン形成方法、イオン注入方法、積層体、及び、電子デバイスの製造方法 |