JP2008182667A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2008182667A5
JP2008182667A5 JP2007224004A JP2007224004A JP2008182667A5 JP 2008182667 A5 JP2008182667 A5 JP 2008182667A5 JP 2007224004 A JP2007224004 A JP 2007224004A JP 2007224004 A JP2007224004 A JP 2007224004A JP 2008182667 A5 JP2008182667 A5 JP 2008182667A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clock
signal
duty ratio
unit
dll circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007224004A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5047736B2 (ja
JP2008182667A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020070007371A external-priority patent/KR100857436B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2008182667A publication Critical patent/JP2008182667A/ja
Publication of JP2008182667A5 publication Critical patent/JP2008182667A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5047736B2 publication Critical patent/JP5047736B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (54)

  1. 立ち上りクロックのデューティ比及び立ち下りクロックのデューティ比を感知して、デューティ比感知信号を出力するデューティ比感知ユニットと、
    前記デューティ比感知信号に応じて、補正制御信号を生成する補正制御ユニットと、
    前記補正制御信号に応じて、内部クロックのデューティ比を補正し、基準クロックを出力するデューティ比補正ユニットと
    を含むことを特徴とするDLL回路。
  2. 前記デューティ比感知ユニットは、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第1のエッジが一致した後、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第2のエッジを比較する動作を行うことで、前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を判別して、前記デューティ比感知信号を生成することを特徴とする請求項1に記載のDLL回路。
  3. 前記補正制御ユニットは、前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成し、前記補正制御信号として出力するカウンターを含むことを特徴とする請求項1又は2に記載のDLL回路。
  4. 前記デューティ比補正ユニットは、前記補正制御信号に含まれた複数ビットの信号のハイ信号及びロー信号の個数により、前記内部クロックのデューティ比を補正して前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項3に記載のDLL回路。
  5. 前記補正制御ユニットは、前記デューティ比感知信号に応じて前記補正制御信号を生成し、前記補正制御信号の論理値がしきい値に到達すると、混合イネーブル信号をイネーブルすることを特徴とする請求項1又は4に記載のDLL回路。
  6. 前記補正制御ユニットは、
    前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成するカウンターと、
    前記複数ビットのカウント信号がしきい値であるか否かを判別して、前記混合イネーブル信号を生成するしきい値感知器と、
    前記複数ビットのカウント信号をデコードし、複数ビットの前記補正制御信号を出力するデコーダーと
    を含むことを特徴とする請求項5に記載のDLL回路。
  7. 前記デューティ比補正ユニットは、複数ビットの前記補正制御信号において何番目のビットにハイ信号が含まれるかにより、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする、請求項6に記載のDLL回路。
  8. 前記デューティ比補正ユニットは、
    前記補正制御信号に応じて、駆動部のプルアップを行うプルアップ部と、
    前記補正制御信号に応じて、前記駆動部のプルダウンを行うプルダウン部と、
    前記プルアップ部のプルアップ動作及び前記プルダウン部のプルダウン動作に応じて、前記内部クロックを駆動し、前記基準クロックを出力する駆動部と
    を含むことを特徴とする請求項4又は請求項7に記載のDLL回路。
  9. 前記プルアップ部及び前記プルダウン部は、それぞれ複数のトランジスタを含み、前記プルアップ部に含まれた複数のトランジスタは、それぞれ互いに異なるサイズとして具現され、前記プルダウン部に含まれた複数のトランジスタも、それぞれ互い異なるサイズとして具現されることを特徴とする請求項8に記載のDLL回路。
  10. 前記混合イネーブル信号に応じて、前記立ち上りクロックの位相と前記立ち下りクロックの位相とを混合して、出力クロックを生成する位相混合ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項5に記載のDLL回路。
  11. 前記位相混合ユニットは、第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの位相混合動作の制御をさらに行うことを特徴とする請求項10に記載のDLL回路。
  12. 前記位相混合ユニットは、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされたか否かにより、選択的に前記立ち上りクロックの位相及び前記立ち下りクロックの位相を混合する位相混合部と、
    前記混合イネーブル信号及び前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック又は前記立ち下りクロックを駆動する駆動力補償部と
    を含むことを特徴とする請求項11に記載のDLL回路。
  13. 前記位相混合部は、
    前記立ち上りクロックを反転駆動する第1の反転ドライバーと、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされると、前記立ち下りクロックを反転駆動する第2の反転ドライバーと、
    前記第1の反転ドライバーの出力信号又は前記第2の反転ドライバーの出力信号を反転駆動する第3の反転ドライバーと
    を含むことを特徴とする請求項12に記載のDLL回路。
  14. 前記駆動力補償部は、
    前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロックを反転駆動する第1の反転ドライバーと、
    前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち下りクロックを反転駆動する第2の反転ドライバーと、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされると、前記第1の反転ドライバーの出力信号又は前記第2の反転ドライバーの出力信号を反転駆動する第3の反転ドライバーと
    を含むことを特徴とする請求項12に記載のDLL回路。
  15. 立ち上りクロックのデューティ比及び立ち下りクロックのデューティ比により、内部クロックのデューティ比を補正して基準クロックを出力するデューティ比補正ユニットと、
    前記デューティ比補正ユニットの動作が限界に到達したか否かにより、選択的に前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックを混合する位相混合ユニットと
    を含むことを特徴とするDLL回路。
  16. 前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を感知して、デューティ比感知信号を出力するデューティ比感知ユニットと、
    前記デューティ比感知信号に応じて、複数ビットの補正制御信号及び混合イネーブル信号を生成する補正制御ユニットと
    をさらに含むことを特徴とする請求項15に記載のDLL回路。
  17. 前記デューティ比補正ユニットは、前記複数ビットの補正制御信号に含まれたハイ信号及びロー信号の個数により、前記内部クロックのデューティ比を補正して前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項16に記載のDLL回路。
  18. 前記デューティ比補正ユニットは、前記複数ビットの補正制御信号において何番目のビットにハイ信号が含まれるかにより、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項16に記載のDLL回路。
  19. 前記デューティ比補正ユニットは、
    前記複数ビットの補正制御信号に応じて、駆動部のプルアップを行うプルアップ部と、
    前記複数ビットの補正制御信号に応じて、前記駆動部のプルダウンを行うプルダウン部と、
    前記プルアップ部のプルアップ動作及び前記プルダウン部のプルダウン動作に応じて、前記内部クロックを駆動し、前記基準クロックを出力する駆動部と
    を含むことを特徴とする請求項17又は請求項18に記載のDLL回路。
  20. 前記プルアップ部及び前記プルダウン部は、それぞれ複数のトランジスタを含み、前記プルアップ部に含まれた複数のトランジスタは、それぞれ互いに異なるサイズとして具現され、前記プルダウン部に含まれた複数のトランジスタも、それぞれ互い異なるサイズとして具現されることを特徴とする請求項19に記載のDLL回路。
  21. 前記位相混合ユニットは、前記混合イネーブル信号がイネーブルされたか否かにより、前記基準クロックのデューティ比が補正完了であるか否かを判別し、第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの位相混合動作を制御して出力クロックを生成することをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載のDLL回路。
  22. 前記位相混合ユニットは、前記混合イネーブル信号がイネーブルされた否かにより、選択的に前記立ち上りクロックの位相及び前記立ち下りクロックの位相を混合する位相混合部と、
    前記混合イネーブル信号及び前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック又は前記立ち下りクロックを駆動する駆動力補償部と
    を含むことを特徴とする請求項21に記載のDLL回路。
  23. 前記位相混合部は、
    前記立ち上りクロックを反転駆動する第1の反転ドライバーと、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされると、前記立ち下りクロックを反転駆動する第2の反転ドライバーと、
    前記第1の反転ドライバーの出力信号又は前記第2の反転ドライバーの出力信号を反転駆動する第3の反転ドライバーと
    を含むことを特徴とする請求項22に記載のDLL回路。
  24. 前記駆動力補償部は、
    前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロックを反転駆動する第1の反転ドライバーと、
    前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち下りクロックを反転駆動する第2の反転ドライバーと、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされると、前記第1の反転ドライバーの出力信号又は前記第2の反転ドライバーの出力信号を反転駆動する第3の反転ドライバーと
    を含むことを特徴とする請求項22に記載のDLL回路。
  25. 前記デューティ比感知ユニットは、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第1のエッジが一致した後、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第2のエッジを比較する動作を行うことで、前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を判別して、前記デューティ比感知信号を生成することを特徴とする請求項16に記載のDLL回路。
  26. 前記補正制御ユニットは、前記デューティ比感知信号に含まれる情報により、前記複数ビットの補正制御信号を生成し、前記複数ビットの補正制御信号がしきい値に到達すると、前記混合イネーブル信号をイネーブルすることを特徴とする請求項16に記載のDLL回路。
  27. 前記補正制御ユニットは、
    前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成するカウンターと、
    前記複数ビットのカウント信号が最大値又は最小値であるか否かを判別して、前記混合イネーブル信号を生成するしきい値感知器と、
    前記複数ビットのカウント信号をデコードして、前記複数ビットの補正制御信号を出力するデコーダーと
    を含むことを特徴とする請求項26に記載のDLL回路。
  28. 前記立ち上りクロックの位相と前記立ち下りクロックの位相とを比較して、前記第1の位相比較信号を生成する第1の位相比較ユニットをさらに含むことを特徴とする請求項11又は請求項21に記載のDLL回路。
  29. 外部クロックをバッファリングして前記内部クロックを生成するクロック入力バッファをさらに含むことを特徴とする請求項1又は請求項15に記載のDLL回路。
  30. 第1の遅延制御信号の制御により、前記基準クロックを遅延させ、前記立ち上りクロックを出力する第1の遅延ユニットと、
    第2の遅延制御信号の制御により、前記基準クロックを遅延させ、前記立ち下りクロックを出力する第2の遅延ユニットと
    をさらに含むことを特徴とする請求項29に記載のDLL回路。
  31. 前記出力クロックのデータ出力バッファまでの伝送経路に存在する遅延素子による遅延値をモデリングして、前記出力クロックに遅延時間を付与し、フィードバッククロックを生成する遅延モデリングユニットと、
    前記基準クロック及び前記フィードバッククロックの位相を比較して、第2の位相比較信号を生成する第2の位相比較ユニットと、
    前記第1の位相比較信号及び前記第2の位相比較信号に応じて、前記第1の遅延制御信号及び前記第2の遅延制御信号を生成する遅延制御ユニットと
    をさらに含むことを特徴とする請求項30に記載のDLL回路。
  32. 立ち上りクロックのデューティ比及び立ち下りクロックのデューティ比を感知して、デューティ比感知信号を出力するステップと、
    前記デューティ比感知信号に応じて、補正制御信号を生成するステップと、
    前記補正制御信号に応じて、内部クロックのデューティ比を補正し、基準クロックを出力するステップと
    を含むことを特徴とするDLL回路の制御方法。
  33. 前記デューティ比感知信号を出力するステップは、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第1のエッジが一致した後、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第2のエッジを比較する動作を行うことで、前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を判別して、前記デューティ比感知信号を生成することを特徴とする請求項32に記載のDLL回路の制御方法。
  34. 前記補正制御信号を生成するステップは、前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成し、前記補正制御信号として出力するステップを含むことを特徴とする請求項32又は請求項33に記載のDLL回路の制御方法。
  35. 前記基準クロックを出力するステップは、前記補正制御信号に含まれたハイ信号及びロー信号の個数により、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項34に記載のDLL回路の制御方法。
  36. 前記補正制御信号を生成するステップは、前記デューティ比感知信号に応じて前記補正制御信号を生成し、前記補正制御信号の論理値がしきい値に到達すると、混合イネーブル信号をイネーブルすることを特徴とする 請求項3233又は35のいずれかに記載のDLL回路の制御方法。
  37. 前記補正制御信号を生成するステップは、
    前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成するステップと、
    前記複数ビットのカウント信号がしきい値であるか否かを判別して、前記混合イネーブル信号を生成するステップと、
    前記複数ビットのカウント信号をデコードして、複数ビットの前記補正制御信号を出力するステップと
    を含むことを特徴とする請求項36に記載のDLL回路の制御方法。
  38. 前記基準クロックを出力するステップは、 複数ビットの前記補正制御信号において何番目のビットにハイ信号が含まれるかにより、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項36に記載のDLL回路の制御方法。
  39. 前記基準クロックを出力するステップの以後に、前記混合イネーブル信号に応じて、前記立ち上りクロックの位相と前記立ち下りクロックの位相とを混合し、出力クロックを生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項36に記載のDLL回路の制御方法。
  40. 前記出力クロックを生成するステップは、第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの位相混合動作を制御することをさらに含むことを特徴とする請求項39に記載のDLL回路の制御方法。
  41. 前記出力クロックを生成するステップは、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされたか否かにより、選択的に前記立ち上りクロックの位相と前記立ち下りクロックの位相とを混合するステップと、
    前記混合イネーブル信号及び前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック又は前記立ち下りクロックを駆動するステップと
    を含むことを特徴とする請求項40に記載のDLL回路の制御方法。
  42. 立ち上りクロックのデューティ比及び立ち下りクロックのデューティ比により、内部クロックのデューティ比を補正し、基準クロックを出力するステップと、
    前記内部クロックのデューティ比を補正する動作が限界に到達したか否かにより、選択的に前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックを混合するステップと
    を含むことを特徴とするDLL回路の制御方法。
  43. 前記基準クロックを出力するステップの以前に、前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を感知して、デューティ比感知信号を出力するステップと、
    前記デューティ比感知信号に応じて、複数ビットの補正制御信号及び混合イネーブル信号を生成するステップと
    をさらに含むことを特徴とする請求項42に記載のDLL回路の制御方法。
  44. 前記基準クロックを出力するステップは、前記複数ビットの補正制御信号に含まれたハイ信号及びロー信号の個数により、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項43に記載のDLL回路の制御方法。
  45. 前記基準クロックを出力するステップは、前記複数ビットの補正制御信号において何番目のビットにハイ信号が含まれるかにより、前記内部クロックのデューティ比を補正し、前記基準クロックを出力することを特徴とする請求項43又は44に記載のDLL回路の制御方法。
  46. 前記立ち上りクロックと立ち下りクロックとを混合するステップは、前記混合イネーブル信号がイネーブルされた否かにより、前記基準クロックのデューティ比が補正完了であるか否かを判別し、第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの位相混合動作を制御し、出力クロックを生成することをさらに含むことを特徴とする請求項43又は45に記載のDLL回路の制御方法。
  47. 前記立ち上りクロックと立ち下りクロックとを混合するステップは、
    前記混合イネーブル信号がイネーブルされたか否かにより、選択的に前記立ち上りクロックの位相と前記立ち下りクロックの位相とを混合するステップと、
    前記混合イネーブル信号及び前記第1の位相比較信号に応じて、前記立ち上りクロック又は前記立ち下りクロックを駆動するステップと
    を含むことを特徴とする請求項46に記載のDLL回路の制御方法。
  48. 前記デューティ比感知信号を出力するステップは、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第1のエッジが一致した後、前記立ち上りクロック及び前記立ち下りクロックの第2のエッジを比較する動作を行うことで、前記立ち上りクロックのデューティ比及び前記立ち下りクロックのデューティ比を判別して、前記デューティ比感知信号を生成することを特徴とする請求項43に記載のDLL回路の制御方法。
  49. 前記複数ビットの補正制御信号及び混合イネーブル信号を生成するステップは、前記デューティ比感知信号に含まれる情報により、前記複数ビットの補正制御信号を生成し、前記複数ビットの補正制御信号がしきい値に到達すると、前記混合イネーブル信号をイネーブルすることを特徴とする請求項43に記載のDLL回路の制御方法。
  50. 前記複数ビットの補正制御信号及び混合イネーブル信号を生成するステップは、前記デューティ比感知信号に応じて加算又は減算を行うことで、複数ビットのカウント信号を生成するステップと、
    前記複数ビットのカウント信号の最大値又は最小値の可否を判別して、前記混合イネーブル信号を生成するステップと、
    前記複数ビットのカウント信号をデコードして、前記複数ビットの補正制御信号を出力するステップと
    を含むことを特徴とする請求項49に記載のDLL回路の制御方法。
  51. 前記立ち上りクロックの位相及び前記立ち下りクロックの位相を比較して、前記第1の位相比較信号を生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項40又は請求項46に記載のDLL回路の制御方法。
  52. 外部クロックをバッファリングして前記内部クロックを生成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項32又は請求項42に記載のDLL回路の制御方法。
  53. 第1の遅延制御信号に応じて、前記基準クロックを遅延させ、前記立ち上りクロックを出力するステップと、
    第2の遅延制御信号に応じて、前記基準クロックを遅延させ、前記立ち下りクロックを出力するステップと
    をさらに含むことを特徴とする請求項51に記載のDLL回路の制御方法。
  54. 前記出力クロックのデータ出力バッファまでの伝送経路に存在する遅延素子による遅延値をモデリングして、前記出力クロックを遅延させ、フィードバッククロックを生成するステップと、
    前記基準クロック及び前記フィードバッククロックの位相を比較して、第2の位相比較信号を生成するステップと、
    前記第1の位相比較信号及び前記第2の位相比較信号に応じて、前記第1の遅延制御信号及び前記第2の遅延制御信号を生成するステップと
    をさらに含むことを特徴とする請求項53に記載のDLL回路の制御方法。
JP2007224004A 2007-01-24 2007-08-30 Dll回路及びその制御方法 Expired - Fee Related JP5047736B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2007-0007371 2007-01-24
KR1020070007371A KR100857436B1 (ko) 2007-01-24 2007-01-24 Dll 회로 및 그 제어 방법

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008182667A JP2008182667A (ja) 2008-08-07
JP2008182667A5 true JP2008182667A5 (ja) 2010-09-24
JP5047736B2 JP5047736B2 (ja) 2012-10-10

Family

ID=39640634

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007224004A Expired - Fee Related JP5047736B2 (ja) 2007-01-24 2007-08-30 Dll回路及びその制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7598783B2 (ja)
JP (1) JP5047736B2 (ja)
KR (1) KR100857436B1 (ja)
CN (1) CN101232285B (ja)
TW (1) TWI357075B (ja)

Families Citing this family (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100668852B1 (ko) * 2005-06-30 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 듀티비 보정 장치
KR100954117B1 (ko) * 2006-02-22 2010-04-23 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 장치
EP1986070B1 (en) * 2007-04-27 2013-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Clock signal generation circuit and semiconductor device
US7609583B2 (en) * 2007-11-12 2009-10-27 Micron Technology, Inc. Selective edge phase mixing
KR100930404B1 (ko) * 2007-12-10 2009-12-08 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로 및 그 제어 방법
KR100945797B1 (ko) * 2008-05-30 2010-03-08 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보정 회로 및 방법
US7667507B2 (en) * 2008-06-26 2010-02-23 Intel Corporation Edge-timing adjustment circuit
US7508250B1 (en) * 2008-07-28 2009-03-24 International Business Machines Corporation Testing for normal or reverse temperature related delay variations in integrated circuits
KR100954108B1 (ko) * 2008-09-02 2010-04-27 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프회로
KR101019985B1 (ko) 2008-09-10 2011-03-11 주식회사 하이닉스반도체 디엘엘 회로 및 그의 제어 방법
KR100956785B1 (ko) * 2008-10-31 2010-05-12 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로 및 그 제어 방법
KR101097467B1 (ko) * 2008-11-04 2011-12-23 주식회사 하이닉스반도체 듀티 감지 회로 및 이를 포함하는 듀티 보정 회로
KR101062741B1 (ko) * 2009-01-06 2011-09-06 주식회사 하이닉스반도체 Dll 회로 및 그 제어 방법
US7872507B2 (en) * 2009-01-21 2011-01-18 Micron Technology, Inc. Delay lines, methods for delaying a signal, and delay lock loops
KR20100135552A (ko) 2009-06-17 2010-12-27 삼성전자주식회사 입력 클락과 출력 클락의 듀티를 보정하는 지연 동기 루프
JP2011009922A (ja) * 2009-06-24 2011-01-13 Elpida Memory Inc Dll回路及びこれを備える半導体装置
KR101030275B1 (ko) * 2009-10-30 2011-04-20 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로 및 이를 포함하는 클럭 보정 회로
US8217696B2 (en) * 2009-12-17 2012-07-10 Intel Corporation Adaptive digital phase locked loop
KR101068567B1 (ko) * 2010-02-26 2011-09-30 주식회사 하이닉스반도체 데이터 출력 회로
US9515648B2 (en) * 2010-03-26 2016-12-06 Sandisk Technologies Llc Apparatus and method for host power-on reset control
US8461889B2 (en) * 2010-04-09 2013-06-11 Micron Technology, Inc. Clock signal generators having a reduced power feedback clock path and methods for generating clocks
US8729941B2 (en) 2010-10-06 2014-05-20 Micron Technology, Inc. Differential amplifiers, clock generator circuits, delay lines and methods
KR101201872B1 (ko) * 2011-02-22 2012-11-15 에스케이하이닉스 주식회사 위상 제어 회로
KR101818505B1 (ko) 2011-07-11 2018-01-15 삼성전자 주식회사 듀티비 보정 회로
CN102957422B (zh) * 2011-08-30 2015-06-03 中国科学院电子学研究所 一种数字延时锁定环电路
CN103051337B (zh) * 2011-10-17 2016-06-22 联发科技股份有限公司 占空比校正装置及相关方法
KR101331441B1 (ko) * 2012-06-29 2013-11-21 포항공과대학교 산학협력단 다단 위상믹서 회로
CN103560768B (zh) * 2013-11-06 2016-02-24 中国电子科技集团公司第二十四研究所 占空比调节电路
CN104980126A (zh) * 2014-04-01 2015-10-14 中兴通讯股份有限公司 一种时钟占空比调整电路及多相位时钟产生器
KR102240275B1 (ko) 2014-12-01 2021-04-14 삼성전자주식회사 지연 고정 루프 및 이를 포함하는 메모리 장치
CN104539286B (zh) * 2014-12-10 2017-12-01 深圳市国微电子有限公司 基频时钟产生电路
KR20160110604A (ko) * 2015-03-09 2016-09-22 에스케이하이닉스 주식회사 클록 생성 회로
CN105262481B (zh) * 2015-11-16 2018-10-16 西安紫光国芯半导体有限公司 提高输入时钟占空比免疫力的电路及方法
US10527503B2 (en) 2016-01-08 2020-01-07 Apple Inc. Reference circuit for metrology system
CN105763195B (zh) * 2016-02-25 2018-12-14 中国电子科技集团公司第五十四研究所 一种相位量化模数转换器电路
CN106898374B (zh) * 2017-01-10 2020-06-30 西安紫光国芯半导体有限公司 一种用于dram的带vdd自补偿dll反馈电路系统
CN109584944B (zh) * 2017-09-29 2024-01-05 三星电子株式会社 支持多输入移位寄存器功能的输入输出电路及存储器件
KR20210140875A (ko) * 2020-05-14 2021-11-23 삼성전자주식회사 멀티 위상 클록 생성기, 그것을 포함하는 메모리 장치, 및 그것의 멀티 위상클록 생성 방법
KR20220051497A (ko) * 2020-10-19 2022-04-26 에스케이하이닉스 주식회사 지연 회로 및 이를 이용하는 지연 고정 루프 회로
US11483004B2 (en) * 2020-10-19 2022-10-25 SK Hynix Inc. Delay circuit and a delay locked loop circuit using the same
KR20230169726A (ko) * 2022-06-09 2023-12-18 에스케이하이닉스 주식회사 위상 혼합 회로 및 이를 포함하는 다위상 클록 신호 정렬 회로
CN115664389B (zh) * 2022-11-18 2023-03-17 合肥奎芯集成电路设计有限公司 时钟信号占空比自适应调整电路和调整方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1995022206A1 (en) * 1994-02-15 1995-08-17 Rambus, Inc. Delay-locked loop
JPH10171774A (ja) * 1996-12-13 1998-06-26 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
KR100525080B1 (ko) 1999-02-05 2005-11-01 매그나칩 반도체 유한회사 평균 듀티 싸이클 교정기
KR100366618B1 (ko) * 2000-03-31 2003-01-09 삼성전자 주식회사 클럭 신호의 듀티 사이클을 보정하는 지연 동기 루프 회로및 지연 동기 방법
KR100346836B1 (ko) 2000-06-07 2002-08-03 삼성전자 주식회사 듀티 사이클 보정 기능을 갖는 지연 동기 루프 회로 및지연 동기 방법
US20030052719A1 (en) * 2001-09-20 2003-03-20 Na Kwang Jin Digital delay line and delay locked loop using the digital delay line
KR100424180B1 (ko) * 2001-12-21 2004-03-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보상 기능을 갖는 지연 고정 루프 회로
KR100486268B1 (ko) 2002-10-05 2005-05-03 삼성전자주식회사 내부에서 자체적으로 듀티싸이클 보정을 수행하는지연동기루프 회로 및 이의 듀티싸이클 보정방법
KR100490655B1 (ko) * 2002-10-30 2005-05-24 주식회사 하이닉스반도체 듀티 사이클 보정 회로 및 그를 구비한 지연고정루프
KR100507873B1 (ko) * 2003-01-10 2005-08-17 주식회사 하이닉스반도체 듀티 보정 회로를 구비한 아날로그 지연고정루프
JP3859624B2 (ja) * 2003-07-31 2006-12-20 エルピーダメモリ株式会社 遅延回路と遅延同期ループ装置
KR100554981B1 (ko) * 2003-11-20 2006-03-03 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프
KR100545148B1 (ko) 2003-12-09 2006-01-26 삼성전자주식회사 듀티 사이클 보정회로 및 그것을 사용한 지연동기루프회로 및듀티 사이클 보정방법
US7187221B2 (en) * 2004-06-30 2007-03-06 Infineon Technologies Ag Digital duty cycle corrector
KR100713082B1 (ko) * 2005-03-02 2007-05-02 주식회사 하이닉스반도체 클럭의 듀티 비율을 조정할 수 있는 지연 고정 루프

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008182667A5 (ja)
JP5047736B2 (ja) Dll回路及びその制御方法
US7605626B2 (en) Clock generator and clock duty cycle correction method
US7948268B2 (en) Time-balanced multiplexer switching methods and apparatus
US7710173B2 (en) Duty cycle correction circuit and delay locked loop circuit including the same
US7737746B2 (en) DLL circuit and method of controlling the same
KR100968460B1 (ko) Dll 회로 및 dll 회로의 업데이트 제어 장치
KR100897254B1 (ko) 듀티 사이클 보정 회로 및 방법
TW201602913A (zh) 用於提供命令至資料區塊之命令路徑、裝置及方法
JP2007213786A (ja) 半導体メモリ装置のドライバ制御回路及び方法
US20080143404A1 (en) Delay locked loop circuit for semiconductor memory apparatus
US20120025866A1 (en) Semiconductor device
US20130154702A1 (en) Duty cycle correction circuit and delay locked loop circuit including the same
US9571100B2 (en) Clock buffers with pulse drive capability for power efficiency
KR20180092125A (ko) 반도체 장치
KR102034150B1 (ko) 지연 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치
JP6481312B2 (ja) 受信回路
US20120081161A1 (en) Synchronization circuit
JP5772398B2 (ja) 電子部品及び反射波キャンセル方法
US6819139B2 (en) Skew-free dual rail bus driver
JP2005228426A (ja) Dll回路
KR100915820B1 (ko) 펄스 발생 회로 및 이를 포함하는 듀티 사이클 보정 장치
KR100845784B1 (ko) 지연 고정 루프의 지연 장치
JP4571960B2 (ja) 半導体集積回路
US7161389B2 (en) Ratioed logic circuits with contention interrupt