JP2007534864A - 地下累層を加熱するために使用される温度制限加熱器 - Google Patents

Abstract

本発明により、地下累層の少なくとも一部を加熱するように構成されたシステムが提供される。システムは、変調直流（ＤＣ）を提供するように構成された電源と、電源に電気結合し、また、累層中の開口に配置するように構成された１つ以上の電気導体とを備えている。複数の電気導体のうちの少なくとも１つは加熱器セクションを有している。加熱器セクションは、電流が印加されると電気抵抗性熱出力を提供するように構成された電気抵抗性強磁性体を備えている。強磁性体の温度が選択された温度に近くなり、または選択された温度を超えると加熱器セクションの電気抵抗が小さくなるため、加熱器セクションは、使用中、選択された温度に近くなるか、または選択された温度を超えると、提供する熱の量が減少するように構成されている。加熱器セクションは、少なくとも１．１ないし１のターンダウン比率を有している。

Description

本発明は一般に地下累層を加熱するための方法およびシステムに関する。特定の実施形態は、炭化水素含有累層などの地下累層を加熱するための温度制限加熱器を使用するための方法およびシステムに関する。

地下累層から得られる炭化水素は、エネルギー資源、供給材料および消費材としてしばしば使用されている。利用可能な炭化水素資源をより有効に回収し、処理し、および／または使用するためのプロセスの開発は、利用可能な炭化水素資源の枯渇に対する懸念および炭化水素の品質低下に対する懸念が引き金になっている。インサイチュプロセスを使用して地下累層から炭化水素物質を移送することができる。地下累層から炭化水素物質をより容易に移送するためには、地下累層中の炭化水素物質の化学的特性および／または物理的特性を変化させる必要がある。化学的変化および物理的変化には、累層中の炭化水素物質の、移送可能な流体を生産するインサイチュ反応、組成変化、溶解度変化、密度変化、相変化および／または粘度変化が含まれている。流体は、それらに限定されないが、液体流と類似した流動特性を有する気体、液体、乳濁液、泥状物および／または固体粒子の流れである。

加熱器は、インサイチュプロセスの間、累層を加熱するためにドリルホールの中に配置することができる。Ｌｊｕｎｇｓｔｒｏｍに対する米国特許第２，６３４，９６１号、Ｌｊｕｎｇｓｔｒｏｍに対する米国特許第２，７３２，１９５号、Ｌｊｕｎｇｓｔｒｏｍに対する米国特許第２，７８０，４５０号、Ｌｊｕｎｇｓｔｒｏｍに対する米国特許第２，７８９，８０５号、Ｌｊｕｎｇｓｔｒｏｍに対する米国特許第２，９２３，５３５号、およびＶａｎ Ｍｅｕｒｓ等に対する米国特許第４，８８６，１１８号に、ダウンホール加熱器を利用したインサイチュプロセスの実施例が示されている。

熱源を使用して地下累層を加熱することができる。電気加熱器を使用して、放射および／または伝導によって地下累層を加熱することができる。電気加熱器は、素材を抵抗加熱することができる。Ｇｅｒｍａｉｎに対する米国特許第２，５４８，３６０号に、ドリルホール中の粘性油の中に配置された電気加熱素子が記述されている。この加熱器素子は、粘性油を加熱し、さらさらにすることによってドリルホールからのポンプによる汲み出しを可能にしている。Ｅａｓｔｌｕｎｄ等に対する米国特許第４，７１６，９６０号に、固体の形成を防止するために、比較的電圧が小さい電流を配管を通して流すことによって石油井戸の配管を電気的に加熱する方法が記述されている。Ｖａｎ Ｅｇｍｏｎｄに対する米国特許第５，０６５，８１８号に、加熱素子を覆うケーシングを使用することなく井戸のドリルホールにセメントで固められる電気加熱素子が記述されている。

Ｖａｎ Ｍｅｕｒｓ等に対する米国特許第４，５７０，７１５号に電気加熱素子が記述されている。この加熱素子は、導電性コア、絶縁体の周囲層および周囲金属シースを有している。導電コアは、高温で比較的小さい抵抗を有することができる。絶縁体は、電気抵抗、圧縮強さおよび高温で比較的大きい熱伝導特性を有することができる。絶縁層は、コアから金属シースへのアークの発生を抑制することができる。金属シースは、引張り強さおよび高温で比較的大きい耐クリープ性特性を有することができる。

Ｖａｎ Ｅｇｍｏｎｄに対する米国特許第５，０６０，２８７号に、銅−ニッケル合金コアを有する電気加熱素子が記述されている。

いくつかの加熱器は、累層中のホットスポットによって破壊または故障することがある。累層中のホットスポットまたはホットスポットの近傍における加熱器の故障および／または累層の過熱を回避するためには、加熱器のあらゆるポイントに沿った温度が加熱器の最大動作温度を超えるか、または最大動作温度を超えそうになると、加熱器全体に供給される電力を小さくしなければならない。いくつかの加熱器は、加熱器が特定の温度限界に到達するまで加熱器の長さに沿った一様な熱を提供することができない。いくつかの加熱器は、地下累層を有効に加熱することができない。したがって、加熱器の長さに沿って一様な熱を提供し、地下累層を有効に加熱し、および／または加熱器の一部が選択された温度に近づくと自動温度調整を提供する加熱器を有することが有利である。

本発明により、地下累層の少なくとも一部を加熱するように構成されたシステムが提供される。システムは、変調直流（ＤＣ）を提供するように構成された電源と、電源に電気結合された、累層中の開口に配置するように構成された１つ以上の電気導体を備えた加熱器セクションとを備えている。複数の電気導体のうちの少なくとも１つは強磁性体を備えている。加熱器セクションは、（ａ）選択された温度未満の加熱器セクションに電流が印加されると、熱出力を提供し、（ｂ）使用中、ほぼ選択された温度に到達し、選択された温度を超えると、提供する熱出力が小さくなり、（ｃ）少なくとも１．１ないし１のターンダウン比率を有している。

また、本発明によれば、上記発明と組み合わせて、（ａ）電源は、可変周波数変調ＤＣ電源であり、（ｂ）電源は、方形波変調ＤＣを提供するように構成され、（ｃ）電源は、整形済みの波形で変調ＤＣを提供するように構成されており、整形済みの波形は、電気導体中における位相ずれおよび／または高調波ひずみを少なくとも部分的に補償するように整形される。

また、本発明によれば、上記発明の１つ以上と組み合わせて、加熱器セクションは、加熱器セクションに電流が印加されると、（ａ）加熱器セクションの温度が選択された温度未満の間、第１の熱出力を提供し、（ｂ）加熱器セクションの温度が選択された温度に到達し、また、選択された温度を超えると、第１の熱出力より小さい第２の熱出力を提供する。

また、本発明によれば、上記発明の１つ以上と組み合わせて、加熱器セクションに電流が印加されると、加熱器セクションによって、（ａ）加熱器セクションの温度が１００℃を超え、２００℃を超え、４００℃を超え、または５００℃を超え、あるいは６００℃を超え、また、選択された温度より低い場合、第１の熱出力が提供され、（ｂ）加熱器セクションの温度が選択された温度に到達し、また、選択された温度を超えると、第１の熱出力より小さい第２の熱出力が提供される。

また、本発明によれば、上記発明の１つ以上と組み合わせて、（ａ）加熱器セクションは、選択された温度を超えるかまたは選択された温度の近くになると熱出力が自動的に小さくなり、（ｂ）加熱器セクションの少なくとも一部は、累層中の炭化水素物質に隣接して位置決めすることが可能であり、それにより炭化水素物質の少なくとも一部の温度が熱分解温度または熱分解温度を超える温度に加熱され、（ｃ）選択された温度を超えると加熱器セクションの熱出力が小さくなるよう、選択された温度に到達し、また、選択された温度を超えると加熱器セクションの電気抵抗が小さくなり、（ｄ）選択される温度は、強磁性体のほぼキュリー温度である。

また、本発明によれば、上記発明の１つ以上と組み合わせて、（ａ）システムは、加熱器セクションに最も近い熱負荷が１メートル当たり１ワット減少すると、動作温度が最大１．５℃高くまたは選択された動作温度に近い温度になるように構成され、（ｂ）加熱器セクションは、選択された温度を超えるかまたは選択された温度に近くなると、提供する熱の量が選択された温度より５０℃低い温度における熱出力の最大１０％の熱の量に減少するように構成されている。

また、本発明によれば、上記発明の１つ以上と組み合わせて、システムは、（ａ）電気抵抗性熱出力を提供するために加熱器セクションに電流を印加するステップ、および加熱器セクションから地下累層の一部へ熱を伝達させるステップを含み、また、（ｂ）累層中の炭化水素の少なくとも一部を熱分解させるために加熱器セクションから地下累層の一部へ熱を伝達させるステップをさらに含む、地下累層を加熱するための方法に使用される。

当業者には、以下の詳細な説明および添付の図面を参照することによって本発明の利点が明らかになる。

本発明は、様々な改変および代替形態が可能であるが、添付の図面は、本発明の特定の実施形態を一例として示したもので、本明細書においてはそれらについて詳細に説明する。図面はスケール通りには描かれていない。しかしながら、図面および図面に対する詳細な説明は、開示されている特定の形態に本発明を制限することを意図したものではなく、それとは逆に、あらゆる改変、等価物および代替は、特許請求の範囲に定義されている本発明の精神および範囲の範疇に包含されることが意図されていることを理解されたい。

上記の問題は、本明細書において説明するシステム、方法および加熱器を使用して対処することができる。たとえば、インサイチュ変換システムは、加熱器セクションから累層の一部へ熱を伝達することができるように構成されている。インサイチュ変換システムは、電源および電源に電気結合するように構成され、また、累層中の開口に配置するように構成された１つ以上の電気導体を備えている。電源は、電気導体の負荷が変化した場合に、選択された定電流値の１５％以内を維持する比較的一定の量の電流を提供するように構成されている。複数の電気導体のうちの少なくとも１つは加熱器セクションを有している。加熱器セクションは、電流が強磁性体に印加されると電気抵抗性熱出力を提供するように構成された電気抵抗性強磁性体を備えている。加熱器セクションは、強磁性体の温度が選択された温度の近くに到達し、または選択された温度を超えると加熱器セクションの電気抵抗が小さくなるため、使用中、選択された温度の近くに到達し、または選択された温度を超えると熱の量が減少するように構成されている。

本明細書においてより詳細に説明する本発明の特定の実施形態は、累層中の炭化水素を処理するためのシステムおよび方法に関している。このような累層を処理することによって炭化水素生産物、水素および他の生産物が産出される。本明細書において使用されている用語は、次のように定義されている。

「炭化水素」は、一般に、主として炭素原子および水素原子によって形成された分子として定義されている。また、炭化水素は、それらに限定されないが、ハロゲン、金属元素、窒素、酸素および／または硫黄などの他の元素を含有することができる。炭化水素は、それらに限定されないが、油母、ビチューメン、パイライト瀝青、油、天然鉱蝋およびアスファルタイトであってもよい。炭化水素は、地中の鉱物基質中または鉱物基質に隣接する位置に存在している場合もある。基質は、それらに限定されないが、堆積岩、砂、シリシライト、炭酸塩、ケイ藻岩および他の多孔質媒質を含有することができる。「炭化水素流体」は、炭化水素を含有した流体である。炭化水素流体は、同伴物を含有することができ、あるいは非炭化水素流体中に同伴させることができる（たとえば水素、窒素、一酸化炭素、二酸化炭素、硫化水素、水およびアンモニア）。

「累層」には、１つ以上の炭化水素含有層、１つ以上の非炭化水素層、オーババーデンおよび／またはアンダバーデンが含まれている。オーババーデンおよび／またはアンダバーデンは、岩石、ケツ岩、泥岩または湿潤／緊密炭酸塩を含有することができる。インサイチュ変換プロセスのいくつかの実施形態においては、オーババーデンおよび／またはアンダバーデンは、炭化水素含有層または比較的不浸透性で、インサイチュ変換処理の間、オーババーデンおよび／またはアンダバーデンの炭化水素含有層に重大な特性変化をもたらす温度にさらされない炭化水素含有層を含有することができる。たとえば、アンダバーデンは、ケツ岩または泥岩を含有することができるが、アンダバーデンには、インサイチュ変換プロセスの間、熱分解温度までの加熱は許容されない。場合によってはオーババーデンおよび／またはアンダバーデンは、若干の浸透性があってもよい。

「累層流体」および「生産流体」は、累層から移送された流体を意味しており、熱分解化流体、合成ガス、軟化炭化水素および水（蒸気）を含有することができる。累層流体には、炭化水素流体ならびに非炭化水素流体が含まれている。

「熱伝導流体」には、熱伝導率が、圧力が１０１ｋＰａで温度が加熱器内の温度である空気の熱伝導率より大きい流体が含まれている。

「加熱器」は、井戸または近ドリルホール領域に熱を生産するための任意のシステムである。加熱器は、それらに限定されないが、電気加熱器、循環熱伝達流体または蒸気、バーナ、累層中の物質または累層から生産される物質と反応する燃焼器および／またはそれらの組合せであってもよい。

「温度制限加熱器」は、一般に、規定温度を超えると、温度コントローラ、電力調整器、整流器または他のデバイスなどの外部制御を使用することなく熱出力を調整する（たとえば熱出力を小さくする）加熱器を意味している。温度制限加熱器は、ＡＣ（交流）または変調（たとえば「チョップ」）ＤＣ（直流）によって電力が供給される電気抵抗加熱器であってもよい。

「キュリー温度」は、それを超えると強磁性体が強磁性体のすべての強磁性特性を失う温度である。強磁性体は、キュリー温度を超えると強磁性体のすべての強磁性特性を失うだけではなく、強磁性体に流れる電流が大きくなると強磁性体の強磁性特性を無くし始める。

「変調直流（ＤＣ）」は、時間で変化する、強磁性導体に表皮効果電気を流すことができるあらゆる電流を意味している。

温度制限加熱器の「ターンダウン比率」は、キュリー温度を超える温度における最も小さいＡＣ抵抗または変調ＤＣ抵抗に対するキュリー温度未満の温度における最も大きいＡＣ抵抗または変調ＤＣ抵抗の比率である。

「ドリルホール」という用語は、せん孔によって穿たれた累層中の孔または累層中へのコンジットの挿入を意味している。本明細書において使用されているように、累層中の開口を意味する場合、「井戸」および「開口」という用語は、「ドリルホール」という用語と交換可能に使用することができる。

「絶縁導体」は、電気を導くことができる、全体または一部が電気絶縁体で覆われた細長い任意の材料を意味している。「自己制御」という用語は、あらゆるタイプの外部制御を必要とすることなく加熱器の出力を制御することを意味している。

熱出力の小さい加熱システム、装置および方法のコンテキストにおいては、「自動的に」という用語は、このようなシステム、装置および方法が、外部制御（たとえば温度センサおよびフィードバックループを備えたコントローラ、ＰＩＤコントローラまたは予測コントローラなどの外部コントローラ）を使用することなく特定の方法で機能することを意味している。

累層中の炭化水素は様々な方法で処理することができ、異なる多くの生産物を生産することができる。特定の実施形態においては、複数の段階でこのような累層が処理される。図１は、炭化水素を含有した累層の一部を加熱するいくつかの段階を示したものである。また、図１は、累層のトン当たりと等価のバレル単位の油の産出高（「Ｙ」）（ｙ軸）対加熱された累層の摂氏温度単位の温度（「Ｔ」）（ｘ軸）の一例を示したものである。

段階１の加熱中にメタンが脱着し、水が蒸発する。段階１を介した累層の加熱は、可能な限り迅速に実行することができる。累層が初期加熱されると、累層中の炭化水素が吸着メタンを脱着する。脱着メタンは、累層から生産することができる。累層がさらに加熱されると、累層中の水が蒸発する。水は、通常、６００ｋＰａないし７０００ｋＰａの絶対圧力で１６０℃と２８５℃の間で累層中で蒸発する。いくつかの実施形態においては、蒸発した水によって累層の湿潤性が変化し、および／または累層の圧力が高くなる。湿潤性が変化し、および／または圧力が高くなることによって累層中の熱分解反応または他の反応が影響を受ける。特定の実施形態においては、累層から蒸発水が生産される。他の実施形態においては、蒸発水を使用して蒸気が抽出され、および／または累層中または累層外で蒸留される。累層から水を移送し、累層中の孔隙量を多くすることによって孔隙量中の炭化水素の貯蔵空間が広くなる。

特定の実施形態においては、段階１の加熱の後、累層の一部の温度が（少なくとも）初期熱分解温度（たとえば段階２で示す温度範囲の下端の温度など）に達するよう、累層の一部がさらに加熱される。段階２の間、累層中の炭化水素を熱分解させることができる。熱分解温度の範囲は、累層中の炭化水素のタイプによって様々である。熱分解温度の範囲には、２５０℃と９００℃の間の温度が含まれている。所望する生産物を生産するための熱分解温度の範囲は、全熱分解温度範囲の一部のみを通して拡張することができる。いくつかの実施形態においては、所望する生産物を生産するための熱分解温度の範囲には、２５０℃と４００℃の間の温度、２５０℃と３５０℃の間の温度、または３２５℃と４００℃の間の温度が含まれている。累層中の炭化水素の温度を２５０℃から４００℃までの温度範囲で徐々に上昇させる場合、温度が４００℃に近くなった時点で熱分解生産物の生産を実質的に完了することができる。複数の加熱器を使用して累層を加熱することにより、熱分解温度範囲を通して累層中の炭化水素の温度を徐々に上昇させる熱の重畳を確立することができる。

いくつかのインサイチュ変換実施形態においては、熱分解温度範囲を通して温度を徐々に加熱する代わりに、累層の一部が所望の温度まで加熱される。いくつかの実施形態においては、所望の温度は３００℃である。いくつかの実施形態においては、所望の温度は３２５℃である。いくつかの実施形態においては、所望の温度は３５０℃である。他の温度を所望の温度として選択することができる。加熱器からの熱を重畳させることによって比較的速やかに、また、比較的効果的に所望の温度を累層中に確立することができる。累層の温度を所望の温度に維持するために、加熱器から累層に入力されるエネルギーを調整することができる。累層の加熱部分は、熱分解が衰退し、累層からの所望の累層流体の生産が非経済的になるまで実質的に所望の温度に維持される。累層の熱分解する部分は、１つの加熱器のみからの熱伝達によって熱分解温度範囲に到達する領域を含むことができる。

特定の実施形態においては、熱分解流体を含有した累層流体が累層から生産される。累層の温度が上昇すると、生産された累層流体中の凝縮可能な炭化水素の量が減少する。累層は、極めて高い温度では主としてメタンおよび／または水素を生産する。熱分解の全範囲にわたって累層が加熱されると、累層は、熱分解範囲の上限に向かって微小量の水素のみを生産する。利用可能な水素のほとんどが枯渇すると、最小量の流体が累層から生産される。

炭化水素が熱分解した後も、大量の炭素および若干の水素が依然として累層の加熱部分に存在している。累層の加熱部分に残留する炭素の一部は、合成ガスの形で累層から生産することができる。合成ガスの生産は、図１に示す段階３の加熱中に生じる。段階３では、累層の加熱部分が合成ガスの生産を可能にする十分な温度まで加熱される。合成ガスは、４００℃から１２００℃まで、５００℃から１１００℃まで、または５５０℃から１０００℃までの温度範囲で生産することができる。累層中に生産される合成ガスの組成は、合成ガスを生産する流体を累層に導入する際の累層の加熱部分の温度によって決まる。生産された合成ガスは、１つ以上の生産井戸を介して累層から移送することができる。

図２は、炭化水素を含有した累層を処理するためのインサイチュ変換システムの一部の一実施形態を略図で示したものである。加熱器１００は、累層の少なくとも一部の中に配置されている。加熱器１００は、累層の少なくとも一部に熱を提供して累層中の炭化水素を加熱している。供給ライン１０２を介して加熱器１００にエネルギーを供給することができる。供給ライン１０２の構造は、累層の加熱に使用される１つ以上の加熱器のタイプに応じて異なる構造にすることができる。加熱器のための供給ライン１０２は、電気加熱器に電気を送ることができ、燃焼器に燃料を輸送することができ、または累層中を循環する熱交換流体を輸送することができる。

生産井戸１０４を使用して累層から累層流体が移送される。生産井戸１０４から生産された累層流体は、収集配管１０６を通して処理設備１０８へ輸送することができる。また、累層流体は、加熱器１００から生産することも可能である。たとえば加熱器１００から流体を生産して、加熱器に隣接する累層の圧力を制御することができる。加熱器１００から生産された流体は、配管を通して収集配管１０６へ輸送することができ、または生産された流体を配管を通して直接処理設備１０８へ輸送することができる。処理設備１０８は、分離ユニット、反応ユニット、品位向上ユニット、ガスから硫黄を移送するユニット、燃料電池、タービン、貯蔵容器を備えることができ、および／または生産された累層流体を処理するための他のシステムおよびユニットを備えることができる。

炭化水素を処理するためのインサイチュ変換システムは、障壁井戸１１０を備えることができる。障壁井戸を使用して処理領域の周りに障壁が形成される。この障壁によって処理領域への流体の流入および／または処理領域からの流体の流出が抑制される。障壁井戸は、それらに限定されないが、脱水井戸、真空井戸、捕獲井戸、注入井戸、グラウト井戸、凍結井戸またはそれらの組合せを備えている。いくつかの実施形態においては、障壁井戸１１０は脱水井戸である。脱水井戸は、液体水を移送することができ、および／または加熱すべき累層の一部または加熱中の累層への液体水の流入を抑制することができる。図２に示す実施形態においては、脱水井戸は、加熱器１００の一方の側に沿ってのみ展開しているが、通常、脱水井戸は、累層を加熱するために、使用されるすべての加熱器１００または使用すべきすべての加熱器１００を取り囲んでいる。

図２に示すように、累層中には、加熱器１００だけではなく、１つ以上の生産井戸１０４が配置されている。累層流体は、生産井戸１０４を介して生産することができる。いくつかの実施形態においては、生産井戸１０４は加熱器を備えている。生産井戸内の加熱器は、生産井戸または生産井戸の近傍の累層の１つ以上の部分を加熱し、累層流体から気相を移送することができる。生産井戸からの液体を高温ポンピングする必要性を少なくすることができ、または移送することができる。液体の高温ポンピングを回避または制限することによって生産コストを著しく低減することができる。生産井戸を加熱することによって、または生産井戸を介して加熱することによって、（１）このような生産流体がオーババーデンに最も近い生産井戸の中を移動する際の生産流体の凝縮および／または還流を抑制することができ、（２）累層に入力される熱を大きくすることができ、および／または（３）生産井戸または生産井戸に最も近い累層の浸透性を大きくすることができる。いくつかのインサイチュ変換プロセスの実施形態においては、生産井戸から累層に供給される、生産井戸の１メートル当たりの熱の量は、累層を加熱する加熱器から累層に印加される、加熱器の１メートル当たりの熱の量より少ない。

加熱器のいくつかの実施形態は、加熱器が特定の状態に到達すると、加熱器または加熱器の一部への電力をターンオフするスイッチ（たとえばヒューズおよび／またはサーモスタット）を備えている。特定の実施形態においては、温度制限加熱器を使用して、累層中の炭化水素を加熱するための熱が提供される。

温度制限加熱器は、インコンフィギュレーションであってもよく、および／または特定の温度で加熱器に自動温度制限特性を提供する物質を含有することができる。特定の実施形態においては、強磁性体が温度制限加熱器に使用されている。強磁性体は、強磁性体のキュリー温度またはキュリー温度に近い温度で温度を自己制限することができ、強磁性体に交流が印加されると、キュリー温度またはキュリー温度に近い温度になると提供する熱の量が減少する。特定の実施形態においては、強磁性体は、他の物質（たとえば高度に導電性の物質、優れた強度の物質、耐食性の物質またはそれらの組合せ）に結合されており、様々な電気特性および／または機械特性を提供している。温度制限加熱器のいくつかの部分には、この温度制限加熱器の他の部分より小さい抵抗を持たせることができる（異なる幾何構造にすることによって、および／または異なる強磁性体および／または非強磁性体を使用することによって）。温度制限加熱器の一部を様々な物質で構成し、および／またはそれらの寸法を様々な寸法にすることにより、所望の熱を加熱器の個々の部分から出力させることができる。強磁性体を温度制限加熱器に使用することは、通常、スイッチまたは他の制御デバイスを温度制限加熱器に使用する場合より安価であり、また、信頼性が高い。

温度制限加熱器は、場合によっては他の加熱器より信頼性が高い。温度制限加熱器は、場合によっては累層中のホットスポットによる破壊または故障が少ない。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、累層を実質的に一様に加熱することができる。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、加熱器の長さ全体に沿ってより大きい平均熱出力で動作させることにより、より効果的に累層を加熱することができる。温度制限加熱器は、加熱器の任意のポイントに沿った温度が加熱器の最大動作温度を超えた場合、または最大動作温度を超えようとしている場合に、典型的な定ワット数加熱器の場合とは異なり、加熱器の電力を加熱器全体に対して小さくする必要がないため、加熱器の長さ全体に沿ってより大きい平均熱出力で動作する。温度制限加熱器の、この加熱器のキュリー温度に近づいている部分からの熱出力は、加熱器に印加される交流の制御された調整を必要とすることなく自動的に減少する。熱出力は、温度制限加熱器の一部の電気特性（たとえば電気抵抗）の変化によって自動的に減少する。したがって加熱プロセスの大部分にわたって、より多くの出力が温度制限加熱器によって供給される。

一実施形態においては、温度制限加熱器を備えたシステムは、交流または変調直流によって温度制限加熱器にエネルギーが供給されると、最初に第１の熱出力を提供し、次いで、温度制限加熱器の電気抵抗部分の温度がキュリー温度に近づき、またはキュリー温度に到達し、あるいはキュリー温度を超えると、提供する熱の量が減少する。温度制限加熱器は、坑口に供給される交流または変調直流によってエネルギーを供給することができる。坑口は、温度制限加熱器に電力を供給するために使用される電力源および他のコンポーネント（たとえば変調コンポーネント、変圧器および／またはコンデンサ）を備えることができる。温度制限加熱器は、累層の一部を加熱するために使用される多くの加熱器のうちの１つであってもよい。

特定の実施形態においては、温度制限加熱器は、交流または変調直流が印加されると表皮効果加熱器または近接効果加熱器として動作する導体を備えている。表皮効果によって導体の内部への電流浸入の深さが制限される。強磁性体の場合、表皮効果は導体の透磁率によって支配される。強磁性体の比透磁率は、通常、１０と１０００の間である（たとえば強磁性体の比透磁率は、通常、少なくとも１０であり、場合によっては少なくとも５０、１００、５００、１０００またはそれ以上である）。強磁性体の温度がキュリー温度を超えて上昇すると、および／または印加される電流が大きくなると、強磁性体の透磁率が実質的に減少し、表皮作用の深さが急激に深くなる（たとえば表皮作用の深さは透磁率の平方根の逆数で深くなる）。透磁率が減少することにより、キュリー温度に近づき、またはキュリー温度に到達し、あるいはキュリー温度を超えると、および／または印加される電流が大きくなると、導体のＡＣ抵抗または変調ＤＣ抵抗が小さくなる。温度制限加熱器が実質的に一定の電流源によって電力が供給されると、温度制限加熱器の、キュリー温度に近くなった部分、またはキュリー温度に到達した部分、あるいはキュリー温度を超えた部分は熱の散逸が減少する。温度制限加熱器のキュリー温度またはキュリー温度に近い温度ではないセクションは、表皮効果加熱による支配が可能であり、したがって温度制限加熱器は、より大きい抵抗負荷によってより多くの熱を散逸させることができる。

キュリー温度加熱器は、はんだ付け設備、医療アプリケーションのための加熱器およびオーブンの加熱素子に使用されている。Ｌａｍｏｍｅらに対する米国特許第５，５７９，５７５号、Ｈｅｎｓｃｈｅｎらに対する米国特許第５，０６５，５０１号、およびＹａｇｎｉｋらに対する米国特許第５，５１２，７３２号に、これらの用途のいくつかが開示されている。Ｗｈｉｔｎｅｙらに対する米国特許第４，８４９，６１１号に、反応コンポーネント、抵抗加熱コンポーネントおよび温度応答コンポーネントを備えた、間隔を隔てた複数の離散加熱ユニットが記述されている。

温度制限加熱器を使用して累層中の炭化水素を加熱する利点は、所望する温度動作範囲にキュリー温度を有するように導体が選択されることである。所望の動作温度範囲内で動作させることにより、温度制限加熱器および他の設備の温度を設計限界温度未満に維持しつつ、累層中に実質的に熱を注入することができる。設計限界温度は、腐蝕、クリープおよび／または変形などの特性が悪影響を受ける温度である。温度制限加熱器の温度制限特性によって、累層中の低熱伝導率「ホットスポット」に隣接する温度制限加熱器の過熱および断線が抑制される。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、熱出力を小さくするかまたは制御することができ、および／または温度制限加熱器に使用される物質に応じて、２５℃、３７℃、１００℃、２５０℃、５００℃、７００℃、８００℃、９００℃を超える温度または最大１１３１℃までのより高い温度の熱に耐えることができる。

温度制限加熱器に入力されるエネルギーを制限して温度制限加熱器に隣接する低熱伝導率領域に適応する必要がないため、温度制限加熱器を使用することにより、定ワット数加熱器より多くの熱を累層中に注入することができる。たとえばＧｒｅｅｎ Ｒｉｖｅｒ油母ケツ岩の場合、最低品位油母ケツ岩層および最高品位油母ケツ岩層の熱伝導率に少なくとも３倍の差がある。このような累層を加熱する場合、温度制限加熱器を使用することにより、低熱伝導率層の温度によって制限される従来の加熱器を使用する場合より実質的に多くの熱が累層に伝達される。従来の加熱器の長さ全体に沿った熱出力は、加熱器が低熱伝導率層で過熱して断線しないよう、低熱伝導率層に適応させなければならない。温度制限加熱器の場合、高い温度の低熱伝導率層に隣接する熱出力を小さくすることができるが、温度制限加熱器の温度が低い残りの部分は、依然として大きい熱出力を提供することができる。炭化水素累層を加熱するための加熱器は、通常、加熱器の長さが長いため（たとえば少なくとも１０ｍ、１００ｍ、３００ｍ、１ｋｍまたは最大１０ｋｍ）、キュリー温度またはキュリー温度に近い温度であるのは温度制限加熱器のごく一部にすぎず、温度制限加熱器の長さの大部分はキュリー温度未満で動作させることができる。

温度制限加熱器を使用することによって熱を効果的に累層に伝達することができる。熱が効果的に伝達されるため、累層を所望の温度に加熱するために必要な時間が短縮される。たとえばＧｒｅｅｎ Ｒｉｖｅｒ油母ケツ岩の場合、従来の定ワット数加熱器を使用した１２ｍ加熱器井戸間隔による熱分解には、通常、９．５年ないし１０年の加熱が必要である。同じ加熱器間隔の場合、温度制限加熱器を使用することにより、加熱器設備の温度を設備設計限界温度未満の温度に維持しつつ、より大きい平均熱出力を出力することができる。温度制限加熱器によって提供される平均熱出力がより大きいため、定ワット数加熱器によって提供されるより小さい平均熱出力の場合と比較すると、より短期間で累層に熱分解が生じる。たとえばＧｒｅｅｎ Ｒｉｖｅｒ油母ケツ岩の場合、１２ｍ加熱器井戸間隔で温度制限加熱器を使用した場合、５年で熱分解が生じる。温度制限加熱器は、加熱器井戸が互いに接近しすぎている不正確な井戸間隔すなわちせん孔によるホットスポットの効力を打ち消す。特定の実施形態においては、温度制限加熱器を使用することにより、間隔が空きすぎている加熱器井戸に出力される電力を常に大きくすることができ、または互いに接近しすぎている加熱器井戸に出力される電力を制限することができる。また、温度制限加熱器は、オーババーデンおよびアンダバーデンに隣接する領域により多くの電力を供給し、この領域における温度損失を補償することも可能である。

温度制限加熱器は、多くのタイプの累層に有利に使用することができる。たとえば、タールサンド累層または重炭化水素を含有した比較的浸透性の累層に温度制限加熱器を使用して、流体、流動化流体の粘性を小さくし、および／またはドリルホールまたはドリルホールの近傍あるいは累層中の流体の放射状流を強化するための制御可能な低温度出力を提供することができる。温度制限加熱器を使用して、累層の近ドリルホール領域の過熱による過剰コークスの形成を抑制することができる。

いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器を使用することにより、高価な温度制御回路を使用する必要性が移送されるか、または減少する。たとえば、温度制限加熱器を使用することにより、温度検層を実行する必要性および／またはホットスポットにおける潜在過熱を監視するための固定熱電対を加熱器上に使用する必要性が移送されるか、または減少する。

いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、標準の加熱器より製造が経済的である。典型的な強磁性体には、鉄、炭素鋼またはフェライトステンレス鋼が含まれている。このような物質は、絶縁導体（鉱物絶縁ケーブル）加熱器に典型的に使用される、ニーケルをベースとする加熱合金（ニクロム、Ｋａｎｔｈａｌ（商標）（Ｂｕｌｔｅｎ−Ｋａｎｔｈａｌ ＡＢ、Ｓｗｅｄｅｎ）および／またはＬＯＨＭ（商標）（Ｄｒｉｖｅｒ−Ｈａｒｒｉｓ Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｈａｒｒｉｓｏｎ、ＮＪ）など）と比較すると安価である。温度制限加熱器の一実施形態においては、温度制限加熱器は、より低コストで、信頼性の高い加熱器にするために、絶縁導体加熱器として連続した長さで製造される。

特定の実施形態においては、ヘリウムなどの熱伝導性流体を温度制限加熱器の内部に配置し、温度制限加熱器の内部の熱伝導を改善することができる。熱伝導性流体には、それらに限定されないが、熱伝導性で、電気絶縁性であり、放射に対して透明なガスがある。放射に対して透明なガスには、赤外線エネルギーを吸収する量が少ない二原子または単一原子のガスが含まれている。特定の実施形態においては、熱伝導性流体には、ヘリウムおよび／または水素が含まれている。また、熱伝導性流体は熱的に安定している。たとえば熱伝導性流体は熱分解することがなく、また、望ましくない残留物を形成することがない。

熱伝導性流体は、温度制限加熱器の導体の内部、コンジットの内部および／またはジャケットの内部に配置することができる。熱伝導性流体は、温度制限加熱器の１つ以上のコンポーネント（たとえば導体、コンジットまたはジャケット）間の空間（アニュラス）に配置することができる。いくつかの実施形態においては、熱伝導性流体は、温度制限加熱器とコンジットの間の空間（アニュラス）に配置されている。

特定の実施形態においては、熱伝導性流体を空間に導入している間、熱伝導性流体の流れによって空間（アニュラス）の空気および／または他の流体が変位する。いくつかの実施形態においては、空間への熱伝導性流体の導入に先立って、空間から空気および／または他の流体が移送される（たとえば真空移送、フラッシュ移送またはポンプ移送される）。空間の空気の分圧が小さくなるため、空間の加熱器コンポーネントの酸化速度が遅くなる。熱伝導性流体は、特定の体積および／または選択された圧力で空間に導入される。熱伝導性流体は、空間が少なくとも選択された値より大きい最小体積百分率の熱伝導性流体を有するように導入される。特定の実施形態においては、空間は、少なくとも５０体積％、７５体積％または９０体積％の熱伝導性流体を有している。

温度制限加熱器の空間に熱伝導性流体を配置することにより、空間の熱伝導が改善される。この熱伝導の改善は、熱伝導性流体を使用することによって空間の熱伝導に対する抵抗が小さくなることによるものである。空間の熱伝導に対する抵抗が小さくなるため、温度制限加熱器から地下累層へ出力される電力が大きくなる。熱伝導性流体を使用して空間の熱伝導に対する抵抗を小さくすることにより、電気導体の直径をより小さくし（たとえば内部導体の直径をより小さくし、外部導体の直径をより小さくし、および／またはコンジットの直径をより小さくし）、外側の半径をより大きくし（たとえばコンジットまたはジャケットの半径をより大きくし）、および／または空間の幅を広くすることができる。電気導体の直径が小さくなるため、材料費が安くなる。コンジットまたはジャケットの外側の半径が大きくなり、および／またはアニュラス空間の幅が広くなるため、追加環状空間が提供される。この追加環状空間は、加熱器が故障する原因になることなく、コンジットおよび／またはジャケットの変形に適応することができる。コンジットまたはジャケットの外側の半径が大きくなり、および／またはアニュラスの幅が広くなるため、アニュラス内のコンポーネント（たとえばスペーサ、コネクタおよび／またはコンジット）を保護するための追加環状空間が提供される。

しかしながら、温度制限加熱器の環状空間の幅が広くなるため、温度制限加熱器の良好な熱出力特性を維持するためには、環状空間を横切ってより大量の熱を伝達しなければならない。いくつかの実施形態においては、とりわけ低温加熱器の場合、放射熱伝達は、温度制限加熱器の環状空間を横切る熱の伝達にはそれほど期待することができない。このような実施形態においては、温度制限加熱器の良好な熱出力特性を維持するためには、環状空間における伝導熱伝達が重要である。熱伝導性流体を使用することにより、環状空間を横切る熱の伝達が改善される。

特定の実施形態においては、空間に配置された熱伝導性流体は、温度制限加熱器の導体間のアークの発生を抑制するための電気絶縁材でもある。より高い動作電圧を必要とするより長い加熱器の場合、空間または間隙を横切るアークの発生は問題である。アークの発生は、温度制限加熱器の動作条件によっては、より短い加熱器および／またはより低い電圧においても場合によっては問題である。空間内の熱伝導性流体の圧力を高くすることにより、空間における火花ギャップ破壊電圧が高くなり、空間を横切るアークの発生が抑制される。

空間内の熱伝導性流体の圧力は、５００ｋＰａと５０，０００ｋＰａの間、７００ｋＰａと４５，０００ｋＰａの間、または１０００ｋＰａと４０，０００ｋＰａの間の圧力まで高くすることができる。一実施形態においては、熱伝導性流体の圧力は、少なくとも７００ｋＰａまたは少なくとも１０００ｋＰａまで高くなっている。特定の実施形態においては、空間を横切るアークの発生を抑制するために必要な熱伝導性流体の圧力は、空間の温度によって様々である。空間の表面（たとえば絶縁体、コネクタまたはシールド）に沿って電子が追従し、アークが発生する原因になり、または表面が電気劣化する原因になることがある。空間内の高圧流体は、空間の表面に沿った電子のトラッキングを抑制することができる。

温度制限加熱器のキュリー温度は、温度制限加熱器に使用される１つ以上の強磁性合金によって決まる。「Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ」（第２版、ＭｃＧｒａｗ−Ｈｉｌｌ、５−１７０〜５−１７６頁）に、様々な金属のキュリー温度データがリストされている。強磁性導体は、複数の強磁性元素（鉄、コバルトおよびニッケル）のうちの１つ以上および／またはこれらの元素の合金を含有することができる。いくつかの実施形態においては、強磁性導体には、タングステン（Ｗ）を含有した鉄−クロム（Ｆｅ−Ｃｒ）合金（たとえばＨＣＭ１２ＡおよびＳＡＶＥ１２（Ｓｕｍｉｔｏｍｏ Ｍｅｔａｌｓ Ｃｏ．、Ｊａｐａｎ））および／またはクロムを含有した鉄の合金（たとえばＦｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｗ合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｖ（バナジウム）合金、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｎｎ（ニオブ）合金）が含まれている。３つの主要強磁性元素のうち、鉄のキュリー温度は約７７０℃であり、コバルト（Ｃｏ）のキュリー温度は約１１３１℃であり、ニッケルのキュリー温度は約３５８℃である。鉄−コバルト合金は、鉄のキュリー温度より高いキュリー温度を有している。たとえば２重量％のコバルトを含有した鉄−コバルト合金のキュリー温度は約８００℃であり、１２重量％のコバルトを含有した鉄−コバルト合金のキュリー温度は約９００℃であり、２０重量％のコバルトを含有した鉄−コバルト合金のキュリー温度は約９５０℃である。鉄−ニッケル合金は、鉄のキュリー温度より低いキュリー温度を有している。たとえば２０重量％のニッケルを含有した鉄−ニッケル合金のキュリー温度は約７２０℃であり、６０重量％のニッケルを含有した鉄−ニッケル合金のキュリー温度は約５６０℃である。

合金として使用されるいくつかの非強磁性元素を使用すると、鉄のキュリー温度が高くなる。たとえば５．９重量％のバナジウムを含有した鉄−バナジウム合金のキュリー温度は約８１５℃である。他の非強磁性元素（たとえば炭素、アルミニウム、銅、ケイ素および／またはクロム）を鉄または他の強磁性体と合金にし、キュリー温度を低くすることができる。キュリー温度を高くする非強磁性体とキュリー温度を低くする非強磁性体とを組み合わせて鉄または他の強磁性体と合金にし、所望のキュリー温度および他の所望の物理的特性および／または化学的特性を備えた物質を提供することができる。いくつかの実施形態においては、キュリー温度物質は、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４などのフェライトである。他の実施形態においては、キュリー温度物質は、ＦｅＮｉ_３またはＦｅ_３Ａｌなどの二成分化合物である。

磁気特性は、通常、キュリー温度に近づくと崩壊する。「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｈｅａｔｉｎｇ ｆｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ」（Ｃ．Ｊａｍｅｓ Ｅｒｉｃｋｓｏｎ著、ＩＥＥＥ Ｐｒｅｓｓ、１９９５年）に、１％炭素鋼（１重量％の炭素を含有した鋼）の典型的な曲線が示されている。透磁率は、６５０℃を超える温度で損失を開始し、温度が７３０℃を超えると完全に損失するようになる。したがって自己制限温度が強磁性導体の実際のキュリー温度より若干低くなる。１％炭素鋼に流れる電流の表皮作用の深さは、室温で０．１３２ｃｍ（センチメートル）であり、７２０℃では０．４４５ｃｍまで深くなる。７２０℃から７３０℃まで、表皮作用の深さは２．５ｃｍを超える深さまで急激に深くなる。したがって１％炭素鋼を使用した温度制限加熱器の実施形態は、６５０℃と７３０℃の間で自己制限する。

表皮作用の深さは、一般に、導電性物質中への交流または変調直流の有効浸入度で定義されている。通常、電流密度は、導体の外部表面から半径方向に沿った中心までの距離で指数的に減少する。電流密度が表面電流密度のほぼ１／ｅである深さは、表皮作用の深さと呼ばれている。直径が浸入度よりはるかに大きい円筒状固体ロッドの場合、または壁の厚さが浸入度より分厚い中空シリンダの場合、表皮作用の深さδは、
（１）δ＝１９８１．５^＊（ρ／（μ^＊ｆ））１／２
δ＝インチ単位の表皮作用の深さ
ρ＝動作温度における抵抗率（オーム−ｃｍ）
μ＝比透磁率
ｆ＝周波数（Ｈｚ）
である。

式１は、「Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ Ｈｅａｔｉｎｇ ｆｏｒ Ｉｎｄｕｓｔｒｙ」（Ｃ．Ｊａｍｅｓ Ｅｒｉｃｋｓｏｎ著、ＩＥＥＥ Ｐｒｅｓｓ、１９９５年）から得られる。ほとんどの金属は、温度と共に抵抗率（ρ）が大きくなる。比透磁率は、通常、温度および電流によって変化する。補助的な式を使用して、温度および／または電流の両方に対する透磁率および／または表皮作用の深さの分散を評価することができる。電流に対するμの依存性は、磁界に対するμの依存性によるものである。

温度制限加熱器に使用される物質は、所望のターンダウン比率が提供されるように選択することができる。温度制限加熱器には、少なくとも１．１：１、２：１、３：１、４：１、５：１、１０：１、３０：１または５０：１のターンダウン比率を選択することができる。もっと大きいターンダウン比率を使用することも可能である。選択されるターンダウン比率は、それらに限定されないが、温度制限加熱器が配置される累層のタイプおよび／またはドリルホールに使用される物質の温度限界を始めとする多くの要因によって決まる。いくつかの実施形態においては、補助的な銅または他の良好な電気導体を強磁性体に結合することによってターンダウン比率が大きくなる（たとえばキュリー温度を超える温度で抵抗をより小さくするために銅が追加される）。

温度制限加熱器は、加熱器のキュリー温度未満の間、最小熱出力（電力出力）を提供することができる。特定の実施形態においては、最小熱出力は、少なくとも４００Ｗ／ｍ（１メートル当たりのワット）、６００Ｗ／ｍ、７００Ｗ／ｍ、８００Ｗ／ｍまたはそれより大きい最大２０００Ｗ／ｍである。温度制限加熱器は、温度制限加熱器のセクションの温度がキュリー温度に近づくかまたはキュリー温度を超えると、温度制限加熱器のセクション毎に熱出力の量が減少する。減少する熱の量は、キュリー温度未満の温度における熱出力より実質的に少なくすることができる。いくつかの実施形態においては、減少する熱の量は、最大４００Ｗ／ｍ、２００Ｗ／ｍ、１００Ｗ／ｍであり、０Ｗ／ｍに近づけることも可能である。

いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、特定の動作温度範囲における温度制限加熱器の熱負荷に実質的に無関係に動作させることができる。「熱負荷」は、加熱システムから加熱システムの周囲へ熱が伝達される割合である。熱負荷は、周囲の温度および／または周囲の熱伝導率によって変化することを理解されたい。一実施形態においては、温度制限加熱器は、温度制限加熱器の一部に最も近い部分の熱負荷の１Ｗ／ｍの減少に対して、温度制限加熱器の動作温度が最大１．５℃、１℃または０．５℃だけ高くなるよう、温度制限加熱器のキュリー温度またはキュリー温度を超える温度で動作する。

ＡＣ抵抗または変調ＤＣ抵抗および／または温度制限加熱器の熱出力は、キュリー温度を超えるとキュリー効果によって急激に減少する。特定の実施形態においては、キュリー温度を超える温度またはキュリー温度に近い温度における電気抵抗または熱出力の値は、キュリー温度未満の特定のポイントにおける電気抵抗または熱出力の値の最大１／２である。いくつかの実施形態においては、キュリー温度を超える温度またはキュリー温度に近い温度における熱出力は、キュリー温度未満の特定のポイント（たとえばキュリー温度より３０℃低い温度、キュリー温度より４０℃低い温度、キュリー温度より５０℃低い温度、またはキュリー温度より１００℃低い温度）における熱出力の最大４０％、３０％、２０％、１０％または１０％未満（１％まで）である。特定の実施形態においては、キュリー温度を超える温度またはキュリー温度に近い温度における電気抵抗は、キュリー温度未満の特定のポイント（たとえばキュリー温度より３０℃低い温度、キュリー温度より４０℃低い温度、キュリー温度より５０℃低い温度、またはキュリー温度より１００℃低い温度）における電気抵抗の８０％、７０％、６０％、５０％または５０％未満（１％まで）に減少する。

いくつかの実施形態においては、強磁性体の表皮作用の深さを変えるためにＡＣ周波数が調整される。たとえば室温における１％炭素鋼の表皮作用の深さは、６０Ｈｚで０．１３２ｃｍ、１８０Ｈｚで０．０７６２ｃｍおよび４４０Ｈｚで０．０４６ｃｍである。加熱器の直径は、通常、表皮作用の深さの２倍より大きいため、より高い周波数を使用することによって（また、延いては直径がより小さい加熱器を使用することによって）加熱器のコストが減少する。固定幾何構造の場合、周波数が高くなるほどターンダウン比率が大きくなる。より高い周波数におけるターンダウン比率は、より低い周波数におけるターンダウン比率に、より高い周波数をより低い周波数で割りその平方根を掛けることによって計算される。いくつかの実施形態においては、１００Ｈｚと１０００Ｈｚの間、１４０Ｈｚと２００Ｈｚの間または４００Ｈｚと６００Ｈｚの間の周波数が使用されている（たとえば１８０Ｈｚ、５４０Ｈｚまたは７２０Ｈｚ）。いくつかの実施形態においては、高い周波数を使用することができる。１０００Ｈｚを超える周波数であってもよい。

温度制限加熱器は、温度制限加熱器のキュリー温度に到達するまで実質的に一定の表皮作用の深さを得るために、温度制限加熱器が冷たい間はより低い周波数で動作させ、また、温度制限加熱器が熱くなるとより高い周波数で動作させることができる。しかしながら、電源、変圧器または周波数を交番させる電流変調器などの高価なコンポーネントの必要性がより少ないため、一般的には線路周波数加熱であることが好ましい。線路周波数は、電流の一般供給周波数である。線路周波数は、通常は６０Ｈｚであるが、電流の供給源に応じて５０Ｈｚまたは他の周波数であってもよい。固体可変周波数電源などの商用的に入手可能な設備を使用して、より高い周波数を生産することができる。三相電力を周波数が３倍の単相電力に変換する変圧器は、商用的に入手することができる。たとえば６０Ｈｚの高電圧三相電力をより低い電圧の１８０Ｈｚ単相電力に変換することができる。このような変圧器は、固体可変周波数電源より安価であり、より効率的にエネルギーを使用することができる。特定の実施形態においては、温度制限加熱器に供給される電力の周波数を高くするために、三相電力を単相電力に変換する変圧器が使用されている。

特定の実施形態においては、変調ＤＣ（たとえばチョップＤＣ、波形変調ＤＣまたはサイクルＤＣ）を使用して温度制限加熱器に電力を提供することができる。ＤＣ変調器またはＤＣチョッパをＤＣ電源に結合して変調直流出力を提供することができる。いくつかの実施形態においては、ＤＣ電源は、ＤＣを変調するための手段を備えることができる。ＤＣ変調器の実施例の１つは、ＤＣ−ＤＣ変換器システムである。ＤＣ−ＤＣ変換器システムは、当分野で広く知られている。通常、ＤＣが変調されるか、または所望の波形にチョップされる。ＤＣ変調のための波形には、それらに限定されないが、方形波、正弦波、変形正弦波、変形方形波、長方形波形および他の規則的な波形または不規則な波形が含まれている。

変調ＤＣの周波数は、通常、変調ＤＣ波形によって画定される。したがって変調ＤＣ波形を選択することによって所望の変調ＤＣ周波数を提供することができる。形状および／または変調ＤＣ波形の変調の速度（チョッピングの速度など）は、変調ＤＣ周波数を変えることによって変更することができる。ＤＣは、一般に利用可能なＡＣ周波数より高い周波数で変調することができる。たとえば変調ＤＣは、少なくとも１０００Ｈｚの周波数で提供することができる。有利には、供給される電流の周波数をより大きい値にすると、温度制限加熱器のターンダウン比率が大きくなる。

特定の実施形態においては、変調ＤＣ波形を調整または変更して、変調ＤＣ周波数が変更される。ＤＣ変調器は、温度制限加熱器を使用している間、任意の時間に、高電流または高電圧で変調ＤＣ波形を調整または変更することができる。したがって、温度制限加熱器に提供される変調ＤＣは、単一周波数さらには限られた周波数値のセットに限定されない。通常、ＤＣ変調器を使用して波形を選択する場合、変調ＤＣ周波数の範囲を広くすることができ、また、変調ＤＣ周波数の離散制御が可能になる。したがって変調ＤＣ周波数は、全く固有の値でより容易に設定することができ、それに対してＡＣ周波数は、通常、線路周波数の増分値に限定されている。変調ＤＣ周波数を離散制御することにより、温度制限加熱器のターンダウン比率をより選択的に制御することができる。温度制限加熱器のターンダウン比率を選択的に制御することができるため、より広範囲の物質を使用して温度制限加熱器を設計し、構築することができる。

特定の実施形態においては、温度制限加熱器の電力は、最初は非変調ＤＣまたは周波数が極めて低い変調ＤＣを使用して供給される。加熱の初期の段階で非変調ＤＣまたは周波数が極めて低いＤＣを使用することにより、より高い周波数に関連する損失が小さくなる。また、初期加熱段階の間、非変調ＤＣおよび／または周波数が極めて低い変調ＤＣを使用することは、より安価である。温度制限加熱器が選択された温度に到達すると、変調ＤＣ、周波数がより高い変調ＤＣまたはＡＣを使用して温度制限加熱器に電力が提供され、したがってキュリー温度に近くなり、キュリー温度に到達し、あるいはキュリー温度を超えると熱出力が減少する。

いくつかの実施形態においては、使用中、変調ＤＣ周波数またはＡＣ周波数を調整して、温度制限加熱器の特性（たとえば温度または圧力などの地中の状態）の変化が補償される。温度制限加熱器に提供される変調ＤＣ周波数またはＡＣ周波数は、評価済みのダウンホールの１つ以上の状態に基づいて変更される。たとえばドリルホール内の温度制限加熱器の温度が上昇すると、場合によっては温度制限加熱器に提供される電流の周波数を高くし、延いては温度制限加熱器のターンダウン比率を大きくすることが有利である。一実施形態においては、ドリルホール内の温度制限加熱器のダウンホール温度が評価される。

特定の実施形態においては、変調ＤＣ周波数またはＡＣ周波数を変更して温度制限加熱器のターンダウン比率が調整される。ターンダウン比率を調整して、温度制限加熱器の長さに沿って生じるホットスポットを補償することができる。ターンダウン比率は、たとえば温度制限加熱器が特定の位置で熱くなりすぎることによって大きくなる。いくつかの実施形態においては、変調ＤＣ周波数またはＡＣ周波数を変更して、地中の状態を評価することなくターンダウン比率が調整される。

強磁性体のキュリー温度またはキュリー温度の近くでは、比較的小さい電圧変化が比較的大きい電流負荷変化の原因になることがある。とりわけキュリー温度またはキュリー温度に近い温度では、比較的小さい電圧変化によって温度制限加熱器に供給される電力に問題が生じることがある。これらの問題には、それらに限定されないが、力率の低下、遮断器のトリッピングおよび／またはヒューズのブローイングが含まれている。電圧の変化は、場合によっては温度制限加熱器の負荷変化によって生じることがある。特定の実施形態においては、電流サプライ（たとえば変調ＤＣまたはＡＣのサプライ）によって、温度制限加熱器の負荷変化によって実質的に変化しない比較的一定の量の電流が提供される。一実施形態においては、電流サプライによって、温度制限加熱器の負荷が変化した場合、選択された定電流値の１５％以内、１０％以内、５％以内または２％以内の量を維持する電流が提供される。

温度制限加熱器は、誘導負荷を生産することができる。この誘導負荷は、抵抗性熱出力の生産だけでなく、磁界を生産するために強磁性体によって使用される印加電流の一部によるものである。温度制限加熱器のダウンホール温度が変化すると、温度制限加熱器の強磁性体の磁気特性が温度によって変化するため、温度制限加熱器の誘導負荷が変化する。温度制限加熱器の誘導負荷は、温度制限加熱器に印加される電流と電圧の間の位相のずれの原因になることがある。

温度制限加熱器に印加される実際の電力の減少は、電流波形の時間のずれ（たとえば電流は、誘導負荷のために電圧に対して位相がずれている）によって、および／または電流波形のひずみ（たとえば非線形負荷によって導入される高調波による電流波形のひずみ）によって生じることがある。したがって位相のずれまたは波形のひずみのため、選択された量の電力を印加するためには、場合によってはもっと多くの電流が必要である。印加される実際の電力と、同じ電流が同相であり、また、ひずんでいない場合に伝送されることになる皮相電力との比率が力率である。力率は常に１以下である。波形に位相のずれまたはひずみが存在しない場合、力率は１である。

位相のずれのために実際に加熱器に印加される電力は、式２で表される。

（２） Ｐ＝Ｉ×Ｖ×ｃｏｓ（θ）
Ｐは温度制限加熱器に印加される実際の電力、Ｉは印加される電流、Ｖは印加される電圧、θは電圧と電流の間の位相角の差である。波形にひずみが存在しない場合、ｃｏｓ（θ）は力率に等しい。より高い周波数（たとえば少なくとも１０００Ｈｚ、１５００Ｈｚまたは２０００Ｈｚの変調ＤＣ周波数）では、位相のずれおよび／またはひずみに関わる問題は、より顕著である。特定の実施形態においては、コンデンサを使用して誘導負荷に起因する位相ずれが補償される。キャパシタンスの電流は、インダクタンスの電流から位相が１８０度外れているため、容量性負荷を使用して誘導負荷をバランスさせることができる。いくつかの実施形態においては、可変コンデンサ（たとえば固体スイッチングコンデンサ）を使用して誘導負荷の変化に起因する位相ずれが補償される。一実施形態においては、温度制限加熱器の井戸水頭に可変コンデンサが配置されている。井戸水頭に可変コンデンサを配置することにより、温度制限加熱器の誘導負荷の変化に応答してより容易にキャパシタンスを変化させることができる。特定の実施形態においては、可変コンデンサは、温度制限加熱器と共に地中に配置され、温度制限加熱器内の地中に配置され、またはコンデンサによる線路損失を最小にするために可能な限り加熱導体の近くに配置されている。いくつかの実施形態においては、加熱器井戸の現場の中央位置に可変コンデンサが配置されている（いくつかの実施形態においては、１つの可変コンデンサを複数の温度制限加熱器に使用することができる）。一実施形態においては、可変コンデンサは、加熱器の現場と事業用電源の間の電気接合部に配置されている。

特定の実施形態においては、可変コンデンサを使用して、温度制限加熱器の力率または温度制限加熱器の電気導体の力率が選択値より大きい値に維持される。いくつかの実施形態においては、可変コンデンサを使用して温度制限加熱器の力率が選択値０．８５、０．９または０．９５より大きい値に維持される。特定の実施形態においては、可変コンデンサのキャパシタンスを変化させることによって温度制限加熱器の力率が選択値より大きい値に維持される。

いくつかの実施形態においては、位相ずれおよび／または高調波ひずみを補償するために変調ＤＣ波形が予め整形される。波形は、波形を特定の形状に変調することによって予め整形することができる。たとえば特定の形状の波形を出力するようにＤＣ変調器がプログラムされ、または設計される。特定の実施形態においては、整形済みの波形を変更することによって、移相および／または高調波ひずみの変化に起因する温度制限加熱器の誘導負荷の変化が補償される。特定の実施形態においては、整形済みの波形を決定するため、加熱器の状態（たとえばダウンホール温度または圧力）が評価され、使用される。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器の設計に基づくシミュレーションまたは計算を使用することによって整形済みの波形が決定される。また、シミュレーションおよび／または加熱器の状態を使用して、可変コンデンサに必要なキャパシタンスを決定することも可能である。

いくつかの実施形態においては、変調ＤＣ波形を使用して１００％（全電流負荷）と０％（無電流負荷）の間でＤＣが変調される。たとえば方形波を使用して１００％（１００Ａ）と０％（０Ａ）（全波変調）の間、１００％（１００Ａ）と５０％（５０Ａ）の間、または７５％（７５Ａ）と２５％（２５Ａ）の間で１００ＡＤＣを変調することができる。もっと小さい電流負荷（たとえば０％電流負荷、２５％電流負荷または５０％電流負荷）をベース電流負荷として画定することができる。

いくつかの実施形態においては、電圧および／または電流を調整して強磁性体の表皮作用の深さが変更される。電圧を高くし、および／または電流を小さくすることにより、強磁性体の表皮作用の深さを浅くすることができる。表皮作用の深さをより浅くすることによって温度制限加熱器の直径をより小さくすることができ、したがって設備のコストを低減することができる。特定の実施形態においては、印加される電流は、少なくとも１アンペア、１０アンペア、７０アンペア、１００アンペア、２００アンペア、５００アンペアまたはそれ以上の最大２０００アンペアである。いくつかの実施形態においては、２００ボルトを超える電圧、４８０ボルトを超える電圧、６５０ボルトを超える電圧、１０００ボルトを超える電圧、１５００ボルトを超える電圧またはそれ以上の最大１００００ボルトの電圧の交流が供給される。

一実施形態においては、温度制限加熱器は、外部導体の内側に内部導体を備えている。内部導体および外部導体は、中心軸の周りに放射状に配置されている。内部導体および外部導体は、絶縁層によって分離することができる。特定の実施形態においては、内部導体および外部導体は、温度制限加熱器の底で結合されている。内部導体を介して温度制限加熱器に電流を流し、外部導体を介して電流を戻すことができる。これらの導体のいずれか一方または両方が強磁性体を含有することができる。

絶縁層は、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化ベリリウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素またはそれらの組合せなどの熱伝導率の大きい電気絶縁セラミックを備えることができる。絶縁層は、圧縮粉末（たとえば圧縮セラミック粉末）であってもよい。圧縮することによって熱伝導率を改善し、より良好な絶縁抵抗を提供することができる。より温度が低いアプリケーションの場合、たとえばフッ素樹脂、ポリイミド、ポリアミドおよび／またはポリエチレンでできた重合体絶縁材を使用することができる。いくつかの実施形態においては、重合体絶縁材は、過フルオロアルコキシ（ＰＥＡ）またはポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ（商標）（Ｖｉｃｔｒｅｘ Ｌｔｄ、Ｅｎｇｌａｎｄ））でできている。絶縁層は、内部導体から外部導体への熱の伝達を促進するために実質的に赤外線を透過するように選択することができる。一実施形態においては、絶縁層は、透明な石英砂である。絶縁層は、空気またはヘリウム、窒素または六フッ化硫黄などの非反応性ガスであってもよい。絶縁層が空気または非反応性ガスである場合、内部導体と外部導体の間の電気接触を禁止するように設計された絶縁スペーサを設けることができる。絶縁スペーサは、たとえば高純度酸化アルミニウムまたは窒化ケイ素などの他の熱伝導性電気絶縁材を使用して構築することができる。絶縁スペーサは、Ｎｅｘｔｅｌ（商標）３１２（３Ｍ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ、Ｓｔ．Ｐａｕｌ、Ｍｉｎｎｅｓｏｔａ）、マイカテープまたはガラス繊維などの繊維状セラミック材であってもよい。セラミック材は、アルミナ、ケイ酸アルミナ、ホウケイ酸アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素または他の物質でできている。

絶縁層は、柔軟な層にすることができ、および／または実質的に変形に耐性のある層にすることができる。たとえば絶縁層が内部導体と外部導体の間の空間を実質的に充填している固体物質または圧縮物質である場合、温度制限加熱器は、柔軟な温度制限加熱器にすることができ、および／または実質的に変形に耐性のある温度制限加熱器にすることができる。外部導体にかかる力は、絶縁層を介して固体内部導体へ伝達することができ、したがって粉砕に耐えることができる。このような温度制限加熱器は、外部導体および内部導体を互いに短絡させることなく湾曲させることができ、くの字に曲げることができ、また、螺旋状にすることができる。累層を加熱している間、ドリルホールが実質的に変形する可能性がある場合、変形に対する耐性は重要である。

特定の実施形態においては、外部導体は、耐食性および／または耐クリープ性のために選択される。一実施形態においては、３０４Ｈ、３４７Ｈ、３４７ＨＨ、３１６Ｈ、３１０Ｈ、３４７ＨＰ、ＮＦ７０９ステンレス鋼またはそれらの組合せなどのオーステナイト（非強磁性）ステンレス鋼を外部導体に使用することができる。また、外部導体は、クラッド導体を備えることも可能である。たとえば、腐蝕を防止するために８００Ｈまたは３４７Ｈステンレス鋼などの耐食性合金を強磁性炭素鋼チューブラの上に被覆することができる。高温強度を必要としない場合、いくつかのフェライトステンレス鋼のうちの１つなどの耐食性が良好な強磁性金属から外部導体を構築することができる。一実施形態においては、８２．３重量％の鉄と１７．７重量％のクロムのフェライト合金（キュリー温度６７８℃）によって所望の耐食性が提供される。

「Ｔｈｅ Ｍｅｔａｌｓ Ｈａｎｄｂｏｏｋ」（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ（ＡＳＭ））第８巻２９１頁に、鉄−クロム合金のキュリー温度対合金中のクロムの量のグラフが掲載されている。いくつかの温度制限加熱器の実施形態においては、個別の支持ロッドまたはチューブラ（３４７Ｈステンレス鋼でできている）が、鉄−クロム合金製の温度制限加熱器に結合されており、強度および／または耐クリープ性を提供している。支持材および／または強磁性体は、６５０℃で少なくとも２０．７ＭＰａの１００，０００時間クリープ破断強さが提供されるように選択することができる。いくつかの実施形態においては、１００，０００時間クリープ破断強さは、６５０℃で少なくとも１３．８ＭＰａであるか、または６５０℃で少なくとも６．９ＭＰａである。たとえば３４７Ｈ鋼は、６５０℃または６５０℃を超える温度で有利なクリープ破断強さを有している。いくつかの実施形態においては、１００，０００時間クリープ破断強さは、６．９ＭＰａから４１．３ＭＰａに及ぶ範囲にわたっており、より長い加熱器および／またはより大きい大地応力または流動応力に対してはそれ以上である。

内部強磁性導体および外部強磁性導体を備えた温度制限加熱器の実施形態においては、内部導体の外側および外部導体の内側に表皮効果電流経路が生じる。したがって、外部導体の内側の表皮効果電流経路に影響を及ぼすことなく、外部導体の外側をステンレス鋼などの耐食性合金で被覆することができる。

表皮作用の深さは、キュリー温度の近辺で急激に深くなるため、キュリー温度で少なくとも表皮作用の深さの厚さを有する強磁性導体を使用することにより、強磁性体のＡＣ抵抗を著しく小さくすることができる。特定の実施形態においては、強磁性導体が銅などの高度に導電性の物質で被覆されていない場合、導体の厚さを、キュリー温度近辺における表皮作用の深さの１．５倍、キュリー温度近辺における表皮作用の深さの３倍、さらにはキュリー温度近辺における表皮作用の深さの１０倍以上にすることができる。強磁性導体が銅で被覆されている場合、強磁性導体の厚さは、キュリー温度近辺における表皮作用の深さと実質的に同じにすることができる。いくつかの実施形態においては、銅で被覆された強磁性導体の厚さは、キュリー温度近辺における表皮作用の深さの少なくとも３／４である。

特定の実施形態においては、温度制限加熱器は、強磁性チューブラおよび非強磁性高導電率コアを備えた複合導体を備えている。非強磁性高導電率コアは、複合導体に必要な直径を小さくしている。たとえば複合導体は、厚さ０．２９８ｃｍのフェライトステンレス鋼または炭素鋼がコアを取り囲んでいる直径０．５７５ｃｍの銅クラッドのコアを備えた直径１．１９ｃｍの複合導体であってもよい。複合導体を使用することにより、キュリー温度近辺における温度制限加熱器の電気抵抗をより急激に減少させることができる。表皮作用の深さはキュリー温度の近辺で深くなるため、銅コアを備えることによって電気抵抗が極めて急激に減少する。

複合導体は、温度制限加熱器の導電率を大きくすることができ、および／またはより低い電圧での温度制限加熱器の動作を可能にしている。一実施形態においては、複合導体の抵抗対温度プロファイルは、複合導体の強磁性導体のキュリー温度に近い領域未満の温度で比較的平らである。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器の抵抗対温度プロファイルは、１００℃と７５０℃の間または３００℃と６００℃の間で比較的平らである。また、たとえば温度制限加熱器の物質および／または物質の構成を調整することにより、他の温度範囲においても比較的平らな抵抗対温度プロファイルを得ることができる。特定の実施形態においては、複合導体の個々の物質の相対厚さは、所望の抵抗率対温度プロファイルが温度制限加熱器にもたらされるように選択される。

図３〜３１は、温度制限加熱器の様々な実施形態を示したものである。これらの図のいくつかに示されている温度制限加熱器の実施形態の１つ以上の特徴は、これらの図に示されている温度制限加熱器の他の実施形態の１つ以上の特徴と組み合わせることができる。本明細書において説明されている特定の実施形態においては、温度制限加熱器は、６０ＨｚＡＣの周波数で動作するように寸法化されている。温度制限加熱器の寸法は、温度制限加熱器を他のＡＣ周波数で同様の方法で動作させるために、または変調ＤＣを使用して同様の方法で動作させるために、本明細書において説明されている寸法から調整することができることを理解されたい。

図３は、強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。図４および５は、図３に示す実施形態の横断面図を示したものである。一実施形態においては、強磁性セクション１１２を使用して累層中の炭化水素層に熱が提供される。非強磁性セクション１１４は、累層のオーババーデンに使用される。非強磁性セクション１１４は、オーババーデンに熱をほとんど提供しないか、または全く提供しないため、この非強磁性セクション１１４によってオーババーデンの熱損失が抑制され、加熱器の効率が改善される。強磁性セクション１１２は、４０９ステンレス鋼または４１０ステンレス鋼などの強磁性体を備えている。強磁性セクション１１２の厚さは０．３ｃｍである。非強磁性セクション１１４は、厚さ０．３ｃｍの銅である。内部導体１１６は銅である。内部導体１１６の直径は０．９ｃｍである。電気絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸化マグネシウム粉末または他の適切な絶縁体物質である。電気絶縁体１１８の厚さは、０．１ｃｍないし０．３ｃｍである。

図６は、シースの内部に配置された強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。図７、８および９は、図６に示す実施形態の横断面図を示したものである。強磁性セクション１１２は、厚さ０．６ｃｍの４１０ステンレス鋼である。非強磁性セクション１１４は、厚さ０．６ｃｍの銅である。内部導体１１６は、直径０．９ｃｍの銅である。外部導体１２０には強磁性体が含まれている。外部導体１２０によって温度制限加熱器のオーババーデンセクションに若干の熱が提供される。オーババーデンに若干の熱を提供することにより、オーババーデン中における凝縮または流体の還流が抑制される。外部導体１２０は、外径３．０ｃｍ、厚さ０．６ｃｍの４０９ステンレス鋼、４１０ステンレス鋼または４４６ステンレス鋼である。電気絶縁体１１８は、厚さ０．３ｃｍの酸化マグネシウム粉末である。いくつかの実施形態においては、電気絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素または六角形型窒化ホウ素である。導電セクション１２２は、内部導体１１６を強磁性セクション１１２および／または外部導体１２０に結合することができる。

図１０は、強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。温度制限加熱器は、耐食性ジャケット内に配置されている。導電層は、外部導体とジャケットの間に配置されている。図１１および１２は、図１０に示す実施形態の横断面図を示したものである。外部導体１２０は、３／４インチスケジュール（Ｓｃｈｅｄｕｌｅ）８０ ４４６ステンレス鋼管である。一実施形態においては、導電層１２４は、外部導体１２０とジャケット１２６の間に配置されている。導電層１２４は銅の層である。外部導体１２０は、導電層１２４で被覆されている。特定の実施形態においては、導電層１２４は、１つ以上のセグメントを備えている（たとえば導電層１２４は、１つ以上の銅管セグメントを備えている）。ジャケット１２６は、１−１／４インチスケジュール８０ ３４７Ｈステンレス鋼管または１−１／２インチスケジュール１６０ ３４７Ｈステンレス鋼管である。一実施形態においては、内部導体１１６は、マイカテープの層およびガラス繊維絶縁材を使用してニッケル被覆銅線をより合せた４／０ＭＧＴ−１０００ファーネスケーブルである。４／０ＭＧＴ−１０００ファーネスケーブルは、ＵＬタイプ５１０７である（Ａｌｌｉｅｄ Ｗｉｒｅ ａｎｄ Ｃａｂｌｅ（Ｐｈｏｅｎｉｘｖｉｌｌｅ、Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ）から入手することができる）。導電セクション１２２は、内部導体１１６とジャケット１２６を結合している。一実施形態においては、導電セクション１２２は銅である。

図１３は、外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。外部導体は、強磁性セクションおよび非強磁性セクションを備えている。温度制限加熱器は、耐食性ジャケット内に配置されている。導電層は、外部導体とジャケットの間に配置されている。図１４および１５は、図１３に示す実施形態の横断面図を示したものである。強磁性セクション１１２は、厚さ０．９ｃｍの４０９ステンレス鋼、４１０ステンレス鋼または４４６ステンレス鋼である。非強磁性セクション１１４は、厚さ０．９ｃｍの銅である。強磁性セクション１１２および非強磁性セクション１１４はジャケット１２６内に配置されている。ジャケット１２６は、厚さ０．１ｃｍの３０４ステンレス鋼である。導電層１２４は、銅の層である。電気絶縁体１１８は、厚さ０．１ｃｍないし０．３ｃｍの窒化ケイ素、窒化ホウ素または酸化マグネシウムである。内部導体１１６は、直径１．０ｃｍの銅である。

一実施形態においては、強磁性セクション１１２は、厚さ０．９ｃｍの４４６ステンレス鋼である。ジャケット１２６は、厚さ０．６ｃｍの４１０ステンレス鋼である。４１０ステンレス鋼は、４４６ステンレス鋼より高いキュリー温度を有している。このような温度制限加熱器は、温度制限加熱器から周囲の累層および／または周囲のあらゆる水（たとえばブライン、地下水または地層水）へ電流が容易に流れないように電流を「抑制する」ことができる。この実施形態においては、強磁性セクションがキュリー温度に到達するまでの間、電流の大半が強磁性セクション１１２を通って流れる。強磁性セクション１１２がキュリー温度に到達すると、電流の大半が導電層１２４を通って流れる。ジャケット１２６（４１０ステンレス鋼）の強磁性特性によってジャケットの外部へ流れる電流が抑制され、また、電流が「保持」される。また、温度制限加熱器に強度を提供する厚さをジャケット１２６に持たせることも可能である。

図１６は、オーババーデンセクションおよび加熱セクションを備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。図１７および１８は、図１６に示す実施形態の横断面図を示したものである。オーババーデンセクションは、内部導体１１６の部分１１６Ａを備えている。部分１１６Ａは、直径１．３ｃｍの銅である。加熱セクションは、内部導体１１６の部分１１６Ｂを備えている。部分１１６Ｂは、直径０．５ｃｍの銅である。部分１１６Ｂは、強磁性導体１２８の内部に配置されている。強磁性導体１２８は、厚さ０．４ｃｍの４４６ステンレス鋼である。電気絶縁体１１８は、厚さ０．２ｃｍの窒化ケイ素、窒化ホウ素または酸化マグネシウムである。外部導体１２０は、厚さ０．１ｃｍの銅である。外部導体１２０は、ジャケット１２６の内部に配置されている。ジャケット１２６は、厚さ０．２ｃｍの３１６Ｈまたは３４７Ｈステンレス鋼である。

図１９Ａおよび図１９Ｂは、強磁性内部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。内部導体１１６は、１インチスケジュールＸＸＳ ４４６ステンレス鋼管である。いくつかの実施形態においては、内部導体１１６には、４０９ステンレス鋼、４１０ステンレス鋼、Ｉｎｖａｒ３６、合金４２−６、または他の強磁性体が含まれている。内部導体１１６の直径は２．５ｃｍである。電気絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、重合体、Ｎｅｘｔｅｌセラミック繊維、マイカまたはガラス繊維である。外部導体１２０は、銅または他の任意の非強磁性体、たとえばアルミニウムなどである。外部導体１２０はジャケット１２６に結合されている。ジャケット１２６は、３０４Ｈステンレス鋼、３１６Ｈステンレス鋼または３４７Ｈステンレス鋼である。この実施形態においては、熱の大半が内部導体１１６内で生産される。

図２０Ａおよび図２０Ｂは、強磁性内部導体および非強磁性コアを備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。内部導体１１６には、４４６ステンレス鋼、４０９ステンレス鋼、４１０ステンレス鋼または他の強磁性体が含まれている。コア１３０は、内部導体１１６の内部に緊密に結合されている。コア１３０は、銅または他の非強磁性体のロッドである。コア１３０は、くみ出し操作に先立って、緊密嵌合内側内部導体１１６として挿入される。いくつかの実施形態においては、コア１３０および内部導体１１６は、共有押出し成形結合されている。外部導体１２０は３４７Ｈステンレス鋼である。電気絶縁体１１８を圧縮するための延伸操作または圧延操作によって、内部導体１１６とコア１３０の間の良好な電気接触を保証することができる。この実施形態においては、キュリー温度に近づくまで、主として内部導体１１６内で熱が生産される。次いで、交流がコア１３０に浸入すると抵抗が急激に小さくなる。

図２１Ａおよび図２１Ｂは、強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。内部導体１１６は、ニッケルで被覆された銅である。電気絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素または酸化マグネシウムである。外部導体１２０は、１インチスケジュールＸＸＳ炭素鋼管である。この実施形態においては、主として外部導体１２０内で熱が生産されるため、電気絶縁体１１８の両端間の温度差が小さくなる。

図２２Ａおよび図２２Ｂは、耐食性合金で被覆された強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。内部導体１１６は銅である。外部導体１２０は、１インチスケジュールＸＸＳ４４６ステンレス鋼管である。外部導体１２０はジャケット１２６に結合されている。ジャケット１２６は、耐食性材料（たとえば３４７Ｈステンレス鋼）でできている。ジャケット１２６は、ドリルホール内の腐蝕性流体（たとえば硫化ガスおよび肌焼ガス）からの保護を提供している。主として外部導体１２０内で熱が生産されるため、電気絶縁体１１８の両端間の温度差が小さくなる。

図２３Ａおよび図２３Ｂは、強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。外部導体は、導電層および耐食性合金で被覆されている。内部導体１１６は銅である。電気絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素または酸化マグネシウムである。外部導体１２０は、１インチスケジュール８０ ４４６ステンレス鋼管である。外部導体１２０はジャケット１２６に結合されている。ジャケット１２６は、耐食性材料でできている。一実施形態においては、導電層１２４は、外部導体１２０とジャケット１２６の間に配置されている。導電層１２４は銅の層である。主として外部導体１２０内で熱が生産されるため、電気絶縁体１１８の両端間の温度差が小さくなる。導電層１２４を使用することにより、外部導体がキュリー温度に近づくと、外部導体１２０の抵抗を急激に小さくすることができる。ジャケット１２６は、ドリルホール内の腐蝕性流体からの保護を提供している。

いくつかの実施形態においては、導体（たとえば内部導体、外部導体または強磁性導体）は、複数の異なる物質を含有した複合導体である。特定の実施形態においては、複合導体には複数の強磁性体が含まれている。いくつかの実施形態においては、複合強磁性導体には、放射状に配置された複数の物質が含まれている。特定の実施形態においては、複合導体は、強磁性導体および非強磁性導体を備えている。いくつかの実施形態においては、複合導体は、非強磁性コアの上に配置された強磁性導体を備えている。複数の物質を使用して、キュリー温度未満の温度領域で比較的平らな電気抵抗対温度プロファイルを得ることができ、および／またはキュリー温度またはキュリー温度に近い温度で電気抵抗率の急激な減少（大きなターンダウン比率の減少）を得ることができる。いくつかの事例においては、複数の物質を使用して、温度制限加熱器に複数のキュリー温度が提供される。

複合電気導体は、本明細書において説明されている任意の電気加熱器実施形態の導体として使用することができる。たとえば、複合導体は、コンダクタインコンジット加熱器または絶縁導体加熱器の導体として使用することができる。特定の実施形態においては、支持導体などの支持部材に複合導体を結合することができる。キュリー温度またはキュリー温度に近い温度における強度を複合導体に依存することがないよう、支持部材を使用して複合導体を支持することができる。支持部材は、少なくとも１０ｍ、少なくとも５０ｍ、少なくとも１００ｍ、少なくとも３００ｍ、少なくとも５００ｍ、または少なくとも１ｋｍの長さの加熱器に使用することができる。支持部材は、良好な高温クリープ強さを有する非強磁性部材であってもよい。支持部材に使用される材料の例には、それらに限定されないが、Ｈａｙｎｅｓ（登録商標）６２５合金およびＨａｙｎｅｓ（登録商標）ＨＲ１２０（登録商標）合金（Ｈａｙｎｅｓ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ、Ｋｏｋｏｍｏ、ＩＮ）、ＮＦ７０９（Ｎｉｐｐｏｎ Ｓｔｅｅｌ Ｃｏｒｐ．、Ｊａｐａｎ）、Ｉｎｃｏｌｏｙ（登録商標）８００Ｈ合金および３４７Ｈ合金（Ａｌｌｅｇｈｅｎｙ Ｌｕｄｌｕｍ Ｃｏｒｐ．、Ｐｉｔｔｓｂｕｒｇｈ、ＰＡ）がある。いくつかの実施形態においては、複合導体の材料は、互いにおよび／または支持部材に直接結合されている（たとえばろう付けまたは冶金結合されている）。支持部材を使用することにより、とりわけキュリー温度またはキュリー温度に近い温度で温度制限加熱器を支持する必要性から強磁性部材を解放することができる。したがって強磁性体の選択により柔軟性のある温度制限加熱器の設計が可能になる。

図２４は、支持部材を備えた複合導体の一実施形態の断面図を示したものである。コア１３０は、強磁性導体１２８および支持部材１３２によって取り囲まれている。いくつかの実施形態においては、コア１３０、強磁性導体１２８および支持部材１３２は直接結合されている（たとえばまとめてろう付けされ、まとめて冶金結合され、またはまとめてスウェージ結合されている）。一実施形態においては、コア１３０は銅であり、強磁性導体１２８は４４６ステンレス鋼であり、支持部材１３２は３４７Ｈ合金である。特定の実施形態においては、支持部材１３２はスケジュール８０管である。支持部材１３２は、強磁性導体１２８およびコア１３０を有する複合導体を取り囲んでいる。強磁性導体１２８とコア１３０は結合されており、たとえば共有押出し成形プロセスによって複合導体を形成している。たとえば複合導体は、直径０．９５ｃｍの銅コアを取り囲んでいる外径１．９ｃｍの４４６ステンレス鋼強磁性導体である。１．９ｃｍスケジュール８０支持部材の内側のこの複合導体は、１．７のターンダウン比率をもたらしている。

特定の実施形態においては、コア１３０の直径が強磁性導体１２８の一定の外径に対して調整され、それにより温度制限加熱器のターンダウン比率が調整される。たとえばコア１３０の直径は、強磁性導体１２８の外径を１．９ｃｍに維持しつつ１．１４ｃｍまで大きくすることができ、それにより温度制限加熱器のターンダウン比率を２．２まで大きくすることができる。

いくつかの実施形態においては、複合導体の導体（たとえばコア１３０および強磁性導体１２８）は、支持部材１３２によって分離されている。図２５は、導体を分離している支持部材１３２を備えた複合導体の一実施形態の断面図を示したものである。一実施形態においては、コア１３０は、直径０．９５ｃｍの銅であり、支持部材１３２は、外径１．９ｃｍの３４７Ｈ合金であり、強磁性導体１２８は、外径２．７ｃｍの４４６ステンレス鋼である。このような導体によって少なくとも３のターンダウン比率が得られる。図２５に示す支持部材は、図２４、２６および２７に示す他の支持部材と比較すると、より大きいクリープ強さを有している。

特定の実施形態においては、支持部材１３２は、複合導体の内側に配置されている。図２６は、支持部材１３２を取り囲んでいる複合導体の一実施形態の断面図を示したものである。支持部材１３２は３４７Ｈ合金でできている。内部導体１１６は銅である。強磁性導体１２８は４４６ステンレス鋼である。一実施形態においては、支持部材１３２は、直径１．２５ｃｍの３４７Ｈ合金であり、内部導体１１６は、外径１．９ｃｍの銅であり、強磁性導体１２８は、外径２．７ｃｍの４４６ステンレス鋼である。このような導体によって、図２４、２５および２７に示す同じ外径の実施形態のターンダウン比率より大きい３を超えるターンダウン比率が得られる。

いくつかの実施形態においては、銅である内部導体１１６の厚さは、ターンダウン比率を小さくするために薄くなっている。たとえば、内部導体１１６の外径を１．９ｃｍに維持したまま支持部材１３２の直径を１．６ｃｍまで大きくすることによってコンジットの厚さが薄くなる。内部導体１１６の厚さをこのように薄くすることにより、より分厚い内部導体実施形態と比較すると、ターンダウン比率が小さくなる。しかしながら、少なくとも３のターンダウン比率が維持される。

一実施形態においては、支持部材１３２は、内部導体１１６および強磁性導体１２８の内側のコンジット（すなわち管）である。図２７は、支持部材１３２を取り囲んでいる複合導体の一実施形態の断面図を示したものである。一実施形態においては、支持部材１３２は、中心の孔の直径が０．６３ｃｍの３４７Ｈ合金である。いくつかの実施形態においては、支持部材１３２は、プリフォームコンジットである。特定の実施形態においては、支持部材１３２は、複合導体を形成している間に支持部材の内側に溶解可能な物質（たとえば硝酸による溶解が可能な銅）を配置することによって形成される。溶解可能な物質が溶解し、導体がアセンブルされると孔が形成される。一実施形態においては、支持部材１３２は、内直０．６３ｃｍ、外径１．６ｃｍの３４７Ｈ合金であり、内部導体１１６は、外径１．８ｃｍの銅であり、強磁性導体１２８は、外径２．７ｃｍの４４６ステンレス鋼である。

特定の実施形態においては、複合電気導体は、コンダクタインコンジット加熱器の導体として使用されている。たとえば図２８に示す導体１３４として複合電気導体を使用することができる。

図２８は、コンダクタインコンジット加熱器の一実施形態の断面図を示したものである。導体１３４はコンジット１３６内に配置されている。導体１３４は、導電性物質のロッド又はコンジットである。低抵抗セクション１３８は、導体１３４の両端に存在しており、これらのセクションにおける加熱をより小さくしている。低抵抗セクション１３８は、低抵抗セクション１３８内の導体１３４の断面積をより広くすることによって形成されているか、または抵抗がより小さい物質でできている。特定の実施形態においては、低抵抗セクション１３８は、導体１３４に結合された低抵抗導体を備えている。

コンジット１３６は、導電性物質でできている。コンジット１３６は、炭化水素層１４２中の開口１４０に配置されている。開口１４０は、コンジット１３６を収容することができる直径を有している。

導体１３４は、セントラライザ１４４によってコンジット１３６内の中央に保持することができる。セントラライザ１４４は、導体１３４をコンジット１３６から電気的に分離している。セントラライザ１４４は移動を抑制し、導体１３４をコンジット１３６内に適切に配置している。セントラライザ１４４は、セラミック物質またはセラミック物質と金属物質の組合せでできている。セントラライザ１４４は、コンジット１３６内における導体１３４の変形を抑制している。セントラライザ１４４は、導体１３４に沿って約０．１ｍ（メートル）と約３ｍまたはそれ以上の間の間隔で接触しているか、または間隔を隔てている。

導体１３４の第２の低抵抗セクション１３８は、導体１３４を井戸水頭１４６に結合することができる。電力ケーブル１４８から導体１３４の低抵抗セクション１３８を介して導体１３４に電流を印加することができる。電流は、導体１３４からスライドコネクタ１５０を介してコンジット１３６へ流れる。コンジット１３６は、電流を電力ケーブル１４８に戻すために、オーババーデンケーシング１５２および井戸水頭１４６から電気的に絶縁することができる。導体１３４およびコンジット１３６内で熱を生産することができる。生産された熱をコンジット１３６および開口１４０内で放射させ、炭化水素層１４２の少なくとも一部を加熱することができる。

オーババーデンケーシング１５２は、オーババーデン１５４中に配置することができる。いくつかの実施形態においては、オーババーデンケーシング１５２は、オーババーデン１５４の加熱を抑制する物質（たとえば補強材および／またはセメント）で取り囲まれている。導体１３４の低抵抗セクション１３８は、オーババーデンケーシング１５２の中に配置することができる。導体１３４の低抵抗セクション１３８は、たとえば炭素鋼でできている。導体１３４の低抵抗セクション１３８は、セントラライザ１４４を使用してオーババーデンケーシング１５２内の中央に保持することができる。セントラライザ１４４は、導体１３４の低抵抗セクション１３８に沿って約６ｍないし約１２ｍの間隔、つまりたとえば約９ｍの間隔で配置されている。一加熱器実施形態においては、導体１３４の低抵抗セクション１３８は、１つ以上の溶接によって導体１３４に結合されている。他の加熱器実施形態においては、低抵抗セクションは導体にねじ止め、ねじ止めおよび溶接、または結合されている。低抵抗セクション１３８は、オーババーデンケーシング１５２内では、ほとんどおよび／または全く熱を生産しない。パッキング１５６は、オーババーデンケーシング１５２と開口１４０の間に配置することができる。パッキング１５６をキャップとしてオーババーデン１９２と炭化水素層１８２の接合部に使用することにより、オーババーデンケーシング１９０と開口１８０の間のアニュラスに物質を充填することができる。いくつかの実施形態においては、パッキング１９４は、開口１４０から地表１５８への流体の流れを抑制している。

特定の実施形態においては、絶縁導体加熱器の導体として複合電気導体を使用することができる。図２９Ａおよび図２９Ｂは、絶縁導体加熱器の一実施形態を示したものである。絶縁導体１６０は、コア１３０および内部導体１１６を備えている。コア１３０および内部導体１１６は複合電気導体である。コア１３０および内部導体１１６は、絶縁体１１８の内側に配置されている。コア１３０、内部導体１１６および絶縁体１１８は、外部導体１２０の内側に配置されている。絶縁体１１８は、窒化ケイ素、窒化ホウ素、酸化マグネシウムまたは他の適切な電気絶縁体である。外部導体１２０は、銅、鋼または他の任意の電気導体である。

特定の実施形態においては、絶縁体１１８は粉状絶縁体である。いくつかの実施形態においては、絶縁体１１８は、プリフォームハーフシェルなどのプリフォーム形絶縁体である。コア１３０および内部導体１１６を有する複合電気導体は、プリフォーム絶縁体の内側に配置されている。外部導体１２０は、１つ以上の長手方向の電気導体条片を１つに結合する（たとえば溶接またはろう付けによって）ことによって絶縁体１１８の上に配置されており、外部導体を形成している。長手方向の条片は、「紙巻たばこを巻く」方法で絶縁体１１８の上に配置されており、条片を横方向または半径方向に結合している。いくつかの実施形態においては、紙巻たばこを巻く方法には、個々の条片を絶縁体の円周の周りに配置するステップ、および絶縁体を取り囲むために個々の条片を結合するステップが含まれている。紙巻たばこ様に巻かれた条片の縦方向の端部は、紙巻たばこ様に巻かれた他の条片の縦方向の端部に結合し、絶縁導体に沿って縦方向に条片を結合することができる。

いくつかの実施形態においては、図３０Ａおよび図３０Ｂに示すように、外部導体１２０の外側にジャケット１２６が配置されている。いくつかの実施形態においては、ジャケット１２６は３０４ステンレス鋼であり、外部導体１２０は銅である。ジャケット１２６は、絶縁導体加熱器に耐食性を提供している。いくつかの実施形態においては、ジャケット１２６および外部導体１２０は、絶縁体１１８の上に延伸された、絶縁導体１６０を形成するためのプリフォーム条片である。

特定の実施形態においては、絶縁導体１６０は、絶縁導体に保護（たとえば腐蝕保護および劣化保護）を提供するコンジット内に配置されている。図３１においては、絶縁導体１６０は、絶縁導体をコンジットから分離しているギャップ１６２を備えたコンジット１３６の内側に配置されている。

いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器を使用して、（たとえば生産井戸内の流体を加熱するため、地表パイプラインを加熱するため、またはドリルホール内または近ドリルホール領域の流体の粘性を小さくするための）より微小な温度加熱が達成されている。温度制限加熱器の強磁性体を変更することにより、より微小な温度加熱が可能になる。いくつかの実施形態においては、強磁性導体は、キュリー温度が４４６ステンレス鋼のキュリー温度より低い物質でできている。たとえば強磁性導体は、鉄とニッケルの合金であってもよい。この合金には、３０重量％と４２重量％の間のニッケルを持たせ、残りを鉄にすることができる。一実施形態においては、この合金はＩｎｖａｒ３６である。Ｉｎｖａｒ３６は、３６重量％のニッケルと残りが鉄の合金であり、キュリー温度は２７７℃である。いくつかの実施形態においては、合金は、たとえばクロム、ニッケルおよび鉄を含有した３つの成分の合金である。たとえば６重量％のクロム、４２重量％のニッケルおよび５２重量％の鉄を合金に持たせることができる。強磁性導体は、１メートル当たり２５０ワットと１メートル当たり３５０ワットの間の熱出力を提供するタイプの合金でできている。Ｉｎｖａｒ３６の直径２．５ｃｍのロッドは、キュリー温度で約２ないし１のターンダウン比率を有している。Ｉｎｖａｒ３６合金を銅のコアの上に配置することによって、より直径の小さいロッドにすることができる。いくつかの実施形態においては、この合金は合金５２である。銅のコアによって大きいターンダウン比率が得られる。

温度制限加熱器が銅のコアまたは銅のクラッドを備えている場合、ニッケルなどの比較的耐拡散性の層で銅を保護することができる。いくつかの実施形態においては、複合内部導体は、銅のコアの上にニッケルのクラッドを備え、ニッケルのクラッドの上に鉄のクラッドを備えている。比較的耐拡散性の層によって、たとえば絶縁層を含む温度制限加熱器の他の層への銅の移動が抑制される。いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器をドリルホールに設置している間、比較的不浸透の層によって、ドリルホール内における銅の堆積が抑制される。

加熱器の一実施形態においては、内部導体は、直径１．９ｃｍの鉄のロッドであり、絶縁層は、厚さ０．２５ｃｍの窒化ケイ素、窒化ホウ素または酸化マグネシウムであり、外部導体は、厚さ０．６３５ｃｍの３４７Ｈまたは３４７ＨＨステンレス鋼である。加熱器は、定電流源から線路周波数で電力を供給することができる。ステンレス鋼は、ガス質の地中環境中における腐蝕性および／または高温における優れた耐クリープ性のために選択される。キュリー温度未満では、主として鉄の内部導体内で熱が生産される。熱注入率が８２０Ｗ／ｍの場合、絶縁層の両端間の温度差は約４０℃である。したがって外部導体の温度は、内部強磁性導体の温度より約４０℃低い。

他の温度制限加熱器実施形態においては、内部導体は、直径１．９ｃｍの銅またはＬＯＨＭ（商標）（９４重量％の銅および６重量％のニッケル）などの銅合金のロッドであり、絶縁層は透明な石英砂であり、外部導体は、厚さ０．２５ｃｍの３１０ステンレス鋼で被覆された厚さ０．６３５ｃｍの１％炭素鋼である。外部導体の炭素鋼は、炭素鋼とステンレス鋼ジャケットの間の銅で被覆されている。銅で被覆することにより、キュリー温度に近い温度で実質的な抵抗変化を達成するために必要な炭素鋼の厚さが薄くなる。主として強磁性外部導体内で熱が生産されるため、絶縁層の両端間の温度差が小さくなる。熱が主として外部導体内で生産される場合、より熱伝導率が小さい物質を絶縁のために選択することができる。銅または銅合金を内部導体に選択することにより、内部導体から出力される熱を小さくすることができる。内部導体は、電気抵抗率が小さく、また、比透磁率が１に近い他の金属を使用して構築することも可能である（たとえばアルミニウムおよびアルミニウム合金などの実質的に非強磁性の物質、リン青銅、ベリリウム銅および／または黄銅）。

温度制限加熱器は、単相加熱器であっても三相加熱器であってもよい。三相加熱器実施形態においては、温度制限加熱器は、デルタ構成またはＹ構成を有している。三相加熱器の３つの強磁性導体の各々は、内側が個別のシースであってもよい。導体と導体の間は、接合部分の内側の温度制限加熱器の底で接続することができる。３つの導体は、接合部分の内側のシースから絶縁された状態を維持することができる。

いくつかの三相加熱器実施形態においては、共通外部金属シースの内側の絶縁材によって３つの強磁性導体が分離されている。３つの導体は、シースから絶縁することができ、または３つの導体は、温度制限加熱器アセンブリの底でシースに接続することができる。他の実施形態においては、１つの外部シースまたは３つの外部シースが強磁性導体であり、内部導体は非強磁性であってもよい（たとえばアルミニウム、銅または導電性の高い合金）。別法としては、３つの非強磁性導体の各々が個別の強磁性シースの内側であり、導体と導体の間は、接合部分の内側の温度制限加熱器の底で接続される。３つの導体は、接合部分の内側のシースから絶縁された状態を維持することができる。

いくつかの実施形態においては、三相加熱器は、個別のドリルホールに配置された３つの脚を備えている。脚は、共通接触セクション（たとえば中央ドリルホール、接続ドリルホールまたは溶液充填接続セクション）で結合することができる。

いくつかの実施形態においては、温度制限加熱器は、累層を介して電流が戻る単一の強磁性導体を備えている。加熱素子は、加熱目標セクションを介して展開し、電気接触セクションで累層と電気接触する強磁性チューブラ（一実施形態においては、３０４Ｈ、３１６Ｈまたは３４７Ｈステンレス鋼の上に被覆された４４６ステンレス鋼（２５重量％のクロムを含有し、キュリー温度が６２０℃を超えるステンレス鋼））であってもよい。電気接触セクションは、加熱目標セクションの下方に配置することができる。電気接触セクションは、たとえば累層のアンダバーデン中に存在している。一実施形態においては、電気接触セクションは、加熱器ドリルホールより直径が大きい深さ６０ｍのセクションである。電気接触セクションのチューブラは、導電率の大きい金属である。電気接触セクションのアニュラスには、累層との電気接触を強化するブラインまたは他の物質（たとえば金属ビーズまたは赤鉄鉱）などの接触材／溶液を充填することができる。電気接触セクションは、抵抗率の小さいブライン飽和ゾーンに配置することができ、それによりブラインを介した電気接触を維持することができる。電気接触セクションの中ではチューブラの直径を大きくすることも可能であり、流体中におけるより小さい熱散逸で最大電流を累層に流すことができる。加熱セクションの強磁性チューブラを介して電流を流し、チューブラを加熱することができる。

一実施形態においては、三相温度制限加熱器は、累層を介した電流接続を使用して構築されている。加熱器の各々は、電気接触セクションを加熱目標セクションの下方のブライン飽和ゾーンに備えた単一のキュリー温度加熱素子を備えている。一実施形態においては、このような３つの加熱器は、三相Ｙ構成で地面で電気接続されている。加熱器は、地面から三角形のパターンで配置することができる。特定の実施形態においては、電流は、大地を通って３つの加熱器の間の中性点へ戻る。三相キュリー加熱器は、累層全体をカバーするパターンで複製することができる。

一実施形態においては、温度制限加熱器は、中空コアまたは中空内部導体を備えている。温度制限加熱器を形成している層は穴を穿つことが可能であり、それにより流体（たとえば累層流体または水）をドリルホールから中空コアへ流入させることができる。中空コア内の流体は、中空コアを通して地表へ輸送することができる（たとえばポンプで汲み出すことができ、またはガスで揚送することができる）。いくつかの実施形態においては、加熱器／生産井戸または生産井戸として、中空コアまたは中空内部導体を備えた温度制限加熱器が使用されている。中空内部導体を通して蒸気などの流体を累層に注入することができる。

以下、温度制限加熱器の非限定の実施例および温度制限加熱器の特性について説明する。

図３２〜３４は、温度制限加熱器の実験データを示したものである。図３２は、直径２．５ｃｍの４４６ステンレス鋼ロッドおよび直径２．５ｃｍの４１０ステンレス鋼ロッドの様々な印加電流に対する電気抵抗（Ω）対温度（℃）を示したものである。ロッドの長さはいずれも１．８ｍである。曲線１６４〜１７０は、温度を関数とした４４６ステンレス鋼ロッドの抵抗プロファイルを示したもので、印加電流はそれぞれ４４０アンペアＡＣ（曲線１６４）、４５０アンペアＡＣ（曲線１６６）、５００アンペアＡＣ（曲線１６８）および１０アンペアＤＣ（曲線１７０）である。曲線１７２〜１７８は、温度を関数とした４１０ステンレス鋼ロッドの抵抗プロファイルを示したもので、印加電流はそれぞれ４００アンペアＡＣ（曲線１７２）、４５０アンペアＡＣ（曲線１７４）、５００アンペアＡＣ（曲線１７６）および１０アンペアＤＣ（曲線１７８）である。いずれのロッドの場合にも、抵抗は、キュリー温度に到達するまで温度と共に徐々に大きくなっている。抵抗は、キュリー温度で急激に小さくなっている。キュリー温度を超えると、抵抗は、温度の上昇と共にわずかに小さくなる。いずれのロッドも、ＡＣ電流が大きくなると抵抗が小さくなる傾向を示している。したがって電流が大きくなるとターンダウン比率が小さくなる。したがってロッドのキュリー温度に近い温度、またはキュリー温度を超えると、ロッドが提供する熱の量が減少する。一方、ＤＣ電流を印加した場合、抵抗は、キュリー温度を通過しても温度と共に徐々に大きくなっている。

図３３は、温度制限加熱器の様々な印加電流に対する電気抵抗（ｍΩ）対温度（℃）を示したものである。温度制限加熱器は、長さ１．８ｍの４１０ステンレス鋼管の上にシースが溶接された厚さ０．１５ｃｍの銅Ｅｖｅｒｄｕｒ（商標）（ＤｕＰｏｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ、Ｗｉｌｍｉｎｇｔｏｎ、ＤＥ）を備えた２．５ｃｍスケジュール８０ ４１０ステンレス鋼管の外部導体の内側に直径１．３ｃｍの銅ロッドを備えている。曲線１８０〜１９０は、３００アンペアから５５０アンペアの範囲のＡＣ印加電流に対する温度を関数とした抵抗プロファイルを示したものである（１８０：３００アンペア、１８２：３５０アンペア、１８４：４００アンペア、１８６：４５０アンペア、１８８：５００アンペア、１９０：５５０アンペア）。これらのＡＣ印加電流の場合、抵抗は、キュリー温度まで温度の上昇と共に徐々に大きくなっている。抵抗は、キュリー温度で急激に小さくなっている。一方、曲線１９２は、１０アンペアのＤＣ電流を印加した場合の抵抗を示したものである。この抵抗は、温度の上昇と共に一定の割合で大きくなり、抵抗が大きくなる割合は、キュリー温度でもほとんどまたは全く変化しないことを示している。

図３４は、直径２．５４ｃｍ、長さ１．８ｍの固体４１０ステンレス鋼ロッドの様々な印加電流に対する電気抵抗（ｍΩ）対温度（℃）のデータを示したものである。曲線１９４、１９６、１９８、２００および２０２は、温度を関数とした４１０ステンレス鋼ロッドの抵抗プロファイルを示したもので、印加電流はそれぞれ４０アンペアＡＣ（曲線２００）、７０アンペアＡＣ（曲線２０２）、１４０アンペアＡＣ（曲線１９４）、２３０アンペアＡＣ（曲線１９６）および１０アンペアＤＣ（曲線１９８）である。印加ＡＣ電流が１４０アンペアおよび２３０アンペアの場合、抵抗は、キュリー温度に到達するまで温度の上昇と共に徐々に大きくなっている。抵抗は、キュリー温度で急激に小さくなっている。一方、ＤＣ電流を印加した場合、抵抗は、キュリー温度を通過しても温度と共に徐々に大きくなることを示している。

図３５は、直径２．５４ｃｍ、長さ１．８ｍの固体４１０ステンレス鋼ロッドの様々な印加ＡＣ電流に対する表皮作用の深さ（ｃｍ）対温度（℃）の値のデータを示したものである。表皮作用の深さは、式１４を使用して計算された。

（１４） δ＝Ｒ_１−Ｒ_１×（１−（１／Ｒ_ＡＣ／Ｒ_ＤＣ））^１／２
δは表皮作用の深さ、Ｒ１はシリンダの半径、ＲＡＣはＡＣ抵抗、ＲＤＣはＤＣ抵抗である。図３５においては、曲線２０４〜２２２は、５０アンペアから５００アンペアの範囲の印加ＡＣ電流に対する温度を関数とした表皮作用の深さプロファイルを示している（２０４：５０アンペア、２０６：１００アンペア、２０８：１５０アンペア、２１０：２００アンペア、２１２：２５０アンペア、２１４：３００アンペア、２１６：３５０アンペア、２１８：４００アンペア、２２０：４５０アンペア、２２２：５００アンペア）。個々の印加ＡＣ電流に対して、表皮作用の深さは、キュリー温度まで温度の上昇と共に徐々に深くなっている。表皮作用の深さは、キュリー温度で急激に深くなっている。

図３６は、温度制限加熱器の温度（℃）対時間（ｈｒｓ）を示したものである。温度制限加熱器は、２．５ｃｍスケジュールＸＸＨ４１０ステンレス鋼管の内側の直径１．３ｃｍの銅ロッドおよび０．３２５ｃｍの銅シースを備えた長さ１．８３ｍの加熱器である。温度制限加熱器は、加熱するためにオーブンの中に配置された。温度制限加熱器がオーブンの中に配置されると、温度制限加熱器に交流が印加された。２時間にわたって電流が大きくなり、４００アンペアの比較的安定した値に到達すると、残りの時間の間、この値が維持された。温度制限加熱器の長さに沿った０．４６ｍ間隔の３つのポイントでステンレス鋼管の温度が測定された。曲線２２４は、オーブン内の、温度制限加熱器の引込み部分に最も近い０．４６ｍのポイントにおけるステンレス鋼管の温度を示したものである。曲線２２６は、温度制限加熱器の引込み部分から最も遠い、ステンレス鋼管の端部から０．４６ｍのポイントにおけるステンレス鋼管の温度を示したものである。曲線２２８は、温度制限加熱器の中心点付近におけるステンレス鋼管の温度を示したものである。温度制限加熱器の中心のポイントは、厚さ２．５ｃｍのＦｉｂｅｒｆｒａｘ（登録商標）（Ｕｎｉｆｒａｘ Ｃｏｒｐ．、Ｎｉａｇａｒａ Ｆａｌｌｓ、ＮＹ）絶縁材の０．３ｍのセクション内にさらに密閉されている。この絶縁材を使用して、温度制限加熱器の上に低熱伝導率セクション（周囲への熱の伝達が遅いかまたは熱の伝達が禁止されたセクション（ホットスポット））が生産された。曲線２２８、２２６および２２４で示すように、温度制限加熱器の温度は、時間と共に高くなっている。曲線２２８、２２６および２２４は、温度制限加熱器の長さに沿った３つのすべてのポイントで、ほぼ同じ値まで温度制限加熱器の温度が高くなっていることを示している。得られた温度は、付加されたＦｉｂｅｒｆｒａｘ（登録商標）絶縁材には実質的に無関係である。したがって温度制限加熱器の動作温度は、温度制限加熱器の長さに沿った３つの個々のポイントにおける熱負荷の相違（絶縁材による相違）にもかかわらず実質的に同じである。したがって温度制限加熱器は、低熱伝導率セクションの存在下においても、選択された温度限界を超えていない。

図３７は、２．５ｃｍ固体４１０ステンレス鋼ロッドおよび２．５ｃｍ固体３０４ステンレス鋼ロッドの温度（℃）対対数時間（ｈｒｓ）データを示したものである。定印加ＡＣ電流では、ロッドの各々の温度は、時間と共に高くなる。曲線２３０は、絶縁層の下に、３０４ステンレス鋼ロッドの外部表面に配置された熱電対のデータを示したものである。曲線２３２は、絶縁層のない３０４ステンレス鋼ロッドの外部表面に配置された熱電対のデータを示したものである。曲線２３４は、絶縁層の下に、４１０ステンレス鋼ロッドの外部表面に配置された熱電対のデータを示したものである。曲線２３６は、絶縁層のない４１０ステンレス鋼ロッドの外部表面に配置された熱電対のデータを示したものである。これらの曲線の比較は、３０４ステンレス鋼ロッド（曲線２３０および２３２）の温度の方が４１０ステンレス鋼ロッド（曲線２３４および２３６）の温度よりも急激に高くなっていることを示している。また、３０４ステンレス鋼ロッド（曲線２３０および２３２）の温度は、４１０ステンレス鋼ロッド（曲線２３４および２３６）の温度より大きい値に到達している。４１０ステンレス鋼ロッドの非絶縁セクション（曲線２３６）と４１０ステンレス鋼ロッドの絶縁セクション（曲線２３４）の間の温度差は、３０４ステンレス鋼ロッドの非絶縁セクション（曲線２３２）と３０４ステンレス鋼ロッドの絶縁セクション（曲線２３０）の間の温度差より小さい。３０４ステンレス鋼ロッドの温度は、実験の終了時には依然として高くなっており（曲線２３０および２３２）、一方、４１０ステンレス鋼ロッドの温度は安定している（曲線２３４および２３６）。したがって熱負荷変化（絶縁材による変化）の存在下においては、４１０ステンレス鋼ロッド（温度制限加熱器）の方が３０４ステンレス鋼ロッド（非温度制限加熱器）より良好な温度制御を提供している。

数値シミュレーション（Ｆｌｕｅｎｔ ＵＳＡ（Ｌｅｂａｎｏｎ、ＮＨ）から入手することができるＦＬＵＥＮＴ）を使用して、温度制限加熱器の動作と３つのターンダウン比率が比較された。シミュレーションは、油母ケツ岩累層（Ｇｒｅｅｎ Ｒｉｖｅｒ油母ケツ岩）中の加熱器に対して実施された。シミュレーション条件は、
− 長さ６１ｍのコンダクタインコンジットキュリー加熱器（中央導体（直径２．５４ｃｍ）、コンジット外径７．３ｃｍ）
− 油母ケツ岩累層に対するダウンホール加熱器試験現場品位プロファイル
− 直径１６．５ｃｍ（６．５インチ）のドリルホール（三角空間上のドリルホールとドリルホールの間の間隔は９．１４ｍ）
− ８２０ワット／ｍの初期熱注入率まで２００時間の出力ランプアップ時間
− ランプアップ後における定電流運転
− 加熱器のキュリー温度７２０．６℃
− 少なくとも０．１４Ｌ／ｋｇ（３５ガロン／トン）の油母ケツ岩品位に対して累層が膨張し、温度制限加熱器キャニスタと接触する
であった。

図３８は、ターンダウン比率が２：１の温度制限加熱器の累層深度（ｍ）を関数としたコンダクタインコンジット加熱器の中央導体の温度（℃）を示したものである。曲線２３８〜２６０は、加熱を開始してから８日ないし加熱を開始してから６７５日に及ぶ様々な時間における累層中の温度プロファイルを示したものである（２３８：８日、２４０：５０日、２４２：９１日、２４４：１３３日、２４６：２１６日、２４８：３００日、２５０：３８３日、２５２：４６６日、２５４：５５０日、２５６：５９１日、２５８：６３３日、２６０：６７５日）。ターンダウン比率が２：１の場合、最も品位の高い油母ケツ岩層中で４６６日が経過すると７２０．６℃のキュリー温度を超えた。図３９は、ターンダウン比率が２：１の場合における累層を介した対応する加熱器熱流束（Ｗ／ｍ）を油母ケツ岩品位（ｌ／ｋｇ）プロファイル（曲線２６２）と共に示したものである。曲線２６４〜２９６は、加熱を開始してから８日ないし加熱を開始してから６３３日に及ぶ様々な時間における熱流束プロファイルを示したものである（２６４：８日、２６６：５０日、２６８：９１日、２７０：１３３日、２７２：１７５日、２７４：２１６日、２７６：２５８日、２７８：３００日、２８０：３４１日、２８２：３８３日、２８４：４２５日、２８６：４６６日、２８８：５０８日、２９０：５５０日、２９２：５９１日、２９４：６３３日、２９６：６７５日）。ターンダウン比率が２：１の場合、中央導体の温度が最も品位の高い油母ケツ岩層中でキュリー温度を超えた。

図４０は、ターンダウン比率が３：１の場合における累層深度（ｍ）を関数とした加熱器温度（℃）を示したものである。曲線２９８〜３２０は、加熱を開始してから１２日ないし加熱を開始してから７０３日に及ぶ様々な時間における累層を介した温度プロファイルを示したものである（２９８：１２日、３００：３３日、３０２：６２日、３０４：１０２日、３０６：１４６日、３０８：２０５日、３１０：２７１日、３１２：３５４日、３１４：４６７日、３１６：６０５日、３１８：６６２日、３２０：７０３日）。ターンダウン比率が３：１の場合、７０３日が経過するとキュリー温度に近くなった。図４１は、ターンダウン比率が３：１の場合における累層を介した対応する加熱器熱流束（Ｗ／ｍ）を油母ケツ岩品位（ｌ／ｋｇ）プロファイル（曲線３２２）と共に示したものである。曲線３２４〜３４４は、加熱を開始してから１２日ないし加熱を開始してから６０５日に及ぶ様々な時間における熱流束プロファイルを示したものである（３２４：１２日、３２６：３２日、３２８：６２日、３３０：１０２日、３３２：１４６日、３３４：２０５日、３３６：２７１日、３３８：３５４日、３４０：４６７日、３４２：６０５日、３４４：７４９日）。ターンダウン比率が３：１の場合、中央導体の温度がキュリー温度を超えることはなかった。また、ターンダウン比率が３：１の場合、中央導体の温度は、比較的平らな温度プロファイルを示した。

図４２は、ターンダウン比率が４：１の場合における累層深度（ｍ）を関数とした加熱器温度（℃）を示したものである。曲線３４６〜３６６は、加熱を開始してから１２日ないし加熱を開始してから４６７日に及ぶ様々な時間における累層を介した温度プロファイルを示したものである（３４６：１２日、３４８：３３日、３５０：６２日、３５２：１０２日、３５４：１４７日、３５６：２０５日、３５８：２７２日、３６０：３５４日、３６２：４６７日、３６４：６０６日、３６６：６７８日）。ターンダウン比率が４：１の場合、６７８日が経過してもキュリー温度を超えることはなかった。ターンダウン比率が４：１の場合、中央導体の温度がキュリー温度を超えることはなかった。ターンダウン比率が４：１の場合、中央導体は、ターンダウン比率が３：１の場合の温度プロファイルより幾分か平らな温度プロファイルを示した。これらのシミュレーションは、温度制限加熱器の温度がより長い時間の間、より大きいターンダウン比率でキュリー温度またはキュリー温度未満の温度を維持することを示している。この油母ケツ岩品位プロファイルの場合、ターンダウン比率は少なくとも３：１であることが望ましい。

シミュレーションは、油母ケツ岩累層中における温度制限加熱器と非温度制限加熱器の用途を比較するために実行された。直径１６．５ｃｍ（６．５インチ）のドリルホールに配置されたコンダクタインコンジット加熱器（加熱器と加熱器の間の間隔は１２．２ｍ（４０フィート））、累層シミュレータ（たとえばＣｏｍｐｕｔｅｒ Ｍｏｄｅｌｌｉｎｇ Ｇｒｏｕｐ，ＬＴＤ．（Ｈｏｕｓｔｏｎ、ＴＸ）製のＳＴＡＲＳ）、および近ドリルホールシミュレータ（たとえばＡＢＡＱＵＳ，Ｉｎｃ．（Ｐｒｏｖｉｄｅｎｃｅ、ＲＩ）製のＡＢＡＱＵＳ）のためのシミュレーションデータが作成された。標準のコンダクタインコンジット加熱器は、３０４ステンレス鋼導体およびコンジットを備えている。温度制限コンダクタインコンジット加熱器は、導体およびコンジットのための、キュリー温度が７６０℃の金属を備えている。図４３〜４５は、シミュレーションの結果を示したものである。

図４３は、２０，０００時間の運転後のシミュレーションのための、コンダクタインコンジット加熱器の導体部分の加熱器温度（℃）対累層中の温度制限加熱器の深さ（ｍ）を示したものである。加熱器の出力は、７６０℃に到達するまで８２０ワット／メートルに設定され、７６０℃に到達すると、過熱を禁止するために出力が抑制された。曲線３６８は、標準のコンダクタインコンジット加熱器の導体温度を示したものである。曲線３６８は、導体の温度変化が大きいこと、および導体の長さに沿って極めて多数のホットスポットが展開していることを示している。導体の温度の最小値は４９０℃であった。曲線３７０は、温度制限コンダクタインコンジット加熱器の導体温度を示したものである。図４３に示すように、導体の長さに沿った温度分布は、温度制限加熱器の方が標準のコンダクタインコンジット加熱器より制御されている。また、温度制限加熱器の場合、導体の動作温度は７３０℃であった。したがって温度制限加熱器を使用した同様の加熱器出力の場合、より多くの熱入力を累層に提供することができる。

図４４は、油母ケツ岩を加熱するためのシミュレーションに使用された加熱器の加熱器熱流束（Ｗ／ｍ）対時間（ｙｒｓ）を示したものである。曲線３７２は、標準のコンダクタインコンジット加熱器の熱流束を示したものである。曲線３７４は、温度制限コンダクタインコンジット加熱器の熱流束を示したものである。図４４に示すように、温度制限加熱器の熱流束は、標準の加熱器の熱流束より長い時間期間にわたって大きい値に維持された。より大きい熱流束によってより一様に累層を加熱することができ、また、より速やかに累層を加熱することができる。

図４５は、油母ケツ岩を加熱するためのシミュレーションに使用された加熱器の累積熱入力（ｋＪ／ｍ）（１メートル当たりのキロジュール）対時間（ｙｒｓ）を示したものである。曲線３７６は、標準のコンダクタインコンジット加熱器の累積熱入力を示したものである。曲線３７８は、温度制限コンダクタインコンジット加熱器の累積熱入力を示したものである。図４５に示すように、温度制限加熱器の累積熱入力は、標準の加熱器の累積熱入力より速く増加している。温度制限加熱器を使用してより速やかに累層中に熱を蓄積することにより、累層のレトルトに必要な時間を短くすることができる。油母ケツ岩累層のレトルトの着手は、約１．１×１０^８ｋＪ／メートルの平均累積熱入力で開始することができる。温度制限加熱器の場合、約５年で累積熱入力のこの値に到達しており、標準の加熱器の場合、９年と１０年の間である。

以上の説明から、当業者には、本発明の様々な態様の他の改変および代替実施形態が明らかである。したがって、以上の説明は、本発明を説明するためのものとしてのみ解釈すべきであり、以上の説明は、通常の方法における本発明の実践を当業者に教示することを目的としている。本明細書において示し、説明した本発明の形態は、現時点における好ましい実施形態として捕らえるべきであることを理解されたい。本発明の以上の説明を利用することができる当業者には明らかであるように、本明細書において例示し、説明した元素および物質にとって代わる元素および物質を使用することができ、部品およびプロセスは逆にすることが可能であり、本発明の特定の特徴は、それぞれ個別に利用することができる。本明細書において説明した元素は、特許請求の範囲に記載されている本発明の精神および範囲を逸脱することなく変更することができる。また、特定の実施形態においては、本明細書において個別に説明した特徴を組み合わせることができることを理解されたい。

累層中の炭化水素を加熱する段階を示すグラフである。 累層中の炭化水素を処理するためのインサイチュ変換システムの一部の一実施形態を示す略図である。 強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 シースの内部に配置された強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 シースの内部に配置された強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 シースの内部に配置された強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 シースの内部に配置された強磁性セクションおよび非強磁性セクションを有する外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 オーババーデンセクションおよび加熱セクションを備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 オーババーデンセクションおよび加熱セクションを備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 オーババーデンセクションおよび加熱セクションを備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性内部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性内部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性内部導体および非強磁性コアを備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性内部導体および非強磁性コアを備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 耐食性合金で被覆された強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 耐食性合金で被覆された強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 強磁性外部導体を備えた温度制限加熱器の一実施形態を示す断面図である。 支持部材を備えた複合導体の一実施形態を示す断面図である。 導体を分離している支持部材を備えた複合導体の一実施形態を示す断面図である。 支持部材を取り囲んでいる複合導体の一実施形態を示す断面図である。 コンジット支持部材を取り囲んでいる複合導体の一実施形態を示す断面図である。 コンダクタインコンジット加熱器の一実施形態を示す断面図である。 絶縁導体加熱器の一実施形態を示す図である。 絶縁導体加熱器の一実施形態を示す図である。 外部導体の外側に配置されたジャケットを備えた絶縁導体加熱器の一実施形態を示す図である。 外部導体の外側に配置されたジャケットを備えた絶縁導体加熱器の一実施形態を示す図である。 コンジットの内部に配置された絶縁導体の一実施形態を示す図である。 ４４６ステンレス鋼ロッドの様々な印加電流に対する電気抵抗対温度を示すグラフである。 温度制限加熱器の様々な印加電流に対する電気抵抗対温度を示すグラフである。 直径２．５４ｃｍ、長さ１．８ｍの固体４１０ステンレス鋼ロッドの様々な印加電流に対する電気抵抗対温度を示すグラフである。 直径２．５４ｃｍ、長さ１．８ｍの固体４１０ステンレス鋼ロッドの様々な印加ＡＣ電流に対する表皮作用の深さ対温度の値を示すグラフである。 温度制限加熱器の温度対時間を示すグラフである。 ２．５ｃｍ固体４１０ステンレス鋼ロッドおよび２．５ｃｍ固体３０４ステンレス鋼ロッドの温度対対数時間データを示すグラフである。 ターンダウン比率が２：１の温度制限加熱器の累層深度を関数としたコンダクタインコンジット加熱器の中央導体の温度を示すグラフである。 ターンダウン比率が２：１の場合における累層を介した加熱器熱流束を油母ケツ岩品位プロファイルと共に示すグラフである。 ターンダウン比率が３：１の場合における累層深度を関数とした加熱器温度を示すグラフである。 ターンダウン比率が３：１の場合における累層を介した加熱器熱流束を油母ケツ岩品位プロファイルと共に示すグラフである。 ターンダウン比率が４：１の場合における累層深度を関数とした加熱器温度を示すグラフである。 油母ケツ岩を加熱するためのシミュレーションに使用された加熱器の加熱器温度対深さを示すグラフである。 油母ケツ岩を加熱するためのシミュレーションに使用された加熱器の加熱器熱流束対時間を示すグラフである。 油母ケツ岩を加熱するためのシミュレーションにおける累積熱入力対時間を示すグラフである。

Claims (16)

1. 変調直流（ＤＣ）を提供するように構成された電源及び、
   前記電源に電気結合され及び、累層中の開口に配置するように構成された１つ以上の電気導体を備え、前記の電気導体のうちの少なくとも１つが強磁性体を備えた加熱器セクション
   を備え、前記加熱器セクションが、（ａ）選択された温度未満の前記加熱器セクションに電流が印加されると、熱出力を提供し、（ｂ）使用中、ほぼ前記選択された温度に到達し、前記選択された温度を超えると、提供する熱出力が小さくなり、（ｃ）少なくとも１．１ないし１のターンダウン比率を有する、
   地下累層の少なくとも一部を加熱するように構成されたシステム。
2. 電源が可変周波数変調ＤＣ電源である、請求項１に記載のシステム。
3. 電源が方形波変調ＤＣを提供するように構成された、請求項１または２のいずれかに記載のシステム。
4. 電源が、電気導体中における位相ずれおよび／または高調波ひずみを少なくとも部分的に補償するように、整形された整形済みの波形で変調ＤＣを提供するように構成された、請求項１から３のいずれかに記載のシステム。
5. 加熱器セクションに電流が印加されると、前記加熱器セクションが、（ａ）前記加熱器セクションの温度が選択された温度未満の時、第１の熱出力を提供し、（ｂ）前記加熱器セクションの温度が前記選択された温度に到達し、前記選択された温度を超えると、前記第１の熱出力より小さい第２の熱出力を提供する、請求項１から４のいずれかに記載のシステム。
6. 加熱器セクションに電流が印加されると、前記加熱器セクションが、（ａ）前記加熱器セクションの温度が１００℃を超え、２００℃を超え、４００℃を超え、または５００℃を超え、あるいは６００℃を超え、選択された温度未満である場合、第１の熱出力を提供し、（ｂ）前記加熱器セクションの温度が前記選択された温度に到達し、前記選択された温度を超えると、前記第１の熱出力より小さい第２の熱出力を提供する、請求項１から５のいずれかに記載のシステム。
7. 選択された温度を超えるかまたは前記選択された温度に近くなると、加熱器セクションが提供する熱出力が自動的に小さくなる、請求項１から６のいずれかに記載のシステム。
8. 加熱器セクションの少なくとも一部は、累層中の炭化水素物質に隣接して位置決めすることが可能であり、前記炭化水素物質の少なくとも一部が熱分解温度または熱分解温度を超える温度に加熱される、請求項１から７のいずれかに記載のシステム。
9. システムが、加熱器セクションに最も近い熱負荷が１メートル当たり１ワット減少すると、動作温度が最大１．５℃高くまたは選択された動作温度に近い温度になるように構成された、請求項１から８のいずれかに記載のシステム。
10. 加熱器セクションが、選択された温度を超えるかまたは前記選択された温度に近くなると、前記加熱器セクションが提供する熱の量が、前記選択された温度より５０℃低い温度における熱出力の最大１０％の熱の量に減少するように構成された、請求項１から９のいずれかに記載のシステム。
11. システムが、強磁性体に結合された非強磁性体をさらに備え、前記強磁性体が前記強磁性体より大きい導電率を有する、請求項１から１０のいずれかに記載のシステム。
12. 選択された温度がほぼ強磁性体のキュリー温度である、請求項１から１１のいずれかに記載のシステム。
13. 加熱器セクションが選択された温度を超える温度で提供する熱出力が小さくなるよう、前記選択された温度に到達し、前記選択された温度を超えると前記加熱器セクションの電気抵抗が小さくなる、請求項１から１２のいずれかに記載のシステム。
14. 電源が、電気導体の負荷が変化した場合に、選択された定電流値の１５％以内、１０％以内または５％以内を維持する比較的一定の量の電流を提供するように構成された、請求項１から１３のいずれかに記載のシステム。
15. 電気導体のうちの少なくとも１つの長さが、少なくとも１０ｍ、少なくとも５０ｍ、少なくとも１００ｍ、少なくとも３００ｍ、少なくとも５００ｍまたは少なくとも１ｋｍである、請求項１から１４のいずれかに記載のシステム。
16. システムが、
    加熱器セクションに電流を印加して電気抵抗性熱出力を提供し、及び
    前記加熱器セクションから地下累層の一部へ熱を伝達させる
    ことを含む地下累層を加熱するための方法に使用される、請求項１から１５のいずれかに記載のシステム。
    方法が、さらに、加熱器セクションから地下累層の一部へ熱を伝達させて累層中の炭化水素の少なくとも一部を熱分解させることを含む、請求項１６に記載のシステム。

Images