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Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101267499B1 (ko) * 2005-08-18 2013-05-31 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법 및 그에 의해 제조된박막 트랜지스터
JP5005302B2 (ja) * 2006-09-19 2012-08-22 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置の製造方法
KR100917654B1 (ko) * 2006-11-10 2009-09-17 베이징 보에 옵토일렉트로닉스 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 박막트랜지스터 액정 디스플레이 화소 구조 및 그 제조방법
KR101576813B1 (ko) * 2007-08-17 2015-12-11 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
KR101836067B1 (ko) * 2009-12-21 2018-03-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 박막 트랜지스터와 그 제작 방법
TWI535028B (zh) * 2009-12-21 2016-05-21 半導體能源研究所股份有限公司 薄膜電晶體
US8476744B2 (en) 2009-12-28 2013-07-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Thin film transistor with channel including microcrystalline and amorphous semiconductor regions
JP5948025B2 (ja) 2010-08-06 2016-07-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US9230826B2 (en) 2010-08-26 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Etching method using mixed gas and method for manufacturing semiconductor device
US8704230B2 (en) 2010-08-26 2014-04-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2012153498A1 (ja) * 2011-05-09 2012-11-15 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
WO2012160800A1 (ja) 2011-05-24 2012-11-29 シャープ株式会社 半導体装置の製造方法
KR101185165B1 (ko) 2011-05-30 2012-09-24 순천대학교 산학협력단 산화물 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
CN202549848U (zh) 2012-04-28 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、阵列基板和薄膜晶体管
TW201413825A (zh) * 2012-09-17 2014-04-01 Ying-Jia Xue 薄膜電晶體的製作方法
CN102856260B (zh) * 2012-09-26 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种cmos晶体管及其制造方法
US9279983B1 (en) * 2012-10-30 2016-03-08 Google Inc. Image cropping
CN103258827B (zh) * 2013-04-28 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
KR20150000215A (ko) * 2013-06-24 2015-01-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102091664B1 (ko) * 2013-09-27 2020-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조방법
CN104103584A (zh) * 2014-06-25 2014-10-15 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板制作方法
CN104465405B (zh) * 2014-12-30 2017-09-22 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管的制作方法及阵列基板的制作方法
CN104716092B (zh) * 2015-04-02 2017-11-10 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法及制造装置
CN105140124B (zh) * 2015-07-29 2018-12-11 武汉华星光电技术有限公司 一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法
KR20170080996A (ko) * 2015-12-31 2017-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
CN105514119A (zh) * 2016-01-04 2016-04-20 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板的制作方法及tft基板
KR102568776B1 (ko) * 2016-03-28 2023-08-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102586938B1 (ko) 2016-09-05 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
CN106531690B (zh) * 2016-12-19 2020-03-10 武汉新芯集成电路制造有限公司 一种轻掺杂漏区的形成方法
CN106910712B (zh) * 2017-03-03 2019-09-24 厦门天马微电子有限公司 阵列基板的制作方法
CN107464836B (zh) * 2017-07-19 2020-04-10 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法及顶栅型薄膜晶体管
US10957713B2 (en) * 2018-04-19 2021-03-23 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LTPS TFT substrate and manufacturing method thereof
CN108565247B (zh) * 2018-04-19 2020-09-29 武汉华星光电技术有限公司 Ltps tft基板的制作方法及ltps tft基板
CN108511464B (zh) * 2018-04-20 2020-07-28 武汉华星光电技术有限公司 Cmos型ltps tft基板的制作方法
WO2020177057A1 (zh) * 2019-03-04 2020-09-10 京东方科技集团股份有限公司 Cmos结构及cmos结构的制造方法
CN114267684B (zh) * 2020-09-25 2025-04-29 武汉天马微电子有限公司 薄膜晶体管基板及薄膜晶体管基板的制造方法
CN112542516B (zh) * 2020-11-03 2024-01-30 北海惠科光电技术有限公司 一种主动开关及其制作方法和显示面板
JP7623864B2 (ja) 2021-03-22 2025-01-29 武漢天馬微電子有限公司 薄膜トランジスタ基板
US11798983B2 (en) 2021-07-19 2023-10-24 United Semiconductor Japan Co., Ltd. Semiconductor device with deeply depleted channel and manufacturing method thereof

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07131018A (ja) * 1993-06-23 1995-05-19 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JPH09252136A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法とアクティブマトリックスアレイ基板およびそれを用いた液晶表示装置
JP2002217419A (ja) * 2001-01-23 2002-08-02 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタ基板とその製法
JP2002016261A (ja) 2001-05-07 2002-01-18 Seiko Epson Corp 相補性薄膜半導体装置の製造方法
JP4439766B2 (ja) * 2001-08-02 2010-03-24 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法
KR100815894B1 (ko) * 2001-09-21 2008-03-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Ｌｄｄ구조의 ｃｍｏｓ 다결정 실리콘 박막트랜지스터의제조방법
JP3626734B2 (ja) * 2002-03-11 2005-03-09 日本電気株式会社 薄膜半導体装置
JP2003282880A (ja) 2002-03-22 2003-10-03 Hitachi Displays Ltd 表示装置
TW544941B (en) * 2002-07-08 2003-08-01 Toppoly Optoelectronics Corp Manufacturing process and structure of thin film transistor
KR20040060501A (ko) 2002-12-30 2004-07-06 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 박막 트랜지스터의 제조방법
US20050074914A1 (en) * 2003-10-06 2005-04-07 Toppoly Optoelectronics Corp. Semiconductor device and method of fabrication the same
KR101018752B1 (ko) * 2003-12-19 2011-03-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
TWI401802B (zh) * 2005-06-30 2013-07-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體板及其製造方法
US7592628B2 (en) * 2006-07-21 2009-09-22 Tpo Displays Corp. Display with thin film transistor devices having different electrical characteristics in pixel and driving regions

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