JP2007005790A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007005790A5
JP2007005790A5 JP2006163441A JP2006163441A JP2007005790A5 JP 2007005790 A5 JP2007005790 A5 JP 2007005790A5 JP 2006163441 A JP2006163441 A JP 2006163441A JP 2006163441 A JP2006163441 A JP 2006163441A JP 2007005790 A5 JP2007005790 A5 JP 2007005790A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
etching
wiring
molybdenum
triazole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006163441A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2007005790A (ja
JP5111790B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020050054015A external-priority patent/KR101199533B1/ko
Application filed filed Critical
Publication of JP2007005790A publication Critical patent/JP2007005790A/ja
Publication of JP2007005790A5 publication Critical patent/JP2007005790A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5111790B2 publication Critical patent/JP5111790B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006163441A 2005-06-22 2006-06-13 エッチング液及びこれを用いた配線形成方法 Active JP5111790B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050054015A KR101199533B1 (ko) 2005-06-22 2005-06-22 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR10-2005-0054015 2005-06-22

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2007005790A JP2007005790A (ja) 2007-01-11
JP2007005790A5 true JP2007005790A5 (enExample) 2009-05-07
JP5111790B2 JP5111790B2 (ja) 2013-01-09

Family

ID=37568131

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006163441A Active JP5111790B2 (ja) 2005-06-22 2006-06-13 エッチング液及びこれを用いた配線形成方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7943519B2 (enExample)
JP (1) JP5111790B2 (enExample)
KR (1) KR101199533B1 (enExample)
CN (1) CN1884618B (enExample)
TW (1) TWI390018B (enExample)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101353123B1 (ko) * 2005-12-09 2014-01-17 동우 화인켐 주식회사 금속막 식각용액
US8017950B2 (en) * 2005-12-29 2011-09-13 Lg Display Co., Ltd. Organic electro-luminescence display device and method of manfacturing the same
KR20080008562A (ko) * 2006-07-20 2008-01-24 삼성전자주식회사 어레이 기판의 제조방법, 어레이 기판 및 이를 갖는표시장치
US20080224092A1 (en) * 2007-03-15 2008-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Etchant for metal
KR100839428B1 (ko) * 2007-05-17 2008-06-19 삼성에스디아이 주식회사 식각액, 및 이를 이용한 박막트랜지스터를 갖는 기판의제조 방법
US20100301010A1 (en) * 2007-10-08 2010-12-02 Basf Se ETCHANT COMPOSITIONS AND ETCHING METHOD FOR METALS Cu/Mo
KR20090037725A (ko) * 2007-10-12 2009-04-16 삼성전자주식회사 박막트랜지스터 기판, 그 제조 방법 및 이를 갖는 표시장치
KR101406573B1 (ko) * 2008-01-25 2014-06-11 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴의 형성방법
TWI500159B (zh) * 2008-07-31 2015-09-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
KR101495683B1 (ko) * 2008-09-26 2015-02-26 솔브레인 주식회사 액정표시장치의 구리 및 구리/몰리브데늄 또는 구리/몰리브데늄합금 전극용 식각조성물
KR101475954B1 (ko) * 2008-11-04 2014-12-24 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
KR101172113B1 (ko) * 2008-11-14 2012-08-10 엘지이노텍 주식회사 터치스크린 및 그 제조방법
KR101529733B1 (ko) * 2009-02-06 2015-06-19 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
TWI479574B (zh) * 2009-03-16 2015-04-01 Hannstar Display Corp Ｔｆｔ陣列基板及其製造方法
JP5604056B2 (ja) * 2009-05-15 2014-10-08 関東化学株式会社 銅含有積層膜用エッチング液
WO2011010879A2 (ko) * 2009-07-23 2011-01-27 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
WO2011021860A2 (en) * 2009-08-20 2011-02-24 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Method of fabricating array substrate for liquid crystal display
KR101687311B1 (ko) * 2009-10-07 2016-12-16 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20110046992A (ko) * 2009-10-29 2011-05-06 동우 화인켐 주식회사 식각액 조성물
CN102696097B (zh) * 2009-12-25 2015-08-05 三菱瓦斯化学株式会社 蚀刻液及使用其的半导体装置的制造方法
KR20110123025A (ko) * 2010-05-06 2011-11-14 삼성전자주식회사 금속 배선 식각액 및 이를 이용한 금속 배선 형성 방법
US20140151682A1 (en) * 2010-07-15 2014-06-05 Sharp Kabushiki Kaisha Circuit board, display device, and process for production of circuit board
KR101951044B1 (ko) * 2011-08-04 2019-02-21 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
TWI467724B (zh) * 2012-05-30 2015-01-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 應用於面板的導電結構及其製造方法
JP2014032999A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20140060679A (ko) * 2012-11-12 2014-05-21 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
CN103924244A (zh) * 2013-01-14 2014-07-16 易安爱富科技有限公司 铜/钼膜或铜/钼合金膜的蚀刻液组合物
CN110147008B (zh) * 2013-07-03 2022-03-22 东友精细化工有限公司 制造液晶显示器用阵列基板的方法
KR102169571B1 (ko) * 2014-03-31 2020-10-23 동우 화인켐 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
JP6312317B2 (ja) * 2014-07-29 2018-04-18 株式会社Adeka マスクブランクス除去用組成物及びマスクブランクスの除去方法
KR102240456B1 (ko) * 2014-07-30 2021-04-15 에스케이하이닉스 주식회사 광학적 관통 비아를 가지는 반도체 소자
KR102331036B1 (ko) * 2014-10-10 2021-11-26 삼영순화(주) 에칭액 조성물 및 이를 이용하는 다층막의 에칭 방법
US9728650B1 (en) * 2016-01-14 2017-08-08 Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. Thin film transistor array panel and conducting structure
JP6190920B2 (ja) * 2016-06-08 2017-08-30 パナソニック液晶ディスプレイ株式会社 薄膜トランジスタ
CN106549021B (zh) * 2016-12-02 2018-10-09 京东方科技集团股份有限公司 柔性显示基板、柔性显示装置及其修复方法
CN106653772B (zh) * 2016-12-30 2019-10-01 惠科股份有限公司 一种显示面板及制程
KR20190027019A (ko) * 2017-09-04 2019-03-14 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 금속 패턴과 박막 트랜지스터 기판 제조 방법
CN108149247A (zh) * 2017-12-04 2018-06-12 佛山杰致信息科技有限公司 一种薄膜晶体管用蚀刻液的制备方法
CN113594185A (zh) * 2021-07-29 2021-11-02 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板的制作方法及阵列基板
WO2023069409A1 (en) * 2021-10-20 2023-04-27 Entegris, Inc. Selective wet etch composition and method
CN114164003A (zh) * 2021-12-06 2022-03-11 Tcl华星光电技术有限公司 用于显示面板的蚀刻剂组合物及显示面板的蚀刻方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3387529B2 (ja) 1992-10-06 2003-03-17 朝日化学工業株式会社 銅および銅合金の化学溶解液
JP3225470B2 (ja) 1992-12-15 2001-11-05 旭電化工業株式会社 銅の化学溶解剤
JP3535755B2 (ja) * 1997-12-25 2004-06-07 キヤノン株式会社 エッチング方法
US6630433B2 (en) * 1999-07-19 2003-10-07 Honeywell International Inc. Composition for chemical mechanical planarization of copper, tantalum and tantalum nitride
US6171910B1 (en) * 1999-07-21 2001-01-09 Motorola Inc. Method for forming a semiconductor device
JP2001223365A (ja) * 2000-02-10 2001-08-17 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
JP3768402B2 (ja) * 2000-11-24 2006-04-19 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 化学的機械的研磨用スラリー
JP2002231666A (ja) 2001-01-31 2002-08-16 Fujimi Inc 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP4224221B2 (ja) * 2001-03-07 2009-02-12 日立化成工業株式会社 導体用研磨液及びこれを用いた研磨方法
SG144688A1 (en) * 2001-07-23 2008-08-28 Fujimi Inc Polishing composition and polishing method employing it
KR100459271B1 (ko) 2002-04-26 2004-12-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 단일막 또는 구리 몰리브덴막의 식각용액 및 그식각방법
KR100505328B1 (ko) * 2002-12-12 2005-07-29 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리 몰리브덴막에서 몰리브덴 잔사를 제거할 수 있는식각용액 및 그 식각 방법
KR100960687B1 (ko) * 2003-06-24 2010-06-01 엘지디스플레이 주식회사 구리(또는 구리합금층)를 포함하는 이중금속층을 일괄식각하기위한 식각액
TWI282377B (en) * 2003-07-25 2007-06-11 Mec Co Ltd Etchant, replenishment solution and method for producing copper wiring using the same
KR101158137B1 (ko) * 2003-08-08 2012-06-19 엔테그리스, 아이엔씨. 회전식 기부 상에 주조된 일체형 다공성 패드를 제조하기위한 방법 및 재료
JP4431860B2 (ja) * 2003-10-30 2010-03-17 三菱瓦斯化学株式会社 銅および銅合金の表面処理剤
TWI258048B (en) * 2004-06-15 2006-07-11 Taiwan Tft Lcd Ass Structure of TFT electrode for preventing metal layer diffusion and manufacturing method thereof
KR20060062913A (ko) * 2004-12-06 2006-06-12 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선과 상기 배선을 포함하는 박막트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20070049278A (ko) * 2005-11-08 2007-05-11 삼성전자주식회사 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 기판과 그 제조 방법
JP4902299B2 (ja) * 2006-09-11 2012-03-21 三星電子株式会社 表示装置の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007005790A5 (enExample)
JP2012039102A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2011082537A5 (enExample)
TW201406949A (zh) 清洗用液體組成物、半導體元件之清洗方法、及半導體元件之製造方法
JP2015504239A5 (enExample)
JP2010206056A5 (enExample)
JP2008288227A5 (enExample)
TW200702427A (en) Etchant, method for fabricating interconnection line using the etchant, and method for fabricating thin film transistor substrate using the etchant
JP2010505259A5 (enExample)
TWI816635B (zh) 半導體元件之洗淨用液體組成物、半導體元件之洗淨方法及半導體元件之製造方法
KR20150046139A (ko) 반도체 기판의 에칭액, 이것을 사용한 에칭 방법 및 반도체 소자의 제조 방법
TW200618174A (en) Method of manufacturing semiconductor device
WO2008132983A1 (ja) 研磨剤組成物および半導体集積回路装置の製造方法
WO2011021860A3 (en) Method of fabricating array substrate for liquid crystal display
JP2006344939A5 (enExample)
JP2011009452A5 (enExample)
JP2010041044A5 (enExample)
JP2016176126A5 (enExample)
WO2011019222A3 (ko) 구리 배선의 형성을 위한 식각액 조성물
JP2008519459A (ja) アルミノシリケート前駆体から形成された低いｋの誘電体の層
CN102881677A (zh) 一种用于铜互连的合金抗铜扩散阻挡层及其制造方法
JP2008270509A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008141204A5 (enExample)
JP2016127224A5 (enExample)
JP2009076890A5 (enExample)