JP2006523029A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006523029A5
JP2006523029A5 JP2006509591A JP2006509591A JP2006523029A5 JP 2006523029 A5 JP2006523029 A5 JP 2006523029A5 JP 2006509591 A JP2006509591 A JP 2006509591A JP 2006509591 A JP2006509591 A JP 2006509591A JP 2006523029 A5 JP2006523029 A5 JP 2006523029A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
fluid
workpiece
exposure area
nozzles
nozzle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006509591A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4582089B2 (ja
JP2006523029A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/US2004/010071 external-priority patent/WO2004092830A2/en
Publication of JP2006523029A publication Critical patent/JP2006523029A/ja
Publication of JP2006523029A5 publication Critical patent/JP2006523029A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4582089B2 publication Critical patent/JP4582089B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Claims (74)

  1. ワークピースに対向して置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ装置用液体噴射回収システムであって、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されており、前記システムは、
    前記露光領域に近接して位置付けられた開口部を備える複数のノズル列と;
    流体制御デバイスであって、前記露光領域の一つまたはそれより多くの選択された側の一つまたはそれより多くのノズルをソースノズルとして選択し、且つ流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記ソースノズルを介して前記流体を前記露光領域に供給させる流体制御デバイスとを;備える液浸リソグラフィ装置用液体噴射回収システム。
  2. 前記流体制御デバイスはまた前記ノズルのうち選択された他のノズルを介して前記流体を前記露光領域から回収するよう機能する請求項1に記載のシステム。
  3. 前記流体制御デバイスは、前記ノズル列のうち前記露光領域の特定の側の一つの列を介して前記流体を露光領域に供給させ、且つ前記ノズル列のうち前記露光領域の対向する側の別の列を介して前記流体を露光領域から取り除く請求項2に記載のシステム。
  4. 前記流体制御デバイスは、前記ノズル列のうち、前記露光領域の互いに直交し隣接する特定の二つの側の二つの列を介して前記流体を露光領域に供給させ、且つ、前記ノズル列のうち前記露光領域の対向する側の列を介して前記流体を露光領域から取り除く請求項2に記載のシステム。
  5. 前記流体制御デバイスは、前記ノズル列のうち前記露光領域の互いに対向する二つの特定の側の二つの列を介して前記流体を露光領域に供給させ、且つ、前記ノズル列のうち前記露光領域の前記特定の側と直交する残りの側の他の列を介して前記流体を露光領域から取り除く請求項2に記載のシステム。
  6. 前記列は前記露光領域の周囲全体を実質的に取り囲み、上記流体制御デバイスは全ての列を介して前記流体を露光領域に供給させる請求項1に記載のシステム。
  7. 前記光学素子は、接触面にわたって互いに接触し且つ前記接触面上に形成された流路を有する一対の光学プレートを備え、前記流路は前記露光領域に接続し、前記流体制御デバイスは前記流体を前記流路を通過させる請求項1に記載のシステム。
  8. ワークピースに対向して置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ装置用液体噴射回収システムであって、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されており、前記システムは、
    前記露光領域を取り囲み且つ露光領域に近接して位置付けられた開口部を備える流体供給ノズル列と;
    前記流体供給ノズル列を取り囲む流体回収ノズル列と;
    流体制御デバイスであって、流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子との両方に接触するように、前記流体供給ノズル列から選択された一つまたはそれより多くの流体供給ノズル列を介して流体を前記露光領域に供給させ、且つ前記流体回収ノズル列から選択された一つまたはそれより多くの流体回収ノズル列を介して前記流体を前記露光領域から回収する流体制御デバイスとを;備える液浸リソグラフィ装置用液体噴射回収システム。
  9. 前記流体回収ノズル列は、前記露光領域に対して解放されている溝に開通している請求項8に記載のシステム。
  10. 前記光学素子は、接触面にわたって互いに接触し且つ前記接触面上に形成された流路を有する一対の光学プレートを備え、前記流路は露光領域に接続し、前記流体制御デバイスは流体を流路を通過させる請求項8に記載のシステム。
  11. ワークピースに対向して置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ方法であって、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されており、前記方法は、
    前記露光領域に近接して位置付けられた開口部を備えたノズル列であって、各ノズルがソースノズルまたは回収ノズルとして選択的に機能するよう適合されているノズル列を設ける工程と;
    少なくとも前記像のパターンが前記光学素子を介して前記ワークピース上に投影されている間は、流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記ノズル列から選択されたノズルを介して流体を前記露光領域に供給する工程とを;含む液浸リソグラフィ方法。
  12. 前記ノズルのうち選択された他のノズルを介して前記流体を前記露光領域から回収する工程をさらに含む、請求項11に記載の方法。
  13. 前記流体は、前記ノズル列のうち前記露光領域の特定の側の一つの列を介して露光領域に供給され、前記ノズル列のうち前記露光領域の対向する側の別の列を介して露光領域から取り除かれる請求項12に記載の方法。
  14. 前記流体は、前記ノズル列のうち前記露光領域の互いに直交し隣接する二つの特定の側の二つの列を介して露光領域に供給され、前記ノズル列のうち前記露光領域の対向する側の他の列を介して露光領域から取り除かれる請求項12に記載の方法。
  15. 前記流体は、前記ノズル列のうち前記露光領域の互いに対向する二つの特定の側の二つの列を介して露光領域に供給され、前記ノズル列のうち前記露光領域の前記特定の側と直交する残りの側の他の列を介して露光領域から取り除かれる請求項12に記載の方法。
  16. 前記列は前記露光領域の周囲全体を実質的に取り囲み、上記流体は前記列の全てを介して露光領域に供給される請求項11に記載の方法。
  17. 前記光学素子は、接触面にわたって互いに接触し且つ前記接触面上に形成された流路を有する一対の光学プレートを備え、前記流路は露光領域に接続し、前記流体は流路を通過させられる請求項11に記載の方法。
  18. ワークピースに対向して置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ方法であって、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されており、前記方法は、
    前記露光領域に近接して位置付けられ且つ前記露光領域を全ての側から取り囲む開口部を備える流体供給ノズル列を設ける工程と;
    前記流体供給ノズル列を取り囲む流体回収ノズル列を設ける工程と;
    流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと光学素子の両方に接触するように、前記流体供給ノズル列から選択された一つまたはそれより多くのノズル列を介して流体を前記露光領域に供給し、且つ、前記流体回収ノズル列から選択された一つまたはそれより多くのノズル列を介して前記流体を前記露光領域から回収する工程とを;含む液浸リソグラフィ方法。
  19. 前記流体回収ノズル列は、前記露光領域に対して解放されている溝に開通している請求項18に記載の方法。
  20. 前記光学素子は、接触面にわたって互いに接触し且つ前記接触面上に形成された流路を有する一対の光学プレートを備え、前記流路は露光領域に接続し、前記流体は前記流路を通過させられる請求項18に記載の方法。
  21. 像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ装置であって、
    レチクルを保持するように配置されたレチクルステージと;
    前記ワークピースを保持するように配置されたワーキングステージと;
    照明源と、前記ワークピースに対向して置かれる光学素子であって、前記レチクルからの像のパターンを前記光学素子を通じてワークピース上に投影させるための光学素子とを有し、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されている投影光学システムと;
    前記露光領域に近接して位置付けられた開口部を備えたノズル列であって、各ノズルがソースノズルまたは回収ノズルとして選択的に機能するよう適合されているノズル列と;
    流体制御デバイスであって、前記列のうち、前記露光領域の一つまたはそれより多くの選択された側の一つまたはそれより多くの列のノズルをソースノズルとして選択し、且つ流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記ソースノズルを介して流体を前記露光領域に供給させる流体制御デバイスとを備える液浸リソグラフィ装置。
  22. 像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ装置であって、
    レチクルを保持するように配置されたレチクルステージと;
    前記ワークピースを保持するように配置されたワーキングステージと;
    照明源と、前記ワークピースに対向して置かれる光学素子であって、前記レチクルからの像のパターンを前記光学素子を通じてワークピース上に投影させるための光学素子とを有し、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースとの間に画定されている投影光学システムと;
    前記露光領域を取り囲み且つ露光領域に近接して位置付けられた開口部を備える流体供給ノズル列と;
    前記流体供給ノズル列を取り囲む流体回収ノズル列と;
    流体制御デバイスであって、流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記流体供給ノズル列から選択された一つまたはそれより多くの流体供給ノズル列を介して流体を前記露光領域に供給し、且つ前記流体回収ノズル列から選択された一つまたはそれより多くの流体回収ノズル列を介して前記流体を回収する流体制御デバイスとを;備える液浸リソグラフィ装置。
  23. クレーム21に記載の液浸リソグラフィ装置を用いて製造された物体。
  24. クレーム22に記載の液浸リソグラフィ装置を用いて製造された物体。
  25. クレーム21に記載の液浸リソグラフィ装置によって像がその表面に形成されているウェハ。
  26. クレーム22に記載の液浸リソグラフィ装置によって像がその表面に形成されているウェハ。
  27. リソグラフィプロセスを使用する物体の製造方法であって、前記リソグラフィプロセスがクレーム21に記載の液浸リソグラフィ装置を利用する物体の製造方法。
  28. リソグラフィプロセスを使用する物体の製造方法であって、前記リソグラフィプロセスがクレーム22に記載の液浸リソグラフィ装置を利用する物体の製造方法。
  29. リソグラフィプロセスを使用するウェハのパターニング方法であって、前記リソグラフィプロセスがクレーム21に記載の液浸リソグラフィ装置を利用するパターニング方法。
  30. リソグラフィプロセスを使用するウェハのパターニング方法であって、前記リソグラフィプロセスがクレーム22に記載の液浸リソグラフィ装置を利用するパターニング方法。
  31. ワークピースを保持するように構成されたステージと;
    像を規定するレチクルを保持するように配置されたレチクルステージと;
    投影システムであって、照明源と、光学素子とを含み、前記レチクルによって規定された像を前記ワークピース上の露光領域に投影するように構成され、前記光学素子とワークピースとの間に隙間が有る投影システムと;
    前記隙間に隣接して配置された一つまたはそれより多くのノズルであって、液浸流体を前記隙間に供給するかまたは前記隙間から出ていく液浸流体を取り除くように選択的に構成された一つまたはそれより多くのノズルとを備えた装置。
  32. 前記ステージが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記液浸流体を前記ワークピース上の露光領域の手前で供給するように構成されている請求項31に記載の装置。
  33. 前記ステージが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記ワークピース上の露光領域の手前に位置付けられた第1ノズル列に配置されている請求項31に記載の装置。
  34. 前記ステージ上のワークピースが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記液浸流体を前記隙間から前記露光領域の後方で回収するように構成されている請求項31に記載の装置。
  35. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、流体を前記隙間に分注するように構成されている第1群と、前記流体を隙間から回収するように構成されている第2群とに配置されている請求項31に記載の装置。
  36. 制御システムであって、前記ステージ上のワークピースが第1走査方向に移動する時に、前記第1群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間に分注し且つ前記第2群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間から回収するように構成されており、且つ、前記ステージ上のワークピースが第2走査方向に移動する時に、前記第2群のノズルを制御して前記流体を隙間に分注し且つ前記第1群のノズルを制御して前記流体を隙間から回収するように構成されている制御システムをさらに備える請求項35に記載の装置。
  37. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記ワークピース上の露光領域の周辺に配置されている請求項31に記載の装置。
  38. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記露光領域の回りに同心パターンで配置されており、第1パターンが前記液浸流体を隙間に供給するように構成されたノズルを含み、第2パターンが前記液浸流体を隙間から回収するように構成されたノズルを含む請求項31に記載の装置。
  39. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記露光領域の一つの側の第1列及び前記露光領域の対向する側の第2列に配置されている請求項31に記載の装置。
  40. 前記一つまたはそれより多くのノズルと接続する一つまたはそれより多くの流路を更に備え、前記流路が前記液浸流体をノズルから隙間に分注するように構成されている請求項31に記載の装置。
  41. ワークピースを保持するように構成されたステージと;
    像を規定するレチクルを保持するように配置されたレチクルステージと;
    投影システムであって、照明源と、光学素子とを含み、前記レチクルによって規定された像を前記ワークピース上の露光領域に投影するように構成され、前記光学素子と前記ワークピースの間に隙間が有る投影システムと;
    前記隙間に隣接して配置され、液浸流体を前記隙間に供給するように構成されたソースノズルの組と;
    前記隙間に隣接して配置され、前記隙間から出て行く液浸流体を回収するように構成された回収ノズルの組とを;備えた装置。
  42. 前記ソースノズルが、前記露光領域の少なくとも二つの側に配置された請求項41に記載の装置。
  43. 前記ソースノズルが、前記露光領域の少なくとも四つの側に配置された請求項41に記載の装置。
  44. 前記回収ノズルが、前記露光領域の少なくとも二つの側に配置された請求項41に記載の装置。
  45. 前記回収ノズルが、前記露光領域の少なくとも四つの側に配置された請求項41に記載の装置。
  46. 前記回収ノズルが、前記露光領域の回りに第1パターンにて配置された請求項41に記載の装置。
  47. 前記ソースノズルが、前記露光領域の回りに第2パターンにて配置された請求項41に記載の装置。
  48. 前記ソースノズルの第2の同心状パターンが、前記回収ノズルの第1パターンと露光領域の間に設けられている請求項47に記載の装置。
  49. 前記ソースノズルがいつ液浸流体を前記隙間に供給するかを選択的に制御するように構成されている制御システムをさらに備える請求項41に記載の装置。
  50. 前記制御システムはさらに、前記ステージ上のワークピースが第一方向に走査する時に、前記ソースノズルに液浸流体を前記露光領域の手前で供給させるように構成されている請求項49に記載の装置。
  51. ワークピースに対向しワークピースとの間に隙間を設けて置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ方法であって、露光領域が前記光学素子及び前記ワークピースの間に画定されており、前記方法は、
    一つまたはそれより多くのノズルを前記隙間に隣接して設ける工程と;
    少なくとも前記像のパターンが前記光学素子を介して前記ワークピース上に投影されている間は、液浸流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記一つまたはそれより多くのノズルを介して液浸流体を前記隙間に供給するか、または、前記隙間から出て行く液浸流体を取り除くかを選択的に行う工程とを;含む液浸リソグラフィ方法。
  52. 前記ステージが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルは前記液浸流体を前記ワークピース上の露光領域の手前で供給するように構成されている請求項51に記載の方法。
  53. 前記ステージが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルは前記ワークピース上の露光領域の手前に位置付けられた第1ノズル列に配置されている請求項51に記載の方法。
  54. 前記ステージ上のワークピースが走査方向に移動する際に、前記一つまたはそれより多くのノズルは、前記液浸流体を前記露光領域の後方で前記隙間から回収するように構成されている請求項51に記載の方法。
  55. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、流体を前記隙間に分注するように構成されている第1群と、流体を隙間から回収するように構成されている第2群とに配置されている請求項51に記載の方法。
  56. 制御システムであって、前記ステージ上のワークピースが第1走査方向に移動する時に、前記第1群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間に分注し且つ前記第2群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間から回収するように構成されており、且つ、前記ステージのワークピースが第2走査方向に移動する時に、前記第2群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間に分注し且つ前記第1群のノズルを制御して前記液浸流体を隙間から回収するように構成されている、制御システムを備える工程をさらに含む請求項55に記載の方法
  57. 前記一つまたはそれより多くのノズルが前記ワークピース上の露光領域の周辺に配置されている請求項51に記載の方法。
  58. 前記一つまたはそれより多くのノズルが前記露光領域の回りに同心パターンで配置されており、第1パターンが前記液浸流体を隙間に供給するように構成されたノズルを含み、第2パターンが前記液浸流体を隙間から回収するように構成されたノズルを含む請求項51に記載の方法。
  59. 前記一つまたはそれより多くのノズルが、前記露光領域の一つの側の第1列及び前記露光領域の対向する側の第2列に配置されている請求項51に記載の方法。
  60. 前記一つまたはそれより多くのノズルと接続された一つまたはそれより多くの流路を更に備え、前記流路は前記液浸流体をノズルから隙間に分注するように構成されている請求項51に記載の方法。
  61. ワークピースに対向しワークピースとの間に隙間を設けて置かれた光学素子を介して像のパターンをワークピース上に投影させるための液浸リソグラフィ方法であって、露光領域が前記光学素子と前記ワークピースの間に画定されており、前記方法は、
    ソースノズルの組を前記隙間に隣接して備える工程と;
    回収ノズルの組を前記隙間に隣接して備える工程と;
    少なくとも前記像のパターンが前記光学素子を介してワークピース上に投影されている間は、流体が液浸リソグラフィのために前記ワークピースと前記光学素子の両方に接触するように、前記ソースノズルの組を介して流体を前記隙間に供給する工程と;
    前記隙間から出て行く前記液浸の流体を前記回収ノズルの組を介して取り除く工程とを;含む液浸リソグラフィ方法。
  62. 前記ソースノズルが、前記露光領域の少なくとも二つの側に配置されている請求項61に記載の方法。
  63. 前記ソースノズルが、前記露光領域の少なくとも四つの側に配置されている請求項61に記載の方法。
  64. 前記回収ノズルが、前記露光領域の少なくとも二つの側に配置されている請求項61に記載の方法。
  65. 前記回収ノズルが、前記露光領域の少なくとも四つの側に配置されている請求項61に記載の方法。
  66. 前記回収ノズルが、前記露光領域の回りに第1パターンにて配置されている請求項61に記載の方法。
  67. 前記ソースノズルが、前記露光領域の回りに第2パターンにて配置されている請求項66に記載の方法。
  68. 前記ソースノズルの第2の同心状パターンが、前記回収ノズルの第1パターンと露光領域の間に設けられている請求項67に記載の方法。
  69. 前記ソースノズルがいつ液浸流体を前記隙間に供給するかを選択的に制御するように構成されている制御システムを設けることをさらに含む請求項61に記載の方法。
  70. 前記制御システムはさらに、前記ステージ上のワークピースが第1方向に走査する時に、前記ソースノズルに液浸流体を前記露光領域の手前で供給させるように構成されている請求項69に記載の方法
  71. 前記液浸流体と前記一つまたはそれより多くのノズルとの間にそれぞれ流体を連通させる一つまたはそれより多くの溝をさらに備える請求項31に記載の装置。
  72. 前記液浸流体と前記一つまたはそれより多くのノズルとの間にそれぞれ流体を連通させる一つまたはそれより多くの溝をさらに備える請求項41に記載の装置。
  73. 前記隙間から出ていく液浸流体を取り除く工程が、前記液浸流体と前記一つまたはそれより多くのノズルとの間に流体を連通させる一つまたはそれより多くの溝を介して、前記流体を取り除くことをさらに含む請求項51に記載の方法。
  74. 前記液浸流体と前記回収ノズルとの間で流体を連通させる一つまたはそれより多くの溝を備えることをさらに含む請求項61に記載の方法。
JP2006509591A 2003-04-11 2004-04-01 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム Expired - Fee Related JP4582089B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US46278603P 2003-04-11 2003-04-11
PCT/US2004/010071 WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-04-01 Liquid jet and recovery system for immersion lithography

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006523029A JP2006523029A (ja) 2006-10-05
JP2006523029A5 true JP2006523029A5 (ja) 2007-07-19
JP4582089B2 JP4582089B2 (ja) 2010-11-17

Family

ID=33299990

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006509591A Expired - Fee Related JP4582089B2 (ja) 2003-04-11 2004-04-01 液浸リソグラフィ用の液体噴射回収システム

Country Status (3)

Country Link
US (9) US7443482B2 (ja)
JP (1) JP4582089B2 (ja)
WO (1) WO2004092830A2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8817231B2 (en) 2004-11-12 2014-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure

Families Citing this family (167)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10503084B2 (en) 2002-11-12 2019-12-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US9482966B2 (en) 2002-11-12 2016-11-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20120127755A (ko) 2002-12-10 2012-11-23 가부시키가이샤 니콘 노광장치 및 디바이스 제조방법
EP1571698A4 (en) 2002-12-10 2006-06-21 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS, EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD
US7242455B2 (en) 2002-12-10 2007-07-10 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20130010039A (ko) 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7948604B2 (en) 2002-12-10 2011-05-24 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
EP1571694A4 (en) 2002-12-10 2008-10-15 Nikon Corp EXPOSURE APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE DEVICE
DE10261775A1 (de) 2002-12-20 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Vorrichtung zur optischen Vermessung eines Abbildungssystems
EP3301511A1 (en) 2003-02-26 2018-04-04 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
JP4353179B2 (ja) 2003-03-25 2009-10-28 株式会社ニコン 露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法
ATE426914T1 (de) 2003-04-07 2009-04-15 Nikon Corp Belichtungsgerat und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
KR101409565B1 (ko) 2003-04-10 2014-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
SG10201604762UA (en) 2003-04-10 2016-08-30 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004090577A2 (en) 2003-04-11 2004-10-21 Nikon Corporation Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens
WO2004092830A2 (en) 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
TWI295414B (en) 2003-05-13 2008-04-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI614794B (zh) 2003-05-23 2018-02-11 Nikon Corp 曝光方法及曝光裝置以及元件製造方法
TWI518742B (zh) 2003-05-23 2016-01-21 尼康股份有限公司 A method of manufacturing an exposure apparatus and an element
KR20060009956A (ko) 2003-05-28 2006-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US7213963B2 (en) 2003-06-09 2007-05-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684008B2 (en) 2003-06-11 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101520591B1 (ko) 2003-06-13 2015-05-14 가부시키가이샤 니콘 노광 방법, 기판 스테이지, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법
US6867844B2 (en) * 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
CN101436003B (zh) 2003-06-19 2011-08-17 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
DE60308161T2 (de) 2003-06-27 2007-08-09 Asml Netherlands B.V. Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung eines Artikels
JP3862678B2 (ja) 2003-06-27 2006-12-27 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
EP2853943B1 (en) 2003-07-08 2016-11-16 Nikon Corporation Wafer table for immersion lithography
EP1646075B1 (en) 2003-07-09 2011-06-15 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
WO2005006416A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 結合装置、露光装置、及びデバイス製造方法
WO2005006418A1 (ja) 2003-07-09 2005-01-20 Nikon Corporation 露光装置及びデバイス製造方法
JP4524669B2 (ja) 2003-07-25 2010-08-18 株式会社ニコン 投影光学系の検査方法および検査装置
KR101599649B1 (ko) 2003-07-28 2016-03-14 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법, 그리고 노광 장치의 제어 방법
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
EP1503244A1 (en) 2003-07-28 2005-02-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus and device manufacturing method
US7779781B2 (en) 2003-07-31 2010-08-24 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2278402B1 (en) * 2003-08-26 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8149381B2 (en) 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
KR101380989B1 (ko) 2003-08-29 2014-04-04 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101477850B1 (ko) * 2003-08-29 2014-12-30 가부시키가이샤 니콘 액체회수장치, 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
EP2261740B1 (en) * 2003-08-29 2014-07-09 ASML Netherlands BV Lithographic apparatus
TWI263859B (en) 2003-08-29 2006-10-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4288426B2 (ja) * 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
JP4444920B2 (ja) 2003-09-19 2010-03-31 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
KR101441840B1 (ko) 2003-09-29 2014-11-04 가부시키가이샤 니콘 노광장치, 노광방법 및 디바이스 제조방법
KR101203028B1 (ko) 2003-10-08 2012-11-21 가부시키가이샤 자오 니콘 기판 반송 장치 및 기판 반송 방법, 노광 장치 및 노광 방법, 디바이스 제조 방법
KR20060126949A (ko) 2003-10-08 2006-12-11 가부시키가이샤 니콘 기판 반송 장치와 기판 반송 방법, 노광 장치와 노광 방법,및 디바이스 제조 방법
TW200514138A (en) 2003-10-09 2005-04-16 Nippon Kogaku Kk Exposure equipment and exposure method, manufacture method of component
KR20140049044A (ko) * 2003-10-22 2014-04-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 디바이스의 제조 방법
US7411653B2 (en) 2003-10-28 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7352433B2 (en) 2003-10-28 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528929B2 (en) 2003-11-14 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101394764B1 (ko) 2003-12-03 2014-05-27 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법, 그리고 광학 부품
KR101547037B1 (ko) 2003-12-15 2015-08-24 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 노광 장치, 및 노광 방법
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2005191394A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc 露光方法及び装置
WO2005071491A2 (en) 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7589822B2 (en) 2004-02-02 2009-09-15 Nikon Corporation Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method
KR101227211B1 (ko) 2004-02-03 2013-01-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4220423B2 (ja) 2004-03-24 2009-02-04 株式会社東芝 レジストパターン形成方法
KR101851511B1 (ko) 2004-03-25 2018-04-23 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
US7898642B2 (en) 2004-04-14 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054448B2 (en) 2004-05-04 2011-11-08 Nikon Corporation Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography
US7616383B2 (en) 2004-05-18 2009-11-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN1954408B (zh) * 2004-06-04 2012-07-04 尼康股份有限公司 曝光装置、曝光方法及元件制造方法
US20070103661A1 (en) * 2004-06-04 2007-05-10 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
CN100594430C (zh) 2004-06-04 2010-03-17 卡尔蔡司Smt股份公司 用于测量光学成像系统的图像质量的系统
EP2966670B1 (en) 2004-06-09 2017-02-22 Nikon Corporation Exposure apparatus and device manufacturing method
KR20170010906A (ko) 2004-06-10 2017-02-01 가부시키가이샤 니콘 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법
US20070222959A1 (en) * 2004-06-10 2007-09-27 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device
US7463330B2 (en) 2004-07-07 2008-12-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102004033195A1 (de) * 2004-07-09 2006-02-23 Leica Microsystems Semiconductor Gmbh Vorrichtung zur Inspektion eines mikroskopischen Bauteils
KR101433491B1 (ko) 2004-07-12 2014-08-22 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
EP1801853A4 (en) 2004-08-18 2008-06-04 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND COMPONENT MANUFACTURING METHOD
US7701550B2 (en) 2004-08-19 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7133114B2 (en) 2004-09-20 2006-11-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN100533662C (zh) 2004-11-01 2009-08-26 株式会社尼康 曝光装置及器件制造方法
US7411657B2 (en) 2004-11-17 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7446850B2 (en) 2004-12-03 2008-11-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7196770B2 (en) 2004-12-07 2007-03-27 Asml Netherlands B.V. Prewetting of substrate before immersion exposure
US7365827B2 (en) 2004-12-08 2008-04-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7352440B2 (en) 2004-12-10 2008-04-01 Asml Netherlands B.V. Substrate placement in immersion lithography
US7403261B2 (en) 2004-12-15 2008-07-22 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7528931B2 (en) 2004-12-20 2009-05-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7880860B2 (en) 2004-12-20 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7491661B2 (en) 2004-12-28 2009-02-17 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method, top coat material and substrate
US7405805B2 (en) 2004-12-28 2008-07-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124351A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG124359A1 (en) 2005-01-14 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4591093B2 (ja) * 2005-01-18 2010-12-01 Jsr株式会社 走査型露光方法
US8692973B2 (en) 2005-01-31 2014-04-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and method for producing device
KR20160135859A (ko) 2005-01-31 2016-11-28 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
CN102385260B (zh) 2005-02-10 2014-11-05 Asml荷兰有限公司 浸没液体、曝光装置及曝光方法
US7378025B2 (en) 2005-02-22 2008-05-27 Asml Netherlands B.V. Fluid filtration method, fluid filtered thereby, lithographic apparatus and device manufacturing method
US7224431B2 (en) 2005-02-22 2007-05-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8018573B2 (en) 2005-02-22 2011-09-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006093208A1 (ja) * 2005-02-28 2006-09-08 Nikon Corporation 顕微鏡用アダプタおよび顕微鏡装置
US7428038B2 (en) 2005-02-28 2008-09-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and apparatus for de-gassing a liquid
US7282701B2 (en) 2005-02-28 2007-10-16 Asml Netherlands B.V. Sensor for use in a lithographic apparatus
US7324185B2 (en) 2005-03-04 2008-01-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7684010B2 (en) 2005-03-09 2010-03-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, seal structure, method of removing an object and a method of sealing
US7330238B2 (en) 2005-03-28 2008-02-12 Asml Netherlands, B.V. Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method
US7411654B2 (en) 2005-04-05 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7291850B2 (en) 2005-04-08 2007-11-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
USRE43576E1 (en) 2005-04-08 2012-08-14 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US20060232753A1 (en) 2005-04-19 2006-10-19 Asml Holding N.V. Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow
KR101479392B1 (ko) * 2005-04-28 2015-01-05 가부시키가이샤 니콘 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
US7433016B2 (en) 2005-05-03 2008-10-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8248577B2 (en) 2005-05-03 2012-08-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
EP1881521B1 (en) * 2005-05-12 2014-07-23 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus and exposure method
US7652746B2 (en) 2005-06-21 2010-01-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7474379B2 (en) * 2005-06-28 2009-01-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7834974B2 (en) 2005-06-28 2010-11-16 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8054445B2 (en) 2005-08-16 2011-11-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7411658B2 (en) 2005-10-06 2008-08-12 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7864292B2 (en) 2005-11-16 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7804577B2 (en) 2005-11-16 2010-09-28 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
NL1030446C2 (nl) * 2005-11-16 2007-05-21 Taiwan Semiconductor Mfg Inrichting en werkwijze voor immersielithografie.
FR2893429B1 (fr) * 2005-11-17 2009-05-08 Taiwan Semiconductor Mfg Dispositif et procede pour la lithographie par immersion
US7633073B2 (en) 2005-11-23 2009-12-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7773195B2 (en) 2005-11-29 2010-08-10 Asml Holding N.V. System and method to increase surface tension and contact angle in immersion lithography
US7420194B2 (en) 2005-12-27 2008-09-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and substrate edge seal
US7649611B2 (en) 2005-12-30 2010-01-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8045134B2 (en) 2006-03-13 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
JP4889331B2 (ja) * 2006-03-22 2012-03-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
EP2535744A3 (en) * 2006-04-03 2013-10-09 Nikon Corporation Incidence surfaces and optical windows that are solvophobic to immersion liquids used in an immersion microlithography system
US7701551B2 (en) * 2006-04-14 2010-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9477158B2 (en) 2006-04-14 2016-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE102006021797A1 (de) 2006-05-09 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Optische Abbildungseinrichtung mit thermischer Dämpfung
US7952803B2 (en) * 2006-05-15 2011-05-31 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8208116B2 (en) * 2006-11-03 2012-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion lithography system using a sealed wafer bath
US8045135B2 (en) 2006-11-22 2011-10-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus with a fluid combining unit and related device manufacturing method
US8634053B2 (en) 2006-12-07 2014-01-21 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9632425B2 (en) 2006-12-07 2017-04-25 Asml Holding N.V. Lithographic apparatus, a dryer and a method of removing liquid from a surface
US7755740B2 (en) * 2007-02-07 2010-07-13 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus
JP4366407B2 (ja) * 2007-02-16 2009-11-18 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US8237911B2 (en) 2007-03-15 2012-08-07 Nikon Corporation Apparatus and methods for keeping immersion fluid adjacent to an optical assembly during wafer exchange in an immersion lithography machine
US8947629B2 (en) 2007-05-04 2015-02-03 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
US9013672B2 (en) 2007-05-04 2015-04-21 Asml Netherlands B.V. Cleaning device, a lithographic apparatus and a lithographic apparatus cleaning method
NL1036253A1 (nl) * 2007-12-10 2009-06-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP2009267235A (ja) 2008-04-28 2009-11-12 Canon Inc 露光装置
EP2131241B1 (en) * 2008-05-08 2019-07-31 ASML Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
ATE548679T1 (de) 2008-05-08 2012-03-15 Asml Netherlands Bv Lithografische immersionsvorrichtung, trocknungsvorrichtung, immersionsmetrologievorrichtung und verfahren zur herstellung einer vorrichtung
US8421993B2 (en) * 2008-05-08 2013-04-16 Asml Netherlands B.V. Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method
EP2128703A1 (en) 2008-05-28 2009-12-02 ASML Netherlands BV Lithographic Apparatus and a Method of Operating the Apparatus
JP4922359B2 (ja) 2008-07-25 2012-04-25 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体ハンドリング構造、リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
NL2003333A (en) 2008-10-23 2010-04-26 Asml Netherlands Bv Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2004102A (en) * 2009-02-25 2010-08-26 Asml Holding Nv A fluid handling device, an immersion lithographic apparatus and a device manufacturing method.
JP5016705B2 (ja) * 2009-06-09 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 流体ハンドリング構造
NL2005207A (en) 2009-09-28 2011-03-29 Asml Netherlands Bv Heat pipe, lithographic apparatus and device manufacturing method.
EP2381310B1 (en) 2010-04-22 2015-05-06 ASML Netherlands BV Fluid handling structure and lithographic apparatus
SG188036A1 (en) 2011-08-18 2013-03-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, support table for a lithographic apparatus and device manufacturing method
US9152929B2 (en) 2013-01-23 2015-10-06 Splunk Inc. Real time display of statistics and values for selected regular expressions
US11343864B2 (en) * 2014-04-25 2022-05-24 Lenovo (Singapore) Pte. Ltd. Device pairing
CN105793960B (zh) * 2014-06-12 2018-09-11 富士电机株式会社 杂质添加装置、杂质添加方法以及半导体元件的制造方法
US20160155077A1 (en) * 2014-12-02 2016-06-02 Opower, Inc. Generating a green business guide
US20170163565A1 (en) * 2015-12-04 2017-06-08 Bank Of America Corporation System for analysis of resource usage and availability
US11199771B2 (en) * 2016-10-20 2021-12-14 Asml Netherlands B.V. Pressure control valve, a fluid handling structure for lithographic apparatus and a lithographic apparatus
US10948830B1 (en) 2019-12-23 2021-03-16 Waymo Llc Systems and methods for lithography

Family Cites Families (136)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346164A (en) 1980-10-06 1982-08-24 Werner Tabarelli Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits
JPS57153433A (en) 1981-03-18 1982-09-22 Hitachi Ltd Manufacturing device for semiconductor
JPS58202448A (ja) 1982-05-21 1983-11-25 Hitachi Ltd 露光装置
JPS5919912A (ja) 1982-07-26 1984-02-01 Hitachi Ltd 液浸距離保持装置
DD221563A1 (de) * 1983-09-14 1985-04-24 Mikroelektronik Zt Forsch Tech Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur
DD224448A1 (de) 1984-03-01 1985-07-03 Zeiss Jena Veb Carl Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung
JPS6265326A (ja) 1985-09-18 1987-03-24 Hitachi Ltd 露光装置
JPS63157419A (ja) 1986-12-22 1988-06-30 Toshiba Corp 微細パタ−ン転写装置
JPH04305915A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH04305917A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Nikon Corp 密着型露光装置
JPH0562877A (ja) 1991-09-02 1993-03-12 Yasuko Shinohara 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系
JPH06124873A (ja) 1992-10-09 1994-05-06 Canon Inc 液浸式投影露光装置
JP2753930B2 (ja) 1992-11-27 1998-05-20 キヤノン株式会社 液浸式投影露光装置
JPH07220990A (ja) 1994-01-28 1995-08-18 Hitachi Ltd パターン形成方法及びその露光装置
JPH08316124A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
JPH08316125A (ja) 1995-05-19 1996-11-29 Hitachi Ltd 投影露光方法及び露光装置
EP0780345A1 (en) * 1995-12-22 1997-06-25 Corning Incorporated Optical element for UV transmission
US5825043A (en) * 1996-10-07 1998-10-20 Nikon Precision Inc. Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus
JPH1133506A (ja) * 1997-07-24 1999-02-09 Tadahiro Omi 流体処理装置及び洗浄処理システム
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3817836B2 (ja) 1997-06-10 2006-09-06 株式会社ニコン 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法
JPH11176727A (ja) 1997-12-11 1999-07-02 Nikon Corp 投影露光装置
AU2747999A (en) * 1998-03-26 1999-10-18 Nikon Corporation Projection exposure method and system
JP2000058436A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Nikon Corp 投影露光装置及び露光方法
US6995930B2 (en) 1999-12-29 2006-02-07 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7187503B2 (en) 1999-12-29 2007-03-06 Carl Zeiss Smt Ag Refractive projection objective for immersion lithography
TW591653B (en) * 2000-08-08 2004-06-11 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing an optically scannable information carrier
KR100866818B1 (ko) 2000-12-11 2008-11-04 가부시키가이샤 니콘 투영광학계 및 이 투영광학계를 구비한 노광장치
WO2002091078A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Massachusetts Institute Of Technology Methods and apparatus employing an index matching medium
US6970232B2 (en) * 2001-10-30 2005-11-29 Asml Netherlands B.V. Structures and methods for reducing aberration in integrated circuit fabrication systems
US7092069B2 (en) 2002-03-08 2006-08-15 Carl Zeiss Smt Ag Projection exposure method and projection exposure system
DE10210899A1 (de) 2002-03-08 2003-09-18 Zeiss Carl Smt Ag Refraktives Projektionsobjektiv für Immersions-Lithographie
DE10229818A1 (de) 2002-06-28 2004-01-15 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Fokusdetektion und Abbildungssystem mit Fokusdetektionssystem
US7362508B2 (en) 2002-08-23 2008-04-22 Nikon Corporation Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same
US6954993B1 (en) 2002-09-30 2005-10-18 Lam Research Corporation Concentric proximity processing head
US6988326B2 (en) 2002-09-30 2006-01-24 Lam Research Corporation Phobic barrier meniscus separation and containment
US7093375B2 (en) 2002-09-30 2006-08-22 Lam Research Corporation Apparatus and method for utilizing a meniscus in substrate processing
US7367345B1 (en) 2002-09-30 2008-05-06 Lam Research Corporation Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography
US6788477B2 (en) 2002-10-22 2004-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus for method for immersion lithography
SG121822A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI232357B (en) 2002-11-12 2005-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG121819A1 (en) 2002-11-12 2006-05-26 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
CN101424881B (zh) 2002-11-12 2011-11-30 Asml荷兰有限公司 光刻投射装置
US7110081B2 (en) 2002-11-12 2006-09-19 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60335595D1 (de) 2002-11-12 2011-02-17 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE10253679A1 (de) 2002-11-18 2004-06-03 Infineon Technologies Ag Optische Einrichtung zur Verwendung bei einem Lithographie-Verfahren, insbesondere zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements, sowie optisches Lithographieverfahren
SG131766A1 (en) 2002-11-18 2007-05-28 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10258718A1 (de) 2002-12-09 2004-06-24 Carl Zeiss Smt Ag Projektionsobjektiv, insbesondere für die Mikrolithographie, sowie Verfahren zur Abstimmung eines Projektionsobjektives
EP1571700A4 (en) * 2002-12-10 2007-09-12 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND PROJECTION EXPOSURE DEVICE USING THE OPTICAL DEVICE
EP1429190B1 (en) 2002-12-10 2012-05-09 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
KR20130010039A (ko) * 2002-12-10 2013-01-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP4184346B2 (ja) 2002-12-13 2008-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 層上のスポットを照射するための方法及び装置における液体除去
USRE48515E1 (en) 2002-12-19 2021-04-13 Asml Netherlands B.V. Method and device for irradiating spots on a layer
DE60307322T2 (de) 2002-12-19 2007-10-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts
US7010958B2 (en) 2002-12-19 2006-03-14 Asml Holding N.V. High-resolution gas gauge proximity sensor
US6781670B2 (en) 2002-12-30 2004-08-24 Intel Corporation Immersion lithography
JP4266310B2 (ja) * 2003-01-31 2009-05-20 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 感光性樹脂組成物および該組成物を用いた樹脂パターンの形成方法
US7090964B2 (en) 2003-02-21 2006-08-15 Asml Holding N.V. Lithographic printing with polarized light
US7206059B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US6943941B2 (en) 2003-02-27 2005-09-13 Asml Netherlands B.V. Stationary and dynamic radial transverse electric polarizer for high numerical aperture systems
US7029832B2 (en) 2003-03-11 2006-04-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Immersion lithography methods using carbon dioxide
US20050164522A1 (en) 2003-03-24 2005-07-28 Kunz Roderick R. Optical fluids, and systems and methods of making and using the same
KR101177331B1 (ko) 2003-04-09 2012-08-30 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 유체 제어 시스템
EP2921905B1 (en) 2003-04-10 2017-12-27 Nikon Corporation Run-off path to collect liquid for an immersion lithography apparatus
WO2004090633A2 (en) 2003-04-10 2004-10-21 Nikon Corporation An electro-osmotic element for an immersion lithography apparatus
KR101409565B1 (ko) 2003-04-10 2014-06-19 가부시키가이샤 니콘 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템
SG10201604762UA (en) 2003-04-10 2016-08-30 Nikon Corp Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus
WO2004092830A2 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Nikon Corporation Liquid jet and recovery system for immersion lithography
SG10201803122UA (en) 2003-04-11 2018-06-28 Nikon Corp Immersion lithography apparatus and device manufacturing method
WO2004090577A2 (en) 2003-04-11 2004-10-21 Nikon Corporation Maintaining immersion fluid under a lithographic projection lens
ATE542167T1 (de) 2003-04-17 2012-02-15 Nikon Corp Lithographisches immersionsgerät
JP4025683B2 (ja) 2003-05-09 2007-12-26 松下電器産業株式会社 パターン形成方法及び露光装置
JP4146755B2 (ja) 2003-05-09 2008-09-10 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
DE10324477A1 (de) 2003-05-30 2004-12-30 Carl Zeiss Smt Ag Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
JP4084710B2 (ja) 2003-06-12 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4054285B2 (ja) 2003-06-12 2008-02-27 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6867844B2 (en) 2003-06-19 2005-03-15 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles
JP4084712B2 (ja) 2003-06-23 2008-04-30 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
JP4029064B2 (ja) 2003-06-23 2008-01-09 松下電器産業株式会社 パターン形成方法
US6809794B1 (en) 2003-06-27 2004-10-26 Asml Holding N.V. Immersion photolithography system and method using inverted wafer-projection optics interface
WO2005006026A2 (en) 2003-07-01 2005-01-20 Nikon Corporation Using isotopically specified fluids as optical elements
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
US7006209B2 (en) 2003-07-25 2006-02-28 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7175968B2 (en) 2003-07-28 2007-02-13 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and a substrate
US7326522B2 (en) 2004-02-11 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Device manufacturing method and a substrate
US7700267B2 (en) 2003-08-11 2010-04-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Immersion fluid for immersion lithography, and method of performing immersion lithography
US7061578B2 (en) 2003-08-11 2006-06-13 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for monitoring and controlling imaging in immersion lithography systems
US7579135B2 (en) 2003-08-11 2009-08-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Lithography apparatus for manufacture of integrated circuits
US7085075B2 (en) 2003-08-12 2006-08-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objectives including a plurality of mirrors with lenses ahead of mirror M3
US6844206B1 (en) 2003-08-21 2005-01-18 Advanced Micro Devices, Llp Refractive index system monitor and control for immersion lithography
EP2278402B1 (en) * 2003-08-26 2013-03-06 Nikon Corporation Exposure apparatus
US8149381B2 (en) * 2003-08-26 2012-04-03 Nikon Corporation Optical element and exposure apparatus
US6954256B2 (en) 2003-08-29 2005-10-11 Asml Netherlands B.V. Gradient immersion lithography
US7070915B2 (en) 2003-08-29 2006-07-04 Tokyo Electron Limited Method and system for drying a substrate
US7014966B2 (en) 2003-09-02 2006-03-21 Advanced Micro Devices, Inc. Method and apparatus for elimination of bubbles in immersion medium in immersion lithography systems
JP4288426B2 (ja) 2003-09-03 2009-07-01 株式会社ニコン 液浸リソグラフィのための流体の供給装置及び方法
US6961186B2 (en) 2003-09-26 2005-11-01 Takumi Technology Corp. Contact printing using a magnified mask image
US7369217B2 (en) 2003-10-03 2008-05-06 Micronic Laser Systems Ab Method and device for immersion lithography
US7678527B2 (en) 2003-10-16 2010-03-16 Intel Corporation Methods and compositions for providing photoresist with improved properties for contacting liquids
EP1685446A2 (en) 2003-11-05 2006-08-02 DSM IP Assets B.V. A method and apparatus for producing microchips
US7924397B2 (en) 2003-11-06 2011-04-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Anti-corrosion layer on objective lens for liquid immersion lithography applications
US8854602B2 (en) 2003-11-24 2014-10-07 Asml Netherlands B.V. Holding device for an optical element in an objective
US7545481B2 (en) 2003-11-24 2009-06-09 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7125652B2 (en) 2003-12-03 2006-10-24 Advanced Micro Devices, Inc. Immersion lithographic process using a conforming immersion medium
WO2005059617A2 (en) 2003-12-15 2005-06-30 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective having a high aperture and a planar end surface
US7385764B2 (en) 2003-12-15 2008-06-10 Carl Zeiss Smt Ag Objectives as a microlithography projection objective with at least one liquid lens
JP5102492B2 (ja) 2003-12-19 2012-12-19 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結晶素子を有するマイクロリソグラフィー投影用対物レンズ
US7460206B2 (en) 2003-12-19 2008-12-02 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for immersion lithography
US20050185269A1 (en) 2003-12-19 2005-08-25 Carl Zeiss Smt Ag Catadioptric projection objective with geometric beam splitting
US7589818B2 (en) 2003-12-23 2009-09-15 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, alignment apparatus, device manufacturing method, and a method of converting an apparatus
US7394521B2 (en) 2003-12-23 2008-07-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7119884B2 (en) 2003-12-24 2006-10-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20050147920A1 (en) 2003-12-30 2005-07-07 Chia-Hui Lin Method and system for immersion lithography
US7088422B2 (en) 2003-12-31 2006-08-08 International Business Machines Corporation Moving lens for immersion optical lithography
JP4371822B2 (ja) 2004-01-06 2009-11-25 キヤノン株式会社 露光装置
JP4429023B2 (ja) 2004-01-07 2010-03-10 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法
US20050153424A1 (en) 2004-01-08 2005-07-14 Derek Coon Fluid barrier with transparent areas for immersion lithography
KR101288187B1 (ko) 2004-01-14 2013-07-19 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 반사굴절식 투영 대물렌즈
CN1910522B (zh) 2004-01-16 2010-05-26 卡尔蔡司Smt股份公司 偏振调制光学元件
WO2005069078A1 (en) 2004-01-19 2005-07-28 Carl Zeiss Smt Ag Microlithographic projection exposure apparatus with immersion projection lens
WO2005071491A2 (en) 2004-01-20 2005-08-04 Carl Zeiss Smt Ag Exposure apparatus and measuring device for a projection lens
US7026259B2 (en) 2004-01-21 2006-04-11 International Business Machines Corporation Liquid-filled balloons for immersion lithography
US7391501B2 (en) 2004-01-22 2008-06-24 Intel Corporation Immersion liquids with siloxane polymer for immersion lithography
KR20070039869A (ko) 2004-02-03 2007-04-13 브루스 더블유. 스미스 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템
WO2005076084A1 (en) 2004-02-09 2005-08-18 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
US7050146B2 (en) 2004-02-09 2006-05-23 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2005081067A1 (en) 2004-02-13 2005-09-01 Carl Zeiss Smt Ag Projection objective for a microlithographic projection exposure apparatus
WO2005081030A1 (en) 2004-02-18 2005-09-01 Corning Incorporated Catadioptric imaging system for high numerical aperture imaging with deep ultraviolet light
US20050205108A1 (en) 2004-03-16 2005-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method and system for immersion lithography lens cleaning
US7027125B2 (en) 2004-03-25 2006-04-11 International Business Machines Corporation System and apparatus for photolithography
US7084960B2 (en) 2004-03-29 2006-08-01 Intel Corporation Lithography using controlled polarization
US7034917B2 (en) 2004-04-01 2006-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US7227619B2 (en) 2004-04-01 2007-06-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7091502B2 (en) * 2004-05-12 2006-08-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd. Apparatus and method for immersion lithography
US7812926B2 (en) * 2005-08-31 2010-10-12 Nikon Corporation Optical element, exposure apparatus based on the use of the same, exposure method, and method for producing microdevice
US20090086338A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Carl Zeiss Smt Ag High Aperture Folded Catadioptric Projection Objective

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8817231B2 (en) 2004-11-12 2014-08-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method involving a liquid confinement structure

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006523029A5 (ja)
US7583358B2 (en) Systems and methods for retrieving residual liquid during immersion lens photolithography
US20190129311A1 (en) Liquid jet and recovery system for immersion lithography
JP2012164992A5 (ja)
JP2010098333A5 (ja)
TW200942980A (en) Exposure apparatus, moving body driving system, pattern forming apparatus, exposure method and device manufacturing method
JP4451385B2 (ja) 塗布処理装置及び塗布処理方法
KR100897240B1 (ko) 세정장치를 구비한 슬릿코터
KR100901459B1 (ko) 약액 공급 장치
KR101671496B1 (ko) 약액 처리 장치
JP4354434B2 (ja) 吸入ユニットアセンブリー
KR100292322B1 (ko) 기판처리장치및기판반송방법
WO2002073672A1 (fr) Dispositif de traitement de substrat
TWM249206U (en) Substrate processing apparatus
JP2007160301A (ja) 回転ロールの洗浄機構及び回転ロールの洗浄方法
JP5790085B2 (ja) 洗浄装置
JP2010021370A (ja) 液浸露光装置およびデバイス製造方法
JP2020110802A (ja) インプリント装置および液体吐出装置
KR100534099B1 (ko) 포토레지스트 현상장비
US20220363060A1 (en) Multifunctional printhead service station with multi-axis motions
JP3223133U (ja) 洗浄装置
KR101264937B1 (ko) 회전 롤의 세정 기구 및 회전 롤의 세정 방법
KR20090000877A (ko) 서브-홀더를 갖는 이머젼 리소그래피용 노광 장치
JP2024039403A (ja) 吐出装置、基板処理装置及び物品の製造方法
JP2006060248A5 (ja)