JP2006315947A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2006315947A5
JP2006315947A5 JP2006109099A JP2006109099A JP2006315947A5 JP 2006315947 A5 JP2006315947 A5 JP 2006315947A5 JP 2006109099 A JP2006109099 A JP 2006109099A JP 2006109099 A JP2006109099 A JP 2006109099A JP 2006315947 A5 JP2006315947 A5 JP 2006315947A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nitride semiconductor
plane
wafer
semiconductor wafer
bars
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006109099A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP4915128B2 (ja
JP2006315947A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006109099A priority Critical patent/JP4915128B2/ja
Priority claimed from JP2006109099A external-priority patent/JP4915128B2/ja
Publication of JP2006315947A publication Critical patent/JP2006315947A/ja
Publication of JP2006315947A5 publication Critical patent/JP2006315947A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4915128B2 publication Critical patent/JP4915128B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

JP2006109099A 2005-04-11 2006-04-11 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法 Expired - Fee Related JP4915128B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006109099A JP4915128B2 (ja) 2005-04-11 2006-04-11 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005113526 2005-04-11
JP2005113526 2005-04-11
JP2006109099A JP4915128B2 (ja) 2005-04-11 2006-04-11 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2006315947A JP2006315947A (ja) 2006-11-24
JP2006315947A5 true JP2006315947A5 (enExample) 2009-05-21
JP4915128B2 JP4915128B2 (ja) 2012-04-11

Family

ID=37536938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006109099A Expired - Fee Related JP4915128B2 (ja) 2005-04-11 2006-04-11 窒化物半導体ウエハ及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4915128B2 (enExample)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it

Families Citing this family (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8476158B2 (en) 2006-06-14 2013-07-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of preparing and storing GaN substrate, prepared and stored GaN substrate, and semiconductor device and method of its manufacture
CN101535533A (zh) * 2006-11-17 2009-09-16 住友电气工业株式会社 制造ⅲ族氮化物晶体的方法
US9064706B2 (en) 2006-11-17 2015-06-23 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Composite of III-nitride crystal on laterally stacked substrates
JP5332168B2 (ja) 2006-11-17 2013-11-06 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2008133151A (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Sumitomo Electric Ind Ltd 結晶成長方法、結晶基板、および半導体デバイス
JP2008153285A (ja) * 2006-12-14 2008-07-03 Rohm Co Ltd 窒化物半導体装置および窒化物半導体製造方法
JP2008159606A (ja) * 2006-12-20 2008-07-10 Rohm Co Ltd 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP4924185B2 (ja) * 2007-04-27 2012-04-25 住友電気工業株式会社 窒化物半導体発光素子
JP5040708B2 (ja) * 2007-05-17 2012-10-03 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶の製造方法
JP2008285364A (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ基板、それを用いたエピタキシャル基板及び半導体発光素子
WO2008143166A1 (ja) * 2007-05-17 2008-11-27 Mitsubishi Chemical Corporation Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体基板および半導体発光デバイス
JP4915282B2 (ja) * 2007-05-28 2012-04-11 三菱化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体成長用の下地基板およびｉｉｉ族窒化物半導体の成長方法
JP4924225B2 (ja) * 2007-06-13 2012-04-25 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶の成長方法
JP4869179B2 (ja) * 2007-08-10 2012-02-08 三洋電機株式会社 半導体基板およびその製造方法
EP2261401A4 (en) * 2008-03-03 2012-11-28 Mitsubishi Chem Corp NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP2009280482A (ja) 2008-04-25 2009-12-03 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物単結晶自立基板およびそれを用いた半導体デバイスの製造方法
JP2009286652A (ja) 2008-05-28 2009-12-10 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法
JP5012700B2 (ja) * 2008-07-01 2012-08-29 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶接合基板およびその製造方法ならびにｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
JP2010016092A (ja) * 2008-07-02 2010-01-21 Sharp Corp 窒化物系半導体発光素子
JP5295871B2 (ja) * 2008-07-03 2013-09-18 古河機械金属株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
US20120000415A1 (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Soraa, Inc. Large Area Nitride Crystal and Method for Making It
WO2011044554A1 (en) 2009-10-09 2011-04-14 Soraa, Inc. Method for synthesis of high quality large area bulk gallium based crystals
JP4908467B2 (ja) * 2008-08-06 2012-04-04 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体結晶の製造方法
US8829658B2 (en) * 2008-09-01 2014-09-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing nitride substrate, and nitride substrate
US9543392B1 (en) 2008-12-12 2017-01-10 Soraa, Inc. Transparent group III metal nitride and method of manufacture
JP5515341B2 (ja) * 2009-03-16 2014-06-11 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法
JP5004989B2 (ja) * 2009-03-27 2012-08-22 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに、半導体光学装置
WO2010140564A1 (ja) 2009-06-01 2010-12-09 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶およびその製造方法
JP5509680B2 (ja) * 2009-06-01 2014-06-04 三菱化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶及びその製造方法
JP5446622B2 (ja) 2009-06-29 2014-03-19 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその製造方法
JP2011016676A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板の製造方法
JP5447289B2 (ja) * 2009-08-19 2014-03-19 三菱化学株式会社 窒化物半導体結晶およびその製造方法
US8598685B2 (en) 2009-09-04 2013-12-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. GaN single crystal substrate and method of manufacturing thereof and GaN-based semiconductor device and method of manufacturing thereof
JP5549157B2 (ja) * 2009-09-04 2014-07-16 住友電気工業株式会社 ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP5056824B2 (ja) * 2009-09-30 2012-10-24 住友電気工業株式会社 ＧａＮ基板の保存方法、ＧａＮ基板封入保存容器および半導体デバイスの製造方法
EP2505696A4 (en) 2009-11-27 2015-11-18 Mitsubishi Chem Corp METHOD FOR PRODUCING NITRIDE CRYSTALS AND PRODUCTION VESSELS AND ELEMENTS THEREFOR
JP2011157235A (ja) * 2010-02-02 2011-08-18 Hitachi Kokusai Electric Inc 結晶製造装置及び結晶製造方法
JP5757068B2 (ja) * 2010-08-02 2015-07-29 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶の成長方法
JP5789929B2 (ja) * 2010-08-03 2015-10-07 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法
JP5620762B2 (ja) * 2010-09-09 2014-11-05 古河機械金属株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP6031733B2 (ja) * 2010-09-27 2016-11-24 住友電気工業株式会社 ＧａＮ結晶の製造方法
JP5830973B2 (ja) * 2010-12-01 2015-12-09 三菱化学株式会社 ＧａＮ自立基板および半導体発光デバイスの製造方法
JP2012136418A (ja) * 2010-12-01 2012-07-19 Mitsubishi Chemicals Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体基板とその製造方法
JP5440546B2 (ja) * 2011-04-28 2014-03-12 住友電気工業株式会社 結晶成長方法
JP2012006830A (ja) * 2011-08-12 2012-01-12 Mitsubishi Chemicals Corp Ｉｉｉ族窒化物半導体成長用の下地基板およびｉｉｉ族窒化物半導体の成長方法
JP5810762B2 (ja) * 2011-09-02 2015-11-11 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の成長方法
JP5416754B2 (ja) * 2011-11-15 2014-02-12 フューチャー ライト リミテッド ライアビリティ カンパニー 半導体基板およびその製造方法
JP5888208B2 (ja) * 2011-11-18 2016-03-16 三菱化学株式会社 窒化物結晶の製造方法
KR102288547B1 (ko) 2012-03-30 2021-08-10 미쯔비시 케미컬 주식회사 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정 및 주기표 제 13 족 금속 질화물 결정의 제조 방법
JP5898555B2 (ja) * 2012-04-06 2016-04-06 古河機械金属株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP2012178609A (ja) * 2012-05-22 2012-09-13 Sharp Corp 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに、半導体光学装置
KR102062381B1 (ko) * 2012-11-30 2020-01-03 서울바이오시스 주식회사 질화물 반도체층 성장 방법 및 질화물 반도체 소자 제조 방법
JP2013082628A (ja) * 2013-02-12 2013-05-09 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板および半導体デバイスの製造方法
KR102320083B1 (ko) 2013-08-08 2021-11-02 미쯔비시 케미컬 주식회사 자립 ＧａＮ 기판, ＧａＮ 결정, ＧａＮ 단결정의 제조 방법 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2014001137A (ja) * 2013-09-25 2014-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
JP2014001138A (ja) * 2013-09-25 2014-01-09 Sumitomo Electric Ind Ltd ＧａＮ単結晶基板およびその製造方法、ならびにＧａＮ系半導体デバイスおよびその製造方法
CN105917035B (zh) 2014-01-17 2019-06-18 三菱化学株式会社 GaN基板、GaN基板的制造方法、GaN结晶的制造方法和半导体器件的制造方法
JP6129784B2 (ja) 2014-05-26 2017-05-17 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP5950070B1 (ja) 2014-12-16 2016-07-13 三菱化学株式会社 ＧａＮ基板
JP2016155706A (ja) * 2015-02-24 2016-09-01 古河機械金属株式会社 自立基板の製造方法、基板、及び、自立基板
DE102015102735B4 (de) * 2015-02-25 2021-02-11 Infineon Technologies Ag Halbleitersubstratanordnungen und ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitersubstratanordnung
WO2017010166A1 (ja) 2015-07-14 2017-01-19 三菱化学株式会社 非極性または半極性ＧａＮウエハ
US10364510B2 (en) 2015-11-25 2019-07-30 Sciocs Company Limited Substrate for crystal growth having a plurality of group III nitride seed crystals arranged in a disc shape
JP6203460B1 (ja) * 2016-03-08 2017-09-27 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板
JP2017024984A (ja) * 2016-09-16 2017-02-02 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP6130039B2 (ja) * 2016-09-16 2017-05-17 住友化学株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP6735647B2 (ja) * 2016-09-29 2020-08-05 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板の製造方法
JP6773512B2 (ja) * 2016-10-07 2020-10-21 古河機械金属株式会社 基板、及び、基板の製造方法
JP6978343B2 (ja) * 2018-02-28 2021-12-08 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板の製造方法
US11466384B2 (en) 2019-01-08 2022-10-11 Slt Technologies, Inc. Method of forming a high quality group-III metal nitride boule or wafer using a patterned substrate
JP2020186153A (ja) 2019-05-15 2020-11-19 トヨタ自動車株式会社 半導体層の成長方法、半導体装置の製造方法、及び、バルク結晶の製造方法
EP3812487A1 (en) 2019-10-25 2021-04-28 Xie, Fengjie Non-polar iii-nitride binary and ternary materials, method for obtaining thereof and uses
US11721549B2 (en) 2020-02-11 2023-08-08 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
US12091771B2 (en) 2020-02-11 2024-09-17 Slt Technologies, Inc. Large area group III nitride crystals and substrates, methods of making, and methods of use
EP4104201A1 (en) 2020-02-11 2022-12-21 SLT Technologies, Inc. Improved group iii nitride substrate, method of making, and method of use
EP4502252A4 (en) 2022-03-31 2025-09-03 Mitsubishi Chem Corp GAN CRYSTAL AND GAN SLICE

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5127983A (en) * 1989-05-22 1992-07-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of producing single crystal of high-pressure phase material
JP3350992B2 (ja) * 1993-02-05 2002-11-25 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの合成方法
US5474021A (en) * 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase
JP3968968B2 (ja) * 2000-07-10 2007-08-29 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮ基板の製造方法
JP4229624B2 (ja) * 2002-03-19 2009-02-25 三菱化学株式会社 窒化物単結晶の製造方法
JP4397695B2 (ja) * 2003-01-20 2010-01-13 パナソニック株式会社 Ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9157167B1 (en) 2008-06-05 2015-10-13 Soraa, Inc. High pressure apparatus and method for nitride crystal growth
US9564320B2 (en) 2010-06-18 2017-02-07 Soraa, Inc. Large area nitride crystal and method for making it

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006315947A5 (enExample)
JP2008143772A5 (enExample)
JP2009123717A5 (enExample)
RU2005101875A (ru) Сетка для армирования грунта или ячеистая структура
WO2009035095A1 (ja) エピタキシャルＳｉＣ単結晶基板及びエピタキシャルＳｉＣ単結晶基板の製造方法
IL166897A (en) Single crystal diamond
JP2008501475A5 (enExample)
JP2008177586A5 (enExample)
WO2005095679A3 (en) Sequential lithographic methods to reduce stacking fault nucleation sites and structures having reduced stacking fault nucleation sites
EP1288346A3 (en) Method of manufacturing compound single crystal
RU2006141137A (ru) Сетчатые полотна и способ их изготовления
CN103400913B (zh) 一种用于生长六方相GaN的矩形图形化硅衬底
JP5170051B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
JP5811009B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体
US9209021B2 (en) Method for producing Group III nitride semiconductor and Group III nitride semiconductor
US20190198313A1 (en) Flexible Single-Crystal Semiconductor Heterostructures and Methods of Making Thereof
JP2011077265A5 (enExample)
JP2010539732A5 (enExample)
EP3213934A1 (en) Pneumatic tire
JP2009038377A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2003124115A5 (enExample)
JP5898555B2 (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
EP1288347A3 (en) Method of manufacturing compund single crystal
WO2013070369A3 (en) Patterned layer design for group iii nitride layer growth
US8715413B2 (en) Method for manufacturing a group III nitride semiconductor crystal and method for manufacturing a group III nitride semiconductor substrate