JP2006315947A5 - - Google Patents

Claims (17)

1. （ａ）六方晶系の窒化物半導体から成ると共に、対向する２つの主面がいずれもＣ面から成る一次ウエハを得る工程と、
   （ｂ）前記一次ウエハをＭ面に沿って分離して複数の窒化物半導体バーを得る工程と、
   （ｃ）前記複数の窒化物半導体バーを、隣り合う窒化物半導体バーのＣ面同士が対向し、各窒化物半導体バーのＭ面が上面となるように配列する工程と、
   （ｄ）配列された前記窒化物半導体バーの上面に窒化物半導体を再成長させることにより、連続したＭ面を主面に有する窒化物半導体層を形成する工程と、
   を具えた窒化物半導体ウエハの製造方法。
2. 請求項１に記載の方法で製造された窒化物半導体ウエハ上に、窒化物半導体を再成長させ、前記窒化物半導体ウエハから分離することにより、Ｍ面を主面とする窒化物半導体ウエハを複製することを特徴とする窒化物半導体ウエハの製造方法。
3. 超臨界アンモニア流体中で窒化物半導体をｃ軸成長させることによって前記一次ウエハを得ることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。
4. 前記工程（ａ）において、前記対向する２つの主面にオフ角を形成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。
5. 前記工程（ｃ）において上面となるＭ面にオフ角を形成することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。
6. 前記工程（ｄ）の前に、前記窒化物半導体バーの一方のＣ面と再成長面となるＭ面とが交差する稜部を面取りすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。
7. さらに、他方のＣ面と再成長面となるＭ面とが交差する辺も面取りすることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体ウエハの製造方法。
8. 窒化物半導体から成り、互いに対向する２つの主面を有するウエハであって、
   前記２つの主面はＣ面から成ると共に、前記２つの主面の両方にオフ角が形成されており、
   前記窒化物半導体中の転位は、主として前記Ｃ面に略垂直な方向に進行していることを特徴とするウエハ。
9. 前記オフ角は０．２°以下とすることを特徴とする請求項８に記載のウエハ。
10. 窒化物半導体から成り、互いに対向する側面を２組有する略四角柱状の窒化物半導体バーであって、
    前記側面の一方の組はＣ面から成ると共に、前記側面の他方の組はＭ面から成り、
    前記窒化物半導体バー中の転位は主として前記Ｍ面に略平行な方向に延伸していることを特徴とする窒化物半導体バー。
11. 前記窒化物半導体バーの前記側面に直交する上面及び下面は、いずれもＡ面から成ることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体バー。
12. 前記Ｃ面から成る２つの側面は、表面粗さが５０００Å以下であることを特徴とする請求項１０又は１１に記載の窒化物半導体バー。
13. 前記Ｍ面から成る２つの側面の少なくとも一方に、オフ角が形成されていることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれかに記載の窒化物半導体バー。
14. 前記Ｃ面から成る側面と前記Ｍ面から成る側面とが交差する稜部の少なくとも１つが面取りされていることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の窒化物半導体バー。
15. 主面がＭ面から成る窒化物半導体ウエハであって、
    請求項１０乃至１４のいずれかに記載の窒化物半導体バーを、互いのＣ面同士が対向し、Ｍ面が上面となるように配列した第１窒化物半導体層と、
    前記第１窒化物半導体層上にウエハ全面を覆うよう成長されて成り、表面がＭ面である第２窒化物半導体層と、
    を備えた窒化物半導体ウエハ。
16. 前記第１窒化物半導体層において、前記窒化物半導体バーが互いのＣ面同士が対向し、且つ互いのＡ面同士が対向するようにマトリックス状に配列されていることを特徴とする請求項１５に記載の窒化物半導体ウエハ。
17. 前記窒化物半導体バーは、互いのＣ^＋面とＣ⁻面が対向するように配列されたことを特徴とする請求項１５は１６に記載の窒化物半導体ウエハ。