JP2011077265A - Iii族窒化物半導体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】c面を主面とするサファイア基板の表面に、複数の正六角柱の凸部1をハニカム状に配列したパターンの凹凸形状をドライエッチングにより形成した。凸部1は、側面がm面である正六角柱状の凸部を、その正六角柱の中心軸1bの回りに反時計回りに15°回転させたものである。したがって、凸部1の側面1aは、低指数面であるa面やm面ではない高指数面である。次に、凹凸形状を施した側のサファイア基板上にスパッタ法によってAlNからなるバッファ層を形成し、バッファ層を介してMOCVD法によってc面を主面とするGaN層を形成した。これにより、結晶性、平坦性に優れたGaN層が得られる。
【選択図】図1
Description
100:サファイア基板
101:バッファ層
102:n型層
103:発光層
104:p型層
105:n電極
106:透明電極
107:p電極
Claims (9)
- a面を主面とするサファイア基板の表面に、すべての側面が高指数面であって、前記サファイア基板の主面に平行な面を有する凹凸形状を形成する工程と、
前記凹凸形状が形成された側の前記サファイア基板上に、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層を介して前記サファイア基板上にc面を主面とするIII 族窒化物半導体を成長させる工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記バッファ層は、スパッタ法により形成することを特徴とする請求項1に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- c面を主面とするサファイア基板の表面に、すべての側面が高指数面であって、前記サファイア基板の主面に平行な面を有する凹凸形状を形成する工程と、
前記凹凸形状が形成された側の前記サファイア基板上に、スパッタ法によってバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層を介して前記サファイア基板上にc面を主面とするIII 族窒化物半導体を成長させる工程と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。 - 前記バッファ層は、AlNであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記凹凸形状は、複数の凹部または凸部が所定の間隔で周期的に配列された形状である、ことを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記凹部または前記凸部は正六角柱または正六角錐台であり、複数の前記凹部または前記凸部が所定の間隔でハニカム状に配列されている、ことを特徴とする請求項5に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記正六角柱または前記正六角錐台の上面である六角形は、その六角形の各辺がm軸方向に対して15°を成すことを特徴とする請求項5に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 前記III 族窒化物半導体は、GaNであることを特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のIII 族窒化物半導体の製造方法を用いることを特徴とするIII 族窒化物半導体発光素子の製造方法。
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