JP2005325273A - 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ - Google Patents

蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ Download PDF

Info

Publication number
JP2005325273A
JP2005325273A JP2004145718A JP2004145718A JP2005325273A JP 2005325273 A JP2005325273 A JP 2005325273A JP 2004145718 A JP2004145718 A JP 2004145718A JP 2004145718 A JP2004145718 A JP 2004145718A JP 2005325273 A JP2005325273 A JP 2005325273A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
range
led
sample
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004145718A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4524468B2 (ja
Inventor
Masahiro Goto
昌大 後藤
Akira Nagatomi
晶 永富
Katayuki Sakane
堅之 坂根
Shuji Yamashita
修次 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dowa Holdings Co Ltd
Original Assignee
Dowa Mining Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dowa Mining Co Ltd filed Critical Dowa Mining Co Ltd
Priority to JP2004145718A priority Critical patent/JP4524468B2/ja
Priority to US10/922,086 priority patent/US7291289B2/en
Priority to EP05009524A priority patent/EP1595934A3/en
Publication of JP2005325273A publication Critical patent/JP2005325273A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4524468B2 publication Critical patent/JP4524468B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0838—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77347—Silicon Nitrides or Silicon Oxynitrides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】
青色や紫外に発光する発光素子から出る紫外〜可視（３００〜５５０ｎｍ）の波長域の
光に励起帯を持つ高効率の蛍光体を提供する。
【解決手段】
市販のＣａＯ［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備し、各々のモ
ル比がＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．４７７５：１：０．０１１２５となるよう
に各原料を秤量して混合した後、当該混合物を、窒素雰囲気中で１６００℃まで１５℃／
ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１６００℃で３時間保持して焼成した後、１６００℃から２
００℃まで１時間で冷却し、組成式Ｃａ１．６Ｓｉ３Ｏ１．６３Ｎ４．３５：Ｅｕ０．０
２４を有する蛍光体を製造した。
【選択図】 なし

Description

本発明は、ＬＥＤ、ＣＲＴ、ＰＤＰ、ＦＥＤ、ＥＬなどのディスプレイ装置、蛍光表示
管、蛍光ランプ、などの照明ユニットに用いられる蛍光体に関するものであり、特には、紫外・青色等の発光部と蛍光体とを備え、当該両者の協働により可視光または白色光を発光するＬＥＤ、光源および照明ユニット等に適した蛍光体とその製造方法、および当該蛍光体を用いた光源並びにＬＥＤに関するものである。
青色や紫外の光を自ら発光する発光素子からなる発光部と、当該発光素子から発生する紫外〜青色の波長域に励起帯を持ち、この波長域の光に励起されて所定の波長域の蛍光を発する蛍光体と、の組み合わせにより、白色の光を発するＬＥＤを始めとした光源や照明ユニットが知られている。
当該ＬＥＤ等に使用される蛍光体としては、一般式Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、Ｌａ２Ｏ２Ｓ：
Ｅｕ、３．５ＭｇＯ・０．５ＭｇＦ２・ＧｅＯ２：Ｍｎ、（Ｌａ、Ｍｎ、Ｓｍ）２Ｏ２Ｓ
・Ｇａ２Ｏ３で表記される蛍光体が赤色の蛍光を発する蛍光体として、一般式ＺｎＳ：Ｃ
ｕ・Ａｌ、ＳｒＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ、ＢＡＭ：Ｅｕ・Ｍｎで表記される蛍光体が緑色の蛍光
を発する蛍光体として、一般式ＹＡＧ：Ｃｅで表記される蛍光体が黄色の蛍光を発する蛍
光体として、一般式ＢＡＭ：Ｅｕ、Ｓｒ５（ＰＯ４）３Ｃｌ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ａｇ、（Ｓｒ、Ｇａ、Ｂａ、Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ：Ｅｕで表記される蛍光体が青色の蛍光を
発する蛍光体として知られている。そして、これらの蛍光体と青色や紫外の光を自ら発光
する発光素子とを組み合わせて白色または単色の発光を行うＬＥＤを始めとした光源や照
明ユニットが提案されている。
更に近年では、紫外〜青色の波長域に励起帯を持つ蛍光体として、オキシ窒化物ガラス
蛍光体（例えば、特許文献１参照）や、サイアロンを母体とする蛍光体（例えば、特許文
献２、３、４参照）、シリコンナイトライド系などの窒素を含有した蛍光体（例えば、特
許文献５、６参照）が提案されており、これらの蛍光体と青色や紫外の光を自ら発光する
発光素子とを組み合わせて白色または単色の発光を行うＬＥＤを始めとした光源や照明ユ
ニットが提案されている。
特開2001-214162号公報 特開2003-336059号公報 特開2003-124527号公報 特開2004-67837号公報 特表2003-515655号公報 特開2003-277746号公報
上述した、青色〜紫外の波長の光を自ら発光する発光部である発光素子と、当該発光部
から発生する紫外〜青色の波長域の光に対して励起帯を持ち、所定の波長域の蛍光を発す
る蛍光体と、の組み合わせにより可視光、白色光の光を発するＬＥＤを始めとした光源に
おいて、可視光または白色光の輝度向上には、発光部の発光効率は勿論のことだが、蛍光
体における蛍光の発光効率の改善も強く求められている。蛍光体の発光効率により白色光源全体の輝度も改善されるためである。
以下、蛍光体の発光効率について、青色〜紫外に発光する発光素子と、黄色〜赤色の蛍
光を発する蛍光体との組み合わせにより、白色の光を発するＬＥＤを例として説明する。
例えば、黄色蛍光を発光するＹＡＧ：Ｃｅ系黄色蛍光体は、ＬＥＤ内の発光素子が発す
る青色光により蛍光を発光させる場合では効率の良い励起範囲を有し、良好な黄色発光を
得ることが出来る。しかし、ＬＥＤ内の発光素子が紫外光を発光する場合には、当該蛍光
体の励起範囲から外れるため、高い効率の黄色発光が得られない。
また、赤色蛍光を発光する赤色蛍光体に関しては、紫外〜青色の波長域の光に対して励
起帯を持ち、高い効率の赤色発光する既存の蛍光体は得られていない。
そこで、白色の光を発するＬＥＤを製造しようとする場合、ＬＥＤ内の発光素子を青色発光させ、蛍光体としては、赤色の蛍光体の配合比を他色の蛍光体より増やして、赤色の発光量を補う方法がとられている。
このため、白色の光を発するＬＥＤの発光効率向上ため、紫外〜可視（３００〜５５０
ｎｍ）の波長域の光に励起帯を持ち高い発光効率を有する蛍光体、さらには、当該蛍光体
であって、黄色〜赤色の蛍光を発する蛍光体が求められていた。
本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、青色や紫外に発光する発光素子から出
る紫外〜可視（３００〜５５０ｎｍ）の波長域の光に励起帯を持ち、高い発光効率を有す
る蛍光体、さらには、当該蛍光体であって、可視光の広い範囲において蛍光を発光することのできる蛍光体を提供することである。
本発明者らは、上述の課題に対し種々の蛍光体の母体組成について研究を進めた結果、
より高効率で発光特性に優れ、且つ製造が容易である新規な母体組成を有する蛍光体に想
到した。
即ち、上述の課題を解決するための第１の構成は、
一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記される蛍光体であって、
ＭはII価の価数をとる元素、Zは付活剤となる元素、ａの範囲は０＜ａ≦１０であり、
ｐの範囲は−ａ／２＜ｐ＜ａ／２であり、qの範囲は−ａ／２＜q＜２ａであり、ｒの範囲
は−２＜ｒ＜２であることを特徴とする蛍光体である。
第２の構成は、
第１の構成に記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃ
ｄ、Ｈｇから選択される少なくとも１つ以上の元素であり、Ｚは、希土類または遷移金属
元素から選択される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体である。
第３の構成は、
第１または第２の構成に記載の蛍光体であって、ａの範囲は０＜ａ≦６であることを特
徴とする蛍光体である。
第４の構成は、
第１から第３の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂ
ａ、Ｚｎから選択される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体である
。
第５の構成は、
第1から第４の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅから
選択される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体である。
第６の構成は、
第１から第５の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚは、Ｅｕであることを特徴
とする蛍光体である。
第７の構成は、
第１から第５の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｃａであることを特徴
とする蛍光体である。
第８の構成は、
第１から第５の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｓｒであることを特徴
とする蛍光体である。
第９の構成は、
第１から第８の構成のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚの含有量は、対応するMが
１モルのとき０．０００１モル以上、０．５モル以下であることを特徴とする蛍光体であ
る。
第１０の構成は、
前記蛍光体は、粉末状であることを特徴とする第１から第９の構成のいずれかに記載の
蛍光体である。
第１１の構成は、
前記蛍光体の平均粒度が２０μｍ以下、０．１μｍ以上であることを特徴とする第１０
の構成に記載の蛍光体である。
第１２の構成は、
一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記され、ＭはII価の価数をとる元素、Z
は付活剤となる元素、ａの範囲は０＜ａ≦１０であり、ｐの範囲は−ａ／２＜ｐ＜ａ／２
であり、qの範囲は−ａ／２＜q＜２ａであり、ｒの範囲は−２＜ｒ＜２である蛍光体の製
造方法であって、
Ｍの原料として、Ｍの酸化物、炭酸塩、窒化物、水酸化物、塩基性炭酸塩のうちから選
択される１種以上を使用し、Ｓｉの原料としてＳｉＯ２および／またはＳｉ３Ｎ４を使用
し、Ｎの原料としてＳｉ３Ｎ４および／またはＭの窒化物を使用することを特徴とする蛍
光体の製造方法である。
第１３の構成は、
第１から第１１の構成のいずれかに記載の蛍光体と、発光部とを有することを特徴とす
る光源である。
第１４の構成は、
前記発光部が発する光の波長が３００ｎｍ〜５５０ｎｍであることを特徴とする第１３
の構成に記載の光源である。
第１５の構成は、
第１から第１１の構成のいずれかに記載の蛍光体と、発光部とを有することを特徴とす
るＬＥＤである。
第１６の構成は、
前記発光部が発する光の波長が３００ｎｍ〜５５０ｎｍであることを特徴とする第１５
の構成に記載のＬＥＤである。
第１から第１１の構成に係る一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記される
蛍光体は、紫外〜緑色（波長域３００〜５５０ｎｍ）の光に励起帯を持ち、高効率な発光
をおこなうことに加え、骨格となる構成部分に酸化作用を受け易いアルミニウムを含まず
、且つ、酸素を含んでいるため耐酸化性に優れ、寿命が長く製造も容易である。
第１２の構成によれば、前記一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記される
蛍光体を高純度で入手が容易な原料を用いて製造するので、高特性な蛍光体を低コストで
製造することができる。
第１３または第１４の構成によれば、所望の発光色を有する高能率な光源を得ることが
でき、第１５または第１６の構成によれば、所望の発光色を有する高能率なＬＥＤを得る
ことができる。
本発明にかかる蛍光体は、一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zと表記される母
体構造を有する蛍光体である。
ここで、Ｍは、前記蛍光体中においてII価の価数をとる元素である。Ｚは、前記蛍光体
中において付活剤として作用する元素である。また、ａが０＜ａ≦１０の範囲さらに好ま
しくは０＜ａ≦６の範囲にあり、ｐは−ａ／２＜ｐ＜ａ／２であり、qは−ａ／２＜q＜２
ａであり、ｒは−２＜ｒ＜２である。蛍光体が当該母体構造を有していると、高い発光効
率を有する蛍光体となった。
II価の価数をとる前記Ｍ元素は、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｈｇか
ら選択される少なくとも１つ以上の元素であることが好ましい。すなわち、Ｍ元素は、例
えばＣａ単独であっても良いし、Ｃａ・Ｍｇ・・等の混合物であっても良い。
また、付活剤となるＺ元素は、希土類元素または遷移金属元素から選択される少なくと
も１つ以上の元素であることが好ましい。すなわち、Ｚ元素は、例えばＥｕ単独であっ
ても良いし、Ｅｕ・Ｌａ・・等の混合物であっても良い。
前記Ｍ元素、Ｚ元素が上記構成をとることで、蛍光体の発光効率はさらに高まる。
II価の価数をとるＭ元素がＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎから選択される少なくとも１
つ以上の元素であると、本発明に係る蛍光体の発光効率がさらに高まり、且つ、環境負荷
も小さくなることから、さらに好ましい構成である。
付活剤となるＺ元素が、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅから選択される少なくとも１つ以上の元素で
あると当該蛍光体の発光効率がさらに高まり、さらに好ましい構成である。
加えて、Ｚ元素がＥｕであると、当該蛍光体の発光波長が橙色の波長にピークを示すため、発光効率の高い白色ＬＥＤ等の発光ユニットに適した橙色系の蛍光体が得られ好ましい構成である。
ここで、Ｍ元素がＣａおよび／またはSｒ、Ｚ元素がＥｕであると、原料入手が容易な
上、環境負荷が小さく、さらに当該蛍光体の発光波長が橙色の波長にピークを示すため、発光効率の高い白色ＬＥＤ等の発光ユニットに適した橙色系の蛍光体が得られ好ましい構成である。
本発明にかかる蛍光体において、Ｚ元素の添加量は、対応するM元素１モルに対して０
．０００１モル以上、０．５モル以下の範囲にあることが好ましい。Ｚ元素の添加量が当
該範囲にあると、付活剤の含有量の過剰なことに起因する濃度消光による発光効率低下を
回避でき、他方、付活剤の含有量が過小なことに起因する発光寄与原子の過小による発光
効率の低下も回避できる。添加する付活元素Ｚの種類により、Ｚ元素の添加の最適量は若
干異なるが、さらに好ましくは０．０００５モル以上、０．１モル以下の範囲内であると
高い発光効率を得られた。
そして、本発明にかかる蛍光体と、例えば、紫外〜緑色にて発光する発光素子と、さらに所望によっては他の蛍光体とを組み合わせることにより、可視光または白色に発光する高効率な光源を製造することが出来る。
即ち、本発明で得られた蛍光体は、３００〜５５０ｎｍの広い範囲の励起範囲の光を受
けて、緑色〜赤色の蛍光を高い効率で発光するため、紫外〜緑色にて発光する光源と、さらに所望によっては他の蛍光体と組み合わせることにより、可視光または白色の高効率な光源を製造することが出来る。
具体例としては、本発明で得られた蛍光体と、紫外〜緑色にて発光するＬＥＤ発光部と、さらに所望によっては他の蛍光体とを組み合わせることにより、可視光単色または白色の高効率なＬＥＤを製造することが出来る。
即ち、本発明で得られた蛍光体は、３００〜５５０ｎｍの広い範囲の励起範囲の光を受
けて、緑色〜赤色の蛍光を高い効率で発光するため、紫外〜緑色にて発光するＬＥＤ発光
部と、さらに所望によっては他の蛍光体と組み合わせることにより、可視光単色または白色の高効率なＬＥＤを製造することが出来る。
（蛍光体の製造方法）
本発明に係る蛍光体の製造方法について、Ｍ元素がＣａ、Ｚ元素がＥｕである蛍光体の
製造を例として説明する。
Ｍ元素であるＣａの原料としては、Ｃａの酸化物、炭酸塩、水酸化物、窒化物などを用
いることが出来る。Ｓｉの原料としてはＳｉ３Ｎ４やＳｉＯ２を好ましく用いることが出
来る。Ｎの原料としてはＳｉ３Ｎ４やＭの窒化物（例えば、Ｃａの窒化物）を好ましく用
いることが出来る。Ｚ元素であるＥｕの原料としてはEｕ２Ｏ３を好ましく用いることが
出来る。各原料は、各々、市販の原料で良いが、純度は高い方が好ましいことから、２Ｎ
以上さらに好ましくは３Ｎ以上のものを準備する。
Ｍ元素がＣａである蛍光体の製造であれば、Ｍ元素の原料として、ＣａＯ［３Ｎ］、Ｃ
ａＣＯ３［３Ｎ］、Ｃａ（ＯＨ）２［３Ｎ］等の化合物を準備すればよい。Ｚ元素として
は、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備すればよい。ＳｉおよびＮ原料としてＳｉ３Ｎ４［３Ｎ］
を準備すればよい。
これらの原料配合において、例えば、モル比がＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．
４７７５：１：０．０１１２５となるように各原料を秤量する。秤量された原料の混合は
、乳鉢等を用いる通常の混合方法で良い。当該混合は大気中で行っても良いが、原料とし
てＣａＯやＣａ（ＯＨ）２を使用する場合は、大気中の水分や二酸化炭素と反応して形態
変化を引き起こす可能性があり、また、原料のＳｉ３Ｎ４が大気中の酸素により酸化する
可能性があるため、水分を除去した不活性雰囲気下でおこなうことが好ましい。例えば、
不活性雰囲気下のグローブボックス内での操作が便宜である。
混合が完了した原料を、窒素等の不活性雰囲気中にて１６００℃まで１５℃／ｍｉｎの
昇温速度で昇温し、１６００℃で３時間保持・焼成する。焼成が完了した後、１６００℃
から２００℃まで１時間で冷却し、さらに室温まで冷却する。冷却が完了した後、当該焼
成物を、乳鉢、ボールミル等の粉砕手段を用いて所定（好ましくは２０μｍ〜０．１μｍ
）の平均粒径となるように粉砕し、Ｍ元素がＣａである蛍光体を得た。製造された蛍光体
について組成分析を実施した結果、Ｃａ１．６Ｓｉ３Ｏ１．６３Ｎ４．３５：Ｅｕ０．０
２４であった。
以上、説明した本発明に係る蛍光体の製造方法について、焼成温度、昇降温速度を変更
し、さらに、Ｍ元素をＣａ以外のＳｒ等に代替し、Ｚ元素をＥｕ以外のＭｎ等に代替しな
がら各種試料を調製し、Ｍ元素およびＺ元素を選択しながら蛍光体の母体構造における組
成比のズレの許容範囲について検討した。
その結果、当該蛍光体の母体構造を一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zと表記
したとき、ａが０＜ａ≦１０の範囲さらに好ましくは０＜ａ≦６の範囲にあり、ｐが−ａ
／２＜ｐ＜ａ／２の範囲にあり、ｑが−ａ／２＜q＜２ａの範囲にあり、ｒが−２＜ｒ＜
２の範囲にあれば、当該蛍光体は良好な発光効率を示すことが判明した。
尚、ａ、ｐ、ｑ、ｒの値は、Ｍ元素の原料であるＭの酸化物、炭酸塩、水酸化物、窒化
物に含まれる酸素・窒素の量、Ｓｉの原料であるＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２に含まれる酸素・
窒素の量により制御できるので、製造目的である蛍光体の母体構造を念頭に置きながら各
原料の配合を検討することで、所定の母体構造を有する蛍光体を製造することができる。
上述したように、製造された蛍光体はＬＥＤ等の適宜な発光部と組み合わされて用いら
れる。そこで、当該蛍光体は、塗布または充填等の操作が容易な粉末形状であることが好
ましい。ここで、本発明に係る蛍光体は、母体構造の骨格となる構成部分に酸化作用を受
け易いアルミニウムを含まず、且つ、酸素を含んでいるため耐酸化性に優れているので、
雰囲気を不活性雰囲気等に制御することなく大気中でも容易に所定の粒径まで粉砕できる
。ここで発光効率の観点からは、当該蛍光体の平均粒径が２０μｍ以下であることが好ま
しく、平均粒径が０．１μｍ以上であれば公知の粉砕方法で容易に粉砕可能である。
粉末状となった本発明に係る蛍光体は、発光部（特には、発光波長域３００〜５５０ｎ
ｍの発光部）と組み合わせることでＬＥＤ、ＣＲＴ、ＰＤＰ等の多様な光源（例えば、デ
ィスプレイ装置、照明ユニット）として用いることが出来た。
以下、実施例に基づいて、本発明をより具体的に説明する。
尚、本発明に係る蛍光体試料と、従来の技術に準拠して製造した蛍光体試料との比較結
果を説明する便宜上、実施例に付す連番号１〜３９のうち、８、２３、および３９を実施
例ではなく比較例の番号として割り当てた。
（実施例１）
市販のＣａＯ［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備し、各々のモル比がＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．４７７５：１：０．０１１２５となるように各原料を秤量する。この秤量された原料を、窒素雰囲気下のグローブボックス中において乳鉢を用いて混合した。混合した原料を窒化ホウ素製のるつぼに充填し、窒素雰囲気中で１６００℃まで１５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１６００℃で３時間保持して焼成
した後、１６００℃から２００℃まで１時間で冷却し蛍光体試料を得た。得られた蛍光体
粉末の化学分析結果、平均粒径、比表面積の測定結果を表１に示す。当該化学分析結果よ
り、当該蛍光体試料の組成式はＣａ１．５８Ｓｉ３Ｏ１．６３Ｎ４．３５：Ｅｕ０．０２４であることが判明した。
Figure 2005325273
次に、当該蛍光体試料の発光スペクトルと励起スペクトルとを測定した。当該測定結果
について、図１、図２を参照しながら説明する。ここで、図１、図２とも縦軸に本発明の
蛍光体の発光強度を相対強度としてとり、横軸には光の波長をとっている。
まず図１を用いて、当該蛍光体試料の発光スペクトルについて説明する。発光スペクト
ルとは、ある波長の光またはエネルギーを物体に照射した際、物体より放出されるスペク
トルであるが、図１は本発明の蛍光体に４６０ｎｍの単色光を照射した際、蛍光体から発
光した波長スペクトルを示したものである。
図１から明らかなように、当該蛍光体試料は５００ｎｍから８００ｎｍの広い波長域で
発光を示し、６０９ｎｍで最も高い発光を示している。尚、目視では橙色の発光色が確認
できた。
次に図２を用いて、当該蛍光体試料の励起スペクトルについて説明する。励起スペクト
ルとは種々の波長の単色光を用いて被測定対象の蛍光体を励起し、蛍光体が発光する一定
波長の発光強度を測定し、その発光強度の励起波長依存性を測定したものである。本測定
においては、２５０ｎｍから５７０ｎｍまでの単色光を当該蛍光体試料に照射し、当該蛍
光体試料が発光する波長６０９ｎｍの光の発光強度における励起依存性を測定した。
図２から明らかなように、当該蛍光体試料の励起スペクトルは、２５０ｎm付近から６
００ｎm付近まで広く、広い範囲の励起光で、高い橙色の発光を示すことがわかった。
（実施例２〜６）
実施例２〜６においては、実施例１において説明した、ＣａＯ［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４［
３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］の各原料の混合比を変更して、各々実施例２〜６とした以外
は、実施例1と同様に蛍光体試料を作製し、発光強度を測定した。
ここで、実施例２では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝０．０７３８７５：１：０
．００５６２５、
実施例３では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝０．９８５：１：０．００７５、
実施例４では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２３１２５：１：０．００９３
７５、
実施例５では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．４７７５：１：０．０１１２５
、
実施例６では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．９７：１：０．０１５、とした
。
当該実施例２〜６に係る蛍光体試料における発光強度の測定結果について、図３を参照
しながら説明する。ここで、図３は縦軸に当該蛍光体試料の発光強度をとり、横軸には原
料比であるＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値をとっている。尚、当該蛍光体試料の発光強度においては、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４＝１．５のときの発光強度を１００％として規格化している。
そして、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値を、０．７５〜２まで調整した場合の結果を示す。尚、
当該蛍光体試料の励起は４６０ｎｍの波長の光を用いた。
図３の結果から明らかなように、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値が０．７から１．５の範囲で
は、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値の増加と共に発光強度が上昇し、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４＝１．
５で最大の発光強度を示した。
尚、当該発光強度の測定と並行して、当該蛍光体試料の発光の色度（ｘ．ｙ）も測定し
た。その結果を表２に示す。
Figure 2005325273
（実施例７）
発光部として窒化物半導体を有する紫外光のＬＥＤを用い、当該ＬＥＤ上に実施例２で
得られた蛍光体試料、および市販の青色蛍光体（ＢＡＭ：Ｅｕ）、市販の緑色蛍光体（Ｚ
ｎＳ：Ｃｕ, Ａｌ）、を塗布して当該紫外光のＬＥＤを発光させた。すると、各蛍光体は
ＬＥＤからの光により発光し、目視によれば白色発光するＬＥＤを得ることが出来た。
また、発光部として窒化物半導体を有する青色光のＬＥＤ上に、本発明で得られた蛍光
体試料、および市販の黄色蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）を塗布して、当該青色光のＬＥＤを発
光させた。すると、各蛍光体はＬＥＤからの光により発光し、目視によれば白色発光する
ＬＥＤを得ることが出来た。
（比較例８）
比較例８においては、特許文献５、６に記載されているＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体
を比較例に係る試料として製造し、本発明の実施例１に係る蛍光体試料と比較した。
比較例として用いるＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体は、Ｃａ３Ｎ２、Ｓｉ３Ｎ４、Ｅｕ
２Ｏ３の［２Ｎ］または［３Ｎ］試薬を原料として準備し、それぞれ、Ｃａ３Ｎ２、Ｓｉ
３Ｎ４、Ｅｕ２Ｏ３の配合比が、Ｃａ：Ｓｉ：Ｅｕ＝１．９７：５：０．０３のモル比と
なるように秤量した。秤量後の原料を窒素雰囲気下のグローブボックス中において乳鉢混
合したが、この際、原料が余分な酸化を受けないよう十分注意した。混合した原料を窒化ホウ素製るつぼに充填し、原料が酸化を受けないよう、且つ、原料中の酸素が完全に除去されるよう注意しながら、窒素中において１５００℃で３時間焼成を行い実施例１と同様に冷却した。完全に冷却した後、酸化を受けないよう十分注意しながら粉砕をおこなって比較例に係る蛍光体試料を製造した。製造された蛍光体試料の組成を化学分析したところＣａ１．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の組成式を有していた。
比較例と実施例１との両蛍光体試料の発光スペクトルを、実施例１と同様に測定して比
較した。但し、照射する光は４６０ｎｍの単色光を用いた。その結果を図４および表３に
示す。
図４は、図１と同様のグラフであり、本発明に係る蛍光体試料の発光スペクトルを太実
線で示し、比較例に係る蛍光体試料の発光スペクトルを細実線で示している。
図４および表３の結果より明らかなように、実施例１に係る蛍光体試料は、比較例に係
る組成式Ｃａ１．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の蛍光体試料と比較してピーク強度が約
９％高く、製造が容易なことに加えて、高効率な蛍光体であることが判明した。
Figure 2005325273
（実施例９）
市販のＣａＯ［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ・BR>R［３Ｎ］を準備し、各々のモル比がＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２３１２５：１：０．００９３７５となる
ように各原料を秤量した。この秤量された原料を、窒素雰囲気下のグローブボックス中に
おいて乳鉢を用いて混合した。混合した原料を窒化ホウ素製るつぼに充填し、窒素雰囲気
中で１６００℃まで１５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１６００℃で２４時間保持して
焼成した後、１６００℃から２００℃まで１時間で冷却し蛍光体試料を得た。得られた蛍
光体粉末の化学分析結果、平均粒径、比表面積の測定結果を表４に示す。当該化学分析結
果より、当該蛍光体試料の組成式はＣａ１．４２Ｓｉ３Ｏ１．１２Ｎ４．２７：Ｅｕ０．
０２１であることが判明した。
次に、当該蛍光体試料の発光スペクトルと励起スペクトルと実施例１と同様に測定した
。当該測定結果について、図５、図６を参照しながら説明する。ここで、図５、図６とも
縦軸に本発明の蛍光体の発光強度を相対強度としてとり、横軸には光の波長をとっている
。
図５から明らかなように、当該蛍光体試料は５００ｎｍから８００ｎｍの広い波長域で
発光を示し、６０８ｎｍで最も高い発光を示している。尚、目視では橙色の発光色が確認
できた。
次に、当該蛍光体試料の励起スペクトルを測定したが本測定においては、本測定におい
ては、２５０ｎｍから５７０ｎｍまでの単色光を本発明の蛍光体に照射し、試料が発光す
る波長６０８ｎｍの光の発光強度の励起依存性を測定した。図６から明らかなように、当
該蛍光体試料の励起スペクトルは、２５０ｎm付近から６００ｎm付近まで広く、広い範囲
で、高い橙色の発光を示すことがわかった。
Figure 2005325273
（実施例１０〜１６）
実施例１０〜１６においては、実施例９と同様に、市販のＣａＯ［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４
［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備し、各々のモル比を所定の値に設定して各蛍光体試
料の原料を秤量した以外は、実施例９と同様により蛍光体試料を作製し当該蛍光体試料の
発光強度を測定した。
ここで、実施例１０では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．０８３５：１：０．
００８２５、
実施例１１では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．１３２７５：１：０．００８
６２５、
実施例１２では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．１８２：１：０．００９、
実施例１３では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２３１２５：１：０．００９
３７５、
実施例１４では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２８０５：１：０．００９７
５、
実施例１５では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．４７７５：１：０．０１１２
５、
実施例１６では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．７２３７５：１：０．０１３
１２５、とした。
当該発光強度の測定結果について、図７を参照しながら説明する。ここで、図７は縦軸
に本発明の蛍光体の発光強度をとり、横軸には原料比であるＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値をと
っている。尚、発光強度においては、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４＝１．２５のときの発光強度を
１００％としている。そして、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４の値を、１．１〜１．７５まで調整し
た結果を示す。尚、励起には４６０ｎｍの波長の光を用いた。
図７の結果から明らかなように、ＣａＯ／Ｓｉ３Ｎ４＝１．２５で最大の発光強度を示
した。
尚、当該発光強度の測定と並行して、発光の色度（ｘ．ｙ）も測定した。その結果を表
５に示す。
Figure 2005325273
（実施例１７〜２１）
実施例１７〜２１においては、実施例１３に係る蛍光体試料を用いて付活剤Ｅｕ元素の
濃度による発光強度を測定した。
ここで、実施例１７では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２４８７５：１：０
．０００６２５、
実施例１８では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２４３７５：１：０．００３
１２５、
実施例１９では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２３１２５：１：０．００９
３７５、
実施例２０では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２１２５：１：０．０１８７
５、
実施例２１では、ＣａＯ：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．１８７５：１：０．０３１２
５、とした。
当該測定結果について、図８を参照しながら説明する。ここで、図８は縦軸に本発明の
蛍光体の発光強度をとり、横軸にはＣａサイト中のＥｕの割合、すなわちＥｕ／（Ｃａ＋
Ｅｕ）の値をとっている。尚、発光強度においては、Ｅｕ／（Ｃａ＋Ｅｕ）＝０．０３の試料を４６０ｎｍの光で励起したときの発光強度を１００％としている。そして、Ｅｕ／（Ｃａ＋Ｅｕ）の値を、０．００１〜０．０５まで調整した結果を示す。尚、励起は４６０ｎｍの波長の光を用いた。
図８の結果から明らかなように、当初はＥｕ／（Ｃａ＋Ｅｕ）の値の増加と共に発光強
度が上昇するが、０．０３付近をピークとして発光強度は下がっていく。これは、０．０
３より少ない部分では付活剤元素が足らないため発光強度が低く、０．０３より多い部分
では付活剤元素による濃度消光が見られるためであると考えられる。
尚、当該発光強度の測定と並行して、蛍光体試料の発光の色度（ｘ．ｙ）も測定した。
その結果を表６に示す。表６の結果から明らかなように、Ｅｕ／（Ｃａ＋Ｅｕ）の値の増
加と共に、ピーク波長も長波長側にシフトしていくことが確認された。
Figure 2005325273
（実施例２２）
発光部として窒化物半導体を有する紫外光のＬＥＤ上に、実施例９で得られた蛍光体試
料、および市販の青色蛍光体（ＢＡＭ：Ｅｕ）、緑色蛍光体（ＺｎＳ：Ｃｕ, Ａｌ）、を
塗布して当該紫外光のＬＥＤを発光させた。すると、各蛍光体はＬＥＤからの光により発
光し、目視により白色に見えるＬＥＤを得ることが出来た。得られたＬＥＤの発光スペク
トルを測定した結果を図９に示す。また、蛍光体の配合量を適宜変えることにより種々の
色味の発光色が得られた。
また、発光部として、窒化物半導体を有する青色光のＬＥＤ上に、本発明で得られた蛍
光体試料、および市販の黄色蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）を塗布して当該青色光のＬＥＤを発
光させた。すると、各蛍光体はＬＥＤからの光により発光し、目視により白色に見えるＬ
ＥＤを得ることが出来た。また、黄色蛍光体の代わりに市販の緑色蛍光体（ＺｎＳ：Ｃｕ
, Ａｌ）を組み合わせた場合においても、目視により白色に見えるＬＥＤを得ることが出
来た。
（比較例２３）
比較例２３においては、特許文献５、６に記載されているＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体を比較例に係る試料として製造し、本発明の実施例９に係る蛍光体試料と比較した。尚、本比較例に用いたＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体試料は、比較例８に記載の方法に準拠して製造した。
両蛍光体試料の発光スペクトルを実施例９と同様に測定して比較した。但し、照射する
光は４６０ｎｍの単色光を用いた。その結果を図１０および表７に示す。
図１０の縦軸と横軸とは、図５と同様のグラフである。ここに、本発明に係る蛍光体試
料の発光スペクトルを太実線で示し、組成式Ｃａ１．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の蛍光体試料の発光スペクトルを細実線で示している。
図１０および表７の結果より明らかなように、実施例９に係る蛍光体試料は、組成式Ｃａ１．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の蛍光体試料と比較して、ピーク強度が約２９％高く非常に高効率な蛍光体であることが判明した。
Figure 2005325273
（実施例２４）
市販のＳｒＣＯ３［３Ｎ］、Ｓｉ３Ｎ４［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備し、各々のモル比がＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．７０８７５：１：０．０２０６２５となるように各原料を秤量した。この秤量された原料を、窒素雰囲気下のグローブボックス中において乳鉢を用いて混合した。混合した原料を窒化ホウ素製るつぼに充填し、窒素雰囲気中で１６００℃まで１５℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温し、１６００℃で３時間保持して焼成した後、１６００℃から２００℃まで１時間で冷却し蛍光体試料を得た。得られた蛍光体粉末の化学分析結果、平均粒径、比表面積の測定結果を表８に示す。当該化学分析結果より、当該蛍光体試料の組成式はＳｒ２．９Ｓｉ３Ｏ４．１７Ｎ３．２８：Ｅｕ０．０４４であることが判明した。
Figure 2005325273
次に、当該蛍光体試料の発光スペクトルと励起スペクトルと実施例１と同様に測定した
。当該測定結果について、図１１、図１２を参照しながら説明する。ここで、図１１、図
１２とも縦軸に本発明の蛍光体の発光強度を相対強度としてとり、横軸には光の波長をと
っている。
図１１から明らかなように、当該蛍光体試料は５００ｎｍから８００ｎｍの広い波長域
で発光を示し、６２４ｎｍで最も高い発光を示している。尚、目視では橙色の発光色が確
認できた。
次に、当該蛍光体試料の励起スペクトルを測定したが本測定においては、本測定におい
ては、２５０ｎｍから５７０ｎｍまでの単色光を本発明の蛍光体に照射し、試料が発光す
る波長６２４ｎｍの光の発光強度の励起依存性を測定した。図１２から明らかなように、
当該蛍光体試料の励起スペクトルは、２５０ｎm付近から６００ｎm付近まで広く、広い範
囲で、高い橙色の発光を示すことがわかった。
（実施例２５〜３２）
実施例２５〜３２においては、実施例２４と同様に、市販のＳｒＣＯ３［３Ｎ］、Ｓｉ
３Ｎ４［３Ｎ］、Ｅｕ２Ｏ３［３Ｎ］を準備し、各々のモル比を所定の値に設定して各蛍
光体試料の原料を秤量した以外は、実施例２４と同様により蛍光体試料を作製し当該蛍光
体試料の発光強度を測定した。
ここで、実施例２５では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．２３１２５：１
：０．００９３７５、
実施例２６では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．４７７５：１：０．０１
１２５、
実施例２７では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．７２３７５：１：０．０
１３１２５、
実施例２８では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝１．９７：１：０．０１５、
実施例２９では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．２１６２５：１：０．０
１６８７５、
実施例３０では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．４６２５：１：０．０１
８７５、
実施例３１では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．７０８７５：１：０．０
２０６２５、
実施例３２では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．９５５：１：０．０２２
５、とした。
当該測定結果について、図１３を参照しながら説明する。ここで、図１３は縦軸に本発
明に係る蛍光体試料の発光強度をとり、横軸にはＳｒＣＯ３／Ｓｉ３Ｎ４の値をとっている。尚、発光強度においては、ＳｒＣＯ３／Ｓｉ３Ｎ４＝２．７５のときの発光強度を１００％としている。そして、ＳｒＣＯ３／Ｓｉ３Ｎ４の値を、１．２５〜３まで調整した結果を示す。尚、励起は４６０ｎｍの波長の光を用いた。
図１３の結果から明らかなように、当初はＳｒＣＯ３／Ｓｉ３Ｎ４の値の増加と共に発光強度が上昇し、ＳｒＣＯ３／Ｓｉ３Ｎ４＝２．７５で最大の発光強度を示した。
尚、当該発光強度の測定と並行して、発光の色度（ｘ．ｙ）も測定した。その結果を表
９に示す。
Figure 2005325273
（実施例３３〜３７）
実施例３３〜３７においては、実施例３１に係る蛍光体試料を用いて付活剤Ｅｕ元素の
濃度による発光強度を測定した。
ここで、実施例３３では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．７４７２５：１
：０．００１３７５、
実施例３４では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．７３６２５：１：０．０
０６８７５、
実施例３５では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．７０８７５：１：０．０
２０６２５、
実施例３６では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．６６７５：１：０．０４
１２５、
実施例３７では、ＳｒＣＯ３：Ｓｉ３Ｎ４：Ｅｕ２Ｏ３＝２．６１２５：１：０．０６
８７５、
当該測定結果について、図１４を参照しながら説明する。ここで、図１４は縦軸に本発
明の蛍光体の発光強度をとり、横軸にはＳｒサイト中のＥｕの割合、すなわちＥｕ／（Ｓ
ｒ＋Ｅｕ）の値をとっている。尚、発光強度においては、Ｅｕ／（Ｓｒ＋Ｅｕ）＝０．０１５の試料を４６０ｎｍの光で励起したときの発光強度を１００％としている。そして、Ｅｕ／（Ｓｒ＋Ｅｕ）の値を、０．００１〜０．０５まで調整した結果を示す。尚、励起は４６０ｎｍの波長の光を用いた。
図１４の結果から明らかなように、当初はＥｕ／（Ｓｒ＋Ｅｕ）の値の増加と共に発光
強度が上昇するが、０．０１５付近をピークとして発光強度は下がっていく。これは、０
．０１５より少ない部分では付活剤元素が足らないため発光強度が低く、０．０１５より
多い部分では付活剤元素による濃度消光が見られるためであると考えられる。
尚、当該発光強度の測定と並行して、発光の色度（ｘ．ｙ）も測定した。その結果を表
１０に示す。表１０の結果から明らかなように、Ｅｕ／（Ｓｒ＋Ｅｕ）の値の増加と共に
、ピーク波長も長波長側にシフトしていくことが確認された。
Figure 2005325273
（実施例３８）
発光部として窒化物半導体を有する紫外光のＬＥＤ上に、実施例２４で得られた蛍光体
試料、および市販の青色蛍光体（ＢＡＭ：Ｅｕ）、緑色蛍光体（ＺｎＳ：Ｃｕ, Ａｌ）、
を塗布して当該紫外光のＬＥＤを発光させた。すると、各蛍光体はＬＥＤからの光により
発光し、目視により白色に見えるＬＥＤを得ることが出来た。得られたＬＥＤの発光スペ
クトルを測定した結果を図１５に示す。また、蛍光体の配合量を適宜変えることにより種
々の色味の発光色が得られた。
また、発光部として、窒化物半導体を有する青色光のＬＥＤ上に、本発明で得られた蛍
光体試料、および市販の黄色蛍光体（ＹＡＧ：Ｃｅ）を塗布して当該青色光のＬＥＤを発
光させた。すると、各蛍光体はＬＥＤからの光により発光し、目視により白色に見えるＬ
ＥＤを得ることが出来た。また、黄色蛍光体の代わりに市販の緑色蛍光体（ＺｎＳ：Ｃｕ
, Ａｌ）を組み合わせた場合においても、目視により白色に見えるＬＥＤを得ることが出
来た。
（比較例３９）
比較例においては、特許文献５、６に記載されているＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体を比較例に係る試料として製造し、本発明の実施例２４に係る蛍光体試料と比較した。尚、本実施例に用いたＣａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ蛍光体は、比較例８に記載の方法に準拠して製造した。
両蛍光体試料の発光スペクトルを実施例２４と同様に測定して比較した。但し、照射す
る光は４６０ｎｍの単色光を用いた。その結果を図１６および表１１に示す。
図１６の縦軸と横軸とは、図１１と同様のグラフである。ここに、本発明に係る蛍光体
の発光スペクトルを太実線で示し、組成式Ｃａ１．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の蛍光体の発光スペクトルを細実線で示している。
図１６および表１１の結果より明らかなように、本発明に係る蛍光体は、組成式Ｃａ１
．９７Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ０．０３の蛍光体と比較して、ピーク強度が約４１％高く非常に高効率な蛍光体であることが判明した。
Figure 2005325273
実施例１で作製した蛍光体の発光スペクトルを示す図である。 実施例１で作製した蛍光体試料の励起スペクトルを示す図である。 本発明に係る蛍光体試料の組成と発光強度との関係を示す図である。 本発明および従来の技術に係る蛍光体試料の発光スペクトルを示す図である。 実施例９で作製した蛍光体試料の発光スペクトルを示す図である。 実施例９で作製した蛍光体試料の励起スペクトルを示す図である。 本発明に係る蛍光体試料の組成と発光強度との関係を示す図である。 本発明に係る蛍光体試料におけるＥｕ添加量と発光強度との関係を示す図である。 実施例２２で作製したＬＥＤの発光スペクトルを示す図である。 本発明および従来の技術に係る蛍光体試料の発光スペクトルを示す図である。 実施例２４で作製した蛍光体試料の発光スペクトルを示す図である。 実施例２４で作製した蛍光体試料の励起スペクトルを示す図である。 本発明に係る蛍光体試料の組成と発光強度との関係を示す図である。 本発明に係る蛍光体試料におけるＥｕ添加量と発光強度との関係を示す図である。 実施例３８で作製したＬＥＤの発光スペクトルを示す図である。 本発明および従来の技術に係る蛍光体試料の発光スペクトルを示す図である。

Claims (16)

  1. 一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記される蛍光体であって、
    ＭはII価の価数をとる元素、Zは付活剤となる元素、ａの範囲は０＜ａ≦１０であり、
    ｐの範囲は−ａ／２＜ｐ＜ａ／２であり、qの範囲は−ａ／２＜q＜２ａであり、ｒの範囲
    は−２＜ｒ＜２であることを特徴とする蛍光体。
  2. 請求項１記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ、Ｃｄ、
    Ｈｇから選択される少なくとも１つ以上の元素であり、Ｚは、希土類または遷移金属元素
    から選択される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体。
  3. 請求項１または２記載の蛍光体であって、ａの範囲は０＜ａ≦６であることを特徴とす
    る蛍光体。
  4. 請求項１から３のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｍは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、
    Ｚｎから選択される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体。
  5. 請求項１から４のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅから選択
    される少なくとも１つ以上の元素であることを特徴とする蛍光体。
  6. 請求項１から５のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚは、Ｅｕであることを特徴とす
    る蛍光体。
  7. 請求項１から５のいずれかに記載の蛍光体であって、ＭはＣａであることを特徴とする
    蛍光体。
  8. 請求項１から５のいずれかに記載の蛍光体であって、ＭはＳｒであることを特徴とする
    蛍光体。
  9. 請求項１から８のいずれかに記載の蛍光体であって、Ｚの含有量は、対応するMが１モ
    ルのとき０．０００１モル以上、０．５モル以下であることを特徴とする蛍光体。
  10. 前記蛍光体は粉末状であることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の蛍光体
    。
  11. 前記蛍光体の平均粒度が２０μｍ以下、０．１μｍ以上であることを特徴とする請求項
    １０に記載の蛍光体。
  12. 一般式Ｍａ＋ｐＳｉ３Ｏａ＋ｑＮ４＋ｒ：Zで表記され、ＭはII価の価数をとる元素、Zは付活剤となる元素、ａの範囲は０＜ａ≦１０であり、ｐの範囲は−ａ／２＜ｐ＜ａ／２であり、qの範囲は−ａ／２＜q＜２ａであり、ｒの範囲は−２＜ｒ＜２である蛍光体の製造方法であって、
    Ｍの原料として、Ｍの酸化物、炭酸塩、窒化物、水酸化物、塩基性炭酸塩のうちから選
    択される１種以上を使用し、Ｓｉの原料としてＳｉＯ２および／またはＳｉ３Ｎ４を使用し、Ｎの原料としてＳｉ３Ｎ４および／またはＭの窒化物を使用することを特徴とする蛍
    光体の製造方法。
  13. 請求項１から１１のいずれかに記載の蛍光体と、発光部とを有することを特徴とする光
    源。
  14. 前記発光部が発する光の波長が３００ｎｍ〜５５０ｎｍであることを特徴とする請求項
    １３に記載の光源。
  15. 請求項１から１１のいずれかに記載の蛍光体と、発光部とを有することを特徴とするＬ
    ＥＤ。
  16. 前記発光部が発する光の波長が３００ｎｍ〜５５０ｎｍであることを特徴とする請求項
    １５に記載のＬＥＤ。
JP2004145718A 2004-05-14 2004-05-14 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ Expired - Fee Related JP4524468B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004145718A JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2004-05-14 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ
US10/922,086 US7291289B2 (en) 2004-05-14 2004-08-20 Phosphor and production method of the same and light source and LED using the phosphor
EP05009524A EP1595934A3 (en) 2004-05-14 2005-04-29 Phosphor and production method of the same and light source and led using the phosphor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004145718A JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2004-05-14 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005325273A true JP2005325273A (ja) 2005-11-24
JP4524468B2 JP4524468B2 (ja) 2010-08-18

Family

ID=34936000

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004145718A Expired - Fee Related JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2004-05-14 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7291289B2 (ja)
EP (1) EP1595934A3 (ja)
JP (1) JP4524468B2 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006124673A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2006124675A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2006124674A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JPWO2006033418A1 (ja) * 2004-09-22 2008-05-15 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2008266385A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP2009001760A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Nec Lighting Ltd 緑色発光酸窒化物蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
JP2013256675A (ja) * 2013-10-02 2013-12-26 Nec Lighting Ltd 緑色発光酸窒化物蛍光体

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7851988B2 (en) * 2003-09-24 2010-12-14 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Green-emitting LED
WO2005031797A2 (de) * 2003-09-24 2005-04-07 Patent-Treuhand- Gesellschaft Für Elektrische Glühlampen Mbh Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur
JP4568894B2 (ja) * 2003-11-28 2010-10-27 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 複合導体および超電導機器システム
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ
JP4491585B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属ペーストの製造方法
JP4414821B2 (ja) * 2004-06-25 2010-02-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4422653B2 (ja) * 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP4933739B2 (ja) * 2004-08-02 2012-05-16 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
US7138756B2 (en) 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
US7575697B2 (en) * 2004-08-04 2009-08-18 Intematix Corporation Silicate-based green phosphors
JP4524470B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP4543253B2 (ja) * 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
EP1815536B1 (en) * 2004-11-18 2011-02-09 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Light source with improved dimming behavior and method of driving the light source
JP4892193B2 (ja) * 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7524437B2 (en) * 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7443094B2 (en) * 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) * 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
JP4975269B2 (ja) * 2005-04-28 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
WO2007135975A1 (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Mitsubishi Chemical Corporation 窒素含有合金、及びそれを使用した蛍光体の製造方法
JP2008135725A (ja) * 2006-10-31 2008-06-12 Toshiba Corp 半導体発光装置
DE102007035592B4 (de) * 2007-07-30 2023-05-04 Osram Gmbh Temperaturstabiler Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
JP2011515536A (ja) * 2008-03-21 2011-05-19 ナノグラム・コーポレイション 金属シリコン窒化物または金属シリコンオキシ窒化物のサブミクロン蛍光体粒子およびこれらの粒子を合成する方法
US9428688B2 (en) 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
WO2012077042A1 (en) * 2010-12-08 2012-06-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Orange to red emitting silicion- oxyntirde luminescent materials
CN104178141A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 铈掺杂氮氧硅镓的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件
US9416313B2 (en) * 2013-08-22 2016-08-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Yellow fluorescent substance, light-emitting device, illumination device, and vehicle
KR101602313B1 (ko) * 2014-07-28 2016-03-10 전남대학교산학협력단 나시콘 구조의 형광체 및 상기 형광체를 포함하는 발광소자
JP6898528B2 (ja) * 2018-01-19 2021-07-07 ルミレッズ ホールディング ベーフェー 発光デバイス用の波長変換材料
US11251338B2 (en) * 2018-04-20 2022-02-15 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Deep ultraviolet light-emitting element

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018996A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置
WO2004030109A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescent material, especially for led application
WO2004036962A1 (en) * 2002-10-14 2004-04-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light-emitting device comprising an eu(ii)-activated phosphor
JP2005298721A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd 酸窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置

Family Cites Families (65)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US18985A (en) * 1857-12-29 Island
US2121275A (en) * 1935-05-03 1938-06-21 Zober Benjamin Colloid mill
US3527595A (en) * 1963-10-01 1970-09-08 Arthur Adler Homogeneous metal-containing solid mixtures
JPS585222U (ja) * 1981-07-02 1983-01-13 三菱電機株式会社 超電導機器の電流中継装置
US4576736A (en) * 1984-03-19 1986-03-18 International Business Machines Corporation Method of predicting and controlling the viscosity of conductive pastes
DE4017553C1 (ja) 1990-05-31 1991-09-19 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De
JPH0515655A (ja) 1991-07-10 1993-01-26 Ace Denken:Kk 遊技機用のｉｃカード
JP3142934B2 (ja) 1992-01-20 2001-03-07 株式会社東芝 超電導電流リードの接続構造体
US5290638A (en) * 1992-07-24 1994-03-01 Massachusetts Institute Of Technology Superconducting joint with niobium-tin
US5447291A (en) 1993-10-08 1995-09-05 The Ohio State University Processes for fabricating structural ceramic bodies and structural ceramic-bearing composite bodies
JPH11144938A (ja) 1997-11-10 1999-05-28 Mitsubishi Electric Corp 電流リード装置および冷凍機冷却型超電導マグネット
JPH11277527A (ja) 1998-03-30 1999-10-12 Toshiba Chem Corp 混練装置
JP2000073053A (ja) 1998-09-01 2000-03-07 Hitachi Ltd 蛍光体及びこの蛍光体を用いた陰極線管
JP3998353B2 (ja) 1998-11-20 2007-10-24 大日本塗料株式会社 コロイドミル
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
JP3763719B2 (ja) 2000-02-02 2006-04-05 独立行政法人科学技術振興機構 オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体
WO2001075714A1 (fr) * 2000-03-30 2001-10-11 Sony Corporation Systeme de traitement de dons
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
EP1353339B1 (en) * 2001-01-16 2017-12-27 Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation Low resistance conductor, method of producing the same, and electric component using the same
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
JP3668770B2 (ja) 2001-06-07 2005-07-06 独立行政法人物質・材料研究機構 希土類元素を付活させた酸窒化物蛍光体
JP3726131B2 (ja) 2002-05-23 2005-12-14 独立行政法人物質・材料研究機構 サイアロン系蛍光体
JP2003013059A (ja) 2001-06-27 2003-01-15 Hitachi Ltd カラー陰極線管及びそれに用いる赤色蛍光体
DE10133352A1 (de) 2001-07-16 2003-02-06 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP3643868B2 (ja) 2001-09-21 2005-04-27 独立行政法人物質・材料研究機構 セリウムイオンの付活したランタン窒化ケイ素蛍光体
DE10147040A1 (de) 2001-09-25 2003-04-24 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
US6783700B2 (en) * 2001-11-14 2004-08-31 Sarnoff Corporation Red photoluminescent phosphors
JP2003238953A (ja) * 2002-02-13 2003-08-27 Tdk Corp 蛍光体およびｅｌパネル
JP4009828B2 (ja) 2002-03-22 2007-11-21 日亜化学工業株式会社 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4177172B2 (ja) 2002-05-29 2008-11-05 株式会社豊田中央研究所 色素増感型太陽電池
JP4656816B2 (ja) 2002-06-27 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4356915B2 (ja) 2002-07-22 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 プローブ装置及びプローブカードのチャンネル情報作成プログラム並びにプローブカードのチャンネル情報作成装置
JP4207489B2 (ja) 2002-08-06 2009-01-14 株式会社豊田中央研究所 α−サイアロン蛍光体
JP4415548B2 (ja) 2002-10-16 2010-02-17 日亜化学工業株式会社 オキシ窒化物蛍光体を用いた発光装置
MY149573A (en) * 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
EP1573826B1 (en) 2002-12-13 2007-03-21 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
US7074346B2 (en) 2003-02-06 2006-07-11 Ube Industries, Ltd. Sialon-based oxynitride phosphor, process for its production, and use thereof
JP4244653B2 (ja) 2003-02-17 2009-03-25 日亜化学工業株式会社 シリコンナイトライド系蛍光体及びそれを用いた発光装置
EP1605028B1 (en) * 2003-03-13 2016-12-07 Nichia Corporation Light emitting film, luminescent device, method for manufacturing light emitting film and method for manufacturing luminescent device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP4568894B2 (ja) * 2003-11-28 2010-10-27 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 複合導体および超電導機器システム
JP4511849B2 (ja) * 2004-02-27 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP5016187B2 (ja) 2004-07-14 2012-09-05 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
JP4524468B2 (ja) 2004-05-14 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ
JP4491585B2 (ja) * 2004-05-28 2010-06-30 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 金属ペーストの製造方法
JP4524469B2 (ja) 2004-06-03 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体粒子およびその製造方法並びにプラズマディスプレイパネル、照明装置およびｌｅｄ
JP4414821B2 (ja) * 2004-06-25 2010-02-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
JP4511885B2 (ja) * 2004-07-09 2010-07-28 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4422653B2 (ja) * 2004-07-28 2010-02-24 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに光源
JP4933739B2 (ja) * 2004-08-02 2012-05-16 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 電子線励起用の蛍光体および蛍光体膜、並びにそれらを用いたカラー表示装置
US7138756B2 (en) * 2004-08-02 2006-11-21 Dowa Mining Co., Ltd. Phosphor for electron beam excitation and color display device using the same
JP4524470B2 (ja) * 2004-08-20 2010-08-18 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP2006063214A (ja) 2004-08-27 2006-03-09 Dowa Mining Co Ltd 蛍光体及びその製造方法並びに光源
JP4543250B2 (ja) * 2004-08-27 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7476338B2 (en) 2004-08-27 2009-01-13 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method for the same, and light source
JP4729278B2 (ja) 2004-08-30 2011-07-20 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び発光装置
JP4543251B2 (ja) 2004-08-31 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体及び光源
JP4543253B2 (ja) * 2004-10-28 2010-09-15 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
JP4798335B2 (ja) 2004-12-20 2011-10-19 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 蛍光体および蛍光体を用いた光源
JP4892193B2 (ja) 2005-03-01 2012-03-07 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体混合物および発光装置
US7524437B2 (en) * 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7445730B2 (en) * 2005-03-31 2008-11-04 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
US7443094B2 (en) 2005-03-31 2008-10-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
JP4975269B2 (ja) * 2005-04-28 2012-07-11 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004018996A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Shin Meiwa Ind Co Ltd 真空成膜装置での基板温度測定方法、及び真空成膜装置
WO2004030109A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescent material, especially for led application
WO2004036962A1 (en) * 2002-10-14 2004-04-29 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Light-emitting device comprising an eu(ii)-activated phosphor
JP2005330459A (ja) * 2003-10-28 2005-12-02 Nichia Chem Ind Ltd 蛍光物質および発光装置
JP2005298721A (ja) * 2004-04-14 2005-10-27 Nichia Chem Ind Ltd 酸窒化物蛍光体及びそれを用いた発光装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2006033418A1 (ja) * 2004-09-22 2008-05-15 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP5105347B2 (ja) * 2004-09-22 2012-12-26 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
JP2006124673A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2006124675A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2006124674A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Showa Denko Kk 酸窒化物系蛍光体及びその製造法
JP2008266385A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Showa Denko Kk 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置
JP2009001760A (ja) * 2007-06-25 2009-01-08 Nec Lighting Ltd 緑色発光酸窒化物蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
JP2013256675A (ja) * 2013-10-02 2013-12-26 Nec Lighting Ltd 緑色発光酸窒化物蛍光体

Also Published As

Publication number Publication date
EP1595934A3 (en) 2010-01-06
JP4524468B2 (ja) 2010-08-18
EP1595934A2 (en) 2005-11-16
US7291289B2 (en) 2007-11-06
US20050253500A1 (en) 2005-11-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4524468B2 (ja) 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにｌｅｄ
JP4511885B2 (ja) 蛍光体及びｌｅｄ並びに光源
JP4511849B2 (ja) 蛍光体およびその製造方法、光源、並びにｌｅｄ
JP4414821B2 (ja) 蛍光体並びに光源およびｌｅｄ
JP4729278B2 (ja) 蛍光体及び発光装置
JP4207489B2 (ja) α−サイアロン蛍光体
JP4543251B2 (ja) 蛍光体及び光源
JP2006063214A (ja) 蛍光体及びその製造方法並びに光源
JP2006057018A (ja) 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた光源
JP2006176546A (ja) 蛍光体および蛍光体を用いた光源
WO2007136105A1 (ja) 白色蛍光体および白色発光素子乃至装置
JP4810152B2 (ja) 赤色蛍光体及び白色発光装置
US20080239206A1 (en) Ba-Sr-Ca CONTAINING COMPOUND AND WHITE LIGHT EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME
JP5394903B2 (ja) 蛍光体及びその製造方法並びに光源
JP2008024852A (ja) 蛍光体の製造方法
JP4415065B1 (ja) 蛍光体及びその発光波長のシフト方法、並びに光源およびｌｅｄ
JP2006307083A (ja) 青色励起黄色蛍光体及びそれを用いた白色発光素子
JP6035978B2 (ja) 赤色蛍光体およびその製造方法
JP2010265463A (ja) 窒化物蛍光体、窒化物蛍光体の製造方法、並びに上記窒化物蛍光体を用いた光源及びｌｅｄ
JP4191216B2 (ja) 赤色蛍光体およびそれを用いた白色発光素子
JP2009256681A (ja) 白色ｌｅｄ

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090918

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090929

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100105

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100506

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100514

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100514

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20100514

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130611

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees