JP2008266385A - 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 - Google Patents
蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008266385A JP2008266385A JP2007108125A JP2007108125A JP2008266385A JP 2008266385 A JP2008266385 A JP 2008266385A JP 2007108125 A JP2007108125 A JP 2007108125A JP 2007108125 A JP2007108125 A JP 2007108125A JP 2008266385 A JP2008266385 A JP 2008266385A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- phosphor
- light
- valence
- light emitting
- powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】一般式MaAbBcOdNeで表される蛍光体であって(M元素は付活剤であり、A元素はII価の価数をとる元素であり、B元素はIV価の価数をとる元素であり、Oは酸素であり、Nは窒素である。)、
0.00001≦a≦0.05・・・(1)
0.08≦a+b≦0.19・・・(2)
0.28≦c≦0.36・・・(3)
0.08≦d≦0.19・・・(4)
0.36≦e≦0.48・・・(5)
a+b+c+d+e=1・・・(6)
であることを特徴とする。
【選択図】図2
Description
しかしながら、蛍光体は前記のような励起源に曝される結果、蛍光体の輝度が低下するという問題があり、輝度低下のない蛍光体が求められている。そのため、従来のケイ酸塩蛍光体、リン酸塩蛍光体、アルミン酸塩蛍光体、硫化物蛍光体などの蛍光体に代わり、輝度低下の少ない蛍光体として、サイアロン蛍光体が提案されている。
II価の元素、IV価の元素、酸素、窒素とからなる蛍光体として、例えば、特許文献3には、MSi2O2N2(MはII価の元素)からなる蛍光体が記載されている。この蛍光体は、M元素をCaとした場合は黄色の発光を、Srとした場合は黄緑色の発光を、Baとした場合は青緑色の発光を示す。
また、特許文献5には、Sr2Si5N8やSrSi7N10結晶にCeを付活した蛍光体が報告されている。
これらの発光ダイオードで、特によく用いられている蛍光体は一般式(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12:Ce3+で表わされる、セリウムで付活したイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体である。
何れの場合も、使用する蛍光体種が増えることから、十分に高い白色LEDの発光効率が得られず、また、蛍光体種の化学的安定性あるいは励起光による劣化特性の違いから、長期にわたる色調の安定性にも難点があった。
また、特許文献4、5に記載された蛍光体も、発光強度が必ずしも十分とは言えず、更に高い輝度を示す蛍光体の開発が求められていた。
この知見についてさらに研究を進めた結果、以下に示す本発明を完成するに至った。
0.00001≦a≦0.05・・・(1)
0.08≦a+b≦0.19・・・(2)
0.28≦c≦0.36・・・(3)
0.08≦d≦0.19・・・(4)
0.36≦e≦0.48・・・(5)
a+b+c+d+e=1・・・(6)
であることを特徴とする蛍光体。
[2]前記M元素はMn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる一種以上の元素であり、前記A元素はMg,Ca,Sr,Ba,Zn,II価の原子価をとる希土類元素から選ばれる1種以上の元素であり、前記B元素はC,Si,Ge,Sn,Ti,Hf,Mo,W,Cr,Pb,Zrから選ばれる1種以上の元素であることを特徴とする[1]に記載の蛍光体。
[3]前記蛍光体は、平均粒径0.1μm以上50μm以下の粉体であることを特徴とする[1]または[2]に記載の蛍光体。
[4]焼成することにより、M、A、B、O、N元素からなる組成物(ただし、M元素は付活剤、A元素はII価の価数をとる元素、B元素はIV価の価数をとる元素、Oは酸素、Nは窒素)を構成しうる原料混合物を、0.1MPa以上1OOMPa以下の圧力の窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することを特徴とする[1]〜[3]のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
[5]前記組成物において、前記M元素はMn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる1種以上の元素であり、前記A元素はMg,Ca,Sr,Ba,Zn,II価の原子価をとる希土類元素から選ばれる一種以上の元素であり、前記B元素はC,Si,Ge,Sn,Ti,Hf,Mo,W,Cr,Pb,Zrから選ばれる1種以上の元素であることを特徴とする[4」に記載の蛍光体の製造方法。
[6]前記原料混合物を、炭素若しくは炭素含有化合物の共存下で焼成することを特徴とする[4]または[5]に記載の蛍光体の製造方法。
[7]原料混合物が、種子として予め合成した目的とする蛍光体粉末を添加してある混合物であることを特徴とする[4]〜[6]に記載の蛍光体の製造法。
[8]発光光源と蛍光体から構成される発光装置であって、少なくとも[1]〜[3]のいずれかに記載の蛍光体を用いることを特徴とする発光装置。
[9]前記発光光源が、330〜500nmの波長の光を発するLED、無機EL、有機ELのいずれかであることを特徴とする[8]に記載の発光装置。
からなる。
0.00001≦a≦0.05・・・(1)
0.08≦a+b≦0.19・・・(2)
0.28≦c≦0.36・・・(3)
0.08≦d≦0.19・・・(4)
0.36≦e≦0.48・・・(5)
a+b+c+d+e=1・・・(6)
であることで、aの値が示す付活剤M元素の添加量と、bの値が示すII価の価数をとるA元素の含有量と、cの値が示すIV価の価数をとるB元素の含有量と、dの値が示す酸素原子の含有量と、eの値が示す窒素原子の含有量とが、それぞれ効果的に配合され、十分に高い黄色の発光強度が得られる。
<蛍光体>
本発明の蛍光体は、M,A,B,O,N(ただし、M元素は付活剤、A元素はII価の価数をとる元素、B元素はIV価の価数をとる元素、Oは酸素、Nは窒素)の元素から構成される。
その組成は、一般式MaAbBcOdNeで表される。一般式とは、その物質を構成する原子数の比であり、a,b,c,d,eに任意の数をかけたものも同一の組成である。
即ち、本発明では、a,b,c,d,eの値は、
0.00001≦a≦0.05・・・(1)
0.08≦a+b≦0.19・・・(2)
0.28≦c≦0.36・・・(3)
0.08≦d≦0.19・・・(4)
0.36≦e≦0.48・・・(5)
a+b+c+d+e=1・・・(6)
の条件を全て満たす値から選ばれる。
より好ましくは、M元素としてはEuであり、A元素としてはCa,Sr,Baから選ばれる1種以上の元素であり、B元素としてはSiである。
本発明の蛍光体の製造方法は、焼成することにより、M、A、B、O、N元素からなる組成物(ただし、M元素は付活剤、A元素はII価の価数をとる元素、B元素はIV価の価数をとる元素、Oは酸素、Nは窒素)を構成しうる原料混合物を、0.1MPa以上1OOMPa以下の圧力の窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することで、黄色の発光強度の高い蛍光体を得ることができる。
この組成物において、M元素はMn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる1種以上の元素であることが好ましく、A元素はMg,Ca,Sr,Ba,Zn,II価の原子価をとる希土類元素から選ばれる1種以上の元素であることが好ましく、B元素はC,Si,Ge,Sn,Ti,Hf,Mo,W,Cr,Pb,Zrから選ばれる1種以上の元素であることが好ましい。
このうち、Mの原料化合物として好ましいのは酸化物、窒化物であり、Aの原料化合物として好ましいのは、炭酸塩、窒化物、珪化物であり、Bの原料化合物として好ましいのは、窒化物、酸化物、珪化物である。
焼成温度は、1500℃以上2200℃以下の範囲で行なう。焼成温度が1500℃より低いと本発明の蛍光体を得るのに長時間を要し、2200℃より高いと、原料の溶融が始まるため、何れも好ましくない。
ここで用いられる炭素若しくは炭素含有化合物は、無定形炭素、黒鉛、炭化珪素等であればよく、特に限定されないが、好ましくは無定形炭素、黒鉛等である。カーボンブラック、黒鉛粉末、活性炭、炭化珪素粉末等及びこれらの成型加工品、焼結体等が例示可能だが、何れも同様の効果を得ることが出来る。
共存の態様としては、粉末状炭素を原料混合物中に含有させる場合、炭素若しくは炭素含有化合物からなる容器を用いる場合、炭素或いは炭素含有化合物以外の材質からなる容器の内部あるいは外部に配置する場合、炭素若しくは炭素含有化合物からなる発熱体や断熱体として用いる場合等があるが、何れの配置方法を採用しても同様の効果を得ることが出来る。
嵩密度を40%以下の状態に保持したまま焼成するのは、原料粉末の周りに自由な空間がある状態で焼成すると、反応生成物が自由な空間に結晶成長することにより結晶同士の接触が少なくなるため、表面欠陥が少ない結晶を合成することが出来るためである。
原料混合物の充填量を、使用する容器の20体積%以上として焼成するのは、原料混合物に含まれる揮発性成分の揮散が抑制され、焼成過程での組成のずれが抑制されるためである。
また、焼成後の蛍光体粉末、あるいは粉砕処理後の蛍光体粉末、もしくは粒度調整後の蛍光体粉末を、1000℃以上の温度で熱処理すると粉砕時などに導入された欠陥が減少して輝度が向上する。
さらに、焼成後に生成物を水または酸の水溶液からなる溶剤で洗浄することにより、生成物に含まれるガラス相、第二相、または不純物相の含有量を低減させることができ、輝度が向上する。この場合、酸は、硫酸、塩酸、硝酸、フッ化水素酸、有機酸の単体または混合物から選ぶことができ、なかでもフッ化水素酸と硫酸の混合物を用いると不純物の除去効果が大きい。
本発明の発光装置は、少なくとも発光光源と本発明の蛍光体を用いて構成される。照明装置としては、LED照明装置、EL照明装置、蛍光ランプなどがある。
LED照明装置では、本発明の蛍光体を用いて、特開平5−152609、特開平7−99345などに記載されているような公知の方法により製造することができる。
本発明の照明器具の第一の実施形態として、図3に示すような、砲弾型白色発光ダイオードランプ(LED照明器具)1について説明する。
砲弾型白色発光ダイオードランプ1は、第一のリードワイヤ2と、第二のリードワイヤ3とを備え、第一のリードワイヤ2は凹部2aを有し、その凹部2aに青色発光ダイオード素子4が蔵置されている。青色発光ダイオード素子4は、下部電極4aが凹部2aの底面と導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極4bが第二のリードワイヤ3とボンディングワイヤ(金細線)5によって電気的に接続されている。
第一の樹脂6は蛍光体7が分散している透明な樹脂であり、青色発光ダイオード素子4の全体を被覆している。凹部2aを含む第一のリードワイヤ2の先端部2b、青色発光ダイオード素子4、蛍光体7を分散した第一の樹脂6は、透明な第二の樹脂8によって封止されている。
第二の樹脂8は全体が略円柱形状であり、その先端部がレンズ形状の曲面となっているため、砲弾型と通称されている。第一の樹脂6と第二の樹脂8の材質は、エポキシ樹脂が好ましいが、シリコーン樹脂等の他の樹脂あるいはガラス等の透明材料であっても良い。できるだけ紫外線光による劣化の少ない材料を選定することが好ましい。
また、同じ樹脂を用いても良いし、異なる樹脂を用いても良いが、製造の容易さや接着性の良さなどから、同じ樹脂を用いるほうが好ましい。
このように構成することで、青色発光ダイオード素子4が発する光により、蛍光体7が励起されて発光する発光装置となる。
本発明の照明器具の第二の実施形態として、図4に示すような、基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ(LED照明器具)11について説明する。
基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ11は、可視光線反射率の高い白色のアルミナセラミックスを用いたセラミックス基板19に、第三のリードワイヤ12と、第四のリードワイヤ13が固定されており、それらの端12a、端13aは基板のほぼ中央部に位置し、反対側の端12b、端13bはそれぞれ外部に出ていて電気基板への実装時にはんだ付けされる電極となっている。
第三のリードワイヤ12の端12aは、基板中央部となるように青色発光ダイオード素子ダイオード素子14が蔵置され固定されている。青色発光ダイオード素子14の下部電極14aと第三のリードワイヤ12とは導電性ペーストによって電気的に接続されており、上部電極14bと第四のリードワイヤ13とがボンディングワイヤ(金細線)15によって電気的に接続されている。
穴20aは、青色発光ダイオード素子14及び蛍光体混合物17を分散させた第三の樹脂16をおさめるものであり、中央に面した部分は斜面20bとなっている。この斜面20bは光を前方に取り出すための反射面であって、その斜面20bの曲面形は光の反射方向を考慮して決定される。また、少なくとも反射面を構成する斜面20bは、白色または金属光沢を持った可視光線反射率の高い面となっている。
壁面部材20は、例えば白色のシリコーン樹脂など形成されていればよく、中央部の穴20aは、チップ型発光ダイオードランプの最終形状としては凹部を形成するが、ここには青色発光ダイオード素子14及び蛍光体17を分散させた第三の樹脂16のすべてを封止するようにして透明な第四の樹脂18を充填している。
第三の樹脂16と第四の樹脂18の材質は、エポキシ樹脂が好ましいが、シリコーン樹脂等の他の樹脂あるいはガラス等の透明材料であっても良い。できるだけ紫外線光による劣化の少ない材料を選定することが好ましい。
また、同じ樹脂を用いても良いし、異なる樹脂を用いても良いが、製造の容易さや接着性の良さなどから、同じ樹脂を用いるほうが好ましい。
このように構成することで、青色発光ダイオード素子14が発する光により、蛍光体17が励起されて発光する発光装置となる。
発光光源(青色発光ダイオード素子4、14)は330〜500nmの波長の光を発するものが望ましく、中でも330〜420nmの紫外(または紫)LED発光素子または420〜500nmの青色LED発光素子が好ましい。
発光素子がEL素子である場合も、発光スペクトルが330nmから500nmに発光可能なものであれば際限なく使用可能であり、したがって無機、有機何れのEL素子も使用可能である。
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルヘテロ構造のものが挙げられる。半導体層の材料やその混晶度によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることもできる。
発光素子が無機ELである場合、薄膜型、分散型更に直流駆動型、交流駆動型の何れであっても差し支えない。また、EL発光にあずかる蛍光体も、特に限定されないが、硫化物系が好適に用いられる。
発光素子が有機ELである場合、積層型、ドーピング型更に低分子系、高分子系、何れであっても差し支えない。
まず、本発明の蛍光体の実施例1〜9、およびその比較例1〜6について説明する。
一般式EuaSrbSicOdNeにおいて、表1に示すa,b,c,d,eの値となるように、表2に示す配合で、酸化ユーロピウム粉末、酸化ユーロピウム粉末、炭酸ストロンチウム粉末、窒化ストロンチウム粉末、窒化珪素粉末、二酸化珪素粉末を秤量し、メノウ乳棒と乳鉢で30分間混合を行なった。
焼成後、この得られた焼成体を粗粉砕の後、窒化ケイ素焼結体製のるつぼと乳鉢を用いて手で粉砕し、30μmの目のふるいを通した。
実施例1〜9においては実施例1と同様の粉末X線回折パターンが得られ、比較例1〜6では、実施例1と同様の粉末X線回折パターンの他に、未知相のパターンが認められた。
この蛍光体を湿度80%温度80℃の条件で100時間暴露させたところ、輝度の低下はほとんど見られなかった。
実施例1で得た化合物を、更にメノウ乳鉢で粉砕し、エタノール湿式による水簸分級を行い、平均粒径0.02μmの粉末を得た。この粉末の発光強度を測定したところ、36カウントだった。
実施例1で得た化合物を、窒化珪素製の乳鉢で粉砕し、75μmの目のふるい上に残った粉末の発光強度を測定したところ、75カウントだった。また、この粉末を用いて、実施例10に示す、蛍光体を分散した第一の樹脂の作製を試みたところ、粉末と樹脂との界面には多くの空隙が生じ、均一な分散が出来なかった。
本発明の蛍光体を用いて、図3に示すような砲弾型白色発光ダイオードランプ1を製作した。
まず、第一のリードワイヤ2にある素子蔵置用の凹部2aに青色発光ダイオード素子4を、導電性ペーストを用いてボンディングし、第一のリードワイヤ2と青色発光ダイオード素子4の下部電極4aとを電気的に接続するとともに、青色発光ダイオード素子4を固定した。
次に、青色発光ダイオード素子4の上部電極4bと第二のリードワイヤ3とを、ボンディングワイヤ5によってワイヤボンディングし、電気的に接続した。
そして、予め作製しておいた蛍光体7を、青色発光ダイオード素子4を被覆するようにして凹部2aにディスペンサで適量塗布し硬化させ、第一の樹脂6を形成した。
最後に、キャスティング法により凹部2aを含む第一のリードワイヤ2の先端部2b、青色発光ダイオード素子4、蛍光体7を分散した第一の樹脂6の全体を第二の樹脂8で封止した。
第一の樹脂6と第二の樹脂8は両方とも同じエポキシ樹脂を使用した。
続いて、図3に示すような砲弾型白色発光ダイオードランプ1において、実施例10とは異なる構成の発光装置を作製した。
発光素子として380nmの紫外LEDを用い、実施例1の蛍光体と、青色蛍光体(BaMgAl1017:Eu)とをシリコーン樹脂からなる樹脂層に分散させて紫外LEDにかぶせた構造とした。
導電性端子に電流を流すと、LEDは380nmの紫外光を発し、これらの光が混合されて白色の光を発する発光装置として機能することが確認された。
さらに、図4に示すような、基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ11を製作した。
製造手順は、アルミナセラミックス基板19に第三のリードワイヤ12、第四のリードワイヤ13及び壁面部材20を固定する部分を除いては、実施例10の製造手順と略同一である。
本実施例では、壁面部材20を白色のシリコーン樹脂によって構成し、第三の樹脂16と第四の樹脂18とには同一のエポキシ樹脂を用いた。
蛍光体は、実施例1の蛍光体を用い、白色を発することが確認された。
2…第一のリードワイヤ。
3…第二のリードワイヤ。
4…青色発光ダイオード素子。
5…ボンディングワイヤ(金細線)。
6…第一の樹脂。
8…第二の樹脂。
7…蛍光体。
11…基板実装用チップ型白色発光ダイオードランプ。
12…第三のリードワイヤ。
13…第四のリードワイヤ。
14…青色発光ダイオード素子。
15…ボンディングワイヤ(金細線)。
16…第三の樹脂。
18…第四の樹脂。
17…蛍光体。
19…アルミナセラミックス基板。
20…側面部材。
Claims (9)
- 一般式MaAbBcOdNeで表される蛍光体であって(ただし、M元素は付活剤、A元素はII価の価数をとる元素、B元素はIV価の価数をとる元素、Oは酸素、Nは窒素)、
0.00001≦a≦0.05・・・(1)
0.08≦a+b≦0.19・・・(2)
0.28≦c≦0.36・・・(3)
0.08≦d≦0.19・・・(4)
0.36≦e≦0.48・・・(5)
a+b+c+d+e=1・・・(6)
であることを特徴とする蛍光体。 - 前記M元素はMn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる一種以上の元素であり、前記A元素はMg,Ca,Sr,Ba,Zn,II価の原子価をとる希土類元素であり、前記B元素はC,Si,Ge,Sn,Ti,Hf,Mo,W,Cr,Pb,Zrから選ばれる1種以上の元素であることを特徴とする請求項1に記載の蛍光体。
- 前記蛍光体は、平均粒径0.1μm以上50μm以下の粉体であることを特徴とする請求項1または2に記載の蛍光体。
- 焼成することにより、M、A、B、O、N元素からなる組成物(ただし、M元素は付活剤、A元素はII価の価数をとる元素、B元素はIV価の価数をとる元素、Oは酸素、Nは窒素)を構成しうる原料混合物を、0.1MPa以上1OOMPa以下の圧力の窒素雰囲気中において1500℃以上2200℃以下の温度範囲で焼成することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記組成物において、前記M元素はMn,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Ybから選ばれる1種以上の元素であり、前記A元素はMg,Ca,Sr,Ba,Zn,II価の原子価をとる希土類元素から選ばれる一種以上の元素であり、前記B元素はC,Si,Ge,Sn,Ti,Hf,Mo,W,Cr,Pb,Zrから選ばれる1種以上の元素であることを特徴とする請求項4に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記原料混合物を、炭素若しくは炭素含有化合物の共存下で焼成することを特徴とする請求項4または5に記載の蛍光体の製造方法。
- 前記原料混合物が、種子として予め合成した目的とする蛍光体粉末を添加してある混合物であることを特徴とする請求項4〜6のいずれか1項に記載の蛍光体の製造方法。
- 発光光源と蛍光体から構成される発光装置であって、少なくとも請求項1〜3のいずれか1項に記載の蛍光体を用いることを特徴とする発光装置。
- 前記発光光源が330〜500nmの波長の光を発するLED、無機EL、有機ELのいずれかであることを特徴とする請求項8に記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007108125A JP2008266385A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007108125A JP2008266385A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008266385A true JP2008266385A (ja) | 2008-11-06 |
Family
ID=40046336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007108125A Pending JP2008266385A (ja) | 2007-04-17 | 2007-04-17 | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008266385A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014122347A (ja) * | 2012-12-22 | 2014-07-03 | Chi Mei Corp | 蛍光体及び発光デバイス |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005325273A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Dowa Mining Co Ltd | 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにled |
WO2006033418A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2006124673A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2006124675A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2006206729A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2006257385A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-09-28 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2006348070A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2008045080A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | National Institute For Materials Science | 無機化合物の製造方法 |
-
2007
- 2007-04-17 JP JP2007108125A patent/JP2008266385A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005325273A (ja) * | 2004-05-14 | 2005-11-24 | Dowa Mining Co Ltd | 蛍光体とその製造方法および当該蛍光体を用いた光源並びにled |
JP2006257385A (ja) * | 2004-09-09 | 2006-09-28 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
WO2006033418A1 (ja) * | 2004-09-22 | 2006-03-30 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2006124673A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2006124675A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-05-18 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2006206729A (ja) * | 2005-01-27 | 2006-08-10 | National Institute For Materials Science | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
JP2006348070A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Showa Denko Kk | 酸窒化物系蛍光体及びその製造法 |
JP2008045080A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | National Institute For Materials Science | 無機化合物の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014122347A (ja) * | 2012-12-22 | 2014-07-03 | Chi Mei Corp | 蛍光体及び発光デバイス |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5105347B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP4674348B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP5110518B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および照明器具 | |
JP4756261B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP5145534B2 (ja) | 蛍光体とその製造方法および照明器具 | |
JP4565141B2 (ja) | 蛍光体と発光器具 | |
JP5540322B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光器具および画像表示装置 | |
WO2011016486A1 (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 | |
JP5885175B2 (ja) | 蛍光体およびその製造方法、蛍光体を用いた発光装置、画像表示装置、顔料および紫外線吸収剤 | |
JP6057213B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP2009286995A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 | |
WO2006101096A1 (ja) | 蛍光体とその製造方法および発光器具 | |
JP6061332B2 (ja) | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 | |
JP2008208238A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを備えた照明器具と画像表示装置 | |
JP2008266385A (ja) | 蛍光体及びその製造方法、並びにそれを用いた発光装置 | |
JP2016060891A (ja) | 蛍光体、蛍光体の製造方法、およびそれを用いた発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100412 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100412 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120911 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121108 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20130703 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20130703 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130813 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130927 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140617 |