JP2004295126A - シフトレジスタ及びこれを有する表示装置 - Google Patents

シフトレジスタ及びこれを有する表示装置 Download PDF

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Abstract


【課題】 外部のバスライン数を減少させるためのシフトレジスタを提供し、前記シフトレジスタを有する表示装置を提供する。
【解決手段】 シフトレジスタは、複数のステージを有し、前記各ステージは前段ステージの出力信号又は制御信号に応答して第1制御信号を生成する第1プルアップ駆動部、第1パワークロック及び前記第1制御信号に応答して現在ステージの出力信号を生成するプルアップ部、前記第1パワークロック及び第2パワークロックに応答して少なくとも一つの第2制御信号を生成する第2プルアップ駆動部、ローレベル端子に連結され後段ステージの出力信号に応答して駆動される第3プルアップ駆動部及び前記第2パワークロックに応答して駆動されるプルダウン部を含む。これにより、第1及び第2パワークロックとスキャン開始信号を提供するバスラインのみを具備してもアモルファス−シリコン薄膜トランジスタで構成されるシフトレジスタを定常的に動作させることができる。
【選択図】 図5

Description

本発明は、シフトレジスタとこれを有する表示装置に関し、より詳細には、外部のバスライン数を減少させるためのシフトレジスタをこれを有する表示装置に関するものである。
最近、液晶表示装置は、TCP(Tape Carrier Package)又はCOG(Chip On Glass)等の方法でゲート駆動ICを装着しているが、製造原価や設計効率的な側面で前述した製品の構造には限界がある。
前述した限界を克服するために、前記ゲート駆動ICを採択しない構造(以下、Gate_IC−Less構造)を説明するが、これはアモルファス−シリコン薄膜トランジスタ(以下、a−SiTFT)を用いた回路で、ゲート駆動ICのような動作を行わせるものである。
このためのa−SiTFT回路が、特許文献1のみならず、本出願人によって出願された特許文献2等に開示されている。前記Gate_IC−Less構造を有する前記ゲート駆動回路は、一つ又は複数のシフトレジスタを含み、スキャン信号を液晶表示パネルに提供する。
図1は、従来のシフトレジスタを説明するための回路図であり、特に、特許文献2で開示しているゲート駆動ICとして動作するシフトレジスタのステージを説明する。
図1を参照すると、シフトレジスタの各ステージ100は、プルアップ部(Pull−Up Part)110、プルダウン部(Pull−Down Part)120、プルアップ駆動部(Pull−Up Driving Part)130及びプルダウン駆動部(Pull−Down Driving Part)140を含み、スキャン開始信号(STV)又は前段ステージの出力信号に基づいてゲート信号(又は、走査信号)を出力する。この際、ステージがシフトレジスタの一番目ステージである場合には、タイミング制御部(図示せず)から提供されるスキャン開始信号(STV)に基づいてゲート信号を出力し、残りのステージである場合には、前段ステージから出力されるゲート信号に基づいてゲート信号を出力する。前述したシフトレジスタは、TFTパネル内に集積されゲート駆動回路のような動作を行う。
図2は、前述した図1によるゲート駆動回路を説明するための図である。
図1及び図2を参照すると、N個のゲート信号(又は、走査信号)(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を出力するゲート駆動回路174には、N個のステージ(SRC[1]、SRC[2]、...、SRC[N])及びコントロール信号を前段ステージに提供するダミーステージ(SRC[N+1])が具備される。それぞれの前記ステージ(SRC[1]、SRC[2]、...、SRC[N])は、次のステージの出力がCTに入力され、第1パワークロックCKV、第2パワークロックCKVB、ゲートオン電圧VONであるハイレベル電圧VDD、ゲートオフ電圧VOFFであるグランドレベル電圧VSS及び制御信号の提供を受ける。
特に、一番目ステージは、前記CKV、CKVB、VON、VDD、VOFF、VDD及び制御信号と共にタイミング制御部(図示せず)から提供されるスキャン開始信号STVを提供受けて、第1ゲートラインを選択する第1ゲート信号GOUT[1]を出力する。前記第1ゲート信号GOUT[1]は、第2ステージの入力端INに出力される。二番目ステージSRC[2]は、前記制御信号等と共に、前段ステージから提供される第1ゲート信号GOUT[1]を提供受けて、第2ゲートラインを選択する第2ゲート信号GOUT[2]を出力する。前記第2ゲート信号GOUT[2]は、第3ステージの入力端INに出力される。同様な方式で、N番目ステージSRC[N]は、前記第2パワークロックCKVB、前記電圧VON/VOFF、前記ダミーステージSRC[N+1]から提供される制御信号とN−1番目ステージSRC[N−1]から提供されるN−1番目ゲート信号SRC[N−1]を提供受けて、N番目ゲートラインの選択のための第Nゲート信号GOUT[N]を出力端子OUTを通じて出力する。
図3は、従来のシフトレジスタの駆動波形を説明するための波形図である。
図1乃至図3を参照すると、前記シフトレジスタ174のステージは、第1パワークロックCKV又は第2パワークロックCKVBの提供受ける。即ち、奇数番目ステージは前記第1パワークロックCKVを提供受け、偶数番目ステージは前記第1パワークロックCKVの反転された位相に対応する前記第2パワークロックCKVBを提供受ける。前記シフトレジスタ174は、ゲート信号を生成して薄膜トランジスタ基板のゲートラインに順次提供する。前記第1パワークロックCKV及び前記第2パワークロックCKVBは、タイミングコントローラー(図示せず)の出力から求められる。一般に、前記タイミングコントローラー(図示せず)の出力は、0〜3V振幅の信号を有し、a−SiTFTを駆動するために、−8〜24V振幅の信号に増幅される。
前記した図1乃至図3に示したように、a−Siトランジスタを用いてGate_IC−Less構造を実現するためには、少なくとも5個のバスラインが必要である。具体的に、前記バスラインは、水平方向の始め信号であるスキャン開始信号STVを伝達するためのバスライン、奇数番目ゲートラインに連結されゲートオフ電圧を印加するための第1パワークロックCKVを伝達するためのバスライン、偶数番目ゲートラインに連結されゲートオフ電圧を印加するための第2パワークロックCKVBを伝達するためのバスライン、各ステージに第1及び第2電源電圧VOFF、VONをそれぞれ印加するための第1及び第2電源ラインVSS、VDDである。
前記5個のバスラインは、ソース駆動ICが搭載されるTCPのダミーピン(DUMMY PIN)経路を通じるか、液晶表示パネルに装着され前記液晶表示パネルに具備されるゲート駆動領域に電気的に連結される。
しかし、前述したこのような設計構造を有するゲート駆動部を設計するのには、次のような問題点がある。
即ち、それぞれのバスラインを上下に配線して、それぞれのバスラインから分岐して各ステージに信号及び電力を連結するためのジャンパー(JUMPER)を構造するための空間が必要であるという問題点がある。特に、有効画面比率が大きいナローベゼル(Narrow Bezel)製品では、ブラックマトリックス空間に限界があるため、その問題がもっと深刻である。
又、5個又はそれ以上のバスラインを前記TCP又はFPCを経路として供給される時、必要なTCPダミー空間やFPC幅の増加によって製造費用が上昇する問題点があり、狭い付着空間を有する製品に適用することは困難であるという問題点がある。
又、前記a−Siトランジスタを用いてゲート駆動回路を具現する時、前記a−SiトランジスタがDCバイアスされていると、劣化される可能性がある。よって、これで構成されるゲート駆動回路の誤動作が発生する可能性があるので、外部から印加されるDC電源を削除する検討が必要である。
又、前記a−Siトランジスタの駆動電圧は、大略に−14V〜+20V程度の大きい電位差が必要であり、これによるTCP又はFPCが液晶表示パネルに装着される時に必要な液晶表示パネルのPAD間に大きい電位差によって金属パッドが損傷される虞がある。
特に、高温多湿の環境下における製品駆動時、高電位差がかかるパッド間に浸透された水分は、二つのメタル電極の間で電解質の役割を果たすことになって、パッドメタルが腐食されオープンされるか、前記二つのメタル電極の間に電流経路が形成され液晶表示装置が誤動作又は破壊される深刻な問題点がある。
米国特許第5,517,542号明細書 韓国特許出願第2002−3398号公報
本発明は、このような従来の問題点を解決するためのもので、本発明の第1目的は、外部のバスライン数を減少させるためのシフトレジスタを提供することにある。
又、本発明の第2目的は、前記したシフトレジスタを有する表示装置を提供することにある。
前記本発明の第1目的を達成するための本発明の一実施例によると、表示装置の複数のゲートラインにゲート信号を順次発生させる複数のステージを含むシフトレジスタにおいて、前記各ステージは、第1プルアップ(Pull−Up)駆動部、プルアップ(Pull−Up)部、第2プルアップ駆動部及び第3プルアップ駆動部を含む。前記第1プルアップ駆動部は、前段ステージの出力信号又は制御信号に応答して第1制御信号を発生させる。前記プルアップ部は、第1パワークロック及び前記第1制御信号に応答して現在(Current)ステージの出力信号を生成する。前記第2プルアップ駆動部は、前記第1パワークロック及び第2パワークロックに応答して少なくとも一つの第2制御信号を生成する。前記第3プルアップ駆動部は、ローレベル(Low Level)端子に連結され、後段(Following)ステージの出力信号に応答して駆動する。
前記本発明の第2目的を達成するための本発明の一実施例によると、それぞれスキャン信号により走査されるスイッチング素子を有する複数の画素と、表示パネルの複数のゲートラインにゲート信号を順次発生する複数のステージを含むシフトレジスタを含み、前記表示パネルに映像を表示する表示装置において、前記各ステージは、第1プルアップ(Pull−Up)駆動部、プルアップ(Pull−Up)部、第2プルアップ駆動部及び第3プルアップ駆動部を含む。前記第1プルアップ駆動部は、前段ステージの出力信号又は制御信号に応答して第1制御信号を発生させる。前記プルアップ部は、 第1パワークロック及び前記第1制御信号に応答して現在(Current)ステージの出力信号を生成する。前記第2プルアップ駆動部は、前記第1パワークロック及び第2パワークロックに応答して少なくとも一つの第2制御信号を生成する。前記第3プルアップ駆動部は、ローレベル(Low Level)端子に連結され後段(Following)ステージの出力信号に応答して駆動する。
前記本発明の一実施例による第2プルアップ駆動部は、第1トランジスタ、第2トランジスタ及び第3トランジスタを含む。前記第1トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインと連結されたゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パス(Path)とを含む。前記第2トランジスタは、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第1トランジスタの間に連結され、ダイオードとして動作される。前記第3トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるラインと連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタの共通ノードを連結する導電パス(Path)とを含む。 前記共通ノードは、前記第3プルアップ駆動部に連結される。
本発明の他の実施例による第2プルアップ駆動部は、第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、第4トランジスタ、第5トランジスタ及び第6トランジスタを含む。前記第1トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パスとを含む。前記第2トランジスタは、第2トランジスタの制御信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される。前記第3トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む。前記第4トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む。前記第5トランジスタは、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタの間を連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタとの共通ノードが前記第2トランジスタのゲート電極に連結される。前記第6トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む。
本発明の他の実施例による第2プルアップ駆動部は、第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、第4トランジスタ、第5トランジスタ、第6トランジスタ及び第7トランジスタを含む。前記第1トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む。前記第2トランジスタは、第2トランジスタの制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される。前記第3トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の第2トランジスタとの間を連結する導電パスとを含む。前記第4トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む。前記第5トランジスタは、前記第1パワークロックが印加される前記端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタに連結され、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される。前記第6トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む。前記第7トランジスタは、前記第4トランジスタ及び前記第5トランジスタの間の前記共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む。
前記本発明の他の実施例による第2プルアップ駆動部は、第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、第4トランジスタ、第5トランジスタ、第6トランジスタ及び第7トランジスタを含む。前記第1トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む。前記第2トランジスタは、第2トランジスタの制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される。前記第3トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する。前記第4トランジスタは、前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む。前記第5トランジスタは、前記第1パワークロックが印加される端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタを連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタとの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される。前記第6トランジスタは、前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの共通ノードを連結する導電パスとを含む。前記第7トランジスタは、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタの共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む。
このようなシフトレジスタとこれを有するゲート駆動回路によると、第1及び第2パワークロックとスキャン開始信号を提供するバスラインのみを具備しても、アモルファス−シリコン薄膜トランジスタで構成されるシフトレジスタを正常的に動作させることができる。
以下、添付図面を参照して、本発明をより詳細に説明する。
図4は、本発明の一実施例に係るゲート駆動回路を説明するための図であって、特に多数のステージを有するシフトレジスタで構成されるゲート駆動回路の一例を説明するための図である。
図4を参照すると、ゲート駆動回路は、N個のゲート信号(又は、走査信号)(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を出力するN個のステージ(ASRC1、ASRC2、ASRC3、...、ASRCN)とダミーゲート信号GDUMMYを出力する一つのダミーステージASRCN+1を具備する。
ここで、前記ゲート駆動回路は、多数のゲートライン(図示せず)とデータライン(図示せず)により定義される領域に形成されたスイッチング素子(図示せず)を有する液晶表示パネル(図示せず)と同一平面上に形成され、前記スイッチング素子のゲート電極にスキャン信号を印加するためのゲート信号を出力する。
前記シフトレジスタは、液晶表示パネルのような表示パネルと同一なパネル上に形成される。前記表示パネルは、複数のゲートライン(又はスキャンライン)と複数のデータラインにより定義される領域内に形成されるスイッチング素子を含む。前記シフトレジスタは、前記ゲート信号(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を前記スキャン信号として対応されるスイッチング素子に提供する。
前記シフトレジスタの各ステージ(ASRC1、ASRC2、...ASRCN)は外部から提供される第1パワークロックCKVを提供受ける第1パワークロック端CK1、外部から提供される第2パワークロックCKVBを提供受ける第2パワークロック端CK2を含む。前記第2パワークロックCKVBの位相は、前記第1パワークロックCKVの位相と反転される。前記それぞれのステージ(ASRC1、ASRC2、...、ASRCN)は、第1制御信号を提供受ける第1制御端CT1、第2制御信号を提供受ける第2制御端CT2、第3制御信号を提供受ける第3制御端CT3及び前記各ゲート信号(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を生成する出力端子OUTを含む。
一番目ステージASRC1は、第1パワークロック端CK1及び第2パワークロック端CK2を通じて外部から提供される第1パワークロックCKV及び第2パワークロックCKVBを、第1制御端CT1及び第3制御端CT3を通じてスキャン開始信号STVを、そして第2制御端CT2を通じて後段ステージである二番目ステージASRC2から提供される第2ゲート信号GOUT[2]をそれぞれ提供受けて、一番目ゲートラインの選択のための第1ゲート信号GOUT[1]を出力端子OUTに出力すると共に二番目ステージASRC2の第1制御端CT1に出力する。
二番目ステージASRC2は、第1パワークロック端CK1及び第2パワークロック端CK2を通じて外部から提供される第1パワークロックCKV及び第2パワークロックCKVBを、第1制御端CT1を通じて前段ステージである一番目ステージASRC1から提供される第1ゲート信号GOUT[1]を、第2制御端CT2を通じて後段ステージである三番目ステージASRC3から提供される第3ゲート信号GOUT[3]を、そして第3制御端CT3を通じて前記スキャン開始信号STVをそれぞれ提供受け、二番目ゲートラインの選択のための第2ゲート信号GOUT[2]を出力端子OUTに出力すると共に三番目ステージASRC3の第1制御端CT1に出力する。
前述した方式で進行して、N番目ステージASRCNは、第1パワークロック端CK1及び第2パワークロック端CK2を通じて外部から提供される第1パワークロックCKV及び第2パワークロックCKVBを、第1制御端CT1を通じて前段ステージから提供されるゲート信号を、第2制御端CT2を通じてダミーステージASRCN+1から提供されるダミーゲート信号GDUMMYを、そして第3制御端CT3を通じて前記スキャン開始信号STVをそれぞれ提供受けて、N番目ゲートラインの選択のためのN番目ゲート信号GOUT[N]を出力端子OUTに出力すると共に、ダミーステージASRCN+1の第1制御端CT1に出力する。
前記した本発明に係るゲート駆動回路によると、スキャン開始信号STVを伝達するためのバスラインと、第1パワークロックCKV及び第2パワークロックCKVBをそれぞれ伝達するためのバスラインのみを具備しても、前記スキャン開始信号と前記第1パワークロックCKV及び第2パワークロックCKVBを外部から提供受けて、ゲートラインの選択のためのゲート信号(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を出力することを確認することができる。
以上で説明した本発明によると、外部電源ライン数の減少によって前記ゲート駆動回路の具現に必要なバスラインの数を減少させることができる。また、それぞれのバスラインから分岐して各ステージに信号及び電力を連結するためのジャンパー(JUMPER)を設けるための空間を減少することができる。よって、有効画面比率を大きくすることができる。また、バスラインを減少することで、前記バスライン間に発生されるノイズ成分を最小化させることができる。さらに、設計時のマージンを確保することができ、液晶表示パネルの縁に具備される接続端パッド同士の水分による腐食問題を解決することができる。また、外部電源ラインを減らすことにより、a−SiトランジスタがDCバイアスされることによるゲート駆動回路の誤動作を防止することができる。
(実施例1)
図5は、本発明の第1実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図6は、前記した図5による単位ステージを採用したシフトレジスタを説明するための回路図である。
図5及び図6を参照すると、本発明の第1実施例によるシフトレジスタの単位ステージ200は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部230、第2プルアップ駆動部250及び第3プルアップ駆動部240を含み、スキャン開始信号STVと直前(Previous)及び後段ステージの出力信号に基づいてゲート信号(又は、走査信号)を出力する。
プルアップ部210は、ドレーンが第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが第3プルアップ駆動部240に連結され、ソースが出力端子GOUTに連結された第1NMOSトランジスタM1で構成され、ゲート信号GOUT[N]を出力する。
プルダウン部220は、ドレーンとゲートが出力端子GOUTに連結された第2NMOSトランジスタM2と、ドレーンが前記第2NMOSトランジスタM2のソースに連結され、ソースが前記第1NMOSトランジスタM1のドレーンに連結され、ゲートが前記第2パワークロック端CK2に連結された第3NMOSトランジスタM3で構成される。ここで、前記第2NMOSトランジスタM2はダイオードの役割を果たす。
第1プルアップ駆動部230は、第4NMOSトランジスタM4を含む。前記第4NMOSトランジスタM4のゲート電極及びドレーン電極は、第1制御端CT1に電気的に連結される。前記第4NMOSトランジスタM4のソース電極は、第1ノードN1でキャパシタCと電気的に連結される。
第2プルアップ駆動部250は、第8乃至第10NMOSトランジスタM8〜M10で構成される。具体的に、前記第8NMOSトランジスタM8は、ソースが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが前記出力端子GOUTに連結される。
前記第9NMOSトランジスタM9は、ドレーンとゲートが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーンに連結される。前記第10NMOSトランジスタM10は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン及び前記第9NMOSトランジスタM9のソースに連結される。
ここで、前記第8NMOSトランジスタM8は、前記第9NMOSトランジスタM9より大きいことが好ましい。即ち、前記第8NMOSトランジスタM8のW/L比は、前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比より大きいことが好ましい。なぜならば、ゲート信号GOUT[N]がハイレベルである時、前記第8NMOSトランジスタM8と前記第9NMOSトランジスタM9が同時にターンオンされ、この際、ホールド機能を行う前記第6NMOSトランジスタM6のゲート電極にはローレベルが印加されなければならないためである。具体的には、ゲート信号GOUT[N]がハイレベルである時、前述の図3に示すように第1パワークロック端CK1にハイレベルのCKV、第2パワークロック端CK2にローレベルのCKVBが印加されている。このとき、プルアップ部210の第3NMOSトランジスタM3のゲート電極にはローレベルのCKVBが印加されているため、第3NMOSトランジスタM3はターンオフしている。このとき、第1NMOSトランジスタM1は、ゲート信号GOUT[N]にハイレベルを出力するためにターンオンしている必要がある。ここで、第9NMOSトランジスタM9のゲート電極にはハイレベルのCKVが印加され、第8NMOSトランジスタM8のゲート電極にはハイレベルのゲート信号GOUT[N]が入力されている。よって、第8NMOSトランジスタM8及び第9NMOSトランジスタM9は同時にターンオンしている。ここで、第6NMOSトランジスタM6をターンオフすることでN1ノードがローレベルのCKVBになって、第1NMOSトランジスタM1がターンオフしないように制御しなければならない。よって、前記第8NMOSトランジスタM8のW/L比を、前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比より遙かに大きく設計することにより、第8NMOSトランジスタM8と前記第9NMOSトランジスタM9が同時にターンオンされても、第6NMOSトランジスタM6のゲート電極をローレベルに維持するようにしている。そして、第6NMOSトランジスタM6をターンオフすることにより第1NMOSトランジスタM1がターンオフされるのを防止している。
第3プルアップ駆動部240は、キャパシタC、第5トランジスタM5乃至第7NMOSトランジスタM7で構成される。具体的に、キャパシタCは前記第1NMOSトランジスタM1のゲートと出力端子GOUTとの間に連結される。前記第5NMOSトランジスタM5は、ドレーンとゲートが第1ノードN1を経由して前記キャパシタCの一端に連結される。前記第6NMOSトランジスタM6は、ドレーンが前記第5NMOSトランジスタM5のソースに連結され、ゲートが第9NMOSトランジスタM9または第10NMOSトランジスタM10を介して前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが第2ノードN2を経由して前記第2パワークロック端CK2に連結される。
前記第7NMOSトランジスタM7は、ドレーンが第1ノードN1を経由して前記キャパシタCの一端に連結され、ゲートが第2制御端CT2に連結され、ソースが第3制御端CT3に連結される。この時、前記第7NMOSトランジスタM7にはスキャン開始信号STVが印加されることができる。ここで、前記第4NMOSトランジスタM4と第5NMOSトランジスタM5は、ダイオードの役割を果たす。
通常的に、a−Siトランジスタとして具現される前記プルアップ部210の第1NMOSトランジスタM1は、非常に小さい電子移動度を有するので、大型液晶表示装置を駆動するための高電圧振幅、例えば、−14V〜20V程度のゲートパルスをゲートラインに印加するためには、非常に大きいサイズになるしかない。
特に、12.1インチ(30.734cm)を用いるXGA級である場合には、一つのゲートラインの寄生容量が250〜300[pF]程度であり、これを最少デザインルールである4μmで設計したa−Siトランジスタとして駆動しようとすると、チャンネル長さLが4μmである時、チャンネル幅Wは5500μm程度を必要とする。従って、ゲートラインを駆動するための第1NMOSトランジスタM1の寄生容量であるゲート−ドレーン間の寄生容量Cgdは大きくなる。
この場合、前記寄生容量Cgdの大きさは3pF程度であって、a−Siトランジスタで構成されるゲート駆動回路の誤動作が問題になる。これは前記寄生容量Cgdが高振幅、即ち−14V〜20Vのパワークロック(CKV又はCKVB)と連結されており、前記寄生容量Cgdがカップリングキャパシタとして動作してプルアップ機能を行う前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧を発生させる虞があるためである。
例えば、前記カップリングキャパシタをゲートオフ電圧VOFFに維持させる手段がない場合には、前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧は、−14V〜20Vのパワークロック(CKV又はCKVB)の電位になる。そのため、出力は最大20Vで前記第1NMOSトランジスタM1のしきい電圧Vthを減算した電圧が発生されて、液晶表示パネルのゲートラインに印加されるので、異常表示現象が発生される虞がある。
従って、a−Siトランジスタで構成されるゲート駆動回路では、スキャンパルスを出力する前記第1NMOSトランジスタM1のゲートをゲートオフ電圧VOFFに維持するために、ホールド機能を行う第6NMOSトランジスタM6と第1NMOSトランジスタM1が動作した後、前記第1NMOSトランジスタM1がアクティブ信号を生成して、画素を活性化させない大部分の時間の間、ゲート信号GOUT[N]がゲートオフ電圧VOFFレベルになるように、プルダウン機能を行う第3NMOSトランジスタM3が必須的である。
動作時、直前(Previous)ステージから出力される直前ゲート信号GOUT[N−1]が前記第4NMOSトランジスタM4に印加されるにつれて前記第4NMOSトランジスタM4は、前記直前ゲート信号GOUT[N−1]をキャリー信号(Carry Signal)として受け取るダイオードの役割を果たす。
前記第1パワークロックCKVがハイレベルであり、前記第2パワークロックCKVBがローレベルの時、前記第8NMOSトランジスタM8は、ハイレベルである現在ゲート信号GOUT[N]によってターンオンされ、前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。この際、前記第9NMOSトランジスタM9は、ダイオードとして作用してハイレベルの信号が前記第6NMOSトランジスタM6に印加される。次に、前記第1パワークロックCKVがローレベルであり、前記第2パワークロックCKVBがハイレベルになると、前記第10NMOSトランジスタM10はターンオンされてローレベルの信号が前記第6NMOSトランジスタM6に印加される。従って、前記第2プルアップ駆動部240は、前記第6NMOSトランジスタM6に前記第1パワークロックCKVと同一な位相を有する制御信号を提供する。
前記第1NMOSトランジスタM1は、前記NMOSトランジスタの大きいキャパシタンス(Capacitance)によって第1NMOSトランジスタM1のゲート電極に印加される電圧をローレベルを維持する機能を行う。前述の図3に示すように前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化する場合、前記第6NMOSトランジスタM6は、ホールド機能を行って前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧が高いしきい値を有することを防止する。特に、前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化する場合、現在のゲート信号GOUT[N]はハイレベルになり、前記第8NMOSトランジスタM8はターンオンされる。このとき、第1パワークロックCKVの相補信号である第2パワークロックCKVBは、ハイレベルからローレベルに変化する。従って、第8NMOSトランジスタM8を介して前記第6NMOSトランジスタM6のゲート電極がローレベルとなる。そのため、前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン電極に電気的に連結された前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。言い換えると、前記第1NMOSトランジスタM1は、第1パワークロックCKVのサンプリング機能、即ちNMOSトランジスタの大容量の寄生容量によりローレベルに維持するサンプリング機能を行い、前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化された状態で、前記第6NMOSトランジスタM6は、前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧が前記第1NMOSトランジスタM1のしきい電圧以上に上昇することを防止するホールド機能を行うこともできる。
この時、前記第8乃至第10NMOSトランジスタM8、M9、M10の制御によってホールド機能を行う第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせるための電圧を生成することもできる。具体的に、前記第1パワークロックCKVがハイレベルであり、前記第2パワークロックCKVBがローレベルの時、前記第8NMOSトランジスタM8は、ハイレベルである現在ゲート信号GOUT[N]によってターンオンされ、前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。しかし、このとき、前記第9NMOSトランジスタM9は、ダイオードとして作用してハイレベルの信号が前記第6NMOSトランジスタM6に印加され、前記第6NMOSトランジスタM6はターンオンされる。第6NMOSトランジスタM6のターンオン/ターンオフは、第8NMOSトランジスタM8及び第9NMOSトランジスタM9のサイズを調整することで行うことができる。
又、前記第7NMOSトランジスタM7は、後段ステージから出力される後段ゲート信号GOUT[N+1]によりキャパシタCを第1電源電圧VOFFに放電させる役割を行う。前記第7NMOSトランジスタM7がターンオンされる時、スキャン開始信号STVは第1電源電圧VOFFである。これは、スキャン開始信号STVは、スキャン開始時にワンショットパルスで印加されるため、スキャン開始時以降は第1電源電圧VOFFと成っているためである。前記第7NMOSトランジスタM7のソースに前記スキャン開始信号STVを連結する。
従って、前記第1電源電圧VOFFを印加するための別の電源ラインや、第2電源電圧VONを印加するための別の電源ラインを具備しなくても、a−Siトランジスタで具現されるシフトレジスタを具現することができ、前記したシフトレジスタを液晶表示装置のゲート駆動回路として採用することができる。
(第2実施例)
図7は、本発明の第2実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図8は、本発明の第2実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。
図7及び図8を参照すると、本発明の第2実施例によるシフトレジスタの単位ステージ300は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部230及び第2プルアップ駆動部350及び第3プルアップ駆動部250を含み、スキャン開始信号STVと直前(Previous)及び後段ステージの出力信号に基づいてゲート信号(又は、走査信号)を出力する。ここで、前記したプルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部230及び第3プルアップ駆動部250は、前記した図5で説明したので、その詳細な説明は省略する。
第2プルアップ駆動部340は、第8乃至第13NMOSトランジスタM8〜M13で構成される。具体的に、前記第8NMOSトランジスタM8は、第2ノードN2を通じてソースが第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが出力端子GOUTに連結され、前記第9NMOSトランジスタM9はドレーンが第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーンに連結される。
前記第10NMOSトランジスタM10は、ドレーンが第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン及び第9NMOSトランジスタM9のソースに連結される。
前記第11NMOSトランジスタM11は、ソースが第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが前記第8NMOSトランジスタM8のゲートに連結される。前記第12NMOSトランジスタM12はドレーンとゲートが互いに連結されており、ソースは前記第9NMOSトランジスタM9のゲート及び前記第11NMOSトランジスタM11のドレーンに連結される。
前記第13NMOSトランジスタM13は、ドレーンが第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第11NMOSトランジスタM11のドレーン及び前記第12NMOSトランジスタM12のソースに連結される。
動作時、前述の図3に示すように、第1パワークロック端CK1にハイレベルのCKVが印加され、第2パワークロック端CK2にローレベルのCKVBが印加され、現在のゲート信号GOUT[N]がハイレベルを出力している場合、ハイレベルのアクティブ信号であるゲート信号GOUT[N]が前記第8NMOSトランジスタM8のゲート電極に印加される。よって、前記第8NMOSトランジスタM8がターンオンされ、前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフ状態を維持する。この際、ロー電圧が前記第9NMOSトランジスタM9のゲート電極に印加される。特に、前記第8NMOSトランジスタM8のゲート電極及び前記第11NMOSトランジスタM11のゲート電極に現在のゲート信号GOUT[N]が印加されると、前記第8NMOSトランジスタM8及び前記第11NMOSトランジスタM11はターンオンされる。従って、前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン電極及び前記第11NMOSトランジスタM11のドレーン電極に電気的に連結された第9NMOSトランジスタM9がターンオフされてチャンネル抵抗が増加する。このとき、第9NMOSトランジスタM9のゲート電極には、第11NMOSトランジスタM11を介してローレベルのCKVBが印加されている。
即ち、前記第9NMOSトランジスタM9及び前記第8NMOSトランジスタM8が同時にターンオンされる場合、前記第6NMOSトランジスタにはローレベルの信号が印加される。
前述の図3に示すように現在のゲート信号GOUT[N]がアクティブ期間が終了し、ローレベルであるインアクティブ(Inactive)信号となった場合、第1パワークロック端CK1にローレベルのCKVが印加され、第2パワークロック端CK2にハイレベルのCKVBが印加されている。よって、前記第8NMOSトランジスタM8のゲート電極にローレベルのGOUT[N]が印加され、第8NMOSトランジスタM8はターンオフされる。このとき、前記第6NMOSトランジスタM6のゲート電極を通じて第1パワークロックCKVと同一な位相を有する制御信号が印加される。特に、前記第2パワークロックCKVBがハイレベルのアクティブ信号なので、前記第2パワークロック端CK2に電気的に連結された第10NMOSトランジスタM10及び第13トランジスタM13はターンオンされる。従って、前記9NMOSトランジスタM9のゲート電極にローレベルの信号が印加されて前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。言い換えると、前記第1NMOSトランジスタM1は、前記第1パワークロックCKVのサンプリング機能、即ちNMOSトランジスタの大容量の寄生容量によりローレベルに維持するサンプリング機能を行い、前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化された状態で前記第6NMOSトランジスタM6は、前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧が前記第1NMOSトランジスタM1のしきい電圧以上に上昇することを防止するホールディング機能を行う。
前述した本発明の第2実施例によると、前記第8乃至第13NMOSトランジスタM8〜M13の動作によってホールド機能を行う第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせるための電圧を生成することができる。具体的に、前記第1パワークロックCKVがハイレベルであり、前記第2パワークロックCKVBがローレベルの時、前記第8NMOSトランジスタM8は、ハイレベルである現在ゲート信号GOUT[N]によってターンオンされ、前記第9NMOSトランジスタM9及び第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。しかし、このとき、前記第12NMOSトランジスタM12は、ダイオードとして作用してハイレベルの信号が前記第9NMOSトランジスタM9に印加され、前記第9NMOSトランジスタM9はターンオンされる。そして、第6NMOSトランジスタM6のゲート電極にハイレベルの信号が印加され、第6NMOSトランジスタM6はターンオンされる。第6NMOSトランジスタM6のターンオン/ターンオフは、前記第8乃至第13NMOSトランジスタM8〜M13のサイズを調整することで行うことができる。

以上で説明した第2実施例によると、前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比を大きくすると、前記第9NMOSトランジスタM9が第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせる時定数を短くすることができるので、前記した第1実施例で図示した第8NMOSトランジスタM8のW/L比が前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比より大きい場合に、前記第9NMOSトランジスタM9が前記第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせる時定数が増加する問題を解決することができる。
即ち、前記第1実施例では、前記第9NMOSトランジスタM9がダイオードとして動作したが、前記第2実施例では、前記第11乃至第13NMOSトランジスタM11、M12、M13の動作結果により制御されるようにする。
(実施例3)
図9は、本発明の第3実施例に係るシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図10は、本発明の第3実施例に係るシフトレジスタを説明するための回路図である。特に、第3実施例は、前記した図5の第1実施例で図示したダイオードの役割を行う第5NMOSトランジスタM5を除いた場合の実施例である。
図9及び図10を参照すると、本発明の第3実施例に係るシフトレジスタの単位ステージ400は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部430、第2プルアップ駆動部440及び第3プルアップ駆動部450を含み、スキャン開始信号STVと直前及び後段ステージの出力信号に基づいてゲート信号(又は、走査信号)を出力する。ここで、前記したプルアップ部210及びプルダウン部220は、前記した図5で説明したので、その詳細な説明は省略する。
第1プルアップ駆動部430は、第6及び第7NMOSトランジスタM6、M7、そしてキャパシタCで構成される。前記した図5と比較すると、本発明の第3実施例では第5NMOSトランジスタM5が省略される。
第6NMOSトランジスタM6は、前記第1ノードN1に電気的に連結されたドレーン電極と、出力端子GOUTに電気的に連結されたソース電極と、前記第2プルアップ駆動部440から制御信号を印加受けるゲート電極を含む。
前記第7NMOSトランジスタM7は、前記第1ノードN1に電気的に連結されたドレーン電極、スキャン開始信号STVが印加される第3制御端に電気的に連結されるソース電極及び後段ステージから後段ゲート信号GOUT[N]+1が印加される第2制御端CT2に電気的に連結されたゲート電極を含む。前記キャパシタCは、前記第1ノードN1と前記出力端子GOUTの間に電気的に連結される。
第2プルアップ駆動部440は、第8乃至第10NMOSトランジスタM8〜M10で構成される。
具体的に、第8NMOSトランジスタM8のソースは、第2ノードN2を通じて第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートはキャパシタCの一端、第6NMOSトランジスタM6のソース及び出力端子GOUTに連結される。
第9NMOSトランジスタM9のドレーンとゲートは第1パワークロック端CK1に連結され、ソースは第8NMOSトランジスタM8のドレーンに連結される。
第10NMOSトランジスタM10のドレーンは第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートは第2パワークロック端CK2に連結され、ソースは第8NMOSトランジスタM8のドレーン及び第9NMOSトランジスタM9のソースに連結される。又は、前記第10NMOSトランジスタM10のソース電極は、前記第6NMOSトランジスタのゲート電極にも連結される。
前記第3プルアップ駆動部450は、第4NMOSトランジスタM4を含む。前記第4NMOSトランジスタM4のゲート電極とドレーン電極は共通され直前ゲート信号GOUT[N−1]が印加される第1制御端CT1に電気的に連結される。前記第4NMOSトランジスタM4のソース電極は、第1ノードN1を通じて前記プルアップ部210の第1NMOSトランジスタM1のゲート電極に電気的に連結される。
前記第8NMOSトランジスタM8は、現在のゲート信号GOUT[N]によって、オン/オフされる。前述の図3に示すように、第1パワークロック端CK1にハイレベルのCKVが印加され、第2パワークロック端CK2にローレベルのCKVBが印加され、現在のゲート信号GOUT[N]がハイレベルであるアクティブ状態であるとする。この場合、前記第8NMOSトランジスタM8はターンオン状態を維持して、前記第6NMOSトランジスタM6はターンオフされる。反面に、第1パワークロック端CK1にローレベルのCKVが印加され、第2パワークロック端CK2にハイレベルのCKVBが印加され、現在のゲート信号GOUT[N]がローレベルであるインアクティブ(Inactive)状態であるとする。この場合、前記第8NMOSトランジスタM8はターンオフされる。この際、前記第1パワークロックCKVと同一な位相を有する制御信号が前記第2プルアップ駆動部440から前記第6NMOSトランジスタM6に印加される。
より具体的に説明すると、前記第1パワークロックCKVがハイレベルである場合、前記第9NMOSトランジスタM9はダイオードとして動作するので、前記ハイレベルの信号が前記第6NMOSトランジスタM6に印加される。前記第1パワークロックCKVがローレベルである場合、前記第1パワークロックCKVと位相が反転された前記第2パワークロックCKVBがハイレベルなので、前記第10NMOSトランジスタM10はターンオンされる。従って、ローレベルの信号が前記第6NMOSトランジスタM6に印加される。即ち、前記第2プルアップ駆動部440は、前記第1パワークロックCKVと同一な位相を有する制御信号を前記第6NMOSトランジスタM6に提供する。
従って、前記第6NMOSトランジスタM6がターンオフ状態を維持する場合、前記第6NMOSトランジスタM6のソース電極には、ハイレベルの電圧が印加される。又、前記第6NMOSトランジスタM6がターンオン状態を維持する場合、ローレベルの電圧が前記第6NMOSトランジスタM6のソース電極に印加される。
第3実施例では、第1実施例のダイオード接続された第5NMOSトランジスタM5を含んでおらず、第6NMOSトランジスタM6のソース端子はGOUTと連結されている。一方、第1実施例の第6NMOSトランジスタM6のソース端子はCK2と接続されている。第1実施例のように第5NMOSトランジスタM5を含まなくても、第6NMOSトランジスタM6のソース端子にGOUTのハイレベル信号が印加される間、CK1がハイレベルを有しても第6NMOSトランジスタM6がターンオフされる。第6NMOSトランジスタM6のソース端子にGOUTのローレベル信号が印加される間には、CK1がハイレベルを有する場合に、第6NMOSトランジスタM6がターンオンされるように動作してホールド機能を行う。また、第5NMOSトランジスタM5を除去することにより、トランジスタの個数を減らすことができ、シフトレジスタのレイアウト面積を減少することができる。
(第4実施例)
図11は、本発明の第4実施例に係るシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図12は、本発明の第4実施例に係るシフトレジスタを説明するための回路図である。
図11及び図12を参照すると、本発明の第4実施例に係るシフトレジスタの単位ステージ500は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部430、第2プルアップ駆動部350及び第3プルアップ駆動部440を含み、前段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N−1]、後段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N+1]、第1パワークロックCKV、第2パワークロックCKVB及びスキャン開始信号STVを入力受けて現在ステージに対応するゲート信号GOUT[N]を出力する。
ここで、プルアップ部210とプルダウン部220は前記した図5で説明し、第1プルアップ駆動部430は前記した図9で説明し、第2プルアップ駆動部340は前記した図7で説明したので、その詳細な説明は省略する。
ここで、前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比は、前記第8NMOSトランジスタM8のW/L比より大きいことが好ましい。なぜならば、前記した第3実施例で図示した第8NMOSトランジスタM8のW/L比が第9NMOSトランジスタM9のW/L比より大きければ、前記第9NMOSトランジスタM9が前記第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせるための時定数が長いので、問題を誘発する虞がある。
しかし、前記第9NMOSトランジスタM9のW/L比を第8NMOSトランジスタM8のW/L比より大きくすることにより、第9NMOSトランジスタM9が第6NMOSトランジスタM6をターンオンさせる時定数を短くすることができる。
第5実施例では、第4実施例と同様にダイオード接続された第5NMOSトランジスタM5を含まない。第5実施例の第6NMOSトランジスタM6のソース端子にGOUTのハイレベル信号が印加される間、CK1がハイレベルを有しても第6NMOSトランジスタM6がターンオフされる。第6NMOSトランジスタM6のソース端子にGOUTのローレベル信号が印加される間には、CK1がハイレベルを有する場合に、第6NMOSトランジスタM6がターンオンされるように動作してホールド機能を行う。また、第5NMOSトランジスタM5を除去することにより、トランジスタの個数を減らすことができ、シフトレジスタのレイアウト面積を減少することができる。
(第5実施例)
図13は、本発明の第5実施例に係るシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図14は、本発明の第5実施例に係るシフトレジスタを説明するための回路図である。
図13及び図14を参照すると、本発明の第5実施例に係るシフトレジスタの単位ステージ600は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部230、第2プルアップ駆動部640及び第3プルアップ駆動部240を含み、第1パワークロックCKV、第2パワークロックCKVB、前段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N−1]、後段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N+1]及びスキャン開始信号STVを入力受けて、現在ステージに対応するゲート信号GOUT[N]を出力する。ここで、前記したプルアップ部210、プルダウン部220及び第1プルアップ駆動部230は、前記した図5で説明したので、その詳細な説明は省略する。
第2プルアップ駆動部640は、第8乃至第14NMOSトランジスタM8〜M14を含む。具体的に、前記第11NMOSトランジスタM11は、ソースが第2ノードN2を通じて第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが出力端子GOUTに連結される。
前記第9NMOSトランジスタM9は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーンに連結される。前記第10NMOSトランジスタM10は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン及び前記第9NMOSトランジスタM9のソースに連結される。又、前記第10NMOSトランジスタM10のソースは、第6NMOSトランジスタM6のゲートに連結される。
前記第11NMOSトランジスタM11は、ソースが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが前記第8NMOSトランジスタM8のゲートに連結される。前記第12NMOSトランジスタM12は、ドレーンとゲートが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第9NMOSトランジスタM9のゲート及び前記第11NMOSトランジスタM11のドレーンに連結される。
前記第13NMOSトランジスタM13は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第11NMOSトランジスタM11のドレーン及び前記第12NMOSトランジスタM12のソースに連結される。前記第14NMOSトランジスタM14は、ドレーンが第1ノードN1を通じてキャパシタCの一端に連結され、ゲートが前記第12及び第13トランジスタM12、M13のソース及び第9NMOSトランジスタM9のゲートに連結され、ソースが前記キャパシタCの他端及び前記出力端子GOUTに連結される。
即ち、前記した本発明の第5実施例は、出力端子GOUTに連結されホールド機能を行う前記第14NMOSトランジスタM14のゲートをコントロールする電圧が、第6NMOSトランジスタM6のゲートをコントロールする電圧と異なる場合を示す。このように、第14NMOSトランジスタM14のゲートをコントロールする電圧が、第6NMOSトランジスタM6のゲートをコントロールする電圧と異なる場合であっても、ホールド機能を行う第6NMOSトランジスタM6のゲートをコントロールする電圧と異なる場合にもホールド機能を行うことができる。
具体的に、前記第1NMOSトランジスタM1は、第1パワークロックCKVのサンプリング機能、即ちNMOSトランジスタの大容量の寄生容量によりローレベルに維持するサンプリング機能を行い、前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化された状態で前記第6NMOSトランジスタM6は、前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧が前記第1NMOSトランジスタM1のしきい電圧以上に上昇することを防止するホールディング機能を行う。
(第6実施例)
図15は、本発明の第6実施例に係るシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図であり、図16は、本発明の第6実施例に係るシフトレジスタを説明するための回路図である。
図15及び図16を参照すると、本発明の第6実施例に係るシフトレジスタの単位ステージ700は、プルアップ部210、プルダウン部220、第1プルアップ駆動部230、第2プルアップ駆動部740及び第3プルアップ駆動部240を含み、第1パワークロックCKV、第2パワークロックCKVB、前段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N−1]、後段ステージから出力されたゲート信号GOUT[N+1]及びスキャン開始信号STVに基づいて現在ステージに対応するゲート信号GOUT[N]を出力する。ここで、前記したプルアップ部210、プルダウン部220及び第1プルアップ駆動部230は、前記した図5で説明したので、その詳細な説明は省略する。
前記第2プルアップ駆動部740は、第8乃至第14NMOSトランジスタM8〜M14を含む。
具体的に、前記第8NMOSトランジスタM8は、ソースが第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが出力端子GOUTに連結される。前記第9NMOSトランジスタM9はドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーンに連結される。
前記第10NMOSトランジスタM10は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第8NMOSトランジスタM8のドレーン及び第9NMOSトランジスタM9のソースに連結される。前記第11NMOSトランジスタM11は、ソースが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ゲートが前記第8NMOSトランジスタM8のゲートに連結される。
前記第12NMOSトランジスタM12は、ドレーンとゲートが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ソースが前記第9NMOSトランジスタM9のゲートに連結される。前記第13NMOSトランジスタM13は、ドレーンが前記第1パワークロック端CK1に連結され、ゲートが前記第2パワークロック端CK2に連結され、ソースが前記第11NMOSトランジスタM11のドレーン及び前記第12NMOSトランジスタM12のソースに連結される。
前記第14NMOSトランジスタM14は、ドレーンがキャパシタCの一端及び出力端子GOUTに連結され、ゲートが前記第9及び第10NMOSトランジスタM9、M10のソースに連結され、ソースが前記第3プルアップ駆動部の前記第4NMOSトランジスタM4のドレーン及び前記キャパシタCの他端に連結される。
第6実施例は、前記出力端子GOUT[N]に電気的に連結される第14NMOSトランジスタM14のゲートをコントロールする電圧が、ダイオードとして作用する第5NMOSトランジスタM5に電気的に連結された第6NMOSトランジスタM6のゲート電極をコントロールする電圧と同一な場合を示す。即ち、第14NMOSトランジスタM14のゲートは第6NMOSトランジスタM6のゲートと接続されている。このように、第14NMOSトランジスタM14のゲートをコントロールする電圧が、第6NMOSトランジスタM6のゲート電極をコントロールする電圧と同一な場合であってもホールド機能を行うことができる。

具体的に、前記第1NMOSトランジスタM1は、前記第1パワークロックCKVのサンプリング機能、即ち、NMOSトランジスタの大容量の寄生容量によってローレベルに維持するサンプリング機能を行い、前記第6NMOSトランジスタM6は、前記第1パワークロックCKVがローレベルからハイレベルに変化された状態で前記第1NMOSトランジスタM1のゲート電圧が前記第1NMOSトランジスタM1のしきい電圧以上に上昇することを防止するホールド機能を行う。
以上では、シフトレジスタを構成する毎ステージに前記スキャン開始信号STVを印加することを説明したが、前記したスキャン開始信号STVの代わりに、下記する図17のように、別の電源ラインを具備し、前記電源ラインを経由して第2電源電圧VSSを印加することもできる。
図17は、本発明の他の実施例に係るゲート駆動回路を説明するための図であって、特に、多数のステージを有するシフトレジスタで構成されるゲート駆動回路の他の例を説明するための図である。
図17を参照すると、ゲート駆動回路はN個のゲート信号(又は、走査信号)(GOUT[1]、GOUT[2]、...、GOUT[N])を出力するN個のステージ(BSRC1、BSRC2、BSRC3、...、BSRCN)とダミーゲート信号GDUMMYを出力する一つのダミーステージSRCN+1を具備する。
一番目ステージBSRC1は、第1及び第2パワークロック端CK1、CK2を通じて外部から提供される第1及び第2パワークロックCKV、CKVBを、第1及び第3制御端CT1、CT3を通じてスキャン開始信号STVを、そして第2制御端CT2を通じて後段ステージである二番目ステージBSRC2から提供される第2ゲート信号GOUT[2]をそれぞれ提供受けて、一番目ゲートラインの選択のための第1ゲート信号GOUT[1]を出力端子OUTに出力すると共に二番目ステージの第1制御端CT1に出力する。
二番目ステージBSRC2は、前記第1及び第2パワークロック端CK1、CK2を通じて外部から提供される第1及び第2パワークロックCKV、CKVBを、第1制御端CT1を通じて前段ステージである一番目ステージBSRC1から提供される第1ゲート信号GOUT[1]を、第2制御端CT2を通じて後段ステージである三番目ステージBSRC3から提供される第3ゲート信号GOUT[3]を、そして第3制御端CT3を通じて第1電源電圧VOFFをそれぞれ提供受けて、二番目ゲートラインの選択のための第2ゲート信号GOUT[2]を出力端子OUTに出力すると共に、三番目ステージBSRC3の第1制御端CT1に出力する。
前記した方式で進行して、N番目ステージBSRCNは、第1及び第2パワークロック端CK1、CK2を通じて外部から提供される第1及び第2パワークロックCKV、CKVBを、第1制御端CT1を通じて前段ステージから提供されるゲート信号を、第2制御端CT2を通じてダミーステージBSRCN+1から提供されるダミーゲート信号GDUMMYを、そして第3制御端CT3を通じて前記第1電源電圧VOFFをそれぞれ提供受けて、N番目ゲートラインの選択のためのN番目ゲート信号GOUT[N]を出力端子OUTを通じて出力すると共にダミーステージBSRCN+1の第1制御端CT1に出力する。
前記した本発明に係るゲート駆動回路によると、前記スキャン開始信号STVと、前記第1及び第2パワークロックCKV、CKVBと、前記第1電源電圧VOFFのみが外部から入力されゲートラインの選択のためのゲート信号を出力することを確認することができる。
即ち、前記した本発明に係るゲート駆動回路の他の例によると、外部電源ライン数の減少させることで前記ゲート駆動回路を具現するのに所要されるバス配線の数を減少させることができる。また、それぞれのバスラインから分岐して各ステージに信号及び電力を連結するためのジャンパー(JUMPER)を設けるための空間を減少することができる。よって、有効画面比率を大きくすることができる。また、バスラインを減少することで、さらに、シフトレジスタを採用する液晶表示パネルの設計時、マージンを確保することができるのみならず、接続端パッド同士の水分による腐食問題を解決することができる。また、外部電源ラインを減らすことにより、a−SiトランジスタがDCバイアスされることによるゲート駆動回路の誤動作を防止することができる。
以上では、ゲート駆動回路を構成するステージのみを説明したが、前記した図5乃至図16で説明した具体的な実施例でも同一に適用することができる。例えば、前記した図5及び図6で図示した回路で、一番目ステージにのみスキャン開始信号STVが印加され、二番目以後のステージには前記スキャン開始信号STVに代替して第1電源電圧VOFFを印加することにより、外部に別に具備されるバスラインの数を減少させることができる。
以上では、ゲート駆動回路に採用されるシフトレジスタとこれを有するゲート駆動回路のみを説明したが、前記したゲート駆動回路を同一基板上に採用するGate_IC−Less構造の液晶表示パネルや、液晶表示装置等にも適用することができる。

表示装置
図18は、本発明の一実施例に係る表示装置を説明するための平面図である。
図18を参照すると、表示パネル1000は、表示領域DA及び周辺領域PAを含む。映像は、前記表示パネル1000の前記表示領域DA内に表示される。前記表示パネル1000の駆動回路は、前記周辺領域PA内に配置される。前記表示パネル1000は、上部基板、前記上部基板と向かい合う下部基板及び前記上部基板と前記下部基板の間に介在された液晶層を含む。
複数のデータラインDL及び複数のゲートラインGLが、前記表示領域DA内に形成される。前記データラインDLは第1方向に配列され、前記ゲートラインGLは前記第1方向と垂直である第2方向に配列される。スイッチング素子として動作する薄膜トランジスタ1100は、前記それぞれのデータラインDL及び前記それぞれのゲートラインGLに電気的に連結される。前記スイッチング素子1100は、画素電極1200と電気的に連結されたドレーン電極、前記ゲートラインGLに電気的に連結されたゲート電極及び前記データラインDLに電気的に連結されたソース電極を含む。イメージデータは、前記データラインDL及び前記スイッチング素子1100を通じて前記画素電極1200に伝送される。
データ駆動部1400は、前記周辺領域PAに配置される。前記データ駆動部1400は、前記データラインDLに電気的に連結され前記イメージデータを前記スイッチング素子1100のソース電極に印加する。ゲート駆動部1300は、前記周辺領域PA内に配置される。この際、前記ゲート駆動部1300は、前記図4又は前記図17のシフトレジスタを含むことができる。前記ゲート駆動部1300は、前記ゲートラインGLに電気的に連結され前記ゲート駆動部1300から提供されるゲート駆動信号を前記スイッチング素子1100に印加する。
前記ゲート駆動部1300はシフトレジスタを含み、前記ゲート駆動部1300は複数のステージを有する。前記それぞれのステージは、前記ゲートラインGLに電気的に連結されて前記ステージ中の一つから出力されたスキャン又はゲート駆動信号を、前記ゲートラインGLを通じて前記スイッチング素子1100のゲート電極に印加する。前記スキャン信号が前記スイッチング素子1100の前記ゲート電極に印加される場合、前記データ駆動部1400は前記スキャン信号に応答して、前記画素電極1200に前記イメージデータを提供する。前記表示パネルの前記シフトレジスタ1300は、前記図5乃至図16に対応する実施例で説明したステージを有する。
又、前記シフトレジスタは、前記ゲート駆動回路がない液晶表示パネルのみならず、有機電界発光表示パネル(Organic Electro−Luminescence Display Panel;OELD Panel)、一般的な液晶表示パネルのような他の表示パネルでも適用することができる。
以上で説明したように、本発明によると、スキャン開始信号STVと第1及び第2パワークロックを提供するためのそれぞれのバスラインを具備しても最小化されたバスラインのみでシフトレジスタを具現することにより、外部バスライン数の減少により前記バスライン間に発生されるノイズ成分を減少させることができるのみならず、前記シフトレジスタを採用するゲート駆動回路の設計時のマージンを確保することができる。
又、前記ゲート駆動回路を採用する液晶表示パネルの縁に具備される接続端パッド同士の水分による腐食問題を解決することができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離れることなく、本発明を修正または変更できる。
従来のシフトレジスタを説明するための回路図である。 従来のシフトレジスタのゲート駆動回路を説明するための図である。 従来のシフトレジスタの駆動波形を説明するための波形図である。 本発明の一実施例によるゲート駆動回路を説明するための図である。 本発明の第1実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第1実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の第2実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第2実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の第3実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第3実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の第4実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第4実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の第5実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第5実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の第6実施例によるシフトレジスタの単位ステージを説明するための回路図である。 本発明の第6実施例によるシフトレジスタを説明するための回路図である。 本発明の他の実施例によるゲート駆動回路を説明するための図である。 本発明の一実施例による表示装置を説明するための平面図である。
符号の説明
210 プルアップ部
220 プルダウン部
230,430 第1プルアップ駆動部
240,340,440,640 第2プルアップ駆動部
1100 薄膜トランジスタ
1200 画素電極
1300 ゲート駆動部
1400 データ駆動部
ASRC1,ASRC2,...,ASRCN,BSRC1,BSRC2,...,BSRCN ステージ
ASRCN+1,BSRCN+1 ダミーステージ

Claims (22)

  1. 表示装置の複数のゲートラインにゲート信号を順次発生させる複数のステージを含むシフトレジスタにおいて、
    前記各ステージは、
    前段ステージの出力信号又は制御信号に応答して第1制御信号を発生する第1プルアップ(Pull−Up)駆動部と、
    第1パワークロック及び前記第1制御信号に応答して現在(Current)ステージの出力信号を生成するプルアップ(Pull−Up)部と、
    前記第1パワークロック及び第2パワークロックに応答して少なくとも一つの第2制御信号を生成する第2プルアップ駆動部と、
    ローレベル(Low Level)端子に連結され、次ぎ(Following)ステージの出力信号に応答して駆動する第3プルアップ駆動部と、を含むことを特徴とするシフトレジスタ。
  2. 前記第2パワークロックに応答して駆動されるプルダウン(Pull−Down)部を更に含むことを特徴とする請求項1記載のシフトレジスタ。
  3. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインと連結されたゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パス(Path)とを含む第1トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第1トランジスタの間に連結されダイオードとして動作する第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインと連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタの共通ノードを連結する導電パス(Path)と、を含む第3トランジスタを含み、
    前記共通ノードは、前記第3プルアップ駆動部に連結されることを特徴とする請求項2記載のシフトレジスタ。
  4. 前記第3プルアップ駆動部は、
    前記第1制御信号が印加される二つの端子を有する第1トランジスタと、
    前記第2プルアップ駆動部の前記共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1トランジスタ及び前記第2パワークロックが印加されるラインを連結する導電パス(Path)とを含む第2トランジスタと、
    前記後段ステージの出力信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記プルアップ部及び前記ローレベル端子を連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記プルアップ及び前記現在ステージの出力信号が印加されるラインを連結するキャパシタと、を含むことを特徴とする請求項3記載のシフトレジスタ。
  5. 前記ローレベル端子は、グランドレベル信号(Ground Level Signal;VSS)が印加されるライン又はスキャン開始信号(Scan Start Signal;STV)が印加されるラインに連結されることを特徴とする請求項4記載のシフトレジスタ。
  6. 前記プルアップ部は、前記第1制御信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記ゲート信号を出力する端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタを含むことを特徴とする請求項5記載のシフトレジスタ。
  7. 前記プルダウン部は、
    前記ゲート信号を出力する端子に連結された二つの端子を有する第1トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第2トランジスタ及び前記第1パワークロックが印加されるラインを連結する導電パスとを含む第2トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項6記載のシフトレジスタ。
  8. 奇数番目のステージに印加される前記第1パワークロックの位相と、偶数番目のステージに印加される前記第1パワークロックの位相が、互いに反転(Inversion)されることを特徴とする請求項7記載のシフトレジスタ。
  9. 奇数番目のステージに印加される前記第2パワークロックの位相と、偶数番目のステージに印加される前記第2パワークロックの位相が、互いに反転(Inversion)されることを特徴とする請求項8記載のシフトレジスタ。
  10. 前記制御信号は、スキャン開始信号(STV)であることを特徴とする請求項1記載のシフトレジスタ。
  11. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタ制御信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタの間を連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタとの共通ノードが前記第2トランジスタのゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項2記載のシフトレジスタ。
  12. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタの制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の第2トランジスタとの間を連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される前記端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタに連結され、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、
    前記第4トランジスタ及び前記第5トランジスタの間の前記共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む第7トランジスタと、を含む請求項2記載のシフトレジスタ。
  13. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタ制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタを連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、
    前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタの共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む第7トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項2記載のシフトレジスタ。
  14. それぞれスキャン信号により走査されるスイッチング素子を有する複数の画素と、
    表示パネルの複数のゲートラインにゲート信号を順次発生する複数のステージを含むシフトレジスタを含み、
    前記表示パネルに映像を表示する表示装置において、
    前記各ステージは、
    前段ステージの出力信号又は制御信号に応答して第1制御信号を発生する第1プルアップ(Pull−Up)駆動部と、
    第1パワークロック及び前記第1制御信号に応答して現在(Current)ステージの出力信号を生成するプルアップ(Pull−Up)部と、
    前記第1パワークロック及び第2パワークロックに応答して少なくとも一つの第2制御信号を生成する第2プルアップ駆動部と、
    ローレベル(Low Level)端子に連結され次ぎ(Following)ステージの出力信号に応答して駆動する第3プルアップ駆動部、を含む表示装置。
  15. 前記第2パワークロックに応答して駆動されるプルダウン(Pull−Down)部を更に含むことを特徴とする請求項14記載の表示装置。
  16. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインと連結されたゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パス(Path)とを含む第1トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第1トランジスタの間に連結され、ダイオードとして動作される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインと連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタの共通ノードを連結する導電パス(Path)とを含む第3トランジスタと、を含み、
    前記共通ノードは、前記第3プルアップ駆動部に連結されることを特徴とする請求項15記載の表示装置。
  17. 前記第3プルアップ駆動部は、
    前記第1制御信号が印加される二つの端子を有する第1トランジスタと、
    前記第2プルアップ駆動部の前記共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1トランジスタ及び前記第2パワークロックが印加されるラインを連結する導電パス(Path)とを含む第2トランジスタと、
    前記後段ステージの出力信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記プルアップ部及び前記ローレベル端子を連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記プルアップ部及び前記現在ステージの出力信号が印加されるラインを連結するキャパシタと、を含むことを特徴とする請求項16記載の表示装置。
  18. 前記プルアップ部は、前記第1制御信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記ゲート信号を出力する端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタとを含み、
    前記プルダウン部は、前記ゲート信号を出力する端子に連結された二つの端子を有する第1トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第2トランジスタ及び前記第1パワークロックが印加されるラインを連結する導電パスとを含む第2トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項17記載の表示装置。
  19. 奇数番目のステージに印加される前記第1パワークロックの位相と、偶数番目のステージに印加される前記第1パワークロックの位相が、互いに反転(Inversion)され、奇数番目のステージに印加される前記第2パワークロックの位相と、偶数番目のステージに印加される前記第2パワークロックの位相が、互いに反転(Inversion)されることを特徴とする請求項18記載の表示装置。
  20. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子の間を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタの制御信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタの間を連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタとの共通ノードが前記第2トランジスタのゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
  21. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタの制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の第2トランジスタとの間を連結する導電パスとを含む第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタに連結され、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの前記共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、
    前記第4トランジスタ及び前記第5トランジスタの間の前記共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む第7トランジスタと、を含む請求項15記載の表示装置。
  22. 前記第2プルアップ駆動部は、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第1トランジスタと、
    第2トランジスタの制御信号が印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタを連結する導電パスとを含み、前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタとの共通ノードが前記第1プルアップ駆動部のホールドトランジスタのゲート電極に連結される第2トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2プルアップ駆動部の前記第1トランジスタと前記第2プルアップ駆動部の前記第2トランジスタとの前記共通ノードを連結する第3トランジスタと、
    前記ゲート信号が印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第2パワークロックが印加される端子を連結する導電パスとを含む第4トランジスタと、
    前記第1パワークロックが印加される端子と前記第2プルアップ駆動部の前記第4トランジスタを連結し、ダイオードとして動作され、前記第4トランジスタとの共通ノードが前記第2トランジスタの前記ゲート電極に連結される第5トランジスタと、
    前記第2パワークロックが印加されるラインに連結されるゲート電極と、前記第1パワークロックが印加される端子及び前記第4トランジスタと前記第5トランジスタとの共通ノードを連結する導電パスとを含む第6トランジスタと、
    前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタの共通ノードに連結されるゲート電極と、前記第1プルアップ駆動部及び前記ゲート信号が出力される端子を連結する導電パスとを含む第7トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項15記載の表示装置。
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