JP2003255374A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2003255374A5
JP2003255374A5 JP2002055830A JP2002055830A JP2003255374A5 JP 2003255374 A5 JP2003255374 A5 JP 2003255374A5 JP 2002055830 A JP2002055830 A JP 2002055830A JP 2002055830 A JP2002055830 A JP 2002055830A JP 2003255374 A5 JP2003255374 A5 JP 2003255374A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive film
transparent conductive
island
wiring
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002055830A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2003255374A (ja
JP4101533B2 (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2002055830A external-priority patent/JP4101533B2/ja
Priority to JP2002055830A priority Critical patent/JP4101533B2/ja
Application filed filed Critical
Priority to KR1020030011674A priority patent/KR100967823B1/ko
Priority to TW092104095A priority patent/TWI308235B/zh
Priority to US10/374,999 priority patent/US7053969B2/en
Priority to CN2008101379274A priority patent/CN101334548B/zh
Priority to CN031068111A priority patent/CN1442741B/zh
Publication of JP2003255374A publication Critical patent/JP2003255374A/ja
Publication of JP2003255374A5 publication Critical patent/JP2003255374A5/ja
Priority to US11/383,286 priority patent/US9448432B2/en
Publication of JP4101533B2 publication Critical patent/JP4101533B2/ja
Application granted granted Critical
Priority to US15/263,428 priority patent/US20160377918A1/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Claims (15)

  1. 絶縁表面上に形成された透明性導電膜と、
    前記透明性導電膜上に形成された配線および反射性導電膜からなる複数の島状のパターンを有し、
    前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパターンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 絶縁表面上に形成された透明性導電膜と、
    前記透明性導電膜上に同時に形成された配線および複数の島状のパターンとを有し、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパターンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
  3. 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して形成された透明性導電膜と、
    前記透明性導電膜上に形成された配線および反射性導電膜からなる複数の島状のパターンとを有し、
    前記透明性導電膜および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記配線は、前記薄膜トランジスタおよび前記透明性導電膜を電気的に接続することを特徴とする液晶表示装置。
  4. 基板上に形成された薄膜トランジスタと、
    前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して形成された透明性導電膜と、
    前記透明性導電膜上に同時に形成された配線および複数の島状のパターンとを有し、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記透明性導電膜および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記配線は、前記薄膜トランジスタおよび前記透明性導電膜を電気的に接続することを特徴とする液晶表示装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
    前記複数の島状のパターンが占める面積の割合は、前記透明性導電膜が占める面積の50〜90%であることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
    前記透明性導電膜は画素電極であることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 第1の透明性導電膜、配線および複数の島状のパターンとを有する第1の基板と、第2の透明性導電膜を有する第2の基板と、液晶とを有し、
    前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第1の透明性導電膜上に形成され、
    前記第1の透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記第1の基板の前記第1の透明性導電膜と、前記第2の基板の前記第2の透明性導電膜と、が互いに向き合って配置され
    記第1の基板と、前記第2の基板と、の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 第1の透明性導電膜、配線および複数の島状のパターンとを有する第1の基板と、第2の透明性導電膜を有する第2の基板と、液晶とを有し、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第1の透明性導電膜上に同時に形成され、
    前記第1の透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記第1の基板の前記第1の透明性導電膜と、前記第2の基板の前記第2の透明性導電膜と、が互いに向き合って配置され
    記第1の基板と、前記第2の基板と、の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置。
  9. 薄膜トランジスタ、第1の透明性導電膜、配線および複数の島状のパターンとを有する第1の基板と、第2の透明性導電膜を有する第2の基板と、液晶とを有し、
    前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第1の透明性導電膜上に形成され、
    前記第1の透明性導電膜および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記配線は、前記薄膜トランジスタと、前記第1の透明性導電膜とを電気的に接続し、
    前記第1の基板の前記第1の透明性導電膜と、前記第2の基板の前記第2の透明性導電膜と、が互いに向き合って配置され
    記第1の基板と、前記第2の基板と、の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置。
  10. 薄膜トランジスタ、第1の透明性導電膜、配線および複数の島状のパターンとを有する第1の基板と、第2の透明性導電膜を有する第2の基板と、液晶とを有し、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第1の透明性導電膜上に同時に形成され、
    前記配線および前記複数の島状のパターンは反射性導電膜からなり、
    前記第1の透明性導電膜および前記複数の島状のパターンは電気的に接続され、
    前記配線は、前記薄膜トランジスタと、前記第1の透明性導電膜とを電気的に接続し、
    前記第1の基板の前記第1の透明性導電膜と、前記第2の基板の前記第2の透明性導電膜と、が互いに向き合って配置され
    記第1の基板と、前記第2の基板と、の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表示装置。
  11. 請求項7乃至請求項10のいずれか一において、
    前記複数の島状のパターンが占める面積の割合は、前記第1の透明性導電膜が占める面積の50〜90%であることを特徴とする液晶表示装置。
  12. 請求項7乃至請求項11のいずれか一において、
    前記第1の透明性導電膜は画素電極であることを特徴とする液晶表示装置。
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれか一において、
    前記複数の島状のパターンは、各パターン端部のテーパー角が5〜60°であることを特徴とする液晶表示装置。
  14. 絶縁表面上に形成された配線および反射性導電膜からなる複数の島状のパターンと、
    前記配線および前記複数の島状のパターン上に形成された透明性導電膜とを有し、
    前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパターンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
  15. 請求項1乃至請求項14のいずれか一において、
    前記複数の島状のパターンは不規則に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。【請求項16】
    請求項1乃至請求項15のいずれか一において、
    前記液晶表示装置は、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ビデオカメラ、携帯電話から選ばれた一種であることを特徴とする液晶表示装置。
JP2002055830A 2002-03-01 2002-03-01 半透過型の液晶表示装置の作製方法 Expired - Lifetime JP4101533B2 (ja)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002055830A JP4101533B2 (ja) 2002-03-01 2002-03-01 半透過型の液晶表示装置の作製方法
KR1020030011674A KR100967823B1 (ko) 2002-03-01 2003-02-25 액정표시장치
TW092104095A TWI308235B (en) 2002-03-01 2003-02-26 Liquid crystal display device
US10/374,999 US7053969B2 (en) 2002-03-01 2003-02-28 Liquid crystal display device
CN2008101379274A CN101334548B (zh) 2002-03-01 2003-03-03 液晶显示装置
CN031068111A CN1442741B (zh) 2002-03-01 2003-03-03 液晶显示装置
US11/383,286 US9448432B2 (en) 2002-03-01 2006-05-15 Liquid crystal display device
US15/263,428 US20160377918A1 (en) 2002-03-01 2016-09-13 Liquid Crystal Display Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002055830A JP4101533B2 (ja) 2002-03-01 2002-03-01 半透過型の液晶表示装置の作製方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007333644A Division JP4712787B2 (ja) 2007-12-26 2007-12-26 半透過型の液晶表示装置及びその作製方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2003255374A JP2003255374A (ja) 2003-09-10
JP2003255374A5 true JP2003255374A5 (ja) 2005-09-02
JP4101533B2 JP4101533B2 (ja) 2008-06-18

Family

ID=27800058

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002055830A Expired - Lifetime JP4101533B2 (ja) 2002-03-01 2002-03-01 半透過型の液晶表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7053969B2 (ja)
JP (1) JP4101533B2 (ja)
KR (1) KR100967823B1 (ja)
CN (2) CN101334548B (ja)
TW (1) TWI308235B (ja)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4237442B2 (ja) * 2002-03-01 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型液晶表示装置
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4101533B2 (ja) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
WO2004011522A1 (ja) * 2002-07-30 2004-02-05 Toagosei Co., Ltd. ホログラム記録用組成物およびその硬化方法ならびに硬化物
WO2004027497A1 (ja) * 2002-09-20 2004-04-01 Hitachi Displays, Ltd. 半透過反射型液晶表示装置
KR100752214B1 (ko) * 2003-10-16 2007-08-28 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정표시소자의 제조방법
KR101013715B1 (ko) * 2003-12-23 2011-02-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2005266206A (ja) * 2004-03-18 2005-09-29 Hitachi Chem Co Ltd 液晶表示装置
JP4817730B2 (ja) * 2004-07-09 2011-11-16 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7554260B2 (en) * 2004-07-09 2009-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film
KR101048903B1 (ko) * 2004-08-26 2011-07-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4622430B2 (ja) * 2004-09-30 2011-02-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
US8149346B2 (en) * 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
EP1777578B1 (en) * 2005-10-18 2008-12-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic apparatus
US7821613B2 (en) 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
JP2007183452A (ja) * 2006-01-10 2007-07-19 Epson Imaging Devices Corp 半透過型液晶表示装置
JP5252334B2 (ja) * 2006-06-02 2013-07-31 Nltテクノロジー株式会社 半透過型液晶表示装置
WO2008047788A1 (fr) * 2006-10-18 2008-04-24 Sharp Kabushiki Kaisha Écran à cristaux liquides et procédé de fabrication associé
KR101801959B1 (ko) * 2009-10-21 2017-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치를 구비하는 전자기기
WO2011081041A1 (en) 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
KR101842865B1 (ko) * 2009-12-28 2018-03-28 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 표시 장치 및 전자 기기
CN105353551A (zh) * 2009-12-28 2016-02-24 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及电子设备
WO2011081011A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101805378B1 (ko) 2010-01-24 2017-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치와 이의 제조 방법
US8879010B2 (en) 2010-01-24 2014-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US9000438B2 (en) * 2010-02-26 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2011145537A1 (en) 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5852793B2 (ja) 2010-05-21 2016-02-03 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
WO2012086513A1 (ja) * 2010-12-20 2012-06-28 シャープ株式会社 半導体装置および表示装置
JPWO2013008359A1 (ja) * 2011-07-13 2015-02-23 パナソニック株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
CN102637638B (zh) * 2012-04-28 2014-02-26 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
JP2017062299A (ja) * 2015-09-24 2017-03-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
WO2017064593A1 (en) 2015-10-12 2017-04-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN105304650A (zh) * 2015-11-04 2016-02-03 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置
WO2017081575A1 (en) 2015-11-11 2017-05-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
KR101786884B1 (ko) * 2015-11-30 2017-10-18 엘지디스플레이 주식회사 홀을 구비한 이형 디스플레이
JP2017138403A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4040727A (en) * 1975-09-10 1977-08-09 Rockwell International Corporation Transflector
AT356190B (de) * 1976-06-16 1980-04-10 Bbc Brown Boveri & Cie Fluessigkristallanzeige
JPS55103583A (en) 1979-01-31 1980-08-07 Nippon Electric Co Reflecting transmission body
JPS6124102A (ja) 1984-07-12 1986-02-01 旭硝子株式会社 導体
GB2203881B (en) * 1987-04-16 1991-03-27 Philips Electronic Associated Liquid crystal display device
JP2604867B2 (ja) * 1990-01-11 1997-04-30 松下電器産業株式会社 反射型液晶表示デバイス
US5136351A (en) * 1990-03-30 1992-08-04 Sharp Kabushiki Kaisha Photovoltaic device with porous metal layer
JP2652087B2 (ja) * 1990-03-30 1997-09-10 シャープ株式会社 光起電力装置とその製造方法
JP3111478B2 (ja) * 1991-02-06 2000-11-20 三菱電機株式会社 金属薄膜のテーパーエッチング方法及び薄膜トランジスタ
US5424244A (en) * 1992-03-26 1995-06-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Process for laser processing and apparatus for use in the same
JP3156400B2 (ja) 1992-11-09 2001-04-16 富士通株式会社 反射型液晶表示デバイス
JP3028271B2 (ja) 1993-07-09 2000-04-04 キヤノン株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
US5629783A (en) * 1993-10-05 1997-05-13 Casio Computer Co., Ltd. Active matrix polymer dispersed liquid crystal display device with flourescent film
US5869362A (en) * 1993-12-02 1999-02-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
US5753937A (en) * 1994-05-31 1998-05-19 Casio Computer Co., Ltd. Color liquid crystal display device having a semitransparent layer on the inner surface of one of the substrates
JP3301219B2 (ja) * 1994-06-09 2002-07-15 カシオ計算機株式会社 液晶表示装置
JP3464287B2 (ja) 1994-09-05 2003-11-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP3097945B2 (ja) 1994-10-03 2000-10-10 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
JP3132310B2 (ja) * 1994-11-18 2001-02-05 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス型液晶表示装置
US5814529A (en) * 1995-01-17 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for producing a semiconductor integrated circuit including a thin film transistor and a capacitor
KR100359795B1 (ko) * 1995-08-22 2003-01-14 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치및그제조방법
US5990988A (en) * 1995-09-01 1999-11-23 Pioneer Electric Corporation Reflection liquid crystal display and a semiconductor device for the display
JP3007559B2 (ja) 1995-09-21 2000-02-07 松下電器産業株式会社 液晶表示素子及びその製造方法
US5917563A (en) * 1995-10-16 1999-06-29 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line
JPH1048610A (ja) * 1996-07-31 1998-02-20 Furontetsuku:Kk 液晶表示素子
US6016178A (en) * 1996-09-13 2000-01-18 Sony Corporation Reflective guest-host liquid-crystal display device
JPH10228035A (ja) * 1996-12-10 1998-08-25 Fujitsu Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JPH10268300A (ja) * 1997-03-21 1998-10-09 Sony Corp 反射型ゲストホスト液晶表示装置
JP3566028B2 (ja) * 1997-05-15 2004-09-15 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
US6130736A (en) * 1997-06-13 2000-10-10 Alps Electric Co., Ltd. Liquid crystal display with corrugated reflective surface
JP3297372B2 (ja) 1997-06-17 2002-07-02 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置の製造方法
US6330047B1 (en) * 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
US6195140B1 (en) 1997-07-28 2001-02-27 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display in which at least one pixel includes both a transmissive region and a reflective region
JP2955277B2 (ja) 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
EP0903613B1 (en) * 1997-09-17 2003-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Reflective liquid crystal display device
US6011274A (en) * 1997-10-20 2000-01-04 Ois Optical Imaging Systems, Inc. X-ray imager or LCD with bus lines overlapped by pixel electrodes and dual insulating layers therebetween
JPH11133399A (ja) * 1997-10-27 1999-05-21 Hitachi Ltd 反射型液晶表示装置とその製造方法
JP3794802B2 (ja) * 1997-10-28 2006-07-12 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル駆動回路および表示パネル
JP3738549B2 (ja) 1997-12-22 2006-01-25 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US6295109B1 (en) * 1997-12-26 2001-09-25 Sharp Kabushiki Kaisha LCD with plurality of pixels having reflective and transmissive regions
JP3019831B2 (ja) 1998-03-11 2000-03-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3410656B2 (ja) 1998-03-31 2003-05-26 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JPH11287989A (ja) 1998-04-03 1999-10-19 Toshiba Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP4223094B2 (ja) * 1998-06-12 2009-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置
JP2000002872A (ja) 1998-06-16 2000-01-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JP3244055B2 (ja) * 1998-07-10 2002-01-07 松下電器産業株式会社 反射型液晶表示装置
KR100533802B1 (ko) * 1998-09-10 2005-12-06 세이코 엡슨 가부시키가이샤 액정 패널용 기판, 액정 패널 및 이것을 사용한 전자기기및 액정 패널용 기판의 제조 방법
JP3085530B2 (ja) * 1998-11-18 2000-09-11 日本電気株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP2000162625A (ja) 1998-11-26 2000-06-16 Sanyo Electric Co Ltd カラー反射型液晶表示装置及びその製造方法
US6909477B1 (en) * 1998-11-26 2005-06-21 Lg. Philips Lcd Co., Ltd Liquid crystal display device with an ink-jet color filter and process for fabricating the same
JP3475101B2 (ja) 1998-11-30 2003-12-08 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2000187209A (ja) 1998-12-22 2000-07-04 Advanced Display Inc 反射型液晶表示装置およびその製造方法
JP3728958B2 (ja) 1998-12-28 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法
JP4215905B2 (ja) * 1999-02-15 2009-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP2000250067A (ja) 1999-03-03 2000-09-14 Sanyo Electric Co Ltd 液晶表示装置
JP2000330134A (ja) * 1999-03-16 2000-11-30 Furontekku:Kk 薄膜トランジスタ基板および液晶表示装置
JP2000284305A (ja) 1999-03-30 2000-10-13 Seiko Epson Corp 液晶パネル基板およびその製造方法ならびに液晶パネル基板を用いた液晶表示装置および電子機器
JP2000305099A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3559193B2 (ja) * 1999-04-30 2004-08-25 三菱電機株式会社 整流子モータ
JP4402197B2 (ja) * 1999-05-24 2010-01-20 シャープ株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
EP1113308A4 (en) 1999-07-07 2006-07-05 Matsushita Electric Ind Co Ltd TRANSLUCENT LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE
JP4019565B2 (ja) 1999-08-18 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
JP3779103B2 (ja) * 1999-09-06 2006-05-24 シャープ株式会社 反射型カラー液晶表示装置
JP2001083494A (ja) * 1999-09-14 2001-03-30 Seiko Epson Corp 半透過反射型の液晶装置及びそれを用いた電子機器
JP4700156B2 (ja) * 1999-09-27 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2001100217A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Nec Corp カラー液晶表示装置およびその製造方法
JP3391312B2 (ja) * 1999-10-08 2003-03-31 松下電器産業株式会社 反射型液晶画像表示装置と画像表示装置用半導体装置の製造方法
JP4781518B2 (ja) * 1999-11-11 2011-09-28 三星電子株式会社 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置
JP2001183649A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Nec Corp 反射型カラー液晶表示装置
JP2001194662A (ja) * 2000-01-14 2001-07-19 Nec Corp 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP3626652B2 (ja) * 2000-01-21 2005-03-09 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US6563559B2 (en) 2000-02-02 2003-05-13 Sanyo Electric Co., Ltd. Reflective liquid crystal display having increase luminance for each display pixel
KR100351700B1 (ko) * 2000-04-17 2002-09-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시장치
US6690437B2 (en) * 2000-04-18 2004-02-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP5057613B2 (ja) * 2000-04-27 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び電子機器
US6747289B2 (en) * 2000-04-27 2004-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating thereof
US6900084B1 (en) * 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
JP4278834B2 (ja) * 2000-06-02 2009-06-17 株式会社日立製作所 液晶表示装置とその製造方法
JP2002049057A (ja) 2000-08-02 2002-02-15 Toshiba Corp 液晶表示装置
KR100641628B1 (ko) * 2000-08-21 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 블랙레진을 이용한 반사형 및 반투과형 액정표시장치
JP2002090765A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Seiko Epson Corp 液晶表示装置および電子機器
JP2002162645A (ja) * 2000-09-14 2002-06-07 Sony Corp 半透過型液晶表示装置
KR100627649B1 (ko) * 2000-10-30 2006-09-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4993830B2 (ja) * 2000-11-11 2012-08-08 三星電子株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP4101454B2 (ja) * 2000-11-22 2008-06-18 株式会社日立製作所 液晶表示装置
KR100574536B1 (ko) * 2000-11-30 2006-04-27 캐논 가부시끼가이샤 화상처리장치, 화상처리방법, 기억매체 및 프로그램
US6912021B2 (en) * 2001-01-22 2005-06-28 Seiko Epson Corporation Electro-optical device, method for driving electro-optical device, electronic apparatus, and method for driving electronic apparatus
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP4991052B2 (ja) * 2001-02-28 2012-08-01 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示パネル
JP4790937B2 (ja) * 2001-07-09 2011-10-12 ティーピーオー ホンコン ホールディング リミテッド 反射電極を形成する方法及び液晶表示装置
JP5093709B2 (ja) * 2001-08-22 2012-12-12 Nltテクノロジー株式会社 液晶表示装置
TW526615B (en) * 2001-08-24 2003-04-01 Prime View Int Co Ltd Structure and manufacturing method for thin film transistor liquid crystal display
US6872658B2 (en) * 2001-11-30 2005-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device by exposing resist mask
KR100475110B1 (ko) * 2001-12-26 2005-03-10 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사형 액정표시소자 및 그 제조방법
JP2003195349A (ja) 2001-12-27 2003-07-09 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP4087620B2 (ja) * 2002-03-01 2008-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4237442B2 (ja) * 2002-03-01 2009-03-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型液晶表示装置
JP4101533B2 (ja) * 2002-03-01 2008-06-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半透過型の液晶表示装置の作製方法
WO2004027497A1 (ja) * 2002-09-20 2004-04-01 Hitachi Displays, Ltd. 半透過反射型液晶表示装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003255374A5 (ja)
JP2003255332A5 (ja)
US11086364B2 (en) Display device, electronic device, and system
JP6772217B2 (ja) 金属引き回し抵抗を減少したディスプレイ回路
TWI681329B (zh) 輸入裝置及輸入/輸出裝置
CN105247460B (zh) 多功能像素及显示器
US7439939B2 (en) Display device having multiple image display units
JP2020112823A5 (ja) 液晶表示装置、携帯情報端末、携帯電話
CN100406980C (zh) 液晶装置及电子设备
KR101614852B1 (ko) 반전된 박막 트랜지스터 층을 갖는 디스플레이
TWM431372U (en) Touch-sensitive display
JP2002221936A5 (ja)
TWI710943B (zh) 半導體裝置、觸控面板及電子裝置
JP2007140492A5 (ja)
US20210210568A1 (en) Substrate, display panel and display device
CN111952343B (zh) 阵列基板及显示面板
US20150261032A1 (en) Display with Multilayer and Embedded Signal Lines
JP7411746B2 (ja) 半導体装置
CN106991930A (zh) 显示面板与移动电子终端
CN107831615A (zh) 输入输出面板、输入输出装置、半导体装置
TWI653565B (zh) 膽固醇液晶書寫板
JP2003316284A (ja) 表示装置
CN103228117B (zh) 一种移动设备后盖、移动设备保护壳及移动设备
JP2002189533A (ja) 携帯型の電子機器
JP2002246608A5 (ja)