JP2017062299A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】入射した光を変調して出射する際の波長分散を効果的に抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。
【解決手段】電気光学装置100では、透光性の第1基板10に画素電極9aが設けられ、透光性の第2基板20には、画素電極9aと平面視で重なるレンズ24と、共通電極21とが設けられている。画素電極9aは、透光性の第1誘電体層9fに積層されたITO膜からなる第1導電層9e1を有し、共通電極21は、透光性の第2誘電体層21fに積層されたITO膜からなる第2導電層21e1を有している。このため、入射した光を変調して出射する際の波長分散を抑制することができる。第1誘電体層9fは酸化シリコン膜からなり、第2誘電体層21fは酸化アルミニウム膜からなる。
【選択図】図4
【解決手段】電気光学装置100では、透光性の第1基板10に画素電極9aが設けられ、透光性の第2基板20には、画素電極9aと平面視で重なるレンズ24と、共通電極21とが設けられている。画素電極9aは、透光性の第1誘電体層9fに積層されたITO膜からなる第1導電層9e1を有し、共通電極21は、透光性の第2誘電体層21fに積層されたITO膜からなる第2導電層21e1を有している。このため、入射した光を変調して出射する際の波長分散を抑制することができる。第1誘電体層9fは酸化シリコン膜からなり、第2誘電体層21fは酸化アルミニウム膜からなる。
【選択図】図4
Description
本発明は、電気光学層を駆動する電極に用いた導電層に誘電体層が積層された電気光学装置および電子機器に関するものである。
投射型表示装置のライトバルブ等として用いられる電気光学装置(液晶装置)では、画素電極が形成された第1基板と、共通電極が形成された第2基板との間に電気光学層(液晶層)が配置されており、第1基板および第2基板のうちの一方側から入射した光を液晶層で変調して画像を表示する。その際、光は共通電極を透過する。このため、共通電極において波長分散に起因する透過率の低下が発生すると、表示した画像の品位が低下する。一方、反射型の電気光学装置において、透光性の共通電極に用いた導電層に透光性の誘電体層が積層された構造が提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、透過型の電気光学装置では、第1基板および第2基板のうちの一方側から入射した光を液晶層で変調して画像を表示する際、光は共通電極および画素電極を透過する。このため、波長分散を抑制する目的で特許文献1に記載の構成を採用しても、画素電極で波長分散が発生するため、波長分散に起因して画像の品位が低下することを十分に抑制することが困難である。
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、入射した光を変調して出射する際の波長分散を効果的に抑制することのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の一態様は、透光性の第1基板と、前記第1基板に対向する透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学層と、前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、前記第2基板の前記第1基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、を有し、前記画素電極は、第1誘電体層と第1導電層とを含み、前記共通電極は、第2誘電体層と第2導電層とを含むことを特徴とする。
本発明を適用した一態様では、画素電極に用いた第1導電層に第1誘電体層が積層され、共通電極に用いた第2導電層に第2誘電体層が積層されている。このため、第1導電層および第1誘電体層の屈折率や厚さを適正化し、第2導電層および第2誘電体層の屈折率や厚さを適正化すれば、第1基板および第2基板のうちの一方の基板から入射した光を電気光学層で変調して他方の基板から出射する際、共通電極および画素電極の双方において波長分散を効果的に抑制することができる。従って、波長分散によって画像の品位が低下することを抑制することができる。
本発明を適用した態様において、前記第1誘電体層は、前記第2誘電体層とは異なる材料を含むことが好ましい。かかる構成によれば、第1基板に第1誘電体層を形成する際の上限温度と、第2基板に第2誘電体層を形成する際の上限温度とが相違している等の事情がある場合でも、かかる事情に応じた材料や成膜温度によって、第1誘電体層および第2誘電体層を形成することができる。従って、画素電極および共通電極の双方において導電層に誘電体層を適正に積層することができる。
本発明を適用した態様において、前記第1誘電体層は、酸化シリコン膜を含み、前記第2誘電体層は、酸化アルミニウム膜を含む構成を採用することができる。
本発明を適用した態様は、前記第2基板と前記共通電極との間にレンズ層を有し、前記第2基板は、前記第1基板側の面の前記画素電極と平面視で重なる位置に凹曲面または凸曲面からなるレンズ面を備え、前記レンズ層は、前記レンズ面を覆い、前記第2基板とは反対側の面が平坦である場合に適用すると効果的である。第2基板にレンズを設けた場合、レンズ層は、場所によって厚さが大きく変化しているにもかかわらず、基板の広い範囲にわたって形成されている。このため、第2誘電体層を形成する際の温度が高いと、レンズ層にクラック等が発生する。従って、第2基板に第2誘電体層を形成する際の上限温度が、第1基板に第1誘電体層を形成する際の上限温度より低いという事情があるが、かかる事情に応じた材料によって、第2誘電体層を形成することができる。それ故、画素電極および共通電極の双方において導電層に誘電体層を適正に積層することができる。
本発明を適用した態様において、前記画素電極は、第3導電層を含み、前記共通電極は、第4導電層を含み、前記第1誘電体層は、前記第1導電層と前記第3導電層との間に設けられ、前記第2誘電体層は、前記第2導電層と前記第4導電層との間に設けられている構成を採用することができる。
本発明を適用した態様において、透光性の第1基板と、前記第1基板に対向する透光性の第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学層と、前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、前記第2基板の前記第1基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、を有し、前記画素電極は、複数の誘電体層と複数の導電層とが交互に積層された電極であり、前記共通電極は、複数の誘電体層と複数の導電性層とが交互に積層された電極であることを特徴とする。本発明を適用した態様において、画素電極では複数の導電層と複数の誘電体層とが交互に積層され、共通電極では複数の導電層と複数の誘電体層とが交互に積層されている。このため、導電層および誘電体層の屈折率や厚さを適正化すれば、第1基板および第2基板のうちの一方の基板から入射した光を電気光学層で変調して他方の基板から出射する際、共通電極および画素電極の双方において波長分散を効果的に抑制することができる。従って、波長分散によって画像の品位が低下することを抑制することができる。
本発明を適用した態様に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、カメラのファインダー、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明において、第1基板10(素子基板)に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは透光性基板19が位置する側とは反対側(第2基板20が位置する側)を意味し、下層側とは透光性基板19が位置する側を意味する。また、第2基板20(対向基板)に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは透光性基板29が位置する側とは反対側(第1基板10が位置する側)を意味し、下層側とは透光性基板29が位置する側を意味する。
(電気光学装置の構成)
図1は、本発明を適用した電気光学装置100の一態様を示す平面図である。図2は、本発明を適用した電気光学装置100の一態様を示す断面図である。
図1は、本発明を適用した電気光学装置100の一態様を示す平面図である。図2は、本発明を適用した電気光学装置100の一態様を示す断面図である。
図1および図2に示すように、電気光学装置100では、透光性の第1基板10(素子基板)と透光性の第2基板20(対向基板)とが所定の隙間を介してシール材107によって貼り合わされており、第1基板10と第2基板20とが対向している。シール材107は第2基板20の外縁に沿うように枠状に設けられており、第1基板10と第2基板20との間でシール材107によって囲まれた領域に電気光学層50としての液晶層が配置されている。従って、電気光学装置100は液晶装置として構成されている。シール材107は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
第1基板10および第2基板20はいずれも四角形であり、電気光学装置100の略中央には、表示領域10aが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材107も略四角形に設けられ、シール材107の内周縁と表示領域10aの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域10bが設けられている。
第1基板10の第2基板20側の一方面10s側において、表示領域10aの外側には、第1基板10の一辺に沿ってデータ線駆動回路101および複数の端子102が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路104が形成されている。端子102には、フレキシブル配線基板105が接続されており、第1基板10には、フレキシブル配線基板105を介して各種電位や各種信号が入力される。
第1基板10の一方面10s側において、表示領域10aには、ITO(Indium Tin Oxide)膜等からなる透光性の複数の画素電極9a、および複数の画素電極9aの各々に電気的に接続する画素スイッチング素子(図示せず)がマトリクス状に形成されている。画素電極9aに対して第2基板20側には第1配向膜16が形成されており、画素電極9aは、第1配向膜16によって覆われている。
第2基板20において第1基板10と対向する一方面20s側には、ITO膜等からなる透光性の共通電極21が形成されており、共通電極21に対して第1基板10側には第2配向膜26が形成されている。共通電極21は、第2基板20の略全面に形成されており、第2配向膜26によって覆われている。共通電極21に対して第1基板10とは反対側には、金属または金属化合物からなる遮光性の遮光層23が形成されている。遮光層23は、例えば、表示領域10aの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り23aとして形成されている。また、遮光層23は、隣り合う画素電極9aにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層23bとしても形成されている。本形態において、第1基板10の周辺領域10bのうち、見切り23aと平面視で重なる領域には、画素電極9aと同時形成されたダミー画素電極9bが形成されている。
第1配向膜16および第2配向膜26は、酸化シリコン(SiOx(x≦2))、酸化チタン(TiO2)、酸化マグネシウム(MgO)、酸化アルミニウム(Al2O3)等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜(垂直配向膜)であり、電気光学層50に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させている。このため、液晶分子は、第1基板10および第2基板20に対して所定の角度を成している。このようにして、電気光学装置100は、VA(Vertical Alignment)モードの液晶装置として構成されている。
第1基板10には、シール材107より外側において第2基板20の角部分と重なる領域に、第1基板10と第2基板20との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極109が形成されている。基板間導通用電極109には、導電粒子を含んだ基板間導通材109aが配置されており、第2基板20の共通電極21は、基板間導通材109aおよび基板間導通用電極109を介して、第1基板10側に電気的に接続されている。このため、共通電極21は、第1基板10の側から共通電位が印加されている。
本形態の電気光学装置100において、画素電極9aおよび共通電極21がITO膜等の透光性の導電層により形成されており、電気光学装置100は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置100では、第1基板10および第2基板20のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Lで示すように、第2基板20から入射した光が第1基板10を透過して出射される間に電気光学層50によって画素毎に変調され、画像を表示する。
ここで、電気光学装置100を後述する投射型表示装置のライトバルブ等として使用される場合、図2に示すように、第1基板10の第2基板20とは反対側の他方面10tには、透光性の防塵ガラス18が貼付される。防塵ガラス18の第1基板10とは反対側の面には反射防止層180が形成されている。また、第2基板20の第1基板10とは反対側の他方面20tには、透光性の防塵ガラス28が貼付される。防塵ガラス28の第2基板20とは反対側の面には反射防止層280が形成されている。
(画素の具体的構成)
図3は、本発明を適用した電気光学装置100において隣り合う複数の画素の一態様を示す平面図である。図4は、図3に示す画素のF−F′断面図である。なお、図3では、各層を以下の線で表してある。また、図3では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
図3は、本発明を適用した電気光学装置100において隣り合う複数の画素の一態様を示す平面図である。図4は、図3に示す画素のF−F′断面図である。なお、図3では、各層を以下の線で表してある。また、図3では、互いの端部が平面視で重なり合う層については、層の形状等が分かりやすいように、端部の位置をずらしてある。
下層側遮光層8a=細くて長い破線
半導体層1a=細くて短い点線
走査線3a=太い実線
ドレイン電極4a=細い実線
データ線6aおよび中継電極6b=細い一点鎖線
容量線5a=太い一点鎖線
上層側遮光層7aおよび中継電極7b=細い二点鎖線
画素電極9a=太い破線
半導体層1a=細くて短い点線
走査線3a=太い実線
ドレイン電極4a=細い実線
データ線6aおよび中継電極6b=細い一点鎖線
容量線5a=太い一点鎖線
上層側遮光層7aおよび中継電極7b=細い二点鎖線
画素電極9a=太い破線
図3に示すように、第1基板10の一方面10s側には、複数の画素の各々に画素電極9aが形成されており、隣り合う画素電極9aにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線6aおよび走査線3aが形成されている。画素間領域は縦横に延在しており、走査線3aは画素間領域のうち、X方向に延在する第1画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線6aは、Y方向に延在する第2画素間領域に沿って直線的に延在している。また、データ線6aと走査線3aとの交差に対応して画素スイッチング素子30が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子30は、データ線6aと走査線3aとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。第1基板10には容量線5aが形成されており、かかる容量線5aには共通電位Vcomが印加されている。容量線5aは、走査線3aおよびデータ線6aに重なるように延在して格子状に形成されている。画素スイッチング素子30の上層側には上層側遮光層7aが形成されており、かかる上層側遮光層7aは、データ線6aおよび走査線3aに重なるように延在している。画素スイッチング素子30の下層側には下層側遮光層8aが形成されており、かかる下層側遮光層8aは、走査線3aおよびデータ線6aと重なるように延在している。
図4に示すように、第1基板10は、基板本体が石英基板やガラス基板等の透光性基板19からなり、透光性基板19の電気光学層50側の面(第1基板10の一方面10s)には、以下に説明するように、画素電極9a、画素スイッチング素子30、および第1配向膜16等が構成されている。また、第2基板20の基板本体は、石英基板やガラス基板等の透光性基板29からなり、透光性基板29の電気光学層50側の面(第2基板20の一方面20s)には、以下に説明するように、遮光層23、共通電極21、および第2配向膜26等が構成されている。
第1基板10において、透光性基板19の一方面10s側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側遮光層8aが形成されている。下層側遮光層8aは、電気光学装置100を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層1aに入射して画素スイッチング素子30で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。下層側遮光層8aを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極3bと下層側遮光層8aを導通させた構成とする。
第1基板10において、下層側遮光層8aの上層側には、酸化シリコン膜からなる透光性の絶縁膜12が形成され、絶縁膜12の上層側に、半導体層1aを備えた画素スイッチング素子30が形成されている。画素スイッチング素子30は、データ線6aの延在方向に長辺方向を向けた半導体層1aと、半導体層1aの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層1aの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極3bとを備えており、ゲート電極3bは走査線3aの一部からなる。画素スイッチング素子30は、半導体層1aとゲート電極3bとの間に透光性のゲート絶縁層2を有している。半導体層1aは、ゲート電極3bに対してゲート絶縁層2を介して対向するチャネル領域1gを備えているとともに、チャネル領域1gの両側にソース領域1bおよびドレイン領域1cを備えている。本形態において、画素スイッチング素子30は、LDD構造を有している。従って、ソース領域1bおよびドレイン領域1cは各々、チャネル領域1gの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域1gとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
半導体層1aは、ポリシリコン膜(多結晶シリコン膜)等によって構成されている。ゲート絶縁層2は、半導体層1aを熱酸化した酸化シリコン膜からなる第1ゲート絶縁層2aと、減圧CVD法等により形成された酸化シリコン膜からなる第2ゲート絶縁層2bとの2層構造からなる。ゲート電極3bおよび走査線3aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。
ゲート電極3bの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜41が形成され、層間絶縁膜41の上層には、ドレイン電極4aが形成されている。ドレイン電極4aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。ドレイン電極4aは、半導体層1aのドレイン領域1cと一部が重なるように形成されており、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール41aを介してドレイン領域1cに導通している。
ドレイン電極4aの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性のエッチングストッパー層49、および透光性の誘電体層40が形成されており、かかる誘電体層40の上層側には容量線5aが形成されている。誘電体層40としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等のシリコン化合物を用いることができる他、酸化アルミニウム膜、酸化チタン膜、酸化タンタル膜、酸化ニオブ膜、酸化ハフニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ジルコニウム膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線5aは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。容量線5aは、誘電体層40を介してドレイン電極4aと重なっており、保持容量55を構成している。
容量線5aの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜42が形成されており、かかる層間絶縁膜42の上層側には、データ線6aと中継電極6bとが同一の導電膜により形成されている。データ線6aおよび中継電極6bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。データ線6aは、層間絶縁膜42、エッチングストッパー層49、層間絶縁膜41およびゲート絶縁層2を貫通するコンタクトホール42aを介してソース領域1bに導通している。中継電極6bは、層間絶縁膜42およびエッチングストッパー層49を貫通するコンタクトホール42bを介してドレイン電極4aに導通している。
データ線6aおよび中継電極6bの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜43が形成されており、かかる層間絶縁膜43の上層側には、上層側遮光層7aおよび中継電極7bが同一の導電膜によって形成されている。層間絶縁膜43の表面は平坦化されている。上層側遮光層7aおよび中継電極7bは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。中継電極7bは、層間絶縁膜43を貫通するコンタクトホール43aを介して中継電極6bに導通している。上層側遮光層7aは、データ線6aと重なるように延在しており、遮光層として機能している。なお、上層側遮光層7aを容量線5aと導通させて、シールド層として利用してもよい。
上層側遮光層7aおよび中継電極7bの上層側には、酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜44が形成されており、かかる層間絶縁膜44の上層側にはITO膜等からなる画素電極9aが形成されている。層間絶縁膜44には、中継電極7bまで到達したコンタクトホール44aが形成されており、画素電極9aは、コンタクトホール44aを介して中継電極7bに電気的に接続している。その結果、画素電極9aは、中継電極7b、中継電極6bおよびドレイン電極4aを介してドレイン領域1cに電気的に接続している。画素電極9aの表面側には第1配向膜16が形成されている。
本形態において、画素電極9aは、後述するように、ITO膜からなる第1導電層9e1に屈折率調整用の第1誘電体層9fが積層された積層膜(IMITO膜:Index Matched ITO)からなる。
(第2基板20の構成)
第2基板20では、透光性基板29の一方面20s側に遮光層23、酸化シリコン膜等からなる保護層27、および透光性の共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように第2配向膜26が形成されている。
第2基板20では、透光性基板29の一方面20s側に遮光層23、酸化シリコン膜等からなる保護層27、および透光性の共通電極21が形成されており、かかる共通電極21を覆うように第2配向膜26が形成されている。
本形態において、共通電極21は、後述するように、ITO膜からなる第2導電層21e1に屈折率調整用の第2誘電体層21fが積層された積層膜(IMITO膜)からなる。
(第2基板20側のレンズ24の構成)
図4を参照して説明したように、第1基板10の一方面10s側には、データ線6a等からなる遮光層や画素スイッチング素子30が形成されており、遮光層や画素スイッチング素子30は光を透過しない。このため、第1基板10では、画素電極9aと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子30と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極9aに挟まれた領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域になっている。これに対して、画素電極9aと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子30と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域(透光領域)になっている。従って、開口領域を透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域に向かう光は、画像の表示に寄与しない。
図4を参照して説明したように、第1基板10の一方面10s側には、データ線6a等からなる遮光層や画素スイッチング素子30が形成されており、遮光層や画素スイッチング素子30は光を透過しない。このため、第1基板10では、画素電極9aと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子30と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極9aに挟まれた領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域になっている。これに対して、画素電極9aと平面視で重なる領域のうち、遮光層や画素スイッチング素子30と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域(透光領域)になっている。従って、開口領域を透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域に向かう光は、画像の表示に寄与しない。
そこで、図2に示すように、第2基板20には、複数の画素電極9aの各々に対して平面視で1対1の関係をもって重なる複数のレンズ24が形成されており、レンズ24は、電気光学層50に入射する光を平行光化している。それ故、電気光学層50に入射する光の光軸の傾きが小さいので、電気光学層50での位相ずれを低減でき、透過率やコントラストの低下を抑制することができる。特に本形態では、電気光学装置100をVAモードの液晶装置として構成したため、電気光学層50に入射する光の光軸の傾斜によって、コントラストの低下等が発生しやすいが、本形態によれば、コントラストの低下等が発生しにくい。
かかるレンズ24を形成するにあたって、透光性基板29の一方面20sには、複数の画素電極9aの各々と平面視で一対一の関係をもって重なる凹曲面からなるレンズ面291が複数形成されている。また、透光性基板29の一方面20sには、第2基板20と共通電極21との間に透光性のレンズ層240が積層され、レンズ層240は、第2基板20と反対側の面241が平坦になっている。透光性基板29とレンズ層240とは屈折率が相違しており、レンズ面291およびレンズ層240は、レンズ24を構成している。本形態において、レンズ層240の屈折率は、透光性基板29の屈折率より大である。例えば、透光性基板29は石英基板(酸化シリコン)からなり、屈折率が1.48であるのに対して、レンズ層240は、酸窒化シリコン膜(SiON)からなり、屈折率が1.58〜1.68である。それ故、レンズ24は、光源からの光を収束させるパワーを有している。
かかる第2基板20を製造するには、透光性基板29より大型の石英基板からなるマザー基板に、レンズ面291を形成した後、マザー基板の全面にレンズ層240を形成する。次に、レンズ層240の表面(面241)をCMP法等により平坦化する。その後、遮光層23、保護層27、共通電極21および第2配向膜26等を形成した後、マザー基板を切断し、単品サイズの第2基板20を得る。
(電気光学装置100の第1構成例)
図5は、本発明の第1構成例に係る電気光学装置100aの画素電極9aおよび共通電極21の構成等を示す説明図である。なお、図5には、第1参考例に係る電気光学装置100yの画素電極9aおよび共通電極21の構成、および第2参考例に係る電気光学装置100zの画素電極9aおよび共通電極21の構成も示してある。図6は、本発明の第1構成例に係る電気光学装置100a等の波長−透過率の関係を示すグラフである。なお、図6では、本発明の第1構成に係る電気光学装置100aの波長−透過率の関係を実線L1aで示し、参考例1に係る電気光学装置100yの波長−透過率の関係特性を長い破線L1yで示し、参考例2に係る電気光学装置100zの波長−透過率の関係特性を短い破線L1zで示してある。
図5は、本発明の第1構成例に係る電気光学装置100aの画素電極9aおよび共通電極21の構成等を示す説明図である。なお、図5には、第1参考例に係る電気光学装置100yの画素電極9aおよび共通電極21の構成、および第2参考例に係る電気光学装置100zの画素電極9aおよび共通電極21の構成も示してある。図6は、本発明の第1構成例に係る電気光学装置100a等の波長−透過率の関係を示すグラフである。なお、図6では、本発明の第1構成に係る電気光学装置100aの波長−透過率の関係を実線L1aで示し、参考例1に係る電気光学装置100yの波長−透過率の関係特性を長い破線L1yで示し、参考例2に係る電気光学装置100zの波長−透過率の関係特性を短い破線L1zで示してある。
図5に示すように、本発明を適用した電気光学装置のうち、第1構成例に係る電気光学装置100aにおいて、画素電極9aは、透光性の第1誘電体層9fに積層されたITO膜からなる第1導電層9e1を有している。本形態において、画素電極9aでは、ITO膜からなる1層の第1導電層9e1が2層の第1誘電体層9f(第1誘電体層9f1、9f2)の間に積層されている。
また、共通電極21は、透光性の第2誘電体層21fに積層されたITO膜からなる第2導電層21e1を有している。本形態において、共通電極21では、ITO膜からなる1層の第2導電層21e1が2層の第2誘電体層21f(第2誘電体層21f1、21f2)の間に積層されている。
従って、第1構成例に係る電気光学装置100aでは、矢印Lで示す光の進行方向に沿って、概ね、反射防止層280、防塵ガラス28、透光性基板29(第2基板20)、第2誘電体層21f1、第2導電層21e1、第2誘電体層21f2、第2配向膜26、電気光学層50、第1配向膜16、第1誘電体層9f2、第1導電層9e1、第1誘電体層9f1、透光性基板19(第1基板10)、防塵ガラス18、および反射防止層180が順に積層されている。
本形態の第1構成例に係る電気光学装置100aの画素電極9aにおいて、下層側の第1誘電体層9f1は、厚さが100nmの酸化アルミニウム膜(屈折率=1.77)からなり、上層側の第1誘電体層9f2は、厚さが90nmの酸化アルミニウム膜からなる。画素電極9aの第1導電層9e1は、厚さが90nmのITO膜(屈折率=1.95)からなる。共通電極21において、下層側の第2誘電体層21f1は、厚さが100nmの酸化アルミニウム膜からなり、上層側の第2誘電体層21f2は、厚さが90nmの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極21の第2導電層21e1は、厚さが90nmのITO膜からなる。
これに対して、参考例1に係る電気光学装置100yでは、画素電極9aには第1誘電体層9fが形成されておらず、厚さが90nmのITO膜のみからなる。また、共通電極21には第2誘電体層21fが形成されておらず、厚さが90nmのITO膜のみからなる。
参考例2に係る電気光学装置100zでは、画素電極9aには第1誘電体層9fが形成されておらず、厚さが90nmのITO膜のみからなる。また、共通電極21は、本発明を適用した電気光学装置100aと同様、透光性の第2誘電体層21fに積層されたITO膜からなる第2導電層21e1を有している。
このように構成した電気光学装置100a、100y、100zにおける波長分散特性を評価するにあたって、図5に示す層構成の波長−透過率の関係を実測した。その結果を図6に示す。図6からわかるように、本発明の第1構成に係る電気光学装置100aでは、画素電極9aおよび共通電極21の双方が導電層と透光性の誘電層との積層構造になっているため、画素電極9aおよび共通電極21のいずれにおいても、波長分散が小さい。それ故、本発明の第1構成に係る電気光学装置100aでは、参考例1、2に係る電気光学装置100y、100zと比較して、波長400nm〜700nmの波長域において、高い透過率を示し、かつ、波長による透過率の変化が小さい。それ故、本発明によれば、明るさの向上や色再現性の向上等を図ることができる。
(第2構成例、第3構成例および第4構成例)
図7は、本発明の第2構成例、第3構成例および第4構成例に係る電気光学装置100b、100c、100dの画素電極9aおよび共通電極21等の構成を示す説明図である。図8は、本発明を適用した電気光学装置100等の波長−反射率の関係を示すグラフである。図8では、本発明の第2構成例に係る電気光学装置100bの波長−反射率の関係を実線L2bで示し、本発明の第3構成例に係る電気光学装置100cの波長−反射率の関係を短い破線L2cで示し、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dの波長−反射率の関係を長い破線L2dで示してある。また、図5に示す参考例1の電気光学装置100yの波長−反射率の関係を一点鎖線L2yで示してある。
図7は、本発明の第2構成例、第3構成例および第4構成例に係る電気光学装置100b、100c、100dの画素電極9aおよび共通電極21等の構成を示す説明図である。図8は、本発明を適用した電気光学装置100等の波長−反射率の関係を示すグラフである。図8では、本発明の第2構成例に係る電気光学装置100bの波長−反射率の関係を実線L2bで示し、本発明の第3構成例に係る電気光学装置100cの波長−反射率の関係を短い破線L2cで示し、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dの波長−反射率の関係を長い破線L2dで示してある。また、図5に示す参考例1の電気光学装置100yの波長−反射率の関係を一点鎖線L2yで示してある。
図7に示すように、本発明の第2構成例、第3構成例、および第4構成例に係る電気光学装置100b、100c、100dにおいて、画素電極9aは、透光性の第1誘電体層9fに積層されたITO膜からなる第1導電層9e1を有している。本例において、画素電極9aは、さらにITO膜からなる第3導電層9e2を有しており、第1誘電体層9fは、第1導電層9e1と第3導電層9e2との間に設けられている。また、共通電極21は、透光性の第2誘電体層21fに積層されたITO膜からなる第2導電層21e1を有している。本例において、共通電極21は、さらにITO膜からなる第4導電層21e2を有しており、第2誘電体層21fは、第2導電層21e1と第4導電層21e2との間に設けられている。従って、図7に示す構成例のいずれにおいても、画素電極9aでは、第1導電層9e1、第1誘電体層9f、および第3導電層9e2が順に計3層、積層されている。また、共通電極21においては、第2導電層21e1、第2誘電体層21f、および第4導電層21e2が順に計3層、積層されている。なお、第1配向膜16および第2配向膜26は厚さが70nmである。
本発明の第2構成例および第3構成例に係る電気光学装置100b、100cにおいて、誘電体層および導電層は、画素電極9aと共通電極21とにおいて同一材料からなる。
より具体的には、本発明の第2構成例に係る電気光学装置100bの画素電極9aにおいて、第1誘電体層9fは、厚さが53nmの酸化アルミニウム膜からなる。また、画素電極9aにおいて、下層側の第1導電層9e1は、厚さが20nmのITO膜からなり、上層側の第3導電層9e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。共通電極21において、第2誘電体層21fは、厚さが42nmの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極21において、下層側の第2導電層21e1は、厚さが38nmのITO膜からなり、上層側の第4導電層21e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。
本発明の第3構成例に係る電気光学装置100cの画素電極9aにおいて、第1誘電体層9fは、厚さが53nmの酸化シリコン膜(屈折率=1.46)からなる。また、画素電極9aにおいて、下層側の第1導電層9e1は、厚さが20nmのITO膜からなり、上層側の第3導電層9e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。共通電極21において、第2誘電体層21fは、厚さが42nmの酸化シリコン膜からなる。共通電極21において、下層側の第2導電層21e1は、厚さが38nmのITO膜からなり、上層側の第4導電層21e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。
これに対して、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dにおいて、導電層は、画素電極9aと共通電極21とにおいて同一材料からなるが、誘電体層は、画素電極9aと共通電極21とにおいて異なる材料からなる。すなわち、第1誘電体層9fは、第2誘電体層21fとは異なる材料を含んでいる。また、第1誘電体層9fは、酸化シリコン膜を含み、第2誘電体層21fは、酸化アルミニウム膜を含んでいる。
より具体的には、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dの画素電極9aにおいて、第1誘電体層9fは、厚さが53nmの酸化シリコン膜からなる。また、画素電極9aにおいて、下層側の第1導電層9e1は、厚さが20nmのITO膜からなり、上層側の第3導電層9e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。共通電極21において、第2誘電体層21fは、厚さが42nmの酸化アルミニウム膜からなる。共通電極21において、下層側の第2導電層21e1は、厚さが38nmのITO膜からなり、上層側の第4導電層21e2は、厚さが20nmのITO膜からなる。
このように構成した電気光学装置100b、100c、100dにおける波長分散特性を評価するにあたって、図7に示す層構成の波長−反射率の関係をシミュレーションした。その結果を図8に示す。図8からわかるように、本発明を適用した電気光学装置100b、100c、100dでは、画素電極9aおよび共通電極21の双方が導電層と透光性の誘電体層との積層構造になっているため、画素電極9aおよび共通電極21のいずれにおいても、波長分散が小さい。それ故、本発明を適用した電気光学装置100b、100c、100dでは、参考例1に係る電気光学装置100yと比較して、波長430nm〜460nmの波長域において、反射率が低い。
また、本発明を適用した電気光学装置100b、100c、100dの波長430nm〜460nmの波長域における反射率を比較すると、第1誘電体層9fおよび第2誘電体層21fの双方を酸化シリコン膜とした第3構成例に係る電気光学装置100cは、第1誘電体層9fおよび第2誘電体層21fの双方を酸化アルミニウム膜とした第2構成例に係る電気光学装置100bより反射率が低い。また、第1誘電体層9fを酸化シリコン膜とし、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜とした第4構成例に係る電気光学装置100dは、波長430nm〜460nmの波長域における反射率が、第2構成例に係る電気光学装置100bより低く、第3構成例に係る電気光学装置100cより高い。従って、第1誘電体層9fおよび第2誘電体層21fの双方を酸化シリコン膜とした第3構成例に係る電気光学装置100cは、最も反射率が低い。
(第4構成例に係る電気光学装置100dの利点)
第4構成例に係る電気光学装置100dは、反射率が比較的低いことに加えて、誘電体層が画素電極9aと共通電極21とにおいて異なる材料からなるため、以下に説明するように、第1誘電体層9f、および第2誘電体層21fを各々、第1基板10および第2基板20に適正に形成することができる。
第4構成例に係る電気光学装置100dは、反射率が比較的低いことに加えて、誘電体層が画素電極9aと共通電極21とにおいて異なる材料からなるため、以下に説明するように、第1誘電体層9f、および第2誘電体層21fを各々、第1基板10および第2基板20に適正に形成することができる。
例えば、第1誘電体層9f、および第2誘電体層21fを酸化シリコン膜によって形成する場合、成膜温度が低いと、表面に凹凸が発生し、光学特性が低い等の問題がある。例えば、シランガスと酸素ガスを原料ガスとして、温度が200℃の条件でHDP−CVD法により成膜すると、表面に凹凸が発生する。また、シランガスと亜酸化窒素ガスを原料ガスとして、温度が200℃の条件でPE−CVD法により成膜しても表面に凹凸が発生する。これに対して、成膜温度が高いと、表面に凹凸が発生しにくい。例えば、TEOSを原料ガスとして、温度が400℃の条件でHDP−CVD法により成膜すると、表面に凹凸が発生しにくい。なお、TEOSを原料ガスとして、温度が300℃以下の条件でHDP−CVD法により成膜すると、成膜速度が高すぎて、膜厚の制御が難しい。従って、第1誘電体層9f、および第2誘電体層21fを酸化シリコン膜によって形成する場合、成膜温度を400℃以上とすればよいことになる。
それ故、第4構成例に係る電気光学装置100dでは、第1基板10において画素電極9aに積層する第1誘電体層9fを酸化シリコン膜としてある。
但し、第2基板20において共通電極21に積層する第2誘電体層21fを酸化シリコン膜とするにあたって、成膜温度を400℃以上とすると、レンズ24を形成するためのレンズ層240にクラックが発生しやすい。また、クラックが原因でレンズ層240が剥離することもある。すなわち、レンズ層240は、レンズ面291に起因する凹部を埋めるように形成した後、表面(面241)が平坦化されているため、場所によって膜厚が大きく変化している。このような状態で、400℃以上の成膜温度で酸化シリコン膜を成膜すると、その際の熱でレンズ層240に大きな応力が発生し、クラックが発生しやすくなる。しかるに、第4構成例に係る電気光学装置100dでは、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜としてあり、酸化アルミニウム膜であれば、比較的低い温度で成膜しても、表面に凹凸が発生しにくい。従って、第2基板20に第2誘電体層21fを形成した場合でも、レンズ層240にクラックが発生しにくい。それ故、第4構成例に係る電気光学装置100dでは、第1基板10および第2基板20に第1誘電体層9fおよび第2誘電体層21fを各々、適正に設けることができる。
なお、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dでは、第2基板20に凹曲面からなるレンズ面291を形成したため、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜としたが、第2基板20に凸曲面からなるレンズ面291を形成した場合もレンズ層240を形成するので、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜とすることが好ましい。
また、本発明の第4構成例に係る電気光学装置100dでは、第2基板20にレンズ層240を用いてレンズ(集光素子)を形成したため、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜としたが、レンズ24に代えて、第2基板20にプリズム状の集光素子を形成する場合も、場所によって膜厚が大きく変化する層を形成するので、このような場合も、クラックの発生を回避するという観点から、第2誘電体層21fを酸化アルミニウム膜とすることが好ましい。また、本形態では、誘電体層を異なる材料によって構成するにあたって、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜の組み合わせを例示したが、酸化アルミニウム膜や酸化シリコン膜以外の膜、フッ化マグネシウム膜等を用いてもよい。
[実施の形態の変形例]
上記実施の形態において、画素電極9aおよび共通電極21では各々、誘電体層と導電層が計3層であったが、画素電極9aおよび共通電極21の各々を、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極として構成してもよい。また、画素電極9aおよび共通電極21を各々、誘電体層と導電層との2層構造としてもよい。
上記実施の形態において、画素電極9aおよび共通電極21では各々、誘電体層と導電層が計3層であったが、画素電極9aおよび共通電極21の各々を、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極として構成してもよい。また、画素電極9aおよび共通電極21を各々、誘電体層と導電層との2層構造としてもよい。
また、画素電極9aおよび共通電極21の各々において、導電層を2層以上形成する場合、導電層同士を導通させる。この場合、導電層を誘電体層から張り出すように形成して、導電層において誘電体層から張り出した部分を接するように形成することが好ましい。
[電子機器への搭載例]
図9は、本発明を適用した電気光学装置100を用いた投射型表示装置(電子機器)の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置100が用いられているが、いずれの電気光学装置100にも、本発明を適用した電気光学装置100が用いられている。
図9は、本発明を適用した電気光学装置100を用いた投射型表示装置(電子機器)の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置100が用いられているが、いずれの電気光学装置100にも、本発明を適用した電気光学装置100が用いられている。
図9に示す投射型表示装置110は、透過型の電気光学装置100を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材111に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置110は、装置光軸L0に沿って、照明装置160と、照明装置160から出射された光が供給される複数の電気光学装置100(液晶ライトバルブ115〜117)と、複数の電気光学装置100から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム119(光合成光学系)と、クロスダイクロイックプリズム119により合成された光を投射する投射光学系118とを有している。また、投射型表示装置110は、ダイクロイックミラー113、114、およびリレー系120を備えている。投射型表示装置110において、電気光学装置100およびクロスダイクロイックプリズム119は、光学ユニット200を構成している。
照明装置160では、装置光軸L0に沿って、光源部161、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第1インテグレーターレンズ162、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第2インテグレーターレンズ163、偏光変換素子164、およびコンデンサーレンズ165が順に配置されている。光源部161は、赤色光R、緑色光Gおよび青色光Bを含む白色光を出射する光源168と、リフレクター169とを備えている。光源168は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター169は、放物線状の断面を有している。第1インテグレーターレンズ162および第2インテグレーターレンズ163は、光源部161から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子164は、光源部161から出射された光を、例えばs偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。
ダイクロイックミラー113は、照明装置160から出射された光に含まれる赤色光Rを透過させるとともに、緑色光Gおよび青色光Bを反射する。ダイクロイックミラー114は、ダイクロイックミラー113で反射された緑色光Gおよび青色光Bのうち、青色光Bを透過させるとともに緑色光Gを反射する。このように、ダイクロイックミラー113、114は、照明装置160から出射された光を赤色光R、緑色光Gおよび青色光Bに分離する色分離光学系を構成している。
液晶ライトバルブ115は、ダイクロイックミラー113を透過して反射ミラー123で反射した赤色光Rを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ115は、λ/2位相差板115a、第1偏光板115b、電気光学装置100(赤色用電気光学装置100R)、および第2偏光板115dを備えている。ここで、液晶ライトバルブ115に入射する赤色光Rは、ダイクロイックミラー113を透過しても光の偏光は変化しないことから、s偏光のままである。
λ/2位相差板115aは、液晶ライトバルブ115に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。第1偏光板115bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100(赤色用電気光学装置100R)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板115dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ115は、画像信号に応じて赤色光Rを変調し、変調した赤色光Rをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。λ/2位相差板115aおよび第1偏光板115bは、偏光を変換させない透光性のガラス板115eに接した状態で配置されており、λ/2位相差板115aおよび第1偏光板115bが発熱によって歪むのを回避することができる。
液晶ライトバルブ116は、ダイクロイックミラー113で反射した後にダイクロイックミラー114で反射した緑色光Gを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ116は、液晶ライトバルブ115と同様に、第1偏光板116b、電気光学装置100(緑色用電気光学装置100G)、および第2偏光板116dを備えている。液晶ライトバルブ116に入射する緑色光Gは、ダイクロイックミラー113、114で反射されて入射するs偏光である。第1偏光板116bは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100(緑色用電気光学装置100G)は、s偏光を画像信号に応じた変調によってp偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板116dは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ116は、画像信号に応じて緑色光Gを変調し、変調した緑色光Gをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。
液晶ライトバルブ117は、ダイクロイックミラー113で反射し、ダイクロイックミラー114を透過した後でリレー系120を経た青色光Bを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ117は、液晶ライトバルブ115、116と同様に、λ/2位相差板117a、第1偏光板117b、電気光学装置100(青色用電気光学装置100B)、および第2偏光板117dを備えている。液晶ライトバルブ117に入射する青色光Bは、ダイクロイックミラー113で反射してダイクロイックミラー114を透過した後にリレー系120の2つの反射ミラー125a、125bで反射することから、s偏光となっている。
λ/2位相差板117aは、液晶ライトバルブ117に入射したs偏光をp偏光に変換する光学素子である。第1偏光板117bは、s偏光を遮断してp偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置100(青色用電気光学装置100B)は、p偏光を画像信号に応じた変調によってs偏光(中間調であれば円偏光又は楕円偏光)に変換する構成となっている。第2偏光板117dは、p偏光を遮断してs偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ117は、画像信号に応じて青色光Bを変調し、変調した青色光Bをクロスダイクロイックプリズム119に向けて出射する。なお、λ/2位相差板117a、および第1偏光板117bは、ガラス板117eに接した状態で配置されている。
リレー系120は、リレーレンズ124a、124bと反射ミラー125a、125bとを備えている。リレーレンズ124a、124bは、青色光Bの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ124aは、ダイクロイックミラー114と反射ミラー125aとの間に配置されている。リレーレンズ124bは、反射ミラー125a、125bの間に配置されている。反射ミラー125aは、ダイクロイックミラー114を透過してリレーレンズ124aから出射した青色光Bをリレーレンズ124bに向けて反射する。反射ミラー125bは、リレーレンズ124bから出射した青色光Bを液晶ライトバルブ117に向けて反射する。
クロスダイクロイックプリズム119は、2つのダイクロイック膜119a、119bをX字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜119aは青色光Bを反射して緑色光Gを透過する膜であり、ダイクロイック膜119bは赤色光Rを反射して緑色光Gを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム119は、液晶ライトバルブ115〜117のそれぞれで変調された赤色光Rと緑色光Gと青色光Bとを合成し、投射光学系118に向けて出射する。
なお、液晶ライトバルブ115、117からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はs偏光であり、液晶ライトバルブ116からクロスダイクロイックプリズム119に入射する光はp偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム119に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム119において各液晶ライトバルブ115〜117から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜119a、119bはs偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜119a、119bで反射される赤色光R、および青色光Bをs偏光とし、ダイクロイック膜119a、119bを透過する緑色光Gをp偏光としている。投射光学系118は、投影レンズ(図示略)を有しており、クロスダイクロイックプリズム119で合成された光をスクリーン等の被投射部材111に投射する。
[他の投射型表示装置]
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
上記投射型表示装置において、光源部として、各色の光を出射するLED光源等を用い、かかるLED光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
本発明を適用した電気光学装置100については、上記の電子機器の他にも、投射型のHUD(ヘッドアップディスプレイ)や直視型のHMD(ヘッドマウントディスプレイ)、携帯電話機、情報携帯端末(PDA:Personal Digital Assistants)、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話等に用いてもよい。
9a…画素電極、9e1…第1導電層、9e2…第3導電層、9f、9f1、9f2…第1誘電体層、10…第1基板、19…透光性基板、20…第2基板、21…共通電極、21e1…第2導電層、21e2…第4導電層、21f、21f1、21f2…第2誘電体層、24…レンズ、29…透光性基板、30…画素スイッチング素子、50…電気光学層、100、100a、100b、100c、100d…電気光学装置、110…投射型表示装置、240…レンズ層、291…レンズ面
Claims (7)
- 透光性の第1基板と、
前記第1基板に対向する透光性の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学層と、
前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、
前記第2基板の前記第1基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、
を有し、
前記画素電極は、第1誘電体層と第1導電層とを含み、
前記共通電極は、第2誘電体層と第2導電層とを含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1に記載の電気光学装置において、
前記第1誘電体層は、前記第2誘電体層とは異なる材料を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項2に記載の電気光学装置において、
前記第1誘電体層は、酸化シリコン膜を含み、
前記第2誘電体層は、酸化アルミニウム膜を含むことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項2または3に記載の電気光学装置において、
前記第2基板と前記共通電極との間にレンズ層を有し、
前記第2基板は、前記第1基板側の面の前記画素電極と平面視で重なる位置に凹曲面または凸曲面からなるレンズ面を備え、
前記レンズ層は、前記レンズ面を覆い、前記第2基板とは反対側の面が平坦であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至4の何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記画素電極は、第3導電層を含み、
前記共通電極は、第4導電層を含み、
前記第1誘電体層は、前記第1導電層と前記第3導電層との間に設けられ、
前記第2誘電体層は、前記第2導電層と前記第4導電層との間に設けられていることを特徴とする電気光学装置。 - 透光性の第1基板と、
前記第1基板に対向する透光性の第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられた電気光学層と、
前記第1基板の前記第2基板側の面に設けられた透光性の画素電極と、
前記第2基板の前記第1基板側の面に設けられた透光性の共通電極と、
を有し、
前記画素電極は、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極であり、
前記共通電極は、複数の誘電体の層と複数の導電性の層とが交互に積層された電極であることを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1乃至6のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
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