JP2003255374A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 視認性の高いディスプレイを提供すると共
に、凹凸構造を有する反射電極が特に工程を増やすこと
なく形成された半透過型の液晶表示装置を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 半透過型の液晶表示装置を作製するにあ
たり、透明電極と反射電極とからなる電極の形成におい
て、複数の島状のパターンからなる反射電極と透明導電
膜からなる透明電極とを積層して形成することにより凹
凸形状を有し、光の散乱性を高めてディスプレイの視認
性を向上させることを特徴とする。さらに、複数の島状
のパターンは、配線と同時に形成することができるので
製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけ
のパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を
形成することができる。よって、大幅なコスト削減と、
生産性の向上が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パッシブマトリク
ス型、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に関す
る。特に、透過型および反射型の両機能を兼ね備えた半
透過型液晶表示装置の電極構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、携帯電話に代表される携帯情報端
末の爆発的な普及により、軽量・省消費電力・使用環境
の変化に応じて対応可能なディスプレイが必要とされて
いる。
【０００３】なお、薄膜・軽量の面から考えると液晶表
示装置、または有機ＥＬ表示装置が有望視されている代
表格である。
【０００４】透過型表示装置は、ディスプレイを駆動さ
せるためだけであれば、消費電力は少ない。しかし、液
晶自体は発光しないので、ディスプレイとして表示を出
すためにはバックライトを必要とする。携帯電話用途で
は、一般にＥＬバックライトが用いられるが、このバッ
クライトのために別途電力が必要となり、液晶特有の省
消費電力の特徴が十分には活かせず、省消費電力化には
不利である。また、暗い環境下ではディスプレイの表示
がコントラスト良く見えるが、通常の明るい環境下では
表示があまり良く見えなくなり、上方出射方式及び下方
出射方式のいずれの場合においても使用環境に応じた適
応性には難がある。
【０００５】また、有機ＥＬ表示装置は、表示素子自体
が発光することが特徴である。消費電力は反射型液晶表
示装置よりも大きくなるが、透過型液晶表示装置よりも
（バックライト付き）よりも小さい。しかし、透過型液
晶表示装置の場合と同じく、暗い環境下ではディスプレ
イの表示が良く見えるが、通常の明るい環境下では表示
があまり良く見えないので、やはり、上方出射方式及び
下方出射方式のいずれの場合においても使用環境に応じ
た適応性には難がある。
【０００６】さらに、反射型液晶表示装置は、表示のた
めの光として環境中からの外光を利用する。ディスプレ
イ側からすると、基本的にはバックライトが不要であ
り、液晶と駆動回路を駆動させるための電力しか必要と
しないため、積極的な省消費電力化が図れる。しかし、
前２者とは全く逆で、明るい環境下ではディスプレイの
表示が良く見えるが、暗い環境下では表示があまり良く
見えなくなる。携帯情報端末の用途を考えると、屋外の
使用が主であり、比較的明るい環境で表示を見るケース
が多いとはいえ、これでもやはり、使用環境に応じた適
応性の点では不十分である。そのため、一部では、暗い
環境下でも反射型表示装置として表示を行うことができ
るように、フロントライトを組み込んだものが市販され
ている。
【０００７】そこで、透過型と反射型液晶表示装置を組
み合わせることにより、両者の利点を有する半透過型液
晶ディスプレイが注目されている。明るい環境下では、
反射型のもつ省消費電力とこの環境下での視認性の良さ
という特徴を活かし、一方暗い環境下では、バックライ
トを用いて、透過型の持つコントラストの良さという特
徴を活かしている。
【０００８】半透過型の液晶表示装置としては、特開平
１１−１０１９９２号において開示されており、一つの
表示画素に外光を反射する反射部とバックライトからの
光を透過する透過部とを作り込むことにより、周囲が真
っ暗の場合にはバックライトからの透過部を透過する光
と反射率の比較的高い膜により形成した反射部により反
射する光を利用して表示を行う両用型液晶表示装置とし
て、さらに外光が明るい場合には、光反射率の比較的高
い膜により形成した反射部により反射する光を利用して
表示を行う反射型液晶表示装置として用いることができ
るというような構成の反射透過両用型（半透過型）の液
晶表示装置である。
【０００９】さらに上述した半透過型の液晶表示装置に
おいては、特に反射表示を行う反射部において光拡散性
を有する特殊な凹凸構造が付与されている。反射電極
は、その構造上、表面に対して、ある方向からある入射
角をもって入射した光に対して、ある特定の方向のある
特定の出射角のところにしか反射しない（スネルの法
則）ため、表面が平坦であると光の入射に対して光の出
る方向、角度が一定に決まってしまうからである。この
ような状態でディスプレイを作製すると非常に視認性の
悪い表示になる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】半透過型の液晶表示装
置は、携帯情報端末という特殊な使用条件にうまく対応
したディスプレイであるといえる。特に携帯電話用途で
は、今後も大きな需要が見込まれると予想される。そこ
で、安定した需要を確保するため、もしくは膨大な需要
に対応するためには、より一層のコスト削減につとめる
必要があることは明らかである。
【００１１】しかし、先に示したような凹凸構造を形成
するためには、反射電極よりも下の層に凹凸形状を付け
た後、その上に反射電極を形成する等の方法が必要とな
る。
【００１２】また、上記例に限らず半透過型の液晶表示
装置を作製するためには、画素電極を構成する反射電極
および透過電極のいずれか一方、または両方の表面や、
画素電極の下の層に凹凸構造を形成するためのパターニ
ングが必要となるため、工程が増える。工程が増えるこ
とは、歩留まりの低下や、プロセス時間の延長、コスト
の増加といった不利な事態を招くことになる。
【００１３】そこで、本発明では視認性の高いディスプ
レイを提供すると共に、凹凸構造を有する反射電極が特
に工程を増やすことなく形成された半透過型の液晶表示
装置を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明では、半透過型の液晶表示装置を作製するにあ
たり、透明電極と反射電極とからなる電極の形成におい
て、複数の島状のパターンからなる反射電極と透明導電
膜からなる透明電極とを積層して形成することにより凹
凸形状を有し、光の散乱性を高めてディスプレイの視認
性を向上させることを特徴とする。さらに、複数の島状
のパターンは、配線と同時に形成することができるので
製造プロセス中において、凹凸構造を形成するためだけ
のパターニング工程を特に増やすことなく、凹凸構造を
形成することができる。よって、大幅なコスト削減と、
生産性の向上が可能となる。
【００１５】本発明の液晶表示装置は、絶縁表面上に形
成された透明性導電膜と、前記透明性導電膜上に形成さ
れた配線および複数の島状のパターンとを有し、前記透
明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状のパター
ンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置
である。
【００１６】また、ここで形成される複数の島状のパタ
ーンは、反射電極としての機能を有する。また、透明性
導電膜からなる透明電極と複数の島状のパターンからな
る反射電極とが積層形成されることにより、反射電極を
有する部分では、光に対する反射性を有する電極とな
り、透明電極上に反射電極を有さず、透明電極が表面に
露出している部分では、光に対する透過性を有する透明
電極となる。従って、本発明では、反射性と透過性とい
う２種類の性質を有する電極を画素電極として有する半
透過型の液晶表示装置が形成される。すなわち、本発明
における画素電極は、反射電極と透明電極とからなり、
凹凸構造を有する。
【００１７】また、本発明における反射性導電膜として
は、波長４００〜８００ｎｍ（可視光領域）における垂
直反射特性で７５％以上の反射率をもつ導電膜を用いる
こととする。なお、このような材料としては、アルミニ
ウム（Ａｌ）や銀（Ａｇ）の他、これらを主成分とする
合金材料を用いることができる。
【００１８】また、本発明の他の構成における液晶表示
装置は、基板上に形成された薄膜トランジスタと、前記
薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して形成された透明性
導電膜と、前記透明性導電膜上に形成された配線および
複数の島状のパターンとを有し、前記配線は、前記薄膜
トランジスタおよび前記透明性導電膜を電気的に接続す
ることを特徴とする液晶表示装置である。
【００１９】さらに、本発明の液晶表示装置は、第１の
透明性導電膜、配線および複数の島状のパターンとを有
する第１の基板と、第２の透明性導電膜を有する第２の
基板と、液晶とを有し、前記配線および前記複数の島状
のパターンは、前記第１の透明性導電膜上に形成され、
前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状の
パターンは電気的に接続され、前記第１の基板の膜形成
面と、前記第２の基板の膜形成面と、が互いに向き合っ
て配置され、かつ前記第１の基板と、前記第２の基板
と、の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液
晶表示装置である。
【００２０】さらに、本発明の液晶表示装置は、薄膜ト
ランジスタ、第１の透明性導電膜、配線および複数の島
状のパターンとを有する第１の基板と、第２の透明性導
電膜を有する第２の基板と、液晶とを有し、前記配線お
よび前記複数の島状のパターンは、前記第１の透明性導
電膜上に形成され、前記配線は、前記薄膜トランジスタ
と、前記第１の透明性導電膜および前記複数の島状のパ
ターンとを電気的に接続し、前記第１の基板の膜形成面
と、前記第２の基板の膜形成面と、が互いに向き合って
配置され、かつ前記第１の基板と、前記第２の基板と、
の間に前記液晶が挟まれていることを特徴とする液晶表
示装置である。
【００２１】なお、上記各構成によれば、反射性導電膜
からなる島状のパターンと配線とをエッチングにより形
成することができる、さらにエッチングにより同時に形
成する場合には反射性導電膜の成膜表面から見て凹凸構
造を構成することができるため、通常凹凸構造を形成す
る際に用いられるフォトリソグラフィーの工程を減らす
ことができ、大幅なコスト削減と、生産性の向上を実現
することができる。
【００２２】また、上記各構成において形成される複数
の島状のパターンはランダムな形状、ランダムな配置で
形成され、第１の透明性導電膜と電気的に接続されてい
る。但し、反射性導電膜をエッチングすることにより形
成される島状のパターンは、反射の機能を向上させる上
でパターン端部のテーパー角をより小さくすることが望
ましい。なお、本発明における複数の島状のパターン
は、各パターン端部のテーパー角が５〜６０°であるこ
とを特徴とする。
【００２３】さらに、上記各構成において、画素部に形
成された反射性導電膜からなる複数の島状のパターンが
占める面積の割合は、画素部の面積の５０〜９０％であ
ることを特徴とする。
【００２４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の態様を図１を参照
して説明する。基板１０１上には半導体層１０５が形成
されている。半導体層１０５は、非晶質半導体層を熱処
理により結晶化させた多結晶半導体層で形成し、厚さは
３０〜７５０nm程度の厚さで形成する。さらにその上に
はゲート絶縁膜１０６が形成されている。なお、ゲート
絶縁膜１０６は３０〜１００ｎｍの酸化シリコン膜によ
り形成される。
【００２５】また、ゲート絶縁膜１０６上には、ゲート
電極１０７、容量配線１０８が同一層で形成され、その
上に酸化シリコン膜から成る第１絶縁膜１０９とアクリ
ル膜から成る第２絶縁膜１１０が形成される。なお、第
１絶縁膜１０９を形成する材料としては、酸化シリコン
膜の他に、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜および
塗布シリコン酸化膜（ＳＯＧ：Spin On Glass）等のシ
リコンを含む無機材料を用いることができる。また、第
２絶縁膜１１０を形成する材料としては、アクリル膜
（感光性アクリルを含む）の他にポリイミド、ポリアミ
ド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）といった有機材料を
用いることができる。
【００２６】透過電極１１１は、入射した光を基板１０
１側に透過させるための電極であり、透明電極１１１を
形成する材料としては、酸化インジウム・スズ（ＩＴ
Ｏ）膜や酸化インジウムに２〜２０[％]の酸化亜鉛（Ｚ
ｎＯ）を混合した透明導電膜を用いて１００〜２００ｎ
ｍの膜厚で形成する。さらにこれをパターニングするこ
とにより画素毎に透明電極１１１を形成する。
【００２７】配線１１２はＴＦＴ１１５のソース領域１
０２とのコンタクトを形成する電極でもあり、ソース線
でもある。また、配線１１３は、ＴＦＴ１１５のドレイ
ン領域１０３とのコンタクトを形成する電極である。
【００２８】半導体層１０５にはソース領域１０２、ド
レイン領域１０３、およびチャネル形成領域１０４が形
成されている。また、ソース領域１０２およびドレイン
領域１０３を除き、容量配線１０８と重なる位置に形成
される半導体層１０５は容量素子の一方の電極として機
能している。
【００２９】また、配線１１２、１１３を形成する導電
膜と同一の膜により、先に形成した透明電極１１１上に
反射性導電膜からなる反射電極１１４が形成される。す
なわち、フォトリソグラフィーの技術を用いて画素部の
透明電極１１１上には複数の島状のパターンを形成し、
それ以外の部分には配線１１２、１１３を形成する。な
お、ここで形成される島状のパターンは、ランダムな形
状、配置で形成されており、反射電極１１４を形成す
る。反射電極１１４は、このような構造を有することか
ら表面に入射された光を散乱させる機能を持たせること
ができる。
【００３０】本発明の構造によれば、透明電極１１１上
に形成された反射電極１１４に入射した光は、反射電極
１１４の形状により散乱するが、反射電極１１４が形成
されずに透明電極２２２が露出している部分において入
射した光は、透明電極１１１を透過し、基板１０１側に
出射することができる。
【００３１】なお、本発明において形成される反射電極
は、その形状を図２（Ａ）で示すようにランダムな形状
で、ランダムな位置に形成することにより、反射電極に
対して入射される光の角度（入射角）と反射電極により
反射された光の角度（反射角）とをずらすことにより、
光を散乱させることができる。
【００３２】なお、本発明において、入射角と反射角と
をずらす上で重要となるのは、反射電極を構成する複数
の反射体の形状であり、図２（Ｂ）に示す各反射体のテ
ーパースロープ面（反射面）２１０が基板面（基準面）
２１１に対してどの位傾いているかを示す角度であり、
これをテーパー角（θ）２１２として示す。
【００３３】なお、本実施例では、このテーパー角
（θ）２１２を５〜６０°となるように反射体を形成す
ることで基板面（基準面）２１１に対する出射角に比べ
てテーパースロープ面（反射面）２１０に対する出射角
をずらして光を散乱させ、パネルの視認性を向上させる
ことが可能である。
【００３４】図２（Ｃ）は、スロープのない反射面に対
する入射光２１３、反射光２１４の挙動を示したもので
ある。基準面２１１に対する入射方向をａin、出射方向
をａ out、また反射面２１０に対する入射方向をａ'in、
出射方向をａ'outとし、さらに入射角（φ1）２１５、
出射角（φ2）２１６を基準面に対して定義することと
すると、ここでは、基準面２１１と反射面２１０が一致
していることからａin＝ａ'in＝φ1、およびａout＝ａ'
out＝φ2が成り立つ。
【００３５】また、スネルの法則により、ａ'in＝ａ'
outが成り立つことから、ａin＝ａout、およびφ1＝φ2
が成り立つ。
【００３６】一方、図２（Ｄ）は、テーパー角（θ）２
１２がついたテーパースロープ面が反射面となっている
場合の入射光２１３、出射光２１４の挙動を示したもの
である。
【００３７】入射光２１３および出射光２１４は、基準
面２１１に対して、それぞれ入射角（φ1'） ２１７、
出射角（φ2'）２１８とすると、ａin＝φ1'、およびａ
out＝φ2'であり、また、ａ'in＝φ1'＋θ、およびａ'
out＝φ2'−θが成り立つ。
【００３８】また、スネルの法則により、ａ'in＝ａ'
outが成り立つことから、φ1'＋θ＝φ2'−θが成り立
つ。この式から、入射角（φ1'） ２１７と出射角
（φ2'）２１８との関係をφ2'− φ1'＝２θで示すこ
とができる。これは、入射光２１３の入射方向（ａin）
と出射光２１４の出射方向（ａout）とが２θずれてい
ることを意味する。
【００３９】より視認性に優れたパネルを作製する上で
は、ここでのずれ角（２θ）を４０°以下の範囲で均一
に分布させることが好ましいことから、テーパー角
（θ）２１２が２０°以下となるように反射体２０４を
形成することがさらに好ましい。
【００４０】本実施の形態においては、反射電極１１４
を構成する反射体２０４のテーパー角（θ）２１２を５
〜６０°で形成することにより、反射電極１１４に入射
した光を効率よく散乱させることができる。従って、本
発明の構造は、ＴＦＴの作製プロセスを増加させること
なく、ディスプレイの視認性を高めることが可能であ
る。
【００４１】なお、本実施の形態において説明した、基
板上にＴＦＴを有する素子基板（図１）に対向電極を有
する対向基板（図示せず）を合わせ、両者の間に液晶を
備えることにより半透過型の液晶表示装置を形成するこ
とができる。
【００４２】
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。
【００４３】（実施例１）本実施例では、トップゲート
型ＴＦＴを備えたアクティブマトリクス基板の作製工程
の例を示す。なお、説明には画素部の一部の上面図およ
び断面図を示した図３〜図７を用いる。
【００４４】まず、絶縁表面を有する基板３０１上に非
晶質半導体層を形成する。ここでは基板３０１として石
英基板を用い、非晶質半導体層を膜厚１０〜１００ｎｍ
で形成する。
【００４５】なお、基板３０１には石英基板の他に、ガ
ラス基板、プラスチック基板を用いることができる。ガ
ラス基板を用いる場合には、ガラス歪み点よりも１０〜
２０℃程度低い温度であらかじめ熱処理しておいても良
い。また、基板３０１のＴＦＴを形成する表面に、基板
３０１からの不純物拡散を防ぐために、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜などの絶
縁膜から成る下地膜を形成するとよい。
【００４６】非晶質半導体層として、膜厚６０ｎｍの非
晶質シリコン膜（アモルファスシリコン膜）をＬＰＣＶ
Ｄ法により形成する。次いで、この非晶質半導体層を結
晶化させる。ここでは、特開平８−７８３２９号公報記
載の技術を用いて結晶化させる。同公報記載の技術は、
非晶質シリコン膜に対して結晶化を助長する金属元素を
選択的に添加し、加熱処理を行うことで添加領域を起点
として広がる結晶質シリコン膜を形成するものである。
ここでは結晶化を助長する金属元素としてニッケルを用
い、脱水素化のための熱処理（４５０℃、１時間）の
後、結晶化のための熱処理（６００℃、１２時間）を行
う。なお、ここでは、結晶化に上記公報記載の技術を用
いたが特に限定されず、公知の結晶化処理（レーザー結
晶化法、熱結晶化法等）を用いることが可能である。
【００４７】また、必要があれば、結晶化率を高め結晶
粒内に残される欠陥を補修するためのレーザー光（Ｘｅ
Ｃｌ：波長３０８ｎｍ）の照射を行う。レーザー光には
波長４００ｎｍ以下のエキシマレーザ光や、ＹＡＧレー
ザーの第２高調波、第３高調波を用いる。いずれにして
も、繰り返し周波数１０〜１０００Hz程度のパルスレー
ザー光を用い、当該レーザー光を光学系にて１００〜４
００mJ/cm2に集光し、９０〜９５％のオーバーラップ率
をもって照射し、シリコン膜表面を走査させればよい。
【００４８】次いで、ＴＦＴの活性層とする領域からＮ
ｉをゲッタリングする。ここでは、ゲッタリング方法と
して希ガス元素を含む半導体層を用いて行う例を示す。
上記レーザー光の照射により形成された酸化膜に加え、
オゾン水で表面を１２０秒処理して合計１〜５ｎｍの酸
化膜からなるバリア層を形成する。次いで、バリア層上
にスパッタ法にてゲッタリングサイトとなるアルゴン元
素を含む非晶質シリコン膜を膜厚１５０ｎｍで形成す
る。本実施例のスパッタ法による成膜条件は、成膜圧力
を０．３Ｐａとし、ガス（Ａｒ）流量を５０（sccm）と
し、成膜パワーを３ｋＷとし、基板温度を１５０℃とす
る。なお、上記条件での非晶質シリコン膜に含まれるア
ルゴン元素の原子濃度は、３×１０20/cm3〜６×１０20
/cm3、酸素の原子濃度は１×１０19/cm3〜３×１０19/c
m3である。その後、ランプアニール装置を用いて６５０
℃、３分の熱処理を行いゲッタリングする。なお、ラン
プアニール装置の代わりに電気炉を用いてもよい。
【００４９】次いで、バリア層をエッチングストッパー
として、ゲッタリングサイトであるアルゴン元素を含む
非晶質シリコン膜を選択的に除去した後、バリア層を希
フッ酸で選択的に除去する。なお、ゲッタリングの際、
ニッケルは酸素濃度の高い領域に移動しやすい傾向があ
るため、酸化膜からなるバリア層をゲッタリング後に除
去することが望ましい。
【００５０】得られた結晶構造を有するシリコン膜（ポ
リシリコン膜とも呼ばれる）の表面にオゾン水で薄い酸
化膜を形成した後、レジストからなるマスクを形成し、
所望の形状にエッチング処理して島状に分離された半導
体層３０５を形成する。半導体層３０５を形成した後、
レジストからなるマスクを除去し、さらに半導体層３０
５を覆うゲート絶縁膜３０６を１００ｎｍの膜厚で形成
した後、熱酸化を行う。
【００５１】次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域
にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャ
ネルドープ工程を全面または選択的に行う。このチャネ
ルドープ工程は、ＴＦＴのしきい値電圧を制御するため
の工程である。なお、半導体に対してｐ型を付与する不
純物元素には、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、
ガリウム（Ｇａ）など周期律第１３族元素が知られてい
る。また、半導体に対してｎ型を付与する不純物元素と
しては周期律１５族に属する元素、典型的にはリン
（Ｐ）または砒素（Ａｓ）が知られている。なお、ここ
ではジボラン（Ｂ2Ｈ6）を質量分離しないでプラズマ励
起したイオンドープ法でボロンを添加する。もちろん、
質量分離を行うイオンインプランテーション法を用いて
もよい。
【００５２】次いで、第１の導電膜を形成し、パターニ
ングを行ってゲート電極３０７および容量配線３０８を
形成する。ここでは、窒化タンタル（ＴａＮ）（膜厚３
０ｎｍ）とタングステン（膜厚３７０ｎｍ）との積層構
造を用いる。また、本実施例ではダブルゲート構造とす
る。なお、保持容量は、ゲート絶縁膜３０６を誘電体と
し、容量配線３０８と半導体層３０５の一部である領域
ａ（３０３ａ）とで構成されている。
【００５３】次いで、ゲート電極３０７および容量配線
３０８をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加
する。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１
×１０16〜５×１０18/cm3、代表的には３×１０17〜３
×１０18/cm3となるように調整する。
【００５４】次いで、マスク（図示せず）を形成してリ
ンを高濃度に添加し、ソース領域３０２またはドレイン
領域３０３となる高濃度不純物領域を形成する。この高
濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21
/cm3（代表的には２×１０20〜５×１０20/cm3）となる
ように調整する。なお、半導体層３０５のうち、ゲート
電極３０７と重なる領域はチャネル形成領域３０４とな
り、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬ
ＤＤ領域３１１となる。さらに、ゲート電極３０７、容
量配線３０８、およびマスクのいずれにも覆われない領
域は、ソース領域３０２、ドレイン領域３０３を含む高
濃度不純物領域となる。
【００５５】なお、本実施例では同一基板上に画素部の
ＴＦＴと駆動回路のＴＦＴを形成するが、駆動回路のＴ
ＦＴにおいてもチャネル形成領域の両側であって、ソー
スおよびドレイン領域との間にソースおよびドレイン領
域よりも不純物濃度の低い低濃度不純物領域を設けても
よいし、片側に低濃度不純物領域を設けてもよい。しか
し、必ずしも両側に低濃度不純物領域を設ける必要はな
く、実施者が適宜マスクを設計すればよい。
【００５６】次いで、ここでは図示しないが、画素と同
一基板上に形成される駆動回路に用いるｐチャネル型Ｔ
ＦＴを形成するために、マスクでｎチャネル型ＴＦＴと
なる領域を覆い、ボロンを添加してソース領域またはド
レイン領域を形成する。
【００５７】次いで、マスクを除去した後、ゲート電極
３０７および容量配線３０８を覆う第１絶縁膜３０９を
形成する。ここでは、酸化シリコン膜を５０ｎｍの膜厚
で形成し、半導体層３０５にそれぞれの濃度で添加され
たｎ型またはｐ型不純物元素を活性化するための熱処理
工程を行う。ここでは８５０℃、３０分の加熱処理を行
う（図３（Ａ））。なお、ここでの画素上面図を図４に
示す。図４において、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が
図３（Ａ）に相当する。
【００５８】次いで、水素化処理を行った後、有機樹脂
材料からなる第２絶縁膜３１３を形成する。ここでは膜
厚１μｍのアクリル膜を用いることにより、第２絶縁膜
３１３の表面を平坦化することができる。これにより、
第２絶縁膜８１３の下層に形成されるパターンにより生
じる段差の影響を防ぐことができる。次いで、第２絶縁
膜３１３上にマスクを形成し、半導体層３０５に達する
コンタクトホール３１２を形成する（図３（Ｂ））。そ
して、コンタクトホール３１２の形成後にマスクを除去
する。なお、ここでの画素上面図を図５に示す。図５に
おいて、点線Ａ−Ａ’で切断した断面図が図３（Ｂ）に
相当する。
【００５９】次に、１２０ｎｍの透明性導電膜（ここで
は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）をスパッタリン
グ法により成膜し、これをフォトリソグラフィーの技術
を用いて矩形にパターニングする。そして、ウエットエ
ッチング処理を行った後で、クリーンオーブンにより２
５０℃、６０分の加熱処理を行うことにより、透明電極
３１３を形成する（図３（Ｃ））。なお、ここでの画素
上面図を図６に示す。図６において、点線Ａ−Ａ’で切
断した断面図が図３（Ｃ）に相当する。
【００６０】次いで、第２の導電膜を形成し、これをパ
ターニングすることにより、透明電極３１３上に形成さ
れる反射電極３１４の他、ソース線でもある配線３１５
や、ＴＦＴ３１０と透明電極３１３とを電気的に接続す
る配線３１６を形成する。なお、ここで形成される第２
の導電膜は、本発明における反射電極を形成するための
反射性導電膜であり、アルミニウム、銀等の他、これら
を主成分とする合金材料を用いることができる。
【００６１】本実施例では、上記第２の導電膜としてＴ
ｉ膜を５０ｎｍ、Ｓｉを含むアルミニウム膜５００ｎｍ
をスパッタ法で連続して形成した２層構造の積層膜を用
いている。
【００６２】なお、パターニングの方法としてフォトリ
ソグラフィーの技術を用い、複数の島状パターンからな
る反射電極３１４、および配線３１５、３１６を形成す
る。また、ここで用いるエッチング方法としては、ドラ
イエッチング法を用い、テーパーエッチングおよび異方
性エッチングを行う。
【００６３】はじめにレジストからなるマスクを形成し
て、テーパーエッチングを行うための第１のエッチング
処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２の
エッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（Induct
ively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチン
グ法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッ
チング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板
側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を
適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエ
ッチングすることができる。なお、エッチング用ガスと
しては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代
表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ 6、ＮＦ3などを
代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いること
ができる。
【００６４】本実施例では、第１のエッチング条件とし
て、ＩＣＰ（Inductively CoupledPlasma：誘導結合型
プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＢ
Ｃｌ 3とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を
６５／１０／５（ｓｃｃｍ）とし、１．２Ｐａの圧力で
コイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）
電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。
基板側（試料ステージ）にも３００ＷのＲＦ（１３．５
６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電
圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＳｉを
含むアルミニウム膜をエッチングして第１の導電層の端
部をテーパー形状とする。
【００６５】この後、マスクを除去せずに第２のエッチ
ング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ
2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０
（ｓｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５
００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラ
ズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基
板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条
件では、Ｓｉを含むアルミニウム膜及びＴｉ膜とも同程
度にエッチングされる。
【００６６】こうして、第１のエッチング処理により第
１の導電層と第２の導電層から成る第２の導電膜をテー
パー形状とすることができる。
【００６７】次いで、レジストからなるマスクを除去せ
ずに異方性エッチングを行うための第２のエッチング処
理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＢＣｌ3とＣ
ｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を８０／２０（ｓ
ｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に３００
ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマ
を生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）
にも５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、
実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。
【００６８】以上により、反射電極３１４、および配線
３１５、３１６が形成されたところで、レジストを除去
し、図３（Ｄ）に示す構造を得る。なお、ここでの画素
上面図を図７に示す。図７において、点線Ａ−Ａ’で切
断した断面図が図３（Ｄ）に相当する。
【００６９】なお、図７に示すように反射電極３１４を
透明電極３１３上にランダムに形成することにより、透
明電極３１３と反射電極３１４とが重なって形成されて
いる部分においては、光は反射電極３１４により反射さ
れ、反射電極３１４が形成されずに透明電極３１３が表
面に露出している部分においては、光は透明電極３１３
の内部を透過し、基板３０１側へ出射する。
【００７０】以上の様にして、ダブルゲート構造を有す
るｎチャネル型ＴＦＴ、及び保持容量を有する画素部
と、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴを有す
る駆動回路と、を同一基板上に形成することができる。
本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマト
リクス基板と呼ぶ。
【００７１】なお、本実施例は一例であって本実施例の
工程に限定されないことはいうまでもない。例えば、各
導電膜としては、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、
モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃ
ｒ）、シリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素、または元素
を組み合わせた合金膜（代表的には、Ｍｏ―Ｗ合金、Ｍ
ｏ―Ｔａ合金）を用いることができる。また、各絶縁膜
としては、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜や酸化窒化
シリコン膜や有機樹脂材料（ポリイミド、アクリル、ポ
リアミド、ポリイミドアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブ
テン）等）膜を用いることができる。
【００７２】また、本実施例で示す工程に従えば、図３
（Ｄ）に示すように配線パターンマスクを用いて、反射
電極３１４、および配線（３１５、３１６）を同時に形
成することができるため、アクティブマトリクス基板の
作製に必要なフォトマスクの数を増やすことなく反射電
極を透明電極上に島状に複数分離形成することができ
る。その結果、半透過型の液晶表示装置の作製におい
て、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まりの向
上に寄与することができる。
【００７３】（実施例２）本実施例では、実施例１とは
構造の異なる半透過型の液晶表示装置の作製方法につい
て図８〜図１０を用いて詳細に説明する。
【００７４】まず、図８（Ａ）に示すように基板８０１
上に非晶質半導膜を形成し、これを結晶化した後、パタ
ーニングにより島状に分離された半導体層８０５を形成
する。さらに、半導体層８０５上には、絶縁膜からなる
ゲート絶縁膜８０６が形成される。なお、ゲート絶縁膜
８０６が形成されるまでの作製方法については、実施例
１で示したのと同様であるので実施例１を参照すればよ
い。また、同様にして半導体層８０５を覆う絶縁膜を形
成した後、熱酸化を行い、ゲート絶縁膜８０６を形成す
る。
【００７５】次いで、ＴＦＴのチャネル領域となる領域
にｐ型またはｎ型の不純物元素を低濃度に添加するチャ
ネルドープ工程を全面または選択的に行う。
【００７６】そして、ゲート絶縁膜８０６上に導電膜を
形成し、これをパターニングすることによりゲート電極
８０７、容量配線８０８、およびソース線となる配線８
０９を形成することができる。なお、本実施例における
第１の導電膜は５０〜１００ｎｍの厚さに形成したＴａ
Ｎ（窒化タンタル）と、１００〜４００ｎｍの厚さに形
成したＷ（タングステン）とを積層することにより形成
する。
【００７７】なお、本実施例では、ＴａＮとＷとの積層
膜を用いて導電膜を形成したが、特に限定されず、いず
れもＴａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元
素、または前記元素を主成分とする合金材料若しくは化
合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素
をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体
膜を用いてもよい。
【００７８】次に、ゲート電極８０７および容量配線８
０８をマスクとして自己整合的にリンを低濃度に添加す
る。この低濃度に添加された領域のリンの濃度が、１×
１０ 16〜５×１０18/cm3、代表的には３×１０17〜３×
１０18/cm3となるように調整する。
【００７９】次いで、マスク（図示せず）を形成してリ
ンを高濃度に添加し、ソース領域８０２またはドレイン
領域８０３となる高濃度不純物領域を形成する。この高
濃度不純物領域のリンの濃度が１×１０20〜１×１０21
/cm3（代表的には２×１０20〜５×１０20/cm3）となる
ように調整する。なお、半導体層８０５のうち、ゲート
電極８０７と重なる領域はチャネル形成領域８０４とな
り、マスクで覆われた領域は低濃度不純物領域となりＬ
ＤＤ領域８１１となる。さらに、ゲート電極８０７、容
量配線８０８、およびマスクのいずれにも覆われない領
域は、ソース領域８０２、ドレイン領域８０３を含む高
濃度不純物領域となる。
【００８０】また、本実施例においても実施例１と同様
にして、画素と同一基板上に形成される駆動回路に用い
るｐチャネル型ＴＦＴを形成するために、マスクでｎチ
ャネル型ＴＦＴとなる領域を覆い、ボロンを添加してソ
ース領域またはドレイン領域を形成する。
【００８１】次いで、マスクを除去した後、ゲート電極
８０７、容量配線８０８および配線（ソース線）８０９
を覆う第１絶縁膜８１０を形成する。ここでは、酸化シ
リコン膜を５０ｎｍの膜厚で形成し、半導体層８０５に
それぞれの濃度で添加されたｎ型またはｐ型不純物元素
を活性化するための熱処理工程を行う。ここでは８５０
℃、３０分の加熱処理を行う（図８（Ａ））。なお、こ
こでの画素上面図を図９に示す。図９において、点線Ａ
−Ａ’で切断した断面図が図８（Ａ）に相当する。
【００８２】次いで、水素化処理を行った後、有機樹脂
材料からなる第２絶縁膜８１３を形成する。ここでは膜
厚１μｍのアクリル膜を用いることにより、第２絶縁膜
８１３の表面を平坦化することができる。これにより、
第２絶縁膜８１３の下層に形成されるパターンにより生
じる段差の影響を防ぐことができる。次いで、第２絶縁
膜８１３上にマスクを形成し、半導体層８０５に達する
コンタクトホール８１２をエッチングにより形成する
（図８（Ｂ））。そして、コンタクトホール８１２の形
成後にマスクを除去する。
【００８３】次に、１２０ｎｍの透明性導電膜（ここで
は酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）膜）をスパッタリン
グ法により成膜し、これをフォトリソグラフィーの技術
を用いて矩形にパターニングする。そして、ウエットエ
ッチング処理を行った後で、クリーンオーブンにより２
５０℃、６０分の加熱処理を行うことにより、透明電極
８１３を形成する（図８（Ｃ））。なお、ここでの画素
上面図を図９に示す。図９において、点線Ａ−Ａ’で切
断した断面図が図８（Ｃ）に相当する。
【００８４】次いで、第２の導電膜を形成し、これをパ
ターニングすることにより、透明電極８１３上に形成さ
れる反射電極８１４の他、配線（ソース線）８０９とＴ
ＦＴ８１０のソース領域とを電気的に接続する配線８１
５や、ＴＦＴ８１０のドレイン領域とコンタクトを形成
するための配線８１６や、ＴＦＴ８１０のドレイン領域
と透明電極８１３とを電気的に接続する配線８１７を形
成する。なお、ここで形成される第２の導電膜は、本発
明における反射電極を形成するための反射性導電膜であ
り、アルミニウム、銀等の他、これらを主成分とする合
金材料を用いることができる。
【００８５】本実施例では、上記第２の導電膜としてＴ
ｉ膜を５０ｎｍ、Ｓｉを含むアルミニウム膜５００ｎｍ
をスパッタ法で連続して形成した２層構造の積層膜を用
いている。
【００８６】なお、パターニングの方法としてフォトリ
ソグラフィーの技術を用い、複数の島状パターンからな
る反射電極８１４、および配線８１５、８１６、８１７
を形成する。また、ここで用いるエッチング方法として
は、ドライエッチング法を用い、テーパーエッチングお
よび異方性エッチングを行う。
【００８７】はじめにレジストからなるマスクを形成し
て、テーパーエッチングを行うための第１のエッチング
処理を行う。第１のエッチング処理では第１及び第２の
エッチング条件で行う。エッチングにはＩＣＰ（Induct
ively Coupled Plasma：誘導結合型プラズマ）エッチン
グ法を用いると良い。ＩＣＰエッチング法を用い、エッ
チング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板
側の電極に印加される電力量、基板側の電極温度等）を
適宜調節することによって所望のテーパー形状に膜をエ
ッチングすることができる。なお、エッチング用ガスと
しては、Ｃｌ2、ＢＣｌ3、ＳｉＣｌ4、ＣＣｌ4などを代
表とする塩素系ガスまたはＣＦ4、ＳＦ 6、ＮＦ3などを
代表とするフッ素系ガス、またはＯ2を適宜用いること
ができる。
【００８８】本実施例では、第１のエッチング条件とし
て、ＩＣＰ（Inductively CoupledPlasma：誘導結合型
プラズマ）エッチング法を用い、エッチング用ガスにＢ
Ｃｌ 3とＣｌ2とＯ2とを用い、それぞれのガス流量比を
６５／１０／５（ｓｃｃｍ）とし、１．２Ｐａの圧力で
コイル型の電極に５００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）
電力を投入してプラズマを生成してエッチングを行う。
基板側（試料ステージ）にも３００ＷのＲＦ（１３．５
６ＭＨｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電
圧を印加する。この第１のエッチング条件によりＳｉを
含むアルミニウム膜をエッチングして第１の導電層の端
部をテーパー形状とする。
【００８９】この後、マスクを除去せずに第２のエッチ
ング条件に変え、エッチング用ガスにＣＦ4とＣｌ2とＯ
2とを用い、それぞれのガス流量比を２５／２５／１０
（ｓｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に５
００ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラ
ズマを生成して約３０秒程度のエッチングを行った。基
板側（試料ステージ）にも２０ＷのＲＦ（１３．５６Ｍ
Ｈｚ）電力を投入し、実質的に負の自己バイアス電圧を
印加する。ＣＦ4とＣｌ2を混合した第２のエッチング条
件では、Ｓｉを含むアルミニウム膜及びＴｉ膜とも同程
度にエッチングされる。
【００９０】こうして、第１のエッチング処理により第
１の導電層と第２の導電層から成る第２の導電膜をテー
パー形状とすることができる。
【００９１】次いで、レジストからなるマスクを除去せ
ずに異方性エッチングを行うための第２のエッチング処
理を行う。ここでは、エッチング用ガスにＢＣｌ3とＣ
ｌ2とを用い、それぞれのガス流量比を８０／２０（ｓ
ｃｃｍ）とし、１Ｐａの圧力でコイル型の電極に３００
ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入してプラズマ
を生成してエッチングを行う。基板側（試料ステージ）
にも５０ＷのＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）電力を投入し、
実質的に負の自己バイアス電圧を印加する。
【００９２】以上により、反射電極８１４、および配線
８１５、８１６、８１７が形成されたところで、レジス
トを除去し、図８（Ｄ）に示す構造を得る。なお、ここ
での画素上面図を図１０に示す。図１０において、点線
Ａ−Ａ’で切断した断面図が図８（Ｄ）に相当する。
【００９３】以上の様にして、本実施例においてもダブ
ルゲート構造を有するｎチャネル型ＴＦＴ、及び保持容
量を有する画素部と、ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネ
ル型ＴＦＴを有する駆動回路とが同一基板上に有するア
クティブマトリクス基板が形成される。
【００９４】また、本実施例で示す工程に従えば、図８
（Ｄ）に示すように配線パターンマスクを用いて、反射
電極８１４、および配線（８１５、８１６、８１７）を
同時に形成することができるため、アクティブマトリク
ス基板の作製に必要なフォトマスクの数を増やすことな
く反射電極を透明電極上に島状に複数分離形成すること
ができる。その結果、半透過型の液晶表示装置の作製に
おいて、工程を短縮し、製造コストの低減及び歩留まり
の向上に寄与することができる。
【００９５】（実施例３）本実施例では、実施例１およ
び実施例２で示したのとは構造の異なるアクティブマト
リクス基板を作製する方法について図１２を用いて説明
する。
【００９６】図１２において、基板１２０１上にゲート
電極１２０７、ソース領域１２０２、ドレイン領域１２
０３、および配線（１２１２、１２１３）とを有するＴ
ＦＴ１２１５が形成されている。なお、配線（１２１
２、１２１３）は、ソース領域、およびドレイン領域と
それぞれ電気的に接続されている。
【００９７】なお、本実施例におけるアクティブマトリ
クス基板は、透明電極１２１１が配線（１２１２、１２
１３）よりも後に形成される点で実施例１、および実施
例２と異なる。
【００９８】実施例１または実施例２で示したのと同様
に第２絶縁膜１２１０を形成し、これにコンタクトホー
ルを形成した後、第２の導電膜が形成される。なお、こ
こで用いる第２の導電膜の材料としては、実施例１また
は実施例２と同じ材料を用いることができる。
【００９９】そして、第２の導電膜をパターニングする
ことにより配線（１２１２、１２１３）、および反射電
極１２１４を形成することができる。なお、複数の島状
のパターンを有する反射電極１２１４は、実施例１また
は実施例２において形成された反射電極の形成方法と同
様の方法により形成することができる。しかし、本実施
例における反射電極１２１４は、第２絶縁膜１２１０上
に島状に分離して形成されるので、形成時においては、
ＴＦＴ１２１５との電気的な接続はされていないが、こ
の後、配線１２１３上の一部、および反射電極１２１４
上に透明性導電膜を積層形成して透明電極１２１１を形
成することにより、電気的な接続を形成することができ
る。
【０１００】なお、本実施例において作製したアクティ
ブマトリクス基板も実施例４に示す方法を実施すること
により液晶表示装置として作製することができる。
【０１０１】（実施例４）本実施例では、実施例１で作
製したアクティブマトリクス基板から、半透過型の液晶
表示装置を作製する工程を以下に説明する。説明には図
１１の断面図を用いる。
【０１０２】まず、実施例１に従い、図３（Ｄ）のアク
ティブマトリクス基板を得た後、図１１に示すようにア
クティブマトリクス基板上に配向膜１１１９を形成し、
ラビング処理を行う。なお、本実施例では配向膜１１１
９を形成する前に、基板間隔を保持するための球状のス
ペーサ１１２１を基板全面に散布した。また、球状のス
ペーサ１１２１に代えて、アクリル樹脂膜等の有機樹脂
膜をパターニングすることによって柱状のスペーサを所
望の位置に形成してもよい。
【０１０３】次いで、基板１１２２を用意する。基板１
１２２上に着色層１１２３（１１２３ａ、１１２３
ｂ）、および平坦化膜１１２４を形成する。なお、着色
層１１２３として、赤色の着色層１１２３ａ、青色の着
色層１１２３ｂ、および緑色の着色層（図示せず）とが
形成される。なお、ここでは図示しないが、赤色の着色
層１１２３ａと青色の着色層１１２３ｂとを一部重ねた
り、また、赤色の着色層１１２３ａと緑色の着色層（図
示せず）とを一部重ねたりして、遮光部を形成してもよ
い。
【０１０４】さらに、平坦化膜１１２４上に透明性導電
膜からなる対向電極１１２５を画素部となる位置に形成
し、基板１１２２の全面に配向膜１１２６を形成し、ラ
ビング処理を施すことにより対向基板１１２８を得る。
【０１０５】そして、その表面に配向膜１１１９が形成
されたアクティブマトリクス基板と対向基板１１２８と
をシール剤（図示せず）で貼り合わせる。シール剤には
フィラーが混入されていて、このフィラーと球状スペー
サによって均一な間隔（好ましくは２．０〜３．０μ
ｍ）を持って２枚の基板が貼り合わされる。その後、両
基板の間に液晶材料１１２７を注入し、封止剤（図示せ
ず）によって完全に封止する。液晶材料１１２７には公
知の液晶材料を用いれば良い。このようにして図１１に
示す半透過型液晶表示装置が完成する。そして、必要が
あれば、アクティブマトリクス基板または対向基板１１
２８を所望の形状に分断する。さらに、公知の技術を用
いて偏光板等を適宜設けた。そして、公知の技術を用い
てＦＰＣを貼りつける。
【０１０６】こうして得られた液晶モジュールの構成を
図１５の上面図を用いて説明する。アクティブマトリク
ス基板１５０１の中央には、画素部１５０４が配置され
ている。画素部１５０４の上側には、ソース信号線を駆
動するためのソース信号線駆動回路１５０２が配置され
ている。画素部１５０４の左右には、ゲート信号線を駆
動するためのゲート信号線駆動回路１５０３が配置され
ている。本実施例に示した例では、ゲート信号線駆動回
路１５０３は画素部に対して左右対称配置としている
が、これは片側のみの配置でも良く、液晶モジュールの
基板サイズ等を考慮して、設計者が適宜選択すれば良
い。ただし、回路の動作信頼性や駆動効率等を考える
と、図１５に示した左右対称配置が望ましい。
【０１０７】各駆動回路への信号の入力は、フレキシブ
ルプリント基板（Flexible Print Circuit：ＦＰＣ）１
５０５から行われる。ＦＰＣ１５０５は、基板１５０１
の所定の場所まで配置された配線に達するように、層間
絶縁膜および樹脂膜にコンタクトホールを開口し、接続
電極（図示せず）を形成した後、異方性導電膜等を介し
て圧着される。本実施例においては、接続電極はＩＴＯ
を用いて形成した。
【０１０８】駆動回路、画素部の周辺には、基板外周に
沿ってシール剤１５０７が塗布され、あらかじめアクテ
ィブマトリクス基板上に形成されたスペーサによって一
定のギャップ（基板１５０１と対向基板１５０６との間
隔）を保った状態で、対向基板８０６が貼り付けられ
る。その後、シール剤１５０７が塗布されていない部分
より液晶素子が注入され、封止剤１５０８によって密閉
される。以上の工程により、液晶モジュールが完成す
る。また、ここでは全ての駆動回路を基板上に形成した
例を示したが、駆動回路の一部に数個のＩＣを用いても
よい。以上のようにして、アクティブマトリクス型液晶
表示装置が完成する。
【０１０９】（実施例５）本発明を用いて作製された電
気光学装置におけるブロック図を図１３、１４に示す。
なお、図１３には、アナログ駆動を行うための回路構成
が示されている。本実施例は、ソース側駆動回路９０、
画素部９１およびゲート側駆動回路９２を有している電
気光学装置について示している。なお、本明細書中にお
いて、駆動回路とはソース側処理回路およびゲート側駆
動回路を含めた総称を指している。
【０１１０】ソース側駆動回路９０は、シフトレジスタ
９０ａ、バッファ９０ｂ、サンプリング回路（トランス
ファゲート）９０ｃを設けている。また、ゲート側駆動
回路９２は、シフトレジスタ９２ａ、レベルシフタ９２
ｂ、バッファ９２ｃを設けている。また、必要であれば
サンプリング回路とシフトレジスタとの間にレベルシフ
タ回路を設けてもよい。
【０１１１】また、本実施例において、画素部９１は複
数の画素からなり、その複数の画素各々がＴＦＴ素子を
含んでいる。
【０１１２】なお、図示していないが、画素部９１を挟
んでゲート側駆動回路９２の反対側にさらにゲート側駆
動回路を設けても良い。
【０１１３】また、デジタル駆動させる場合は、図１４
に示すように、サンプリング回路の代わりにラッチ
（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃを設ければよい。ソ
ース側駆動回路９３は、シフトレジスタ９３ａ、ラッチ
（Ａ）９３ｂ、ラッチ（Ｂ）９３ｃ、Ｄ／Ａコンバータ
９３ｄ、バッファ９３ｅを設けている。また、ゲート側
駆動回路９５は、シフトレジスタ９５ａ、レベルシフタ
９５ｂ、バッファ９５ｃを設けている。また、必要であ
ればラッチ（Ｂ）９３ｃとＤ／Ａコンバータ９３ｄとの
間にレベルシフタ回路を設けてもよい。
【０１１４】なお、上記構成は、実施例１または実施例
２に示した製造工程に従って実現することができる。ま
た、本実施例では画素部と駆動回路の構成のみ示してい
るが、本発明の製造工程に従えば、メモリやマイクロプ
ロセッサをも形成しうる。
【０１１５】（実施例６）本発明を実施して作製された
半透過型の液晶表示装置は様々な電気光学装置に用いる
ことができる。そして、そのような電気光学装置を表示
媒体として組み込んだ電気器具全てに本発明を適用する
ことができる。
【０１１６】本発明により作製した液晶表示装置を用い
て作製された電気器具として、ビデオカメラ、デジタル
カメラ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カー
オーディオ、オーディオコンポ等）、ノート型パーソナ
ルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書
籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはデ
ジタルビデオディスク（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生
し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）など
が挙げられる。それら電気器具の具体例を図１６に示
す。
【０１１７】図１６（Ａ）はデジタルスチルカメラであ
り、本体２１０１、表示部２１０２、受像部２１０３、
操作キー２１０４、外部接続ポート２１０５、シャッタ
ー２１０６等を含む。本発明により作製した液晶表示装
置をその表示部２１０２に用いることにより作製され
る。
【０１１８】図１６（Ｂ）はノート型パーソナルコンピ
ュータであり、本体２２０１、筐体２２０２、表示部２
２０３、キーボード２２０４、外部接続ポート２２０
５、ポインティングマウス２２０６等を含む。本発明に
より作製した液晶表示装置をその表示部２２０３に用い
ることにより作製される。
【０１１９】図１６（Ｃ）はモバイルコンピュータであ
り、本体２３０１、表示部２３０２、スイッチ２３０
３、操作キー２３０４、赤外線ポート２３０５等を含
む。本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２
３０２に用いることにより作製される。
【０１２０】図１６（Ｄ）は記録媒体を備えた携帯型の
画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本
体２４０１、筐体２４０２、表示部Ａ２４０３、表示部
Ｂ２４０４、記録媒体（ＤＶＤ等）読み込み部２４０
５、操作キー２４０６、スピーカー部２４０７等を含
む。表示部Ａ２４０３は主として画像情報を表示し、表
示部Ｂ２４０４は主として文字情報を表示するが、本発
明により作製した液晶表示装置をこれら表示部Ａ、Ｂ２
４０３、２４０４に用いることにより作製される。な
お、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機
器なども含まれる。
【０１２１】図１６（Ｅ）はビデオカメラであり、本体
２６０１、表示部２６０２、筐体２６０３、外部接続ポ
ート２６０４、リモコン受信部２６０５、受像部２６０
６、バッテリー２６０７、音声入力部２６０８、操作キ
ー２６０９、接眼部２６１０等を含む。本発明により作
製した液晶表示装置をその表示部２６０２に用いること
により作製される。
【０１２２】ここで図１６（Ｆ）は携帯電話であり、本
体２７０１、筐体２７０２、表示部２７０３、音声入力
部２７０４、音声出力部２７０５、操作キー２７０６、
外部接続ポート２７０７、アンテナ２７０８等を含む。
本発明により作製した液晶表示装置をその表示部２７０
３に用いることにより作製される。なお、表示部２７０
３は黒色の背景に白色の文字を表示することで携帯電話
の消費電力を抑えることができる。
【０１２３】以上の様に、本発明において作製された液
晶表示装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電
気器具を作製することが可能である。また、本実施の形
態の電気器具は実施例１〜実施例５を実施することによ
り作製された液晶表示装置を用いることにより完成させ
ることができる。
【０１２４】
【発明の効果】以上により、本発明を実施することによ
り、半透過型の液晶表示装置の作製において、透明電極
と、反射電極とで凹凸構造を形成することにより光の散
乱性を高めることができるので、ディスプレイの視認性
を向上させることができる。また、反射電極となる複数
の島状パターンは、導電膜をエッチングすることにより
配線と同時に形成することができるため、大幅なコスト
削減と、生産性の向上を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の液晶表示装置の素子構造を説明す
る図。
【図２】 本発明の反射電極の構造を説明する図。
【図３】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図４】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図５】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図６】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図７】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図８】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図９】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図１０】 本発明の液晶表示装置の作製工程を説明す
る図。
【図１１】 本発明の液晶表示装置の構造を説明する
図。
【図１２】 本発明の液晶表示装置の素子構造を説明す
る図。
【図１３】 本発明に用いることのできる回路構成を説
明する図。
【図１４】 本発明に用いることのできる回路構成を説
明する図。
【図１５】 本発明の液晶表示装置の外観を説明する
図。
【図１６】 電気器具の一例を示す図。
【符号の説明】
１０１ 基板 １０２ ソース領域 １０３ ドレイン領域 １０４ チャネル形成領域 １０５ 半導体層 １０６ ゲート絶縁膜 １０７ ゲート電極 １０８ 容量配線 １０９ 第１絶縁膜 １１０ 第２絶縁膜 １１１ 透明電極 １１２、１１３ 配線 １１４ 反射電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤本 悦子 神奈川県厚木市長谷398番地 株式会社半 導体エネルギー研究所内 Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB07 FB08 FC02 FC10 FC26 FC29 FC30 FD04 FD07 FD12 FD22 FD23 GA06 GA07 GA08 GA13 HA06 LA03 LA11 LA12 LA13 LA18 2H092 KA04 KA12 KA18 KA22 KB25 MA07 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA29 MA35 MA37 NA01 NA25 NA27 PA09 5F033 GG04 HH04 HH05 HH06 HH08 HH10 HH14 HH17 HH18 HH19 HH20 HH21 HH22 HH38 JJ01 JJ04 JJ05 JJ06 JJ09 JJ14 JJ17 JJ18 JJ19 JJ20 JJ21 KK01 MM19 PP15 QQ08 QQ12 QQ16 QQ19 QQ34 RR04 RR06 RR08 RR09 RR21 RR22 SS25 SS27 VV00 VV10 VV15 WW00 XX34 5F110 AA16 BB02 BB03 BB05 CC02 DD01 DD02 DD03 DD13 DD14 DD15 DD25 EE01 EE02 EE03 EE04 EE09 EE14 EE28 FF02 FF23 GG02 GG13 GG25 GG32 GG51 GG52 HJ01 HJ04 HJ23 HL02 HL03 HL04 HL06 HL08 HL11 HL23 HM15 NN03 NN04 NN22 NN23 NN24 NN27 NN36 NN72 NN73 PP01 PP03 PP04 PP05 PP34 PP35 QQ04 QQ11 QQ19 QQ21 QQ28

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】絶縁表面上に形成された透明性導電膜と、 前記透明性導電膜上に形成された配線および複数の島状
    のパターンを有し、 前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状の
    パターンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表
    示装置。
  2. 【請求項２】絶縁表面上に形成された透明性導電膜と、 前記透明性導電膜上に同時に形成された配線および複数
    の島状のパターンとを有し、 前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状の
    パターンは電気的に接続されることを特徴とする液晶表
    示装置。
  3. 【請求項３】基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して形成された透
    明性導電膜と、 前記透明性導電膜上に形成された配線および複数の島状
    のパターンとを有し、 前記配線は、前記薄膜トランジスタおよび前記透明性導
    電膜を電気的に接続することを特徴とする液晶表示装
    置。
  4. 【請求項４】基板上に形成された薄膜トランジスタと、 前記薄膜トランジスタ上に絶縁膜を介して形成された透
    明性導電膜と、 前記透明性導電膜上に同時に形成された配線および複数
    の島状のパターンとを有し、 前記配線は、前記薄膜トランジスタおよび前記透明性導
    電膜を電気的に接続することを特徴とする液晶表示装
    置。
  5. 【請求項５】第１の透明性導電膜、配線および複数の島
    状のパターンとを有する第１の基板と、第２の透明性導
    電膜を有する第２の基板と、液晶とを有し、 前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第１
    の透明性導電膜上に形成され、 前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状の
    パターンは電気的に接続され、 前記第１の基板の膜形成面と、前記第２の基板の膜形成
    面と、が互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基
    板と、前記第２の基板と、の間に前記液晶が挟まれてい
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  6. 【請求項６】第１の透明性導電膜、配線および複数の島
    状のパターンとを有する第１の基板と、第２の透明性導
    電膜を有する第２の基板と、液晶とを有し、 前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第１
    の透明性導電膜上に同時に形成され、 前記透明性導電膜、前記配線、および前記複数の島状の
    パターンは電気的に接続され、 前記第１の基板の膜形成面と、前記第２の基板の膜形成
    面と、が互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基
    板と、前記第２の基板と、の間に前記液晶が挟まれてい
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  7. 【請求項７】薄膜トランジスタ、第１の透明性導電膜、
    配線および複数の島状のパターンとを有する第１の基板
    と、第２の透明性導電膜を有する第２の基板と、液晶と
    を有し、 前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第１
    の透明性導電膜上に形成され、 前記配線は、前記薄膜トランジスタと、前記第１の透明
    性導電膜および前記複数の島状のパターンとを電気的に
    接続し、 前記第１の基板の膜形成面と、前記第２の基板の膜形成
    面と、が互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基
    板と、前記第２の基板と、の間に前記液晶が挟まれてい
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  8. 【請求項８】薄膜トランジスタ、第１の透明性導電膜、
    配線および複数の島状のパターンとを有する第１の基板
    と、第２の透明性導電膜を有する第２の基板と、液晶と
    を有し、 前記配線および前記複数の島状のパターンは、前記第１
    の透明性導電膜上に同時に形成され、 前記配線は、前記薄膜トランジスタと、前記第１の透明
    性導電膜および前記複数の島状のパターンとを電気的に
    接続し、 前記第１の基板の膜形成面と、前記第２の基板の膜形成
    面と、が互いに向き合って配置され、かつ前記第１の基
    板と、前記第２の基板と、の間に前記液晶が挟まれてい
    ることを特徴とする液晶表示装置。
  9. 【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一におい
    て、 前記複数の島状のパターンは、各パターン端部のテーパ
    ー角が５〜６０°であることを特徴とする液晶表示装
    置。
  10. 【請求項１０】請求項１乃至請求項９のいずれか一にお
    いて、 前記複数の島状のパターンが占める面積の割合は、前記
    透明性導電膜が占める面積の５０〜９０％であることを
    特徴とする液晶表示装置。
  11. 【請求項１１】請求項１乃至請求項１０のいずれか一に
    おいて、 前記液晶表示装置は、デジタルスチルカメラ、ノート型
    パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録
    媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ビデオカメラ、携
    帯電話から選ばれた一種であることを特徴とする液晶表
    示装置。
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