KR100951129B1

KR100951129B1 - 액정 표시장치 및 그의 제조방법

Info

Publication number: KR100951129B1
Application number: KR1020030012601A
Authority: KR
Inventors: 에구치신고; 츠지유리코
Original assignee: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date: 2002-03-01
Filing date: 2003-02-28
Publication date: 2010-04-07
Also published as: US20030164911A1; TWI287144B; US8035781B2; JP4087620B2; CN100538480C; CN1442740A; US7212265B2; US20070126959A1; JP2003255333A; TW200304015A; KR20030071643A

Abstract

공정을 특별히 증가시키는 일 없이 형성되는 요철 구조의 투명 전극을 가지는 반투과형 액정 표시장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 반투과형 액정 표시장치의 제조에 있어서, 기판 상에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 그 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하여, 결정질 부분을 가지는 투명성 도전막을 형성하고, 그 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 막 표면에서 비정질 부분을 제거하여, 막 표면에 잔존하는 결정질 부분에 의해 형성되는 요철 형상을 가지는 투명성 도전막을 형성하고, 그 요철 형상을 가지는 투명 전극 위에 반사성 도전막을 형성하여 요철 형상을 가지는 반사 전극을 형성한다.

반투과형 액정 표시장치, 요철 구조, 비정질 투명성 도전막, 비정질 부분, 결정질 부분

Description

액정 표시장치 및 그의 제조방법{Liquid crystal display device and method of manufacturing the same}

도 1(A)∼도 1(D)는 본 발명에 따른 전극의 표면에 요철 형상을 형성하는 공정을 설명하는 도면,

도 2(A) 및 도 2(B)는 본 발명에 따를 전극의 표면의 요철 형상을 설명하는 도면,

도 3(A)∼도 3(D)는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 4는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 5는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 6은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 7은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 8(A)∼도 8(D)는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 9는 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 10은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 11은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 제조공정을 설명하는 도면,

도 12(A) 및 도 12(B)는 투명성 도전막의 표면의 AFM 사진,

도 13(A) 및 도 13(B)는 투명성 도전막의 표면의 AFM 사진,

도 14(A) 및 도 14(B)는 투명성 도전막의 표면의 AFM 사진,

도 15는 본 발명에서 사용 가능한 회로 구성을 설명하는 도면,

도 16은 본 발명에서 사용 가능한 회로 구성을 설명하는 도면,

도 17은 본 발명에 따른 액정 표시장치의 외관을 나타내는 도면,

도 18(A)∼도 18(F)는 전자 기기의 예를 나타내는 도면.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

101: 기판

102: 비정질 투명성 도전막

103: 영역 a(비정질 상태)

104: 영역 b(결정질 상태)

105: 결정질 상태를 가지는 투명성 도전막

106: 반사성 도전막

201: 기판

202: 투명 전극

203: 반사 전극

본 발명은 패시브 매트릭스형 및 액티브 매트릭스형의 액정 표시장치에 관한 것으로, 특히 투과형과 반사형의 양 기능을 모두 가지는 반투과형 액정 표시장치의 전극 구조에 관한 것이다.

최근, 휴대 전화기로 대표되는 휴대형 정보 단말기의 폭발적인 보급으로, 경량화, 소비전력 절약, 및 사용 환경의 변화에 대응 가능한 표시장치가 필요하게 되었다.

또한, 박막화 및 경량화면에서 볼 때, 유력한 대표적인 장치로서는 액정 표시장치 또는 유기 EL 표시장치를 들 수 있다.

투과형 표시장치의 경우는 디스플레이를 구동하는 면에서만 볼 때는 소비전력이 작다. 그러나, 액정 자체에서 발광이 이루어지지 않기 때문에, 디스플레이의 표시 기능을 위해서는 백라이트가 필요하다. 휴대 전화기 용도로서는, EL 백라이트가 일반적으로 사용되지만, 이 백라이트용으로는 별도의 전력이 필요하고, 특히 액정 특유의 소비전력 절약 특성이 충분히 활용되지 않아 소비전력 절약면에서 단점이 있다. 또한, 어두운 환경에서는 디스플레이의 표시가 콘트라스트가 양호한 상태로 보이나, 통상의 밝은 환경에서는 표시가 잘 보이지 않고, 따라서, 상향 출사 방식 및 하향 출사 방식 모두에서 사용 환경에 따른 적응성에 단점이 있다.

또한, 유기 EL 표시장치는 표시 소자 자체가 발광한다는 점을 특징으로 하고 있다. 비록 반사형 액정 표시장치의 경우보다 소비전력이 크긴 하지만, 투과형 액정 표시장치(백라이트를 가지고 있는)의 경우보다는 소비전력이 작게 되어 있다. 그러나, 투과형 액정 표시장치의 경우와 마찬가지로, 어두운 환경에서는 디스플레이의 표시가 양호하게 보이나, 통상의 밝은 환경에서는 표시가 잘 보이지 않고, 따라서, 상향 출사 방식 및 하향 출사 방식 모두에서 사용 환경에 따른 적응성에 단점을 여전히 가지고 있다.

또한, 반사형 액정 표시장치는 표시를 위한 광으로서 주위 환경의 외광을 이용한다. 디스플레이측에서는 기본적으로 백라이트가 필요하지 않고, 액정과 구동회로를 구동시키기 위한 전력만이 필요하므로, 적극적인 소비전력 절약이 달성된다. 또한, 전자(前者)의 두 경우와는 아주 대조적으로, 밝은 환경에서는 디스플레이의 표시가 양호하게 보이나, 어두운 환경에서는 표시가 잘 보이지 않는다. 휴대형 정보 단말기의 사용을 고려해 볼 때, 휴대형 정보 단말기는 주로 옥외에서 사용되고, 비교적 밝은 환경에서 표시를 보게 되는 경우가 많으나, 사용 환경에 따른 적응성 면에서는 여전히 미흡하다. 따라서, 일부에서는 어두운 환경에서도 표시가 이루어질 수 있도록 프런트라이트가 도입된 반사형 표시장치가 시판되고 있다.

따라서, 투과형 액정 표시장치와 반사형 액정 표시장치를 조합하여 양자의 이점을 모두 가지는 반투과형 액정 디스플레이에 관심이 집중되었다. 밝은 환경에서는 반사형의 소비전력 절약 및 시인성(視認性)의 특징을 이용하는 반면, 어두운 환경에서는 백라이트를 이용하여 투과형의 콘트라스트 우수성의 특징을 이용한다.

일본 공개특허공고 평11-101992호 공보에는, 반투과형 액정 표시장치가 개시되어 있다. 이 장치는, 외광을 반사하는 반사부와 백라이트로부터의 광을 투과시키는 투과부를 단일 표시 패널에 포함시키도록 제조하여 주위가 전체적으로 어두울 때 백라이트로부터 투과부틀 투과하는 광과 비교적 반사율이 큰 막으로 이루어진 반사부에 의해 반사된 광을 이용하여 표시를 행하게 되어 있는 반사 및 투과형 액정 표시장치로서, 그리고, 외광이 밝을 때 비교적 높은 반사율을 가지는 막으로 이루어진 반사부에 의해 반사된 광을 이용하여 표시를 행하게 되어 있는 반사형 액정 표시장치로서 사용할 수 있는 구성을 가지는 반사 및 투과형(반투과형) 액정 표시장치이다.

또한, 상기한 반투과형 액정 표시장치에는, 특히 반사에 의해 표시를 행하는 반사부에 광 확산성을 가지는 특수한 요철 구조가 제공되어 있다. 반사 전극은 그 구조상 그의 표면에 소정의 방향으로부터 소정의 입사각으로 입사하는 광을 특정 방향으로 특정 출사각을 가지는 위치로만 반사하기 때문에(스넬(Snell)의 법칙), 표면이 평탄할 경우 출사광의 방향 및 각도가 광의 입사에 대해 일정하게 되도록 결정된다. 이러한 상태로 디스플레이가 제작되면, 시인성이 매우 불량하게 된다.

반투과형 액정 표시장치는 휴대형 정보 단말기의 특수한 사용 조건에 잘 대응하는 디스플레이라 할 수 있다. 특히, 휴대 전화기 용도의 경우에는 장래 상당한 수요가 있을 것으로 전망된다. 따라서, 안정된 수요를 보장할 수 있도록 또는 막대한 수요에 대응할 수 있도록, 비용 감소를 더욱 이룰 수 있게 할 필요가 있음은 자명하다.

그러나, 상기한 요철 구조를 형성하기 위해서는, 반사 전극 아래의 층에 요철 형상을 부착한 후, 그 위에 반사 전극을 형성하는 방법이 필요하다.

또한, 상기한 예와 무관하게, 반투과형 액정 표시장치를 제조하기 위해서는, 화소 전극을 구성하는 반사 전극과 투과 전극의 일면 또는 양면에 또는 화소 전극 아래의 층에 요철 구조를 형성하기 위한 패터닝 공정이 필요하고, 이 때문에, 공정 수가 증가하게 된다. 이러한 공정 수의 증가로 인해 수율의 감소, 공정 시간의 연장, 또는 비용 증가의 바람직하지 않은 사태가 초래된다.

따라서, 본 발명의 목적은, 특히 공정 수의 증가없이 형성되는 요철 구조의 투명 전극을 가지는 반투과형 액정 표시장치를 제공하는데 있다.

상기한 과제를 해결하기 위해, 반투과형 액정 표시장치를 제조하는데 있어서, 본 발명은 제조 과정에서 화소 전극의 표면에 요철 형상을 제공해야 하는 것 때문에만 특별히 패터닝 공정을 증가시킴이 없이 요철 구조를 제공하는데 특징이 있다.

본 발명의 액정 표시장치는, 기판 위에 형성된 투명 전극 및 반사 전극과, 상기 기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 그 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하여 결정질 부분을 가지는 투명성 도전막을 형성하고, 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막의 막 표면에서 비정질 부분을 제거하여 막 표면에 잔존하는 결정질 부분에 의해 형성된 요철 형상을 이루도록 한 투명성 도전막과, 요철 형상을 가지는 상기 투명성 도전막상에 반사성 도전막을 형성하여 제공된 반사 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치이다.

또한, 상기한 구성에서, 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막이 비정질 투명성 도전막을 소결(sintering)(가열)하여 형성될 수 있으나, 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막이 다른 공지의 방법을 이용하여 형성될 수도 있다. 또한, 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 막 표면에서 비정질 부분을 제거하는데 있어서는, 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면 상에 산성 용액을 도포하여 에칭하는 방법을 이용할 수 있다.

또한, 표면이 요철 형상으로 되어 있는 투명성 도전막으로 이루어진 투명 전극 상에 반사성 도전막으로 이루어진 반사 전극을 적층시킴으로써, 반사 전극의 표면이 요철 형상으로 이루어지게 되고, 이에 따라, 반사 전극에 입사광의 산란 기능이 제공된다. 또한, 투명 전극상에서 반사 전극이 제공되지 않고 투명 전극의 표면이 노출되어 있는 부분에서는, 광 투과성을 가지는 투명 전극이 제공된다. 따라서, 본 발명은 화소 전극으로서 반사성과 투과성의 두 종류의 성질을 가지는 전극을 가지는 반투과형 액정 표시장치를 제공한다. 즉, 본 발명에 따른 화소 전극은 반사 전극과 투명 전극으로 이루어지고, 요철 형상이 제공되어 있다.

또한, 본 발명에 따른 반사성 도전막으로서는, 400∼800 nm의 파장 범위(가시광 영역)에서의 수직 반사 특성으로서 75% 이상의 반사율을 가지는 도전막을 사용한다. 이러한 재료로서는, 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 이를 주성분으로 하는 합금 재료를 사용할 수 있다.

상기한 방법을 이용하면, 통상 요철 형상을 형성하는데 사용하는 포토리소그래피 공정의 수를 감소시킬 수 있고, 이에 따라, 상당한 비용 감소 및 생산성의 향상을 실현할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 구성에 따른 액정 표시장치는, 박막트랜지스터와, 투명성 도전 전극과, 반사성 도전 전극을 포함하고, 상기 투명성 도전 전극과 반사성 도전 전극이 절연막을 사이에 두고 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 겁속되어 있고, 상기 투명성 도전 전극은 상기 절연막의 표면에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 그 비정질 투명성 도전막을 소결하여 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막을 형성하고, 그 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면을 산성 용액에 의해 에칭하여 표면에 요철 형상을 이루게 하여 형성되고, 상기 반사성 도전막은 요철 형상을 가지는 투명성 도전막상에 형성되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치이다.

상기 구성에 따르면, 요철 형상을 가지는 투명 전극 상에 반사성 도전막을 형성함으로써, 요철 형상을 가지는 반사 전극을 형성할 수 있을 뿐만 아니라, 그 반사 전극과 박막트랜지스터를 전기적으로 접속하는 배선도 동시에 형성할 수 있다.

또한, 투명 전극 표면의 요철 형상은 랜덤(random)한 형상 및 랜덤한 배치로 형성되고, 이어서 형성되는 반사 전극에 전기적으로 접속된다.

또한, 화소부에서, 투명 전극을 형성하기 위한 투명성 도전막상에 적층하여 형성한 반사성 도전막이 차지하는 면적의 비율은 화소부의 면적의 50∼90%가 되는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명의 액정 표시장치는, 제1 투명성 도전 전극과 반사성 도전 전극을 포함하는 제1 기판과, 제2 투명성 도전 전극을 포함하는 제2 기판과, 액정을 포함하고, 상기 제1 투명성 도전 전극은 기판 상에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 그 비정질 투명성 도전막을 소결하여 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막을 형성하고, 그 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면을 산성 용액으로 에칭하여 표면에 요철 형성을 이루게 하여 형성되고, 상기 반사성 도전막은 요철 형상을 가지는 투명성 도전막상에 형성되고, 상기 제1 기판의 막 형성 면과 상기 제2 기판의 막 형성 면은 서로 대향되게 배치되고, 상기 액정은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치이다.

또한, 본 발명의 액정 표시장치는, 박막트랜지스터와, 제1 투명성 도전 전극과 반사성 도전 전극을 포함하는 제1 기판과, 제2 투명성 도전 전극을 포함하는 제2 기판과, 액정을 포함하고, 상기 제1 투명성 도전 전극과 반사성 도전 전극은 절연막을 사이에 두고 상기 박막트랜지스터에 전기적으로 접속되고, 상기 제1 투명성 도전 전극은 상기 절연막의 표면에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 그 비정질 투명성 도전막을 소결하여 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막을 형성하고, 그 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면을 산성 용액으로 에칭하여 표면에 요철 형성을 이루게 하여 형성되고, 상기 반사성 도전막은 요철 형상을 가지는 투명성 도전막 상에 형성되고, 상기 제1 기판의 막 형성 면과 상기 제2 기판의 막 형성 면은 서로 대향되게 배치되고, 상기 액정은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 액정 표시장치이다.

상기한 각 구성에 따르면, 비정질 투명성 도전막의 소결은, 가열에 의해 결정이 성장하는 결정질 부분과 결정이 아직 형성되지 않은 비정질 부분이 혼합된 상태가 존재하도록 행해진다. 특히, 비정질 투명성 도전막은 150∼250℃에서의 소결에 의해 형성될 수 있지만, 비정질 투명성 도전막은 200℃에서 60분간 소결되는 것이 더 바람직하다.

또한, 상기 각 구성에서, 투명성 도전막의 표면의 비정질 부분이 비정질 투명성 도전막의 소결 후 연마될 수도 있다. 또한, 연마 방법으로서는, 공지의 기계적 연마 방법 또는 화학적 연마 방법 외에, CMP 방법(화학적 기계적 연마)을 사용할 수 있다.

또한, 상기 각 구성에서, 산성 용액으로서는, 불산, 질산, 황산, 염산 등의 강산을 사용하는 것이 바람직할 수 있다. 또한, 소결 처리 후 투명성 도전막에 산성 용액을 도포하여 에칭을 행함으로써, 투명성 도전막의 표면에서 보다 많은 비정질 부분이 제거되고, 결정질 부분이 잔존하게 된다.

상기한 바에 의하면, 입자 형상을 가지는 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막에 의한 요철 형상을 투명성 도전막의 표면상에 형성할 수 있다.

도 1(A)∼도 1(D)를 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 기판(101) 위에 비정질 투명성 도전막(102)을 형성한다(도 1(A)).

투명성 도전막을 형성하기 위한 재료로서는, 산화인듐주석(ITO)으로 된 막 또는 2∼20%의 산화아연(ZnO)이 혼합된 산화인듐으로 된 막을 사용하고, 이 막을 10∼200 nm의 두께로 성막한다.

그 다음, 비정질 투명성 도전막(102)을 200℃에서 60분간 소결하여, 투명성 도전막의 일부를 결정화시킨다. 이에 따라, 소결된 투명성 도전막에는 영역 a(103)에서의 비정질 상태와 영역 b(104)에서의 결정질 상태가 혼재하게 된다(도 1(B)).

이 상태에서, 투명성 도전막(102)의 표면을 연마한다. 연마 방법으로는, 공지의 기계적인 연마 방법 또는 화학적 연마 방법 외에 CMP 방법을 이용하여 표면을 연마할 수 있다. 또한, 여기서, 투명성 도전막(102)의 표면을 연마하면, 결정질 상태의 입자가 막 표면에 노출될 수 있는데, 이것은 비정질 상태와 결정질 상태를 비교할 때 결정질 상태에는 결정 구조가 존재하고, 결정질 상태의 연마율이 비정질 상태의 연마율보다 작기 때문이다. 따라서, 후의 처리에서 투명성 도전막의 막 표면에 요철 형상을 형성하는 것을 용이하게 하는 이점이 있다. 그러나, 본 발명에 따르면, 연마 공정은 필수적인 것은 아니므로, 생략도 가능하다.

그 다음, 비정질 상태와 결정질 상태가 혼재되어 있는 투명성 도전막의 막 표면에 산성 용액을 도포하여, 막 표면에 결정질 상태의 부분만이 잔존하게 하고, 비정질 상태의 부분은 제거할 수 있다. 산성 용액으로서는, 불산, 질산, 황산 또는 염산을 사용할 수 있다. 이와 같이 산성 용액에 의해 결정질 상태의 입자들을 투명성 도전막의 막 표면상에 잔존하게 함으로써, 투명성 도전막의 막 표면상에 요철 형상이 형성될 수 있다. 즉, 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)에 의해 막 표면상에 요철 형상을 형성할 수 있다(도 1(C)).

또한, 도 12(A) 및 도 12(B)는 상기한 처리에 의해 요철 형상을 가지는 투명성 도전막의 표면의 상태를 나타낸다. 도 12(A)는 비정질 투명성 도전막으로서 형성한 ITO막을 200℃에서 60분간 소결한 후 0.5%의 불산으로 5초간 처리한 기판을 원자현미경(AFM: Atomic Force Microscope)으로 관찰한 결과를 나타내고, 도 12(B)는 ITO막을 200℃에서 60분간 소결한 후 CMP에 의해 연마하고 0.5%의 불산으로 5초간 처리한 기판을 AFM으로 관찰한 결과를 나타낸다. 양 샘플을 비교한 결과, 양 샘플 모두에서 ITO막의 표면에 요철 형상을 가지는 상태가 관찰되었으며, CMP 처리가 개입된 도 12(B)의 샘플에서는 표면의 돌기부에 보다 둥근(볼록한) 형상이 형성되어 있었다. 이러한 둥근 형상에 의해, 요철 형상(볼록 및 오목)의 슬로프(slope) 분포가 더욱 확대될 수 있고, 따라서, 본 발명에 따르면, CMP 처리를 개입시킨 처리방법이 보다 바람직한 처리방법이다.

또한, 도 13(A) 및 도 13(B)는 불산에 의한 처리 기간을 도 12(A) 및 도 12(B)와는 다르게 한 경우에 대한 관찰 결과를 나타낸다. 도 13(A)는 비정질 투명성 도전막으로서 형성한 ITO막을 200℃에서 60분간 소결한 후 0.5%의 불산으로 15초간 처리한 기판을 AFM으로 관찰한 결과를 나타내고, 도 13(B)는 ITO막을 200℃에서 60분간 소결한 후 CMP에 의해 연마하고 0.5%의 불산으로 15초간 처리한 기판을 AFM으로 관찰한 결과를 나타낸다.

도 13(A) 및 도 13(B)에 나타낸 ITO막의 표면을 도 12(A) 및 도 12(B)에 나타낸 ITO막의 표면과 비교한 결과, ITO막을 0.5% 불산으로 15초간 처리한 결과를 나타내는 도 13(A) 및 도 13(B)의 경우가 ITO막을 0.5% 불산으로 5초간 처리한 결과를 나타내는 도 12(A) 및 도 12(B)의 경우에 비해 표면이 보다 평탄화되었다. 따라서, 본 발명에 따르면, 불산에 의한 처리를 15초 이하로 행함으로써 요철 형상을 형성할 수 있지만, 추후 형성하는 반사막에 의해 우수한 산란 특성을 제공할 수 있게 하기 위해서는, 그 처리를 5초간 행하는 것이 보다 바람직하다.

또한, 도 14(A) 및 도 14(B)를 도 12(A) 및 도 12(B)와 비교하면, 도 14(A)는 비정질 투명성 도전막으로서 형성한 ITO막에 대한 소결 온도를 250℃로 변경하여 ITO막을 250℃에서 60분간 소결한 후 0.5%의 불산에 의해 5초간 처리한 기판을 AFM으로 관찰한 결과를 나타내고, 도 14(B)는 ITO막을 250℃에서 60분간 소결한 후 CMP에 의해 연마하고 0.5%의 불산으로 5초간 처리한 기판을 AFM으로 관찰한 결과를 나타낸다.

도 14(A) 및 도 14(B)에 나타낸 ITO막의 표면을 도 12(A) 및 도 12(B)에 나타낸 ITO막의 표면과 비교한 결과, 도 14(A) 및 도 14(B)의 ITO 표면에는 요철이 거의 형성되지 않은 것을 알 수 있다. ITO막을 200℃에서 60분간 소결하면 ITO막의 표면 상에 결정질 상태와 비정질 상태가 형성되므로, 불산에 의한 처리가 실시될 때, 결정질 상태의 부분만이 잔존하여 요철을 형성하지만, ITO막을 250℃에서 60분간 소결하게 되면 ITO막의 표면의 거의 모든 부분이 결정질 상태로 되므로, 불산에 의해 표면을 처리하더라도 표면이 거의 제거되지 않게 됨에 따라 요철이 형성될 수 없을 것으로 생각된다.

상기한 바와 같이, 본 발명에서는, 비정질 투명성 도전막으로서 형성한 ITO막을 200℃에서 60분간 소결한 후 0.5%의 불산에 의해 5초간 처리하고 있다. 또한, 불산에 의한 처리를 행하기 전에 CMP법을 행하는 것이 더 바람직하다.

그 다음, 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)상에 반사성 도전막(106)을 형성한다. 또한, 반사성 도전막(106)이 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막과 겹치도록 형성되지만, 본 발명에 따르면, 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)으로 이루어진 투명 전극과 반사성 도전막(106)으로 이루어진 반사 전극을 조합하여 화소 전극을 형성함으로써 반투과형 액정 표시장치를 형성할 수 있기 때문에, 반사성 도전막(106)은 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)이 차지하는 면적의 50∼90%를 구성하도록 화소부에 형성된다(도 1 (D)).

또한, 요철 형상을 가지는 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)상에 반사성 도전막(106)을 형성함으로써, 반사성 도전막(106)의 막 표면을 요철 형상으로 구성할 수도 있다. 이렇게 하여, 요철 형성을 형성하기 위한 특수한 포토리소그래피 공정을 사용함이 없이 요철 형상을 가지는 반사성 도전막을 형성할 수 있다. 또한, 요철 형상에 의해 반사성 도전막(106)의 막 표면을 구성하면, 표면에 입사하는 광을 산란시키는 기능을 달성할 수 있다.

도 2(A)는 본 발명에 따른 투명 전극과 반사 전극의 부분 단면도이고, 도 2(B)는 도 2(A)에 대응하여 나타낸 부분 상면도이다.

도 2(A) 및 도 2(B)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 구조에 따르면, 기판(201) 위에서 도 1(D)에 나타낸 결정질 상태를 포함하는 투명성 도전막(105)으로 이루어진 투명 전극(202)상에 반사성 도전막(106)으로 이루어진 반사 전극(203)이 형성되어 있다.

반사 전극(203)에 입사하는 광은 반사 전극(203)의 표면 상의 요철 형상에 의해 반사광으로 되어 산란되지만, 반사 전극(203)이 형성되지 않고 투명 전극(202)이 노출되어 있는 부분에 입사하는 광은 투명 전극(202)를 통과하는 투과광으로 되어 기판(201)측으로 출사될 수 있다. 따라서, 본 발명의 구조에 따르면, TFT 공정의 증가없이 디스플레이의 시인성(視認性)을 높일 수 있다.

또한, 상기한 실시형태에서 설명한 기판 위에서 TFT를 가지고 있는 소자 기판(도 10)과, 대향 전극을 가지는 대향 기판(도시되지 않음)을 그의 전극 형성 면들을 서로 대향시킨 상태로 결합시키고, 그 사이에 액정을 제공하여 반투과형 액정 표시장치를 형성할 수 있다.

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이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.

[실시예 1]

본 실시예에서는, 탑 게이트형 TFT를 가지는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 공정의 예를 나타낸다. 또한, 설명을 위해, 화소부의 일부에 대한 상면도 및 단면도를 나타내는 도 3∼도 7을 참조한다.

먼저, 절연 표면을 가지는 기판(301)상에 비정질 반도체층을 형성한다. 본 실시에에서는, 기판(301)으로서 석영 기판을 사용하고, 비정질 반도체층을 10∼100 nm의 두께로 성막한다.

석영 기판 대신에, 유기 기판 또는 플라스틱 기판을 사용할 수도 있다. 유리 기판을 사용하는 경우에는, 이 유리 기판을 유리 변형점보다 10∼20℃ 정도 낮은 온도로 미리 열처리하는 것이 좋다. 또한, TFT를 형성하기 위한 기판(301)의 표면 상에는, 그 기판(301)로부터 불순물이 확산되는 것을 방지하도록 산화규소막, 질화규소막 또는 산화질화규소막으로 된 절연막으로 이루어진 하지막을 형성할 수도 있다.

비정질 반도체층으로서는, 60 nm의 두께를 가지는 비정질 규소막을 LPCVD법에 의해 형성한다. 이어서, 비정질 반도체층을 결정화시킨다. 본 실시예에서는, 일본 공개특허공고 평8-078329호 공보에 기재되어 있는 기술을 이용하여 비정질 반도체층을 결정화시켰다. 상기 공보에 기재되어 있는 기술에 따르면, 비정질 규소막의 결정화를 조장할 수 있는 금속 원소를 비정질 규소막에 선택적으로 첨가한 후 열처리를 행하여, 첨가 영역을 시점으로 하여 확산하는 결정질 규소막을 형성한다. 본 실시예에서는, 결정화를 조장하기 위한 금속 원소로서 니켈을 사용하고, 탈수소화를 위한 열처리(450℃, 1시간) 후, 결정화를 위한 열처리(600℃, 12시간)를 행하였다. 또한, 본 실시예에서는 상기 공보에 기재되어 있는 기술을 결정화를 위해 이용하고 있지만, 본 발명은 그러한 기술에 한정되지 않고, 공지의 결정화 처리(레이저 결정화법, 열 결정화법)를 사용할 수도 있다.

또한, 필요에 따라서는, 결정화율을 증가시키기 위해 그리고 결정립에 존재하는 결함을 보수하기 위해 레이저 빔(XeCl: 파장 308 nm)을 조사한다. 레이저 빔으로서는, 엑시미 레이저 빔, 또는 400 nm 이하의 파장을 가지는 YAG 레이저의 제2 고조파 또는 제3 고조파를 사용한다. 여하튼, 약 10∼1,000 Hz의 반복 주파수를 가지는 펄스 레이저 빔을 사용하고, 이 레이저 빔을 광학계를 이용하여 100∼400 mJ/cm²로 집광하고, 90∼95%의 중첩율로 조사하여 규소막의 표면에 주사한다.

이어서, TFT의 활성층을 구성하는 영역으로부터 Ni을 게터링한다. 본 실시예에서는, 게터링 방법으로서, 희가스 원소를 함유하는 반도체층을 이용하는 예를 나타낸다. 레이저 빔을 조사하여 형성한 산화막 외에, 오존수에 의해 표면을 120초간 처리하여 총 두께 1∼5 nm의 산화막으로 이루어진 베리어층을 형성한다. 이어서, 게터링 사이트를 구성하는 아르곤 원소를 함유하는 비정질 규소막을 스퍼터링법에 의해 베리어층 상에 150 nm의 두께로 형성한다. 본 실시예의 스퍼터링법에 의한 성막 조건에 따르면, 성막 압력은 0.3 Pa, 가스(Ar)의 유량은 50 sccm, 성막 파워는 3 kW, 기판 온도는 150℃로 한다. 또한, 이러한 조건 하에서 비정질 규소막에 함유되는 아르곤 원소의 원자 농도는 3×10²⁰/cm³∼6×10²⁰/cm³, 산소의 원자 농도는 1×10¹⁹/cm³∼3×10¹⁹/cm³로 한다. 그 후, 램프 어닐 장치를 사용하여 650℃에서 3분간 열처리를 행하여 게터링을 실시한다. 램프 어닐 장치 대신에 전기로를 사용하는 것도 가능하다.

이어서, 베리어층에 의해 에칭 스토퍼를 구성하여, 게터링 사이트를 구성하는 아르곤 원소를 함유하는 비정질 규소막을 선택적으로 제거한 후, 묽은 불산에 의해 베리어층을 선택적으로 제거한다. 또한, 게터링시, 니켈이 산소 농도가 높은 영역으로 이동하는 경향이 있기 때문에, 산화막으로 이루어지는 베리어층을 게터링 후에 제거하는 것이 바람직하다.

오존수에 의해 결정질 구조가 제공된 규소막(폴리실리콘막이라고도 함)의 표면 상에 얇은 산화막을 형성한 후, 레지스트로 된 마스크를 형성하고, 상기 규소막을 소망의 형상으로 에칭하여, 섬 형으로 분리된 반도체층(305)을 형성한다. 이 반도체층(305)의 형성 후, 레지스트로 된 마스크를 제거하고, 반도체층(305)을 덮는 게이트 절연막(306)을 100 nm의 두께로 형성하고, 열 산화를 행한다.

이어서, TFT의 저농도 채널 영역을 구성하기 위한 영역에 P형 또는 N형 불순물 원소를 첨가하는 채널 도핑 공정을 상기 영역의 전면에 또는 선택적으로 행한다. 이 채널 도핑 공정은 TFT의 스레시홀드 전압을 제어하는 공정이다. 반도체에 P형을 부여하는 불순물 원소로서는, 붕소(B), 알루미늄(Al), 갈륨(Ga) 등의 주기율표 13족 원소가 알려져 있다. 또한, 반도체에 N형을 부여하는 불순물 원소로서는, 인(P), 비소(As) 등의 주기율표 15족에 속하는 원소가 알려져 있다. 본 실시예에서는, 디보란(B₂H₆)를 질량 분리함이 없이 플라즈마 여기 이온 도핑법에 의해 붕소를 첨가하였다. 물론, 질량 분리를 행하는 이온 주입법을 사용하는 것도 가능하다.

이어서, 제1 도전막을 형성하고 패터닝하여 게이트 전극(307)과 용량 배선(308)을 형성한다. 질화탄탈(TaN)(막 두께 30 nm)과 텅스텐(막 두께 370 nm)의 적층 구조를 사용한다. 본 실시예에서는, 2중 게이트 구조를 구성한다. 또한, 게이트 절연막(306)을 의해 유전체로 하여 용량 배선(308)과 반도체층(305)의 일부를 구성하는 영역 a(305a)에 의해 보유 용량을 구성한다.

그 다음, 게이트 전극(307)과 용량 배선(308)을 마스크로 하여 인을 자기정합적으로 저농도로 첨가한다. 인이 저농도로 첨가된 영역에서의 인 농도는 1×10¹⁶∼5×10¹⁸/cm³, 대표적으로는 3×10¹⁷∼3×10¹⁸/cm³로 되도록 조절된다.

그 다음, 마스크(도시되지 않음)를 형성한 상태에서 인을 고농도로 첨가하여, 소스 영역(302) 또는 드레인 영역(303)을 구성하기 위한 고농도 불순물 영역을 형성한다. 이 고농도 불순물 영역에서의 인 농도는 1×10²⁰∼5×10²¹/cm³(대표적으로는 2×10²⁰∼5×10²⁰/cm³)로 되도록 조절된다. 또한, 게이트 전극(307)과 겹치는 반도체층(305)의 영역은 채널 형성 영역(304)이 되고, 마스크로 덮인 반도체층(305)의 영역은 저농도 불순물 영역이 되어 LDD 영역(311)을 구성한다. 또한, 게이트 전극(307), 용량 배선(308), 및 마스크의 어느 것에 의해서도 덮이지 않은 영역은 소스 영역(302)과 드레인 영역(303)을 포함하는 고농도 불순물 영역이 된다.

또한, 본 실시예에 따르면, 화소부의 TFT와 구동회로의 TFT가 동일 기판 상에 형성되고, 구동회로의 TFT에서는, 소스 영역과 드레인 영역 사이에 소스 및 드레인 영역보다 낮은 불순물 농도를 가지는 저농도 불순물 영역이 채널 형성 영역 양측 또는 일측에 제공될 수도 있다. 그러나, 반드시 양측 모두에 저농도 불순물 영역을 제공할 필요는 없고, 본 실시예를 실시하는 실시자가 마스크를 적절히 설계할 수 있다.

그 다음, 본 실시예에서는 나타내지 않았으나, 화소와 동일한 기판 상에 형성된 구동회로에 사용되는 p채널형 TFT를 형성하기 위해, n채널형 TFT를 구성하는 영역을 마스크로 덮은 상태에서 붕소를 첨가하여 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다.

그 다음, 마스크를 제거한 후, 게이트 전극(307)과 용량 배선(308)을 덮는 제1 절연막(309)을 형성한다. 본 실시예에서는, 산화규소막을 50 nm의 두께로 형성하고, 반도체층(305)에 개개의 농도로 첨가된 n형 또는 p형 불순물 원소를 활성화하는 열처리 공정을 행한다. 본 실시예에서는, 850℃로 30분간 열처리를 행하였다(도 3(A)). 도 4는 이 경우의 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 4의 점선 A-A'을 따라 취한 단면도가 도 3(A)에 해당한다.

그 다음, 수소화 처리를 행한 후, 유기 수지 재료로 된 제2 절연막(317)을 형성한다. 본 실시예에서는, 1 ㎛의 두께를 가지는 아크릴 수지막을 사용함으로써, 제2 절연막(317)의 표면을 평탄화할 수 있다. 이에 따라, 제2 절연막(317) 아래의 층에 형성된 패턴에 의해 형성되는 단차의 영향을 방지할 수 있다. 이어서, 제2 절연막(317) 위에 마스크를 형성하고, 반도체층(305)에 이르는 콘택트 홀(312)을 형성한다(도 3(B)). 콘택트 홀(312)의 형성 후, 마스크를 제거한다. 도 5는 이 경우의 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 5에서 점선 A-A'을 따라 취한 단면도가 도 3(B)에 해당한다.

그 다음, 120 nm의 두께를 가지는 비정질 상태의 투명성 도전막(여기서는, 산화인듐주석(ITO)막)을 스퍼터링법에 의해 형성하고, 그 후, 청정 상태의 오븐을 사용하여 200℃에서 60분간 열처리를 행한다. 이에 따라, 형성된 비정질 투명성 도전막에 비정질 상태와 결정질 상태가 혼재할 수 있다. 얻어진 막을 포토리소그래피 기술을 이용하여 직사각형 형태로 패터닝한다. 또한, 습식 에칭 처리를 행한 후, 마스크를 제거한다.

그 다음, 투명성 도전막의 표면을 CMP법에 의해 연마한다. 본 실시예에서는, ITO막에 혼재되어 있는 비정질 부분과 결정질 부분 사이의 연마율에 상당한 차이가 있는 점을 이용하여 처리를 행하고, 이에 따라, 투명성 도전막의 표면에 존재하는 결정질 상태의 입자들을 잔존시킬 수 있고, 비정질 상태의 부분을 특히 선택적으로 제거할 수 있다.

본 실시예에 따르면, 정반(platen) 또는 연마판 상에 연마 패드(본 명세서에서는, 이하, 패드라 칭함)를 부착하고, 이 정반 상의 패드에 기판의 연마면을 소정의 일정 압력으로 가압한 상태에서, 기판 위에 형성한 ITO막과 패드 사이에 슬러리를 공급하면서 정반과 기판을 각각 회전시키거나 좌우로 운동시켜, 화학적 동작과 기계적 동작의 복합 동작에 의해 피가공물의 표면 또는 ITO막의 표면을 연마한다. 슬러리로서는, 약 120 nm의 입경을 가지는 실리카 연마 입자를 함유하는 암모니아수를 사용하고, 100 cc/min의 유량으로 공급한다. 정반의 회전수는 30 rpm으로 하고, 기판의 회전수는 30 rpm으로 하고, 연마시의 연마 압력은 300 g/cm²로 하고, 연마 시간은 0.3분으로 한다.

그 다음, 투명성 도전막의 표면 상에 산성 용액을 도포하여 에칭을 행한다. 본 실시예에서는, 산성 용액으로서 0.5% 불산을 사용하고, 화학 용액을 스핀 코팅법에 의해 도포하여 에칭을 행한다. 화학 용액을 이용한 에칭 시의 에칭 시간은 15초이하로 할 수 있으나, 본 실시예에서는 5초로 하였다. 산성 용액은 순수(純水)를 사용하여 기판의 표면을 세정함으로써 제거된다.

이에 따라, 요철 형상을 가지는 투명성 도전막으로 된 투명 전극(313)을 표면에 형성할 수 있다(도 3(C)). 도 6은 이 경우의 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 6에서 점선 A-A'을 따라 취한 단면도가 도 3(C)에 해당한다.

그 다음, 제2 도전막을 형성하고 패터닝함으로써, 투명 전극(313)상에 형성된 반사 전극(314) 외에, 소스선을 이루는 배선(315)과, TFT(310)와 투명 전극(313)을 전기적으로 접속하는 배선(316)을 형성한다. 또한, 본 실시예에서 형성한 제2 도전막은 본 발명에 따른 반사 전극을 형성하는 반사성 도전막이고, 알루미늄, 은 또는 이를 주성분으로 하는 합금 금속을 사용하는 것이 바람직하다.

본 실시예에 따르면, 제2 도전막으로서, 스퍼터링법에 의해 Ti막을 50 nm의 두께로 그리고 Si를 함유하는 알루미늄막을 500 nm의 두께로 연속적으로 형성한 2층 구조의 적층막을 사용한다.

또한, 반사 전극(314)에 대한 패터닝 방법으로서는, 포토리소그래피 기술을 이용하고, 배선(315, 316)은 투명 전극(313)과 겹치는 위치에 형성된다. 본 실시예에서 사용하는 에칭 방법으로서는 건식 에칭법을 이용한다. 또한, 본 발명에 따른 액정 표시장치는 반투과형 액정 표시장치이기 때문에, 투명 전극(313)과 겹치도록 형성된 반사 전극(314)의 면적은 투명 전극(313)이 차지하는 면적의 50∼90%로 되어 있다.

이와 같이 하여, 반사 전극(314)과 배선(315, 316)이 형성되면, 레지스트 마스크를 제거하고, 이에 따라, 도 3(D)에 도시된 구조가 얻어진다. 도 7은 이 경우 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 7에서 점선 A-A'를 따라 취한 단면도가 도 3(D)에 해당한다.

또한, 투명 전극(313) 위에 반사 전극(314)을 형성함으로써, 투명 전극(313)과 반사 전극(314)이 겹치는 부분에서는, 광이 반사 전극(314)에 의해 반사되고, 반사 전극(314)이 형성되지 않고 투명 전극(313)이 표면으로 노출된 부분에서는, 광이 투명 전극(313)의 내부를 투과하여 기판(301) 측으로 출사된다.

이렇게 하여, 2중 게이트 구조를 가지는 n채널형 TFT와 보유 용량을 가지는 화소부와, n채널형 TFT와 p채널형 TFT를 가지는 구동회로를 동일 기판 상에 형성할 수 있다. 본 명세서에서는, 이러한 기판을 편의상 액티브 매트릭스 기판이라 부른다.

또한, 상기 실시예는 단지 예에 불과한 것이고, 물론 본 발명은 상기 실시예의 공정들에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 각 도전막으로서, 탄탈(Ta), 티탄(Ti), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 규소(Si)로 이루어진 군에서 선택된 원소, 또는 이러한 원소들이 조합된 합금(대표적으로는, Mo-W 합금, Mo-Ta 합금)으로 된 막을 사용할 수 있다. 또한, 각 절연막으로서는, 산화규소막, 질화규소막, 산화질화규소막, 유기 수지재료(폴리이미드, 아크릴 수지, 폴리아미드, 폴리이미드아미드, BCB(벤조시클로부텐) 등)의 막을 사용할 수 있다.

또한, 본 실시예에서 나타낸 공정들에 따르면, 도 3(C)에서 형성한 표면 상에 요철 형상을 가지는 투명 전극을 형성할 수 있고, 이에 따라, 도 3(D)에 도시된 바와 같이, 투명 전극(313)상에 형성된 반사 전극의 표면을 요철 형상을 이루게 할 수 있다. 요철 형상은 투명 전극을 형성하기 위한 투명성 도전막에 대해 상기한 처리를 행함으로써 형성되고, 이에 따라, 요철 형상은 포토리소그래피 공정 수를 증가시킴이 없이 또는 포토마스크의 수를 증가시킴이 없이 형성할 수 있다.

상기한 바와 같이, 본 실시예를 실시함으로써, 반사 전극의 표면을 요철 형상으로 쉽게 구성할 수 있으므로, 표시 패널의 시인성을 향상시킬 수 있다.

[실시예 2]

본 실시예에서는, 실시예 1과는 다른 구조를 가지는 반투과형 액정 표시장치를 제조하는 방법을 도 8∼도 10을 참조하여 구체적으로 설명한다.

먼저, 도 8(A)에 도시된 바와 같이, 기판(801)상에 비정질 반도체막을 형성하고, 이 비정질 반도체막을 결정화시킨 후 패터닝하여, 섬 형으로 분리된 반도체층(805)을 형성한다. 그리고, 이 반도체층(805)상에 절연막으로 된 게이트 절연막(806)을 형성한다. 게이트 절연막(806)을 형성할 때까지의 제조방법은 실시예 1에서 나타낸 것과 마찬가지이므로, 실시예 1을 참조하면 된다. 또한, 마찬가지로 반도체층(805)을 덮는 절연막을 형성한 후, 열 산화를 행하여 게이트 절연막(806)을 형성한다.

그 다음, TFT의 채널 영역을 이루는 영역에 p형 및 n형 불순물 원소를 저농도로 첨가하는 채널 도핑 공정을 전면에 걸쳐 또는 선택적으로 행한다.

그리고, 게이트 절연막(806)상에 도전막을 형성하고 패터닝함으로써, 게이트 전극(807), 용량 배선(808), 및 소스선을 이루는 배선(809)을 형성한다. 본 실시예에 따르면, 50∼100 nm의 두께로 형성한 TaN(질화탄탈)막과 100∼400 nm의 두께로 형성한 W(텅스텐)막을 적층하여 제1 도전막을 형성한다.

TaN과 W의 적층막을 사용하여 도전막을 형성하고 있지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, Ta, W, Ti, Mo, Al, Cu로 이루어진 군에서 선택된 원소 또는 그러한 원소를 주성분으로하는 합금 재료 또는 화합물 재료로 도전막을 형성하는 것도 가능하다. 또한, 인 등의 불순물 원소가 도핑된 다결정 규소막으로 대표되는 반도체막도 사용 가능하다.

그 다음, 게이트 전극(807)과 용량 배선(808)을 마스크로 하여 인을 자기정합적으로 저농도로 첨가한다. 인이 저농도로 첨가된 영역에서의 인 농도는 1×10¹⁶∼5×10¹⁸/cm³, 대표적으로는 3×10¹⁷∼3×10¹⁸/cm³로 되도록 조절된다.

그 다음, 마스크(도시되지 않음)를 형성한 상태에서 인을 고농도로 첨가하여, 소스 영역(802) 또는 드레인 영역(803)을 구성하기 위한 고농도 불순물 영역을 형성한다. 이 고농도 불순물 영역에서의 인 농도는 1×10²⁰∼5×10²¹/cm³(대표적으로는 2×10²⁰∼5×10²⁰/cm³)로 되도록 조절된다. 게이트 전극(807)과 겹치는 반도체층(805)의 영역은 채널 형성 영역(804)이 되고, 마스크로 덮인 반도체층(805)의 영역은 저농도 불순물 영역이 되어 LDD 영역(811)을 구성한다. 또한, 게이트 전극(807), 용량 배선(808), 및 마스크의 어느 것으로도 덮이지 않은 영역은 소스 영역(802)과 드레인 영역(803)을 포함하는 고농도 불순물 영역이 된다.

본 실시예에서도, 실시예 1과 마찬가지로, 화소와 동일한 기판 상에 형성되는 구동회로에 사용되는 p채널형 TFT를 형성하기 위해, n채널형 TFT를 구성하는 영역을 마스크로 덮은 상태에서 붕소를 첨가하여 소스 영역 또는 드레인 영역을 형성한다.

그 다음, 마스크를 제거한 후, 게이트 전극(807), 용량 배선(808), 및 배선(소스선)(809)을 덮는 제1 절연막(810)을 형성한다. 본 실시예에서는, 산화규소막을 50 nm의 두께로 형성하고, 반도체층(805)에 개개의 농도로 첨가된 n형 또는 p형 불순물 원소를 활성화하는 열처리 공정을 행한다. 본 실시예에서는, 850℃로 30분간 열처리를 행하였다(도 8(A)).

그 다음, 수소화 처리를 행한 후, 유기 수지재료로 된 제2 절연막(821)을 형성한다. 본 실시예에서는, 1 ㎛의 두께를 가지는 아크릴 수지막을 사용함으로써, 제2 절연막(821)의 표면을 평탄화시킬 수 있다. 이에 따라, 제2 절연막(821) 아래의 층에 형성된 패턴에 의해 형성되는 단차의 영향을 방지할 수 있다. 이어서, 제2 절연막(821)상에 마스크를 형성하고, 반도체층(805)에 이르는 콘택트 홀(812)을 에칭에 의해 형성한다(도 8(B)). 콘택트 홀(812)의 형성 후, 마스크를 제거한다.

그 다음, 120 nm의 두께를 가지는 투명성 도전막(여기서는 산화인듐주석(ITO)막)을 스퍼터링법에 의해 형성한 후, 청정 상태의 오븐을 사용하여 200℃에서 60분간 열처리를 행한다. 이에 따라, 형성된 비정질 투명성 도전막에 비정질 상태와 결정질 상태가 혼재할 수 있다. 얻어진 막을 포토리소그래피 기술을 이용하여 직사각형 형태로 패터닝한다. 또한, 습식 에칭 처리를 행한 후, 마스크를 제거한다.

본 실시예에 따르면, 정반 또는 연마판 상에 연마 패드(본 명세서에서는, 이하, 패드라 칭함)를 부착하고, 이 정반 상의 패드에 기판의 연마면을 소정의 일정 압력으로 가압한 상태에서, 기판 상에 형성한 ITO막과 패드 사이에 슬러리를 공급하면서 정반과 기판을 각각 회전시키거나 좌우로 운동시켜 화학적 동작과 기계적 동작의 복합 동작에 의해 피가공물의 표면 또는 ITO막의 표면을 연마한다. 슬러리로서는, 약 120 nm의 입경을 가지는 실리카 연마 입자를 함유하는 암모니아수를 사용하고 100 cc/min의 유량으로 공급한다. 정반의 회전수는 30 rpm으로 하고, 기판의 회전수는 30 rpm으로 하고, 연마시의 연마 압력은 300 g/cm²로 하고, 연마 시간은 0.3분으로 한다.

그 다음, 투명성 도전막의 표면 상에 산성 용액을 도포하여 에칭을 행한다. 본 실시예에서는, 산성 용액으로서 0.5% 불산을 사용하고, 화학 용액을 스핀 코팅법에 의해 도포하여 에칭을 행한다. 화학 용액을 이용한 에칭 시의 에칭 시간은 15초 이하로 할 수 있으나, 본 실시예에서는 5초로 하였다. 산성 용액은 순수(純水)를 사용하여 기판의 표면을 세정함으로써 제거된다.

이에 따라, 요철 형상을 가지는 투명성 도전막으로 된 투명 전극(813)을 표면에 형성할 수 있다(도 8(C)). 도 9는 이 경우의 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 9에서 점선 A-A'를 따라 취한 단면도가 도 8(C)에 해당한다.

그 다음, 제2 도전막을 형성하고 패터닝함으로써, 투명 전극(813)상에 형성된 반사 전극(814) 외에, 배선(소스선)(809)과 TFT(810)의 소스 영역을 전기적으로 접속하는 배선(815), TFT(810)의 드레인 영역에 대한 콘택트를 형성하는 배선(816), 및 TFT(810)의 드레인 영역과 투명 전극(813)을 전기적으로 접속하는 배선(817)을 형성한다. 본 실시예에서 형성한 제2 도전막은 본 실시예에 따른 전극을 형성하는 반사성 도전막이고, 알루미늄, 은 등의 금속재료 또는 이를 주성분으로 하는 금속재료를 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 반사 전극(314)과 배선(815, 816, 817)들 패터닝 방법으로서 포토리소그래피 기술을 이용하여 형성한다. 본 실시예에서는 에칭 방법으로서 건식 에칭법을 이용하였다.

이와 같이 하여, 반사 전극(814)과 배선(815, 816, 817)이 형성되면, 레지스트 마스크를 제거하고, 이에 따라, 도 8(D)에 도시된 구조가 얻어진다. 도 10은 이 경우 화소의 상면도를 나타내는 것이고, 도 10에서 점선 A-A'를 따라 취한 단면도가 도 8(D)에 해당한다.

투명 전극(813)상에 반사 전극(814)을 형성함으로써, 투명 전극(813)과 반사 전극(814)이 겹치는 부분에서는 광이 반사 전극(814)에 의해 반사되고, 반사 전극(814)이 형성되지 않고 투명 전극(813)이 표면으로 노출된 부분에서는 광이 투명 전극(813)의 내부를 투과하여 기판(801) 측으로 출사된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 실시예에서도 2중 게이트 구조를 가지는 n채널형 TFT와 보유 용량을 가지는 화소부와, n채널형 TFT와 p채널형 TFT를 가지는 구동회로를 동일 기판 상에 형성할 수 있다.

본 실시예에서 나타낸 공정들에 따르면, 도 8(C)에서 형성한 표면 상에 요철 형상을 가지는 투명 전극을 형성할 수 있으므로, 도 8(D)에 도시된 바와 같이, 투명 전극(813)상에 형성된 반사 전극의 표면을 요철 형상을 이루게 할 수 있다. 요철 형상은 투명 전극을 형성하기 위한 투명성 도전막에 대해 상기한 처리를 실시함으로써 형성되므로, 요철 형상은 포토리소그래피 공정 수를 증가시킴이 없이 또는 포토마스크의 수를 증가시킴이 없이 형성될 수 있다.

상기한 바와 같이 본 실시예를 행함으로써 반사 전극의 표면을 요철 형상으로 쉽게 구성할 수 있고, 이에 따라, 표시 패널의 시인성을 향상시킬 수 있다.

[실시예 3]

본 실시예에서는, 실시예 1에 따라 제조한 액티브 매트릭스 기판으로부터 반투과형 액정 표시장치를 제조하는 공정들을 설명한다. 설명에는 도 11의 단면도를 참조한다.

먼저, 실시예 1에 따라 도 3(D)의 액티브 매트릭스 기판을 제공한 후, 도 11에 도시된 바와 같이, 이 액티브 매트릭스 기판 상에 배향막(1119)을 형성하고 러빙 처리를 행한다. 본 실시예에 따르면, 배향막(1119)의 형성 후, 양 기판 사이의 간격을 유지시키기 위한 구형 스페이서(1121)를 상기 기판들의 전면에 산포한다. 구형 스페이서(1121) 대신에, 아크릴 수지막 등의 유기 수지막을 패터닝하여 주상 스페이서를 소망의 위치에 형성하는 것도 가능하다.

그 다음, 기판(1122)을 준비하고, 그 기판(1122)상에 착색층(1123)(1123a, 1123b)과 평탄화막(1124)을 형성한다. 착색층(1123)으로서는, 적색의 착색층(1123a), 청색의 착색층(1123b), 및 녹색의 착색층(도시되지 않음)을 형성한다. 본 실시예에서는 도시하지 않았으나, 적색의 착색층(1123a)과 청색의 착색층(1123b)을 부분적으로 중첩시키거나 적색의 착색층(1123a)과 녹색의 착색층(도시되지 않음)을 부분적으로 중첩시킴으로써 차광부를 형성하는 것도 가능하다.

또한, 평탄화막(1124)상에는 투명성 도전막으로 된 대향 전극(1125)을 화소부가 구성되는 위치에 형성하고, 기판(1122)의 전면에 배향막(1126)을 형성하고 러빙 처리를 행함으로써 대향 기판(1128)을 얻는다.

그 다음, 표면상에 배향막(119)이 형성된 액티브 매트릭스 기판과 대향 기판(1128)을 시일(seal)제(도시되지 않음)에 의해 접합한다. 시일제는 충전제가 혼입된 것으로, 이 충전제와 구형 스페이서에 의해 두 기판이 균일한 간격(바람직하게는 2.0∼3.0 ㎛)을 두고 서로 접합된다. 그 후, 두 기판 사이에 액정 재료(1127)를 주입하고, 봉지재(도시되지 않음)로 완전히 봉지(封止)한다. 액정 재료(1127)로서는 공지의 액정 재료를 사용할 수 있다. 이와 같이 하여, 도 11에 도시된 반투과형 액정 표시장치가 완성된다. 필요에 따라서는, 액티브 매트릭스 기판 또는 대향 기판(1128)을 소망의 형상으로 절단하여 분단한다. 또한, 공지 기술을 이용하여 편광판 등을 적절히 제공한다. 또한, 공지 기술을 이용하여 FPC를 부착한다.

이와 같이 하여 얻은 액정 모듈의 구성을 도 15의 상면도를 참조하여 이하에 설명한다. 액티브 매트릭스 기판(1501)의 중앙에는 화소부(1504)가 배치되어 있다. 화소부(1504)의 상측에는 소스 신호선을 구동하기 위한 소스 신호선 구동회로(1502)가 배치되어 있고, 화소부(1504)의 좌측 및 우측에는 게이트 신호선을 구동하기 위한 게이트 신호선 구동회로(1503)가 배치되어 있다. 본 실시예에서 나타내는 예에 따르면, 게이트 신호선 구동회로(1503)가 화소부의 좌우측에 대칭으로 배치되어 있으나, 화소부의 일측에만 게이트 신호선 구동회로(1503)를 배치하는 것도 가능하고, 이 경우에는 설계자가 액정 모듈 등의 기판 크기를 고려하여 배치측을 적절히 선택할 수 있다. 그러나, 도 15에 도시된 좌우 대칭 배치가 회로의 동작 신뢰성 및 구동 효율면에서 바람직하다.

가요성 인쇄회로(FPC)(1505)로부터 개개의 구동회로로 신호가 입력된다. FPC(1505)는, 층간절연막과 수지막의 콘택트 홀을 기판(1501)의 소정 위치에 배치된 배선에 이르도록 개구시키고 접속 전극(도시되지 않음)을 형성한 후, 이방성 도전막 등을 통해 압착된다. 본 실시예에 따르면, 접속 전극은 ITO를 사용하여 형성된다.

구동회로와 화소부의 주위에는 기판의 외측 둘레를 따라 시일제(1507)가 도포되고, 대향 기판(1506)은 액티브 매트릭스 기판 상에 이미 형성되어 있는 스페이서에 의해 균일한 간극(기판(1501)과 대향 기판(1506) 사이의 간격)을 유지한 상태에서 부착된다. 그 후, 시일제(1507)가 도포되지 않은 부분으로부터 액정 재료를 주입한 후 시일제(1508)를 사용하여 기판들을 밀폐시킨다. 이상과 같은 공정들에 따라 액정 모듈이 완성된다. 본 실시예에서는, 기판 상에 모든 구동회로를 형성하는 예를 나타내고 있으나, 구동회로의 부분에 수 개의 IC를 사용하는 것도 가능하다. 이에 따라, 액티브 매트릭스형 액정 표시장치가 완성된다.

[실시예 4]

도 16 및 도 17은 본 발명을 이용하여 제조한 전기광학 장치의 블록도를 나타낸다. 도 16은 아날로그 구동을 행하기 위한 회로 구성을 나타낸다. 본 실시예는 소스측 구동회로(90), 화소부(91), 게이트측 구동회로(92)를 가지는 전기광학 장치를 나타내고 있다. 또한, 본 명세서에서, 구동회로는 소스측 구동회로와 게이트측 구동회로를 총칭하는 것이다.

소스측 구동회로(90)에는, 시프트 레지스터(90a), 버퍼(90b), 샘플링 회로(전달 게이트)(90c)가 설치되어 있다. 게이트측 구동회로(92)에는, 시프트 레지스터(92a), 레벨 시프터(92b), 버퍼(92c)가 설치되어 있다. 필요에 따라서는, 샘플링 회로와 시프트 레지스터 사이에 레벨 시프터 회로를 설치하는 것도 가능하다.

화소부(91)는 다수의 화소로 이루어지고, 각 화소는 TFT 소자를 포함한다.

또한, 도시하지는 않았으나, 화소부(91)를 사이에 두고 게이트측 구동회로(92)와 대향하는 측에도 게이트측 구동회로를 설치하는 것도 가능하다.

디지털 구동을 행하는 경우에는, 도 17에 도시된 바와 같이, 샘플링 회로 대신에 래치(A)(93b)와 래치(B)(93c)를 설치할 수 있다. 소스측 구동회로(93)에는 시프트 레지스터(93a), 래치(A)(93b), 래치(B)(93c), D/A 변환기(93d), 버퍼(93e)가 설치된다. 또한, 게이트측 구동회로(95)에는 시프트 레지스터(95a), 레벌 시프터(95b), 버퍼(95c)가 설치된다. 또한, 필요에 따라서는, 래치(B)(93c)와 D/A 변환기(93d) 사이에 레벨 시프터 회로를 설치할 수도 있다.

상기한 구성은 실시예 1 또는 실시예 2에서 나타낸 제조공정들에 따라 실현될 수 있다. 본 실시예에서는 화소부와 구동회로의 구성만을 나타내고 있으나, 본 발명의 제조공정에 따라 메모리 또는 마이크로프로세서를 형성할 수 있다.

[실시예 5]

본 발명을 실시하여 제조한 반투과형 액정 표시장치는 다양한 전기광학 장치에 사용될 수 있다. 또한, 본 발명은 전기광학 장치를 표시 매체로서 구비하는 모든 전자 기기에 적용 가능하다.

본 발명에 따라 제조한 액정 표시장치를 사용하여 제조되는 전자 기기로서는, 비디오 카메라, 디지털 카메라, 내비게이션 시스템, 음향 재생 장치(카 오디오, 오디오 콤포넌트 등), 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 게임 기기, 휴대형 정보 단말기(모바일 컴퓨터, 휴대 전화기, 휴대형 게임기, 전자 책 등), 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치(구체적으로는 디지털 비디오 디스크(DVD)) 등의 기록 매체를 재생하고 그 화상을 표시할 수 있는 표시장치를 구비한 장치) 등을 들 수 있다. 이러한 전자 기기의 구체예를 도 18(A)∼도 18(F)에 나타낸다.

도 18(A)는 본체(2101), 표시부(2102), 수상부(2103), 조작 키(2104), 외부 접속 포트(2105), 셔터(2106)를 포함하는 디지털 스틸 카메라를 나타낸다. 이 디지털 스틸 카메라는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부(2102)에 사용하여 제작된다.

도 18(B)는 본체(2201), 케이스(2202), 표시부(2203), 키보드(2204), 외부 접속 포트(2205), 포인팅 마우스(2206)를 포함하는 노트북형 퍼스널 컴퓨터를 나타낸다. 이 노트북형 퍼스널 컴퓨터는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부(2203)에 사용하여 제작된다.

도 18(C)는 본체(2301), 표시부(2302), 스위치(2303), 조작 키(2304), 적외선 포트(2305)를 포함하는 모바일 컴퓨터를 나타낸다. 이 모바일 컴퓨터는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부(2302)에 사용하여 제작된다.

도 18(D)는 기록 매체를 구비한 휴대형 화상 재생 장치(구체적으로는 DVD 재생 장치)를 나타내고, 이 장치는 본체(2401), 케이스(2402), 표시부 A(2403), 표시부 B(2404), 기록 매체(DVD 등) 판독부(2405), 조작 키(2406), 스피커부(2407)를 포함한다. 표시부 A(2403)는 주로 화상 정보를 표시하고, 표시부 B(2404)는 주로 문자 정보를 표시한다. 이 휴대형 화상 재생 장치는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부 A 및 B(2403, 2404)에 사용하여 제작된다. 또한, 기록 매체를 구비한 화상 재생 장치에는 가정용 게임기도 포함된다.

도 18(E)는 본체(2601), 표시부(2602), 케이스(2603), 외부 접속 포트(2604), 리모콘 수신부(2605), 수상부(2606), 배터리(2607), 음성 입력부(2608), 조작 키(2609), 접안부(2610)를 포함하는 비디오 카메라를 나타낸다. 이 비디오 카메라는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부(2602)에 사용하여 제작된다.

도 18(F)는 본체(2701), 케이스(2702), 표시부(2703), 음성 입력부(2704), 음성 출력부(2705), 조작 키(2706), 외부 접속 포트(2707), 안테나(2708)를 포함하는 휴대 전화기를 나타낸다. 이 휴대 전화기는 본 발명에 의해 제조되는 액정 표시장치를 표시부(2703)에 사용하여 제작된다. 또한, 표시부(2703)는 흑색 배경에 백색 문자를 표시함으로써 휴대 전화기의 소비전력을 억제할 수 있다.

이상과 같이, 본 발명에 따라 제조되는 액정 표시장치의 적용 범위는 매우 넓고, 모든 분야의 전자 기기에 이용 가능하다. 또한, 본 실시예의 전자 기기는 실시예 1 내지 실시예 4를 실시하여 제조한 액정 표시장치를 사용하여 완성될 수 있다.

이상과 같이, 본 발명에 따르면, 반투과형 액정 표시장치를 제조하는데 있어서, 화소 전극을 구성하는 투명 전극의 표면을 요철 형상으로 구성할 수 있고, 반사 전극의 표면도 요철 형상으로 구성할 수 있다. 이에 따라, 화소 전극의 표면 상에 요철 형상을 형성하기 위해 필요한 패터닝에서 사용되는 포토리소그래피 공정 및 마스크의 수를 감소시킬 수 있다. 따라서, 종래의 요철 구조 제조방법과 비교할 때, 디스플레이의 시인성의 향상뿐만 아니라 상당한 비용절감 및 생산성 향상을 실현할 수 있다.

Claims

기판 위의, 요철 표면을 가진 투명 전극;

상기 투명 전극 위에 형성된 반사 전극; 및

상기 투명 전극 및 상기 반사 전극 위의 액정을 포함하고,

상기 요철 표면을 가진 투명 전극은, 상기 기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하고, 상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거함으로써 형성되는, 액정 표시장치.
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기판 위에 형성된 박막트랜지스터;

상기 박막트랜지스터 위의, 요철 표면을 가진 투명 전극;

상기 투명 전극 위에 형성된 반사 전극; 및

상기 투명 전극 및 상기 반사 전극 위의 액정을 포함하고,

상기 박막트랜지스터는 상기 투명 전극 및 상기 반사 전극에 전기적으로 접속되어 있고,

상기 요철 표면을 가진 투명 전극은, 상기 기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하고, 상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거함으로써 형성되는, 액정 표시장치.
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요철 표면을 가진 제1 투명 전극과, 상기 제1 투명 전극 위에 형성된 반사 전극을 구비한 제1 기판;

제2 투명 전극을 구비한 제2 기판; 및

액정을 포함하고,

상기 제1 기판과 상기 제2 기판은, 상기 제1 투명 전극과, 상기 반사 전극, 및 상기 제2 투명 전극이 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하도록 배치되어 있고,

상기 액정은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있고,

상기 요철 표면을 가진 제1 투명 전극은, 상기 제1 기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하고, 상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거함으로써 형성되는, 액정 표시장치.
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박막트랜지스터와, 상기 박막트랜지스터 위의, 요철 표면을 가진 제1 투명 전극, 및 상기 제1 투명 전극 위에 형성된 반사 전극을 구비한 제1 기판;

제2 투명 전극을 구비한 제2 기판; 및

액정을 포함하고,

상기 제1 기판과 상기 제2 기판은, 상기 박막트랜지스터, 상기 제1 투명 전극, 상기 반사 전극, 및 상기 제2 투명 전극이 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 위치하도록 배치되어 있고,

상기 액정은 상기 제1 기판과 상기 제2 기판 사이에 개재되어 있고,

상기 박막트랜지스터는 상기 제1 투명 전극 및 상기 반사 전극에 전기적으로 접속되어 있고,

상기 요철 표면을 가진 제1 투명 전극은, 상기 제1 기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하고, 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하고, 상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거함으로써 형성되는, 액정 표시장치.
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제 1 항, 제 10 항, 제 19 항, 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 비정질 투명성 도전막의 상기 결정질 부분은 소결에 의해 형성되고,

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막의 상기 표면에서 상기 비정질 부분은 에칭에 의해 제거되는, 액정 표시장치.
제 30 항에 있어서,

상기 소결은 150∼200℃에서 행해지는, 액정 표시장치.
제 30 항에 있어서,

상기 에칭은 불산, 질산, 황산, 및 염산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 복수 종의 산성 용액을 사용하여 행해지는, 액정 표시장치.
제 1 항, 제 10 항, 제 19 항, 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 비정질 투명성 도전막의 상기 결정질 부분은 소결에 의해 형성되고,

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막의 표면의 상기 비정질 부분은 상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막을 연마하고, 상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막을 에칭하여 제거되는, 액정 표시장치.
제 33 항에 있어서,

상기 연마는 CMP법에 의해 행해지는, 액정 표시장치.
제 1 항, 제 10 항, 제 19 항, 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 반사 전극이 차지하는 면적의 비율이 상기 투명 전극이 차지하는 면적의 50∼90%인, 액정 표시장치.
제 1 항, 제 10 항, 제 19 항, 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 액정 표시장치는, 디지털 스틸 카메라, 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 모바일 컴퓨터, 기록 매체를 구비한 휴대용 화상 재생장치, 비디오 카메라, 휴대 전화기로 이루어진 군에서 선택된 전자 기기에 설치되는, 액정 표시장치.
액정 표시장치를 제조하는 방법으로서,

기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하는 공정;

상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막 위에 반사 전극을 형성하는 공정; 및

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극 위에 액정층을 형성하는 공정을 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
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액정 표시장치를 제조하는 방법으로서,

기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하는 공정;

소결에 의해 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 에칭에 의해 제거하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막 위에 형성되는 반사 전극을 형성하는 공정; 및

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극 위에 액정층을 형성하는 공정을 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
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액정 표시장치를 제조하는 방법으로서,

기판 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하는 공정;

소결에 의해 상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막을 연마하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막을 에칭하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막 위에 형성되는 반사 전극을 형성하는 공정; 및

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극 위에 액정층을 형성하는 공정을 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
제 40 항 또는 제 45 항에 있어서,

상기 소결은 150∼200℃에서 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 40 항 또는 제 45 항에 있어서,

상기 에칭은 불산, 질산, 황산, 및 염산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 복수 종의 산성 용액을 사용하여 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 45 항에 있어서,

상기 연마는 CMP법에 의해 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
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액정 표시장치를 제조하는 방법으로서,

기판 위에 박막트랜지스터를 형성하는 공정;

상기 박막트랜지스터 위에 비정질 투명성 도전막을 형성하는 공정;

상기 비정질 투명성 도전막에 결정질 부분을 형성하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막의 표면에서 비정질 부분을 제거하는 공정;

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막 위에 형성되는 반사 전극을 형성하는 공정; 및

상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극 위에 액정층을 형성하는 공정을 포함하고,

상기 박막트랜지스터는 상기 결정질 부분을 포함하는 상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극에 전기적으로 접속되는, 액정 표시장치 제조방법.
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액정 표시장치를 제조하는 방법으로서,

기판 위에, 비정질 부분과 결정질 부분을 포함하는 투명성 도전막을 형성하는 공정;

상기 투명성 도전막의 표면에서 상기 비정질 부분을 제거하는 공정;

상기 투명성 도전막 위에 반사 전극을 형성하는 공정; 및

상기 투명성 도전막과 상기 반사 전극 위에 액정층을 형성하는 공정을 포함하는, 액정 표시장치 제조방법.
제 51 항 또는 제 57 항에 있어서,

상기 비정질 부분과 상기 결정질 부분을 구비한 상기 투명성 도전막을 형성하는 공정은 소결에 의해 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 58 항에 있어서,

상기 소결은 150∼200℃에서 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 51 항 또는 제 57 항에 있어서,

상기 제거는 에칭에 의해 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 60 항에 있어서,

상기 에칭은 불산, 질산, 황산, 및 염산으로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 복수 종의 산성 용액을 사용하여 행해지는, 액정 표시장치 제조방법.
제 37 항, 제 40 항, 제 45 항, 제 51 항, 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 액정 표시장치는 디지털 스틸 카메라, 노트북형 퍼스널 컴퓨터, 모바일 컴퓨터, 기록 매체를 구비한 휴대용 화상 재생장치, 비디오 카메라, 휴대 전화기로 이루어진 군에서 선택된 전자 기기에 설치되는, 액정 표시장치 제조방법.
제 37 항, 제 40 항, 제 45 항, 제 51 항, 제 57 항 중 어느 한 항에 있어서,

상기 반사 전극이 차지하는 면적의 비율이 상기 투명성 도전막이 차지하는 면적의 50∼90%인, 액정 표시장치 제조방법.