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【００３１】
さらに図６のＣＭＯＳ装置３０では、前記ｐ型領域Ａにおいて前記ゲート電極３３Ａを自己整合マスクにｎ型不純物をイオン注入することにより、前記ゲート電極３３Ａの両側に、前記突出部３１Ａをも含んでｎ型拡散領域３１ａおよび３１ｂが形成される。同様に、前記ｎ型領域Ｂにおいても前記ゲート電極３３Ｂの両側に、前記突出部３１Ｂをも含んでｐ型拡散領域３１ｃおよび３１ｄが形成される。その結果、前記Ｓｉ基板３１上には前記領域ＡにｎチャネルＭＯＳトランジスタが、また前記領域ＢにｐチャネルＭＯＳトランジスタが形成される。
【００３２】
図６のＣＭＯＳ装置では、ｎチャネルＭＯＳトランジスタはゲート長ＬｇＡをまたｐチャネルＭＯＳトランジスタはゲート長ＬｇＢを有し、前記ゲート電極３３Ａは、Ｓｉ基板３１の平坦部を、前記突出部３１Ａのそれぞれの側において、ゲート幅Ｗ２Ａ／２で覆う。その結果、前記ゲート電極３３Ａの（１００）面上におけるゲート幅は、前記突出部３１Ａの頂部を含めて、Ｗ１Ａ＋Ｗ２Ａにより与えられる。これに対し、前記ゲート電極３３Ａの（１１０）面上におけるゲート幅ＷＡは両側壁面に形成されているので２ＨＡで与えられ、その結果、前記領域Ａに形成されるｎチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力は、式μ ｎ１ （Ｗ １Ａ ＋Ｗ ２Ａ ）＋２μ ｎ２ Ｈ Ａ により与えられる。ただしμ ｎ１ は、（１００）面における電子移動度を、μ ｎ２ は（１１０）面における電子移動度を表す。
【００３３】
同様に、前記領域Ｂに形成されるｐチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力は、式μ ｐ１ （Ｗ １Ａ ＋Ｗ ２Ａ ）＋２μ ｐ２ Ｈ Ｂ により与えられる。ただしμ ｐ１ は、（１００）面におけるホール移動度を、μ ｐ２ は（１１０）面におけるホール移動度を表す。
【００３４】
そこで、本実施例のＣＭＯＳ装置３０では、ｎチャネルＭＯＳトランジスタも側壁部が両側壁面に形成されているので、その電流駆動能力とｐチャネルＭＯＳトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように、前記突出部３１Ａ，３１Ｂの幅および高さを、式
μ ｎ１ （Ｗ １Ａ ＋Ｗ ２Ａ ）＋μ ｎ２ Ｗ Ａ ＝μ ｐ１ （Ｗ １Ａ ＋Ｗ ２Ａ ）＋μ ｐ２ Ｗ Ｂ
が満足されるように設定する。ただし、ここでＷＡ＝２ＨＡ，ＷＢ＝２ＨＢの関係を使った。
【００３５】
特にかかる構成では、前記突出部３１Ａ，３１Ｂの高さＨＡ，ＨＢを設定することにより、同一の素子面積でありながら、ｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタとの電流駆動能力を平衡させることが可能になる。
【００３７】
なお、以上の説明ではゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂをシリコン酸化膜としたが、図２の基板処理装置においてＡｒあるいはＫｒガスよりなる希ガスとＮＨ３ガス、あるいは前記希ガスとＮ２ガスとＨ２ガスの混合ガスプラズマを形成することにより、ゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂとしてシリコン窒化膜を形成することも可能である。さらにこれにＯ２ガスを添加することにより、前記ゲート絶縁膜３２Ａ，３２Ｂをシリコン酸窒化膜により形成することも可能である。この場合には、ｎチャネルＭＯＳトランジスタとｐチャネルＭＯＳトランジスタの代わりに、ｎチャネルＭＩＳトランジスタとｐチャネルＭＩＳトランジスタとが得られる。
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