JP2009141376A - 相補型mis装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板の(100)面上に他の結晶面を有する構造を形成し、かかる構造上にマイクロ波プラズマ処理により、高品質なゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成する。その際、pチャネルMOSトランジスタとnチャネルMOSトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。
【選択図】図6
Description
半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に第1のゲート絶縁膜を介して第1の結晶方位で形成された第1のゲート電極と、前記半導体装置基板中、前記第1のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のn型拡散領域とよりなるnチャネルMISトランジスタと、
前記半導体基板上に第2のゲート絶縁膜を介して第2の結晶方位で形成された第2のゲート電極と、前記半導体装置基板中、前記第2のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のp型拡散領域とよりなるpチャネルMISトランジスタとよりなり、
前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは共通接続され、
前記第2のp型拡散領域と前記第1のn型拡散領域とは共通接続され、
前記第1の結晶方位および前記第2の結晶方位は、前記pチャネルMISトランジスタの電流駆動能力と前記nチャネルMISトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように、前記第1の結晶方位および第2の結晶方位をそれぞれ設定し、その結果、第1の結晶方位と第2の結晶方位とのなす角度が180°以外の角度となるように各トランジスタを配置し、
前記pチャネルMISトランジスタと前記nチャネルMISトランジスタとは、同一の素子面積を有することを特徴とする相補型MIS装置により、解決する。
図2は、本発明でゲート絶縁膜の形成に使われるマイクロ波基板処理装置20の構成を示す。
[第1実施例]
図6,7は、本発明の第1実施例によるCMOS装置30の構成を示す。ただし図7は、図6の一部を取り出して示した図である。
μn1(W1A+W2A)+μn2WA=μp1(W1A+W2A)+μp2WB
が満足されるように設定する。ただし、ここでWA=2HA,WB=2HBの関係を使った。
[第2実施例]
図8は、本発明の第2実施例によるCMOS装置40の構成を示す。
[第3実施例]
図9は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した3入力NAND回路の構成を示す。
[第4実施例]
図10は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した3入力NOR回路の構成を示す。
[第5実施例]
図11は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した5入力NAND回路の構成を示す。
[第6実施例]
図12は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した5入力NOR回路の構成を示す。
[第7実施例]
図13は、本発明の第7実施例によるCMOSスイッチの構成を示す。
[第8実施例]
図15は、本発明の第8実施例によるpチャネルMOSトランジスタTr61とnチャネルMOSトランジスタTr62とを使ったB級プッシュプル増幅器の構成を示す。
12 nチャネルMOSトランジスタ
20 基板処理装置
21 処理容器
21A 排気ポート
22 マイクロ波窓
23 試料保持台
24 被処理基板
25 シャワープレート
26 RLSAアンテナ
27 同軸導波管
30,40 CMOS装置
31,41 Si基板
31A,31B 突出部
31C 素子分離構造
31a,31b,43A,44A n型拡散領域
31c,31d,43B,44B p型拡散領域
32A,32B ゲート絶縁膜
33A,33B,42A,42B ゲート電極
Claims (2)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に第1のゲート絶縁膜を介して第1の結晶方位で形成された第1のゲート電極と、前記半導体装置基板中、前記第1のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のn型拡散領域とよりなるnチャネルMISトランジスタと、
前記半導体基板上に第2のゲート絶縁膜を介して第2の結晶方位で形成された第2のゲート電極と、前記半導体装置基板中、前記第2のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のp型拡散領域とよりなるpチャネルMISトランジスタとよりなり、
前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは共通接続され、
前記第2のp型拡散領域と前記第1のn型拡散領域とは共通接続され、
前記第1の結晶方位および前記第2の結晶方位は、前記pチャネルMISトランジスタの電流駆動能力と前記nチャネルMISトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように、前記第1の結晶方位および第2の結晶方位をそれぞれ設定し、その結果、第1の結晶方位と第2の結晶方位とのなす角度が180°以外の角度となるように各トランジスタを配置し、
前記pチャネルMISトランジスタと前記nチャネルMISトランジスタとは、同一の素子面積を有することを特徴とする相補型MIS装置。 - 前記半導体基板は、シリコンの(111)面あるいは(110)面を主面とすることを特徴とする請求項6記載の相補型MIS装置。
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-
2009
- 2009-01-05 JP JP2009000368A patent/JP2009141376A/ja active Pending
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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