JP2013153176A - 相補型mis装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Si基板31の主面上に第1のゲート絶縁膜32Aを介して第1の結晶方位で形成された第1のゲート電極33Aと、前記Si基板上に第2のゲート絶縁膜32Bを介して第2の結晶方位で形成された第2のゲート電極33Bと、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは共通接続され、前記第1のゲート絶縁膜と前記第2のゲート絶縁膜とを、前記Si基板の(110)面あるいは(111)面上に、プラズマ酸化により形成する。
【選択図】図6
Description
図2は、本発明でゲート絶縁膜の形成に使われるマイクロ波基板処理装置20の構成を示す。
[第1実施例]
図6,7は、本発明の第1実施例によるCMOS装置30の構成を示す。ただし図7は、図6の一部を取り出して示した図である。
μn1(W1A+W2A)+μn2WA=μp1(W1A+W2A)+μp2WB
が満足されるように設定する。ただし、ここでWA=2HA,WB=2HBの関係を使った。
[第2実施例]
図8は、本発明の第2実施例によるCMOS装置40の構成を示す。
[第3実施例]
図9は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した3入力NAND回路の構成を示す。
[第4実施例]
図10は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した3入力NOR回路の構成を示す。
[第5実施例]
図11は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した5入力NAND回路の構成を示す。
[第6実施例]
図12は、先のいずれかの実施例によるCMOS回路を応用した5入力NOR回路の構成を示す。
[第7実施例]
図13は、本発明の第7実施例によるCMOSスイッチの構成を示す。
[第8実施例]
図15は、本発明の第8実施例によるpチャネルMOSトランジスタTr61とnチャネルMOSトランジスタTr62とを使ったB級プッシュプル増幅器の構成を示す。
12 nチャネルMOSトランジスタ
20 基板処理装置
21 処理容器
21A 排気ポート
22 マイクロ波窓
23 試料保持台
24 被処理基板
25 シャワープレート
26 RLSAアンテナ
27 同軸導波管
30,40 CMOS装置
31,41 Si基板
31A,31B 突出部
31C 素子分離構造
31a,31b,43A,44A n型拡散領域
31c,31d,43B,44B p型拡散領域
32A,32B ゲート絶縁膜
33A,33B,42A,42B ゲート電極
Claims (6)
- Si基板と、
前記Si基板の主面上に第1のゲート絶縁膜を介して第1の結晶方位で形成された第1のゲート電極と、前記Si基板中、前記第1のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のn型拡散領域とよりなるnチャネルMISトランジスタと、
前記Si基板上に第2のゲート絶縁膜を介して第2の結晶方位で形成された第2のゲート電極と、前記Si基板中、前記第2のゲート電極の一方の側および他方の側に形成された第1および第2のp型拡散領域とよりなるpチャネルMISトランジスタとよりなり、
前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とは共通接続され、
前記第2のp型拡散領域と前記第1のn型拡散領域とは共通接続され、
前記第1の結晶方位および前記第2の結晶方位は、前記pチャネルMISトランジスタの電流駆動能力と前記nチャネルMISトランジスタの電流駆動能力とが平衡するように、前記第1の結晶方位および第2の結晶方位をそれぞれ設定し、その結果、第1の結晶方位と第2の結晶方位とのなす角度が180°以外の角度となるように各トランジスタを配置し、
前記pチャネルMISトランジスタと前記nチャネルMISトランジスタとは、同一の素子面積を有する相補型MIS装置の製造方法であって、
前記第1のゲート絶縁膜と前記第2のゲート絶縁膜とを、前記Si基板の(110)面あるいは(111)面上に、プラズマ酸化により形成することを特徴とする相補型MIS装置の製造方法。 - 前記プラズマ酸化は、KrとO2の混合ガスを使って実行されることを特徴とする請求項1記載の相補型MIS装置の製造方法。
- 前記プラズマ酸化は、マイクロ波プラズマを用いたプラズマ処理装置により実行されることを特徴とする請求項1または2記載の相補型MIS装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理装置はラジアルラインスロットアンテナを備えることを特徴とする請求項3記載の相補型MIS装置の製造方法。
- 前記第1の結晶方位と前記第2の結晶方位とは、鋭角をなすことを特徴とする請求項1〜4のうち、いずれか一項記載の相補型MIS装置の製造方法。
- 前記pチャネルMISトランジスタは前記Si基板の前記(100)面上に形成された、両側壁面が(110)面で画成され上面が(100)面で画成された第1の突出部を含み、前記第1のゲート絶縁膜は前記第1の突出部の両側壁面上に形成されて前記上面を覆い、前記pチャネルMISトランジスタはさらに前記第1の突出部の前記両側壁面および前記上面を、前記第1のゲート絶縁膜を介して覆う第1のゲート電極を備えており、
前記nチャネルMISトランジスタは前記Si基板の前記(100)面上に形成された、両側壁面が(110)面で画成され上面が(100)面で画成された第2の突出部を含み、前記第2のゲート絶縁膜は前記第2の突出部の両側壁面上に形成されて前記上面を覆い、前記nチャネルMISトランジスタはさらに前記第2の突出部の前記両側壁面および前記上面を、前記第2のゲート絶縁膜を介して覆う第2のゲート電極を備えていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の相補型MIS装置の製造方法。
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Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139078B1 (ja) * | 1969-02-28 | 1976-10-26 | ||
JPS6220364A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03155165A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH03245573A (ja) * | 1989-12-02 | 1991-11-01 | Tadahiro Omi | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04256356A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-11 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0555493A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH05110083A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JPH0923011A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO1998033362A1 (fr) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Tadahiro Ohmi | Dispositif a plasma |
JP2001156059A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2001160555A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Tadahiro Omi | 111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法 |
JP2002118255A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002359293A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003188273A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Tadahiro Omi | 相補型mis装置 |
JP2009141376A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-06-25 | Tadahiro Omi | 相補型mis装置 |
-
2013
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5139078B1 (ja) * | 1969-02-28 | 1976-10-26 | ||
JPS6220364A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH03155165A (ja) * | 1989-11-14 | 1991-07-03 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH03245573A (ja) * | 1989-12-02 | 1991-11-01 | Tadahiro Omi | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH04256356A (ja) * | 1991-02-08 | 1992-09-11 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JPH0555493A (ja) * | 1991-08-26 | 1993-03-05 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置 |
JPH05110083A (ja) * | 1991-10-15 | 1993-04-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 電界効果トランジスタ |
JPH0923011A (ja) * | 1995-07-05 | 1997-01-21 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO1998033362A1 (fr) * | 1997-01-29 | 1998-07-30 | Tadahiro Ohmi | Dispositif a plasma |
JP2001156059A (ja) * | 1999-09-16 | 2001-06-08 | Matsushita Electronics Industry Corp | 絶縁膜の形成方法および半導体装置の製造方法 |
JP2001160555A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-06-12 | Tadahiro Omi | 111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法 |
JP2002118255A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002359293A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP2003188273A (ja) * | 2001-12-13 | 2003-07-04 | Tadahiro Omi | 相補型mis装置 |
JP2009141376A (ja) * | 2009-01-05 | 2009-06-25 | Tadahiro Omi | 相補型mis装置 |
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