JP2003122301A - 画像表示装置 - Google Patents

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清重 衣川
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Takeo Shiba
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Abstract

(57)【要約】 【課題】特に良好な動画表示特性を有し、かつまた画素
間での表示特性ばらつきが十分に小さい画像表示装置を
提供する。 【解決手段】 画素に入力されたアナログ表示信号を基
に発光手段を駆動する画像表示装置において、各画素に
おける発光駆動手段の一端に、発光手段の点灯ないし消
灯を制御するための発光制御スイッチを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高画質表示が可能な
画像表示装置に係り、特に良好な動画表示特性を有しか
つまた画素間での表示特性ばらつきが十分に小さい画像
表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に図２３および図２４を用いて、従
来の技術に関して説明する。
【０００３】図２３は従来の技術を用いた、poly-Si TF
T発光表示デバイスの画素構成図である。画素発光体と
しての有機発光ダイオード(OLED, Organic Light Emitt
ingDiode)素子207を有する画素210は、表示部にマトリ
クス状に配置されている。但し図２３では図面の簡略化
のため、単一の画素のみを記載している。画素210は選
択線211、データ線217、電源線218等を介して外部の駆
動回路に接続されている。各画素210においては、デー
タ線217は入力TFT 201を介してキャンセルコンデンサ20
2に接続されており、キャンセルコンデンサ202の他端は
駆動TFT 204のゲート、記憶コンデンサ203、AZスイッチ
205の一端に入力されている。記憶コンデンサ203の他端
と駆動TFT 204の一端は共通に電源線218に接続されてい
る。また駆動TFT 204とAZスイッチ205の他端とは、共通
にAZBスイッチ206の一端に接続され、AZBスイッチ206の
他端はOLED素子207を介して共通電源に接続されてい
る。なおここで、AZスイッチ205とAZBスイッチ206はTFT
で構成されており、これらのゲートはそれぞれAZ線215
とAZB線216に接続されている。以下、本従来例の動作を
図２４を用いて説明する。ここで図２４には、画素への
表示信号入力時におけるデータ217、AZスイッチ205、AZ
Bスイッチ206、入力TFT 201の駆動波形が示されてい
る。なお本画素はpチャネルのTFTで構成されているた
め、図２４の駆動波形は、上(高電圧側)がTFTのオフ、
下(低電圧側)がTFTのオンに対応する。
【０００４】始めに図に記載したタイミング（１）で
は、入力TFT 201がオン、AZスイッチ205がオン、AZBス
イッチ206がターンオフしている。これによってデータ
線217に入力されていたゼロレベルの信号電圧がキャン
セルコンデンサ202の一端に入力されると同時に、AZス
イッチ205がオンすることによってダイオード接続され
た駆動TFT 204のゲート・ソース間電圧は、（電源線218
の電圧＋Vth）にリセットされる。ここでVthは駆動TFT
204のしきい値電圧である。この動作によって、画素は
ゼロレベルの信号電圧が入力した場合に駆動TFT 204の
ゲートが丁度しきい値電圧になるように、オートゼロバ
イアスされたことになる。
【０００５】次に同図に記載したタイミング（２）で
は、AZスイッチ205がオフ、データ線217に所定のアナロ
グレベルの信号電圧が入力され、これによってキャンセ
ルコンデンサ202の一端には所定レベルの信号電圧が入
力される。この動作によって、駆動TFT 204のゲート電
圧は上記オートゼロバイアス条件時に比べて、信号の所
定レベルを加算した分だけ電圧が変化する。
【０００６】次に図に記載したタイミング（３）では、
入力TFT 201がオフ、AZBスイッチ206がオンする。これ
によって入力TFT 201のオンによって印加されていた所
定レベルの信号はキャンセルコンデンサ202に記憶され
る。この動作によって、駆動TFT204のゲートはしきい値
電圧から信号の所定レベルを加算した分だけ電圧が変化
した状態で固定され、更に駆動TFT 206によって駆動さ
れる信号電流が、入力した所定の信号電圧レベルに対応
した輝度でOLED素子207を発光させる。このような従来
技術に関しては、例えばDigest of Technical Papers,
SID98,pp.11-14等に詳しく記載されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、特
に良好な動画表示特性を有しかつまた画素間での表示特
性ばらつきが十分に小さい画像表示装置を提供するのは
困難であった。以下これに関して説明する。図２３、２
４を用いて説明した従来例は、キャンセルコンデンサ20
2とAZスイッチ205、AZBスイッチ206の導入によって、駆
動TFT 204のVthばらつきをキャンセルコンデンサ202の
両端電圧に吸収することによって、輝度むらの発生を軽
減したアナログ表示をOLED素子207において実現してい
る。しかしながら本従来例では、良好な動画表示特性を
実現することに関しては、何らの注意も払われていな
い。即ちOLED素子207の発光は、図２４のタイミング
（３）の前に記したAZBスイッチ216のオンから開始さ
れ、次のフィールドでタイミング（１）の前に入力TFT2
01がオンするまで、ほぼ１フィールドの期間継続され
る。しかしこのような画像の表示方法に対しては、視覚
特性上の残像効果によって連続する２フィールド分の画
像を人間は視覚的に重ね合せて検知してしまい、いわゆ
るコマ送りのような不自然な動画像となってしまう。ま
た前述のように上記従来例は駆動TFT 204のVthばらつき
をキャンセルすることができるが、実際には駆動TFT 20
4の特性ばらつきはVthばらつきに限らない。本従来例で
はOLED素子207の駆動電流は、駆動TFT 204の電流出力に
よって得られている。このことは例え駆動TFT 204のVth
ばらつきをキャンセルすることができたとしても、駆動
TFT 204に移動度のばらつき等に起因する電流駆動能力
のばらつきがあれば、同様に画素毎に利得ばらつき様の
輝度むらを生じてしまうことを意味している。一般にTF
Tは個々の素子間ばらつきが大きく、特に画素のように
多数のTFTをつくり込んだ場合は、各素子間のばらつき
を抑えることは非常に困難である。例えば低温poly-Si
TFTの場合、数十％単位で移動度のばらつきが生じてし
まうことが知られている。このため本従来例を持ってし
ても、このような画素間の表示特性ばらつきに起因する
輝度むらの発生を、十分に小さくすることは困難であっ
た。
【０００８】
【課題を解決するための手段】動画像がコマ送りのよう
な不自然な表示になってしまうという上記の課題は、発
光手段を有する複数の画素により構成された表示部と、
画素領域にアナログ表示信号を入力するための信号線
と、信号線を介して該画素に入力されたアナログ表示信
号を基に、上記発光手段を駆動するための発光駆動手段
を有する画像表示装置において、各画素における発光駆
動手段と発光手段との間に、発光手段の点灯ないし消灯
を制御するための発光制御スイッチ手段を設けることに
よって解決することができる。
【０００９】上記発光制御スイッチ手段によれば、１フ
ィールド内における発光手段の点灯時間を制御すること
で、隣接する２フィールド間に無発光期間を設けること
が可能である。適当な無発光期間を設けることにより、
人間の視覚特性上に存在していた残像効果はこの無発光
期間の間に十分に減衰してしまうため、前述のように連
続する２フィールド分の画像が視覚的にも重なることは
なく、なめらかな動画像として表示することができるか
らである。
【００１０】また画素間の表示特性ばらつきに起因する
輝度むらの発生を十分に小さくすることが困難であると
いう上記の課題は、発光手段を有する複数の画素により
構成された表示部と、画素領域にアナログ表示信号を入
力するための信号線と、信号線を介して該画素に入力さ
れたアナログ表示信号を基に、上記発光手段を駆動する
ための発光駆動手段を有する画像表示装置において、各
画素に設けられた発光駆動手段は電界効果トランジスタ
であり、信号線と該電界効果トランジスタのゲート電極
は少なくとも一個の容量手段を介して接続されており、
電界効果トランジスタのソースないしドレイン電極の一
端はスイッチを介して電源手段かつ他端は直接発光手段
に接続されるか、或いは電界効果トランジスタのソース
ないしドレイン電極の一端は電源手段かつ他端はスイッ
チを介して発光手段に接続されており、電界効果トラン
ジスタのゲートには、容量手段を介してアナログ表示信
号と実質上の三角波のいずれかが印加可能である構成を
設けることによって解決することができる。本構成によ
れば各画素の容量手段に書込まれたアナログ信号電圧の
値によって発光手段の点灯期間を時間的に制御して階調
表示を得ることができるため、発光手段の発光強度をア
ナログ的に制御して階調表示を得る上記従来例において
問題であった画素間の表示特性ばらつきを十分に小さく
することができるからである。
【００１１】
【発明の実施の形態】（第一の実施例）以下図１〜図３
を用いて、本発明の第一の実施例に関して説明する。始
めに図１を用いて、本実施例の全体構成に関して述べ
る。
【００１２】図１は本実施例であるOLED(Organic Light
Emitting Diode)表示パネルの構成図である。画素発光
体としてのOLED素子7を有する画素10が表示部にマトリ
クス状に配置され、画素10はリセット線15、信号線17、
点灯スイッチ線19等を介して表示部周辺に設けられた駆
動回路に接続されている。リセット線15はゲート駆動回
路22の走査出力に、信号線17は信号入力スイッチ23及び
三角波入力スイッチ26を介してそれぞれ信号駆動回路21
及び三角波入力線27に接続されている。信号駆動回路21
にはアナログ電圧信号を入力する信号入力線28が接続さ
れている。この信号駆動回路21の構成は、既に一般に良
く知られているシフトレジスタとアナログスイッチで構
成されるアナログ信号電圧分配回路であるので、ここで
はその詳細は省略する。ここで信号入力スイッチ23は信
号選択線24によって、また三角波入力スイッチ26は信号
選択線24のインバータ回路30の出力である反転信号選択
線25によって二者択一的に制御される。また点灯スイッ
チ線19は点灯スイッチORゲート31から出力されており、
点灯スイッチORゲート31にはゲート駆動回路22の走査出
力及び点灯制御線32が入力している。このゲート駆動回
路22の構成は、一般に良く知られているシフトレジスタ
回路であるため、ここではその詳細な説明は省略する。
なおここで画素10、ゲート駆動回路22、信号駆動回路21
等の図１に示された各回路は全て、一般に良く知られて
いる低温多結晶Si TFTを用いてガラス基板上に構成され
ている。また各画素10においては、信号線17は画素容量
2を介してｐチャネルMOSトランジスタであるOLED駆動TF
T 4のゲートに入力されており、OLED駆動TFT 4のソース
は電源線18に、OLED駆動TFT 4のドレインは点灯スイッ
チ線19で制御される点灯TFTスイッチ9を介してOLED素子
7の一端に接続されている。なおOLED素子7の他端は共通
接地されている。更にOLED駆動TFT 4のゲートとドレイ
ンの間には、リセット線15で制御されるリセットTFTス
イッチ5が設けられている。
【００１３】次に本実施例の動作を、図２及び図３を用
いて説明する。
【００１４】図２は本実施例の１フレーム期間内におけ
る、点灯制御線32及び信号選択線24の動作波形図であ
る。本実施例では1/60秒に予め設定されている１フレー
ム期間は、前半の「書込み期間」と後半の「点灯期間」
に分割されている。この分割比率は、例えば「書込み期
間」と「点灯期間」で50％づつである。点灯制御線32は
「書込み期間」ではオフしているが、「点灯期間」には
オンすることによって点灯スイッチ線19を介して全画素
の点灯TFTスイッチ9を一斉にオン状態に固定する。また
信号選択線24は「書込み期間」ではオン「点灯期間」に
はオフすることによって、信号入力スイッチ23を「書込
み期間」ではオン「点灯期間」にはオフ、三角波入力ス
イッチ26を「書込み期間」ではオフ「点灯期間」にはオ
ンさせる。これによって信号線17には、「書込み期間」
には信号駆動回路21を介してアナログ信号電圧が書込ま
れ、「点灯期間」には三角波入力線27を介して三角波電
圧が書込まれる。
【００１５】図３は各画素におけるリセットTFTスイッ
チ5、点灯TFTスイッチ9の駆動及び信号線17上のデータ
入力の様子を、上記「１．書込み期間」及び「２．点灯
期間」に分けて示したものである。
【００１６】１フレームの前半の「書込み期間」におい
ては、ゲート駆動回路22が各画素行を順次走査し、これ
と同期して信号駆動回路21よりアナログ信号電圧が信号
データとして信号線17に書込まれる。具体的にはまずゲ
ート駆動回路22によって選択されたｎ行目の画素におい
ては、始めに点灯TFTスイッチ9、続いてリセットTFTス
イッチ5がオンする。ここで両スイッチがオンすること
によってOLED駆動TFT 4はゲートとドレインが同電位の
ダイオード接続となるため、電源線18に予め所定の電圧
を印加しておくことにより、OLED駆動TFT 4とOLED素子7
は導通状態になる。次に点灯TFTスイッチ9がオフする
と、OLED駆動TFT 4とOLED素子7は強制的に電流オフ状態
になるが、このときOLED駆動TFT 4のゲートとドレイン
はリセットTFTスイッチ5で短絡されているため、画素容
量 2の一端でもあるOLED駆動TFT 4のゲート電圧は、電
源線18の電圧よりしきい値電圧（Vth）だけ低い電圧に
自動的にリセットされる。なおこのとき画素容量2の他
端には、信号線17データとしてアナログ信号電圧が入力
している。次にリセットTFTスイッチ5がオフすると、画
素容量2の両端の電位差はこのまま画素容量2に記憶され
る。即ち画素容量2の信号線17側にここで書込まれた上
記アナログ信号電圧と等しい電圧が入力した際には、OL
ED駆動TFT4のゲート電圧は電源線18の電圧よりしきい値
電圧（Vth）だけ低い電圧に強制的に設定されることに
なる。このとき画素容量2の信号線17側に入力する電圧
値が上記アナログ信号電圧よりも高ければOLED駆動TFT4
はオフ状態であり、画素容量2の信号線17側に入力する
電圧値が上記アナログ信号電圧よりも低ければOLED駆動
TFT4はオン状態であることは明らかである。但し他の行
の画素を走査している期間は、当該画素の点灯TFTスイ
ッチ9は常時オフ状態であるから、信号線17データ電圧
の高低にかかわらずOLED素子7が点灯することはない。
さてアナログ信号電圧の画素への書込みはこのように行
毎に順次行われ、全ての画素への書込みが終了した時点
で１フレームの前半の「書込み期間」は終了する。
【００１７】次に１フレームの後半の「点灯期間」にお
いてはゲート駆動回路22は停止しており、点灯制御線32
が点灯スイッチORゲート31と点灯スイッチ線19を介し
て、全画素の点灯TFTスイッチ9を一斉にオンさせる。こ
のとき信号線17には信号線データとして、三角波入力線
27から三角波入力スイッチ26を介し、図３に示すような
三角波が入力される。前述したように各画素容量2は、
信号線17の電圧が予め書込まれたアナログ信号電圧より
高いか低いかによって、OLED駆動TFT4がオンかオフする
ようにリセットされている。ここで「点灯期間」におい
ては上記のように点灯TFTスイッチ9は常時オン状態にあ
るため、各画素のOLED素子7は予め書込まれたアナログ
信号電圧と信号線17に印加される上記三角波の電圧関係
によって、OLED駆動TFT4により駆動される。このときOL
ED駆動TFT4の電流駆動能力である相互コンダクタンス
（gm）が十分に大きければ、OLED素子７は点灯／消灯と
デジタル的に駆動されると見なすことができる。即ちOL
ED素子7は予め書込まれたアナログ信号電圧値に依存し
た期間だけ、ほぼ一定の輝度で連続点灯し、この発光時
間の変調は、視覚的には多階調の発光として認められ
る。このことは例えOLED駆動TFTの特性がばらついたと
しても、基本的に何らの影響も受けることはない。ここ
で図３に示した三角波波形の振幅は、アナログ信号電圧
の信号振幅とほぼ一致させることが望ましい。なお上記
三角波の波形は、本発明の主旨を逸脱しない範囲で様々
な変更が可能である。本実施例においては発光の時間軸
重心が発光階調に依存しないように左右対象の三角波と
したが、非対称の三角波や、ガンマ特性変調に相当する
非直線の三角波、複数の三角波などを用いてそれぞれ異
なる視覚特性を得ることも可能である。以上の本実施例
によれば、１フィールド内における発光手段の点灯時間
を「点灯期間」のみに制御することで、隣接する２フィ
ールド間に無発光期間を設けることが可能である。本実
施例はこれによりなめらかな動画像表示を可能としてい
る。また本実施例によれば各画素の容量手段に書込まれ
たアナログ信号電圧の値によって発光手段の点灯期間を
時間的にばらつきなく制御して階調表示を得ることがで
きるため、画素間の表示特性ばらつきを十分に小さくす
ることができる。さて以上に述べた本実施例において
は、本発明の主旨を損なわない範囲でいくつもの変更が
可能である。例えば本実施例ではTFT基板としてガラス
基板を用いたが、これを石英基板や透明プラスチック基
板等の他の透明絶縁基板に変更することも可能である
し、またOLED素子7の発光を上面に取り出すようにすれ
ば、不透明基板を用いることも可能である。或いは各TF
Tスイッチに関しても、本実施例では構成が簡単な単チ
ャネルのアナログスイッチを用いたが、これらのアナロ
グスイッチを例えばCMOS構成にすることも可能である。
また本実施例の説明においては、画素数やパネルサイ
ズ等に関しては敢えて言及していない。これは本発明が
特にこれらのスペックないしフォーマットに制限される
ものではないためである。また今回は表示信号電圧をア
ナログ電圧としたが、これを例えば64階調（6bit）のデ
ィスクリートな階調電圧とすることも容易であり、或い
は信号電圧階調数も特に特定の値に制限されるものでは
ない。またこのときは三角波の形状も、信号電圧階調に
合せてディスクリートにすることができる。またOLED素
子7における共通端子の電圧を接地電圧としているが、
この電圧値も所定の条件の下で変更可能であることは言
うまでもない。
【００１８】また本実施例ではゲート駆動回路22、信号
駆動回路21等からなる周辺駆動回路は、低温多結晶Si T
FT回路で構成している。しかしながらこれらの周辺駆動
回路あるいはその一部分を単結晶ＬＳＩ(Large Scale I
ntegrated circuit)回路で構成して実装することも、本
発明の範囲内で可能である。
【００１９】本実施例では、発光手段としてOLED素子7
を用いることとした。しかしこれに代えてその他の無機
ダイオードや蛍光体を含む一般の発光手段を用いても、
本発明を実現することが可能であることは明らかであ
る。
【００２０】なおOLED素子7を赤、緑、青の３種類の色
毎に作り分けてカラー化を実現する場合には、色バラン
スを取るために各OLED素子7の面積や、駆動電圧条件を
変化させることが好ましい。ここで駆動電圧条件を変化
させる場合、本実施例においては電源線18の印加電圧を
色毎に変化させて調整することができる。この場合、配
線の簡略化の観点からは、特に３色はストライプ配置す
ることが望ましい。また本実施例で各OLED素子7の共通
端子電圧を接地電圧としたことに対しても、OLED素子7
の共通端子を赤、緑、青の３種類の色毎に作り分け、そ
れぞれ適当な電圧で駆動することも可能である。更にこ
の駆動電圧を表示条件や表示の絵柄等によって適当に調
整することで、色温度補正機能を実現することも可能で
ある。
【００２１】また本実施例においては「書込み期間」と
「点灯期間」の時間比率を約50％づつとしたが、この比
率もそれぞれの条件に応じて変更が可能である。例えば
「点灯期間」を短くすれば動画の動きはより良好になる
が、その分画面は暗くなり易い。これらの点を考慮し
て、例えば「点灯期間」は70％、30％、10％等に適宜設
定すれば良い。以上の種々の変更等は、本実施例に限ら
ず以下のその他の実施例においても、基本的に同様に適
用可能である。 （第二の実施例）以下図4、５を用いて、本発明の第二
の実施例に関して説明する。図４は本第二の実施例にお
ける画素40の構成図である。本実施例の全体構成及び動
作は、リセットTFTスイッチ41及び点灯TFTスイッチ42が
pMOSトランジスタで構成されていることを除けば、基本
的に第一の実施例のそれと同一である。従ってここでは
全体構成及びその動作の記載は省略し、本実施例の特徴
であるリセットTFTスイッチ41及び点灯TFTスイッチ42に
関して以下説明する。図５（ａ）は上記リセットTFTス
イッチ41の断面構造図、図５（ｂ）はOLED駆動TFT 4及
び点灯TFTスイッチ42の断面構造図である。第一の実施
例で述べたように、いずれのTFTとも低温poly-Si TFTプ
ロセスで形成されたものであり、ガラス基板50上にバッ
ファ膜49を介して形成されたｉ（不純物非導入）型poly
-Si薄膜53にドレインまたはソース電極となるｐ+（高濃
度ｐ型）領域51,55を形成し、ゲート絶縁膜48を介して
ゲート電極46を設けたものである。またゲート電極、ド
レインまたはソース電極にはそれぞれ端子43,44,45を接
続してある。但しここで図５（ａ）に示したリセットTF
Tスイッチ41と、図５（ｂ）に示したOLED駆動TFT 4及び
点灯TFTスイッチ42の違いは、前者はゲート近傍のpoly-
Si薄膜53にｐ−（低濃度ｐ型）領域52,54を形成した、
いわゆるLDD（Lightly Doped Drain）トランジスタ構造
を採用していることである。これはリセットTFTスイッ
チ41は画素容量2に蓄えられた信号に対応した電荷を保
持する必要があるために、十分にオフ電流が低い必要が
ある半面、OLED駆動TFT 4はOLED素子7のオンオフ動作を
急峻に行うために相互コンダクタンス(gm)を大きくする
ため、点灯TFTスイッチ42はOLED素子7駆動電流に対する
寄生抵抗に起因する電圧降下のばらつきを見えなくする
ために敢えてLDD構造は採用していない。LDDトランジス
タは、オフ時のリーク電流をより小さくできるという長
所があるが、オン時の寄生抵抗が大きくなり、等価的に
相互コンダクタンス(gm)が低下するというトレードオフ
を有するためである。本実施例では上記のように画素40
がｐMOSトランジスタのみで構成されているため、画素
部のレイアウトが簡略化でき、高解像度化や高歩留り化
を図ることができるという長所がある。更に必要に応じ
てLSI実装回路を用いることなどで画素周辺回路を構成
するTFTも全てpMOSトランジスタで構成すれば、nMOSのT
FTを形成しないことでプロセスの簡略化を図ることがで
き、より低価格化を図ることができる。但し本実施例で
はリセットTFTスイッチ41及び点灯TFTスイッチ42がpMOS
トランジスタであるため、両スイッチの駆動波形の正負
の向きは第一の実施例のそれとは逆になることには注意
が必要である。 （第三の実施例）以下図６を用いて、本発明の第三の実
施例に関して説明する。図６は本第三の実施例における
画素59の構成図である。本実施例の全体構成及び動作
は、OLED駆動TFT60がnMOSトランジスタで構成されてい
ること及びOLED素子61のカソードとアノードが逆向きに
構成されていることを除けば、基本的に第一の実施例の
それと同一である。従ってここでは全体構成及びその動
作の記載は省略し、本実施例の特徴であるOLED駆動TFT6
0及びOLED素子61に関して以下説明する。OLED素子61の
対向電極62には電源線18よりも高い電圧が印加されてい
るため、OLED駆動TFT60はソース側が電源線18に接続さ
れていることに関しては第一の実施例と同様の回路接続
になっている。但しOLED駆動TFT60はnMOSトランジスタ
であるため、アナログ信号電圧と三角波との上下関係は
逆になり、三角波が予め書き込まれていたアナログ信号
電圧よりも高電圧の時にOLED駆動TFT60はオンし、三角
波が予め書き込まれていたアナログ信号電圧よりも低電
圧の時にOLED駆動TFT60はオフする。従ってアナログ信
号電圧の白黒の関係は反転するが、それ以外においては
第一の実施例と同様である。本実施例では画素59がｎMO
Sトランジスタのみで構成されているため、画素部のレ
イアウト簡略化でき、高解像度化や高歩留り化を図るこ
とができるという長所がある。更に必要に応じてLSI実
装回路を用いることなどで画素周辺回路を構成するTFT
も全てｎMOSトランジスタで構成すれば、ｐMOSのTFTを
形成しないことでプロセスの簡略化を図ることができ、
より低価格化を図ることができる。 （第四の実施例）以下図７を用いて、本発明の第四の実
施例に関して説明する。図７は本第四の実施例における
画素66の構成図である。本実施例の全体構成及び動作
は、OLED駆動TFT63がnMOSトランジスタで構成され、こ
れに伴ってリセットTFTスイッチ64及び点灯TFTスイッチ
65の位置が変更されていることを除けば、基本的に第一
の実施例のそれと同一である。従ってここでは全体構成
及びその動作の記載は省略し、本実施例の特徴であるOL
ED駆動TFT63、TFTスイッチ64及び点灯TFTスイッチ65に
関して以下説明する。OLED駆動TFT63はnMOSトランジス
タであるため、OLED素子7に接続する方がソース側にな
る。従って点灯TFTスイッチ65はOLED駆動TFT63と電源線
18の間に設けられ、リセットTFTスイッチ64も図７に示
したようにOLED素子7のない方のドレイン側に接続され
る。本実施例の場合は以上のように画素の構成は変わっ
てくるが、基本的な動作は第三の実施例と同じであり、
その長所も第三の実施例同様である。但し本実施例では
OLED素子7がOLED駆動TFT63のソース抵抗として作用して
しまうため、他の実施例と比較すると、OLED駆動TFT63
の特性ばらつきは見えやすくなる方向である。 （第五の実施例）以下図８及び図９を用いて、本発明の
第五の実施例に関して説明する。
【００２２】図８は本実施例であるOLED(Organic Light
Emitting Diode)表示パネルの構成図である。本実施例
の構成及び動作は、信号線17の上下に設けられていた信
号入力スイッチ23、信号駆動回路21、三角波入力スイッ
チ26及び三角波入力線27がなく、これらに変えてデジタ
ル信号入力線71を有する6bit-DA変換回路70が設けられ
ていることを除けば、基本的に第一の実施例のそれと同
一である。従ってここでも全体の構成及びその動作の記
載は省略し、本実施例の特徴であるDA変換回路70を中心
に以下に説明する。
【００２３】図９は本実施例の１フレーム期間内におけ
る、点灯制御線32及びデジタル信号入力線71の動作波形
図である。本実施例では1/60秒に予め設定されている１
フレーム期間は、前半の「書込み期間」と後半の「点灯
期間」に分割されている。点灯制御線32は「書込み期
間」ではオフしているが、「点灯期間」にはオンするこ
とによって点灯スイッチ線19を介して全画素の点灯TFT
スイッチ9を一斉にオン状態に固定する。またデジタル
信号入力線71には「書込み期間」にはデジタル画像デー
タ、「点灯期間」には三角波データが入力する。これに
よって信号線17上にはDA変換回路70を介して、「書込み
期間」にはアナログ信号電圧が出力され、「点灯期間」
には三角波電圧が出力される。即ち本実施例においては
DA変換回路70を用いることによって、デジタル入力を可
能にしているほか、信号入力スイッチ23及び三角波入力
スイッチ26の切替え操作等を不用にすることで、OLED表
示パネルの駆動信号の簡素化も実現している。本実施例
においては、DA変換回路70も低温poly-Si TFTを用いて
ガラス基板上に一体形成することで低コスト化を図って
いるが、上記DA変換回路70はLSIを実装することで実現
することも可能である。後者の場合はLSIの部品や実装
コストが必要になる一方、より高性能な8bit-DA変換回
路等も容易に実現することができる。 （第六の実施例）以下図１０〜図１２を用いて、本発明
の第六の実施例に関して説明する。始めに図１０を用い
て、本実施例の全体構成に関して述べる。
【００２４】図１０は本実施例であるOLED(Organic Lig
ht Emitting Diode)表示パネルの構成図である。画素発
光体としてのOLED素子7を有する画素70が表示部にマト
リクス状に配置され、画素70はリセット線78、信号線7
7、点灯スイッチ線79、入力スイッチ線83等を介して表
示部周辺に設けられた駆動回路に接続されている。リセ
ット線78及び入力スイッチ線83はゲート駆動回路82の走
査出力に、信号線77は信号駆動回路81に接続されてお
り、信号駆動回路81にはアナログ電圧信号を入力する信
号入力線28が接続されている。この信号駆動回路81の構
成は、一般に良く知られているシフトレジスタとアナロ
グスイッチで構成されるアナログ信号電圧分配回路であ
るので、ここではその詳細は省略する。また点灯スイッ
チ線79は点灯スイッチORゲート80から出力されており、
点灯スイッチORゲート80にはゲート駆動回路82の走査出
力及び点灯制御線32が入力している。このゲート駆動回
路82の構成は、一般に良く知られているシフトレジスタ
回路であるため、ここではその詳細な説明は省略する。
なおここで画素70、ゲート駆動回路82、信号駆動回路81
等の図１０に示された各回路は全て、一般に良く知られ
ている低温多結晶Si TFTを用いてガラス基板上に構成さ
れている。また各画素70においては、信号線77は入力ス
イッチ線83で制御される入力TFTスイッチ71と画素容量7
2を介してｐチャネルMOSトランジスタであるOLED駆動TF
T 74のゲートに入力されており、OLED駆動TFT 74のソー
スは電源線18に、OLED駆動TFT 74のドレインは点灯スイ
ッチ線79で制御される点灯TFTスイッチ76を介してOLED
素子7の一端に接続されている。なおOLED素子7の他端は
共通接地されている。更にOLED駆動TFT 74のゲートとド
レインの間には、リセット線78で制御されるリセットTF
Tスイッチ75が設けられ、OLED駆動TFT 74のゲートとソ
ースの間には保持容量73が設けられている。
【００２５】次に本実施例の動作を、図１１及び図１２
を用いて説明する。
【００２６】図１１は本実施例の１フレーム期間内にお
ける、点灯制御線32の動作波形図である。本実施例では
1/60秒に予め設定されている１フレーム期間は、前半の
「書込み期間」と、後半の「休止期間」及びそれに続く
「点灯期間」に分割されている。点灯制御線32は「書込
み期間」及び「休止期間」ではオフしているが、「点灯
期間」にはオンすることによって点灯スイッチ線79を介
して全画素の点灯TFTスイッチ76を一斉にオン状態に固
定する。また「書込み期間」にはゲート駆動回路82によ
りリセット線78、点灯スイッチ線79及び入力スイッチ線
83が走査されると共に信号線77にはアナログ信号電圧が
順次入力され、「休止期間」及び「点灯期間」にはゲー
ト駆動回路22は休止すると共に信号線77への信号入力も
休止する。
【００２７】図１２は各画素におけるリセットTFTスイ
ッチ75、点灯TFTスイッチ76、入力TFTスイッチ71の駆動
及び信号線77上のデータ入力の様子を、「１．書込み期
間」及び「２．休止期間及び点灯期間」に分けて示した
ものである。
【００２８】１フレームの前半の「書込み期間」におい
ては、ゲート駆動回路82が各画素行を順次走査し、これ
と同期して信号駆動回路81よりアナログ信号電圧が信号
データとして信号線77に書込まれる。具体的にはゲート
駆動回路82によって選択されたｎ行目の画素において、
始めに点灯TFTスイッチ76及び入力TFTスイッチ71、続い
てリセットTFTスイッチ75がオンする。これらのスイッ
チがオンすることによってOLED駆動TFT 74はゲートとド
レインが同電位のダイオード接続となるため、電源線18
に予め所定の電圧を印加しておくことにより、OLED駆動
TFT 74とOLED素子7は導通状態になる。次に点灯TFTスイ
ッチ76がオフすると（タイミング（１））、OLED駆動TF
T 74とOLED素子7は強制的に電流オフ状態になるが、こ
のときOLED駆動TFT 74のゲートとドレインはリセットTF
Tスイッチ75で短絡されているため、画素容量 72の一端
でもあるOLED駆動TFT 74のゲート電圧は、電源線18の電
圧よりしきい値電圧（Vth）だけ低い電圧に自動的にリ
セットされる。なおこのとき画素容量72の他端には、入
力TFTスイッチ71を介して信号線77データとしてゼロ
（基準）レベルのアナログ信号電圧が入力している。
【００２９】次にリセットTFTスイッチ75がオフする
と、画素容量72の両端の電位差はこのまま画素容量72に
記憶される。次いで信号線77データとして所定のアナロ
グ信号電圧が印加されると（タイミング（２））、画素
容量72の両端の電圧はゼロ（基準）レベルのアナログ信
号電圧と上記アナログ信号電圧の電圧差に相当する分だ
けシフトし、OLED駆動TFT 74のゲートにも先のリセット
電圧より上記電圧差に相当する分だけシフトした電圧が
印加され、この電圧は保持容量73によって保持される。
この後入力TFTスイッチ71がオフし、信号線77データが
ゼロ（基準）レベルに戻って（タイミング（３））ｎ行
目の画素行への信号書き込みが完了する。なおこの後、
他の行の画素を走査している期間は、当該画素の点灯TF
Tスイッチ76は常時オフ状態であるから、OLED駆動TFT 7
4のゲートに書き込まれたアナログ信号電圧のレベルに
かかわらずOLED素子7が点灯することはない。アナログ
信号電圧の画素への書込みはこのように行毎に順次行わ
れ、全ての画素への書込みが終了した時点で１フレーム
の前半の「書込み期間」は終了する。
【００３０】次いで１フレームの後半においてはゲート
駆動回路82は停止する。「休止期間」においては図１２
に示した各スイッチはいずれもオフしており、特に画素
の状態が変化することはない。続く「点灯期間」では点
灯制御線32が点灯スイッチORゲート80と点灯スイッチ線
79を介して、全画素の点灯TFTスイッチ76を一斉にオン
させる。このとき前述したようにOLED駆動TFT 74のゲー
トには各画素に書き込まれたアナログ信号電圧に対応し
た電圧が印加されているため、これに応じた信号電流が
各画素のOLED素子7に流れて階調発光を行う。このときO
LED駆動TFT4のしきい値電圧（Vth）のばらつきはキャン
セルされる。以上の本実施例によれば、１フィールド内
における発光手段の点灯時間を「点灯期間」のみに制御
することで、隣接する２フィールド間に無発光期間を設
けることが可能である。本実施例はこれによりなめらか
な動画像表示を可能としている。また新たに「休止期
間」を設けたことによって、ゲート駆動回路82のクロッ
ク周波数を一定に保ったままで容易に「点灯期間」を可
変にすることができる。本実施例では点灯制御線32のタ
イミング信号を調整するだけで、動画の視覚特性や視覚
上の表示輝度を簡単に変更することが可能である。 （第七の実施例）以下図１３〜図１４を用いて、本発明
の第七の実施例に関して説明する。始めに図１３を用い
て、本実施例の全体構成に関して述べる。
【００３１】図１３は本実施例であるOLED(Organic Lig
ht Emitting Diode)表示パネルの構成図である。画素発
光体としてのOLED素子7を有する画素90が表示部にマト
リクス状に配置され、画素90は信号線97、点灯スイッチ
線99、入力スイッチ線103等を介して表示部周辺に設け
られた駆動回路に接続されている。入力スイッチ線103
はゲート駆動回路102の走査出力に、信号線97は信号駆
動回路101に接続されており、信号駆動回路101にはアナ
ログ電圧信号を入力する信号入力線28が接続されてい
る。この信号駆動回路101の構成は、一般に良く知られ
ているシフトレジスタとアナログスイッチで構成される
アナログ信号電圧分配回路であるので、ここではその詳
細は省略する。また点灯スイッチ線99は点灯スイッチOR
ゲート100から出力されており、点灯スイッチORゲート1
00にはゲート駆動回路102の走査出力及び点灯制御線32
が入力している。このゲート駆動回路102の構成は、一
般に良く知られているシフトレジスタ回路であるため、
ここではその詳細な説明は省略する。なおここで画素9
0、ゲート駆動回路102、信号駆動回路101等の図１３に
示された各回路は全て、一般に良く知られている低温多
結晶Si TFTを用いてガラス基板上に構成されている。ま
た各画素90においては、信号線97は入力スイッチ線103
で制御される入力TFTスイッチ91を介してｐチャネルMOS
トランジスタであるOLED駆動TFT 94のゲートに入力され
ており、OLED駆動TFT 94のソースは電源線18に、OLED駆
動TFT 94のドレインは点灯スイッチ線99で制御される点
灯TFTスイッチ96を介してOLED素子7の一端に接続されて
いる。なおOLED素子7の他端は共通接地されている。更
にOLED駆動TFT 94のゲートとソースの間には保持容量93
が設けられている。
【００３２】次に本実施例の動作を、図１4を用いて説
明する。
【００３３】図１４各画素における点灯TFTスイッチ9
6、入力TFTスイッチ91の駆動及び信号線97上のデータ入
力の様子を、「１．書込み期間」及び「２．点灯期間」
に分けて示したものである。
【００３４】１フレームの前半の「書込み期間」におい
ては、ゲート駆動回路102が各画素行を順次走査し、こ
れと同期して信号駆動回路101よりアナログ信号電圧が
信号データとして信号線97に書込まれる。具体的にはゲ
ート駆動回路102によって選択されたｎ行目の画素にお
いて、点灯TFTスイッチ96及び入力TFTスイッチ91がオン
し、信号線97データとしてアナログ信号電圧が印加され
る。ここで電源線18に予め所定の電圧を印加しておくこ
とにより、OLED駆動TFT 94とOLED素子7は導通状態とな
り、上記アナログ信号電圧に対応する輝度でOLED素子7
は発光する。次に入力TFTスイッチ91がオフするとこの
ときのアナログ信号電圧は保持容量93に記憶され、次い
で点灯TFTスイッチ96のオフによってOLED素子7の発光は
すぐに停止する。なおこの後、他の行の画素を走査して
いる期間は、当該画素の点灯TFTスイッチ96は常時オフ
状態であるから、OLED駆動TFT 94のゲートに書き込まれ
たアナログ信号電圧のレベルにかかわらずOLED素子7が
点灯することはない。アナログ信号電圧の画素への書込
みはこのように行毎に順次行われ、全ての画素への書込
みが終了した時点で１フレームの前半の「書込み期間」
は終了する。
【００３５】次いで１フレーム後半の「点灯期間」にお
いては、ゲート駆動回路82は停止し、点灯制御線32が点
灯スイッチORゲート100と点灯スイッチ線99を介して、
全画素の点灯TFTスイッチ96を一斉にオンさせる。この
とき前述したようにOLED駆動TFT 94のゲートには各画素
に書き込まれたアナログ信号電圧が記憶されているた
め、これに応じた信号電流が各画素のOLED素子7に流れ
て階調発光を行う。
【００３６】以上の本実施例によれば、１フィールド内
における発光手段の点灯時間を「点灯期間」のみに制御
することで、隣接する２フィールド間に無発光期間を設
けることが可能である。本実施例はこれによりなめらか
な動画像表示を可能としている。 （第八の実施例）以下図１５〜図１６を用いて、本発明
の第八の実施例に関して説明する。始めに図１５を用い
て、本実施例の全体構成に関して述べる。
【００３７】図１５は本実施例であるOLED(Organic Lig
ht Emitting Diode)表示パネルの構成図である。画素発
光体としてのOLED素子7を有する画素110が表示部にマト
リクス状に配置され、画素110はリセット線118、信号線
117、点灯スイッチ線119、入力スイッチ線123等を介し
て表示部周辺に設けられた駆動回路に接続されている。
リセット線118及び入力スイッチ線123はゲート駆動回路
122の走査出力に、信号線117は電流出力DA変換回路121
に接続されており、電流出力DA変換回路121にはデジタ
ル信号を入力するデジタル信号入力線29が接続されてい
る。この電流出力DA変換回路121は、出力が階調電流で
あること以外は、一般の電圧出力DA変換回路と同様な構
成である。また点灯スイッチ線119は全画素で共通に接
続されている。ゲート駆動回路122の構成は、一般に良
く知られているシフトレジスタ回路であるため、ここで
はその詳細な説明は省略する。なおここで画素110、ゲ
ート駆動回路122、電流出力DA変換回路121等の図１５に
示された各回路は全て、一般に良く知られている低温多
結晶Si TFTを用いてガラス基板上に構成されている。ま
た各画素110においては、信号線117は入力スイッチ線12
3で制御される入力TFTスイッチ111を介してｐチャネルM
OSトランジスタであるOLED駆動TFT 114のドレインに入
力されており、OLED駆動TFT 114のソースは電源線18に
接続されている。またOLED駆動TFT 114のドレインは点
灯スイッチ線119で制御される点灯TFTスイッチ116を介
してOLED素子7の一端に接続されている。なおOLED素子7
の他端は共通接地されている。更にOLED駆動TFT 114の
ゲートとドレインの間には、リセット線118で制御され
るリセットTFTスイッチ115が設けられ、OLED駆動TFT 11
4のゲートとソースの間には保持容量113が設けられてい
る。
【００３８】次に本実施例の動作を、図１６を用いて説
明する。
【００３９】図１６は各画素におけるリセットTFTスイ
ッチ115、点灯TFTスイッチ116、入力TFTスイッチ111の
駆動及び信号線117上におけるデータ入力の様子を、
「１．書込み期間」及び「２．点灯期間」に分けて示し
たものである。
【００４０】１フレームの前半の「書込み期間」におい
ては、ゲート駆動回路122が各画素行を順次走査し、こ
れと同期して電流出力ＤＡ変換回路121よりアナログ信
号電流が信号データとして信号線117に書込まれる。具
体的にはゲート駆動回路122によって選択されたｎ行目
の画素において、入力TFTスイッチ111及びリセットTFT
スイッチ115がオンする。これらのスイッチがオンする
ことによってOLED駆動TFT114はゲートとドレインが同電
位のダイオード接続となるり、信号線117からOLED駆動T
FT 114を経由して電源線18へと上記のアナログ信号電流
が流れる。このときOLED駆動TFT 114のソース／ドレイ
ン間には、上記アナログ信号電流に対応するゲート電圧
が生じることになり、次にリセットTFTスイッチ115がオ
フする際にこのアナログ信号電流に対応するゲート電圧
が保持容量113に記憶される。この後信号線117上のアナ
ログ信号電流及び入力TFTスイッチ111がオフすることで
ｎ行目の画素行への信号書き込みが完了する。なお本実
施例においては上記「書込み期間」の間常に点灯TFTス
イッチ116はオフであるため、保持容量113すなわちOLED
駆動TFT 114のゲートに書き込まれた電圧のレベルに如
何にかかわらず、OLED素子7が点灯することはない。ア
ナログ信号電圧の画素への書込みはこのように行毎に順
次行われ、全ての画素への書込みが終了した時点で１フ
レームの前半の「書込み期間」は終了する。
【００４１】次いで１フレーム後半の「点灯期間」にお
いては、ゲート駆動回路122は停止し、点灯スイッチ線1
19が全画素の点灯TFTスイッチ116を一斉にオンさせる。
このとき前述したようにOLED駆動TFT 114のゲートには
各画素に入力されたアナログ信号電流に対応するゲート
電圧が保持容量113によって保持されているため、上記
アナログ信号電流と等しい電流が各画素のOLED素子7に
流れて階調発光を行う。このときOLED駆動TFT 114のば
らつきはキャンセルされる。以上の本実施例によれば、
１フィールド内における発光手段の点灯時間を「点灯期
間」のみに制御することで、隣接する２フィールド間に
無発光期間を設けることが可能である。本実施例はこれ
によりなめらかな動画像表示を可能としている。 （第九の実施例）以下図１７〜図１９を用いて、本発明
の第九の実施例に関して説明する。本実施例の構成及び
動作は、各画素134に設けられている点灯TFTスイッチ13
1が、点灯スイッチ線132を介して点灯スイッチANDゲー
ト130から走査されている点を除けば、基本的に（第六
の実施例）のそれと同一である。従ってここでは全体の
構成及びその動作の記載は省略し、本実施例の特徴であ
る点灯TFTスイッチ131を中心に以下に説明する。
【００４２】図１７は本実施例であるOLED(Organic Lig
ht Emitting Diode)表示パネルの構成図である。前述の
ように各画素134に設けられている点灯TFTスイッチ131
は、点灯スイッチ線132を介して点灯スイッチANDゲート
130に接続されている。またこの点灯スイッチANDゲート
130には、ゲート駆動回路82の走査出力と点灯制御線133
が入力している。
【００４３】次に本実施例の動作に関して説明する。
【００４４】図１８は本実施例の１フレーム期間内にお
ける、点灯制御線133の動作波形図である。点灯制御線
は前半の「書き込み期間」ではオン状態にあって所定の
画素のOLED素子7を点灯させ、後半の「消灯期間」には
オフ状態になって各画素の点灯TFTスイッチ131をオフす
ることで全画素のOLED素子7を強制的に消灯させる。
【００４５】図１９は各画素におけるリセットTFTスイ
ッチ75、点灯TFTスイッチ131、入力TFTスイッチ71の駆
動及び信号線77上のデータ入力の様子を、「１．書込み
期間」及び「２．消灯期間」に分けて示したものであ
る。基本的な動作は前述の（第六の実施例）と同様であ
るが、書込み期間の当該行が選択されていない間は点灯
TFTスイッチ131は常時オンになっていることと、消灯期
間中は点灯TFTスイッチ131は常時オフであることが異な
っている。本実施例はこれによって、１フィールド内に
おける発光手段の点灯に「消灯期間」を設けることで、
隣接する２フィールド間に無発光期間を設けることが可
能である。本実施例はこれによりなめらかな動画像表示
を可能としている。 （第十の実施例）以下図２０、図２１を用いて、本発明
の第十の実施例に関して説明する。本実施例の構成及び
動作は、各画素144に設けられている点灯TFTスイッチ14
1が、点灯スイッチ線142を介して点灯スイッチ駆動回路
144から走査されている点を除けば、基本的に（第六の
実施例）のそれと同一である。従ってここでは全体の構
成及びその動作の記載は省略し、本実施例の特徴である
点灯TFTスイッチ141を中心に以下に説明する。
【００４６】図２０は本実施例であるOLED(Organic Lig
ht Emitting Diode)表示パネルの構成図である。前述の
ように各画素144に設けられている点灯TFTスイッチ141
は、点灯スイッチ線142を介して点灯スイッチ駆動回路1
44に接続されている。従ってゲート駆動回路143はリセ
ット線78及び入力スイッチ線83のみに接続されている。
【００４７】次に本実施例の動作に関して説明する。
【００４８】図２１は本実施例の各画素行に対する、ゲ
ート駆動回路143及び点灯スイッチ駆動回路144の走査の
様子を模式的に示したものである。前述の（第六の実施
例）と同様に、リセットTFTスイッチ75、入力TFTスイッ
チ、点灯TFTスイッチ76はゲート駆動回路143及び点灯ス
イッチ駆動回路144によって１行目の画素行から最終行
まで順次走査、駆動される。ここでゲート駆動回路143
は１画素行毎にこの走査を行い、走査が１行目から最終
行まで完了するまでの期間が１フレーム期間である。と
ころが点灯スイッチ駆動回路144の走査は、一旦点灯TFT
スイッチ141をオンしてからｋ行遅れて点灯TFTスイッチ
141をオフする。これによってｋ行分の走査に相当する
時間が点灯期間として定義されるのである。
【００４９】本実施例は以上のようにして、１フィール
ド内における発光手段の点灯に対して、画素毎に「点灯
期間」を設けることで、隣接する２フィールド間に無発
光期間を設けることが可能である。本実施例はこれによ
りなめらかな動画像表示を可能としている。 （第十一の実施例）以下図２２を用いて、本発明におけ
る第十一の実施例に関して説明する。図２２は第十一の
実施例である動画（デジタルテレビジョン）再生装置15
0の構成図である。無線ないし有線入力インターフェー
ス回路151には、圧縮された画像データ等が外部からMPE
G規格に基づく動画データとして入力し、入力インター
フェース回路151の出力はI/O（Input/Output）回路152
を介してデータバス153に接続される。データバス153に
はこの他にMPEG信号のデコードを行うマイクロプロセサ
154、DA変換器を内蔵した表示パネルコントローラ155、
フレームメモリ156等が接続されている。更に表示パネ
ルコントローラ155の出力はOLED表示パネル160に入力し
ており、OLED表示パネル160には画素マトリクス161、ゲ
ート駆動回路22、信号駆動回路21等が設けられている。
なお画像表示端末150には更に、三角波発生回路162、二
次電池157が設けられており、三角波発生回路162の出力
もまたOLED表示パネル160に入力している。なおここでO
LED表示パネル160は、先に延べた第一の実施例と同一の
構成および動作を有しているので、その内部の構成及び
動作の記載はここでは省略する。以下に本第十一の実施
例の動作を説明する。始めに入力インターフェース回路
151は命令に応じて圧縮された画像データを外部から取
り込み、この画像データをI/O回路152を介してマイクロ
プロセサ154及びフレームメモリ156に転送する。マイク
ロプロセサ154はユーザからの命令操作を受けて、必要
に応じて動画再生装置150全体を駆動し、圧縮された画
像データのデコードや信号処理、情報表示を行う。ここ
で信号処理された画像データは、必要に応じてフレーム
メモリ156に一時的に蓄積される。またマイクロプロセ
サ154が表示命令を出した場合には、その指示に従って
必要に応じてフレームメモリ156から表示パネルコント
ローラ155を介してOLED表示パネル160に画像データが入
力され、画素マトリクス161は入力された画像データを
リアルタイムで表示する。このとき表示パネルコントロ
ーラ155は、同時に画像を表示するために必要な所定の
タイミングパルスを出力し、これと同期して三角波発生
回路162は三角波状の画素駆動電圧を出力する。なおOLE
D表示パネル160がこれらの信号を用いて、画素マトリク
ス161に６ビット画像データから生成された表示データ
をリアルタイムで表示することに関しては、第一の実施
例で述べたとおりである。なおここで二次電池157は、
動画再生装置150全体を駆動する電力を供給する。本実
施例によれば、良好な動画像表示が可能であり、かつま
た画素間での表示特性ばらつきが十分に小さい動画再生
装置150を提供することができる。なお本実施例では画
像表示デバイスとして、第一の実施例で説明したOLED表
示パネルを用いたが、これ以外のその他の本発明の実施
例に記載されたような種々の表示パネルを用いることが
可能であることは明らかである。
【００５０】
【発明の効果】本発明によれば特に良好な動画表示特性
を有し、かつまた画素間での表示特性ばらつきが十分に
小さい画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】第一の実施例であるOLED表示パネルの構成図で
ある。
【図２】第一の実施例における点灯制御線及び信号選択
線動作波形図である。
【図３】第一の実施例における各スイッチの駆動及び信
号線上データ入力タイミング図である。
【図４】第二の実施例における画素構成図である。
【図５】第二の実施例における各スイッチの断面構造図
である。
【図６】第三の実施例における画素構成図である。
【図７】第四の実施例における画素構成図である。
【図８】第五の実施例であるOLED表示パネルの構成図で
ある。
【図９】第五の実施例における点灯制御線及びデジタル
信号入力線動作波形図である。
【図１０】第六の実施例であるOLED表示パネルの構成図
である。
【図１１】第六の実施例における点灯制御線の動作波形
図である。
【図１２】第六の実施例における各スイッチの駆動及び
信号線上データ入力タイミング図である。
【図１３】第七の実施例であるOLED表示パネルの構成図
である。
【図１４】第七の実施例における各スイッチの駆動及び
信号線上データ入力タイミング図である。
【図１５】第八の実施例であるOLED表示パネルの構成図
である。
【図１６】第八の実施例における各スイッチの駆動及び
信号線上データ入力タイミング図である。
【図１７】第九の実施例であるOLED表示パネルの構成図
である。
【図１８】第九の実施例における点灯制御線の動作波形
図である。
【図１９】第九の実施例における各スイッチの駆動及び
信号線上データ入力タイミング図である。
【図２０】第十の実施例であるOLED表示パネルの構成図
である。
【図２１】第十の実施例におけるゲート駆動回路及び点
灯スイッチ駆動回路の走査模式図である。
【図２２】第十一の実施例である動画再生装置の構成図
である。
【図２３】従来の技術を用いた発光表示デバイスの画素
構成図である。
【図２４】従来の技術を用いた発光表示デバイスの動作
タイミング図である。
【符号の説明】
2…画素容量、4…OLED駆動TFT、5…リセットTFTスイッ
チ、7…OLED素子、9…点灯TFTスイッチ、10…画素、31
…点灯スイッチORゲート、32…点灯制御線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２ Ｇ０９Ｇ 3/20 ６４２Ａ ６６０ ６６０Ｖ Ｈ０５Ｂ 33/14 Ｈ０５Ｂ 33/14 Ａ (72)発明者 衣川 清重 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 西谷 茂之 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 芝 健夫 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 Ｆターム(参考） 3K007 AB17 BA06 BB07 DA01 DB03 EB00 GA02 GA04 5C080 AA06 BB05 DD02 DD05 FF11 JJ02 JJ03 JJ04 5C094 AA02 AA13 AA51 AA53 AA56 BA03 BA27 CA19 DA09 DB01 DB02 DB04 FB01 FB12 FB14 FB15 FB20 GA10 HA08

Claims (28)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】発光手段を有する複数の画素により構成さ
    れた表示部と、 該画素領域にアナログ表示信号を入力するための信号線
    と、 該信号線を介して該画素に入力されたアナログ表示信号
    を基に、上記発光手段を駆動するための発光駆動手段を
    有する画像表示装置において、 該各画素における該発光駆動手段の一端に、発光手段の
    点灯ないし消灯を制御するための発光制御スイッチ手段
    を有することを特徴とする画像表示装置。
  2. 【請求項２】上記発光制御スイッチ手段は、該発光駆動
    手段と該発光手段との間に設けられていることを特徴と
    する請求項１記載の画像表示装置。
  3. 【請求項３】上記発光手段は、有機発光ダイオード(OLE
    D, Organic Light Emitting Diode)素子であることを特
    徴とする請求項1記載の画像表示装置。
  4. 【請求項４】上記発光駆動手段及び発光制御スイッチ手
    段は、多結晶Si-TFT(Thin-Film-Transistor)を用いて透
    明基板上に設けられていることを特徴とする請求項１記
    載の画像表示装置。
  5. 【請求項５】上記発光制御スイッチ手段は、全画素で同
    時にオンす可能な構成を有することを特徴とする請求項
    １記載の画像表示装置。
  6. 【請求項６】上記発光制御スイッチ手段は、該画素への
    アナログ表示信号入力時にもオン可能な構成を有するこ
    とを特徴とする請求項５記載の画像表示装置。
  7. 【請求項７】上記発光制御スイッチ手段は、全画素で同
    時にオフ可能な構成を有することを特徴とする請求項１
    記載の画像表示装置。
  8. 【請求項８】上記発光制御スイッチ手段は、該画素への
    アナログ表示信号入力時にはオン可能な構成を有するこ
    とを特徴とする請求項７記載の画像表示装置。
  9. 【請求項９】上記発光制御スイッチ手段は、該画素への
    アナログ表示信号入力時にオンし、これより所定の点灯
    時間が経過した後にオフすることが可能な構成を有する
    ことを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
  10. 【請求項１０】発光手段を有する複数の画素により構成
    された表示部と、 該画素領域にアナログ表示信号を入力するための信号線
    と、 該信号線を介して該画素に入力されたアナログ表示信号
    を基に、上記発光手段を駆動するための発光駆動手段を
    有する画像表示装置において、 該各画素に設けられた該発光駆動手段は電界効果トラン
    ジスタであり、 該信号線と該電界効果トランジスタのゲート電極は少な
    くとも一個の容量手段を介して接続されており、 該電界効果トランジスタのソースないしドレイン電極の
    一端はスイッチを介して電源手段に、他端は直接該発光
    手段に接続されており、 該電界効果トランジスタのゲートには、該容量手段を介
    してアナログ表示信号と実質上の三角波のいずれかが印
    加可能である構成を有することを特徴とする画像表示装
    置。
  11. 【請求項１１】上記発光手段は、有機発光ダイオード(O
    LED, Organic Light Emitting Diode)素子であることを
    特徴とする請求項１０記載の画像表示装置。
  12. 【請求項１２】上記発光駆動手段及び発光制御スイッチ
    手段は、多結晶Si-TFT(Thin-Film-Transistor)を用いて
    透明基板上に設けられていることを特徴とする請求項１
    ０記載の画像表示装置。
  13. 【請求項１３】該電界効果トランジスタのゲート端子と
    ドレイン端子間には第一のスイッチが設けられ、更にド
    レイン端子と該発光手段の間には第二のスイッチが設け
    られていることを特徴とする請求項１０記載の画像表示
    装置。
  14. 【請求項１４】該電界効果トランジスタおよび第一のス
    イッチ、第二のスイッチは、全てｐチャネルTFTである
    ことを特徴とする請求項１３記載の画像表示装置。
  15. 【請求項１５】該電界効果トランジスタおよび第一のス
    イッチ、第二のスイッチは、全てｎチャネルTFTである
    ことを特徴とする請求項１３記載の画像表示装置。
  16. 【請求項１６】該電界効果トランジスタのゲート端子と
    ドレイン端子間には第一のスイッチが設けられ、更にド
    レイン端子と該電源手段の間には第二のスイッチが設け
    られていることを特徴とする請求項１０記載の画像表示
    装置。
  17. 【請求項１７】上記アナログ表示信号と実質上の三角波
    は、共に共通のD-A変換器によって発生させたものであ
    ることを特徴とする請求項１０記載の画像表示装置。
  18. 【請求項１８】上記D-A変換器は、多結晶Si-TFT(Thin-F
    ilm-Transistor)を用いて構成されたものであることを
    特徴とする請求項１７記載の画像表示装置。
  19. 【請求項１９】発光手段を有する複数の画素により構成
    された表示部と、 該画素領域にアナログ表示信号を入力するための信号線
    と、 該信号線を介して該画素に入力されたアナログ表示信号
    を基に、上記発光手段を駆動するための発光駆動手段を
    有する画像表示装置において、 該各画素に設けられた該発光駆動手段は電界効果トラン
    ジスタであり、 該信号線と該電界効果トランジスタのゲート電極は少な
    くとも一個の容量手段を介して接続されており、 該電界効果トランジスタのソースないしドレイン電極の
    一端は電源手段に、他端はスイッチを介して該発光手段
    に接続されており、 該電界効果トランジスタのゲートには、該容量手段を介
    してアナログ表示信号と実質上の三角波のいずれかが印
    加可能である構成を有することを特徴とする画像表示装
    置。
  20. 【請求項２０】上記発光手段は、有機発光ダイオード(O
    LED, Organic Light Emitting Diode)素子であることを
    特徴とする請求項１９記載の画像表示装置。
  21. 【請求項２１】上記発光駆動手段及び発光制御スイッチ
    手段は、多結晶Si-TFT(Thin-Film-Transistor)を用いて
    透明基板上に設けられていることを特徴とする請求項１
    ９記載の画像表示装置。
  22. 【請求項２２】該電界効果トランジスタのゲート端子と
    ドレイン端子間には第一のスイッチが設けられ、更にド
    レイン端子と該発光手段の間には第二のスイッチが設け
    られていることを特徴とする請求項１９記載の画像表示
    装置。
  23. 【請求項２３】該電界効果トランジスタおよび第一のス
    イッチ、第二のスイッチは、全てｐチャネルTFTである
    ことを特徴とする請求項２２記載の画像表示装置。
  24. 【請求項２４】該電界効果トランジスタおよび第一のス
    イッチ、第二のスイッチは、全てｎチャネルTFTである
    ことを特徴とする請求項２２記載の画像表示装置。
  25. 【請求項２５】該電界効果トランジスタのゲート端子と
    ドレイン端子間には第一のスイッチが設けられ、更にド
    レイン端子と該電源手段の間には第二のスイッチが設け
    られていることを特徴とする、特許請求の範囲第１９項
    記載の画像表示装置。
  26. 【請求項２６】上記アナログ表示信号と実質上の三角波
    は、共に共通のD-A変換器によって発生させたものであ
    ることを特徴とする請求項１９記載の画像表示装置。
  27. 【請求項２７】上記D-A変換器は、多結晶Si-TFT(Thin-F
    ilm-Transistor)を用いて構成されたものであることを
    特徴とする請求項２６記載の画像表示装置。
  28. 【請求項２８】発光手段を有する複数の画素により構成
    された表示部と、 外部から取り込まれた表示信号を記憶し、更にそのデー
    タ処理を行うことによってアナログ表示信号を形成する
    表示信号処理部と、 該画素領域に該アナログ表示信号を入力するための信号
    線と、 該信号線を介して該画素に入力されたアナログ表示信号
    を基に、上記発光手段を駆動するための発光駆動手段を
    有する画像表示装置において、 該各画素における該発光駆動手段の一端に、発光手段の
    点灯ないし消灯を制御するための発光制御スイッチ手段
    を有することを特徴とする画像表示装置。
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