JP2001216633A - 磁気記録ディスク製造方法及び磁気記録ディスク製造装置並びにインライン型基板処理装置 - Google Patents

磁気記録ディスク製造方法及び磁気記録ディスク製造装置並びにインライン型基板処理装置

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気ヘッドと記録層との距離であるスペーシ
ングの減少に伴う製造プロセス上の諸課題を解決する。 【解決手段】 無終端状の搬送路１上の複数の真空チャ
ンバーの一つは記録層用の磁性膜を作成する磁性膜作成
チャンバー１４であり、無終端状の別の搬送路２上の複
数の真空チャンバーの一つは潤滑層形成チャンバー２５
であり、磁性膜作成後の基板９は、第三の搬送路３上の
真空チャンバー３１を経由して大気に晒されることなく
潤滑層形成チャンバー２５に搬送される。磁性膜作成チ
ャンバー１４から潤滑層形成チャンバー２５に搬送され
る間、基板９は、保護膜作成チャンバー１５で保護膜が
作成され、第一クリーニングチャンバー２２でプラズマ
アッシングによりクリーニングされ、第二クリーニング
チャンバー２３でガスブローによりクリーニングされ、
バーニッシュチャンバー２４で真空中でバーニッシュさ
れる。潤滑層形成後に基板９は後処理チャンバー２６に
搬送され、潤滑層の付着性及び潤滑性を調節する後処理
が真空中で行われる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、ハードディス
ク等の磁気記録ディスクの製造に関し、特に基板の表面
の突起を除去する工程及び基板の表面に潤滑層を形成す
る工程に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録ディスクの
製造は、大まかには、下地膜作成から、記録層用の磁性
膜作成、記録層を保護する保護膜の作成までを行う前工
程と、保護膜作成の後、基板の表面への潤滑層の形成等
を行う後工程に分かれる。潤滑層は、情報の記録や読み
取りの際の磁気ヘッドの接触を考慮して設けられるもの
である。
【０００３】潤滑層の形成は、以下の手順で行われてい
る。まず、記録層用などの薄膜は、通常、真空チャンバ
ーで作成されるから、成膜後の基板を大気に取り出す。
そして、成膜中に基板の表面に付着した汚損物質や基板
の表面に形成された突起を除去するため、バーニッシュ
される。バーニッシュは、テープ状の研磨具を基板の表
面に擦り付けて突起や突起とともに汚損物質を除去する
処理である。尚、汚損物質とは、基板を汚損するガス、
イオン、微粒子等の総称である。
【０００４】上記バーニッシュを行った後、潤滑層の形
成が行われる。潤滑剤としては、パーフルオロポリエー
テル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系潤滑剤が使用されてい
る。このような潤滑剤は、塗布の際の均一性の向上等の
理由から、溶剤によって希釈されて用いられる。塗布の
方法としては、基板を液中に付けるディップ法、基板を
回転させながら液を滴下するスピンコート法等が採用さ
れている。
【０００５】尚、本明細書において、「基板」とは、製
品であるディスクの基になる板の意味で使用している。
また、成膜処理や層形成処理が既に行われている場合、
薄膜や層の表面を「基板の表面」と言う場合がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年における磁気記録
ディスクの記録密度の向上は目覚ましいものがあり、例
えばハードディスクの場合、２０００年には２０ギガビ
ット／平方インチ、２００１年には４０ギガビット／平
方インチになろうとしている。記録密度の向上を可能に
する要因の一つに、スペーシングの減少が挙げられる。
図１９は、スペーシングについて説明する図である。
【０００７】図１９では、磁気記録ディスクの一例とし
てハードディスクの場合が示されている。図１９に示す
ように、ハードディスクは、基板９上に記録層９１が形
成され、記録層９１の上に保護膜９２が形成され、保護
膜９２の上に潤滑層９３が形成された構造となってい
る。情報の記録及び読み出しを行う磁気ヘッドは、ハー
ドディスクの表面から僅かに離れた位置に位置する。ス
ペーシングは、磁気ヘッドの記録再生素子部９００と記
録層９１との間の距離（図１９にＳで示す）である。ま
た、記録再生素子部９００と潤滑層９３との間の距離
は、ヘッド浮上量と呼ばれる（図１９にｄで示す）。記
録密度を向上させるには、スペーシングＳを小さくする
ことが重要である。
【０００８】スペーシングＳの減少に伴い、製造プロセ
スに対する要求も年々厳しいものとなっている。スペー
シングＳを減少させるには、ヘッド浮上量ｄを小さくす
る必要があるのにならず（現在市販されているハードデ
ィスクドライブではヘッド浮上量は１０〜２０ｎｍ程
度）、保護膜９２や潤滑層９３の厚さを薄くしていく必
要がある。保護膜９２の厚さが薄くなるのに伴い、より
緻密で硬度の高い保護膜９２を作成することが求められ
ている。また、潤滑層９３の厚さが薄くなるのに伴い、
潤滑層９３の厚さの均一性や潤滑層の付着強度の向上等
の要求がより厳しくなっている。
【０００９】このような点を背景として、保護膜９２の
作成方法は、従来のスパッタ法から化学蒸着（ＣＶＤ）
法に移行しつつある。保護膜９２としては通常カーボン
膜が作成されるが、ＣＶＤ法によると、ダイヤモンドラ
イクカーボン（diamond-like-carbon,DLC）と呼ばれる
硬度の高い緻密なカーボン膜をより薄く安定して作成で
きるからである。しかしながら、ＣＶＤ法により作成し
た保護膜９２の表面には、残留ガス等の影響からガスや
イオン等の汚損物質が付着していたり、異常成長等が原
因で微小な突起が形成されたりし易い。汚損物質や突起
が存在する状態で潤滑層９３の形成を行うと、潤滑層９
３の付着強度が低下したり、潤滑層９３の厚さが均一で
なくなったりしたりする問題が生じ易い。
【００１０】潤滑層９３の付着強度は、潤滑剤を構成す
る高分子の末端基が保護膜９２のカーボンと充分に結合
することにより向上する。より高い付着強度のために
は、高分子の一方又は双方の末端基が保護膜９２の表面
のカーボンと結合していることが好ましい。一方、磁気
ヘッドの記録再生素子部９００の吸着を防止する潤滑層
９３の本来の目的のためには、潤滑層９３の表面付近で
は、高分子の自由度が高いことが望ましい。即ち、双方
の末端基が未結合であることが好ましい。
【００１１】一方又は双方の末端基が保護膜９２のカー
ボンに結合している高分子をボンデッドルブ（ｂｏｎｄ
ｅｄ ｌｕｂ）、双方の末端基が未結合である高分子を
フリールブ（ｆｒｅｅ ｌｕｂ）、潤滑層９３の全厚さ
に対するボンデッドルブの厚さをボンデッドレシオとそ
れぞれ呼ぶ。ボンデッドレシオは、２０〜３０％程度が
最適であるとされているが、潤滑層９３の厚さが薄くな
るにつれてボンデッドレシオの要求精度は厳しくなる傾
向にある。
【００１２】要求されるボンデッドレシオを満足するた
め、潤滑層９３の形成後、潤滑層９３対して熱エネルギ
ー又は光エネルギー等を与え末端基の結合を制御する処
理（以下、後処理と呼ぶ）が行われる。しかしながら、
成膜直後の保護膜９２の表面は、化学的に活性で、大気
に晒されると、大気中のガスやイオン等の汚損物質が多
く吸着される。この結果、潤滑層９３を形成した際、潤
滑層９３と保護膜９２との間に汚損層が形成されてしま
う。この汚損層が形成されると、後処理においてボンデ
ッドレシオの制御精度を充分に確保することが困難とな
ってしまう。このような問題を防止するため、汚損物質
等を減少させる設備等、製造環境の整備に対して多大な
投資を余儀なくされているのが現状である。
【００１３】本願の発明は、このような課題を解決する
ために成されたものであり、スペーシングの減少に伴う
製造プロセス上の諸課題を解決する技術的意義を有する
ものである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本願の請求項１記載の磁気記録ディスク製造方法の
発明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作成する磁性
膜作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表面に潤滑
層を形成する潤滑層形成チャンバーとの間で、基板を大
気に晒すことなく搬送する動作を含むという構成を有す
る。上記課題を解決するため、請求項２記載の磁気記録
ディスク製造方法の発明は、基板の表面に記録層用の磁
性膜を作成する磁性膜作成工程と、磁性膜作成工程の後
に基板の表面に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを含
む磁気記録ディスク製造方法であって、磁性膜作成工程
の後であって潤滑層形成工程の前に基板の表面を真空中
でクリーニングするクリーニング工程を含むという構成
を有する。上記課題を解決するため、請求項３記載の磁
気記録ディスク製造方法の発明は、前記請求項２の構成
において、前記クリーニング工程は、基板の表面を臨む
空間に酸素ガスのプラズマを形成し、プラズマ中で生成
される酸素イオン又は酸素活性種の作用によって基板の
表面の付着物を揮発性の酸化物に酸化させて除去する工
程であるという構成を有する。上記課題を解決するた
め、請求項４記載の磁気記録ディスク製造方法の発明
は、前記請求項２の構成において、前記クリーニング工
程は、基板の表面にレーザー光を照射し、基板の表面に
付着した汚損物質を、照射されたレーザー光のエネルギ
ーにより除去する工程であるという構成を有する。上記
課題を解決するため、請求項５記載の磁気記録ディスク
製造方法の発明は、前記請求項２の構成において、前記
クリーニング工程は、基板の表面にガスを噴射し、基板
の表面に付着した汚損物質をガス流によって強制的に吹
き飛ばす工程であるという構成を有する。上記課題を解
決するため、請求項６記載の磁気記録ディスク製造方法
の発明は、前記請求項２乃至５いずれかの構成におい
て、前記クリーニング工程から前記潤滑層形成工程まで
の間、基板が大気に晒されないという構成を有する。上
記課題を解決するため、請求項７記載の磁気記録ディス
ク製造方法の発明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を
作成する磁性膜作成工程を含む磁気記録ディスク製造方
法であって、磁性膜作成工程の後に基板の表面の突起を
除去するバーニッシュ工程を真空中で行うという構成を
有する。上記課題を解決するため、請求項８記載の磁気
記録ディスク製造方法の発明は、前記請求項７の構成に
おいて、前記磁性膜作成工程の後に基板の表面に潤滑層
を形成する潤滑層形成工程を含む方法であって、前記バ
ーニッシュ工程から潤滑層形成までの工程の間、基板が
大気に晒されないという構成を有する。上記課題を解決
するため、請求項９記載の磁気記録ディスク製造方法の
発明は、前記請求項７又は８の構成において、前記バー
ニッシュは、バーニッシュテープを基板の表面に擦り付
けることにより行われるものであり、このバーニッシュ
テープを真空中でクリーニングした後にバーニッシュに
使用するという構成を有する。上記課題を解決するた
め、請求項１０記載の磁気記録ディスク製造方法の発明
は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作成する磁性膜作
成工程と、磁性膜作成工程の後に基板の表面に潤滑層を
形成する潤滑層形成工程とを含む磁気記録ディスク製造
方法であって、前記磁性膜作成工程の後に、基板の表面
の突起を除去するバーニッシュとともに前記潤滑層形成
工程を同時に行う方法であり、前記バーニッシュは、バ
ーニッシュテープを基板の表面に擦り付けることにより
行われるものであり、前記潤滑層の形成は、バーニッシ
ュテープに潤滑剤を塗布してバーニッシュテープが基板
の表面の擦り付けられる際に潤滑剤を基板の表面に塗布
することにより行われるものであることを特徴とする磁
気記録ディスク製造方法。上記課題を解決するため、請
求項１１記載の磁気記録ディスク製造方法の発明は、前
記請求項１０の構成において、前記バーニッシュに先立
ち前記バーニッシュテープの表面を真空中でクリーニン
グするという構成を有する。上記課題を解決するため、
請求項１２記載の磁気記録ディスク製造方法の発明は、
前記請求項１０又は１１の構成において、前記潤滑剤
が、溶剤に溶かすことなく塗布されるという構成を有す
る。上記課題を解決するため、請求項１３記載の磁気記
録ディスク製造方法の発明は、前記請求項１０、１１又
は１２の構成において、前記バーニッシュ及び前記潤滑
層の形成は、真空中で行われるものであるという構成を
有する。上記課題を解決するため、請求項１４記載の磁
気記録ディスク製造方法の発明は、基板の表面に記録層
用の磁性膜を作成する磁性膜作成工程と、磁性膜作成工
程の後に基板の表面に潤滑層を形成する工程とを含む磁
気記録ディスク製造方法であって、前記潤滑層形成工程
の後、潤滑層を加熱して又は潤滑層に光照射して潤滑層
の下地に対する付着性及び潤滑層の潤滑性を調節する後
処理工程を真空中で行うという構成を有する。上記課題
を解決するため、請求項１５記載の磁気記録ディスク製
造方法の発明は、前記請求項１４の構成において、前記
潤滑層形成工程から前記後処理工程までの間、基板が大
気に晒されないという構成を有する。
【００１５】上記課題を解決するため、請求項１６記載
の磁気記録ディスク製造装置の発明は、基板の表面に記
録層用の磁性膜を作成する磁性膜作成チャンバーと、磁
性膜作成後に真空中で基板の表面に潤滑層を形成する潤
滑層形成チャンバーとを備えた磁気記録ディスク製造装
置であって、磁性膜作成チャンバーから潤滑層形成チャ
ンバーへ基板を大気に晒すことなく搬送する搬送系が設
けられているという構成を有する。上記課題を解決する
ため、請求項１７記載の磁気記録ディスク製造装置の発
明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作成する磁性膜
作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表面に潤滑層
を形成する潤滑層形成チャンバーとを備えた磁気記録デ
ィスク製造装置であって、磁性膜作成後であって潤滑層
形成前に真空中で基板の表面をクリーニングするクリー
ニングチャンバーを備えているという構成を有する。上
記課題を解決するため、請求項１８記載の磁気記録ディ
スク製造装置の発明は、前記請求項１７の構成におい
て、前記クリーニングチャンバーは、基板の表面を臨む
空間に酸素ガスのプラズマを形成し、プラズマ中で生成
される酸素イオン又は酸素活性種の作用によって基板の
表面の付着物を揮発性の酸化物に酸化させて除去するチ
ャンバーであるという構成を有する。上記課題を解決す
るため、請求項１９記載の磁気記録ディスク製造装置の
発明は、前記請求項１７の構成において、前記クリーニ
ングチャンバーは、基板の表面にレーザー光を照射し、
基板の表面に付着した汚損物質を、照射されたレーザー
光のエネルギーにより除去するチャンバーであるという
構成を有する。上記課題を解決するため、請求項２０記
載の磁気記録ディスク製造装置の発明は、前記請求項１
７の構成において、前記クリーニングチャンバーは、基
板の表面にガスを噴射し、基板の表面に付着した汚損物
質をガス流によって強制的に吹き飛ばすチャンバーであ
るという構成を有する。上記課題を解決するため、請求
項２１記載の磁気記録ディスク製造装置の発明は、前記
請求項１７乃至２０いずれかの構成において、前記クリ
ーニングチャンバーから前記潤滑層形成チャンバーに基
板を大気に晒すことなく搬送する搬送系を備えていると
いう構成を有する。上記課題を解決するため、請求項２
２記載の磁気記録ディスク製造装置の発明は、基板の表
面に記録層用の磁性膜を作成する磁性膜作成チャンバー
と、磁性膜の上に保護膜を作成する保護膜作成チャンバ
ーとを備えた磁気記録ディスク製造装置であって、保護
膜作成チャンバーは、基板の表面を臨む空間に酸素ガス
のプラズマを形成し、プラズマ中で生成される酸素イオ
ン又は酸素活性種の作用によって基板の表面の汚損物質
を揮発性の酸化物に酸化させて除去するプラズマ形成手
段を備えているという構成を有する。上記課題を解決す
るため、請求項２３記載の磁気記録ディスク製造装置の
発明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作成する磁性
膜作成チャンバーを備えた磁気記録ディスク製造装置で
あって、磁性膜作成後に基板の表面の突起を除去するバ
ーニッシュを真空中で行うバーニッシュチャンバーが設
けられているという構成を有する。上記課題を解決する
ため、請求項２４記載の磁気記録ディスク製造装置の発
明は、前記請求項２３の構成において、前記バーニッシ
ュの後に基板の表面に潤滑層を形成する潤滑層形成チャ
ンバーが設けられており、前記バーニッシュチャンバー
から潤滑層形成チャンバーに基板を大気に晒すことなく
搬送する搬送系を備えているという構成を有する。上記
課題を解決するため、請求項２５記載の磁気記録ディス
ク製造装置の発明は、前記請求項２３又は２４の構成に
おいて、前記バーニッシュチャンバーは、バーニッシュ
テープを基板の表面に擦り付けることによりバーニッシ
ュを行うものであり、バーニッシュに先だってバーニッ
シュテープの表面を真空中でクリーニングするクリーニ
ング手段が設けられているという構成を有する。上記課
題を解決するため、請求項２６記載の磁気記録ディスク
製造装置の発明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作
成する磁性膜作成チャンバーを備えた磁気記録ディスク
製造装置であって、磁性膜作成後に基板の表面の突起を
除去するとともに基板の表面に潤滑層を形成するバーニ
ッシュ兼潤滑層形成チャンバーを備えているという構成
を有する。上記課題を解決するため、請求項２７記載の
磁気記録ディスク製造装置の発明は、前記請求項２６の
構成において、前記バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバ
ーは、基板の表面に擦り付けられることにより突起を除
去するバーニッシュテープと、潤滑剤をバーニッシュテ
ープに潤滑剤を塗布してバーニッシュテープが基板の表
面の擦り付けられる際に潤滑剤が基板の表面に塗布され
るようにする潤滑剤塗布具とを備えているという構成を
有する。上記課題を解決するため、請求項２８記載の磁
気記録ディスク製造装置の発明は、前記請求項２７の構
成において、前記バーニッシュに先だって前記バーニッ
シュテープの表面を真空中でクリーニングするクリーニ
ング手段が設けられているという構成を有する。上記課
題を解決するため、請求項２９記載の磁気記録ディスク
製造装置の発明は、前記請求項２７又は２８の構成にお
いて、前記潤滑剤塗布具は、潤滑剤を溶剤に溶かすこと
なく塗布するものであるという構成を有する。上記課題
を解決するため、請求項３０記載の磁気記録ディスク製
造装置の発明は、前記請求項２７、２８又は２９の構成
において、前記バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー
は、真空中で前記バーニッシュと前記潤滑層形成とを行
うものであるという構成を有する。上記課題を解決する
ため、請求項３１記載の磁気記録ディスク製造装置の発
明は、基板の表面に記録層用の磁性膜を作成する磁性膜
作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表面に潤滑層
を形成する潤滑層形成チャンバーとを備えた磁気録ディ
スク製造装置であって、前記潤滑層を形成する工程の後
に潤滑層を加熱して又は潤滑層に光照射して潤滑層の下
地に対する付着性及び潤滑層の潤滑性を調節する後処理
を真空中で行う後処理チャンバーが設けられているとい
う構成を有する。上記課題を解決するため、請求項３２
記載の磁気記録ディスク製造装置の発明は、前記請求項
３１の構成において、前記潤滑層形成チャンバーから前
記後処理チャンバーに基板を大気に晒すことなく搬送す
る搬送系が設けられているという構成を有する。
【００１６】上記課題を解決するため、請求項３３記載
の発明は、搬送路に沿って複数の真空チャンバーを接続
したインライン型基板処理装置であって、無終端状の搬
送路が複数設定されていてその各々の搬送路に沿って複
数の真空チャンバーが接続されており、複数の搬送路の
うちの隣接する少なくとも二つの搬送路をつなぐ別の搬
送路が設定されており、その別の搬送路に沿って基板を
大気に取り出すことなく真空中で搬送する搬送系が設け
られているという構成を有する。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の実施の形態につ
いて説明する。図１は、本願発明の第一の実施形態に係
る磁気記録ディスク製造装置の平面概略図である。図１
に示す磁気記録ディスク製造装置の一番目の大きな特徴
点は、記録層の形成などの前工程と、潤滑層の形成など
の後工程とが、一つの装置で行えるようになっている点
である。また、図１に示す磁気記録ディスク製造装置の
二番目の大きな特徴点は、記録層の形成工程から潤滑層
の形成工程までを含む各工程が基板９を大気に取り出す
ことなく真空中で一貫して行えるようになっている点で
ある。
【００１８】具体的に説明すると、まず、図１に示す装
置は、複数の真空チャンバー１０〜１７，２０〜２９を
基板９の搬送路１，２に沿って並べたインライン型の装
置になっている。各真空チャンバー１０〜１７，２０〜
２９は、専用又は兼用の排気系（図１中不図示）によっ
て排気される気密な容器である。各真空チャンバー１０
〜１７，２０〜２９の境界部分には、ゲートバルブ４が
設けられている。
【００１９】複数の真空チャンバー１０〜１７，２０〜
２９は、第一の方形な搬送路（以下、第一搬送路）１に
沿って並べられた第一のグループ１０〜１７と、第二の
方形な搬送路（以下、第二搬送路）２に沿って並べられ
た第二のグループ２０〜２９に分けられる。そして、第
一搬送路１と、第二搬送路２とをつなぐようにして第三
搬送路３が設定されており、この第三搬送路３上にも一
つの真空チャンバー３１が設けられている。この第三搬
送路３上の真空チャンバー３１は、第一のグループの真
空チャンバーの一つ１６と、第二のグループの真空チャ
ンバーの一つ２１とに対して気密に接続されたものであ
り、第一搬送路１から第二搬送路２へ基板９が大気に取
り出されることなく搬送されるようにするものである。
第一のグループの真空チャンバーでは、主に下地膜の作
成から保護膜の作成までの工程が行われる。また、第二
のグループの真空チャンバーでは、保護膜作成の後の潤
滑層形成までの工程が主に行われる。
【００２０】第一第二第三搬送路１，２，３を通して基
板９を搬送する搬送系の構成について、以下に説明す
る。搬送系は、基板９を保持する基板保持具５１を第一
搬送路１に沿って周回させる第一周回機構と、第一搬送
路１上の基板保持具（以下、第一基板保持具）５１に基
板９を搭載する搭載用ロボット６１と、基板９を保持す
る別の基板保持具５２を第二搬送路２に沿って周回させ
る第二周回機構と、第二搬送路２上の基板保持具（以
下、第二基板保持具）５２から基板９を回収する回収用
ロボット６２と、第一基板保持具５１から基板９を取り
外して第二基板保持具５２に搭載する移載ロボット６３
とから主に構成されている。
【００２１】搭載用ロボット６１、回収用ロボット６
２、及び、移載用ロボット６３は、基本的に同じ構成で
あり、先端に基板９を保持する多関節アームを備えたロ
ボットである。第一第二基板保持具５１，５２は、共に
同じ構成の部材である。また、第一周回機構及び第二周
回機構も、基本的には共に同じ構成の機構である。以
下、一例として、第一基板保持具５１及び第一周回機構
の構成について説明する。
【００２２】第一周回機構は、第一保持具５１を第一搬
送路１上で直線移動させる直線移動機構と、第一基板保
持具５１の搬送の向きを転換する方向転換機構とから主
に構成されている。第一基板保持具５１及び直線移動機
構の構成について、図２及び図３を使用して説明する。
図２及び図３は、図１に示す装置における第一基板保持
具５１及び直線移動機構の構成を示す図であり、図２は
その正面概略図、図３は側断面概略図である。
【００２３】第一基板保持具５１は、板状の保持具本体
５１１と、保持具本体５１１に取り付けられた保持爪５
１２とから主に構成されている。保持爪５１２は合計で
八つ設けられており、四つが一組となって一枚の基板９
を保持する。従って、第一基板保持具５１は同時に二枚
の基板９を保持するようになっている。保持具本体５１
１は、図２に示すように、基板９より少し大きなほぼ円
形の開口を二つ有している。各四つの保持爪１２は、ほ
ぼ円形の開口を挟んで二つずつ両側に設けられており、
基板９を側縁で挟み込むようにして保持するようになっ
ている。
【００２４】具体的には、保持具本体５１１のほぼ円形
の開口の両側から下方に延びる別の開口を有しており、
この開口内にはほぼ垂直に延びるようにして一対の板バ
ネ５１４が設けられている。各板バネ５１４の先端に
は、爪取付具５１５が固定されている。各爪取付具５１
５は、図２に示すように、ほぼ台形状の板材であり、上
下に位置する面に各々保持爪５１２をねじ止めによって
固定している。尚、各保持爪５１２の先端は、Ｖ字状に
なっている。そして、基板９の縁がこのＶ字状の先端に
落とし込まれるようになっている。
【００２５】また、各ロボット６１，６２，６３は、保
持具本体５１１のほぼ円形の開口から遠ざかるようにし
て一対の板バネ５１４をその弾性に逆らって押し広げる
一対のレバー６０を備えている。基板９を第一基板保持
具５１に搭載する際には、一対のレバー６０によって両
側の板バネ５１４を押し広げ、基板９を保持具本体５１
１のほぼ円形の開口内に位置させる。そして、レバー６
０を戻して板バネ５１４をその弾性によって元の姿勢に
復帰させる。この結果、基板９が四つの保持爪５１２に
よって係止される。同様にして、もう一枚の基板９を別
の四つの保持爪５１２によって係止すると、二枚の基板
９が第一基板保持具５１によって保持された状態とな
る。第一基板保持具５１から基板９を取り外す場合に
は、これと全く逆の動作となる。
【００２６】また、図２に示すように、第一基板保持具
５１の下端部には小さな磁石（以下、保持具側磁石）５
１３を多数備えている。各保持具側磁石５１３は、上下
の面に磁極を有している。そしてこの保持具側磁石５１
３は、図２に示すように、配列方向に交互に逆の磁極に
なっている。また、第一基板保持具５１の下側には、隔
壁７０を挟んで磁気結合ローラ７１１が設けられてい
る。磁気結合ローラ７１１は丸棒状の部材であり、図２
に示すように、螺旋状に延びる細長い磁石（以下、ロー
ラ側磁石）７１２を有している。このローラ側磁石７１
２は互いに異なる磁極で二つ設けられており、二重螺旋
状になっている。
【００２７】磁気結合ローラ７１１は、ローラ側磁石７
１２が隔壁７０を挟んで保持具側磁石５１３に向かい合
うよう配置されている。隔壁７０は、透磁率の高い材料
で形成されており、保持具側磁石５１３とローラ側磁石
７１２とは、隔壁７０を通して磁気結合している。尚、
隔壁７０の第一基板保持具５１側の空間は真空側（各真
空チャンバーの内部側）であり、磁気結合ローラ７１１
側の空間は大気側である。このような磁気結合ローラ７
１１は、図１に示す方形の第一搬送路１に沿って設けら
れている。
【００２８】また、図３に示すように、第一基板保持具
５１は、水平な回転軸の回りに回転する主プーリ７１４
の上に載せられている。主プーリ７１４は、第一基板保
持具５１の移動方向に沿って多数設けられている。ま
た、第一基板保持具５１の下端部分には、垂直な回転軸
の回りに回転する一対の副プーリ７１５，７１５が当接
している。この副プーリ７１５，７１５は、第一基板保
持具５１の下端部分を両側から挟むように押さえて第一
基板保持具５１の転倒を防止している。この副プーリ７
１５，７１５も第一基板保持具５１の移動方向に多数設
けられている。
【００２９】図３に示すように、磁気結合ローラ７１１
には傘歯車を介して駆動棒７１６が連結されている。そ
して、駆動棒７１６には移動用モータ７１７が接続され
ており、駆動棒７１６を介して磁気結合ローラ７１１を
その中心軸の周りに回転させるようになっている。磁気
結合ローラ７１１が回転すると、図２に示す二重螺旋状
のローラ側磁石７１２も回転する。この際、ローラ側磁
石７１２が回転する状態は、保持具側磁石５１３から見
ると、交互に異なる磁極の複数の小さな磁石が一列に並
んでその並びの方向に沿って一体に直線移動しているの
と等価な状態となる。従って、ローラ側磁石７１２に結
合している保持具側磁石５１３は、ローラ側磁石７１２
の回転とともに直線移動し、この結果、第一基板保持具
５１が全体に直線移動することになる。この際、図３に
示す主プーリ７１４及び副プーリ７１５，７１５は従動
する。
【００３０】図１に示す構成において、第一第二搬送路
１，２の各々角の部分に設けられた真空チャンバーは、
基板９の搬送方向を９０度転換する方向転換機構を備え
た方向転換チャンバー１７，２９になっている。図４を
使用して、一例として方向転換チャンバー１７に備えら
れた方向転換機構の構成について説明する。図４は、図
１に示す方向転換チャンバー１７に備えられた方向転換
機構の構成を示す側面概略図である。図４に示す方向転
換機構は、上述した構成と同様の磁気結合ローラ（図４
中不図示）等を含む直線移動機構を全体に保持した保持
体７２１と、この保持体７２１を回転させて保持体７２
１全体を回転させる回転用モータ７２２とから主に構成
されている。
【００３１】まず、図４中不図示の磁気結合ローラの軸
には、駆動棒７１６が傘歯車等の運動転換機構を介して
連結されている。この駆動棒７１６の後端には、図４に
示すように別の傘歯車７２３が設けられている。この別
の傘歯車７２３には、鉛直な姿勢の動力伝達棒７２４が
連結されている。即ち、動力伝達棒７２４の先端には傘
歯車７２５が設けられて駆動棒７１６の後端の傘歯車７
２３に螺合している。動力伝達棒７２４の後端は、移動
用モータ７１７の出力軸が連結されている。
【００３２】一方、方向転換機構を構成する保持体７２
１は、円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛
直にして配置されている。保持体７２１は、図４に示す
ように、鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿
通された状態で上記動力伝達棒７２４が配置されてい
る。貫通孔の内面と動力伝達棒７２４との間の間隙部分
には、ベアリング７２５が配置され、動力伝達棒７２４
の回転を許容しつつ貫通孔の部分に動力伝達棒７２４を
保持している。
【００３３】上記保持体７２１は、より大きな径のほぼ
円筒状の保持具カバー７２６の内側に配置されている。
この保持具カバー７２６は、内側に保持体７２１を収納
して保持するとともに方向転換機構が配置された方向転
換チャンバー１７，２９の底板部分７２７に取り付けら
れている。即ち、方向転換チャンバー１７，２９の底板
部分７２７には、保持具カバー７２６の外径に適合する
大きさの円形の開口を有し、この開口に保持具カバー７
２６をはめ込んで固定している。保持具カバー７２６と
底板部分７２７との接触面にはＯリング等のシール材が
設けられている。
【００３４】また、保持具カバー７２６とその内側の保
持体７２１との間の間隙には、上下に並べて設けた四つ
のベアリング７２９と、上側の二つのベアリング７２９
の間に挟み込むようにして設けたメカニカルシール７２
８とが設けられている。メカニカルシール７２８は、保
持体７２１の回転を許容しつつ保持体７２１と保持具カ
バー７２６との間の間隙を真空シールするためのもので
あり、磁性流体を使用したシール機構等が好適に使用で
きる。
【００３５】また一方、保持体７２１の下面にはプーリ
取付具７３０が設けられており、このプーリ取付具７３
０の下端に保持具側プーリ７３１が固定されている。保
持具側プーリ７３１は、保持体７２１の中心軸と同心状
に配置されたものである。さらに、保持具側プーリ７３
１と同じ高さの位置には、モータ側プーリ７３２が配置
されている。このモータ側プーリ７３２には、上方に突
出させた回転用モータ７２２の出力軸が連結されてい
る。また、モータ側プーリ７３２と保持具側プーリ７３
１とを連結するようにして、ベルト７３３が張架されて
いる。具体的には、保持具側プーリ７３１及びモータ側
プーリ７３２はタイミングプーリから構成され、ベルト
はタイミングベルトから構成されている。
【００３６】また、保持体７２１の上面には、図４に示
すような保持枠７３４が固定されている。保持枠７３４
は、図２に示す第一基板保持具５１や磁気結合ローラ７
１１等を全体に保持するためのものである。保持枠７３
４の下側部分の先端には、図４に示すように支柱７３５
が数本配置されており、この支柱６８１によって前述し
た主プーリ７１４や一対の副プーリ７１５，７１５が保
持されている。そして、保持枠７３４と保持体７２１と
の間は真空シールされており、保持枠７３４の内部から
の方向転換チャンバー１７内のリークを防止している。
【００３７】このような方向転換チャンバー１７の方向
転換機構の動作について説明する。まず、移動用モータ
７１７が駆動されると、動力伝達棒７２４及び駆動棒７
１６を介して図４中不図示の磁気結合ローラに回転駆動
が伝達され、磁気結合ローラが回転する。これによっ
て、上方の第一基板保持具５１が直線移動する。
【００３８】第一基板保持具５１が移動して方向転換チ
ャンバー１７内の所定位置に達すると、回転用モータ７
２２が駆動される。回転用モータ７２２の動力は、モー
タ側プーリ７３２からベルト７３３によって保持具側プ
ーリ７３１に伝えられ、保持具側プーリ７３１を回転さ
せる。これによって、上方の保持体７２１が回転し、保
持体７２１上に保持されていた直線移動機構が全体に回
転する。この結果、第一基板保持具５１も回転する。回
転角度が９０度に達すると回転用モータ７２２は駆動を
停止し、第一基板保持具５１の回転も停止する。これに
よって、第一基板保持具５１の搬送の向きが９０度曲げ
られる。
【００３９】その後、所定の制御信号を受けた後さらに
直線移動機構が駆動され、９０度曲げられた第一搬送路
１に沿って第一基板保持具５１を移動させ、次の真空室
チャンバーまで第一基板保持具５１を搬送させる。従っ
て、曲げられた後の第一搬送路１においても、基板９１
の板面は搬送方向の側方に向くようになっている。上記
構成に係る方向転換機構の構成において、９０度等の所
定角度の回転の制御は、回転用モータ７２２の制御によ
って行っても良いし、保持体７２１が所定角度回転した
のを検出する不図示のセンサ機構等によって行ってもよ
い。
【００４０】次に、第一第二のグループの真空チャンバ
ーの構成について説明する。まず、第一のグループの真
空チャンバーについて説明する。第一のグループの真空
チャンバーは、大気側から基板９を搬入する際に基板９
が一時的に滞留するチャンバーであるロードロックチャ
ンバー１１と、ロードロックチャンバー１１の次に基板
９が搬送されるチャンバーであるプリヒートチャンバー
１２と、プリヒートチャンバー１２の次に基板９が搬送
されるチャンバーである下地膜作成チャンバー１３と、
下地膜作成チャンバー１３の次に基板９が搬送されるチ
ャンバーである磁性膜作成チャンバー１４と、磁性膜作
成チャンバー１４の次に基板９が搬送されるチャンバー
である保護膜作成チャンバー１５と、第二搬送路２に基
板９が搬送される際に一時的に基板９が滞留するチャン
バーである第一中継チャンバー１６と、方向転換チャン
バー１７と、補助真空チャンバー１０とから成ってい
る。
【００４１】ロードロックチャンバー１１の外側には、
搭載用ロボット６１が設けられている。搭載用ロボット
６１は、大気側であるロードステーションに配置された
搭載用カセット６１１から基板９を一枚ずつ取り出し
て、第二基板保持具５２に基板９を搭載するものであ
る。プリヒートチャンバー１２は、基板９を加熱して基
板９の表面又は内部のガスを予め放出させるものであ
る。プリヒートチャンバー１２は、輻射加熱ランプによ
って基板９を所定の温度まで加熱するよう構成される。
【００４２】下地膜作成チャンバー１３及び磁性膜作成
チャンバー１４は、ともにスパッタリングにより所定の
薄膜を作成するようになっている。一例として、磁性膜
作成チャンバー１４の構成について、図５を使用して説
明する。図５は、図１に示す磁性膜作成チャンバー１４
の構成を示す平面概略図である。
【００４３】磁性膜作成チャンバー１４は、内部を排気
する排気系１４１と、内部にプロセスガスを導入するガ
ス導入系１４２と、内部の空間に被スパッタ面を露出さ
せて設けたターゲット１４３と、ターゲットにスパッタ
放電用の電圧を印加するスパッタ電源１４４と、マグネ
トロンスパッタリングを行うためにターゲット１４３の
背後に設けられた磁石機構１４５とから主に構成されて
いる。
【００４４】ガス導入系１４２によってプロセスガスを
導入しながら排気系１４１によって磁性膜作成チャンバ
ー１４内を所定の圧力に保ち、この状態でスパッタ電源
１４４を動作させる。この結果、スパッタ放電が生じて
ターゲット１４３がスパッタされ、スパッタされたター
ゲット１４３の材料が基板９に達して基板９の表面に所
定の磁性膜が作成される。
【００４５】保護膜作成チャンバー１５は、プラズマ形
成手段１５０を備えており、プラズマＣＶＤ（化学蒸
着）により保護膜を作成するようになっている。図６
は、図１に示す保護膜作成チャンバー１５の構成を示す
平面概略図である。保護膜作成チャンバー１５は、内部
を排気する排気系１５１を備えている。プラズマ形成手
段１５０は、ＣＨ４等の炭化水素化合物ガスと水素ガス
を混合して内部に導入する不図示のプロセスガス導入系
１５２と、プロセスガスに高周波エネルギーを与えてプ
ラズマＰを形成する高周波電源１５３等から構成されて
いる。炭化水素化合物ガスがプラズマＰ中で分解し、基
板９の表面にカーボンの薄膜が堆積するようになってい
る。基板保持具５１を介して基板９に高周波電圧を与
え、プラズマＰとの相互作用によって基板９に負の直流
分の電圧である自己バイアス電圧を与えるよう構成する
場合がある。
【００４６】尚、図１に示すように、本実施形態では、
各々二つの下地膜作成チャンバー１３と磁性膜作成チャ
ンバー１４とが設けられており、一つの下地膜作成チャ
ンバー１３、もう一つの下地膜作成チャンバー１３、一
つの磁性膜作成チャンバー１４、もう一つの磁性膜作成
チャンバー１４の順に基板９が搬送されるようになって
いる。即ち、下地膜を二層に亘って形成し、その上に、
磁性膜を二層に亘って形成するようになっている。尚、
下地膜の上に磁性膜を形成したものが二層にわたって積
層されるようにする場合もある。下地膜としては例えば
Ｃｒ膜、磁性膜としては例えばＣｏＣｒＴａ膜が作成さ
れる。また、保護膜作成チャンバー１５が二つ設けられ
ており、最初の保護膜作成チャンバー１５で必要な厚さ
の半分の成膜を行い、次の保護膜作成チャンバー１５で
残りの半分の厚さの成膜を行うようになっている。
【００４７】次に、第二のグループの真空チャンバーの
構成について説明する。第二のグループの真空チャンバ
ーは、基板９が搬送される順に、第一搬送路１から第三
搬送路３を通って搬送された基板９が一時的に滞留する
チャンバーである第二中継チャンバー２１、基板９の表
面の汚損物質をプラズマアッシングによって除去する第
一クリーニングチャンバー２２、基板９の表面にガスを
噴射して基板９の表面の汚損物質を吹き飛ばすガスブロ
ーを行う第二クリーニングチャンバー２３、基板９の表
面の突起を除去するバーニッシュを行うバーニッシュチ
ャンバー２４、潤滑層の形成を行う潤滑層形成チャンバ
ー２５、潤滑層形成後に後処理を行う後処理チャンバー
２６、基板９を冷却する冷却チェンバー２７、補助真空
チャンバー２０、大気側に基板９を搬出する際に基板９
が一時的に滞留するチャンバーであるアンロードロック
チャンバー２８、方向転換チャンバー２９となってい
る。
【００４８】第一クリーニングチャンバー２２は、本実
施形態の大きな特徴点の一つとなっている。第一クリー
ニングチャンバー２２の構成について、図７を使用して
説明する。図７は、図１に示す第一クリーニングチャン
バー２２の構成を示す平面概略図である。
【００４９】第一クリーニングチャンバー２２は、酸素
プラズマによって基板９の表面の汚損物質をアッシング
（灰化）するようになっている。第一クリーニングチャ
ンバー２２の構成は、ガス導入系２２２が酸素ガスを導
入するものである以外は、図６に示す保護膜作成チャン
バー１５とほぼ同様である。即ち、第一クリーニングチ
ャンバー２２は、基板９の両側に位置する一対の高周波
電極２２３と、高周波電極２２３に高周波電圧を与えて
プラズマＰを形成する高周波電源２２４とを備えてい
る。
【００５０】高周波電極２２３は内部が中空であり、基
板９を臨む面にガス吹き出し孔を多数有している。ガス
導入系２２２は、高周波電極２２３内を経由して第一ク
リーニングチャンバー２２内に酸素ガスを導入するよう
になっている。尚、ガス導入系２２２は、バッファ用の
ガスや放電特性を改善するためのガスを酸素に添加して
導入する場合がある。
【００５１】前述した保護膜作成チャンバー１５で保護
膜が作成された基板９の表面には、カーボン又はハイド
ロカーボンより成る汚損物質が基板９の表面に付着して
いることがある。これは、以下のような原因による
【００５２】カーボンの付着は、主に、保護膜作成チャ
ンバー１５の浮遊パーティクルに起因している。即ち、
保護膜作成チャンバー１５内では、基板９の表面のみな
らず、保護膜作成チャンバー１５内の構造物の表面や第
一基板保持具５１の表面等にも薄膜（カーボン膜）が堆
積する。これらの薄膜は、ある程度の厚さに堆積する
と、内部応力等によって剥離する。この剥離した破片
は、パーティクルとなって保護膜作成チャンバー１５内
を浮遊する。この浮遊パーティクルが基板９の表面に付
着すると、潤滑層形成の際にこの付着点での潤滑剤の濡
れ性（接触性）を悪化させたり、保護膜作成の際に異常
成長を生じさせて基板９の表面に微小な突起を形成した
りすることがある。
【００５３】また、ハイドロカーボンの付着は、保護膜
作成チャンバー１５内の残留ガスが影響している。即
ち、保護膜は、炭化水素化合物ガスのプラズマ中での分
解を利用して作成されるが、保護膜作成チャンバー１５
内には、未分解の炭化水素化合物ガスが残留しており、
この残留ガスが分子又はある程度の大きさのパーティク
ルとなって基板９の表面に付着することがある。このよ
うな分子又はパーティクルが付着していると、やはり、
潤滑剤の濡れ性を悪化させたり、潤滑層の特性に悪影響
を与えたりすることがある。
【００５４】このような汚損物質が付着した基板９の表
面を酸素プラズマに晒すと、酸素プラズマ中で生成され
る酸素イオン、活性種である単原子酸素分子（Ｏ）、又
は、活性酸素分子（Ｏ2 *）等の作用により、カーボンや
ハイドロカーボンが急激に酸化され（燃やされ）、二酸
化炭素や水等の揮発物となる。これらの揮発物は、第一
クリーニングチャンバー２２の排気系２２１によって排
気される。このようなアッシングを行うことで、潤滑層
の密着性が悪化したり、ディスクの表面の微小な突起に
より磁気ヘッドの読み取りが阻害されたりする問題が抑
制される。
【００５５】アッシングの条件については、慎重な検討
が必要である。というのは、あまりアッシングをやり過
ぎると、表面の保護膜（カーボン膜）を削ってしまうこ
とになるからである。アッシングの条件について、一例
を示すと、以下の通りである。 第一クリーニングチャンバー２２内の圧力：１〜２Ｐａ 酸素ガスの流量：１００ＳＣＣＭ（ＳＣＣＭは、０℃一
気圧で換算した気体の流量（ｃｍ3／分） 高周波電力：１３．５６ＭＨｚ，５０Ｗ 基板９の大きさ：直径３．５インチ 上記条件でアッシングを行う場合、０．３秒〜２．０秒
程度で汚損物質の充分な除去が行え、また、問題となる
保護膜の削れも生じない。尚、５０Ｗを越える高周波電
力又は２．０秒を越える時間でアッシングを行うと、保
護膜の削れが生じる恐れがある。従って、５０Ｗ以下の
高周波電力及び２．０秒以下の時間でアッシングを行う
ことが好ましい。
【００５６】次に、第二クリーニングチャンバー２３に
ついて説明する。図８は、図１に示す第二クリーニング
チャンバー２３の構成を示す平面概略図である。第二ク
リーニングチャンバー２３は、内部を排気する排気系２
３１と、基板９の表面にガスを噴射するノズル２３２を
先端に備えたガス導入管２３３とを備えている。ノズル
２３２は、基板９と平行に設けられた円盤状であり、基
板９より少し大きい。また、ノズル２３２には、前方の
基板９に向かってガスを噴射するガス噴射口が多数均等
間隔をおいて設けられている。
【００５７】ノズル２３２から基板９の表面にガスが噴
射され、基板９の表面に付着している汚損物質が吹き飛
ばされるようになっている。第二クリーニングチャンバ
ー２３内の圧力は１×１０-4〜１×１０-5Ｐａ程度、基
板９の表面におけるガスの噴射圧力は１００Ｐａ程度で
ある。ガスには、アルゴン等の不活性ガス又は窒素等が
使用される。また、ガス導入管２３２につながる不図示
の配管上には、汚損物質を取り除くフィルタが設けられ
ることが好ましい。
【００５８】上述したガスブロークリーニングは、大気
中で行うことも可能である。しかしながら、大気中で行
うと、雰囲気自体の清浄度が真空中に比べて悪いため、
クリーニング後も基板９の表面に汚損物質が付着してい
る恐れが真空中で行う場合に比べて高い。尚、プラズマ
やガスブローによって基板９の表面をクリーニングする
構成の他、極細繊維によってクリーニングする構成も採
用可能である。即ち、メガネ拭きとして市販されている
ような０．０６デニール程度の極細繊維よりなる布で基
板９の表面を擦るようにしてクリーニングしても良い。
【００５９】次に、バーニッシュチャンバー２４につい
て説明する。図９は、図１に示すバーニッシュチャンバ
ー２４の構成を示す側面概略図である。図９に示すよう
に、バーニッシュチャンバー２４は、内部を排気する排
気系２４１と、基板９を保持して基板９と同軸の回転軸
の周りに基板９を回転させる回転機構８と、回転機構８
により回転する基板９の表面に押し付けられるバーニッ
シュテープ２４２とを備えている。
【００６０】回転機構８の詳細について、図１０を使用
して説明する。図１０は、図９に示す回転機構８の構成
を示す断面概略図である。図１０に示すように、回転機
構８は、水平に延びる棒状の前後駆動軸８１と、前後駆
動軸８１と同軸に設けられた円筒状の回転駆動軸８２
と、前後駆動軸８１を駆動させる第一前後駆動源８３
と、回転駆動軸８２を駆動させる回転駆動源８４と、前
後駆動軸８１及び回転駆動軸８２を全体に前後移動させ
る第二前後駆動源８５から主に構成されている。
【００６１】前後駆動軸８１の先端には、駆動ヘッド８
６が設けられている。駆動ヘッド８６は、基板９の中央
の開口より僅かに小さい円盤状部８６１と、前後駆動軸
８１と同軸の円錘面を成すテーパー部８６２とから形成
されている。また、回転駆動軸８２の先端には、接触片
８２１が設けられている。接触片８２１は、基板９を保
持する際に基板９の開口の縁に接触する部材である。図
１１は、図１０に示す接触片８２１の配置位置を示す正
面図である。図１１に示すように、接触片８２１は、前
後駆動軸８１と同軸の円周上に１２０度ずつ離れて三カ
所に配置されている。尚、図１０に示すように、各接触
片８２１は、曲面より成る凹部状又はＶ字状の断面形状
となっている。
【００６２】また、図１０に示すように、テーパー部８
６２のテーパー面に接触するようにして被駆動片８２２
が設けられている。被駆動片８２２と、接触片８２１と
は、連結板８２４によって連結されている。また、回転
駆動軸８２の先端面には突起が設けられており、被駆動
片８２２は、コイルスプリング等のバネ部材８２３を介
して突起に固定されている。尚、接触片８２１は、回転
駆動軸８２の先端の突起の部分より外側に位置し、先端
面上で滑動するようになっている。
【００６３】前後駆動軸８１は、切断可能なジョイント
機構８１１を介して前後運動源８３に連結されている。
第一前後駆動源８３は、サーボモータとボールねじの組
み合わせ又はエアシリンダ等の直線運動源である。ま
た、回転駆動源８４は、回転駆動軸８２の周面に設けら
れたギヤを介して連結されたモータである。さらに、第
二前後駆動源８５は、前後駆動軸８１、回転駆動軸８
２、第一前後駆動源８３及び回転駆動源８４等を保持し
たフレーム８５１を移動させてこれらを一体に前後運動
させるものである。尚、回転駆動軸８２は、メカニカル
シール等の真空シールを介してバーニッシュチャンバー
２４の器壁を気密に貫通している。また、バーニッシュ
チャンバー２３内には、上記回転機構８と連動する不図
示のレバーが設けられている。レバーの構成は、前述し
た各ロボット６１，６２，６３が備えるレバー６０と同
様である。
【００６４】一方、図９に示すように、バーニッシュテ
ープ２４２は、バーニッシュチャンバー２４内に設けら
れた巻装ローラ２４３に巻かれており、巻装ローラ２４
３から引き出されて使用されるようになっている。バー
ニッシュチャンバー２４内には、使用済みのバーニッシ
ュテープ２４２を巻き取る巻き取りローラ２４４が設け
られている。巻き取りローラ２４４は、バーニッシュチ
ャンバー２４内に設けられた真空モータ（真空雰囲気内
で使用可能なモータ）２４５によって回転され、使用済
みのバーニッシュテープ２４２を巻き取るようになって
いる。尚、この巻き取りの動作により、巻装ローラ２４
３が従動回転し、未使用のバーニッシュテープ２４２が
引き出されるようになっている。
【００６５】また、回転機構８により基板９が保持され
て回転する際に、バーニッシュテープ２４２を基板９に
押し付ける押し付け具２４７が設けられている。押し付
け具２４７には、押し付け具２４７を駆動する駆動機構
８７が設けられている。図１２は、図９に示す押し付け
具２４７を駆動する駆動機構８７の構成を示す側面概略
図である。
【００６６】図１２に示すように、駆動機構８７は、押
し付け具２４７に先端が固定された駆動軸８７１と、駆
動軸８７１を前方に押し出して押し付け具２４７を基板
９に押し付けるトルクモータ８７２と、駆動軸８７１及
びトルクモータ８７２を全体に前後移動させる直線駆動
源８７３とから主に構成されている。
【００６７】トルクモータ８７２の出力軸には、ボール
ねじ８７４が連結されている。駆動軸８７１の後端部分
は中空になっており、ボールねじ８７４が噛み合ってい
る。駆動軸８７１は、不図示の回転規制部によって回転
しないようになっている。また、直線駆動源８７３に
は、モータとボールねじの組み合わせ又はエアシリンダ
等が使用できる。尚、駆動軸８７１は、メカニカルシー
ル等の真空シールを介してバーニッシュチャンバー２４
の器壁を気密に貫通している。また、図９から判るよう
に、バーニッシュテープ２４２、巻装ローラ２４３、巻
き取りローラ２４４、真空モータ２４６、押し付け具２
４７、及び、駆動機構８７は、基板９が位置する位置を
挟んで両側に設けられている。
【００６８】尚、押し付け具２４７の押し付け面の幅
は、基板９の半径から中央の開口の半径を引いた長さに
ほぼ等しい長さとなっている。但し、バーニッシュテー
プ２４２及び押し付け具２４７に対して基板９を径方向
に相対的に移動させながら基板９を回転するようにすれ
ば、上記幅より短くても良い。
【００６９】図９に示すバーニッシュチャンバー２４の
動作について、以下に説明する。バーニッシュチャンバ
ー２４内が排気系２４１によって所定の真空圧力に排気
されている状態で、基板９を保持した第二基板保持具５
２がバーニッシュチャンバー２４内に移動して停止す
る。この際の停止位置は、一方の基板９の中心が、図９
及び図１０に示す前後駆動軸８１の中心軸に一致する位
置である。尚、この際、第二前後駆動源８５は、前後駆
動軸８１や回転駆動軸８２の先端部分が基板９より手前
側に位置するよう、前後駆動軸８１や回転駆動軸８２を
退避させている。
【００７０】次に、第二前後駆動源８５が駆動され、前
後駆動軸８１や回転駆動軸８２が一体に前進し、所定の
位置で停止する。この位置では、図１０に示すように、
駆動ヘッド８６が基板９の開口から突出するとともに、
接触片８２１が基板９と同一垂直面上に位置する。この
状態で、第一前後駆動源８３が駆動され、前後駆動軸８
１が後退する。後退に伴い、テーパー部８６２のテーパ
ー面に接触している被駆動片８２２が、バネ部材８２３
の弾性に逆らって外側に移動する。この結果、各接触片
８２１も外側に移動し、基板９の開口の縁に接触する。
第一前後駆動源８３は、前後駆動軸８１に対してそれを
後退させる向きに適切な力を加えている。従って、各接
触片８２１が適切が圧力により基板９の開口の縁に押し
付けられた状態となる。これにより、基板９が保持され
た状態となる。この状態で、不図示のレバーが駆動さ
れ、第二基板保持具５２の一対の板バネ（図９中不図
示）を押し広げる。この結果、基板９は、回転機構８に
のみ保持された状態となる。
【００７１】次に、回転機構８の回転駆動源８４が動作
し、前後駆動軸８１及び回転駆動軸８２を一体に回転さ
せる。この結果、各接触片８２１を介して保持されてい
る基板９も一体に回転する。尚、この回転の際、ジョイ
ント機構８１１は、前後駆動軸８１と第一前後駆動源８
３との連結を切り離す。
【００７２】そして、基板９が回転している際、基板９
の両側の押し付け具２４７の駆動機構８７が駆動され
る。まず、駆動機構８７のうち、直線駆動源８７３が動
作し、両側の押し付け具２４７が所定の前進位置まで前
進する。この前進位置は、押し付け具２４７がバーニッ
シュテープ２４２を基板９に押し付ける状態となる少し
手前の位置である。次に、トルクモータ８７２が動作
し、押し付け具２４７を少し前進させる。この結果、押
し付け具２４７がバーニッシュテープ２４２を基板９に
押し付ける。トルクモータ８７２の発生トルクが調節さ
れ、バーニッシュテープ２４２の押し付け圧力が所定の
値に制御される。
【００７３】バーニッシュテープ２４２の押し付けによ
り、基板９の表面に存在する突起が削り取られる。ま
た、突起の除去に加え、基板９の表面に汚損物質が付着
している場合、この汚損物質が除去されることもある。
バーニッシュテープ２４２としては、ポリエチレンテレ
フタレート製又はポリアミド製のフィルム上にアルミナ
粒子又は炭化シリコン（ＳｉＣ）粒子等の研磨砥粒を担
持したものが使用される。また、基板９の回転速度は、
１００〜４０００ｒｐｍ程度で良い。
【００７４】尚、押し付け具２４７の押し付け力は、慎
重な検討が必要である。バーニッシュテープ２４２によ
るバーニッシュを真空中で行う場合、バーニッシュテー
プ２４２と基板９の表面との間の摩擦力が大気中の場合
よりも大きくなる。このため、大気中の場合と同様の力
で押し付けると、基板９の表面を過剰に削り取ってしま
い、突起を取るだけではなく、保護膜の厚さを薄くして
しまう恐れがある。例えば１．０×１０-2〜１００Ｐａ
程度の真空中でのバーニッシュの場合、押し付け力は
９．８〜５８８ｍＮ程度とすることが好ましい。
【００７５】また、バーニッシュテープ２４２を基板９
の表面に押し付けた状態で、基板９で無くバーニッシュ
テープ２４２の移動（巻き取り）を行ってバーニッシュ
を行う場合もある。また、基板９の回転とバーニッシュ
テープ２４２の移動の双方を行う場合もある。バーニッ
シュテープ２４２を基板９に押し付けた状態でバーニッ
シュテープ２４２の移動を行う場合、押し付け具２４７
には従動ローラに相当する構成が採用される。
【００７６】このようなバーニッシュを基板９の両面の
全面に亘って行った後、駆動機構８７が押し付け具２４
７を所定の後退位置まで後退させ、回転駆動源８４は回
転を停止する。次に、不図示のレバーによる第二基板保
持具５２の板バネの押し広げを解除し、各保持爪によっ
て再び基板９を保持させる。その後、回転機構８は、ジ
ョイント機構８１１によって再び第一前後駆動源８３と
前後駆動軸８１とを連結させた後、第一駆動源８１を動
作させて、前後駆動軸８１を所定距離前進させる。この
結果、バネ部材８２３の弾性により接触片８２１が内側
に移動して基板９の保持が解消される。そして、第二前
後駆動源８５を動作させて、前後駆動軸８１及び回転駆
動軸８２を一体に後退させ、元に退避位置に戻す。
【００７７】次に、第二基板保持具５２を移動させ、も
う一つの基板９の中心が、前後駆動軸８１と同軸になる
位置で停止させる。そして、前述したのと同様の動作を
繰り返して、もう一つの基板９に対してもバーニッシュ
を行う。尚、図１に示すように、本実施形態では、潤滑
層形成チャンバー２５を挟んでバーニッシュチャンバー
２４が二つ設けられている。従って、潤滑層形成の前と
後にバーニッシュを行うようになっている。
【００７８】次に、潤滑層形成チャンバー２５について
説明する。図１３は、図１に示す潤滑層形成チャンバー
２５の構成を示す側面概略図である。潤滑層形成チャン
バー２５は、真空中で基板９の表面に潤滑層を形成する
ものである。具体的には、潤滑層形成チャンバー２５
は、真空蒸着法により基板９の表面に潤滑層を形成する
ようになっている。図１３に示すように、潤滑層形成チ
ャンバー２５は、内部を排気する排気系２５１と、内部
に潤滑剤を貯めた一対の坩堝２５２と、坩堝２５２内の
潤滑剤を加熱して蒸発させるヒータ２５３と、蒸着中に
基板９を回転させて蒸着を均一化する回転機構８とを備
えている。
【００７９】潤滑剤は、溶剤に溶かさずに坩堝２５２内
に貯められている。ヒータ２５３は、抵抗発熱方式のも
のが使用されている。場合によっては、電子線を照射し
て加熱するものや、高周波によって加熱するものでも良
い。尚、坩堝２５２の上側には、必要に応じてシャッタ
が設けられる。回転機構８は、図９に示すバーニッシュ
チャンバー２４が備えるものと同様である。但し、図１
３に示す回転機構８は、各々の基板９を同時に保持して
回転できるよう、二つ設けられている。
【００８０】図１３に示す潤滑層形成チャンバー２５の
動作について、以下に説明する。排気系２５１により所
定の真空圧力に排気されている状態で、基板９を保持し
た第二基板保持具５２が潤滑層形成チャンバー２５内に
移動して停止する。そして、回転機構８が各基板９を保
持して回転させる。並行して、ヒータ２５３が動作して
坩堝２５２内の潤滑剤を加熱する。加熱により潤滑剤が
蒸発し、各基板９の表面に付着して潤滑層としての潤滑
膜を堆積させる。即ち、二枚の基板９に同時に潤滑膜が
作成される。潤滑剤としては、ＰＥＰＥを主成分とした
もので、分子量が２０００〜４０００程度のものが使用
できる。このような潤滑剤としては、例えばＡＵＳＭＯ
ＮＴ社から製品名ＺＤＯＬ２０００，ＺＤＯＬ４０００
等として販売されている。
【００８１】ヒータ２５３による加熱温度は５０〜３１
０℃、潤滑層形成チャンバー２５内の圧力は、１．０×
１０-2〜１００Ｐａ程度で良い。このような条件で蒸着
を行うと、３〜５秒程度で厚さ１〜２ｎｍ程度の潤滑膜
が作成できる。尚、回転機構８による回転速度は、前述
したバーニッシュの場合よりも低く、５〜５００ｒｐｍ
程度でよい。このようにして潤滑層の形成を行った後、
ヒータ２５３の動作及び回転機構８の動作を止める。基
板９を第二基板保持具５２に戻すとともに潤滑層形成チ
ャンバー２５内を再度排気した後、第二基板保持具５２
を次の後処理チャンバー２６に移動させる。
【００８２】次に、後処理チャンバー２６及び冷却チェ
ンバー２７の構成について説明する。図１４は、図１に
示す後処理チャンバー２６の構成を示す側面概略図であ
る。ボンデッドレシオは、前述した通り、２０〜３０％
程度が最適であるとされている。本実施形態では、後処
理チャンバー２６で基板を加熱するとともにその加熱の
温度及び時間を調節することにより、このボンデッドレ
シオを達成するようにしている。具体的には、基板９の
温度を３０〜１５０℃程度に３〜５秒程度維持すること
により上記ボンデッドレシオを達成できる。
【００８３】図１４に示すように、後処理チャンバー２
６内には、第二基板保持具５２に保持された基板９の両
側の位置になるように赤外線ランプ２６１が設けられて
いる。また、後処理チャンバー２６には、排気系２６２
が設けられており、後処理中、後処理チャンバー２６内
を１×１０-4〜１×１０-5Ｐａ程度に排気するようにな
っている。尚、潤滑層形成後の工程であるので、後処理
を真空中で行うことは、必須の条件ではないが、後処理
を真空中で行うことにより、高温に加熱された潤滑層の
表面に汚損物質の不純物が吸着されて取り込まれること
が防止できる。
【００８４】尚、本実施形態では加熱より後処理を行っ
たが、光照射により後処理を行うことも可能である。例
えば、光重合作用のある潤滑剤では、紫外線等の光を照
射することにより重合度を調整して基板９への付着性や
表面の潤滑性を調節することが可能である。この場合
は、前述した赤外線ランプに代えて紫外線ランプなどを
使用する。
【００８５】また、冷却チェンバー２７は、後処理後に
基板９を冷却して、後のアンロードロックチャンバー２
８内の回収用ロボット６２による取り扱い等を容易にす
るものである。冷却チェンバー２７は、水素又はヘリウ
ム等の冷却用ガスを基板９の表面に吹き付け、基板９を
１００℃以下に冷却するようになっている。特開平１１
−２０３７３４号公報に開示された冷却機構を、この冷
却チェンバー２７に用いると好適である。アンロードロ
ックチャンバー２８に設けられた回収用ロボット６２
は、基板９を第二基板保持具５２から取り外して、大気
側のアンロードステーションに配置された回収用カセッ
ト６２１に搬送するものである。
【００８６】次に、磁気記録ディスクの製造方法の発明
の実施形態の説明も兼ねて、上記構成に係る本実施形態
の装置の全体の動作について、以下に説明する。まず、
基板９は、大気側のロードステーションに配置された搭
載用カセット６１１から搭載用ロボット６１によって一
枚ずつロードロックチャンバー１１に搬入され、第一基
板保持具５１に搭載される。第一基板保持具５１は、プ
リヒートチャンバー１２に移動して基板９が予備加熱さ
れる。その後、第一基板保持具５１は、下地膜作成チャ
ンバー１３、磁性膜作成チャンバー１４、保護膜作成チ
ャンバー１５に順次移動し、基板９の上に、下地膜、磁
性膜、保護膜が積層される。
【００８７】この基板９は、第一中継チャンバー１６に
おいて、移載用ロボット６３により第一基板保持具５１
から取り外され、第二中継チャンバー２１に待機する第
二基板保持具５２に搭載される。基板９が取り外された
第一基板保持具５１は、ロードロックチャンバー１１に
戻り、次の基板９が搭載される。そして、同様に第一搬
送路１を周回する。
【００８８】一方、第二中継チャンバー２１において基
板９が搭載された第二基板保持具５２は、第一クリーニ
ングチャンバー２２、第二クリーニングチャンバー２
３、バーニッシュチャンバー２４、潤滑層形成チャンバ
ー２５に順次移動し、保護膜の上に潤滑層が形成され
る。そして、第二基板保持具５２は、後処理チャンバー
２６、冷却チェンバー２７の順に移動して基板９の後処
理及び冷却が行われる。第二基板保持具５２は、アンロ
ードロックチャンバー２８に達して、回収用ロボット６
２により基板９が第二基板保持具５２から取り外され、
大気側の回収用カセット６２１に搬出される。第二基板
保持具５２は、基板９が取り外された後、第二中継チャ
ンバー２１に移動して再び次の基板９の保持に使用さ
れ、第二搬送路２を周回する。尚、各チャンバー１０〜
１７，２０〜２９には、基板保持具５１，５２が位置し
ており、タクトタイム毎に次の各チャンバー１０〜１
７，２０〜２９に移動する。
【００８９】上記構成及び動作に係る本実施形態の装置
は、以下のような技術的意義を有する。まず、一つの装
置で、下地膜の作成から潤滑層の形成まで一貫して行え
るので、生産設備のコストや装置を運転する人件費のコ
スト等が、従来に比べて安価となる。また、搭載用カセ
ット６１１内の全ての基板９が処理されて回収用カセッ
ト６２１に回収されるまでの間、装置は無人運転するこ
とが可能であり、無人運転の時間が従来に比べて長くな
る。このため、生産性の点でも向上する。
【００９０】そして、保護膜の作成の後も、真空中で一
貫して潤滑層の形成まで行うので、保護膜と潤滑層との
界面や潤滑層中、又は、潤滑層の表面への汚損物質の混
入又は付着が抑制される。このため、本実施形態によれ
ば、汚損物質による記録層の汚損、潤滑層の付着性の低
下、潤滑層の膜厚の不均一化、潤滑層のボンデッドレシ
オ制御の精度低下等の問題の発生が抑制され、スペーシ
ングが減少しつつある磁気記録ディスクの製造に極めて
適した構成が提供される。
【００９１】また、潤滑層の形成の前に基板９の表面の
汚損物質がプラズマアッシング及びガスブローによって
除去されるので、この点で、さらに上記効果が高く得ら
れる。プラズマアッシングは、主に有機系の汚損物質の
除去に効果的であり、ガスブローは、金属やガラス等の
無機系の汚損物質の除去に効果的である。そして、第一
第二クリーニングチャンバー２２，２３でのクリーニン
グの後、基板９が大気に晒されることなく潤滑層形成チ
ャンバー２５に運ばれて潤滑層が形成されるので、清浄
化された表面が大気によって汚損されることがなく、清
浄な表面のまま潤滑層が形成される。このため、上記効
果がさらに高く得られる。
【００９２】また、バーニッシュが真空中で行われるの
で、バーニッシュの際に大気中の汚損物質が基板９の付
着することが無い。この点でも、汚損物質に起因した問
題がさらに抑制されている。そして、バーニッシュ後
に、基板９が大気に晒されることなく潤滑層形成チャン
バー２５に搬送されて潤滑層が形成されるので、同様に
この効果がさらに高く得られる。
【００９３】また、潤滑層の特性を改善する後処理が真
空中で行われるため、後処理の際に基板９の表面に大気
中の汚損物質が付着することが無い。この点でも、この
点でも、汚損物質に起因した問題がさらに抑制されてい
る。そして、潤滑層形成後に、基板９が大気に晒される
ことなく後処理チャンバー２６に搬送されて潤滑層が形
成されるので、同様にこの効果がさらに高く得られる。
【００９４】また、潤滑剤を溶剤に溶かすことなく使用
する構成は、以下のような技術的意義を有する。潤滑剤
を希釈する溶剤としては、潤滑剤がフッ素系であること
から、希釈用溶剤としては以前はフロンが多く使用され
た。しかしながら、オゾン層破壊の問題を背景として、
パーフルオロカーボン（ＰＦＣ）等のフロン代替溶剤が
多く使用されるようになった。しかし、このフロン代替
溶剤も、地球温暖化の原因物質であるとされ、溶剤の使
用そのものを問題視する傾向もある。
【００９５】溶剤を使用することの別の問題は、潤滑層
の汚損である。溶剤に溶解して塗布する結果、潤滑層に
不純物が混入し、これが原因で、イオン等の不純物が存
在することによる磁気ヘッドの腐食、潤滑層表面に存在
する突起による磁気ヘッドの機械的損傷、潤滑特性が充
分でないことによる磁気ヘッドのディスク表面への吸着
等の問題が生じることがある。本実施形態の方法及び装
置では、溶剤を使用しないので、このような溶剤を使用
することに起因する問題は無い。
【００９６】但し、実用的には、潤滑剤の取り扱いを容
易する等の目的から、少量の溶剤を使用する場合もあ
る。溶剤としては、３Ｍ社製のＨＦＥ７３００，７１０
０（商品名）等のパーフルオロアルキル系溶剤が使用さ
れる。使用量は、潤滑剤に対して１体積％以下である。
【００９７】次に、本願発明の第二の実施形態の磁気記
録ディスク製造装置について説明する。図１５は、本願
発明の第二の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主
要部を示す図である。図１５に示す実施形態の装置は、
基板９の表面をクリーニングするためのプラズマアッシ
ングを行う構成が、前述した実施形態と異なっている。
即ち、この図１５に示す実施形態では、保護膜作成チャ
ンバー１５でアッシングを行うようになっており、図１
５にはこの保護膜作成チャンバー１５の構成が示されて
いる。
【００９８】図１５に示す保護膜作成チャンバー１５
は、図６に示すものとほぼ同様であるが、ガス導入系１
５２の構成が異なっている。即ち、図１５に示すガス導
入系１５２は、炭化水素化合物と水素の混合ガスと、酸
素ガスとを、バルブ１５４で切り替えて選択的に保護膜
作成チャンバー１５に導入することができるようになっ
ている。
【００９９】図１５に示す構成において、保護膜を作成
する場合、炭化水素化合物と水素の水素ガスを導入する
ようにする。保護膜の作成の後、第一基板保持具５１を
移動させず、排気系１５１によって保護膜作成チャンバ
ー１５内を５×１０-2Ｐａ程度まで排気する。そして、
バルブ１５４の開閉によって導入ガスを酸素に切り替え
る。そして、前述した実施形態と同様に、酸素の高周波
プラズマによりアッシングを行う。
【０１００】この図１５に示す実施形態では、基板９の
表面の汚損物質のみならず、第一基板保持具５１に付着
した汚損物質も除去できるという特段の技術的意義があ
る。第一基板保持具５１に汚損物質が付着したままであ
ると、次の基板９の保持の際などにこの汚損物質が基板
９に移動して付着し易い。本実施形態の装置によれば、
基板９の表面に加え、このような第一基板保持具５１を
経由した汚損物質の付着も抑制できるという効果があ
る。また、プラズマがより拡散するように条件を設定す
ると、保護膜作成チャンバー１５内の構造物の露出面に
付着した汚損物質を除去するようにすることも可能であ
る。
【０１０１】次に、本願発明の第三の実施形態の磁気記
録ディスク製造装置について説明する。図１６は、本願
発明の第三の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主
要部を示す図である。この第三の実施形態の装置は、前
述した第一の実施形態に対して、基板９の表面をクリー
ニングする第三クリーニングチャンバー２００を追加し
た構成となっている。第三クリーニングチャンバー２０
０は、図１に示す構成において、例えば、第二クリーニ
ングチャンバー２３とバーニッシュチャンバー２４との
間に設けることができる。図１６は、この第三クリーニ
ングチャンバー２００の構成を示した側面概略図となっ
ている。
【０１０２】図１６に示す第三クリーニングチャンバー
２００は、基板９の表面にレーザーを照射してクリーニ
ングするようになっている。即ち、第三クリーニングチ
ャンバー２００は、レーザー発振器２０１と、レーザー
発振器２０１から発振されたレーザー光を内部に導入す
る導入窓２０２とを備えている。導入窓２０２は、第三
クリーニングチャンバー２００の開口を気密に塞ぐよう
に設けられている。レーザー光による基板９の表面のク
リーニングは、主に、アブレーション効果によって行わ
れる。即ち、基板９の表面に付着した汚損物質にレーザ
ー光が照射されると、レーザー光のエネルギーにより汚
損物質の結合が解かれて除去される。尚、第三クリーニ
ングチャンバー２００も排気系２０３を有しており、上
記クリーニングも同様に真空中で行われる。
【０１０３】レーザー光による基板９の表面のクリーニ
ングの一例について示すと、 レーザー：エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ） 照射エネルギー密度：２００ｍＪ／ｃｍ2以下 照射方式：１〜１００Ｈｚ程度のパルス パルス数：１００以下 との条件が挙げられる。尚、２００ｍＪ／ｃｍ2を越え
ると、基板９の表面の保護膜を削る恐れがある。保護膜
を削らない範囲でクリーニングを行うため、照射エネル
ギー密度を低くしたり、パルスの周波数を低くしたり、
パルス数を小さくしたりしても良い。
【０１０４】尚、レーザー光を基板９の表面の全面に均
一に照射できるよう、レーザー光を基板９の径方向に対
して走査するとともに、前述した実施形態におけるもの
と同様の回転機構により基板９を回転させながらレーザ
ー光の照射を行うと好適である。
【０１０５】次に、本願発明の第四の実施形態の磁気記
録ディスク製造装置について説明する。図１７は、本願
発明の第四の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主
要部を示す図である。この第四の実施形態の大きな特徴
点は、バーニッシュ処理と潤滑層形成とが一つのチャン
バーで行える点である。即ち、第一の実施形態のバーニ
ッシュチャンバー２５及び潤滑層形成チャンバー２６に
代えて、バーニッシュと潤滑層形成とを行うバーニッシ
ュ兼潤滑層形成チャンバー２１０が設けられている。図
１７は、このバーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー２１
０の構成を示す側面概略図となっている。
【０１０６】バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー２１
０は、内部を排気する排気系２１１と、基板９を保持し
て基板９と同軸の回転軸の周りに基板９を回転させる回
転機構８と、回転機構８により回転する基板９の表面に
押し付けられるバーニッシュテープ２１２と、バーニッ
シュテープ２１２によるバーニッシュと同時に基板９の
表面に潤滑剤を塗布する潤滑剤塗布具２１３とをを備え
ている。
【０１０７】回転機構８やバーニッシュテープ２１２等
は、前述した第一の実施形態におけるものと同様なの
で、説明は省略する。潤滑剤塗布具２１３は、先端から
潤滑剤を吐出するシリンジ２１４と、シリンジ２１４に
接続された供給ホース２１５と、潤滑剤を溜めた不図示
の容器から潤滑剤を供給ホース２１６を通してシリンジ
２１４に送る不図示の送出ポンプとから主に構成されて
いる。尚、シリンジ２１４及び供給ホース２１５は、基
板９が位置する位置の両側に設けられている。
【０１０８】請求項１０乃至１３の磁気記録ディスク製
造方法の実施形態の説明も兼ね、図１７に示すバーニッ
シュ兼潤滑層形成チャンバー２１０の動作について、以
下に説明する。バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー２
１０内が排気系２１１によって所定の真空圧力に排気さ
れている状態で、前述した第一の実施形態と同様に、基
板９を保持した第二基板保持具５２がバーニッシュ兼潤
滑層形成チャンバー２１０内に移動して所定位置で停止
する。そして、回転機構８が一つの基板９を保持して回
転させる。この回転の際、基板９の両側の押し付け具が
不図示の駆動部により基板９に向けて変位し、基板９の
両面にバーニッシュテープ２１２を押し付ける。この結
果、基板９の表面に存在する突起が削り取られる。
【０１０９】並行して、潤滑剤塗布具２１３が動作す
る。不図示の送出ポンプによって供給ホース２１５を通
してシリンジ２１４に潤滑剤が送られ、シリンジ２１４
から吐出される。吐出された潤滑剤は、バーニッシュテ
ープ２１２の上に塗布される。潤滑剤はバーニッシュテ
ープ２１２の移動とともに移動し、潤滑剤が塗布された
部分のバーニッシュテープ２１２が基板９の表面に押し
付けられると、バーニッシュテープ２１２と基板９との
間で潤滑剤が加圧されて薄く引き延ばされ、それととも
に基板９の表面に塗布される。潤滑剤としては、前述し
たＰＥＰＥを主成分としたもので良い。前述したよう
に、少量の溶剤を使用する場合もある。また、バーニッ
シュ兼潤滑層形成チャンバー２１０内の圧力や押し付け
具による押し付け圧力も、前述した実施形態と同様で良
い。
【０１１０】このようなバーニッシュと潤滑剤の塗布を
基板９の両面の全面に亘って行った後、押し付け具を後
退させ、回転機構８による回転を停止する。第二基板保
持具５２を移動させ、回転機構８がもう一つの基板９を
保持して回転させる。そして、同様にしてバーニッシュ
と潤滑層の形成とを同時に行う。尚、バーニッシュ兼潤
滑層形成チャンバー２１０以外の部分での動作は、前述
した第一の実施形態と同様である。
【０１１１】上記説明から解るように、バーニッシュ兼
潤滑層形成チャンバー２１０は、バーニッシュと潤滑剤
の塗布とを同時に行うので、従来に比べて生産性が向上
している。尚、この場合の「同時に」とは、バーニッシ
ュと潤滑剤の塗布とが文字通り同時に行われる場合と、
厳密には同時に生ずる作用ではないが、おおまかには同
時に行われる場合とを含む。また、本実施形態では、バ
ーニッシュや潤滑剤の塗布が、真空中で行われるので、
大気中の汚損物質が潤滑層に取り込まれてしまうことが
無く、この点でも良質なディスクの製造に貢献できる。
但し、大気中でこれらを行っても、生産性を向上させる
効果は同様に得られる。
【０１１２】また、バーニッシュを真空中で行うこと
と、バーニッシュと潤滑剤塗布とを同時に行うことと
は、非常に密接な関連を有する。即ち、バーニッシュテ
ープ２１２によるバーニッシュを真空中で行うと、汚損
物質低減には非常に有効であるが、バーニッシュテープ
２１２と基板９の表面との間の摩擦力が大気中の場合よ
りも大きくなるため、バーニッシュが過剰となる恐れが
ある。バーニッシュが過剰とは、突起を削るだけでな
く、予め形成された保護膜等を削ってしまうというよう
な事態である。一方、潤滑剤は、原料のままでは非常に
粘性が高い。従って、溶剤に溶かした方が塗布はし易
い。しかし、溶剤の使用は前述したような問題がある。
【０１１３】本実施形態の構成は、このような問題を一
挙に解決する一石二鳥的な技術的意義を有する。つま
り、バーニッシュテープを介して基板９に潤滑剤を塗布
する構成を採用すると、バーニッシュテープと基板９と
の間に潤滑剤が入り込むことによって過剰なバーニッシ
ュが防止されるのに加え、粘性の高い潤滑剤であっても
基板９への塗布が容易にできるという効果が得られる。
【０１１４】尚、上記実施形態では、潤滑剤をバーニッ
シュテープ２１２の上に塗布することで基板９の表面へ
の潤滑層の形成を行ったが、第一の実施形態のように、
蒸着法によって行ってもよい。即ち、バーニッシュ兼潤
滑層形成チャンバー２１０内に、図１３に示すような坩
堝２５２及びヒータ２５３を設けるようにしても良い。
また、スプレー法によって潤滑層の形成を行ってもよ
い。この場合は、バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー
２１０内に噴射具を設け、溶剤に溶かした潤滑剤を噴射
具から噴射させるようにする。
【０１１５】次に、本願発明の第五の実施形態の磁気記
録ディスク製造装置について説明する。図１８は、本願
発明の第五の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主
要部を示す図である。この第五の実施形態は、バーニッ
シュチャンバー２４の構成が第一の実施形態と異なって
いる。即ち、この実施形態では、バーニッシュに先だっ
てバーニッシュテープ２４２の表面を真空中でクリーニ
ングするクリーニング手段８８が設けられている点であ
る。クリーニング手段８８は、バーニッシュチャンバー
２４２内でバーニッシュテープ２４２をクリーニングす
るようになっている。
【０１１６】バーニッシュテープ２４２の表面には、汚
損物質として、酸素イオン、硫酸イオン等を持つ分子
膜、塵埃、油脂等の有機物等が付着していることがあ
る。このような汚損物質が付着した状態でバーニッシュ
を行うと、汚損物質が基板９の表面に移動して付着して
しまう。本実施形態では、このようなことを考慮し、バ
ーニッシュに先だってバーニッシュテープの表面をクリ
ーニング手段８８によってクリーニングするようになっ
ている。具体的は、クリーニング手段８８は、バーニッ
シュチャンバー２４内に設けられたイオンビーム源８８
１と、イオンビーム源８８１に原料ガスを供給するガス
供給系８８２とから主に構成されている。
【０１１７】ガス供給系８８２はアルゴンガス又は酸素
ガスを供給するものであり、イオンビーム源８８１はア
ルゴンイオン又は酸素イオンのビームをバーニッシュテ
ープ２４２に照射するようになっている。イオンビーム
の加速エネルギーは２５０〜６００ｅＶ、バーニッシュ
テープ２４２への入射角は３０〜４０度程度とすること
が好ましい。尚、イオンビームによるバーニッシュテー
プ２４２の損傷が問題となるときは、加速エネルギーを
小さくしたり、入射角を大きくしたりする。イオンビー
ムの照射パターンは、幅がバーニッシュテープ２４２の
幅と同じかそれより少し大きい程度、長さが３０ｍｍ程
度のほぼ長方形とする。尚、イオンビーム源８８１は、
不図示の収束電極を備えており、この程度のパターンに
なるようにイオンビームを収束させる。
【０１１８】バーニッシュテープ２４２に照射されたイ
オンビームは、バーニッシュテープ２４２の表面に存在
する汚損物質を弾き出したり削ったりして除去する。こ
れにより、バーニッシュテープ２４２の表面が清浄化さ
れ、清浄な表面のバーニッシュテープが前述した通り基
板の表面に押し付けられてバーニッシュが行われる。こ
のため、バーニッシュテープ２４２を経由した汚損物質
の基板９の表面への付着が防止される。本実施形態で
は、イオンビームによりバーニッシュテープ２４２の表
面をクリーニングしたが、プラズマやレーザーの作用に
よってクリーニングすることも可能である。また、前述
した第四の実施形態の構成において、バーニッシュテー
プ２１２の表面をクリーニングするようにすることも可
能である。
【０１１９】次に、インライン型基板処理装置の発明の
実施形態について説明する。図１に示す磁気記録ディス
ク製造装置は、そのまま請求項３３の発明の実施形態と
なっている。即ち、二つの無終端状の搬送路１，２の各
々に沿って複数の真空チャンバー１０〜１７，２０〜２
９が接続され、その二つの搬送路１，２をつなぐ第三搬
送路３に沿って基板９を大気に取り出すことなく真空中
で搬送する移載用ロボット６３が設けられている。
【０１２０】無終端状の搬送路１に沿って複数の真空チ
ャンバー１０〜１７を設け、搬送路１に沿って基板保持
具５１を周回させる構成は、基板保持具５１を大気に取
り出すことがないので、基板保持具５１を介して大気中
の汚損物質が装置に持ち込まれないというメリットがあ
る。しかしながら、このようなインライン型装置におい
て、真空チャンバー１０〜１７の数をもっと多くしよう
とすると、搬送路１の全長が長くなってしまう。図１か
ら類推されるように、搬送路１の全長が長くなると、搬
送路１で囲まれた空間が大きくなる。この部分の空間
は、特に基板９の処理とは無関係な無駄な空間であるの
で、この部分の空間が大きくなることによる専有面積の
増大は、有意義ではない。
【０１２１】本実施形態の装置のように、さらに別の無
終端状の搬送路２を設定してこの搬送路にそって真空チ
ャンバー２０〜２９を増設するようにすれば、装置全体
の占有面積をそれほど増大させることなく、より多くの
真空チャンバーを増設できる。このため、より多くの処
理を真空中で一貫して行うようにする場合、非常に適し
たものとなる。
【０１２２】このようなインライン型基板処理装置の考
え方は、前述した磁気記録ディスク製造の場合には限ら
れず、適用が可能である。例えば、コンパクトディスク
などの光学式の情報記録媒体の製造や液晶基板等の表示
デバイスの製造等においても、インライン型の構成を採
用する限り、適用が可能である。尚、請求項２から５の
磁気記録ディスク製造装置の発明の実施に際しては、上
述したようなインライン型の装置に限定されるものでは
ない。搬送ロボットを備えた搬送チャンバーの周囲に複
数の処理チャンバーやロードロックチャンバー、アンロ
ードロックチャンバーを配置したクラスターツール型の
装置でも良い。
【０１２３】尚、「磁気記録ディスク製造装置」という
名称は、磁気記録ディスクの製造に用いられる装置の意
味である。従って、それのみですべての製造工程が行わ
れる場合と、他の装置において他の製造工程が行われる
場合ともを含む。また、本明細書において、「磁気記録
ディスク」とは、磁気の作用を利用して情報の記録が行
われるディスクの総称であり、光磁気ディスクのよう
に、磁気の作用とともに他の作用も利用して情報を記録
するディスクも広く含む。
【０１２４】
【発明の効果】以上説明した通り、本願の請求項１記載
の方法又は請求項１６記載の装置によれば、磁性膜の作
成の後も、真空中で一貫して潤滑層の形成まで行うの
で、保護膜とその下地との界面や潤滑層中、又は、潤滑
層の表面への汚損物質の混入又は付着が抑制される。こ
のため、汚損物質による記録層の汚損、潤滑層の付着性
の低下、潤滑層の膜厚の不均一化、潤滑層のボンデッド
レシオ制御の精度低下等の問題の発生が抑制され、スペ
ーシングが減少しつつある磁気記録ディスクの製造に極
めて適した構成が提供される。また、請求項２乃至５記
載の方法又は請求項１７乃至２０記載の装置によれば、
上記効果に加え、潤滑層の形成の前に基板の表面が真空
中のクリーニングにより清浄化されるので、上記効果が
さらに高く得られる。また、請求項６記載の方法又は請
求項２１記載の装置によれば、クリーニング後に基板が
大気に晒されることなく潤滑層が形成されるので、上記
効果がさらに高く得られる。また、請求項７記載の方法
又は請求項２３記載の装置によれば、バーニッシュが真
空中で行われるので、バーニッシュの際に大気中の汚損
物質が基板の表面に付着することが無い。このため、汚
損物質に起因した上記問題が抑制される。また、請求項
８記載の方法又は請求項２４記載の装置によれば、バー
ニッシュ後に基板が大気に晒されることなく潤滑層が形
成されるので、上記効果がさらに高く得られる。また、
請求項９記載の方法又は請求項２５記載の装置によれ
ば、上記効果に加え、バーニッシュに先だってバーニッ
シュテープがクリーニングされるので、バーニッシュテ
ープによる基板の表面の汚損が防止される。また、請求
項１０記載の方法又は請求項２６もしくは２７記載の装
置によれば、バーニッシュと潤滑層形成とが同時に又は
ほぼ同時に行われるので、生産性が向上する。また、請
求項１１記載の方法又は請求項２８記載の装置によれ
ば、上記効果に加え、バーニッシュに先だってバーニッ
シュテープがクリーニングされるので、バーニッシュテ
ープによる基板の表面の汚損が防止される。また、請求
項１２記載の方法又は請求項２９記載の装置によれば、
上記効果に加え、溶剤を使用しないので、溶剤の使用に
起因した問題が無い。また、請求項１３記載の方法又は
請求項３０記載の装置によれば、上記効果に加え、バー
ニッシュ及び潤滑層形成が真空中で行われるので、基板
の表面への汚損物質の付着が抑制される。このため、汚
損物質の付着に起因した問題が抑制される。また、請求
項１４記載の方法又は請求項３１記載の装置によれば、
潤滑層の特性を改善する後処理が真空中で行われるの
で、後処理の際に汚損物質が基板の表面に付着するのが
抑制される。このため、汚損物質の付着に起因した問題
が抑制される。また、請求項１５記載の方法又は請求項
３２記載の装置によれば、潤滑層形成後、基板が大気に
晒されることなく後処理が行われるので、上記効果がさ
らに高く得られる。また、請求項２２記載の装置によれ
ば、プラズマアッシングによって基板の表面の汚損物質
が除去されてクリーニングされる上、保護膜作成チャン
バー内の露出面に付着した汚損物質も同時に除去でき
る。また、プラズマアッシングによってクリーニングを
行うチャンバーを別途設ける必要が無い。また、請求項
３３記載の装置によれば、複数の無終端状の搬送路のう
ちの隣接する少なくとも二つの搬送路をつなぐ別の搬送
路に沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送
されるので、装置全体の占有面積をそれほど増大させる
ことなく、より多くの真空チャンバーを増設できる。こ
のため、より多くの処理を真空中で一貫して行うように
する場合、非常に適したものとなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願発明の実施形態に係る磁気記録ディスク製
造装置の平面概略図である。
【図２】図１に示す装置における第一基板保持具５１及
び直線移動機構の構成を示す正面概略図である。
【図３】図１に示す装置における第一基板保持具５１及
び直線移動機構の構成を示す側断面概略図である。
【図４】図１に示す方向転換チャンバー１７に備えられ
た方向転換機構の構成を示す側面概略図である。
【図５】図１に示す磁性膜作成チャンバー１４の構成を
示す平面概略図である。
【図６】図１に示す保護膜作成チャンバー１５の構成を
示す平面概略図である。
【図７】図１に示す第一クリーニングチャンバー２２の
構成を示す平面概略図である。
【図８】図１に示す第二クリーニングチャンバー２３の
構成を示す平面概略図である。
【図９】図１に示すバーニッシュチャンバー２４の構成
を示す側面概略図である。
【図１０】図９に示す回転機構８の構成を示す断面概略
図である。
【図１１】図１０に示す接触片８２１の配置位置を示す
正面図である。
【図１２】図９に示す押し付け具２４７を駆動する駆動
機構８７の構成を示す側面概略図である。
【図１３】図１に示す潤滑層形成チャンバー２５の構成
を示す側面概略図である。
【図１４】図１に示す後処理チャンバー２６の構成を示
す側面概略図である。
【図１５】本願発明の第二の実施形態の磁気記録ディス
ク製造装置の主要部を示す図である。
【図１６】本願発明の第三の実施形態の磁気記録ディス
ク製造装置の主要部を示す図である。
【図１７】本願発明の第四の実施形態の磁気記録ディス
ク製造装置の主要部を示す図である。
【図１８】本願発明の第五の実施形態の磁気記録ディス
ク製造装置の主要部を示す図である。
【図１９】スペーシングについて説明する図である。
【符号の説明】
１ 第一搬送路 １１ ロードロックチャンバー １２ プリヒートチャンバー １３ 下地膜作成チャンバー １４ 磁性膜作成チャンバー １５ 保護膜作成チャンバー １５０ プラズマ形成手段 １６ 第一中継チャンバー １７ 方向転換チャンバー ２ 第二搬送路 ２１ 第二中継チャンバー ２２ 第一クリーニングチャンバー ２３ 第二クリーニングチャンバー ２４ バーニッシュチャンバー ２４２ バーニッシュテープ ２５ 潤滑層形成チャンバー ２６ 後処理チャンバー ２７ 冷却チャンバー ２８ アンロードロックチャンバー ２９ 方向転換チャンバー ２００ 第三クリーニングチャンバー ２０１ レーザー発振器 ２１０ バーニッシュ兼潤滑層形成チャンバー ２１１ 排気系 ２１２ バーニッシュテープ ２１３ 潤滑剤塗布具 ３ 第三搬送路 ４ ゲートバルブ ５１ 第一基板保持具 ５２ 第二基板保持具 ６１ 搭載用ロボット ６２ 回収用ロボット ６３ 移載用ロボット ８ 回転機構 ８８ クリーニング手段 ９ 基板
【手続補正書】
【提出日】平成１２年２月９日（２０００．２．９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図９】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１３】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１４】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１６】
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１７】
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１８】
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１９】 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年５月１４日（２００１．５．１
４）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】要求されるボンデッドレシオを満足するた
め、潤滑層９３の形成後、潤滑層９３に対して熱エネル
ギー又は光エネルギー等を与え末端基の結合を制御する
処理（以下、後処理と呼ぶ）が行われる。しかしなが
ら、成膜直後の保護膜９２の表面は、化学的に活性で、
大気に晒されると、大気中のガスやイオン等の汚損物質
が多く吸着される。この結果、潤滑層９３を形成した
際、潤滑層９３と保護膜９２との間に汚損層が形成され
てしまう。この汚損層が形成されると、後処理において
ボンデッドレシオの制御精度を充分に確保することが困
難となってしまう。このような問題を防止するため、汚
損物質等を減少させる設備等、製造環境の整備に対して
多大な投資を余儀なくされているのが現状である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】図１に示す構成において、第一第二搬送路
１，２の各々角の部分に設けられた真空チャンバーは、
基板９の搬送方向を９０度転換する方向転換機構を備え
た方向転換チャンバー１７，２９になっている。図４を
使用して、一例として方向転換チャンバー１７に備えら
れた方向転換機構の構成について説明する。図４は、図
１に示す方向転換チャンバー１７に備えられた方向転換
機構の構成を示す側面概略図である。図４に示す方向転
換機構は、上述した構成と同様の磁気結合ローラ（図４
中不図示）等を含む直線移動機構を全体に保持した保持
体７２１と、この保持体７２１を回転させて直線移動機
構全体を回転させる回転用モータ７２２とから主に構成
されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３９】その後、所定の制御信号を受けた後さらに
直線移動機構が駆動され、９０度曲げられた第一搬送路
１に沿って第一基板保持具５１を移動させ、次の真空室
チャンバーまで第一基板保持具５１を搬送させる。従っ
て、曲げられた後の第一搬送路１においても、基板９１
の板面は搬送方向の側方に向くようになっている。上記
方向転換機構の構成において、９０度等の所定角度の回
転の制御は、回転用モータ７２２の制御によって行って
も良いし、保持体７２１が所定角度回転したのを検出す
る不図示のセンサ機構等によって行ってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４１】ロードロックチャンバー１１の外側には、
搭載用ロボット６１が設けられている。搭載用ロボット
６１は、大気側であるロードステーションに配置された
搭載用カセット６１１から基板９を一枚ずつ取り出し
て、第一基板保持具５１に基板９を搭載するものであ
る。プリヒートチャンバー１２は、基板９を加熱して基
板９の表面又は内部のガスを予め放出させるものであ
る。プリヒートチャンバー１２は、輻射加熱ランプによ
って基板９を所定の温度まで加熱するよう構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６３】前後駆動軸８１は、切断可能なジョイント
機構８１１を介して第一前後運動源８３に連結されてい
る。第一前後駆動源８３は、サーボモータとボールねじ
の組み合わせ又はエアシリンダ等の直線運動源である。
また、回転駆動源８４は、回転駆動軸８２の周面に設け
られたギヤを介して連結されたモータである。さらに、
第二前後駆動源８５は、前後駆動軸８１、回転駆動軸８
２、第一前後駆動源８３及び回転駆動源８４等を保持し
たフレーム８５１を移動させてこれらを一体に前後運動
させるものである。尚、回転駆動軸８２は、メカニカル
シール等の真空シールを介してバーニッシュチャンバー
２４の器壁を気密に貫通している。また、バーニッシュ
チャンバー２３内には、上記回転機構８と連動する不図
示のレバーが設けられている。レバーの構成は、前述し
た各ロボット６１，６２，６３が備えるレバー６０と同
様である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００６６】図１２に示すように、駆動機構８７は、押
し付け具２４７が先端に固定された駆動軸８７１と、駆
動軸８７１を前方に押し出して押し付け具２４７を基板
９に押し付けるトルクモータ８７２と、駆動軸８７１及
びトルクモータ８７２を全体に前後移動させる直線駆動
源８７３とから主に構成されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】このようなバーニッシュを基板９の両面の
全面に亘って行った後、駆動機構８７が押し付け具２４
７を所定の後退位置まで後退させ、回転駆動源８４は回
転を停止する。次に、不図示のレバーによる第二基板保
持具５２の板バネの押し広げを解除し、各保持爪によっ
て再び基板９を保持させる。その後、回転機構８は、ジ
ョイント機構８１１によって再び第一前後駆動源８３と
前後駆動軸８１とを連結させた後、第一駆動源８１を動
作させて、前後駆動軸８１を所定距離前進させる。この
結果、バネ部材８２３の弾性により接触片８２１が内側
に移動して基板９の保持が解消される。そして、第二前
後駆動源８５を動作させて、前後駆動軸８１及び回転駆
動軸８２を一体に後退させ、元の退避位置に戻す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９４】また、潤滑剤を溶剤に溶かすことなく使用
する構成は、以下のような技術的意義を有する。潤滑剤
を希釈する溶剤としては、潤滑剤がフッ素系であること
から、以前はフロンが多く使用された。しかしながら、
オゾン層破壊の問題を背景として、パーフルオロカーボ
ン（ＰＦＣ）等のフロン代替溶剤が多く使用されるよう
になった。しかし、このフロン代替溶剤も、地球温暖化
の原因物質であるとされ、溶剤の使用そのものを問題視
する傾向もある。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１５】次に、本願発明の第五の実施形態の磁気記
録ディスク製造装置について説明する。図１８は、本願
発明の第五の実施形態の磁気記録ディスク製造装置の主
要部を示す図である。この第五の実施形態は、バーニッ
シュチャンバー２４の構成が第一の実施形態と異なって
いる。即ち、この実施形態では、バーニッシュに先だっ
てバーニッシュテープ２４２の表面を真空中でクリーニ
ングするクリーニング手段８８が設けられている点であ
る。クリーニング手段８８は、バーニッシュチャンバー
２４内でバーニッシュテープ２４２をクリーニングする
ようになっている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 直樹 東京都府中市四谷５丁目８番１号アネルバ 株式会社内 (72)発明者 渡辺 信義 東京都昭島市武蔵野３丁目４番１号日本ミ クロコーティング株式会社内 (72)発明者 谷 和憲 東京都昭島市上川原町３丁目12番20号サニ ーコート桧木Ｅ−２有限会社イーエスディ ー内 (72)発明者 古川 真司 東京都府中市四谷５丁目８番１号アネルバ 株式会社内 (72)発明者 佐々木 宏美 東京都府中市四谷５丁目８番１号アネルバ 株式会社内 (72)発明者 渡部 修 東京都府中市四谷５丁目８番１号アネルバ 株式会社内 Ｆターム(参考） 5D112 FB21 FB22 GA09 GA13 GA17 GA19 GA22 GA25

Claims (33)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成す
    る磁性膜作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表面
    に潤滑層を形成する潤滑層形成チャンバーとの間で、基
    板を大気に晒すことなく搬送する動作を含むことを特徴
    とする磁気記録ディスク製造方法。
  2. 【請求項２】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成す
    る磁性膜作成工程と、磁性膜作成工程の後に基板の表面
    に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを含む磁気記録デ
    ィスク製造方法であって、磁性膜作成工程の後であって
    潤滑層形成工程の前に基板の表面を真空中でクリーニン
    グするクリーニング工程を含むことを特徴とする磁気記
    録ディスク製造方法。
  3. 【請求項３】 前記クリーニング工程は、基板の表面を
    臨む空間に酸素ガスのプラズマを形成し、プラズマ中で
    生成される酸素イオン又は酸素活性種の作用によって基
    板の表面の付着物を揮発性の酸化物に酸化させて除去す
    る工程であることを特徴する請求項２記載の磁気記録デ
    ィスク製造方法。
  4. 【請求項４】 前記クリーニング工程は、基板の表面に
    レーザー光を照射し、基板の表面に付着した汚損物質
    を、照射されたレーザー光のエネルギーにより除去する
    工程であることを特徴する請求項２記載の磁気記録ディ
    スク製造方法。
  5. 【請求項５】 前記クリーニング工程は、基板の表面に
    ガスを噴射し、基板の表面に付着した汚損物質をガス流
    によって強制的に吹き飛ばす工程であることを特徴とす
    る請求項２記載の磁気記録ディスク製造方法。
  6. 【請求項６】 前記クリーニング工程から前記潤滑層形
    成工程までの間、基板が大気に晒されないことを特徴と
    する請求項２乃至５いずれかに記載の磁気記録ディスク
    製造方法。
  7. 【請求項７】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成す
    る磁性膜作成工程を含む磁気記録ディスク製造方法であ
    って、 磁性膜作成工程の後に基板の表面の突起を除去するバー
    ニッシュ工程を真空中で行うことを特徴する磁気記録デ
    ィスク製造方法。
  8. 【請求項８】 前記磁性膜作成工程の後に基板の表面に
    潤滑層を形成する潤滑層形成工程を含む方法であって、
    前記バーニッシュ工程から潤滑層形成までの工程の間、
    基板が大気に晒されないことを特徴とする請求項７記載
    の磁気記録ディスク製造方法。
  9. 【請求項９】 前記バーニッシュは、バーニッシュテー
    プを基板の表面に擦り付けることにより行われるもので
    あり、このバーニッシュテープを真空中でクリーニング
    した後にバーニッシュに使用することを特徴とする請求
    項７又は８記載の磁気記録ディスク製造方法。
  10. 【請求項１０】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成工程と、磁性膜作成工程の後に基板の表
    面に潤滑層を形成する潤滑層形成工程とを含む磁気記録
    ディスク製造方法であって、 前記磁性膜作成工程の後に、基板の表面の突起を除去す
    るバーニッシュとともに前記潤滑層形成工程を同時に行
    う方法であり、 前記バーニッシュは、バーニッシュテープを基板の表面
    に擦り付けることにより行われるものであり、前記潤滑
    層の形成は、バーニッシュテープに潤滑剤を塗布してバ
    ーニッシュテープが基板の表面の擦り付けられる際に潤
    滑剤を基板の表面に塗布することにより行われるもので
    あることを特徴とする磁気記録ディスク製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記バーニッシュに先立ち前記バーニ
    ッシュテープの表面を真空中でクリーニングすることを
    特徴とする請求項１０記載の磁気記録ディスク製造方
    法。
  12. 【請求項１２】 前記潤滑剤が、溶剤に溶かすことなく
    塗布されることを特徴とする請求項１０又は１１記載の
    磁気記録ディスク製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記バーニッシュ及び前記潤滑層の形
    成は、真空中で行われるものであることを特徴とする請
    求項１０、１１又は１２記載の磁気記録ディスク製造方
    法。
  14. 【請求項１４】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成工程と、磁性膜作成工程の後に基板の表
    面に潤滑層を形成する工程とを含む磁気記録ディスク製
    造方法であって、 前記潤滑層形成工程の後、潤滑層を加熱して又は潤滑層
    に光照射して潤滑層の下地に対する付着性及び潤滑層の
    潤滑性を調節する後処理工程を真空中で行うことを特徴
    とする磁気記録ディスク製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記潤滑層形成工程から前記後処理工
    程までの間、基板が大気に晒されないことを特徴とする
    請求項１４記載の磁気記録ディスク製造方法。
  16. 【請求項１６】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーと、磁性膜作成後に真空中で
    基板の表面に潤滑層を形成する潤滑層形成チャンバーと
    を備えた磁気記録ディスク製造装置であって、磁性膜作
    成チャンバーから潤滑層形成チャンバーへ基板を大気に
    晒すことなく搬送する搬送系が設けられていることを特
    徴とする磁気記録ディスク製造装置。
  17. 【請求項１７】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表
    面に潤滑層を形成する潤滑層形成チャンバーとを備えた
    磁気記録ディスク製造装置であって、 磁性膜作成後であって潤滑層形成前に真空中で基板の表
    面をクリーニングするクリーニングチャンバーを備えて
    いることを特徴とする磁気記録ディスク製造装置。
  18. 【請求項１８】 前記クリーニングチャンバーは、基板
    の表面を臨む空間に酸素ガスのプラズマを形成し、プラ
    ズマ中で生成される酸素イオン又は酸素活性種の作用に
    よって基板の表面の付着物を揮発性の酸化物に酸化させ
    て除去するチャンバーであることを特徴する請求項１７
    記載の磁気記録ディスク製造装置。
  19. 【請求項１９】 前記クリーニングチャンバーは、基板
    の表面にレーザー光を照射し、基板の表面に付着した汚
    損物質を、照射されたレーザー光のエネルギーにより除
    去するチャンバーであることを特徴する請求項１７記載
    の磁気記録ディスク製造装置。
  20. 【請求項２０】 前記クリーニングチャンバーは、基板
    の表面にガスを噴射し、基板の表面に付着した汚損物質
    をガス流によって強制的に吹き飛ばすチャンバーである
    ことを特徴とする請求項１７記載の磁気記録ディスク製
    造装置。
  21. 【請求項２１】 前記クリーニングチャンバーから前記
    潤滑層形成チャンバーに基板を大気に晒すことなく搬送
    する搬送系を備えていることを特徴とする請求項１７乃
    至２０いずれかに記載の磁気記録ディスク製造装置。
  22. 【請求項２２】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーと、磁性膜の上に保護膜を作
    成する保護膜作成チャンバーとを備えた磁気記録ディス
    ク製造装置であって、保護膜作成チャンバーは、基板の
    表面を臨む空間に酸素ガスのプラズマを形成し、プラズ
    マ中で生成される酸素イオン又は酸素活性種の作用によ
    って基板の表面の汚損物質を揮発性の酸化物に酸化させ
    て除去するプラズマ形成手段を備えていることを特徴と
    する磁気記録ディスク製造装置。
  23. 【請求項２３】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーを備えた磁気記録ディスク製
    造装置であって、磁性膜作成後に基板の表面の突起を除
    去するバーニッシュを真空中で行うバーニッシュチャン
    バーが設けられていることを特徴とする磁気記録ディス
    ク製造装置。
  24. 【請求項２４】 前記バーニッシュの後に基板の表面に
    潤滑層を形成する潤滑層形成チャンバーが設けられてお
    り、前記バーニッシュチャンバーから潤滑層形成チャン
    バーに基板を大気に晒すことなく搬送する搬送系を備え
    ていることを特徴とする請求項２３記載の磁気記録ディ
    スク製造装置。
  25. 【請求項２５】 前記バーニッシュチャンバーは、バー
    ニッシュテープを基板の表面に擦り付けることによりバ
    ーニッシュを行うものであり、バーニッシュに先だって
    バーニッシュテープの表面を真空中でクリーニングする
    クリーニング手段が設けられていることを特徴とする請
    求項２３又は２４記載の磁気記録ディスク製造装置。
  26. 【請求項２６】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーを備えた磁気記録ディスク製
    造装置であって、 磁性膜作成後に基板の表面の突起を除去するとともに基
    板の表面に潤滑層を形成するバーニッシュ兼潤滑層形成
    チャンバーを備えていることを特徴とする磁気録ディス
    ク製造装置。
  27. 【請求項２７】 前記バーニッシュ兼潤滑層形成チャン
    バーは、基板の表面に擦り付けられることにより突起を
    除去するバーニッシュテープと、潤滑剤をバーニッシュ
    テープに潤滑剤を塗布してバーニッシュテープが基板の
    表面の擦り付けられる際に潤滑剤が基板の表面に塗布さ
    れるようにする潤滑剤塗布具とを備えていることを特徴
    とする請求項２６記載の磁気記録ディスク製造装置。
  28. 【請求項２８】 前記バーニッシュに先だって前記バー
    ニッシュテープの表面を真空中でクリーニングするクリ
    ーニング手段が設けられていることを特徴とする請求項
    ２７記載の磁気記録ディスク製造装置。
  29. 【請求項２９】 前記潤滑剤塗布具は、潤滑剤を溶剤に
    溶かすことなく塗布するものであることを特徴とする請
    求項２７又は２８記載の磁気記録ディスク製造装置。
  30. 【請求項３０】 前記バーニッシュ兼潤滑層形成チャン
    バーは、真空中で前記バーニッシュと前記潤滑層形成と
    を行うものであることを特徴とする請求項２７、２８又
    は２９記載の磁気記録ディスク製造装置。
  31. 【請求項３１】 基板の表面に記録層用の磁性膜を作成
    する磁性膜作成チャンバーと、磁性膜作成後に基板の表
    面に潤滑層を形成する潤滑層形成チャンバーとを備えた
    磁気録ディスク製造装置であって、 前記潤滑層を形成する工程の後に潤滑層を加熱して又は
    潤滑層に光照射して潤滑層の下地に対する付着性及び潤
    滑層の潤滑性を調節する後処理を真空中で行う後処理チ
    ャンバーが設けられていることを特徴とする磁気記録デ
    ィスク製造装置。
  32. 【請求項３２】 前記潤滑層形成チャンバーから前記後
    処理チャンバーに基板を大気に晒すことなく搬送する搬
    送系が設けられていることを特徴とする請求項３１記載
    の磁気記録ディスク製造装置。
  33. 【請求項３３】 搬送路に沿って複数の真空チャンバー
    を接続したインライン型基板処理装置であって、 無終端状の搬送路が複数設定されていてその各々の搬送
    路に沿って複数の真空チャンバーが接続されており、複
    数の搬送路のうちの隣接する少なくとも二つの搬送路を
    つなぐ別の搬送路が設定されており、その別の搬送路に
    沿って基板を大気に取り出すことなく真空中で搬送する
    搬送系が設けられていることを特徴とするインライン型
    基板処理装置。
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