JPH06203374A - 磁気ディスクの潤滑保護処理方法とその処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は磁気ディスク装置等に用いる磁気デ
ィスクの潤滑保護処理方法とその処理装置に関し、磁気
ディスクの表面のプラズマ重合保護膜に被着する潤滑膜
の密着性を向上させて、その潤滑膜が薄くても長期間に
わたり安定な潤滑性と高い耐磨耗性を維持し得るように
することを目的とする。 【構成】 プラズマCVD 装置内の一対の電極間に、Cr下
地膜２と磁性記録膜３を順に形成したディスク基板１を
配置し、該磁性記録膜３の表面にプラズマCVD 法により
フェニル系炭化水素をモノマーとしたプラズマ重合保護
膜４を形成する工程を行った後、該プラズマ重合保護膜
４を装置外へ取り出して大気に曝すことなく、その装置
内でプラズマ重合保護膜４の表面に潤滑剤の蒸気を含む
キャリアガスを吹き付けて潤滑膜21を形成する工程を行
う構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等に用
いられる磁気ディスクの潤滑保護処理方法とその処理装
置に関するものである。

【０００２】コンピュータシステムにおける外部記憶装
置として用いられる磁気ディスク装置の小型化、高密度
記録化に伴い、磁気ディスクに対する浮動磁気ヘッドス
ライダの浮上量の微小化と高い浮上安定性の確保と、磁
気ディスクの磁性記録膜上に設ける保護膜の薄膜化が要
求されている。

【０００３】前記浮動磁気ヘッドスライダの浮上量を微
小化すると磁気ディスク面に接触、衝突する確率が高く
なり、ヘッドクラッシュが生じ易くなる。また、磁気デ
ィスクの磁性記録膜上に設ける保護膜の薄膜化によりそ
の保護膜の耐久性が低下する傾向にある。

【０００４】このため、一般に用いられているスパッタ
カーボン膜等からなる保護膜よりも硬さ、耐磨耗性の点
からの耐久性に優れ、薄膜化に有利なプラズマ重合保護
膜を用い、そのプラズマ重合保護膜上に潤滑膜を設けて
更に耐久性を高めた構造が提案されているが、前記保護
膜への潤滑膜の密着性が充分でないことから、該潤滑膜
の密着性を高めて潤滑耐久性を向上させることが必要で
ある。

【０００５】更に、近年では磁気ディスクに対してヘッ
ド浮上量零を指向した接触型磁気ヘッドの適用も試行さ
れ、これに対する磁気ディスクの保護膜の薄膜化とより
優れた潤滑耐久性が要求される。

【０００６】

【従来の技術】磁気ディスク装置に用いられる従来の磁
気ディスクは図５に示すように、例えばNiＰ表面処理等
が施されたアルミニウム円板などからなるディスク基板
１上にスパッタリング法等により 0.1μｍ程度の膜厚の
Cr下地膜２と0.05μｍ程度のCo合金膜、例えばCoCrTi膜
からなる磁性記録膜３を順に被着形成し、該磁性記録膜
３が表面に形成されたディスク基板１を図６に示すよう
なプラズマＣＶＤ装置における気密チャンバ11内の対向
する２つのアース電極12a, 12b間に平行に設けた基板電
極ホルダ13に配置する。

【０００７】そして前記気密チャンバ11内を一旦、真空
排気装置16により高真空に排気した後、前記２つのアー
ス電極12a, 12bの図示しない各反応ガス導入口よりその
各アース電極12a, 12bの表面に設けた多数の流出孔を通
して 150℃程度に加熱されたバブラー14内のジフェニル
エタン (Ｃ₁₄Ｈ₁₄ ,ジべンジル) 15を開閉バルブＶ₁,Ｖ
₂ を開けてArガスからなるキャリアガスによりバブリン
グして、ガス化したジフェニルエタンを含む所定流量の
Arガスを前記気密チャンバ11内に流入すると共に、前記
基板電極ホルダ13に高周波電源17より所定の高周波電力
を供給して、プラズマＣＶＤ法により前記磁性記録膜３
の表面にジフェニルエタンをモノマーとした25nmの膜厚
の耐磨耗性に優れ、薄膜化に有利なプラズマ重合保護膜
４を形成する。

【０００８】その後、前記プラズマ重合保護膜４の表面
にパーフルオロポリエーテル等からなる液体潤滑剤をス
ピンコート法、或いはディップコート法等により塗布し
た後、加熱処理を行って20〜30Åの膜厚の薄い潤滑膜５
を設けた構成としている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、プラズマ重
合保護膜４上に上記したような方法により潤滑剤を塗布
して潤滑膜５を形成しただけでは該潤滑膜５のプラズマ
重合保護膜４に対する密着性が悪く、その密着性を改善
するために該プラズマ重合保護膜４上に潤滑剤を塗布し
た後、これらを加熱処理している。

【００１０】しかし、前記プラズマ重合保護膜４の潤滑
剤を塗布すべき面は、プラズマＣＶＤプロセスにより成
膜後は大気に曝されるので汚染が生じ、そのような状態
の膜面に潤滑剤を塗布した後、加熱処理を行っても形成
された潤滑膜５とプラズマ重合保護膜４との界面での密
着強度が十分に得られず、潤滑膜厚を薄くするとそのよ
うな潤滑膜５は磁気ヘッドスライダの摺動により容易に
消失してしまい長期間にわたって良好な潤滑性、耐磨耗
性を維持することができないという問題があった。

【００１１】また、プラズマ重合保護膜４に対し、潤滑
剤を塗布して高い耐磨耗性を得るにはその潤滑膜５の膜
厚を厚くすればよいが、その場合には磁気ディスクと磁
気ヘッドスライダ間の静止摩擦係数が大きくなり、磁気
ディスクに対するヘッド吸着が発生することから、潤滑
膜の膜厚が薄くても長期間にわたり安定な潤滑性と高い
耐磨耗性を維持し得る潤滑保護処理が必要とされる。

【００１２】本発明は上記した従来の問題点に鑑み、磁
気ディスクの表面のプラズマ重合保護膜に対する潤滑膜
の密着強度を向上させて、該潤滑膜が薄くても長期間に
わたり安定な潤滑性と高い耐磨耗性を維持することを可
能にした新規な磁気ディスクの潤滑保護処理方法とその
処理装置を提供することを目的とするものである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、請求項１の発明は、ディスク基板上の磁
性記録膜の表面にプラズマＣＶＤ法によりフェニル系炭
化水素をモノマーとしたプラズマ重合膜からなる保護膜
を形成する工程を行った後、該プラズマ重合保護膜を大
気に曝すことなく、その表面に潤滑剤の蒸気を含むArガ
ス等のキャリアガスを吹き付けて潤滑膜を形成する工程
を行う構成とする。

【００１４】また、請求項２の発明は、 請求項１の磁
気ディスクの潤滑保護処理方法に用いる処理装置であっ
て、真空排気系を備えた気密チャンバ内に、ディスク基
板を支持した基板電極ホルダと、該ディスク基板の両側
に所定間隔をもって対向する多数のガス流出孔を有する
一対のアース電極とが配置され、該一対のアース電極に
その各多数のガス流出孔に連通するようにプラズマＣＶ
Ｄ法による保護膜形成用の生成ガス供給系と潤滑膜形成
用の潤滑ガス供給系とを切り換えバブルを介して連結し
てなる構成とする。

【００１５】また、請求項３の発明は、請求項１の磁気
ディスクの潤滑保護処理方法に用いる処理装置であっ
て、真空排気系を備えた気密チャンバ内に、ディスク基
板を支持し、かつその基板支持面と平行する方向に移動
可能な基板電極ホルダと、該基板電極ホルダの移動径路
の第１位置に当該基板電極ホルダを挟むよう所定間隔を
もって対向配置した多数のガス流出孔を有する一対のア
ース電極と、同じくホルダ移動径路の第２位置に当該基
板電極ホルダを挟むよう対向配置され、かつ前記一対の
アース電極と同形状の一対の潤滑ガス噴出器と、該一対
のアース電極にその各多数のガス流出孔に連通するよう
にプラズマＣＶＤ法による保護膜形成用の生成ガス供給
系を、また前記一対の潤滑ガス噴出器に潤滑膜形成用の
潤滑ガス供給系を連結してなる構成とする。

【００１６】更に、請求項４の発明は、請求項３の前記
気密チャンバ内の基板電極ホルダの移動方向に沿って隣
接配置された一対のアース電極と一対の潤滑ガス噴出器
との間に、それぞれの保護膜形成領域と潤滑処理領域と
を気密に隔絶するゲートシャッタを開閉可能に設けた構
成とする。

【００１７】

【作用】請求項１では、磁気ディスクの磁性記録膜の表
面にプラズマＣＶＤ法によりフェニル系炭化水素をモノ
マーとしたプラズマ重合保護膜を形成した後、その形成
されたプラズマ重合保護膜を大気に曝して汚染させるこ
となく、直ちにその清浄なプラズマ重合保護膜の表面に
引続き潤滑剤の蒸気を含むArガス等のキャリアガスを吹
き付けて潤滑膜を形成することにより、該潤滑膜の成膜
時のプラズマ重合保護膜の表面状態が、プラズマＣＶＤ
プロセスでの加熱によるディスク基板の余熱と、大気に
曝されないことにより活性で、かつ清浄である作用効果
によって該潤滑膜のプラズマ重合保護膜に対する密着強
度が著しく高められ、該潤滑膜が薄くても長期間にわた
って安定な潤滑性と高い耐磨耗性を維持することが可能
になり、潤滑耐久性に優れた磁気ディスクを得ることが
できる。

【００１８】また，請求項２の磁気ディスクの潤滑保護
処理方法に用いる処理装置では、基板電極ホルダに支持
された磁性記録膜を設けたディスク基板の両側に所定間
隔をもって対向する多数のガス流出孔を有する一対のア
ース電極を配置し、真空状態にした気密チャンバ内に、
一対のアース電極の各多数のガス流出孔より保護膜形成
用の生成ガス供給系からのフェニル系炭化水素を含む生
成ガスを流入してプラズマＣＶＤ法により前記ディスク
基板上の磁性記録膜の表面にフェニル系炭化水素をモノ
マーとしたプラズマ重合保護膜を形成する。

【００１９】その後、直ちに気密チャンバ内の生成ガス
を真空排気系により一旦排気した後、プラズマＣＶＤプ
ロセスでの加熱による余熱を有し、大気に曝さない状態
のプラズマ重合保護膜の活性で清浄な表面に、前記一対
のアース電極の各多数のガス流出孔より潤滑膜形成用の
潤滑ガス供給系からの潤滑ガスを噴出させて潤滑膜を形
成することにより、該潤滑膜のプラズマ重合保護膜に対
する密着強度が高められ、該潤滑膜が薄くても長期間に
わたって安定な潤滑性と高い耐磨耗性を維持することが
可能になる。

【００２０】また、請求項３の磁気ディスクの潤滑保護
処理方法に用いる他の処理装置では、ディスク基板の基
板支持面と平行する方向に移動可能な基板電極ホルダに
支持された磁性記録膜を設けたディスク基板を該基板電
極ホルダの移動径路の第１位置に対向する前記一対のア
ース電極間に移動配置し、真空状態にした気密チャンバ
内に、該一対のアース電極の各多数のガス流出孔より保
護膜形成用の生成ガス供給系からのフェニル系炭化水素
を含む生成ガスを流入してプラズマＣＶＤ法によりディ
スク基板上の磁性記録膜の表面にフェニル系炭化水素を
モノマーとしたプラズマ重合保護膜を形成する。

【００２１】その後、直ちに気密チャンバ内の生成ガス
を真空排気系により一旦排気すると共に、前記プラズマ
ＣＶＤプロセスでの加熱による余熱を有するプラズマ重
合保護膜を大気に曝すことなくそのプラズマ重合保護膜
を形成したディスク基板を、前記基板電極ホルダの移動
径路の次の第２位置に対向する前記一対の潤滑ガス噴出
器間に移動配置した状態で、該プラズマ重合保護膜の活
性で清浄な表面に該一対の潤滑ガス噴出器の各多数のガ
ス流出孔より潤滑膜形成用の潤滑ガス供給系からの潤滑
ガスを噴出させて潤滑膜を形成することにより、該潤滑
膜のプラズマ重合保護膜に対する密着強度が高められ、
該潤滑膜が薄くても長期間にわたって安定な潤滑性と高
い耐磨耗性を維持することが可能になる。

【００２２】更に、請求項４の磁気ディスクの潤滑保護
処理方法に用いる他の処理装置では、請求項３の処理装
置における前記気密チャンバ内の基板電極ホルダの移動
ラインに沿って対向配置された一対のアース電極を有す
る保護膜成膜領域と一対の潤滑ガス噴出器を有する潤滑
処理領域との間に、その両領域を気密に隔絶するゲート
シャッタを開閉可能に設けた構成とすることで、前記保
護膜成膜領域でのプラズマ重合保護膜の形成後の生成ガ
スの迅速な排気と、その排気後の真空中にあるプラズマ
重合保護膜を形成したディスク基板を、同様に真空状態
とした潤滑処理領域へ前記ゲートシャッタを開閉して速
やかに移動させることができる。

【００２３】また、そのディスク基板の速やかな移動に
より該潤滑処理領域でのプラズマ重合保護膜への潤滑膜
形成時におけるプラズマＣＶＤプロセスでの加熱による
ディスク基板の余熱の温度低下が小さくなるので潤滑膜
のプラズマ重合保護膜への密着強度を高める作用が顕著
になり、そのような余熱を有するプラズマ重合保護膜の
活性で清浄な表面に潤滑膜を形成することにより、該潤
滑膜のプラズマ重合保護膜に対する密着強度が著しく高
められ、該潤滑膜が薄くても長期間にわたって安定な潤
滑性と高い耐磨耗性を維持することを可能になる。

【００２４】

【実施例】以下図面を用いて本発明の実施例について詳
細に説明する。図１(a),(b) は本発明の磁気ディスクの
潤滑保護処理方法の一実施例を順に説明するための要部
断面図、図２はその磁気ディスクの潤滑保護処理方法に
用いるる処理装置の第１実施例を示す概略構成図であ
る。

【００２５】図１(a) に示すように、例えばNiＰ表面処
理等が施されたアルミニウム円板などからなるディスク
基板１上にスパッタリング法等により0.1 μｍ程度の膜
厚のCr下地膜２と、0.05μｍ程度の膜厚のCo系合金膜、
例えばCoCrTi膜からなる磁性記録膜３を順に被着形成
し、その磁性記録膜３が表面に形成されたディスク基板
１を、図２に示すようなプラズマＣＶＤ装置を兼ねる潤
滑保護処理装置における気密チャンバ11内に所定間隔で
対向配置した一対のアース電極12a, 12b間に平行に設け
た基板電極ホルダ13に配設し、該気密チャンバ11内を一
旦、真空排気装置16により１×10^-5Torr以下の高真空に
排気する。

【００２６】次に、前記２つのアース電極12a, 12bの図
示しない各反応ガス導入口よりその表面に設けた多数の
流出孔を通して 150℃程度に加熱されたバブラー14内の
ジフェニルエタン (Ｃ₁₄Ｈ₁₄ ,ジべンジル) 15を開閉バ
ルブＶ₁,Ｖ₂ を開けてArガスによりバブリングしてガス
化したジフェニルエタンを含む 80sccm(標準cc/min)の
流量のArガスを気密チャンバ11内に流入してガス圧が0.
1 Torrとなるように排気量を制御すると共に、前記ディ
スク基板１を 200℃程度に加熱し、前記基板電極ホルダ
13に高周波電源17より30〜120 Ｗの高周波電力を供給し
てプラズマＣＶＤ法により該ディスク基板１上の磁性記
録膜３の表面にジフェニルエタンをモノマーとした25nm
程度の膜厚の耐磨耗性に優れ、薄膜化に有利なプラズマ
重合保護膜４を形成する。

【００２７】次に、前記開閉バルブＶ₁,Ｖ₂ を閉めた状
態で引続き前記ディスク基板１が基板電極ホルダ13に支
持された状態の気密チャンバ11内の反応ガスを真空排気
装置16により直ちに排気し除去した後、前記２つのアー
ス電極12a, 12bの図示しない各反応ガス導入口よりその
表面に設けた多数の流出孔を通して 150℃程度に加熱さ
れたバブラー19内のパーフルオロポリエーテル等からな
る液体潤滑剤18を開閉バルブＶ₃,Ｖ₄ を開けてキャリア
ガスであるArガスによりバブリングしてガス化した液体
潤滑剤を含む 80sccm(標準cc/min) の流量のArガスを、
対向するディスク基板１上のプラズマＣＶＤプロセスで
の加熱による余熱を有し、大気に曝さない状態のプラズ
マ重合保護膜４の活性で清浄な表面に噴出させて図１
(b) に示すように20Å以下の膜厚の潤滑膜21を形成す
る。

【００２８】このようにしてプラズマ重合保護膜４上に
形成された潤滑膜21は、その膜厚が均一化されると共
に、成膜時のプラズマ重合保護膜４の表面状態が、プラ
ズマＣＶＤプロセスでの加熱によるディスク基板の余熱
と、大気に曝されないことによる活性で、かつ清浄であ
る作用効果によって該潤滑膜21のプラズマ重合保護膜４
に対する密着強度が著しく高められ、該潤滑膜21の膜厚
が薄くても長期間にわたり安定な潤滑性と高い耐磨耗性
を維持することが可能になり、潤滑耐久性に優れた磁気
ディスクを得ることが可能となる。

【００２９】図３は本発明の磁気ディスクの潤滑保護処
理装置の第２実施例をその潤滑保護処理方法と共に説明
するための概略構成図である。本実施例では図示のよう
に、真空排気装置16を備えた気密チャンバ31内にディス
ク基板１を垂直に支持し、かつその基板支持面と平行す
る方向（上下方向）に図示しない駆動手段により移動可
能な基板電極ホルダ34と、該基板電極ホルダ34の移動径
路の第１位置に当該基板電極ホルダ34を挟むように所定
間隔をもって対向する多数のガス流出孔を有する一対の
アース電極32a, 32bと、同じくホルダ移動径路の第２位
置に当該基板電極ホルダ34を挟むように対向する前記一
対のアース電極32a, 32bと略同形状の一対の潤滑ガス噴
出器33a, 33bとが配置されたプラズマＣＶＤ装置を兼ね
る構成の潤滑保護処理装置を用いる。

【００３０】そして、前記気密チャンバ31内の基板電極
ホルダ34の移動径路の第１位置に対向配置された一対の
アース電極32a, 32b間に、スパッタリング法等により
0.1μｍ程度の膜厚のCr下地膜と0.05μｍ程度の膜厚のC
o系合金膜、例えばCoCrTi膜からなる磁性記録膜が順に
積層形成されたディスク基板１を垂直に支持した基板電
極ホルダ34を配設し、該気密チャンバ31内を一旦、真空
排気装置16により１×10 ^-5Torr以下の高真空に排気す
る。

【００３１】次に、前記一対のアース電極32a, 32bの図
示しない各反応ガス導入口よりその表面に設けた多数の
流出孔を通して 150℃程度に加熱されたバブラー14内の
ジフェニルエタン (Ｃ₁₄Ｈ₁₄ ,ジべンジル) 15を開閉バ
ルブＶ₁,Ｖ₂ を開けてArガスによりバブリングしてガス
化したジフェニルエタンを含む 80sccm(標準cc/min)の
流量のArガスを気密チャンバ31内に流入してガス圧が0.
1 Torrとなるように排気量を制御すると共に、前記ディ
スク基板１を 200℃程度に加熱し、前記基板電極ホルダ
34に高周波電源17より30〜120 Ｗの高周波電力を供給し
てプラズマＣＶＤ法により該ディスク基板１上の磁性記
録膜の表面にジフェニルエタンをモノマーとした25nm程
度の膜厚の耐磨耗性に優れ、薄膜化に有利なプラズマ重
合保護膜を形成する。

【００３２】次に、前記開閉バルブＶ₁,Ｖ₂ を閉止し、
直ちに前記ディスク基板１はそのままの状態で気密チャ
ンバ31内の生成ガスを真空排気装置16により直ちに排気
し除去した後、前記プラズマ重合保護膜を大気に曝して
汚染させることなくその形成されたディスク基板１を前
記基板電極ホルダ34の駆動により次の第２位置に対向す
る一対の潤滑ガス噴出器33a, 33b間へ一点鎖線で示すよ
うに移動配置し、その清浄なプラズマ重合保護膜の表面
に、引続き前記一対の潤滑ガス噴出器33a, 33bの図示し
ない各反応ガス導入口よりその表面に設けた多数の流出
孔を通して 150℃程度に加熱されたバブラー19内のパー
フルオロポリエーテル等からなる液体潤滑剤18を開閉バ
ルブＶ₃,Ｖ₄ を開けてArガスによりバブリングしてガス
化した液体潤滑剤18を含む 80sccm(標準cc/min) の流量
のArガスを噴出させて20Å以下の膜厚の潤滑膜を形成す
る。

【００３３】このような方法によりプラズマ重合保護膜
上に潤滑膜を形成することによっても、該潤滑膜の膜厚
が均一化されると共に、潤滑膜成膜時のプラズマ重合保
護膜の表面状態がプラズマＣＶＤプロセスでのディスク
基板１の加熱による余熱と、大気に曝されないことによ
り活性で清浄であることによる作用効果によって該潤滑
膜のプラズマ重合保護膜に対する密着強度が著しく高め
られる。

【００３４】従って、その潤滑膜が薄くても長期間にわ
たり安定な潤滑特性と高い耐磨耗性を維持することが可
能になり、潤滑耐久性に優れた磁気ディスクを得ること
が可能となる。

【００３５】なお、この方法では保護膜形成用の生成ガ
ス供給ラインと潤滑膜形成用の潤滑ガス供給ラインとが
完全に分離されているので、これらの各ガス供給ライン
が相互のガスによって互いに汚染される恐れはない。ま
た、気密チャンバ31の内壁に付着する保護物質や潤滑剤
等の汚染は潤滑膜形成後に酸素プラズマ等によるクリー
ニング処理により容易に除去することが可能である。

【００３６】図４は本発明の磁気ディスクの潤滑保護処
理装置の第３実施例をその潤滑保護処理方法と共に説明
するための概略構成図である。本実施例では図示のよう
に、気密チャンバ41内にディスク基板１を水平に支持
し、かつその基板支持方向（水平方向、図面に向かって
左右方向) に図示しない駆動手段により移動可能な基板
電極ホルダ44と、該基板電極ホルダ44の移動方向に沿っ
て所定間隔をもって対向するように多数のガス流出孔を
有する一対のアース電極42a, 42bと、該一対のアース電
極42a, 42bと略同形状の一対の潤滑ガス噴出器43a, 43b
とが配置され、その気密チャンバ41内の前記一対のアー
ス電極42a,42bが配置された保護膜形成領域41a と一対
の潤滑ガス噴出器43a, 43bが配置された潤滑処理領域41
b との間に、その両領域を気密に隔絶するゲートシャッ
タ45が開閉可能に設けられた構成のプラズマＣＶＤ装置
を兼ねる構成の潤滑保護処理装置を用いる。

【００３７】そして、前記気密チャンバ41内の一対のア
ース電極42a, 42b間に、スパッタリング法等により0.1
μｍ程度の膜厚のCr下地膜と0.05μｍ程度の膜厚のCo系
合金膜、例えばCoCrTi膜からなる磁性記録膜が順に積層
形成されたディスク基板１を水平に支持した基板電極ホ
ルダ44を配設し、前記ゲートシャッタ45を閉じた気密チ
ャンバ41内の保護膜形成領域41a と潤滑処理領域41b と
をそれぞれ一旦、真空排気装置16a, 16bにより１×10^-5
Torr以下の高真空に排気する。

【００３８】次に、前記一対のアース電極42a, 42bの図
示しない各反応ガス導入口よりその表面に設けた多数の
流出孔を通して 150℃程度に加熱されたバブラー14内の
ジフェニルエタン (Ｃ₁₄Ｈ₁₄ ,ジべンジル) 15を開閉バ
ルブＶ₁ を開けてArガスによりバブリングしてガス化し
たジフェニルエタンを含む 80sccm(標準cc/min) の流量
のArガスを前記保護膜形成領域41a 内に流入してガス圧
が0.1 Torrとなるように排気量を制御すると共に、前記
ディスク基板１を 200℃程度に加熱し、前記基板電極ホ
ルダ44に高周波電源17より30〜120 Ｗの高周波電力を供
給してプラズマＣＶＤ法により該ディスク基板１上の磁
性記録膜の表面にジフェニルエタンをモノマーとした25
nm程度の膜厚の耐磨耗性に優れ、薄膜化に有利なプラズ
マ重合保護膜を形成する。

【００３９】次に、前記開閉バルブＶ₁ を閉止し、直ち
に前記ディスク基板１はそのままの状態で気密チャンバ
41の保護膜形成領域41a 内の生成ガスを真空排気装置16
a により直ちに排気し除去した後、その真空中にある前
記プラズマ重合保護膜が形成されたディスク基板１を前
記基板電極ホルダ44の駆動により同様に真空状態にある
潤滑処理領域41b 内の対向する一対の潤滑ガス噴出器43
a, 43b間へ一点鎖線で示すように前記ゲートシャッタ45
を開閉して速やかに移動配置する。

【００４０】そして、その大気で汚染されない清浄なプ
ラズマ重合保護膜の表面に、引続き前記一対の潤滑ガス
噴出器43a, 43bの図示しない各反応ガス導入口よりその
表面に設けた多数の流出孔を通して 150℃程度に加熱さ
れたバブラー19内のパーフルオロポリエーテル等からな
る液体潤滑剤18を開閉バルブＶ₂ を開けてArガスにより
バブリングしてガス化した液体潤滑剤18を含む 80sccm
(標準cc/min) の流量のArガスを噴出させて20Å以下の
膜厚の潤滑膜を形成する。

【００４１】このような方法によりプラズマ重合保護膜
上に潤滑膜を形成することによっても、該潤滑膜の膜厚
が均一化されると共に、プラズマ重合保護膜を形成後の
保護膜形成領域41a 内の排気の迅速化と該プラズマ重合
保護膜を形成後のディスク基板１の潤滑処理領域41b へ
の速やかな移動配置等により、潤滑膜成膜時のプラズマ
重合保護膜の表面状態がプラズマＣＶＤプロセスでのデ
ィスク基板１の加熱による余熱の温度低下が小さくな
り、大気に曝されないことにより活性で清浄であること
による作用効果によって該潤滑膜のプラズマ重合保護膜
に対する密着強度が著しく高められる。

【００４２】従って、その潤滑膜が薄くても長期間にわ
たり安定な潤滑特性と高い耐磨耗性を維持することが可
能になり、潤滑耐久性に優れた磁気ディスクを得ること
が可能となる。

【００４３】なお、以上の実施例では加熱されたバブラ
ー内のパーフルオロポリエーテル等からなる液体潤滑剤
をArガスによりバブリングしてガス化した潤滑剤を含む
Arガスを気密チャンバ内に導入しているが、その液体潤
滑剤の代わりにステアリン酸グリセリドなどの脂肪酸等
からなる常温で固体の潤滑剤をバブラー内で加熱・溶融
させ、バブリングして用いることもできる。

【００４４】また、図４の第３実施例における保護膜形
成領域41a でディスク基板１上に設けた磁性記録膜の表
面に例えばスパッタリング法によりスパッタカーボンか
らなる保護膜を形成し、その保護膜を大気に曝さずに潤
滑処理領域41b でその保護膜上に加熱されたバブラー内
でArガスによりバブリングされてガス化した潤滑ガスに
より潤滑膜を形成するようにしても、前記第３実施例と
略同様な効果が期待できる。

【００４５】更に、以上の実施例では、一般的な水平磁
気記録方式の磁気ディスクを対象場合の例について説明
したが、本発明はそのような例に限定されるものではな
く、例えば表面にプラズマ重合保護膜を設けた垂直磁気
記録方式の磁気ディスク等、種々の磁気ディスクの潤滑
膜の形成に適用可能なことはいうまでもない。

【００４６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る磁気ディスクの潤滑保護処理方法とその処理装置
によれば、潤滑膜成膜時のプラズマ重合保護膜の表面状
態がプラズマＣＶＤプロセスでのディスク基板の加熱に
よる余熱の有効利用と、大気に曝されないことにより活
性で清浄であることによる作用効果によって該潤滑膜の
プラズマ重合保護膜に対する密着強度が著しく高められ
る優れた利点を有する。

【００４７】従って、その潤滑膜が薄くても長期間にわ
たり安定な潤滑特性と高い耐磨耗性を維持することが可
能になり、潤滑耐久性に優れ、信頼性の高い高密度記録
化に好適な磁気ディスクを容易に得ることが可能となる
等、実用上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気ディスクの潤滑保護処理方法の
一実施例を順に説明するための要部断面図である。

【図２】 本発明の磁気ディスクの潤滑保護処理方法に
用いる処理装置の第１実施例を示す概略構成図である。

【図３】 本発明の磁気ディスクの潤滑保護処理装置の
第２実施例をその潤滑保護処理方法と共に説明するため
の概略構成図である。

【図４】 本発明の磁気ディスクの潤滑保護処理装置の
第３実施例をその潤滑保護処理方法と共に説明するため
の概略構成図である。

【図５】 従来の磁気ディスクの潤滑保護処理方法を説
明するための要部断面図である。

【図６】 従来の磁気ディスクの潤滑保護処理装置を示
す概略構成図である。

【符号の説明】

１ ディスク基板 ２ Cr下地膜 ３ 磁性記録膜 ４ プラズマ重合保護膜 ２１ 潤滑膜 １１，３１，４１ 気密チャンバ １２ａ，１２ｂ，３２ａ，３２ｂ，４２ａ，４２ｂ
アース電極 １３，３４，４４ 基板電極ホルダ １４，１９ バブラー １５ ジフェニルエタン １６，１６ａ，１６ｂ 真空排気装置 １７ 高周波電源 １８ 液体潤滑剤 ３３ａ，３３ｂ，４３ａ，４３ｂ 潤滑ガス噴出器 ４１ａ 保護膜形成領域 ４１ｂ 潤滑処理領域 ４５ ゲートシャッタ

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ディスク基板 (１) 上の磁性記録膜
   (３) の表面にプラズマＣＶＤ法によりフェニル系炭化
   水素をモノマーとしたプラズマ重合膜からなる保護膜
   (４) を形成する工程を行った後、該プラズマ重合保護
   膜 (４) を大気に曝すことなく、その表面に潤滑剤の蒸
   気を含むキャリアガスを吹き付けて潤滑膜(21)を形成す
   る工程を行うことを特徴とする磁気ディスクの潤滑保護
   処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１の磁気ディスクの潤滑処理方法
   に用いる処理装置であって、真空排気系を備えた気密チ
   ャンバ(11)内に、ディスク基板 (１) を支持した基板電
   極ホルダ(13)と、該ディスク基板 (１) の両側に所定間
   隔をもって対向する多数のガス流出孔を有する一対のア
   ース電極(12a, 12b)とが配置され、該一対のアース電極
   (12a, 12b)にその各多数のガス流出孔に連通するように
   プラズマＣＶＤ法による保護膜形成用の生成ガス供給系
   と潤滑膜形成用の潤滑ガス供給系とを切り換えバブルを
   介して連結してなることを特徴とする磁気ディスクの潤
   滑保護処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１の磁気ディスクの潤滑処理方法
   に用いる処理装置であって、真空排気系を備えた気密チ
   ャンバ(31)内に、ディスク基板 (１) を支持し、かつそ
   の基板支持面と平行する方向に移動可能な基板電極ホル
   ダ(34)と、該基板電極ホルダ(34)の移動径路の第１位置
   に当該基板電極ホルダ(34)を挟むよう所定間隔をもって
   対向配置した多数のガス流出孔を有する一対のアース電
   極(32a, 32b)と、同じくホルダ移動径路の第２位置に当
   該基板電極ホルダ(34)を挟むよう対向配置され、かつ前
   記一対のアース電極(32a, 32b)と同形状の一対の潤滑ガ
   ス噴出器(33a, 33b)と、該一対のアース電極(32a, 32b)
   にその各多数のガス流出孔に連通するようにプラズマＣ
   ＶＤ法による保護膜形成用の生成ガス供給系と、前記一
   対の潤滑ガス噴出器(33a, 33b)に潤滑膜形成用の潤滑ガ
   ス供給系をそれぞれ連結してなることを特徴とする磁気
   ディスクの潤滑保護処理装置。
4. 【請求項４】 前記気密チャンバ(41)内の基板電極ホル
   ダ(44) の移動方向に沿って隣接配置された一対のアー
   ス電極(42a, 42b)と一対の潤滑ガス噴出器(43a, 43b)と
   の間に、それぞれの保護膜形成領域(41a) と潤滑処理領
   域(41b) とを気密に隔絶するゲートシャッタ(45)を開閉
   可能に設けたことを特徴とする請求項３の磁気ディスク
   の潤滑保護処理装置。