JP2000323436A5 - - Google Patents
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
ウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する方法であって:
処理チャンバ(40)内に前記ウエハ(200)を配置する段階;
第1時間期間にわたりスパッタリング・ターゲット(48)に給電する段階;
第2時間期間にわたりコイル(52)に給電する段階であって、該第2時間期間が前記第1時間期間とは異なる、段階;および
前記バリア層(220)の堆積の間、前記スパッタリング・ターゲット(48)および前記コイル(52)双方に対する電力を制御する段階;
から成り、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電は、前記コイルに対する給電の前に起こり、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電と前記コイルに対する給電との間の時間に形成されるバリア層の第1部分は、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電および前記コイルに対する給電の後の時間に形成されるバリア層の第2部分よりも低い張力を有することを特徴とする方法。
【請求項2】
ウエハ(200)上にタンタル・バリア(220)層を形成する方法であって:
第1引張応力を有する前記タンタル・バリア層(220)の第1部分を形成する段階;
第2引張応力を有する前記タンタル・バリア層(220)の第2部分を形成する段階であって、該第2引張応力が前記第1引張応力とは異なる、段階;および
前記タンタル・バリア層(220)上に導電性材料(222)を形成する段階であって、該導電性材料(222)が殆ど銅から成る、段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項3】
少なくとも1つのウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する方法であって:
処理チャンバ(40)の表面に、耐熱金属窒化物膜を被覆する段階;
少なくとも1つのウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する段階であって、該バリア層(220)が耐熱金属から成る、段階;および
ある時間期間後、前記処理チャンバ(40)の前記表面に、別の耐熱金属窒化物膜を被覆する段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項4】
ウエハ(200)上に層を形成する方法であって:
チャンバ(70)内に前記ウエハを配置する段階であって、前記チャンバがターゲット(78)およびコイル(82)を有する、段階;および
前記ターゲット(78)から第1物質を移転し、前記コイル(82)から第2物質を移転し、前記ウエハ(200)上に前記第1物質および前記第2物質を堆積する段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項5】
前記第2物質の粒度は、約50ミクロン以下であることを特徴とする請求項4記載の方法。
【請求項6】
ウエハ(200)上に層(220)を形成する方法であって:
誘電体層内に開口(212)を形成する段階であって、該開口が下地の相互接続部(202)を露出させ、前記開口(212)は、当該開口の側壁部分が該側壁部分と実質的に垂直な前記誘電体層の表面と交差する領域に形成された角部分を有する、段階;および
開口(212)をエッチングする段階であって、コイル(26)に印加する第1電力を、ウエハ・ペデスタル(24)に印加する第2電力の少なくとも2倍とし、前記開口をエッチングすることによって前記角部分(206a,210a)を丸める段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項7】
前記開口(212)をエッチングした後に、該開口(212)内にバリア層(220)を形成する段階;および
前記バリア層(220)上に銅含有層(222)を形成する段階;
を更に含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
【請求項8】
ウエハ(200)上に層(222)を形成する方法であって:
露出したバリア領域(220)を有する前記ウエハ(200)をチャンバ(70)内に配置する段階;および
前記ウエハ(200)を基礎の支持部材(86)に固着する段階;
から成り、該ウエハの固着が、クランプ(85)の使用を含み、該クランプ(85)が接触部分(100)を有し、該接触部分(100)が、前記ウエハと、該ウエハ(200)上で前記接触部分に隣接して位置するシャドウ部分とを接触させ、前記シャドウ部分が、前記ウエハ(200)の表面から約8ミル未満の距離に位置することを特徴とする方法。
【請求項9】
前記クランプ(85)は、前記ウエハ(200)の英数字識別領域(106)上における前記層(222)の形成を防止することを特徴とする請求項8記載の方法。
【請求項10】
ウエハ(200)上に層(220)を形成する方法であって:
チャンバ(40)内にあるペデスタル(56)上に前記ウエハ(200)を配置する段階であって、前記チャンバ(40)が、前記ペデスタル(56)の周囲に沿って配置された絶縁リング(53)を含み、前記ペデスタル(56)に第1バイアス電力をバイアスする段階;および
前記チャンバの第2領域に第2バイアス電力をバイアスする段階であって、前記絶縁リング(53)が前記第1バイアス電力を前記第2バイス電力から電気的に切断し、前記ウエハ(200)上に前記層(220)を形成する前に、前記層(220)の形成の間チャンバ環境に露出される前記絶縁リング(53)の部分に、導電性物質を被覆する段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項1】
ウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する方法であって:
処理チャンバ(40)内に前記ウエハ(200)を配置する段階;
第1時間期間にわたりスパッタリング・ターゲット(48)に給電する段階;
第2時間期間にわたりコイル(52)に給電する段階であって、該第2時間期間が前記第1時間期間とは異なる、段階;および
前記バリア層(220)の堆積の間、前記スパッタリング・ターゲット(48)および前記コイル(52)双方に対する電力を制御する段階;
から成り、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電は、前記コイルに対する給電の前に起こり、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電と前記コイルに対する給電との間の時間に形成されるバリア層の第1部分は、前記スパッタリング・ターゲットに対する給電および前記コイルに対する給電の後の時間に形成されるバリア層の第2部分よりも低い張力を有することを特徴とする方法。
【請求項2】
ウエハ(200)上にタンタル・バリア(220)層を形成する方法であって:
第1引張応力を有する前記タンタル・バリア層(220)の第1部分を形成する段階;
第2引張応力を有する前記タンタル・バリア層(220)の第2部分を形成する段階であって、該第2引張応力が前記第1引張応力とは異なる、段階;および
前記タンタル・バリア層(220)上に導電性材料(222)を形成する段階であって、該導電性材料(222)が殆ど銅から成る、段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項3】
少なくとも1つのウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する方法であって:
処理チャンバ(40)の表面に、耐熱金属窒化物膜を被覆する段階;
少なくとも1つのウエハ(200)上にバリア層(220)を形成する段階であって、該バリア層(220)が耐熱金属から成る、段階;および
ある時間期間後、前記処理チャンバ(40)の前記表面に、別の耐熱金属窒化物膜を被覆する段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項4】
ウエハ(200)上に層を形成する方法であって:
チャンバ(70)内に前記ウエハを配置する段階であって、前記チャンバがターゲット(78)およびコイル(82)を有する、段階;および
前記ターゲット(78)から第1物質を移転し、前記コイル(82)から第2物質を移転し、前記ウエハ(200)上に前記第1物質および前記第2物質を堆積する段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項5】
前記第2物質の粒度は、約50ミクロン以下であることを特徴とする請求項4記載の方法。
【請求項6】
ウエハ(200)上に層(220)を形成する方法であって:
誘電体層内に開口(212)を形成する段階であって、該開口が下地の相互接続部(202)を露出させ、前記開口(212)は、当該開口の側壁部分が該側壁部分と実質的に垂直な前記誘電体層の表面と交差する領域に形成された角部分を有する、段階;および
開口(212)をエッチングする段階であって、コイル(26)に印加する第1電力を、ウエハ・ペデスタル(24)に印加する第2電力の少なくとも2倍とし、前記開口をエッチングすることによって前記角部分(206a,210a)を丸める段階;
から成ることを特徴とする方法。
【請求項7】
前記開口(212)をエッチングした後に、該開口(212)内にバリア層(220)を形成する段階;および
前記バリア層(220)上に銅含有層(222)を形成する段階;
を更に含むことを特徴とする請求項6記載の方法。
【請求項8】
ウエハ(200)上に層(222)を形成する方法であって:
露出したバリア領域(220)を有する前記ウエハ(200)をチャンバ(70)内に配置する段階;および
前記ウエハ(200)を基礎の支持部材(86)に固着する段階;
から成り、該ウエハの固着が、クランプ(85)の使用を含み、該クランプ(85)が接触部分(100)を有し、該接触部分(100)が、前記ウエハと、該ウエハ(200)上で前記接触部分に隣接して位置するシャドウ部分とを接触させ、前記シャドウ部分が、前記ウエハ(200)の表面から約8ミル未満の距離に位置することを特徴とする方法。
【請求項9】
前記クランプ(85)は、前記ウエハ(200)の英数字識別領域(106)上における前記層(222)の形成を防止することを特徴とする請求項8記載の方法。
【請求項10】
ウエハ(200)上に層(220)を形成する方法であって:
チャンバ(40)内にあるペデスタル(56)上に前記ウエハ(200)を配置する段階であって、前記チャンバ(40)が、前記ペデスタル(56)の周囲に沿って配置された絶縁リング(53)を含み、前記ペデスタル(56)に第1バイアス電力をバイアスする段階;および
前記チャンバの第2領域に第2バイアス電力をバイアスする段階であって、前記絶縁リング(53)が前記第1バイアス電力を前記第2バイス電力から電気的に切断し、前記ウエハ(200)上に前記層(220)を形成する前に、前記層(220)の形成の間チャンバ環境に露出される前記絶縁リング(53)の部分に、導電性物質を被覆する段階;
から成ることを特徴とする方法。
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Families Citing this family (45)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7045454B1 (en) * | 1999-05-11 | 2006-05-16 | Micron Technology, Inc. | Chemical mechanical planarization of conductive material |
US6458251B1 (en) * | 1999-11-16 | 2002-10-01 | Applied Materials, Inc. | Pressure modulation method to obtain improved step coverage of seed layer |
JP4419237B2 (ja) * | 1999-12-22 | 2010-02-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び被処理体の処理方法 |
JP3676983B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2005-07-27 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造方法、基板処理方法、及び半導体製造装置 |
JP2002203885A (ja) * | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Anelva Corp | インターバック型基板処理装置 |
JP4856308B2 (ja) * | 2000-12-27 | 2012-01-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置及び経由チャンバー |
US6566242B1 (en) * | 2001-03-23 | 2003-05-20 | International Business Machines Corporation | Dual damascene copper interconnect to a damascene tungsten wiring level |
KR100413481B1 (ko) * | 2001-06-12 | 2003-12-31 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 구리 박막 증착 장비 |
WO2003008660A1 (en) | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Trikon Holdings Limited | Depositing a tantalum film |
US6620727B2 (en) * | 2001-08-23 | 2003-09-16 | Texas Instruments Incorporated | Aluminum hardmask for dielectric etch |
US6908865B2 (en) * | 2001-09-28 | 2005-06-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning substrates |
US6778258B2 (en) * | 2001-10-19 | 2004-08-17 | Asml Holding N.V. | Wafer handling system for use in lithography patterning |
US6656535B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-12-02 | Applied Materials, Inc | Method of fabricating a coated process chamber component |
KR100440261B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법 |
US6989579B2 (en) * | 2001-12-26 | 2006-01-24 | Lucent Technologies Inc. | Adhering layers to metals with dielectric adhesive layers |
JP2003218201A (ja) * | 2002-01-24 | 2003-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6664166B1 (en) * | 2002-09-13 | 2003-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Control of nichorme resistor temperature coefficient using RF plasma sputter etch |
US20060226003A1 (en) * | 2003-01-22 | 2006-10-12 | John Mize | Apparatus and methods for ionized deposition of a film or thin layer |
US6926390B2 (en) | 2003-02-05 | 2005-08-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming mixed-phase compressive tantalum thin films using nitrogen residual gas, thin films and fluid ejection devices including same |
US6893116B2 (en) * | 2003-04-29 | 2005-05-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluid ejection device with compressive alpha-tantalum layer |
US6955835B2 (en) * | 2003-04-30 | 2005-10-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method for forming compressive alpha-tantalum on substrates and devices including the same |
US7045455B2 (en) * | 2003-10-23 | 2006-05-16 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Via electromigration improvement by changing the via bottom geometric profile |
DE102004015865B4 (de) * | 2004-03-31 | 2006-05-04 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Verfahren zum Reinigen der Oberfläche eines Substrats |
CN100345276C (zh) * | 2004-05-19 | 2007-10-24 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 降低铜双镶嵌工艺线间漏电流的方法 |
US7091088B1 (en) * | 2004-06-03 | 2006-08-15 | Spansion Llc | UV-blocking etch stop layer for reducing UV-induced charging of charge storage layer in memory devices in BEOL processing |
US20060014378A1 (en) * | 2004-07-14 | 2006-01-19 | Sanjeev Aggarwal | System and method to form improved seed layer |
US9659758B2 (en) | 2005-03-22 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Coils utilized in vapor deposition applications and methods of production |
US20060278520A1 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-14 | Lee Eal H | Use of DC magnetron sputtering systems |
US7348672B2 (en) * | 2005-07-07 | 2008-03-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Interconnects with improved reliability |
KR101025438B1 (ko) * | 2006-03-22 | 2011-03-28 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체 장치 |
US20080078326A1 (en) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Pre-cleaning tool and semiconductor processing apparatus using the same |
US20080092806A1 (en) * | 2006-10-19 | 2008-04-24 | Applied Materials, Inc. | Removing residues from substrate processing components |
US8791018B2 (en) * | 2006-12-19 | 2014-07-29 | Spansion Llc | Method of depositing copper using physical vapor deposition |
US7723012B2 (en) * | 2007-06-28 | 2010-05-25 | Eastman Kodak Company | Radiation-sensitive compositions and elements with solvent resistant poly(vinyl acetal)s |
US8084862B2 (en) * | 2007-09-20 | 2011-12-27 | International Business Machines Corporation | Interconnect structures with patternable low-k dielectrics and method of fabricating same |
US8618663B2 (en) * | 2007-09-20 | 2013-12-31 | International Business Machines Corporation | Patternable dielectric film structure with improved lithography and method of fabricating same |
US7709370B2 (en) * | 2007-09-20 | 2010-05-04 | International Business Machines Corporation | Spin-on antireflective coating for integration of patternable dielectric materials and interconnect structures |
JP2009194195A (ja) * | 2008-02-15 | 2009-08-27 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20130007537A (ko) * | 2010-03-02 | 2013-01-18 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | Euv 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크 및 그 제조 방법 |
US10727092B2 (en) * | 2012-10-17 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Heated substrate support ring |
WO2015146516A1 (ja) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Jx日鉱日石金属株式会社 | タンタルスパッタリングターゲット及びその製造方法 |
CN105990227B (zh) * | 2015-02-27 | 2019-11-08 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属连线的制作方法及半导体器件 |
CN106158732B (zh) * | 2015-04-16 | 2019-02-12 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 金属互连层的金属化工艺 |
US11183373B2 (en) | 2017-10-11 | 2021-11-23 | Honeywell International Inc. | Multi-patterned sputter traps and methods of making |
CN111421426A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-07-17 | 台州市椒江南屯电子有限公司 | 一种金属导体电镀装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5832229B2 (ja) | 1978-09-22 | 1983-07-12 | 日本真空技術株式会社 | 金属窒化物を被覆した真空容器及び真空機器用部品 |
JPS59208071A (ja) | 1983-05-13 | 1984-11-26 | Hitachi Ltd | 成膜方法および装置 |
JPS63303064A (ja) | 1987-05-30 | 1988-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング装置 |
US5175608A (en) | 1987-06-30 | 1992-12-29 | Hitachi, Ltd. | Method of and apparatus for sputtering, and integrated circuit device |
JP2602276B2 (ja) * | 1987-06-30 | 1997-04-23 | 株式会社日立製作所 | スパツタリング方法とその装置 |
JPH06196437A (ja) * | 1992-12-25 | 1994-07-15 | Sumitomo Metal Ind Ltd | チタンまたはチタン化合物の薄膜形成装置 |
US5846332A (en) | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
US5707498A (en) * | 1996-07-12 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Avoiding contamination from induction coil in ionized sputtering |
SG54602A1 (en) | 1996-11-26 | 1998-11-16 | Applied Materials Inc | Coated deposition chamber equipment |
JP3624628B2 (ja) | 1997-05-20 | 2005-03-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
US6139699A (en) * | 1997-05-27 | 2000-10-31 | Applied Materials, Inc. | Sputtering methods for depositing stress tunable tantalum and tantalum nitride films |
US6080285A (en) * | 1998-09-14 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Multiple step ionized metal plasma deposition process for conformal step coverage |
-
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