JP3032316B2 - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JP3032316B2 JP3032316B2 JP3076571A JP7657191A JP3032316B2 JP 3032316 B2 JP3032316 B2 JP 3032316B2 JP 3076571 A JP3076571 A JP 3076571A JP 7657191 A JP7657191 A JP 7657191A JP 3032316 B2 JP3032316 B2 JP 3032316B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造装置及び半
導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、プラズマ化
された反応ガスを用いて膜形成を行う半導体製造装置及
び半導体装置の製造方法に関する。
導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、プラズマ化
された反応ガスを用いて膜形成を行う半導体製造装置及
び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】近年、膜形成装置として低温で膜形成が可
能なＥＣＲプラズマＣＶＤ装置が注目を集めている。Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置は異方性の強い反応種（例えば
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 混合ガス）を成膜材料と
しているため、平面上には堆積するが、配線の側壁な
ど、垂直な面には堆積しにくい性質がある。この性質を
利用してデポジションとスパッタ効果を組み合わせて配
線を被覆して順テーパ状の絶縁膜を形成することができ
る。そして、このような形状を利用して平坦化を行うこ
とができるので、配線の多層化も可能となる。
能なＥＣＲプラズマＣＶＤ装置が注目を集めている。Ｅ
ＣＲプラズマＣＶＤ装置は異方性の強い反応種（例えば
ＳｉＨ4 ／Ｎ2 ／Ｎ2 Ｏ／Ｏ2 混合ガス）を成膜材料と
しているため、平面上には堆積するが、配線の側壁な
ど、垂直な面には堆積しにくい性質がある。この性質を
利用してデポジションとスパッタ効果を組み合わせて配
線を被覆して順テーパ状の絶縁膜を形成することができ
る。そして、このような形状を利用して平坦化を行うこ
とができるので、配線の多層化も可能となる。
【０００３】
【従来の技術】図４は、ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置の構
成図で、図中符号５はメインソレノイドコイルで、プラ
ズマ生成室７内でＥＣＲ条件（８７５ガウス）を満たす
磁界を発生させるとともに、プラズマ生成室７に連接し
ている反応室８内にプラズマを引き出す発散磁界を形成
する。６はプラズマ生成室７に導入された反応ガスをプ
ラズマ化するためのマイクロ波を印加するマイクロ波印
加手段、９は反応室８に接続されている反応ガスの導入
口、１０は反応室８に接続されている反応室８内の反応
ガスを排気する排気口である。１１はサブソレノイドコ
イルで、プラズマ化した反応ガスを磁場内で広げるカス
プ磁場を形成し、成膜位置でのプラズマ密度を均一にす
る。サブソレノイドコイル１１に流す電流値を変えるこ
とで、カスプ面、即ちメインソレノイドコイル５による
磁場の強さとサブソレノイドコイル１１による磁場の強
さが逆向きに等しくなる面を上下に移動させることがで
きる。
成図で、図中符号５はメインソレノイドコイルで、プラ
ズマ生成室７内でＥＣＲ条件（８７５ガウス）を満たす
磁界を発生させるとともに、プラズマ生成室７に連接し
ている反応室８内にプラズマを引き出す発散磁界を形成
する。６はプラズマ生成室７に導入された反応ガスをプ
ラズマ化するためのマイクロ波を印加するマイクロ波印
加手段、９は反応室８に接続されている反応ガスの導入
口、１０は反応室８に接続されている反応室８内の反応
ガスを排気する排気口である。１１はサブソレノイドコ
イルで、プラズマ化した反応ガスを磁場内で広げるカス
プ磁場を形成し、成膜位置でのプラズマ密度を均一にす
る。サブソレノイドコイル１１に流す電流値を変えるこ
とで、カスプ面、即ちメインソレノイドコイル５による
磁場の強さとサブソレノイドコイル１１による磁場の強
さが逆向きに等しくなる面を上下に移動させることがで
きる。
【０００４】また、図５はＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に
用いられるウエハ保持具の詳細について説明する構成図
で、図中符号１はウエハ保持台で、ウエハ載置面１ａに
はウエハ３と接触する部分が格子状の凸部１ｂとして形
成されている。また、このウエハ保持台１にはウエハ３
を静電的に保持するために不図示の直流電圧の印加電極
が埋め込まれている。以上がウエハ保持具２を構成す
る。
用いられるウエハ保持具の詳細について説明する構成図
で、図中符号１はウエハ保持台で、ウエハ載置面１ａに
はウエハ３と接触する部分が格子状の凸部１ｂとして形
成されている。また、このウエハ保持台１にはウエハ３
を静電的に保持するために不図示の直流電圧の印加電極
が埋め込まれている。以上がウエハ保持具２を構成す
る。
【０００５】次に、このようなウエハ保持具２を用いた
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によりウエハ３上に絶縁膜を
形成する方法について図４，図５（ａ），（ｂ）及び図
６（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
ＥＣＲプラズマＣＶＤ装置によりウエハ３上に絶縁膜を
形成する方法について図４，図５（ａ），（ｂ）及び図
６（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【０００６】まず、ウエハ保持具２のウエハ保持台１に
埋め込まれた直流電圧の印加電極によりウエハ載置面１
ａに静電的にウエハ３を保持する。
埋め込まれた直流電圧の印加電極によりウエハ載置面１
ａに静電的にウエハ３を保持する。
【０００７】次に、プラズマ生成室７に反応ガスを供給
し、マイクロ波電場及びメインソレノイドコイル５によ
り発生した発散磁場による共振により反応ガスにエネル
ギーを供給して反応ガスをプラズマ化する。続いて、プ
ラズマ化された反応ガスを反応室８内に導入すると、反
応ガスはカスプ磁界により磁界内に閉じ込められ、更に
カスプ面の近傍に置かれたウエハ３上に磁界により移動
する。これにより、ウエハ３表面に絶縁膜４の形成が行
われる。
し、マイクロ波電場及びメインソレノイドコイル５によ
り発生した発散磁場による共振により反応ガスにエネル
ギーを供給して反応ガスをプラズマ化する。続いて、プ
ラズマ化された反応ガスを反応室８内に導入すると、反
応ガスはカスプ磁界により磁界内に閉じ込められ、更に
カスプ面の近傍に置かれたウエハ３上に磁界により移動
する。これにより、ウエハ３表面に絶縁膜４の形成が行
われる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ウエハ３上
に形成される絶縁膜４の膜厚は、図５（ａ），（ｂ）に
示すように、中央部で厚く形成され、ウエハ３全体に膜
厚の不均一性が大きいという問題がある。
に形成される絶縁膜４の膜厚は、図５（ａ），（ｂ）に
示すように、中央部で厚く形成され、ウエハ３全体に膜
厚の不均一性が大きいという問題がある。
【０００９】調査によると、これは、プラズマ化された
反応ガス粒子の密度が中央部で高く、周辺部で低くなる
ことが原因していると考えられる。
反応ガス粒子の密度が中央部で高く、周辺部で低くなる
ことが原因していると考えられる。
【００１０】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたもので、ウエハ上に膜厚の均一な膜を形成するこ
とができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
されたもので、ウエハ上に膜厚の均一な膜を形成するこ
とができる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を
提供することを目的とするものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、チ
ャンバと、該チャンバ内に導入された反応ガスをプラズ
マ化する手段と、該プラズマ化された反応ガスにより膜
形成されるべきウエハをウエハ載置面に載置するウエハ
保持具とを有し、前記ウエハ保持具のウエハ載置面は、
周辺部でだけ前記ウエハと接触する接触部を備え、か
つ、中央部にだけ前記接触部が設けられない空間領域を
有していることを特徴とする半導体製造装置によって達
成され、第２に、プラズマ化された反応ガスを用いてウ
エハ保持具に保持されたウエハ上に膜形成を行う半導体
装置の製造方法において、前記ウエハ保持具とウエハと
の接触をウエハ保持具の周辺部でのみ行い、かつ中央部
では接触させないことにより、前記反応ガスからのエネ
ルギーの授受により加熱されるウエハの中央部の温度を
ウエハの周辺部の温度より高くし、反応ガスのスパッタ
効果を中央部で大きくしながら膜形成を行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法によって達成される。
ャンバと、該チャンバ内に導入された反応ガスをプラズ
マ化する手段と、該プラズマ化された反応ガスにより膜
形成されるべきウエハをウエハ載置面に載置するウエハ
保持具とを有し、前記ウエハ保持具のウエハ載置面は、
周辺部でだけ前記ウエハと接触する接触部を備え、か
つ、中央部にだけ前記接触部が設けられない空間領域を
有していることを特徴とする半導体製造装置によって達
成され、第２に、プラズマ化された反応ガスを用いてウ
エハ保持具に保持されたウエハ上に膜形成を行う半導体
装置の製造方法において、前記ウエハ保持具とウエハと
の接触をウエハ保持具の周辺部でのみ行い、かつ中央部
では接触させないことにより、前記反応ガスからのエネ
ルギーの授受により加熱されるウエハの中央部の温度を
ウエハの周辺部の温度より高くし、反応ガスのスパッタ
効果を中央部で大きくしながら膜形成を行うことを特徴
とする半導体装置の製造方法によって達成される。
【００１２】
【作用】本発明の半導体製造装置においては、ウエハ保
持具のウエハ載置面の中央部に接触部が設けられない空
間領域を有し、ウエハはウエハ載置面の周辺部でのみウ
エハ載置面に接触している。
持具のウエハ載置面の中央部に接触部が設けられない空
間領域を有し、ウエハはウエハ載置面の周辺部でのみウ
エハ載置面に接触している。
【００１３】このため、本発明の半導体装置の製造方法
のように、反応ガスからのエネルギーの授受により加熱
されるウエハの中央部の温度をウエハの周辺部の温度よ
り高くすることにより、反応ガスのスパッタ効果を中央
部で大きくしながら膜形成を行うことができる。従っ
て、プラズマ化された反応ガス粒子の密度が中央部で高
く、周辺部で低くなっているために、通常、ウエハの中
央部で厚く膜形成が行われる場合でも、厚く形成される
中央部の膜をスパッタ効果により周辺部の膜よりも多く
エッチングしつつ膜形成を行うことができるので、形成
膜の膜厚を均一化することができる。
のように、反応ガスからのエネルギーの授受により加熱
されるウエハの中央部の温度をウエハの周辺部の温度よ
り高くすることにより、反応ガスのスパッタ効果を中央
部で大きくしながら膜形成を行うことができる。従っ
て、プラズマ化された反応ガス粒子の密度が中央部で高
く、周辺部で低くなっているために、通常、ウエハの中
央部で厚く膜形成が行われる場合でも、厚く形成される
中央部の膜をスパッタ効果により周辺部の膜よりも多く
エッチングしつつ膜形成を行うことができるので、形成
膜の膜厚を均一化することができる。
【００１４】
【実施例】（１）第１の実施例 図１は、本発明の第１の実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置の構成図、図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実
施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に用いられるウエハ保
持具の詳細について説明する構成図である。
装置の構成図、図２（ａ），（ｂ）は本発明の第１の実
施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に用いられるウエハ保
持具の詳細について説明する構成図である。
【００１５】図１において、１５はメインソレノイドコ
イルで、プラズマ生成室１７内でＥＣＲ条件（８７５ガ
ウス）を満たす磁界を発生させるとともに、プラズマ生
成室１７に連接している反応室１８内にプラズマを引き
出す発散磁界を形成する。１６はプラズマ生成室１７に
導入された反応ガスをプラズマ化するためのマイクロ波
を印加するマイクロ波印加手段で、メインソレノイドコ
イル１５とマイクロ波印加手段１６とが反応ガスをプラ
ズマ化する手段を構成する。１９は反応室１８に接続さ
れている反応ガスの導入口、２０は反応室１８に接続さ
れている反応室１８内の反応ガスを排気する排気口であ
る。そして、プラズマ生成室１７と反応室１８とがチャ
ンバを構成する。
イルで、プラズマ生成室１７内でＥＣＲ条件（８７５ガ
ウス）を満たす磁界を発生させるとともに、プラズマ生
成室１７に連接している反応室１８内にプラズマを引き
出す発散磁界を形成する。１６はプラズマ生成室１７に
導入された反応ガスをプラズマ化するためのマイクロ波
を印加するマイクロ波印加手段で、メインソレノイドコ
イル１５とマイクロ波印加手段１６とが反応ガスをプラ
ズマ化する手段を構成する。１９は反応室１８に接続さ
れている反応ガスの導入口、２０は反応室１８に接続さ
れている反応室１８内の反応ガスを排気する排気口であ
る。そして、プラズマ生成室１７と反応室１８とがチャ
ンバを構成する。
【００１６】２１はサブソレノイドコイルで、プラズマ
化した反応ガスを磁場内で広げるカスプ磁場を形成し、
成膜位置でのプラズマ密度を均一にする。サブソレノイ
ドコイル２１に流す電流値を変えることで、カスプ面、
即ちメインソレノイドコイル１５による磁場の強さとサ
ブソレノイドコイル２１による磁場の強さが逆向きに等
しくなる面を上下に移動させることができる。
化した反応ガスを磁場内で広げるカスプ磁場を形成し、
成膜位置でのプラズマ密度を均一にする。サブソレノイ
ドコイル２１に流す電流値を変えることで、カスプ面、
即ちメインソレノイドコイル１５による磁場の強さとサ
ブソレノイドコイル２１による磁場の強さが逆向きに等
しくなる面を上下に移動させることができる。
【００１７】また、図２（ａ），（ｂ）において、１２
はＡｌ板からなるウエハ保持台で、ウエハ載置面12ａに
はウエハ１４と接触する部分が格子状の凸部12ｂとして
形成されている。そして、ウエハ１４からウエハ保持台
１２への熱の伝導を抑制してウエハ１４の中央部の温度
を局部的に上げるために、ウエハ載置面12ａの中央部で
は格子状の凸部12ｂは例えば方形状に除去され、ウエハ
１４との接触部を有しない空間領域12ｃが形成されてい
る。また、このウエハ保持台１２にはウエハ１４を静電
的に保持するために不図示の直流電圧の印加電極が埋め
込まれている。以上がウエハ保持具１３を構成する。
はＡｌ板からなるウエハ保持台で、ウエハ載置面12ａに
はウエハ１４と接触する部分が格子状の凸部12ｂとして
形成されている。そして、ウエハ１４からウエハ保持台
１２への熱の伝導を抑制してウエハ１４の中央部の温度
を局部的に上げるために、ウエハ載置面12ａの中央部で
は格子状の凸部12ｂは例えば方形状に除去され、ウエハ
１４との接触部を有しない空間領域12ｃが形成されてい
る。また、このウエハ保持台１２にはウエハ１４を静電
的に保持するために不図示の直流電圧の印加電極が埋め
込まれている。以上がウエハ保持具１３を構成する。
【００１８】本発明の第１の実施例のＥＣＲプラズマＣ
ＶＤ装置においては、ウエハ保持具１３のウエハ載置面
12ａの中央部に空間領域12ｃを有し、ウエハ１４はウエ
ハ載置面12ａの周辺部でのみウエハ載置面12ａに接触し
ている。
ＶＤ装置においては、ウエハ保持具１３のウエハ載置面
12ａの中央部に空間領域12ｃを有し、ウエハ１４はウエ
ハ載置面12ａの周辺部でのみウエハ載置面12ａに接触し
ている。
【００１９】このため、反応ガスからのエネルギーの授
受により加熱されるウエハ１４の中央部の温度をウエハ
１４の周辺部の温度より高くすることにより、反応ガス
のスパッタ効果を中央部で大きくしながら膜形成を行う
ことができる。従って、プラズマ化された反応ガス粒子
の密度が中央部で高く、周辺部で低くなっているため
に、通常、ウエハ１４の中央部で厚く膜形成が行われる
場合でも、厚く形成される中央部の膜をスパッタ効果に
より周辺部の膜よりも多くエッチングしつつ膜形成を行
うことができるので、形成膜の膜厚を均一化することが
できる。
受により加熱されるウエハ１４の中央部の温度をウエハ
１４の周辺部の温度より高くすることにより、反応ガス
のスパッタ効果を中央部で大きくしながら膜形成を行う
ことができる。従って、プラズマ化された反応ガス粒子
の密度が中央部で高く、周辺部で低くなっているため
に、通常、ウエハ１４の中央部で厚く膜形成が行われる
場合でも、厚く形成される中央部の膜をスパッタ効果に
より周辺部の膜よりも多くエッチングしつつ膜形成を行
うことができるので、形成膜の膜厚を均一化することが
できる。
【００２０】なお、第１の実施例では、本発明の半導体
製造装置をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に適用している
が、スパッタ装置等にも適用することができる。
製造装置をＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に適用している
が、スパッタ装置等にも適用することができる。
【００２１】（２）第２の実施例 次に、このようなウエハ保持具１３を用いたＥＣＲプラ
ズマＣＶＤ装置によりウエハ１４上にSiO2膜からなる絶
縁膜を形成する、本発明の第２の実施例の膜形成方法に
ついて図１，図２（ａ），（ｂ）及び図３（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
ズマＣＶＤ装置によりウエハ１４上にSiO2膜からなる絶
縁膜を形成する、本発明の第２の実施例の膜形成方法に
ついて図１，図２（ａ），（ｂ）及び図３（ａ），
（ｂ）を参照しながら説明する。
【００２２】まず、ウエハ保持具１３のウエハ保持台１
２に埋め込まれた不図示の印加電極に直流電圧を印加す
ることによりウエハ載置面12ａに静電的にウエハ１４を
保持する（図２（ａ），（ｂ））。
２に埋め込まれた不図示の印加電極に直流電圧を印加す
ることによりウエハ載置面12ａに静電的にウエハ１４を
保持する（図２（ａ），（ｂ））。
【００２３】次いで、図１に示す排気口２０からプラズ
マ生成室１７内及び反応室１８内を排気する。室内が所
定の圧力に達した後、プラズマ生成室１７にガス導入口
１９から反応ガスとしてSiH4／O2ガスを供給し、マイク
ロ波印加手段１６から周波数2GHzのマイクロ波電場を印
加し、かつメインソレノイドコイル１５からＥＣＲ条件
（８７５ガウス）を満たす発散磁場を発生させる。その
結果、電磁場による共振により反応ガスにエネルギーを
供給して反応ガスをプラズマ化する。
マ生成室１７内及び反応室１８内を排気する。室内が所
定の圧力に達した後、プラズマ生成室１７にガス導入口
１９から反応ガスとしてSiH4／O2ガスを供給し、マイク
ロ波印加手段１６から周波数2GHzのマイクロ波電場を印
加し、かつメインソレノイドコイル１５からＥＣＲ条件
（８７５ガウス）を満たす発散磁場を発生させる。その
結果、電磁場による共振により反応ガスにエネルギーを
供給して反応ガスをプラズマ化する。
【００２４】続いて、プラズマ化された反応ガスが反応
室１８内に導入されると、反応ガスはカスプ磁界により
磁場内で広がり、更にカスプ面の近傍に置かれたウエハ
１４上に磁場により移動する。これにより、ウエハ１４
表面にSiO2膜２２の形成が行われる。このとき、反応ガ
スからのエネルギーの授受によりウエハ１４が加熱され
るが、ウエハ保持具１３とウエハ１４との接触をウエハ
保持具１３の周辺部でのみ行っているので、ウエハ１４
の中央部の温度はウエハ１４の周辺部の温度より高くな
る。従って、反応ガスのスパッタ効果を中央部で大きく
しながら膜形成を行うことができる。
室１８内に導入されると、反応ガスはカスプ磁界により
磁場内で広がり、更にカスプ面の近傍に置かれたウエハ
１４上に磁場により移動する。これにより、ウエハ１４
表面にSiO2膜２２の形成が行われる。このとき、反応ガ
スからのエネルギーの授受によりウエハ１４が加熱され
るが、ウエハ保持具１３とウエハ１４との接触をウエハ
保持具１３の周辺部でのみ行っているので、ウエハ１４
の中央部の温度はウエハ１４の周辺部の温度より高くな
る。従って、反応ガスのスパッタ効果を中央部で大きく
しながら膜形成を行うことができる。
【００２５】この状態を所定時間保持することにより、
プラズマ化された反応ガス粒子の密度が中央部で高く、
周辺部で低くなっているために、通常、ウエハ１４の中
央部で厚く膜形成が行われる場合でも、厚く形成される
中央部のSiO2膜２２をスパッタ効果により周辺部のSiO2
膜２２よりも多くエッチングしつつ膜形成しているの
で、ウエハ１４上に形成されたSiO2膜２２の膜厚を均一
化することができる（図３（ａ），（ｂ））。
プラズマ化された反応ガス粒子の密度が中央部で高く、
周辺部で低くなっているために、通常、ウエハ１４の中
央部で厚く膜形成が行われる場合でも、厚く形成される
中央部のSiO2膜２２をスパッタ効果により周辺部のSiO2
膜２２よりも多くエッチングしつつ膜形成しているの
で、ウエハ１４上に形成されたSiO2膜２２の膜厚を均一
化することができる（図３（ａ），（ｂ））。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、本発明の半導体製造装置
においては、ウエハ保持具のウエハ載置面の中央部にウ
エハとの接触部を有しない空間領域を有し、ウエハ載置
面の周辺部でのみウエハがウエハ載置面に接触している
ので、本発明の半導体装置の製造方法のように、反応ガ
スからのエネルギーの授受により加熱されるウエハの中
央部の温度をウエハの周辺部の温度より高くすることが
できる。これにより、反応ガスのスパッタ効果を中央部
で大きくしながら膜形成を行うことができるので、通常
厚く形成されがちな中央部の膜をスパッタ効果により周
辺部の膜よりも多くエッチングしつつ膜形成を行い、形
成膜の膜厚を均一化することができる。
においては、ウエハ保持具のウエハ載置面の中央部にウ
エハとの接触部を有しない空間領域を有し、ウエハ載置
面の周辺部でのみウエハがウエハ載置面に接触している
ので、本発明の半導体装置の製造方法のように、反応ガ
スからのエネルギーの授受により加熱されるウエハの中
央部の温度をウエハの周辺部の温度より高くすることが
できる。これにより、反応ガスのスパッタ効果を中央部
で大きくしながら膜形成を行うことができるので、通常
厚く形成されがちな中央部の膜をスパッタ効果により周
辺部の膜よりも多くエッチングしつつ膜形成を行い、形
成膜の膜厚を均一化することができる。
【図１】本発明の第１の実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置について説明する構成図である。
装置について説明する構成図である。
【図２】本発明の第１の実施例のＥＣＲプラズマＣＶＤ
装置に用いられるウエハ保持具の詳細について説明する
構成図である。
装置に用いられるウエハ保持具の詳細について説明する
構成図である。
【図３】本発明の第２の実施例の膜形成方法について説
明する図である。
明する図である。
【図４】従来例のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置について説
明する構成図である。
明する構成図である。
【図５】従来例のＥＣＲプラズマＣＶＤ装置に用いられ
るウエハ保持具の詳細について説明する構成図である。
るウエハ保持具の詳細について説明する構成図である。
【図６】従来例の膜形成方法について説明する図であ
る。
る。
１，１２ ウエハ保持台、 １ａ，12ａ ウエハ載置面、 １ｂ，12ｂ 格子状の凸部、 ２，１３ ウエハ保持具、 ３，１４ ウエハ、 ４ 絶縁膜、 ５，１５ メインソレノイドコイル（反応ガスをプラズ
マ化する手段）、 ６，１６ マイクロ波印加手段（反応ガスをプラズマ化
する手段）、 ７，１７ プラズマ生成室（チャンバ）、 ８，１８ 反応室（チャンバ）、 ９，１９ ガス導入口、 １０，２０ 排気口、 １１，２１ サブソレノイドコイル、 12ｃ 空間領域、 ２２ SiO2膜。
マ化する手段）、 ６，１６ マイクロ波印加手段（反応ガスをプラズマ化
する手段）、 ７，１７ プラズマ生成室（チャンバ）、 ８，１８ 反応室（チャンバ）、 ９，１９ ガス導入口、 １０，２０ 排気口、 １１，２１ サブソレノイドコイル、 12ｃ 空間領域、 ２２ SiO2膜。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/205 H01L 21/316
Claims (2)
- 【請求項１】 チャンバと、該チャンバ内に導入された
反応ガスをプラズマ化する手段と、該プラズマ化された
反応ガスにより膜形成されるべきウエハをウエハ載置面
に載置するウエハ保持具とを有し、 前記ウエハ保持具のウエハ載置面は、周辺部でだけ前記
ウエハと接触する接触部を備え、かつ、中央部にだけ前
記接触部が設けられない空間領域を有していることを特
徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 プラズマ化された反応ガスを用いてウエ
ハ保持具に保持されたウエハ上に膜形成を行う半導体装
置の製造方法において、 前記ウエハ保持具とウエハとの接触をウエハ保持具の周
辺部でのみ行い、かつ中央部では接触させないことによ
り、前記反応ガスからのエネルギーの授受により加熱さ
れるウエハの中央部の温度をウエハの周辺部の温度より
高くし、反応ガスのスパッタ効果を中央部で大きくしな
がら膜形成を行うことを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3076571A JP3032316B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP3076571A JP3032316B2 (ja) | 1991-04-09 | 1991-04-09 | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0529224A JPH0529224A (ja) | 1993-02-05 |
| JP3032316B2 true JP3032316B2 (ja) | 2000-04-17 |
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ID=13608924
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| JP (1) | JP3032316B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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-
1991
- 1991-04-09 JP JP3076571A patent/JP3032316B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0529224A (ja) | 1993-02-05 |
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