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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ＴＦＴと保持容量とを含む画素マトリクス回路を有する半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは、第１配線と、第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に半導体層が挟まれた構造を有し、
前記半導体層は、複数の絶縁層を介して前記第１配線と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、且つ前記第１配線と重なる低濃度不純物領域と、を含み、
前記保持容量は、容量配線と、前記半導体層と同一組成の半導体領域と、前記容量配線と前記半導体領域の間に前記複数の絶縁層の一部が挟まれた構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
画素ＴＦＴと保持容量とを含む画素マトリクス回路を有する半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは、第１配線と、第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に半導体層が挟まれた構造を有し、
前記半導体層は、第１絶縁層、第２絶縁層および酸化珪素膜を介して第１配線と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、且つ前記第１配線と重なる低濃度不純物領域と、を含み、
前記保持容量は、容量配線と、前記半導体層と同一組成の半導体領域と、前記容量配線と前記半導体領域との間に前記前記第１絶縁層および前記酸化珪素膜とが挟まれた構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第１配線はフローティング状態にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、
前記第１配線は最低電源電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを有する半導体装置であって、
前記画素マトリクス回路は、画素ＴＦＴと保持容量とを有し、
前記ドライバー回路はＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記画素ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴは、第１配線と、第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に半導体層が挟まれた構造をそれぞれ有し、
前記画素ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴの有するそれぞれの前記半導体層は、複数の絶縁層を介して前記第１配線と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、且つ前記第１配線と重なる低濃度不純物領域と、を含み、
前記保持容量は、容量配線と、前記半導体層と同一組成の半導体領域と、前記容量配線と前記半導体領域の間に前記複数の絶縁層の一部が挟まれた構造を有し、
前記画素ＴＦＴが有する前記第１配線は最低電源電位に保持され、前記Ｎチャネル型ＴＦＴが有する前記第１配線は、前記Ｎチャネル型ＴＦＴが有する前記第２配線と同電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
同一基板上に画素マトリクス回路とドライバー回路とを有する半導体装置であって、
前記画素マトリクス回路は、画素ＴＦＴと保持容量とを有し、
前記ドライバー回路はＮチャネル型ＴＦＴを有し、
前記画素ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴは、第１配線と、第２配線と、前記第１配線と前記第２配線との間に半導体層が挟まれた構造をそれぞれ有し、
前記画素ＴＦＴと前記Ｎチャネル型ＴＦＴの有するそれぞれの前記半導体層は、第１絶縁層、第２絶縁層および酸化珪素膜を介して第１配線と重なるチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域に接し、且つ前記第１配線と重なる低濃度不純物領域と、を含み、
前記保持容量は、容量配線と、前記半導体層と同一組成の半導体領域と、前記容量配線と前記半導体領域の間に前記第１絶縁層と前記酸化珪素膜とが挟まれた構造を有し、
前記画素ＴＦＴが有する前記第１配線は最低電源電位に保持され、前記Ｎチャネル型ＴＦＴが有する前記第１配線は、前記Ｎチャネル型ＴＦＴが有する前記第２配線と同電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１配線とはタンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜、或いは前記導電膜、前記合金膜または前記シリサイド膜を積層した積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記画素ＴＦＴが有する前記半導体層と前記保持容量が有する前記半導体領域とは同一の半導体膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記第１絶縁層とはタンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、バリウム（Ｂａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、ビスマス（Ｂｉ）、タングステン（Ｗ）、トリウム（Ｔｈ）、タリウム（Ｔｌ）、または鉛（Ｐｂ）から選ばれた元素を含む酸化物またはハロゲン化物であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とするアクティブマトリクス型液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＬディスプレイ。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末。
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