JPH086068A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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- JPH086068A JPH086068A JP13682694A JP13682694A JPH086068A JP H086068 A JPH086068 A JP H086068A JP 13682694 A JP13682694 A JP 13682694A JP 13682694 A JP13682694 A JP 13682694A JP H086068 A JPH086068 A JP H086068A
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- substrate
- anodic oxide
- oxide film
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 補助容量を確保しつつ輝度が高い液晶表示装
置を提供することを目的とする。 【構成】 液晶駆動回路基板20と対向基板23との間
に液晶24が挿入されている。液晶駆動回路基板20上
のアドレス配線およびアドレス配線より引き伸ばして形
成されたゲ−ト電極11a上に陽極酸化膜11bが、補
助容量配線18上に陽極酸化膜18bが形成されてい
る。陽極酸化膜18bの厚さは陽極酸化膜11bの厚さ
よりも薄くなっている。
置を提供することを目的とする。 【構成】 液晶駆動回路基板20と対向基板23との間
に液晶24が挿入されている。液晶駆動回路基板20上
のアドレス配線およびアドレス配線より引き伸ばして形
成されたゲ−ト電極11a上に陽極酸化膜11bが、補
助容量配線18上に陽極酸化膜18bが形成されてい
る。陽極酸化膜18bの厚さは陽極酸化膜11bの厚さ
よりも薄くなっている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、一定の距離を隔てて対
向して配置された液晶駆動回路基板と対向基板の一対の
基板間に液晶を配置して構成される。このような液晶表
示装置においては、液晶駆動回路基板上の画素部に画素
電極が形成され、この画素電極によって液晶への電圧の
印加が行われる。特に近年ではアクティブ・マトリクス
型の表示方式に使用される液晶表示装置として、液晶駆
動回路基板上に薄膜トランジスタ(TFT)などのスイ
ッチング素子が実装された液晶表示装置が開発され実用
化されている。
向して配置された液晶駆動回路基板と対向基板の一対の
基板間に液晶を配置して構成される。このような液晶表
示装置においては、液晶駆動回路基板上の画素部に画素
電極が形成され、この画素電極によって液晶への電圧の
印加が行われる。特に近年ではアクティブ・マトリクス
型の表示方式に使用される液晶表示装置として、液晶駆
動回路基板上に薄膜トランジスタ(TFT)などのスイ
ッチング素子が実装された液晶表示装置が開発され実用
化されている。
【0003】スイッチング素子としてTFTを備えた従
来の液晶駆動回路基板の1画素分の上面図を図5に示
す。また図5の破線ABで切った液晶表示装置の断面を
紙面の右斜め下方向から見た断面図を図6に示す。
来の液晶駆動回路基板の1画素分の上面図を図5に示
す。また図5の破線ABで切った液晶表示装置の断面を
紙面の右斜め下方向から見た断面図を図6に示す。
【0004】図5・6の液晶駆動回路基板においては、
基板10上にアドレス配線11から引き伸ばして形成さ
れたゲ−ト電極11aとアドレス配線11・ゲ−ト電極
11aを陽極酸化することにより形成され絶縁膜として
用いられる陽極酸化膜11bが積層されている。またゲ
−ト絶縁膜17を介しアドレス配線11と交差して形成
されたデ−タ配線12から引き伸ばしてドレイン電極1
3aが形成されている。ゲ−ト絶縁膜17上の陽極酸化
膜11bと対応する位置およびその周辺部には第1の半
導体層14aが形成され、第1の半導体層14a上の陽
極酸化膜11bと対応する位置にはチャネル保護膜15
が形成されている。また第1の半導体層14a上には不
純物濃度の高い第2の半導体層14bが形成されてい
る。第2の半導体層14b上には上述したドレイン電極
13aと、ソ−ス電極13bが形成されている。以上の
ようにして形成されたスイッチング素子として用いられ
る薄膜トランジスタ19を除いた部分のゲ−ト絶縁膜1
7上に画素電極16が形成されており、画素電極16を
横断する形でゲ−ト絶縁膜17の下に補助容量配線18
と補助容量配線18を陽極酸化することにより形成され
絶縁膜として用いられる陽極酸化膜18bが積層されて
いる。このようにして液晶駆動回路基板20が形成され
る。
基板10上にアドレス配線11から引き伸ばして形成さ
れたゲ−ト電極11aとアドレス配線11・ゲ−ト電極
11aを陽極酸化することにより形成され絶縁膜として
用いられる陽極酸化膜11bが積層されている。またゲ
−ト絶縁膜17を介しアドレス配線11と交差して形成
されたデ−タ配線12から引き伸ばしてドレイン電極1
3aが形成されている。ゲ−ト絶縁膜17上の陽極酸化
膜11bと対応する位置およびその周辺部には第1の半
導体層14aが形成され、第1の半導体層14a上の陽
極酸化膜11bと対応する位置にはチャネル保護膜15
が形成されている。また第1の半導体層14a上には不
純物濃度の高い第2の半導体層14bが形成されてい
る。第2の半導体層14b上には上述したドレイン電極
13aと、ソ−ス電極13bが形成されている。以上の
ようにして形成されたスイッチング素子として用いられ
る薄膜トランジスタ19を除いた部分のゲ−ト絶縁膜1
7上に画素電極16が形成されており、画素電極16を
横断する形でゲ−ト絶縁膜17の下に補助容量配線18
と補助容量配線18を陽極酸化することにより形成され
絶縁膜として用いられる陽極酸化膜18bが積層されて
いる。このようにして液晶駆動回路基板20が形成され
る。
【0005】また図6に示すように液晶駆動回路基板2
0と一定の距離を隔てて対向して基板21と共通電極2
2とを備えた対向基板23が配置され、液晶駆動回路基
板20と対向基板23との間には液晶24が挿入されて
いる。
0と一定の距離を隔てて対向して基板21と共通電極2
2とを備えた対向基板23が配置され、液晶駆動回路基
板20と対向基板23との間には液晶24が挿入されて
いる。
【0006】このようなアクティブ・マトリクス型の液
晶表示装置では電荷が画素容量に保持される。この画素
容量は普通、液晶そのものであるが、これだけでは値が
小さく保持動作が不十分であったり、寄生容量の影響を
受けることが多い。これは画像表示におけるちらつきの
原因となる。これを防止するために補助容量Cが設けら
れる。補助容量は補助容量配線18上に、陽極酸化膜1
8b、ゲ−ト絶縁膜17を介して画素電極16が重なっ
て形成されることによって発生する。
晶表示装置では電荷が画素容量に保持される。この画素
容量は普通、液晶そのものであるが、これだけでは値が
小さく保持動作が不十分であったり、寄生容量の影響を
受けることが多い。これは画像表示におけるちらつきの
原因となる。これを防止するために補助容量Cが設けら
れる。補助容量は補助容量配線18上に、陽極酸化膜1
8b、ゲ−ト絶縁膜17を介して画素電極16が重なっ
て形成されることによって発生する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来の液晶駆
動回路基板においては、アドレス配線11・ゲ−ト電極
11a上の陽極酸化膜11bと補助容量配線18上の陽
極酸化膜18bとの膜厚が同じである。
動回路基板においては、アドレス配線11・ゲ−ト電極
11a上の陽極酸化膜11bと補助容量配線18上の陽
極酸化膜18bとの膜厚が同じである。
【0008】これは同一の陽極酸化工程によって同じ膜
厚で形成することで製造工程の簡素化を図るのが普通で
あり、その膜厚が薄くなりすぎると原因は不明ながら動
作中に劣化が生じて動作不良となるため、アドレス配線
とデ−タ配線とがショ−トしないために算出される安全
性を見込んで300nm以上の同じ膜厚で形成していた
からである。
厚で形成することで製造工程の簡素化を図るのが普通で
あり、その膜厚が薄くなりすぎると原因は不明ながら動
作中に劣化が生じて動作不良となるため、アドレス配線
とデ−タ配線とがショ−トしないために算出される安全
性を見込んで300nm以上の同じ膜厚で形成していた
からである。
【0009】われわれは種々の検討を行ったところ、こ
れらの陽極酸化膜11b・18bに印加される電圧値が
高くなるにしたがって、この劣化が進行することをつき
とめた。
れらの陽極酸化膜11b・18bに印加される電圧値が
高くなるにしたがって、この劣化が進行することをつき
とめた。
【0010】以上に述べたように従来の液晶表示装置に
おいては、ゲ−ト電極上の陽極酸化膜と補助容量配線上
の陽極酸化膜との厚さの最適値についての検討はほとん
どされてなく、安全性を見込んで決定される厚い膜厚を
採用していた。そのため、画素電極に補助容量配線を広
い面積にわたって重ねることで十分な補助容量を確保す
ることができるものの、逆に画素電極の画素として働く
面積が小さくなり、輝度向上を図れないという問題があ
った。
おいては、ゲ−ト電極上の陽極酸化膜と補助容量配線上
の陽極酸化膜との厚さの最適値についての検討はほとん
どされてなく、安全性を見込んで決定される厚い膜厚を
採用していた。そのため、画素電極に補助容量配線を広
い面積にわたって重ねることで十分な補助容量を確保す
ることができるものの、逆に画素電極の画素として働く
面積が小さくなり、輝度向上を図れないという問題があ
った。
【0011】本発明は上記の問題を解決し、ゲ−ト電極
上の陽極酸化膜と補助容量配線上の陽極酸化膜との厚さ
を最適化することで、補助容量を確保しつつ輝度が高い
液晶表示装置を提供することを目的とする。
上の陽極酸化膜と補助容量配線上の陽極酸化膜との厚さ
を最適化することで、補助容量を確保しつつ輝度が高い
液晶表示装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに本発明は、第1の基板と、この第1の基板上で互い
に交差して形成されたアドレス配線およびデ−タ配線
と、このアドレス配線の表面に形成された第1の陽極酸
化膜と、前記第1の基板上に形成された補助容量配線
と、この補助容量配線の表面に形成され前記第1の陽極
酸化膜よりも膜厚の薄い第2の陽極酸化膜と、前記アド
レス配線が延在して形成されたゲ−ト電極上に前記第1
の陽極酸化膜を介して形成された活性領域およびこの活
性領域の両側に形成されたソ−ス・ドレイン領域を備え
このソ−ス・ドレイン領域の一方が前記デ−タ線に接続
されたスイッチングトランジスタと、前記基板上で前記
第2の陽極酸化膜を介して一部が前記補助容量配線に重
ねて形成され前記ソ−ス・ドレイン領域の他方に接続さ
れた画素電極と、前記第1の基板に対向して配置された
第2の基板と、この第2の基板の前記第1の基板と向か
い合う側に形成された共通電極と、前記第2の基板と前
記第1の基板との間に挿入された液晶とを具備すること
を特徴とする液晶表示装置を提供する。
めに本発明は、第1の基板と、この第1の基板上で互い
に交差して形成されたアドレス配線およびデ−タ配線
と、このアドレス配線の表面に形成された第1の陽極酸
化膜と、前記第1の基板上に形成された補助容量配線
と、この補助容量配線の表面に形成され前記第1の陽極
酸化膜よりも膜厚の薄い第2の陽極酸化膜と、前記アド
レス配線が延在して形成されたゲ−ト電極上に前記第1
の陽極酸化膜を介して形成された活性領域およびこの活
性領域の両側に形成されたソ−ス・ドレイン領域を備え
このソ−ス・ドレイン領域の一方が前記デ−タ線に接続
されたスイッチングトランジスタと、前記基板上で前記
第2の陽極酸化膜を介して一部が前記補助容量配線に重
ねて形成され前記ソ−ス・ドレイン領域の他方に接続さ
れた画素電極と、前記第1の基板に対向して配置された
第2の基板と、この第2の基板の前記第1の基板と向か
い合う側に形成された共通電極と、前記第2の基板と前
記第1の基板との間に挿入された液晶とを具備すること
を特徴とする液晶表示装置を提供する。
【0013】
【作用】本発明によれば、アドレス配線(ゲ−ト電極)
上に形成された第1の陽極酸化膜と補助容量配線上に形
成された第2の陽極酸化膜との膜厚の関係が、印加され
る電圧の大小関係に応じて、第2の陽極酸化膜のほうが
膜厚が薄くなるように最適化を図った。補助容量は絶縁
膜の面積に比例し、厚さに反比例するため、本発明の液
晶表示装置は従来の液晶表示装置と同じ補助容量を確保
しつつ第2の陽極酸化膜の面積を小さくすることができ
る。このため補助容量配線の画素電極との重なりを小さ
くすることができ、画素電極の画素として働く面積を大
きくできるので輝度を高くできる。
上に形成された第1の陽極酸化膜と補助容量配線上に形
成された第2の陽極酸化膜との膜厚の関係が、印加され
る電圧の大小関係に応じて、第2の陽極酸化膜のほうが
膜厚が薄くなるように最適化を図った。補助容量は絶縁
膜の面積に比例し、厚さに反比例するため、本発明の液
晶表示装置は従来の液晶表示装置と同じ補助容量を確保
しつつ第2の陽極酸化膜の面積を小さくすることができ
る。このため補助容量配線の画素電極との重なりを小さ
くすることができ、画素電極の画素として働く面積を大
きくできるので輝度を高くできる。
【0014】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図1に本
発明の一実施例の液晶表示装置の断面図を示す。この液
晶表示装置の液晶駆動回路基板は上面から見た場合、図
5と同じようになり図1は図5の破線ABで切った断面
を紙面の右斜め下方向から見た断面図である。
発明の一実施例の液晶表示装置の断面図を示す。この液
晶表示装置の液晶駆動回路基板は上面から見た場合、図
5と同じようになり図1は図5の破線ABで切った断面
を紙面の右斜め下方向から見た断面図である。
【0015】図1においては、第1のガラス基板として
のガラス基板10上にAlより構成されるアドレス配線
11(図示せず)から引き伸ばして、つまり延在して形
成されたゲ−ト電極11aと、アドレス配線11・ゲ−
ト電極11aを陽極酸化することにより形成され、後述
するゲ−ト絶縁膜17と共に絶縁膜として用いられる1
40nmの厚さのAl2 O3 の陽極酸化膜11bが積層
されている。また酸化シリコンが350nmで構成され
るゲ−ト絶縁膜17を介しアドレス配線11と交差して
形成されたAlより構成されるデ−タ配線12(図示せ
ず)から引き伸ばしてドレイン電極13aが形成されて
いる。ゲ−ト絶縁膜17上の陽極酸化膜11bと対応す
る位置およびその周辺部にはアモルファスシリコン(a
−Si)から構成される50nmの厚さの第1の半導体
層14aが形成され、第1の半導体層14a上の陽極酸
化膜11bと対応する位置には窒化シリコンから構成さ
れる400nmの厚さのチャネル保護膜15が形成され
ている。また第1の半導体層14a上には不純物濃度の
高いn+ a−Siから構成される20nmの厚さの第2
の半導体層14bが形成されている。第2の半導体層1
4b上には上述したドレイン電極13aと、Alより構
成されるソ−ス電極13bが形成されている。ゲ−ト電
極11a上の半導体層14aが活性領域となる。以上の
ようにして形成されたスイッチング素子として用いられ
る薄膜トランジスタ19を除いた部分のゲ−ト絶縁膜1
7上にITOより構成される100nmの厚さの画素電
極16が形成されており、画素電極16を横断する形で
ゲ−ト絶縁膜17の下にAlより構成される補助容量配
線18と補助容量配線18を陽極酸化することにより形
成され絶縁膜として用いられる70nmの厚さのAl2
O3 の陽極酸化膜18bが積層されている。以上のよう
にして液晶駆動回路基板20が形成される。
のガラス基板10上にAlより構成されるアドレス配線
11(図示せず)から引き伸ばして、つまり延在して形
成されたゲ−ト電極11aと、アドレス配線11・ゲ−
ト電極11aを陽極酸化することにより形成され、後述
するゲ−ト絶縁膜17と共に絶縁膜として用いられる1
40nmの厚さのAl2 O3 の陽極酸化膜11bが積層
されている。また酸化シリコンが350nmで構成され
るゲ−ト絶縁膜17を介しアドレス配線11と交差して
形成されたAlより構成されるデ−タ配線12(図示せ
ず)から引き伸ばしてドレイン電極13aが形成されて
いる。ゲ−ト絶縁膜17上の陽極酸化膜11bと対応す
る位置およびその周辺部にはアモルファスシリコン(a
−Si)から構成される50nmの厚さの第1の半導体
層14aが形成され、第1の半導体層14a上の陽極酸
化膜11bと対応する位置には窒化シリコンから構成さ
れる400nmの厚さのチャネル保護膜15が形成され
ている。また第1の半導体層14a上には不純物濃度の
高いn+ a−Siから構成される20nmの厚さの第2
の半導体層14bが形成されている。第2の半導体層1
4b上には上述したドレイン電極13aと、Alより構
成されるソ−ス電極13bが形成されている。ゲ−ト電
極11a上の半導体層14aが活性領域となる。以上の
ようにして形成されたスイッチング素子として用いられ
る薄膜トランジスタ19を除いた部分のゲ−ト絶縁膜1
7上にITOより構成される100nmの厚さの画素電
極16が形成されており、画素電極16を横断する形で
ゲ−ト絶縁膜17の下にAlより構成される補助容量配
線18と補助容量配線18を陽極酸化することにより形
成され絶縁膜として用いられる70nmの厚さのAl2
O3 の陽極酸化膜18bが積層されている。以上のよう
にして液晶駆動回路基板20が形成される。
【0016】また液晶駆動回路基板20と10μmの距
離を隔てて対向して、第2の基板としてのガラス基板2
1と、ITOより構成される100nmの厚さの共通電
極22とを備えた対向基板23が配置され、液晶駆動回
路基板20と対向基板23との間には液晶24が挿入さ
れている。
離を隔てて対向して、第2の基板としてのガラス基板2
1と、ITOより構成される100nmの厚さの共通電
極22とを備えた対向基板23が配置され、液晶駆動回
路基板20と対向基板23との間には液晶24が挿入さ
れている。
【0017】この実施例の液晶回路基板20はアドレス
配線11・ゲ−ト電極11a上の陽極酸化膜11bと補
助容量配線18上の陽極酸化膜18bの膜厚が異なり、
陽極酸化膜18bの膜厚の方が薄い。これは陽極酸化の
条件が陽極酸化膜11bと陽極酸化膜18bで異なるた
めである。以下にその理由を説明する。
配線11・ゲ−ト電極11a上の陽極酸化膜11bと補
助容量配線18上の陽極酸化膜18bの膜厚が異なり、
陽極酸化膜18bの膜厚の方が薄い。これは陽極酸化の
条件が陽極酸化膜11bと陽極酸化膜18bで異なるた
めである。以下にその理由を説明する。
【0018】図2に本実施例の液晶駆動回路基板20に
おける、アドレス配線11と補助容量配線18のみの配
置を表す上面概略図を示す。この図は陽極酸化膜を形成
する前の図である。
おける、アドレス配線11と補助容量配線18のみの配
置を表す上面概略図を示す。この図は陽極酸化膜を形成
する前の図である。
【0019】基板10上にアドレス配線11と補助容量
配線18とが交互に形成され、Cで示す破線に囲まれた
画像表示領域の外でアドレス配線11どうしと補助容量
配線18どうしが互いに接続されている。接続されたア
ドレス配線11・補助容量配線18はそれぞれAlより
構成される陽極酸化電極27・28に接続され、陽極酸
化電極22・23にはそれぞれ陽極酸化を行う工程時に
電源29・30が接続されている。
配線18とが交互に形成され、Cで示す破線に囲まれた
画像表示領域の外でアドレス配線11どうしと補助容量
配線18どうしが互いに接続されている。接続されたア
ドレス配線11・補助容量配線18はそれぞれAlより
構成される陽極酸化電極27・28に接続され、陽極酸
化電極22・23にはそれぞれ陽極酸化を行う工程時に
電源29・30が接続されている。
【0020】アドレス配線11と補助容量配線18とが
異なる陽極酸化電極に接続されているため、アドレス配
線11と補助容量配線18の陽極酸化の条件を異なった
ものにすることができる。このため、ある程度厚い膜厚
が要求される陽極酸化膜11bの膜厚を厚く、薄い膜厚
でも良く、薄くしたほうが開口率の向上につながる陽極
酸化膜18bの膜厚を陽極酸化膜11bの膜厚よりも薄
くすることができる。
異なる陽極酸化電極に接続されているため、アドレス配
線11と補助容量配線18の陽極酸化の条件を異なった
ものにすることができる。このため、ある程度厚い膜厚
が要求される陽極酸化膜11bの膜厚を厚く、薄い膜厚
でも良く、薄くしたほうが開口率の向上につながる陽極
酸化膜18bの膜厚を陽極酸化膜11bの膜厚よりも薄
くすることができる。
【0021】ところでAlに関しては電圧1Vについて
1.4nmの陽極酸化膜の成長が確認されている。また
その誘電率εは8.7である。本実施例の場合アドレス
配線11に100Vの電圧、補助容量配線18に50V
の電圧を印加することによって、それぞれ140nm・
70nmの陽極酸化膜11b・18bを形成したことに
なる。
1.4nmの陽極酸化膜の成長が確認されている。また
その誘電率εは8.7である。本実施例の場合アドレス
配線11に100Vの電圧、補助容量配線18に50V
の電圧を印加することによって、それぞれ140nm・
70nmの陽極酸化膜11b・18bを形成したことに
なる。
【0022】ここで陽極酸化膜18bを140nm形成
した場合と本実施例とで補助容量の面積がどの程度違う
かをを比較してみる。ゲ−ト絶縁膜17を形成している
酸化シリコンの誘電率εは4.2であるからこれを考慮
して、ゲ−ト絶縁膜17と陽極酸化膜18bとで形成さ
れる補助容量を同一にすると、本実施例では補助容量の
面積が10%少なくなる。従来の液晶表示装置の補助容
量の面積は基板全体の面積に対して5%程度であったの
で、本実施例の液晶表示装置は従来の液晶表示装置に比
べて開口率が0.5%程度向上する。開口率の向上と輝
度の向上はほぼ1対1で対応するので、輝度も0.5%
程度向上する。
した場合と本実施例とで補助容量の面積がどの程度違う
かをを比較してみる。ゲ−ト絶縁膜17を形成している
酸化シリコンの誘電率εは4.2であるからこれを考慮
して、ゲ−ト絶縁膜17と陽極酸化膜18bとで形成さ
れる補助容量を同一にすると、本実施例では補助容量の
面積が10%少なくなる。従来の液晶表示装置の補助容
量の面積は基板全体の面積に対して5%程度であったの
で、本実施例の液晶表示装置は従来の液晶表示装置に比
べて開口率が0.5%程度向上する。開口率の向上と輝
度の向上はほぼ1対1で対応するので、輝度も0.5%
程度向上する。
【0023】次に本発明の他の実施例の液晶表示装置を
表す断面図を図3に示す。この液晶表示装置の液晶駆動
回路基板も上面から見た場合、図5と同じようになり図
3は図5の破線ABで切った断面を紙面の右斜め下方向
から見た断面図である。また図3では図1と同じ部分に
は同じ番号を付けてある。
表す断面図を図3に示す。この液晶表示装置の液晶駆動
回路基板も上面から見た場合、図5と同じようになり図
3は図5の破線ABで切った断面を紙面の右斜め下方向
から見た断面図である。また図3では図1と同じ部分に
は同じ番号を付けてある。
【0024】この実施例が上述した実施例と異なる点
は、画素電極16上にゲ−ト絶縁膜17が形成されてい
ない点である。このような構造はアドレス配線11と補
助容量配線18を形成してから陽極酸化を行って陽極酸
化膜11b・18bを形成した後に、画素電極16を形
成し、それからゲ−ト絶縁膜17を形成することによっ
て作られる。画素電極16上に形成されるゲ−ト絶縁膜
17は後の工程で除去される。
は、画素電極16上にゲ−ト絶縁膜17が形成されてい
ない点である。このような構造はアドレス配線11と補
助容量配線18を形成してから陽極酸化を行って陽極酸
化膜11b・18bを形成した後に、画素電極16を形
成し、それからゲ−ト絶縁膜17を形成することによっ
て作られる。画素電極16上に形成されるゲ−ト絶縁膜
17は後の工程で除去される。
【0025】この実施例では補助容量が陽極酸化膜18
bによってのみ形成される。先程の実施例と同様に、陽
極酸化膜18bを140nm形成した場合と本実施例の
陽極酸化膜の厚さが70nmの場合とを比べると、本実
施例では補助容量の面積が50%少なくなる。この結
果、輝度が2.5%程度向上する。
bによってのみ形成される。先程の実施例と同様に、陽
極酸化膜18bを140nm形成した場合と本実施例の
陽極酸化膜の厚さが70nmの場合とを比べると、本実
施例では補助容量の面積が50%少なくなる。この結
果、輝度が2.5%程度向上する。
【0026】以上の実施例ではアドレス配線11・デ−
タ配線12・補助容量配線18をAlで形成したが、こ
の代わりにTaで形成することもできる。この場合、陽
極酸化膜11b・18bはTa2 O5 となる。TaはA
lよりも誘電率が大きいので、同一の補助容量を実現す
るために必要な補助容量の面積がAlよりも少なくてす
む。ただしTaはAlよりも高抵抗である。この点を考
慮すると、Taを用いるよりもAlを用いるほうが好ま
しい。
タ配線12・補助容量配線18をAlで形成したが、こ
の代わりにTaで形成することもできる。この場合、陽
極酸化膜11b・18bはTa2 O5 となる。TaはA
lよりも誘電率が大きいので、同一の補助容量を実現す
るために必要な補助容量の面積がAlよりも少なくてす
む。ただしTaはAlよりも高抵抗である。この点を考
慮すると、Taを用いるよりもAlを用いるほうが好ま
しい。
【0027】また図2において陽極酸化を行うときのア
ドレス配線11と補助容量配線18の配置を示したが、
図4に示すような配置にしても良い。図4では図2と同
じ部分には同じ番号を付けてあり、Cで示す破線に囲ま
れた部分は図2と同様に画像表示領域を表す。図4に示
す配置は図1の断面図で示す実施例、図3の断面図で示
す実施例どちらにも使用できる。また図2に示す配置に
ついても同様である。
ドレス配線11と補助容量配線18の配置を示したが、
図4に示すような配置にしても良い。図4では図2と同
じ部分には同じ番号を付けてあり、Cで示す破線に囲ま
れた部分は図2と同様に画像表示領域を表す。図4に示
す配置は図1の断面図で示す実施例、図3の断面図で示
す実施例どちらにも使用できる。また図2に示す配置に
ついても同様である。
【0028】以上に示した実施例では基板10、21に
ガラスを用いたが、石英などを用いても良い。また以上
に示した実施例ではゲ−ト絶縁膜17を設けたが、これ
を設けなくても陽極酸化膜11bを厚く形成すれば動作
可能である。
ガラスを用いたが、石英などを用いても良い。また以上
に示した実施例ではゲ−ト絶縁膜17を設けたが、これ
を設けなくても陽極酸化膜11bを厚く形成すれば動作
可能である。
【0029】以上に示した実施例ではゲ−ト絶縁膜17
に酸化シリコンを用いたが、窒化シリコン、あるいは酸
化シリコンと窒化シリコンとを積層したものを用いても
良い。その膜厚は300〜500nmが好ましい。
に酸化シリコンを用いたが、窒化シリコン、あるいは酸
化シリコンと窒化シリコンとを積層したものを用いても
良い。その膜厚は300〜500nmが好ましい。
【0030】半導体層14にはa−Siとn+ a−Si
とを積層したものを用いたが、a−Siにド−ピングを
行って上部をn+ a−Siとしたものを用いても良い
し、a−Siと微結晶シリコン(μc−Si)とを積層
したものを用いても良い。さらにa−Siの上部に金属
シリサイドを形成しても良い。またSiの代わりにSi
GeやGeを用いても良い。その膜厚は10〜100n
mが好ましい。
とを積層したものを用いたが、a−Siにド−ピングを
行って上部をn+ a−Siとしたものを用いても良い
し、a−Siと微結晶シリコン(μc−Si)とを積層
したものを用いても良い。さらにa−Siの上部に金属
シリサイドを形成しても良い。またSiの代わりにSi
GeやGeを用いても良い。その膜厚は10〜100n
mが好ましい。
【0031】またチャネル保護膜15として窒化シリコ
ンを用いたが、酸化シリコンを用いても良い。その膜厚
は200〜500nmが好ましい。またドレイン電極1
3a・ソ−ス電極13bを形成する際に、ゲ−ト電極1
1aをマスクとしてドレイン電極13a・ソ−ス電極1
3bを形成しゲ−トとソ−ス・ドレインの重なりをなく
す、いわゆる自己整合型のTFTとしても良い。
ンを用いたが、酸化シリコンを用いても良い。その膜厚
は200〜500nmが好ましい。またドレイン電極1
3a・ソ−ス電極13bを形成する際に、ゲ−ト電極1
1aをマスクとしてドレイン電極13a・ソ−ス電極1
3bを形成しゲ−トとソ−ス・ドレインの重なりをなく
す、いわゆる自己整合型のTFTとしても良い。
【0032】また以上の実施例ではスイッチング素子と
して、チャネル保護膜のある、いわゆるチャネル保護膜
型のTFTを用いたが、この代わりにチャネル保護膜の
ないチャネル・エッチ型のTFTを用いることもでき
る。また以上の実施例では画素電極16、共通電極22
としてITOを用いたが、In2 O、ZrOを用いるこ
ともできる。
して、チャネル保護膜のある、いわゆるチャネル保護膜
型のTFTを用いたが、この代わりにチャネル保護膜の
ないチャネル・エッチ型のTFTを用いることもでき
る。また以上の実施例では画素電極16、共通電極22
としてITOを用いたが、In2 O、ZrOを用いるこ
ともできる。
【0033】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
補助容量を確保しつつ輝度が高い液晶表示装置を提供す
ることができる。
補助容量を確保しつつ輝度が高い液晶表示装置を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施例に係る液晶表示装置の一画
素分の断面図。
素分の断面図。
【図2】 本発明の一実施例に係る液晶駆動回路基板の
上面概略図。
上面概略図。
【図3】 本発明の他の実施例に係る液晶表示装置の一
画素分の断面図。
画素分の断面図。
【図4】 本発明の一実施例に係る液晶駆動回路基板の
上面概略図。
上面概略図。
【図5】 従来の液晶駆動回路基板の一画素分の上面
図。
図。
【図6】 従来の液晶表示装置の一画素分の断面図。
10、21…基板 11…アドレス配線 11a…ゲ−ト電極 11b…陽極酸化膜 12…デ−タ配線 13a…ドレイン電極 13b…ソ−ス電極 14…半導体層 15…チャネル保護膜 16…画素電極 17…ゲ−ト絶縁膜 18…補助容量配線 18b…陽極酸化膜 19…薄膜トランジスタ 20…液晶駆動回路基板 22…共通電極 23…対向基板 24…液晶 25、27、28…陽極酸化電極 26、29、30…電源
Claims (1)
- 【請求項1】 第1の基板と、 この第1の基板上で互いに交差して形成されたアドレス
配線およびデ−タ配線と、 このアドレス配線の表面に形成された第1の陽極酸化膜
と、 前記第1の基板上に形成された補助容量配線と、 この補助容量配線の表面に形成され前記第1の陽極酸化
膜よりも膜厚の薄い第2の陽極酸化膜と、 前記アドレス配線が延在して形成されたゲ−ト電極上に
前記第1の陽極酸化膜を介して形成された活性領域およ
びこの活性領域の両側に形成されたソ−ス・ドレイン領
域を備えこのソ−ス・ドレイン領域の一方が前記デ−タ
線に接続されたスイッチングトランジスタと、 前記基板上で前記第2の陽極酸化膜を介して一部が前記
補助容量配線に重ねて形成され前記ソ−ス・ドレイン領
域の他方に接続された画素電極と、 前記第1の基板に対向して配置された第2の基板と、 この第2の基板の前記第1の基板と向かい合う側に形成
された共通電極と、 前記第2の基板と前記第1の基板との間に挿入された液
晶とを具備することを特徴とする液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13682694A JPH086068A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13682694A JPH086068A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 液晶表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH086068A true JPH086068A (ja) | 1996-01-12 |
Family
ID=15184414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13682694A Pending JPH086068A (ja) | 1994-06-20 | 1994-06-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH086068A (ja) |
-
1994
- 1994-06-20 JP JP13682694A patent/JPH086068A/ja active Pending
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