KR100543004B1 - 평판표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 화소가 배열되는 화소부와 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부의 박막 트랜지스터를 서로 다른 바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하여 휘도균일도를 개선하고 소비전력을 감소시킬 수 있는, 장수명의 고속 평판표시장치를 개시한다.
본 발명의 평판표시장치는 다수의 화소가 배열된 화소부와; 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부를 포함하며, 상기 화소부와 구동회로부를 구성하는 박막 트랜지스터는 적어도 각각 채널영역으로 소정의 전압을 인가하기 위한 바디콘택영역을 구비하며, 상기 화소부와 구동회로부의 박막 트랜지스터는 서로 다른 구조의 바디콘택영역을 구비한다.
상기 화소부의 박막 트랜지스터는 바디콘택영역이 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 바디콘택영역을 통해 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 바디콘택영역이 게이트전극에 연결되어, 상기 바디콘택영역을 통해 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성된다.

Description

평판표시장치{Flat Panel Display}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 구성도,
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 화소부의 박막 트랜지스터의 평면도,
도 3a는 도 2의 2A-2A' 선에 따른 화소부의 박막 트랜지스터의 단면도,
도 3b는 도 2의 2B-2B'선에 따른 화소부의 박막 트랜지스터의 단면도,
도 4a 및 도 4b는 도 2에 도시된 화소부의 박막 트랜지스터에 있어서, 드레인전압과 드레인전류와의 관계를 나타낸 도면,
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 구동회로부의 박막 트랜지스터의 평면도,
도 6a 및 도 6b는 도 5에 도시된 구동회로부의 박막 트랜지스터에 있어서, 게이트전압과 드레인전류와의 관계를 나타낸 도면,
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
1, 10 : 절연기판 2 : 화소부
3 : 데이터 구동회로부 4 : 게이트 구동회로부
30, 130 : 액티브층 31, 33, 131, 133 : 소오스/드레인영역
35, 135 : 채널영역 37, 137 : 바디콘택영역
50, 150 : 게이트 60, 160 : 층간 절연막
61, 63, 67, 161, 163, 165, 167 : 콘택홀
77, 180 : 연결배선 71, 73, 171, 173 : 소오스/드레인전극
본 발명은 평판표시장치에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 화소부와 구동회로부의 박막 트랜지스터가 서로 다른 바디콘택구조를 갖는, 장수명의 고속 평판표시장치에 관한 것이다.
일반적으로, 유기전계 발광표시장치(AMOLED)는 박막 트랜지스터 어레이가 배열된 화소부와, 상기 화소부의 박막 트랜지스터 어레이를 구동시켜 주기 위한 데이터 구동회로부와 게이트 구동회로부를 구비한다.
종래의 AMOLED 에서는, 화소부의 박막 트랜지스터와 상기 데이터 또는 게이트 구동회로부의 박막 트랜지스터가 모두 폴리실리콘 박막 트랜지스터로 구성되었다. 그러므로, 180ppi 이상의 고해상도 AMOLED에서, 상기 화소부와 구동회로부를 폴리실리콘 박막 트랜지스터로 구성하는 경우 박막 트랜지스터의 이동도가 커서 구동회로부의 고속동작특성은 얻을 수 있었다. 하지만, 온전류(on-current)가 매우 높기 때문에 화소부의 EL 소자를 통해 흐르는 전류량이 한계치를 초과하게 되고, 이로 인하여 단위면적당 휘도가 증가하여 EL 소자의 수명을 단축시키는 문제점이 있었다.
한편, 필요한 정도의 온전류특성을 유지하기 위하여 이동도가 낮은 박막 트랜지스터로 화소부와 박막 트랜지스터로 구성하는 경우에는 온전류가 상대적으로 낮아져 적정한 휘도를 발생하므로 EL 소자의 수명단축문제는 해결할 수 있지만, 구동회로부의 고속동작특성을 만족시킬 수는 없었다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 장수명의 고속 평판표시장치를 제공하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 다른 목적은 화소부와 구동회로부를 서로 다른 바디콘택을 갖는 박막 트랜지스터로 구성하여 휘도균일도를 개선시키고, 소비전력을 감소시킬 수 있는 평판표시장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은 소형 고해상도에 적합한 평판표시장치를 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 다수의 화소가 배열된 화소부와; 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부를 포함하며, 상기 화소부와 구동회로부를 구성하는 박막 트랜지스터는 적어도 각각 채널영역으로 소정의 전압을 인가하기 위한 바디콘택영역을 구비하며, 상기 화소부와 구동회로부의 박막 트랜지스터는 서로 다른 구조의 바디콘택영역을 구비하는 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 화소부의 박막 트랜지스터는 게이트전극 및 소오스/드레인전극과 상기 소오스/드레인전극에 연결되는 소오스/드레인영역을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인영역과는 서로 반대도전형의 불순물이 도핑된 불순물영역으로 이루어진다.
상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 게이트전극과 소오스/드레인전극과 상기 소오스/드레인전극에 연결되는 소오스/드레인영역을 더 포함하며, 상기 바디콘택영역은 상기 게이트전극에 연결되어, 상기 게이트전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인영역과는 서로 반대도전형의 불순물이 도핑된 불순물영역으로 이루어진다.
상기 화소부의 박막 트랜지스터는 게이트구동신호에 의해 스위칭되어 데이터신호를 전달하는 제1박막 트랜지스터와; 상기 제1박막 트랜지스터를 통해 전달되는 데이터신호에 따라 EL소자를 구동시켜 주기위한 제2박막 트랜지스터를 적어도 포함하며, 상기 제1박막 트랜지스터와 제2박막 트랜지스터중 적어도 하나는 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터와 서로 다른 구조의 바디콘택영역을 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 화소부의 박막 트랜지스터는 NMOS 또는 PMOS 박막 트랜지스터로 구성되고, 회로구동부의 박막 트랜지스터는 PMOS 또는 NMOS 박막 트랜지스터로 구성되거나, 또는 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 NMOS 박막 트랜지스터 또는 PMOS 박막 트랜지스터중 하나로 구성되고, 상기 회로구동부의 박막 트랜지스터는 PMOS 박막 트랜지스터와 NMOS 박막 트랜지스터의 CMOS 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 다수의 화소가 배열된 화소부와; 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부를 포함하며, 상기 화소부는 소정범위의 입력전압에 대해 균일한 출력전류를 갖는 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 회로구동부는 낮은 입력전압에 대해 우수한 온/오프특성을 갖는 박막 트랜지스터로 구성되는 평판표시장치를 제공하는 것을 특징으로 한다.
상기 화소부의 박막 트랜지스터는 채널영역과 상기 채널영역에 소정의 전압을 제공하기 위한 바디콘택영역을 구비하는 액티브층과, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하며, 상기 바디콘택영역이 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 채널영역에 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로서, 드레인전극에 인가되는 입력전압에 대하여 드레인전극을 통해 출력되는 드레인전류가 균일한 박막 트랜지스터로 구성된다.
상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 채널영역과 상기 채널영역에 소정의 전압을 제공하기 위한 바디콘택영역을 구비하는 액티브층과, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하며, 상기 바디콘택영역이 상기 게이트 전극에 연결되어, 상기 게이트전극으로부터 채널영역에 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로서, 게이트전극에 인가되는 입력전압에 대하여 드레인전극을 통해 출력되는 드레인전류의 온/오프특성이 우수한 균일한 박막 트랜지 스터로 구성된다.
이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치의 개략적인 구성도를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 절연기판(1)상에 매트릭스형태로 다수의 화소가 배열된 화소부(2)와, 상기 화소부(2)를 구동시켜 주기위한 구동회로부를 구비한다. 상기 화소부(2)는 도면상에는 도시되지 않았으나, 다수의 게이트라인, 다수의 데이터라인 및 다수의 공통전원라인과, 상기 라인에 연결되는 복수개의 화소가 매트릭스형태로 배열된다. 각 화소는 기본적으로 EL소자와, 데이터라인으로부터의 데이터신호에 따른 구동전류를 상기 EL소자로 공급하기 위한 구동 트랜지스터와, 게이트라인에 인가되는 스캔신호에 응답하여 상기 구동 트랜지스터로 데이터신호를 전달하기 위한 스위칭 트랜지스터와, 상기 데이터신호를 저장하기 위한 캐패시터 등으로 이루어진다.
상기 화소부(2)의 화소를 구동하기 위한 구동회로부는 상기 화소부(2)의 게이트라인을 구동하기 위한 스캔신호를 제공하기 위한 게이트 구동회로부(4)와, 상기 화소부(2)의 데이터라인으로 데이터신호를 공급하기 위한 데이터 구동회로부(3)를 포함한다.
본 발명의 실시예에서, 화소부(2)의 박막 트랜지스터는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하고, 구동회로부(3), (4)의 박막 트랜지스터는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성한다. 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터는 액티브층에 소오스/드레인영역과 분리형성되는 바디콘택영역을 구비하고, 상기 바디콘택영역이 소오스/드레인영역중 하나, 예를 들어 소오스영역에 연결되는 바디콘택구조를 갖는다. 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터는 액티브층에 소오스/드레인영역과 분리형성되는 바디콘택영역을 구비하고, 상기 바디콘택영역이 게이트전극과 연결되는 바디콘택구조를 갖는다.
상기 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터는 킹크효과(kink effect)를 감소시켜 넓은 드레인전압범위에서 동일한 드레인전류를 얻을 수 있으므로, 화소부(2)를 구성하는 박막 트랜지스터에 적합하다. 한편, 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터는 낮은 게이트전압에서 온/오프특성을 구현할 수 있으므로, 구동회로부(3), (4)를 구성하는 박막 트랜지스터에 적합하다.
상기 화소부(2)의 박막 트랜지스터를 구성하는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터는 국내특허출원 제2003-0027339호에 개시되고, 구동회로부(3), (4)의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터는 국내특허출원 제2003-052709호에 개시되었다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 유기전계 발광표시장치에 있어서, 화소부를 구성하는 소오스-바디콘택 트랜지스터의 평면도를 도시한 것이다. 도 3a 및 도 3b는 도 2의 2A-2A'선 및 도 2의 2B-2B'선에 따른 단면구조를 각각 도시한 것이다.
도 2 그리고 도 3a 및 도 3b를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터는 액티브층(30), 게이트전극(50) 및 소오스/드레인 전극(71), (73)을 구비한다. 상기 액티브층(30)은 채널층(35)을 사이에 두고 형성 된 소오스/드레인영역(31), (33)과, 상기 소오스/드레인영역(31), (33)과 분리되어 형성된 바디콘택영역(37)을 구비한다.
상기 게이트전극(50)은 상기 액티브층(30)중 채널영역(35)에 대응하여 형성된다. 상기 소오스전극(71)은 상기 소오스영역(31)에 대응하여 형성되어, 콘택(61)을 통해 불순물영역(31)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인전극(72)은 상기 드레인영역(32)에 대응하여 형성되어, 콘택(63)을 통해 드레인용 불순물영역(33)과 전기적으로 연결된다. 한편, 상기 바디콘택영역(37)에 대응하여 연결배선(77)이 형성되는데, 상기 연결배선(77)은 콘택(67)을 통해 상기 바디콘택영역(37)과 상기 소오스전극(61)을 전기적으로 연결시켜 준다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 바디콘택영역(37)에 전원을 인가하기 위한 연결배선(77)을 소오스전극(71)과 일체로 형성하였지만, 소오스전극(71)과 분리형성하여 소오스전극(71)에 인가되는 전원과 동일한 전원을 인가할 수도 있다. 또한, 연결배선(77)이 소오스전극(71)과 연결되도록 형성하였으나, 드레인전극(73)에 연결 구성할 수도 있다.
상기한 바와 같은 구조를 갖는 본 발명의 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터는 동작중에 드레인 영역의 횡방향 전계에 의해 드레인영역(33)과 채널영역(35)의 경계부분에서 발생되는 핫캐리어가 바디콘택영역(37)을 통해 빠져 나가도록 하므로써, 핫캐리어가 소오스영역(31)으로 이동하는 것을 방지하여 킹크효과를 방지할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 종래의 플로팅 바디 TFT와 본 발명의 바디콘택영역을 구비 한 TFT 의 동작특성도를 도시한 것이다. 도 4a는 W/L=4㎛/4㎛ 이고, LDD영역의 폭이 1㎛인 n형 박막 트랜지스터의 경우에 있어서, 본 발명과 종래의 TFT의 ID-VD 특성을 도시한 것이다. 도 4b는 W/L=4㎛/4㎛ 인 p형 박막 트랜지스터의 경우에 있어서, 본 발명과 종래의 TFT의 ID-VD 특성을 도시한 것이다.
도 4a 및 도 4b를 참조하면, 종래의 액티브층이 플로팅되어 있는 TFT 보다 본 발명의 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터의 킹크프리(Kink free) 특성이 우수함을 알 수 있다. 이때, n형 TFT와 p형 TFT의 ID-VD 특성의 차이는 정공의 임팩트이온화특성(Impact ionization)이 전자보다 적기 때문이다.
도 5는 도 1에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광표시장치에 있어서, 구동회로부의 박막 트랜지스터를 구성하는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터의 평면도를 도시한 것이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터는 액티브층(130), 게이트전극(150) 및 소오스/드레인 전극(171), (173)을 구비한다. 상기 액티브층(130)은 채널층(135)을 사이에 두고 형성된 소오스/드레인영역(131), (133)과, 상기 소오스/드레인영역(131), (133)과 분리되어 형성된 바디콘택영역(137)을 구비한다.
상기 게이트전극(150)은 상기 액티브층(130)중 채널영역(135)에 대응하여 형성된다. 상기 소오스전극(171)은 상기 소오스영역(131)에 대응하여 형성되어, 콘택(161)을 통해 불순물영역(131)과 전기적으로 연결된다. 상기 드레인전극(173)은 상기 드레인영역(132)에 대응하여 형성되어, 콘택(163)을 통해 드레인용 불순물 영역(133)과 전기적으로 연결된다.
한편, 상기 바디콘택영역(137)에 대응하여 연결배선(180)이 형성되는데, 상기 연결배선(180)은 게이트전극(150)에 형성된 콘택(165)과 바디콘택영역(137)에 형성된 콘택(167)을 통해 상기 바디콘택영역(137)과 상기 게이트전극(150)을 연결시켜 준다. 상기 연결배선(180)은 상기 소오스/드레인 전극(171), (173)과 동일한 물질로 구성되며, 섬형태의 연결패턴이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 상기 바디콘택영역(137)에 전원을 인가하기 위한 연결배선(180)을 콘택(165)을 통해 게이트전극(150)과 전기적으로 연결시켜 줌으로써, 저전압구동이 가능하여 문턱전압의 스윙폭을 감소시킬 수 있으며, 저전압의 게이트전압으로 높은 드레인 전류를 얻을 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 종래의 플로팅 바디 박막 트랜지스터와 본 발명의 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터의 동작특성도를 도시한 것이다. 도 6a는 플로팅 바디 박막트랜지스터와 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터가 NMOS 트랜지스터로 구성되는 경우의 게이트전압(VG)에 대한 드레인전류(Id)를 나타낸 것이고, 도 6b는 플리팅 바디 박막 트랜지스터와 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터가 PMOS 트랜지스터로 구성되는 경우의 게이트전압(VG)에 대한 드레인 전류(Id)를 나타낸 것이다.
도 6a 및 도 6b를 참조하면, 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터의 문턱전압이 플로팅 바디 박막 트랜지스터보다 경사진 기울기(steep slope)를 가지므로, 낮은 게이트전압으로 온/오프특성을 얻을 수 있다.
따라서, 본 발명의 실시예에서는 구동 회로부(3), (4)를 도 4에 도시된 게이 트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하고, 화소부(2)를 도 2 그리고 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와같은 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하므로써, 고속동작특성을 얻음과 동시에 저전압 구동이 가능하다. 또한, 화소부의 EL 소자를 통해 균일한 전류가 흐르므로 균일한 휘도특성을 얻음과 동시에 수명을 연장시킬 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 소오스/드레인영역과 바디콘택영역은 서로 다른 도전형을 갖는다. 예를 들어, 소오스/드레인영역이 고농도의 n형 불순물영역으로 이루어지면, 바디콘택영역은 고농도의 p형 불순물영역으로 이루어진다. 반면에, 소오스/드레인영역이 고농도의 p형 불순물영역으로 이루어지면, 바디콘택영역은 고농도의 n형 불순물영역으로 이루어진다. 이때, 액티브층의 채널영역은 제1 또는 제2도전형의 불순물이 도핑되지 않은 진성영역이다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 소오스/드레인 영역이 고농도 불순물영역이 이루어지는 박막 트랜지스터에서 바디콘택영역을 형성하는 것에 대하여 설명하였으나, 소오스/드레인 영역이 고농도 불순물영역과 저농도 불순물영역의 LDD 구조를 갖는 박막 트랜지스터에도 적용가능하다.
게다가, 본 발명의 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터와 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터는 상기 예시된 구조에 한정되는 것이 아니라 소오스와 바디콘택영역이 연결되는 구조와 게이트와 바디콘택영역이 연결되는 구조는 모두 가능하다.
본 발명의 실시예에서, 화소부를 구성하는 스위칭 트랜지스터와 구동 트랜지스터를 모두 소오스-바디콘택 박막트랜지스터로 구현하거나, 스위칭 트랜지스터와 구동박막 트랜지스터중 하나, 예를 들어 구동트랜지스터만을 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구현하고, 스위칭 트랜지스터는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구현할 수도 있다.
상기한 바와같은 본 발명의 실시예에 따르면, 화소부의 박막 트랜지스터를 드레인전류특성이 우수한 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하고, 구동회로부의 박막 트랜지스터를 저전압에서 온/오프특성이 우수한 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성하므로써, 고속동작특성을 얻을 수 있을 뿐만 아니라 EL소자를 통해 흐르는 전류를 균일하게 유지하여 균일한 휘도특성을 얻을 수 있으며, 소자의 수명을 연장시켜 줄 수 있는 이점이 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (17)

  1. 다수의 화소가 배열된 화소부와; 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부를 포함하며,
    상기 화소부와 구동회로부를 구성하는 박막 트랜지스터는 적어도 각각 채널영역으로 소정의 전압을 인가하기 위한 바디콘택영역을 구비하며,
    상기 화소부와 구동회로부의 박막 트랜지스터는 서로 다른 구조의 바디콘택영역을 구비하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 소오스/드레인전극에 연결되는 소오스/드레인영역을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인영역과는 서로 반대도전형의 불순물이 도핑된 불순물영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 게이트전극과 소오스/드레인전극을 더 포함하며, 상기 바디콘택영역은 상기 게이트전극에 연결되어, 상기 게이트전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 소오스/드레인전극에 연결되는 소오스/드레인영역을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인영역과는 서로 반대도전형의 불순물이 도핑된 불순물영역으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 게이트구동신호에 의해 스위칭되어 데이터신호를 전달하는 제1박막 트랜지스터와; 상기 제1박막 트랜지스터를 통해 전달되는 데이터신호에 따라 EL소자를 구동시켜 주기위한 제2박막 트랜지스터를 적어도 포함하며,
    상기 제1박막 트랜지스터와 제2박막 트랜지스터중 적어도 하나는 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터와 서로 다른 구조의 바디콘택영역를 갖는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터중 제2박막 트랜지스터는 게 이트전극 및 소오스/드레인전극을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터중 제1 및 제2박막 트랜지스터는 각각 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  9. 제6항에 있어서, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 더 구비하며, 상기 바디콘택영역은 상기 게이트전극에 연결되어, 상기 게이트전극으로부터 상기 채널영역으로 소정의 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 NMOS 박막 트랜지스터로 구성되고, 회로구동부의 박막 트랜지스터는 PMOS 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 PMOS 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 회로구동부의 박막 트랜지스터는 NMOS 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 NMOS 박막 트랜지스터 또는 PMOS 박막 트랜지스터중 하나로 구성되고, 상기 회로구동부의 박막 트랜지스터는 PMOS 박막 트랜지스터와 NMOS 박막 트랜지스터의 CMOS 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  13. 다수의 화소가 배열된 화소부와; 상기 화소부의 화소를 구동시켜 주기 위한 구동회로부를 포함하며,
    상기 화소부는 입력전압에 대해 일정한 출력전류를 갖는 박막 트랜지스터로 구성되고, 상기 구동회로부는 입력전압에 대해 일정한 온/오프특성을 갖는 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 채널영역과 상기 채널영역에 전압을 제공하기 위한 바디콘택영역을 구비하는 액티브층과, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하며, 상기 바디콘택영역이 상기 소오스/드레인전극중 하나의 전극에 연결되어, 상기 전극으로부터 채널영역에 전압이 제공되는 구조를 갖는 소오스-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 화소부의 박막 트랜지스터는 드레인전극에 인가되는 입력전압에 대하여 드레인전극을 통해 출력되는 드레인전류가 일정한 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 채널영역과 상기 채널영역에 전압을 제공하기 위한 바디콘택영역을 구비하는 액티브층과, 게이트전극 및 소오스/드레인전극을 구비하며, 상기 바디콘택영역이 상기 게이트 전극에 연결되어, 상기 게이트전극으로부터 채널영역에 전압이 제공되는 구조를 갖는 게이트-바디콘택 박막 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 구동회로부의 박막 트랜지스터는 게이트전극에 인가되는 입력전압에 대하여 드레인전극을 통해 출력되는 드레인전류의 온/오프특성이 일정한 박막 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
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