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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置であって、
前記ＣＭＯＳ回路の前記Ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記Ｐチャネル型ＴＦＴは、絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記Ｎチャネル型ＴＦＴの前記第１配線と前記第２配線とは電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
Ｎチャネル型ＴＦＴで形成された画素ＴＦＴと保持容量とを有する画素マトリクス回路を含む半導体装置であって、
前記画素ＴＦＴは絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成されており、
前記保持容量は、前記第１配線および前記活性層によって前記絶縁層が挟まれた構造であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記第１配線はフローティング状態にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４において、前記第１配線は最低電源電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一基板上に形成された画素マトリクス回路とドライバー回路とを有する半導体装置であって、
前記画素マトリクス回路に含まれる画素ＴＦＴと前記ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴは、絶縁層を介して第１配線および第２配線によって活性層が挟まれた構造を有し、
前記活性層はチャネル形成領域に接して低濃度不純物領域を含んでおり、
前記チャネル形成領域は前記第１配線および前記第２配線に重なり、
前記低濃度不純物領域は前記第１配線に重なり、且つ、前記第２配線に重ならないように形成され、
前記画素ＴＦＴが有する第１配線は最低電源電位に保持され、前記ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴが有する第１配線は、該ドライバー回路に含まれるＮチャネル型ＴＦＴが有する第２配線と同電位に保持されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９に記載された半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型ＥＬディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
Ｎチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴとで形成されたＣＭＯＳ回路を含む半導体装置の作製方法であって、
基板上に第１配線を形成し、
前記第１配線の上に第１絶縁層を形成し、
前記第１絶縁層の上に前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層および前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層を形成し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層および前記Ｐチャネル型ＴＦＴの活性層を覆って第２絶縁層を形成し、
前記第２絶縁層の上に第２配線を形成し、
前記Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層において、前記第１配線が重なり、且つ、前記第２配線が重ならない部分に、第１の低濃度不純物領域と第２の低濃度不純物領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第１配線および／または前記第２配線は、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、またはシリコン（Ｓｉ）から選ばれた元素を主成分とする導電膜、或いは前記元素を組み合わせた合金膜またはシリサイド膜で形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
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