JP2001013525A5 - - Google Patents

Description

【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴおよび前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極またはドレイン電極に接続された反射電極を有する画素部と、
複数の駆動回路ＴＦＴを有する駆動回路とを有し、
前記画素ＴＦＴおよび前記駆動回路ＴＦＴは、第１の導電層で形成されるゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、第２の導電層で形成されるゲート配線と接続部で電気的に接続され、
前記接続部は、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路ＴＦＴとが有するチャネル形成領域の外側に設けられ、
前記駆動回路の一部または全部は、前記反射電極の下部に配置され、
前記駆動回路ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極にコンタクトホールを介して接続される電源線は、前記反射電極と、前記駆動回路ＴＦＴおよび前記駆動回路ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極との間に形成されることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項２】
マトリクス状に配置された複数の画素ＴＦＴおよび前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極またはドレイン電極に接続された反射電極を有する画素部と、
複数の駆動回路ＴＦＴを有する駆動回路とを有し、
前記画素ＴＦＴおよび前記駆動回路ＴＦＴは、第１の導電層で形成されるゲート電極を有し、
前記ゲート電極は、第２の導電層で形成されるゲート配線と接続部で電気的に接続され、
前記接続部は、前記画素ＴＦＴと前記駆動回路ＴＦＴとが有するチャネル形成領域の外側に設けられ、
前記画素ＴＦＴのＬＤＤ領域は、前記画素ＴＦＴのゲート電極と重ならないように配置され、
前記駆動回路の第１のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域は、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と重なるように配置され、
前記駆動回路の第２のｎチャネル型ＴＦＴのＬＤＤ領域は、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極と少なくとも一部が重なるように配置され、
前記駆動回路の一部または全部は、前記反射電極の下部に配置され、
前記駆動回路ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極にコンタクトホールを介して接続される電源線は、前記反射電極と、前記駆動回路ＴＦＴおよび前記駆動回路ＴＦＴのソース電極またはドレイン電極との間に形成されることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項３】
画素部と駆動回路とを同一の基板上に有し、
前記画素部は、ＬＤＤ領域がゲート電極と重ならないように設けられた複数の画素ＴＦＴおよび前記複数の画素ＴＦＴのそれぞれのソース電極またはドレイン電極に接続された反射電極を有し、
前記駆動回路は、ＬＤＤ領域の全部がゲート電極と重なるように設けた第１のｎチャネル型ＴＦＴと、ＬＤＤ領域の一部がゲート電極と重なるように設けた第２のｎチャネル型ＴＦＴとを有し、
前記画素ＴＦＴと、前記第１および第２のｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極は、第１の導電層で形成され、且つ前記ゲート電極に接続するゲート配線は第２の導電層で形成され、
前記ゲート電極と前記ゲート配線とは、前記画素ＴＦＴと前記第１および第２のｎチャネル型ＴＦＴとのチャネル形成領域の外側の接続部で電気的に接続され、
前記駆動回路の一部または全部は、前記反射電極の下部に配置され、
前記第１および第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのソース電極またはドレイン電極にコンタクトホールを介して接続される電源線は、前記反射電極と、前記第１および第２のｎチャネル型ＴＦＴ、並びに前記第１および第２のｎチャネル型ＴＦＴのそれぞれのソース電極またはドレイン電極との間に形成されることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記画素部は、前記画素ＴＦＴのソースまたはドレイン領域に接続され一導電型の不純物元素を含む半導体層と、容量配線と、前記半導体層と前記容量配線との間の絶縁膜とで保持容量が形成され、
前記容量配線は前記第１の導電層と前記第２の導電層とで形成されることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層が、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とし、
前記第２の導電層が、アルミニウムまたは銅を主成分とすることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）と、前記導電層（Ａ）上に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）と、前記導電層（Ｂ）が前記導電層（Ａ）に接しない領域に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）とを有し、
前記第２の導電層は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）とを有することを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記第１の導電層は、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ａ）と、前記導電層（Ａ）上に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｂ）と、前記導電層（Ｂ）が前記導電層（Ａ）に接しない領域に形成され、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種と窒素とを含む導電層（Ｃ）とを有し、
前記第２の導電層は、少なくとも、アルミニウムまたは銅を主成分とする導電層（Ｄ）と、タンタル、タングステン、チタン、モリブデンから選ばれた少なくとも１種を主成分とする導電層（Ｅ）とを有し、前記接続部で導電層（Ｃ）と導電層（Ｄ）が接続されていることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記導電層（Ｂ）は、添加元素としてアルゴンを含み、かつ、前記導電層（Ｂ）中の酸素濃度が３０ｐｐｍ以下であることを特徴とする反射型半導体表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載の反射型半導体表示装置において、表示媒体として液晶を用いる反射型液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するノートブック型パーソナルコンピュータ。
【請求項１１】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するビデオカメラ。
【請求項１２】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有する携帯情報端末。
【請求項１３】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するデジタルカメラ。
【請求項１４】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有する携帯書籍。
【請求項１５】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するデジタルビデオディスクプレーヤー。
【請求項１６】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するフロントプロジェクタ。
【請求項１７】
請求項９に記載の反射型液晶表示装置を有するリアプロジェクタ。