JP2008203593A - 反射型液晶装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】フレキシブル基板やＩＣが実装される実装パッドの形成に光反射性導電層を利用した場合でも、実装パッドにマイグレーションなどの不具合が発生しない反射型液晶装置およびそれを用いた電子機器を提供すること。
【解決手段】反射型液晶装置の素子基板では、画像表示領域において最上層に形成されている導電膜はアルミニウムやアルミニウム合金からなる画素電極であるが、画素電極と同時形成されたアルミニウムやアルミニウム合金については、中継端子９ｂとして利用するだけ、中継端子９ｂより上層に別の上層側導電層１３ａを形成し、この上層側導電層１３ａを実装パッド１０２として利用する。このため、実装パッド１０２の狭ピッチ化に伴って、実装パッド１０２が小さくなった場合でも、マイグレーションなどが発生しない。
【選択図】図４

Description

本発明は、反射型液晶装置および電子機器に関するものである。

液晶装置では、対向配置された素子基板および対向基板の間に液晶が保持されている。また、液晶装置のうち、反射型の液晶装置の場合、素子基板には複数の画素の各々に画素スイッチング素子が形成されているとともに、スイッチング素子の上層側に、アルミニウムやアルミニウム合金からなる光反射性導電層が形成される。この場合、光反射性導電層は、素子基板の最も上層側に形成されることが多い。そこで、素子基板に実装パッドを形成するにあたって、アルミニウムやアルミニウム合金からなる光反射性導電層を実装パッドとして利用した構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−２４４１５１号公報

しかしながら、アルミニウムやアルミニウム合金などにより実装パッドを形成した場合において、実装パッドを狭ピッチ化すると、実装パッドが小さくなる分、ＣＯＦ（Chip On Film）実装やＣＯＧ（Chip On Glass）実装した際にマイグレーションが発生するという問題点がある。かといって、素子基板の上層側に形成されている光反射性導電層を実装パッドの形成に利用しない場合には、アスペクト比が極めて大きなコンタクトホールを介して、画素スイッチング素子のゲート電極やソース電極と同時形成した導電膜に電気的な接続を行なう必要があり、生産性や信頼性が低下する。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、フレキシブル基板やＩＣが実装される実装パッドの形成に光反射性導電層を利用した場合でも、実装パッドにマイグレーションなどの不具合が発生しない反射型液晶装置およびそれを用いた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、複数の画素の各々に形成された画素スイッチング素子、および該画素スイッチング素子の上層側に形成された光反射性導電層を備えた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備え、前記素子基板には、フレキシブル基板またはＩＣが実装される実装パッドが形成された反射型液晶装置において、前記光反射性導電層は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなり、前記実装パッドは、前記光反射性導電膜からなる下層側導電層に対して、該下層側導電層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続する上層側導電層により構成されていることを特徴とする。

本発明では、最上層にアルミニウムやアルミニウム合金からなる光反射性導電層が形成されている場合でも、かかる光反射性導電層については、実装パッドに対する中継用の下層側導電層として利用するだけで、下層側導電層より上層に形成した別の上層側導電層を実装パッドとして利用する。このため、実装パッドの狭ピッチ化に伴って、実装パッドが小さくなった場合でも、アルミニウムやアルミニウム合金からなる実装パッドと違って、実装パッドにマイグレーションなどが発生しない。

本発明は、例えば、前記素子基板において画素電極が前記光反射性導電膜により形成されている場合に適用される。

本発明において、前記上層側導電層は、チタン膜、窒化チタン膜またはそれらの積層膜からなることが好ましい。

本発明において、前記実装パッドの形成領域では、前記下層側導電層の表面、および前記上層側導電層の表面のうちの少なくとも一方が、プラズマ処理により粗面化されていることが好ましい。このように構成すると接続抵抗の低減を図ることができる。

本発明を適用した反射型液晶装置は、投射型表示装置や、携帯電話機などのモバイル機器といった電子機器に用いられる。

以下、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

（全体構成）
図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２は、本発明を適用した反射型液晶装置の画像表示領域などの電気的な構成を示す等価回路図である。

図１（ａ）、（ｂ）に示す反射型液晶装置１００は、素子基板１０と、この素子基板１０に対向する対向基板２０とを備えており、素子基板１０と対向基板２０とは、シール材５２を介して貼り合わされて対向している。シール材５２の内側領域にはＴＮ（Twisted Nematic）液晶などからなる液晶層５０が保持されている。シール材５２には、液晶注入口５２ａが形成されており、この液晶注入口５２ａは、液晶を注入した後、封止材２５により封止されている。対向基板２０には、シール材５２の内側に並行して額縁としての遮光膜５３が形成されており、その内側領域が画像表示装置１０ａとして利用される。対向基板２０の内面（液晶層５０側）には略全面に共通電極２１が形成されている。

素子基板１０において、シール材５２の外側の領域には、データ線駆動回路１０１および実装パッド１０２が素子基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿っては、走査線駆動回路１０４が形成されている。実装パッド１０２からデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４に向けては複数の配線１０９が延びている。また、素子基板１０には、実装パッド１０２を利用して、ＩＣ１０７が実装されたフレキシブル基板１０８が接続されている。素子基板１０の残る一辺には、画像表示領域１０ａの両側に設けられた走査線駆動回路１０４間を接続するための複数の配線１０５が形成されている。対向基板２０の四隅には、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０６が形成されている。また、素子基板１０において、画素表示領域１０ａには複数の画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。

図２に示すように、反射型液晶装置１００の素子基板１０において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状の複数の画素１００ａの各々に、画素電極９ａと、画素電極９ａをスイッチング制御するための画素スイッチング素子としてのＭＯＳ型の電界効果型トランジスタ３０とが形成されている。また、画像表示領域１０ａには、画像信号を供給するための複数のデータ線６ａと、走査信号を供給するための複数の走査線３ａとが互いに交差する方向に延びており、データ線６ａはデータ線駆動回路１０１に接続され、走査線３ａは走査線駆動回路１０４に接続されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが接続し、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが接続されている。画素電極９ａは、電界効果型トランジスタ３０のドレインに電気的に接続されており、電界効果型トランジスタ３０を一定期間だけそのオン状態とすることにより、データ線６ａから供給されるデータ信号を各画素１００ａに所定のタイミングで書き込む。そして、図１（ｂ）に示す画素電極９ａ、液晶層５０、および共通電極２１により構成された液晶容量５０ａに書き込まれた所定レベルの画素信号は一定期間保持される。

ここで、液晶容量５０ａに並列に蓄積容量７０が形成されており、蓄積容量７０によって、画素電極９ａの電圧は、例えば、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い表示を行うことのできる反射型液晶装置１００を実現できる。本形態では、蓄積容量７０を構成するために、走査線３ａと並列するように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５
ｂは共通電位線（ＣＯＭ）に接続され、所定の電位に保持されている。なお、蓄積容量７０は前段の走査線３ａとの間に形成される場合もある。

なお、反射型液晶装置１００は、電源回路２０１、画像処理回路２０２およびタイミング発生回路２０３を備えており、これらの回路は、図１（ａ）、（ｂ）に示すＩＣ１０７などに構成されている。タイミング発生回路２０３では、各画素１００ａを駆動するためのドットクロックが生成され、このドットクロックに基づいて、クロック信号ＶＣＫ、ＨＣＫ、反転クロック信号ＶＣＫＢ、ＨＣＫＢ、転送開始パルスＨＳＰ、ＶＳＰが生成され、素子基板１０に供給される。画像処理回路２０２は、外部から入力画像データが入力されると、この入力画像データに基づいて画像信号を生成し、素子基板１０に供給する。電源回路２０１は、複数の電源ＶＤＤ、ＶＳＳ、ＶＨＨ、ＶＬＬを生成して素子基板１０に供給する。

（画素の具体的構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の素子基板において相隣接する画素の平面図、および図３（ａ）のＡ−Ａ′線に相当する位置で反射型液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａおよびそれと同時形成された薄膜は太くて長い点線で示し、中継電極は細い実線で示してある。

図３（ａ）に示すように、素子基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。走査線３ａに並列して容量線５ｂが形成され、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に電界効果型トランジスタ３０が形成されている。

図３（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラ基板などの透光性材料からなる基板本体１０ｄ、その液晶層５０側の表面に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の電界効果型トランジスタ３０、および配向膜１６を主体として構成されており、対向基板２０は、基板本体２０ｄ、その液晶層５０側表面に形成された共通電極２１、および配向膜２２を主体として構成されている。

素子基板１０において、画素電極９ａに隣接する位置には電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、半導体層１ａには、走査線３ａに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ａ′、低濃度ソース領域１ｂ、低濃度ドレイン領域１ｃ、高濃度ソース領域１ｄおよび高濃度ドレイン領域１ｅが形成されている。

半導体層１ａは、例えば、石英基板からなる基板本体１０ｄ上に下地絶縁膜１２を介して形成された単結晶シリコン層によって構成され、このような構成の素子基板１０は、石英基板と単結晶シリコン基板とが絶縁層を介して貼り合わされたＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いることにより実現することができる。このようなＳＯＩ基板は、例えば、単結晶シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成した上で石英基板と貼り合わせる方法、あるいは石英基板と単結晶シリコン基板の双方にシリコン酸化膜を形成した上でシリコン酸化膜同士を接触させて貼り合わせる方法が採用できる。この場合、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａに対する熱酸化膜により形成できる。走査線３ａには、ポリシリコンやアモルファスシリコン、単結晶シリコン膜などのシリコン膜や、これらのポリサイドやシリサイド，さらには金属膜が用いられる。

走査線３ａの上層側には、高濃度ソース領域１ｄへ通じるコンタクトホール８２、および高濃度ドレイン領域１ｅへ通じるコンタクトホール８３を備えたシリコン酸化膜などからなる第１層間絶縁膜４１が形成されている。第１層間絶縁膜４１の上層には中継電極４ａ、４ｂが形成されている。中継電極４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されており、中継電極４ｂは、中継電極４ｂと離間した位置において、データ線６ａに沿うように形成されている。中継電極４ａは、コンタクトホール８３を介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続され、中継電極４ｂは、コンタクトホール８２を介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続されている。

中継電極４ａ、４ｂの上層側には、シリコン窒化膜などからなる誘電体膜４２が形成されており、この誘電体膜４２を介して、中継電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、蓄積容量７０が形成されている。中継電極４ａ、４ｂは導電性のポリシリコン膜や金属膜等からなり、容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。

容量線５ｂの上層側には、中継電極４ａへ通じるコンタクトホール８７、および中継電極４ｂへ通じるコンタクトホール８１を備えたシリコン酸化膜などからなる第２層間絶縁膜４３が形成されている。第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール８１を介して中継電極４ｂに電気的に接続し、中継電極４ｂを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール８７を介して中継電極４ａに電気的に接続し、中継電極４ａを介して、高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、高融点金属を含む金属シリサイド膜、それらの積層膜、金属膜からなる。

データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール８６を備えたシリコン酸化膜などからなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール８６を介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。

ここで、画素電極９ａは、厚さが１５０ｎｍ程度のアルミニウムやアルミニウム合金（光反射性導電膜）によって形成されており、対向基板２０の側から入射した光を対向基板２０側に向けて反射する光反射層として機能する。

画素電極９ａの上層には、厚さが１５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいはそれらの積層膜からなる保護膜４５（絶縁膜）が形成されている。また、保護膜４５の表面には配向膜１６が形成されている。

（実装パッドの構成）
図４（ａ）、（ｂ）は各々、本形態の反射型液晶装置１００に形成した実装パッド１０２の平面図およびそのＣ−Ｃ′断面図である。

図３（ｂ）を参照して説明したように、本形態の素子基板１０には、下地絶縁膜１２、第１層間絶縁膜４１、ゲート絶縁層２、誘電体膜４２、第２層間絶縁膜４３、第３層間絶縁膜４４、保護膜４５がこの順に積層され、かつ、これらの絶縁膜の層間には、半導体層１ａ、走査線３ａ、中継電極４ａ、４ｂ、容量線５ｂ、データ線６ａ（ドレイン電極６ｂ）、画素電極９ａが形成されている。

従って、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、実装パッド１０２からデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に向けては、上記の導電膜を用いて配線１０９を形成することができる。本形態では、データ線６ａ（ドレイン電極６ｂ）と同時形成された導電膜によって配線１０９を形成した構成を例示してある。また、素子基板１０の画像表示領域１０ａには、最上層の導電膜として画素電極９ａが形成されているので、画素電極９ａを用いれば、実装パッド１０２を形成することができる。但し、本形態では、画素電極９ａがアルミニウムやアルミニウム合金（光反射性導電膜）によって形成されており、かかる導電膜を実装パッド１０２として用いると、マイグレーションなどが発生する原因となる。

そこで、本形態では、まず、第３層間絶間膜４４において、配線１０９と重なる位置に２つのコンタクトホール８８を形成するとともに、画素電極９ａと同時形成したアルミニウムやアルミニウム合金によって中継端子９ｂ（下側導電層）を形成する。この状態で、中継端子９ｂは、２つのコンタクトホール８８を介して配線１０９に電気的に接続する。

また、本形態では、保護膜４５において、中継端子９ｂと重なる領域のうち、例えば、２つのコンタクトホール８８の間の領域にコンタクトホール８９を形成するとともに、厚さが１００ｎｍ程度のチタン膜、あるいは厚さが２ｎｍ程度の窒化チタン膜と、厚さが１００ｎｍ程度のチタン膜との積層膜を形成し、コンタクトホール８９を介して中継端子９ｂに電気的に接続する上層側導電層１３ａを形成する。そして、本形態では、上層側導電層１３ａのうち、コンタクトホール８８、８９と重なる位置を避けた領域を実装パッド１０２として利用する。すなわち、実装パッド１０２に対してフレキシブル基板１０８の端子を異方性導電膜などを介して接続する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、画像表示領域１０ａにおいて最上層に形成されている導電膜は画素電極９ａであるが、画素電極９ａはアルミニウムやアルミニウム合金かなる。このため、実装パッド１０２を画素電極９ａと同時形成すると、マイグレーションなどの問題点が発生するが、本形態では、画素電極９ａと同時形成されたアルミニウムやアルミニウム合金については、中継端子９ｂとして利用するだけで、中継端子９ｂより上層に別の上層側導電層１３ａを形成し、この上層側導電層１３ａを実装パッド１０２として利用する。このため、実装パッド１０２の狭ピッチ化に伴って、実装パッド１０２が小さくなった場合でも、マイグレーションなどが発生しない。それ故、反射型液晶装置１００の信頼性を向上することができる。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、データ線６ａ（ドレイン電極６ｂ）と同時形成された導電膜などによって配線１０９を形成したが、走査線３ａや容量線５ｂと同時形成された導電膜を配線として用いた場合に本発明を適用してもよい。

また、上記形態では、画像表示領域１０ａにおいて最上層に形成されている導電膜がアルミニウムやアルミニウム合金からなる画素電極９ａであったが、アルミニウムやアルミニウム合金からなるベタの光反射層の上層に絶縁膜を介してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極が形成されている場合には、アルミニウムやアルミニウム合金を下層側導電層として用い、ＩＴＯ膜からなる画素電極を形成する際、上層側導電層を同時形成して実装パッド１０２を構成してもよい。

また、実装パッド１０２の形成領域では、中継端子９ｂ（下側導電層）の表面が、アルゴンガスなどといった不活性ガスを用いたプラズマ処理により粗面化されていることが好ましい。このように構成すると、中継端子９ｂ（下側導電層）と、上層側導電層１３ａとの接続抵抗を低減することができる。また、実装パッド１０２の形成領域では、上層側導電層１３ａの表面が、アルゴンガスなどといった不活性ガスを用いたプラズマ処理により粗面化されていることが好ましい。このように構成すると、上層側導電層１３ａとフレキシブル基板１０８との接続抵抗を低減することができる。

また、上記形態では、ＩＣ１０７が実装されたフレキシブル基板１０８に対する実装パッド１０２に本発明を適用したが、ＩＣ１０７を素子基板１０に実装する場合の実装パッドや、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４が素子基板１０上ではなく、駆動用ＩＣ内に構成されている場合において、駆動用ＩＣを素子基板１０に実装するための実装パッドに本発明を適用してもよい。

さらに、上記形態では、半導体層１ａが単結晶シリコン層からなる場合を例に説明したが、半導体層１ａとしては、低温プロセスでアモルファスシリコン膜を形成した後、レーザアニールやランプアニールなどにより多結晶化したポリシリコン膜を用いた反射型液晶装置に本発明を適用してもよい。この場合、基板本体１０ｄとしては安価なガラス基板を用いることができる。このような場合、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法などにより形成したシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはそれらの積層膜により構成される。

［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型液晶装置１００は、図５（ａ）に示す投射型表示装置や（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図５（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。

図５（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置した光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０を備えた偏光照明装置８００と、この偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロックミラー８４３と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロックミラー８４４とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の反射型液晶装置１００（反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えている。さらに、投射型表示装置１０００は、３つの反射型液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロックミラー８４４、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光をスクリーン８６０に投写する
また、図５（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、反射型液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図５（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての反射型液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が反射型液晶装置１００に表示される。

さらに、対向基板２０などにカラーフィルタを形成すれば、カラー表示可能な反射型液晶装置１００を形成することができる。また、カラーフィルタを形成した反射型液晶装置１００を用いれば、単板式の投射型表示装置を構成することもできる。

（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。 本発明を適用した反射型液晶装置の画像表示領域などの電気的な構成を示す等価回路図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の素子基板において相隣接する画素の平面図、およびＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。 （ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置に形成した実装パッドの平面図およびそのＣ−Ｃ′断面図である。 （ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置を用いた電子機器の説明図である。

符号の説明

１ａ・・半導体層、２・・ゲート絶縁層、３ａ・・走査線（ゲート電極）、４ａ、４ｂ・・中継電極、５ｂ・・容量線、６ａ・・データ線、６ｂ・・ドレイン電極、９ａ・・画素電極、９ｂ・・中継端子（下側導電層）、１０・・素子基板、１３ａ・・上層側導電層、２０・・対向基板、３０・・電界効果型トランジスタ（画素スイッチング素子）、４１・・第１層間絶縁膜、４２・・誘電体膜、４３・・第２層間絶縁膜、４４・・第３層間絶縁膜、４５・・保護膜（絶縁膜）、１００・・反射型液晶装置、１０９・・配線

Claims (5)

1. 複数の画素の各々に形成された画素スイッチング素子、および該画素スイッチング素子の上層側に形成された光反射性導電層を備えた素子基板と、該素子基板に対向配置された対向基板と、該対向基板と前記素子基板との間に保持された液晶とを備え、前記素子基板には、フレキシブル基板またはＩＣが実装される実装パッドが形成された反射型液晶装置において、
   前記光反射性導電層は、アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜からなり、
   前記実装パッドは、前記光反射性導電膜からなる下層側導電層に対して、該下層側導電層を覆う絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続する上層側導電層により構成されていることを特徴とする反射型液晶装置。
2. 前記素子基板には、前記光反射性導電膜により画素電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の反射型液晶装置。
3. 前記上層側導電層は、チタン膜、あるいは窒化チタン膜とチタン膜との積層膜からなることを特徴とする請求項１または２に記載の反射型液晶装置。
4. 前記実装パッドの形成領域において、前記下層側導電層の表面、および前記上層側導電層の表面のうちの少なくとも一方は、プラズマ処理により粗面化されていることを特徴とする反射型液晶装置。
5. 請求項１乃至４の何れか一項に記載の反射型液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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