JP2010078759A - 液晶装置、液晶装置の製造方法、プロジェクタ及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の液晶装置では、信頼性の向上が困難である。
【解決手段】第１基板９３と、第１基板９３に対向する第２基板と、第１基板９３と前記第２基板との間に挟持された液晶と、複数の画素と、前記画素に対応して第１基板９３と前記液晶との間に設けられた、前記液晶から第１基板９３側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記反射膜の前記液晶側の面を覆う保護膜１０１と、前記画素に対応して第１基板９３と前記反射膜との間に設けられたスイッチング素子と、第１基板９３と前記反射膜との間に設けられた、前記液晶の駆動を制御する電気信号を前記スイッチング素子に伝送する配線８９と、保護膜１０１を貫通するコンタクトホール１５５と、少なくともコンタクトホール１５５と重なるように設けられた、前記電気信号が入力される端子電極８７と、を有することを特徴とする液晶装置。
【選択図】図１２

Description

本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、プロジェクタ及び電子機器に関する。

従来、液晶パネル（液晶装置）において、端子部におけるパッド電極を、画素電極と同一の材料であるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）で形成した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開平１０−１６１１５２号公報（図２）

ところで、液晶装置には、透過型や反射型などがある。透過型の液晶装置では、画素電極としてＩＴＯなどの光透過性を有する材料が広く使用されている。他方で、反射型の液晶装置では、画素電極として、アルミニウムなどの光反射性を有する材料が使用されることがある。

上記特許文献１に記載された構成を反射型の液晶装置に適用した場合、パッド電極は、画素電極と同一の材料であるアルミニウムなどで構成されることになる。この構成では、信頼性を向上させるという特許文献１に記載された課題を解決することが困難になる。
そこで、パッド電極の材料として、画素電極とは異なる材料を採用することが考えられる。この場合、パッド電極の形成方法としては、次のような方法が考えられる。
まず、画素電極上に、パッド電極の材料で構成された膜を画素電極に重ねて形成する。
次いで、この膜を、パターニングすることによって、パッド電極を形成する。
この方法により、画素電極とは異なる材料でパッド電極が形成され得る。

ここで、膜をパターニングするには、一般的にフォトリソグラフィ技術やエッチング技術などが活用され得る。上記のパッド電極の形成方法では、画素電極上の膜にフォトリソグラフィ処理やエッチング処理などを施すことにより、膜がパッド電極としてパターニングされ得る。
しかしながら、画素電極上に形成された膜にフォトリソグラフィ処理やエッチング処理などを施すと、画素電極が損傷を受けることがある。
つまり、従来の液晶装置では、信頼性の向上が困難であるという課題がある。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。

［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板と前記液晶との間に設けられた、前記液晶から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記反射膜の前記液晶側の面を覆う保護膜と、前記画素に対応して前記第１基板と前記反射膜との間に設けられたスイッチング素子と、前記第１基板と前記反射膜との間に設けられた、前記液晶の駆動を制御する電気信号を前記スイッチング素子に伝送する配線と、前記保護膜を貫通するコンタクトホールと、少なくとも前記コンタクトホールと重なるように設けられた、前記電気信号が入力される端子電極と、を有することを特徴とする液晶装置。

この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、保護膜と、スイッチング素子と、配線と、コンタクトホールと、端子電極と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板と第２基板との間に挟持されている。反射膜は、第１基板と液晶との間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、液晶から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。
保護膜は、反射膜の液晶側の面を覆っている。スイッチング素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。配線は、第１基板と反射膜との間に設けられている。配線は、液晶の駆動を制御する電気信号をスイッチング素子に伝送する。
コンタクトホールは、保護膜を貫通している。端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。端子電極には、電気信号が入力される。

この液晶装置では、反射膜は、保護膜によって液晶側の面が覆われている。そして、端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。この構成によれば、反射膜を保護膜で覆ってから、コンタクトホールの形成が行われ得る。このため、反射膜を保護膜で保護した状態で、コンタクトホールを形成することができる。これにより、反射膜と端子電極とを互いに異なる材料で構成しやすくすることができる。この結果、液晶装置の信頼性を向上させやすくすることができる。

［適用例２］上記の液晶装置であって、前記反射膜は、前記液晶を駆動するための電界を生成する電極を兼ねていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、反射膜が液晶を駆動するための電界を生成する電極を兼ねている。このため、液晶を駆動するための電界を生成する電極と、反射膜とを個別に有する構成に比較して、構成を簡略化することができる。

［適用例３］上記の液晶装置であって、前記反射膜は、アルミニウムを含有する材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、反射膜がアルミニウムを含有する材料で構成されている。このため、高い反射率を得ることができる。また、損傷を受けやすいアルミニウムを含有する材料で構成された反射膜を、コンタクトホールや端子電極の形成から保護することができる。

［適用例４］上記の液晶装置であって、前記端子電極は、光透過性を有する材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、端子電極が光透過性を有する材料で構成されているので、光透過性とは異なる光反射性を有する材料で反射膜を構成することができる。アルミニウム等の金属膜に比べると、光透過性を有する導電材料の方がエレクトロマイグレーションが生じ難いので、端子電極の信頼性が向上する。

［適用例５］上記の液晶装置であって、前記光透過性を有する材料は、インジウム錫酸化物及びインジウム亜鉛酸化物の少なくとも一方を含有していることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、光透過性を有する材料の導電率が比較的高いので、端子電極周辺を低抵抗化できる。

［適用例６］上記の液晶装置であって、前記保護膜は、無機材料で構成されていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、保護膜が無機材料で構成されている。無機材料は、化学的に高い安定性を有している。このため、反射膜を保護しやすくすることができる。

［適用例７］上記の液晶装置であって、前記端子電極は、前記コンタクトホールを介して前記配線と電気的につながっていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、反射膜を保護膜で覆ってから、コンタクトホールの形成や端子電極の形成が行われ得る。このため、反射膜を保護膜で保護した状態で、コンタクトホールや端子電極を形成することができる。これにより、反射膜と端子電極とを互いに異なる材料で構成しやすくすることができる。

［適用例８］上記の液晶装置であって、前記配線が前記端子電極を兼ねていることを特徴とする液晶装置。

この適用例では、配線が端子電極を兼ねているので、配線と端子電極とを個別に有する構成に比較して、構成を簡略化することができる。

［適用例９］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、複数の画素と、前記画素に対応して前記第１基板と前記液晶との間に設けられた、前記液晶から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、前記画素に対応して前記第１基板と前記反射膜との間に設けられたスイッチング素子と、前記第１基板と前記反射膜との間に設けられた、前記液晶の駆動を制御する電気信号を前記スイッチング素子に伝送する配線と、前記配線に電気的につながった、前記電気信号が入力される端子電極と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記反射膜の前記液晶側の面を覆う保護膜を形成し、前記保護膜にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的につながる導電膜を形成し、前記導電膜にエッチング処理を施すことにより、前記端子電極を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。

この適用例の製造方法が適用され得る液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、スイッチング素子と、配線と、端子電極と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板と第２基板との間に挟持されている。反射膜は、第１基板と液晶との間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、液晶から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。
スイッチング素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。配線は、第１基板と反射膜との間に設けられている。配線は、液晶の駆動を制御する電気信号をスイッチング素子に伝送する。
端子電極は、配線に電気的につながっている。端子電極には、電気信号が入力される。

この適用例の液晶装置の製造方法では、反射膜の液晶側の面を覆う保護膜を形成し、この保護膜にコンタクトホールを形成し、このコンタクトホールを介して配線に電気的につながる導電膜を形成し、この導電膜にエッチング処理を施すことにより、端子電極を形成する。
この製造方法によれば、反射膜を保護膜で覆ってから、コンタクトホールの形成や、端子電極の形成が行われる。このため、反射膜を保護膜で保護した状態で、コンタクトホールや端子電極を形成することができる。これにより、反射膜と端子電極とを互いに異なる材料で構成しやすくすることができる。この結果、液晶装置の信頼性を向上させやすくすることができる。

［適用例１０］上記の液晶装置をライトバルブとして有することを特徴とするプロジェクタ。

この適用例のプロジェクタは、ライトバルブとしての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、保護膜と、スイッチング素子と、配線と、コンタクトホールと、端子電極と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板と第２基板との間に挟持されている。反射膜は、第１基板と液晶との間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、液晶から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。
保護膜は、反射膜の液晶側の面を覆っている。スイッチング素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。配線は、第１基板と反射膜との間に設けられている。配線は、液晶の駆動を制御する電気信号をスイッチング素子に伝送する。
コンタクトホールは、保護膜を貫通している。端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。端子電極には、電気信号が入力される。

この液晶装置では、反射膜は、保護膜によって液晶側の面が覆われている。そして、端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。この構成によれば、反射膜を保護膜で覆ってから、コンタクトホールの形成が行われ得る。このため、反射膜を保護膜で保護した状態で、コンタクトホールを形成することができる。これにより、反射膜と端子電極とを互いに異なる材料で構成しやすくすることができる。この結果、液晶装置の信頼性を向上させやすくすることができる。
この適用例のプロジェクタは、信頼性の向上を図りやすい液晶装置をライトバルブとして有している。このため、プロジェクタの信頼性を向上させやすくすることができる。

［適用例１１］上記の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。

この適用例の電子機器は、表示部としての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の画素と、反射膜と、保護膜と、スイッチング素子と、配線と、コンタクトホールと、端子電極と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板と第２基板との間に挟持されている。反射膜は、第１基板と液晶との間に設けられている。反射膜は、画素に対応して設けられており、液晶から第１基板側に向かう光を第２基板側に反射させる。
保護膜は、反射膜の液晶側の面を覆っている。スイッチング素子は、第１基板と反射膜との間に設けられている。スイッチング素子は、画素に対応して設けられている。配線は、第１基板と反射膜との間に設けられている。配線は、液晶の駆動を制御する電気信号をスイッチング素子に伝送する。
コンタクトホールは、保護膜を貫通している。端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。端子電極には、電気信号が入力される。

この液晶装置では、反射膜は、保護膜によって液晶側の面が覆われている。そして、端子電極は、少なくともコンタクトホールと重なるように設けられている。この構成によれば、反射膜を保護膜で覆ってから、コンタクトホールの形成が行われ得る。このため、反射膜を保護膜で保護した状態で、コンタクトホールを形成することができる。これにより、反射膜と端子電極とを互いに異なる材料で構成しやすくすることができる。この結果、液晶装置の信頼性を向上させやすくすることができる。
この適用例の電子機器は、信頼性の向上を図りやすい液晶装置を表示部として有している。このため、電子機器の信頼性を向上させやすくすることができる。

第１実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクタを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクタ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクタ１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。

光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクタ１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。

光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。

画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。

投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。

制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル制御部２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリ部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリ部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ１の動作を統括制御する。メモリ部２９は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。

画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル制御部２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレイ）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル制御部２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。

ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成装置３３と、画像形成装置３５と、画像形成装置３７と、光合成部３９と、を有している。
分光部３１は、ランプ１１（図１）からの光４１が入射される。分光部３１は、図２に示すように、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。

ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。

分光部３１は、クロスダイクロイックミラー４３と、反射ミラー４５と、反射ミラー４７と、ダイクロイックミラー４９と、を有している。光４１は、クロスダイクロイックミラー４３に照射される。
クロスダイクロイックミラー４３は、分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂと、を有している。分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂとは、互いに交差している。分離ミラー部４３ａは、光４１の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部４３ｂも、光４１の入射方向に対して傾斜している。

このため、光４１は、分離ミラー部４３ａ及び分離ミラー部４３ｂの双方に対して斜めに照射される。
分離ミラー部４３ａは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを反射させることができる。他方で、分離ミラー部４３ｂは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを反射させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを透過させることができる。

従って、クロスダイクロイックミラー４３によって、光４１からＢの光４１Ｂが分離され得る。他方で、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇが混合した光５１が、光４１から分離され得る。
光４１Ｂの光軸５２ａと、光５１の光軸５２ｂとは、それぞれ、光４１の入射方向とは交差する。また、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。

反射ミラー４５は、光４１Ｂの光軸５２ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４５は、光軸５２ａの方向に対して傾斜している。
また、反射ミラー４７は、光５１の光軸５２ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５２ｂの方向に対して傾斜している。光５１は、反射ミラー４７によって光軸５２ｂが光軸５２ｃに変えられてから、ダイクロイックミラー４９に導かれる。

ダイクロイックミラー４９は、光５１の光軸５２ｃと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４９は、光軸５２ｃの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４９は、光５１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４９によって、光５１からＲの光４１Ｒと、Ｇの光４１Ｇとが分離され得る。

光４１Ｒは、光軸５２ｄに沿って画像形成装置３３に導かれる。光４１Ｇは、光軸５２ｅに沿って画像形成装置３５に導かれる。また、光４１Ｂは、反射ミラー４５によって光軸５２ａが光軸５２ｆに変えられてから、画像形成装置３７に導かれる。

画像形成装置３３、画像形成装置３５及び画像形成装置３７は、それぞれ、画像形成パネル５３を有している。
また、画像形成装置３３は、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを有している。画像形成装置３５は、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを有している。画像形成装置３７は、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを有している。

光合成部３９は、クロスダイクロイックプリズム５７を有している。クロスダイクロイックプリズム５７は、面５７ａと、面５７ｂと、面５７ｃと、面５７ｄと、を有している。
各画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７に対向した状態で設けられている。
画像形成装置３３の画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａに対向している。画像形成装置３５の画像形成パネル５３は、面５７ｂに対向している。画像形成装置３７の画像形成パネル５３は、面５７ｃに対向している。

偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、画像形成装置３３において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、画像形成装置３５において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、画像形成装置３７において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。

偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１Ｒの光軸５２ｄと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光軸５２ｄの方向に対して傾斜しており、光４１Ｒを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１Ｇの光軸５２ｅと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光軸５２ｅの方向に対して傾斜しており、光４１Ｇを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１Ｂの光軸５２ｆと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光軸５２ｆの方向に対して傾斜しており、光４１Ｂを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。

偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１ＲのうちのＳ偏光４１Ｒｓを反射させ、光４１ＲのうちのＰ偏光４１Ｒｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１ＧのうちのＳ偏光４１Ｇｓを反射させ、光４１ＧのうちのＰ偏光４１Ｇｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１ＢのうちのＳ偏光４１Ｂｓを反射させ、光４１ＢのうちのＰ偏光４１Ｂｐを透過させることができる。

ここで、各画像形成パネル５３は、ライトバルブとして反射型の液晶パネルを有している。
各液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。各液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル５３は、図２に示すように、複数の画素に入射されたＳ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓを、画素ごとに選択的にＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐに変化させることができる。

画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過することができる。他方で、画像形成パネル５３で偏光状態が維持されたまま、画像形成パネル５３から射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射する。このため、画像形成装置３３では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＲｐでＲの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置３５では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＧｐでＧの画像を形成することができる。画像形成装置３７では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＢｐでＢの画像を形成することができる。

画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過してから、光合成部３９のクロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３５において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｇｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３７において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｂｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。

Ｐ偏光４１Ｒｐは、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｇｐは、面５７ｂからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｂｐは、面５７ｃからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。
このため、面５７ａには、Ｒの画像が投影され、面５７ｂには、Ｇの画像が投影され、面５７ｃには、Ｂの画像が投影され得る。

クロスダイクロイックプリズム５７に入射したＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、クロスダイクロイックプリズム５７によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム５７によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム５７によって合成されたＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、画像光５９としてクロスダイクロイックプリズム５７の面５７ｄから射出される。

面５７ｄから射出された画像光５９は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５９は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射され得る。

ここで、画像形成パネル５３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル５３は、図３に示すように、液晶装置の１つである液晶パネル６１と、位相差板６３と、を有している。
なお、プロジェクタ１では、画像形成パネル５３は、位相差板６３側の面６５が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム５７側に向けられている。画像形成パネル５３では、面６５側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６５は、表示面６５と表記される。

ここで、液晶パネル６１には、液晶パネル６１の平面図である図４に示すように、複数の画素６７が設定されている。複数の画素６７は、領域６９内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。図４では、構成をわかりやすく示すため、画素６７が誇張され、且つ画素６７の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、走査線Ｔが延在する方向に相当している。Ｙ方向は、信号線Ｓが延在する方向に相当している。
また、領域６９は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６９は、表示領域６９と表記される。

液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図５に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６５側すなわち液晶７５側に、複数の画素６７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６５側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル５３における表示面６５の裏面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。

液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、対向基板７３の周縁よりも内側で表示領域６９を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
なお、素子基板７１、対向基板７３及びシール材７７によって囲まれた空間は、セルと呼ばれる。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６５側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル５３では、位相差板６３は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。

また、液晶パネル６１は、図４に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、封止材８５と、端子電極８７と、を有している。
なお、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、端子電極８７とは、後述するスイッチング素子と同様に、素子基板７１に形成されている。図４では、構成をわかりやすく示すため、端子電極８７が誇張され、且つ端子電極８７の個数が減じられている。

走査線駆動回路８１は、各走査線Ｔに選択信号を供給する。信号線駆動回路８３は、各信号線Ｓにデータ信号（画像データ）を供給する。
端子電極８７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの外部配線を接続するための端子である。端子電極８７と走査線駆動回路８１との間や、端子電極８７と信号線駆動回路８３との間は、配線８９を介して電気的につながっている。

さて、シール材７７には、注入口７７ａが形成されている。注入口７７ａは、液晶７５のセル内への導入路である。注入口７７ａは、環状に設けられるシール材７７の一部を欠いた構成を有しており、セル内とセル外とを連通させる。
本実施形態では、液晶７５のセル内への注入方法として、減圧注入法が採用されている。減圧注入法とは、注入口７７ａと液晶７５とを真空に近い減圧環境下で当接させてから、減圧環境の圧力を上昇させることによってセル内に液晶７５を注入する方法である。
注入口７７ａは、封止材８５によって塞がれている。これにより、液晶７５は、セル内に封止されている。
なお、セル内への液晶７５の注入方法は、減圧注入法に限定されず、滴下法（ＯＤＦ（One Drop Fill）とも呼ばれる）も採用され得る。滴下法が採用される場合、注入口７７ａ及び封止材８５は省略され得る。

マトリクスＭでは、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６７が、図６に示すように、１つの画素列９１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６７が、１つの画素行９２を構成している。

ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図７に示すように、第１基板９３と、素子層９４と、を有している。
第１基板９３は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６５側に向けられた第１面９３ａと、底面７９側に向けられた第２面９３ｂとを有している。

素子層９４は、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。素子層９４には、絶縁膜９５と、絶縁膜９７と、絶縁膜９９と、保護膜１０１と、配向膜１０３と、が含まれている。また、素子層９４には、画素６７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１０５と、画素電極１０７と、が含まれている。

絶縁膜９５は、第１基板９３の第１面９３ａに設けられている。絶縁膜９７は、絶縁膜９５の表示面６５側に設けられている。絶縁膜９９は、絶縁膜９７の表示面６５側に設けられている。画素電極１０７は、絶縁膜９９の表示面６５側に設けられている。保護膜１０１は、画素電極１０７の表示面６５側に設けられている。配向膜１０３は、保護膜１０１の表示面６５側に設けられている。
なお、絶縁膜９５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９５の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ＴＦＴ素子１０５と、画素電極１０７とは、それぞれ、各画素６７に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１０５は、拡大図である図８に示すように、半導体層１０９と、ゲート電極１１１と、を有している。半導体層１０９は、絶縁膜９５の表示面６５側に設けられている。各半導体層１０９は、ゲート絶縁膜１１２によって表示面６５側から覆われている。

半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１０９として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１１２の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１１２の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ゲート電極１１１は、ゲート絶縁膜１１２を挟んで半導体層１０９に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１１１の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどの不純物を注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１１１の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１１１として、多結晶シリコンにイオンなどの不純物を注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。

本実施形態では、半導体層１０９は、チャネル領域１０９ａと、ソース領域１０９ｂと、ドレイン領域１０９ｃと、を有している。
チャネル領域１０９ａは、平面視でゲート電極１１１に重なっている。ソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１０９ａの外側に設けられている。チャネル領域１０９ａは、ソース領域１０９ｂとドレイン領域１０９ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１０９としては、チャネル領域１０９ａとソース領域１０９ｂとの間や、チャネル領域１０９ａとドレイン領域１０９ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。

上記の構成を有するＴＦＴ素子１０５は、絶縁膜９７によって表示面６５側から覆われている。絶縁膜９７の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９７の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１２には、図８に示すように、コンタクトホール１１３ａと、コンタクトホール１１３ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１１３ａは、ソース領域１０９ｂに及んでいる。コンタクトホール１１３ｂは、ドレイン領域１０９ｃに及んでいる。コンタクトホール１１３ａ内には、ソース電極１１５が設けられている。コンタクトホール１１３ｂ内には、ドレイン電極１１７が設けられている。

絶縁膜９７の表示面６５側には、図７に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１１５に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１１５とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１１５を介して半導体層１０９のソース領域１０９ｂ（図８）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図７に示すように、絶縁膜９９によって表示面６５側から覆われている。絶縁膜９９の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜９９の材料として、酸化シリコンが採用されている。

ここで、図８に示すコンタクトホール１１３ｂは、絶縁膜９９の表示面６５側に及んでいる。ドレイン電極１１７は、図７に示すように、絶縁膜９９の表示面６５側に及んでいる。画素電極１０７とドレイン電極１１７とは、互いに電気的につながっている。画素電極１０７は、ドレイン電極１１７を介して半導体層１０９のドレイン領域１０９ｃ（図８）に電気的につながっている。
画素電極１０７としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１０７の材料として、アルミニウムが採用されている。本実施形態では、画素電極１０７は、反射膜としての機能も有している。

画素電極１０７及び絶縁膜９９の表示面６５側には、図７に示すように、画素電極１０７を覆うように保護膜１０１が設けられている。
保護膜１０１は、光透過性を有する絶縁膜である。保護膜１０１の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料が採用され得る。無機材料は、有機材料に比較して化学的な安定性が高い。このため、保護膜１０１の材料として無機材料を採用することは好ましい。酸化シリコンは光透過性が高く、形成も容易である。保護膜１０１として窒化シリコンを採用すれば、保護膜１０１下への水分の浸入を抑制することができるので、素子基板７１の信頼性が向上する。保護膜１０１は単一層で形成しても良いし、複数層で形成しても良い。例えば、保護膜１０１を酸化シリコンと窒化シリコンの積層構造としても良い。

薄膜による光の干渉効果を利用して、保護膜１０１の膜厚を最適化することにより、反射率を向上することもできる。シミュレーションによると、アルミニウムの画素電極１０７上に、保護膜１０１として酸化シリコン膜を６０ｎｍから１００ｎｍの膜厚に形成し、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を５０ｎｍから８０ｎｍの膜厚で形成すると、反射率向上の効果が高いことが分かっている。保護膜１０１の表面が比誘電率の高い窒化シリコン膜である場合、液晶が焼付きやすいということが実験から分かっている。保護膜１０１の表面は酸化シリコン膜である方が焼付き難い。保護膜１０１として、画素電極１０７側から順に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、という層構造にすると、反射率が高く、焼付き難い液晶パネル６１を得ることができる。本実施形態では、保護膜１０１の材料として、無機材料の１つである酸化シリコンが採用されている。

保護膜１０１の表示面６５側には、配向膜１０３が設けられている。配向膜１０３の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。また、斜方蒸着した酸化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１０３の材料として、斜方蒸着した酸化シリコンが採用されている。

対向基板７３は、第２基板１２１と、対向層１２２とを有している。第２基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６５側に向けられた外向面１２１ａと、底面７９側に向けられた対向面１２１ｂとを有している。
対向層１２２は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。対向層１２２には、絶縁膜１２３と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。

対向電極１２５は、絶縁膜１２３の底面７９側に設けられている。対向電極１２５の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１２５の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６７（図４）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１２５は、マトリクスＭを構成する複数の画素６７に対して共通して機能する。
なお、本実施形態では、画素６７の領域は、図７に示すように、１つの画素電極１０７と、対向電極１２５とが重なり合う領域であると定義され得る。

配向膜１２７は、対向電極１２５の底面７９側に設けられている。対向電極１２５は、配向膜１２７によって底面７９側から覆われている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。また、斜方蒸着した酸化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、斜方蒸着した酸化シリコンが採用されている。
なお、対向基板７３の構成としては、各画素６７の領域を区画する光吸収層を設けた構成も採用され得る。この場合、光吸収層は、対向面１２１ｂに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。光吸収層の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。

ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１１５は、図９に示すように、信号線Ｓを介して、画素列９１（図６）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１１１は、図９に示すように、走査線Ｔを介して、画素行９２（図６）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。

画素６７は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
各画素電極１０７は、図１０に示すように、各半導体層１０９に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素電極１０７は、各信号線Ｓと、各走査線Ｔとに重なっている。信号線Ｓと走査線Ｔとの交差部は、対応する画素電極１０７に重なっている。

素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図７に示すように、配向膜１０３と配向膜１２７との間に介在している。
本実施形態では、図５に示すシール材７７は、図７に示す第１基板９３の第１面９３ａと、第２基板１２１の対向面１２１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板９３及び第２基板１２１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１０３及び配向膜１２７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。

液晶７５は、図７に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／４波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。

液晶パネル６１では、画素電極１０７と対向電極１２５との間に電圧を印加すると、画素電極１０７と対向電極１２５との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１０５がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、画素電極１０７と対向電極１２５との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６７ごとに変化させることができる。
プロジェクタ１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１０５のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。

図７に示す配向膜１０３及び配向膜１２７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１０３及び配向膜１２７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
図１１（ａ）は、ＴＦＴ素子１０５がＯＦＦ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図であり、図１１（ｂ）は、ＴＦＴ素子１０５がＯＮ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図である。

画像形成装置３３では、偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１４１は、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、Ｓ偏光４１Ｒｓの偏光軸に対して直交している。
なお、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向がＰ偏光４１Ｒｐの偏光軸の方向を示し、Ｙ'方向がＳ偏光４１Ｒｓの偏光軸の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。

位相差板６３の遅相軸６３ａは、平面視でＸ'方向に対して、反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板６３に入射されたＳ偏光４１Ｒｓは、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１４３として液晶７５に入射される。なお、直線偏光１４３の偏光軸は、Ｘ'方向に対して、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有している。

液晶７５に入射された直線偏光１４３は、ＴＦＴ素子１０５がＯＦＦ状態のときに、図１１（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）直線偏光１４３として画素電極１０７に向けて射出される。
画素電極１０７に向けて射出された直線偏光１４３は、偏光状態が維持されたまま画素電極１０７で反射され、液晶７５に入射される。

画素電極１０７から液晶７５に入射された直線偏光１４３は、偏光状態が維持されたまま位相差板６３に入射される。位相差板６３に入射された直線偏光１４３は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有するＳ偏光４１Ｒｓとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射するため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過できない。

他方で、ＴＦＴ素子１０５がＯＮ状態のときに、液晶７５に入射された直線偏光１４３は、図１１（ｂ）に示すように、１／４波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光１４５として画素電極１０７に向けて射出される。
円偏光１４５は、画素電極１０７で反射され、平面視で時計方向に回転する（円偏光１４５とは逆回転の）円偏光１４７として液晶７５に入射される。

液晶７５に入射された円偏光１４７は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対して反時計方向に１３５度の傾きを有する偏光軸を有する直線偏光１４９として位相差板６３に入射される。
位相差板６３に入射された直線偏光１４９は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有するＰ偏光４１Ｒｐとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１４１の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過する。

このように、画像形成装置３３では、ＴＦＴ素子１０５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｒの画像の形成が制御される。
なお、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置３３と同様である。このため、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、ＴＦＴ素子１０５のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｇの画像の形成及びＢの画像の形成のそれぞれが制御され得る。

なお、本実施形態では、ＴＦＴ素子１０５がＯＦＦ状態のときに画像形成パネル５３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、所謂ノーマリホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。

さて、図４に示す信号線駆動回路８３は、図４中のＤ−Ｄ線における断面図である図１２に示すように、複数のトランジスタ素子１５１を有している。複数のトランジスタ素子１５１は、素子基板７１に設けられている。トランジスタ素子１５１は、前述したＴＦＴ素子１０５（図８）と同様の構成を有している。このため、トランジスタ素子１５１の各構成については、ＴＦＴ素子１０５の各構成と同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。なお、トランジスタ素子１５１のゲート電極１１１は、走査線Ｔにつながっていない。また、トランジスタ素子１５１のソース電極１１５は、信号線Ｓにつながっていない。

トランジスタ素子１５１は、ＴＦＴ素子１０５と同様に、絶縁膜９５の表示面６５側に設けられている。このため、トランジスタ素子１５１とＴＦＴ素子１０５とは、同じ工程で形成され得る。
信号線駆動回路８３は、複数のトランジスタ素子１５１のうちの一部のトランジスタ素子１５１が相互に電気的につながった単位回路を有している。図１２では、１つの単位回路のうちの一部のトランジスタ素子１５１が図示されている。

単位回路を構成する複数のトランジスタ素子１５１は、中継電極１５３を介して相互につながっている。中継電極１５３は、画素電極１０７と同様に絶縁膜９９の表示面６５側に設けられている。
このため、画素電極１０７の形成と、中継電極１５３の形成とは、同じ工程で実現され得る。なお、中継電極１５３の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの導電性が高い材料が採用され得る。また、画素電極１０７の形成と中継電極１５３の形成とを同じ工程で実現する観点から、中継電極１５３の材料としては、画素電極１０７の材料と同じ材料であることが好ましい。
本実施形態では、中継電極１５３は、材料としてアルミニウムが採用されており、且つ画素電極１０７と同一工程で形成されている。

互いにつながっているトランジスタ素子１５１は、一方のドレイン電極１１７と、他方のソース電極１１５とが、中継電極１５３を介して電気的につながっている。また、互いにつながっているトランジスタ素子１５１には、ゲート電極１１１同士がつながっているものもある。中継電極１５３は、保護膜１０１によって表示面６５側から覆われている。
入力段のトランジスタ素子１５１のゲート電極１１１やソース電極１１５は、配線８９を介して端子電極８７に電気的につながっている。

配線８９は、信号線Ｓと同様に、絶縁膜９７の表示面６５側に設けられている。このため、信号線Ｓの形成と、配線８９の形成とは、同じ工程で実現され得る。なお、信号線Ｓや配線８９の材料としては、例えば、金、銀、銅、アルミニウムなどの導電性が高い材料が採用され得る。
本実施形態では、信号線Ｓ及び配線８９は、絶縁膜９７の表示面６５側から順に、アルミニウム及び窒化チタンを積層した構成が採用されており、且つ同一工程で形成されている。このため、端子電極８７は、窒化チタンを介して配線８９に接続している。

端子電極８７の材料としては、例えば、ＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、端子電極８７の材料として、ＩＴＯが採用されている。
端子電極８７は、絶縁膜９９及び保護膜１０１に設けられたコンタクトホール１５５を介して、保護膜１０１の表示面６５側の面から配線８９まで延在している。
なお、走査線駆動回路８１も、信号線駆動回路８３と同様の構成を有している。

端子電極８７には、図示しないＦＰＣなどを介して、液晶７５を駆動するための制御信号が電気信号として入力される。この制御信号は、図１に示す液晶パネル制御部２５から出力される。制御信号の一部は、端子電極８７から配線８９を介して走査線駆動回路８１（図４）に入力される。制御信号の他の一部は、端子電極８７から配線８９を介して信号線駆動回路８３（図４）に入力される。
走査線駆動回路８１からは、走査線Ｔに選択信号が供給される。信号線駆動回路８３からは、信号線Ｓにデータ信号が供給される。選択信号及びデータ信号は、ともに電気信号である。

選択信号及びデータ信号によって各ＴＦＴ素子１０５の駆動が制御される。これにより、液晶７５に作用させる電界の発生を画素６７ごとに制御することができる。この結果、液晶７５の駆動を画素６７ごとに制御することができる。
以上のことから、走査線Ｔ及び信号線Ｓは、それぞれ、液晶７５の駆動を制御する電気信号をＴＦＴ素子１０５に伝送する配線であるとみなされ得る。そして、液晶７５の駆動を制御する電気信号が入力される端子電極８７は、走査線Ｔ及び信号線Ｓに電気的につながっているとみなされ得る。

ここで、液晶パネル６１の製造方法について説明する。
液晶パネル６１の製造方法は、素子基板７１の製造工程と、対向基板７３の製造工程と、液晶パネル６１の製造工程と、に大別される。
素子基板７１の製造工程では、図１３（ａ）に示すように、まず、第１基板９３に絶縁膜９５を形成してから、ＴＦＴ素子１０５及びトランジスタ素子１５１を形成する。
次いで、ＴＦＴ素子１０５及びトランジスタ素子１５１の表示面６５側に、ＴＦＴ素子１０５及びトランジスタ素子１５１を覆う絶縁膜９７を形成する。

ここで、絶縁膜９５は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術やＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）技術などを活用することによって形成され得る。
ＴＦＴ素子１０５及びトランジスタ素子１５１の形成では、まず、絶縁膜９５の表示面６５側に、半導体層１０９を形成する。半導体層１０９は、ＣＶＤ技術などを活用してＳｉ膜を形成してから、Ｓｉ膜をパターニングすることによって形成され得る。Ｓｉ膜のパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。

半導体層１０９の形成に次いで、半導体層１０９に熱酸化処理を施すことにより、半導体層１０９を表示面６５側から覆うゲート絶縁膜１１２を形成する。
次いで、ゲート絶縁膜１１２の表示面６５側及び絶縁膜９５の表示面６５側に、ゲート電極１１１及び図９に示す走査線Ｔとして、不純物が注入された多結晶シリコンを形成する。ゲート電極１１１及び走査線Ｔは、不純物が注入された多結晶シリコン膜を形成してから、不純物が注入された多結晶シリコン膜をパターニングすることによって形成され得る。このとき、不純物が注入された多結晶シリコン膜の形成では、例えば、ＣＶＤ技術などが活用され得る。不純物が注入された多結晶シリコン膜のパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。

次いで、半導体層１０９にゲート絶縁膜１１２を介して不純物を注入することによって、図８に示すソース領域１０９ｂ及びドレイン領域１０９ｃを自己整合的に形成する。
これにより、ＴＦＴ素子１０５及びトランジスタ素子１５１が形成され得る。
絶縁膜９７の形成では、例えば、ＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などが活用され得る。

絶縁膜９７の形成に次いで、図１３（ｂ）に示すように、絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１２を貫通するコンタクトホール１１３ａを形成する。コンタクトホール１１３ａの形成では、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。
次いで、図１３（ｃ）に示すように、ソース電極１１５、信号線Ｓ及び配線８９を形成する。ソース電極１１５、信号線Ｓ及び配線８９は、金属膜を形成してから、金属膜をパターニングすることによって形成され得る。このとき、金属膜の形成では、例えば、蒸着技術やスパッタリング技術などが活用され得る。金属膜のパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。

次いで、図１４（ａ）に示すように、絶縁膜９７、信号線Ｓ及び配線８９の表示面６５側に絶縁膜９９を形成する。絶縁膜９９の形成では、例えば、ＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などが活用され得る。
次いで、図１４（ｂ）に示すように、絶縁膜９９、絶縁膜９７及びゲート絶縁膜１１２を貫通するコンタクトホール１１３ｂを形成する。コンタクトホール１１３ｂの形成では、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。
次いで、図１５（ａ）に示すように、画素電極１０７及び中継電極１５３を形成する。このとき、ＴＦＴ素子１０５では、ドレイン電極１１７も形成される。また、トランジスタ素子１５１では、ドレイン電極１１７とともに、中継電極１５３につながるソース電極１１５も形成される。

画素電極１０７及び中継電極１５３は、金属膜を形成してから、金属膜をパターニングすることによって形成され得る。このとき、金属膜の形成では、例えば、蒸着技術やスパッタリング技術などが活用され得る。金属膜のパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。
次いで、図１５（ｂ）に示すように、絶縁膜９９、画素電極１０７及び中継電極１５３の表示面６５側に、画素電極１０７及び中継電極１５３を絶縁膜９９を表示面６５側から覆う保護膜１０１を形成する。保護膜１０１の形成では、例えば、ＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などが活用され得る。

次いで、図１６（ａ）に示すように、保護膜１０１及び絶縁膜９９を貫通して配線８９に至るコンタクトホール１５５を形成する。コンタクトホール１５５の形成では、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。保護膜１０１上にレジストを塗布し、露光、現像を行って、コンタクトホール１５５が形成されない領域にレジストを残す。続いて、保護膜１０１及び絶縁膜９９をエッチングして、コンタクトホール１５５を形成する。その後、レジストを剥離する。このコンタクトホール形成工程では、保護膜１０１の存在によって画素電極１０７及び中継電極１５３がレジスト、現像液、剥離液等に晒されることが無い。よって、画素電極１０７及び中継電極１５３がコンタクトホール形成工程において膜減りしたり損傷したりすることは無い。

次いで、図１６（ｂ）に示すように、保護膜１０１の表示面６５側からコンタクトホール１５５を介して配線８９に至る端子電極８７を形成する。端子電極８７は、ＩＴＯの膜を形成してから、ＩＴＯの膜をパターニングすることによって形成され得る。このとき、ＩＴＯの膜の形成では、例えば、蒸着技術やスパッタリング技術などが活用され得る。ＩＴＯの膜のパターニングでは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術が活用され得る。
保護膜１０１の存在によって、ＩＴＯの膜が画素電極１０７及び中継電極１５３に接触することは無い。また、コンタクトホール形成工程と同様に、画素電極１０７及び中継電極１５３がレジスト、現像液、剥離液等に晒されることは無い。よって、画素電極１０７及び中継電極１５３が端子電極形成工程において膜減りしたり損傷したりすることは無い。

次いで、図７に示すように、保護膜１０１の表示面６５側に配向膜１０３を形成することによって素子基板７１が製造され得る。なお、配向膜１０３は、斜方蒸着法によって形成され得る。

対向基板７３の製造工程では、図７に示すように、まず、第２基板１２１の対向面１２１ｂに絶縁膜１２３を形成する。絶縁膜１２３は、例えば、ＣＶＤ技術やＰＶＤ技術などを活用することによって形成され得る。
次いで、絶縁膜１２３の底面７９側に、対向電極１２５としてＩＴＯの膜を形成する。このとき、ＩＴＯの膜の形成では、例えば、蒸着技術やスパッタリング技術などが活用され得る。

次いで、対向電極１２５の底面７９側に、配向膜１２７を形成することによって対向基板７３が製造され得る。なお、配向膜１２７は、斜方蒸着法によって形成され得る。

液晶パネル６１の製造工程では、まず、素子基板７１と、対向基板７３とを、シール材７７（図４）を介して接合する。このとき、シール材７７は、図４に示すように、平面視で環状の輪郭の一部を欠いた状態で設けられる。シール材７７の環状の輪郭の一部を欠いた部分は、液晶７５の注入口７７ａとなる。
次いで、液晶７５を注入口７７ａから注入してから、注入口７７ａを封止材８５で塞いで液晶７５をセル内に封入する。これにより、液晶パネル６１が製造され得る。

本実施形態において、画素電極１０７が電極としての反射膜に対応し、コンタクトホール１５５がコンタクトホールに対応し、配線８９並びに信号線Ｓ及び走査線Ｔが配線に対応している。
本実施形態では、画素電極１０７及び中継電極１５３は、保護膜１０１によって表示面６５側から覆われている。端子電極８７は、保護膜１０１を貫通するコンタクトホール１５５を介して配線８９につながっている。

この構成により、本実施形態では、画素電極１０７及び中継電極１５３を保護膜１０１で覆ってから、コンタクトホール１５５の形成や、端子電極８７の形成を行う製造方法が採用されている。つまり、本実施形態では、画素電極１０７及び中継電極１５３を保護膜１０１で保護した状態で、コンタクトホール１５５や、端子電極８７の形成が行われる。これにより、画素電極１０７及び中継電極１５３がフォトリソグラフィ処理やエッチング処理などに起因する損傷を受けにくくすることができる。このため、液晶パネル６１の信頼性を向上させやすくすることができる。また、この結果、端子電極８７の材料として、画素電極１０７及び中継電極１５３の材料とは異なる材料を採用することができる。

また、本実施形態では、端子電極８７の材料として光透過性を有する材料であるＩＴＯが採用されている。ＩＴＯは、アルミニウムに比較してエレクトロマイグレーションが発生しにくい。このため、液晶パネル６１の信頼性を一層向上させやすくすることができる。
さらに、エレクトロマイグレーションが発生しにくいＩＴＯでは、端子電極８７の狭ピッチ化、隣り合う端子電極８７間の距離を短くすることができる。この結果、液晶パネル６１において、端子電極８７の数を増やすことができる。液晶パネル６１の小型化や高精細化を図ることができる。

また、本実施形態では、画素電極１０７が反射膜としての機能も有しているので、液晶７５を駆動するための電界を形成する電極と、反射膜とを個別に設ける構成に比較して、構成を簡略化することができる。

なお、本実施形態では、端子電極８７が保護膜１０１の表示面６５側の面から配線８９にまで延在している構成が採用されているが、端子電極８７の構成はこれに限定されない。端子電極８７の構成としては、配線８９が端子電極８７を兼ねる構成も採用され得る。
配線８９が端子電極８７を兼ねる構成としては、例えば、図１７に示すように、端子電極８７を省略した構成が挙げられる。この構成では、配線８９のうちでコンタクトホール１５５内の領域が端子電極８７を兼ねている。この構成においても、画素電極１０７及び中継電極１５３がフォトリソグラフィ処理やエッチング処理などに起因する損傷を受けにくくすることができる。
さらに、図１７に示す構成において、配線８９の材料としてＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物を採用すれば、端子電極８７の一層の狭ピッチ化が図られる。

配線８９が端子電極８７を兼ねる別の構成としては、例えば、図１８に示すように、配線８９の表示面６５側に端子電極８７をパターニングした構成も採用され得る。端子電極８７の材料としてＩＴＯやインジウム亜鉛酸化物を採用すれば、端子電極８７の狭ピッチ化が可能となる。ＩＴＯの抵抗率はアルミニウム等の金属膜に比べると高いが、図１８に示す構成であれば、配線８９を抵抗率の低いアルミニウムと窒化チタン等の積層膜にすることができるので、端子電極８７がＩＴＯであっても配線抵抗を低くすることができる。図１８に示す構成においても、保護膜１０１を形成してからコンタクトホール１５５を形成する方法が採用され得る。このため、図１８に示す構成においても、画素電極１０７及び中継電極１５３がフォトリソグラフィ処理やエッチング処理などに起因する損傷を受けにくくすることができる。
さらに、図１８に示す構成では、端子電極８７を配線８９の経路に沿ってパターニングすれば、端子電極８７に配線８９の導電性を補助する補助配線としての機能をもたせることができる。

また、端子電極８７の構成としては、例えば、図１９に示すように、配線８９と端子電極８７との間に中継電極１５７を介在させた構成も採用され得る。
図１９に示す構成では、絶縁膜９９に絶縁膜９９を貫通する複数（本例では２つ）のコンタクトホール１１３ｃが設けられる。コンタクトホール１１３ｃは、絶縁膜９９の表示面６５側から配線８９に至っている。

中継電極１５７は、絶縁膜９９の表示面６５側でコンタクトホール１１３ｃに重なる領域に設けられている。中継電極１５７は、絶縁膜９９の表示面６５側に設けられているので、画素電極１０７及び中継電極１５３と同じ材料且つ同じ工程で形成され得る。本例では、中継電極１５７は、材料としてアルミニウムが採用さており、画素電極１０７及び中継電極１５３と同じ工程で形成されている。

保護膜１０１を形成するとき、中継電極１５７は、画素電極１０７及び中継電極１５３とともに保護膜１０１によって表示面６５側から覆われる。そして、保護膜１０１には、保護膜１０１を貫通するコンタクトホール１５９が設けられる。コンタクトホール１５９は、保護膜１０１の表示面６５側から中継電極１５７に至っている。
端子電極８７は、コンタクトホール１５９を介して中継電極１５７に電気的につながっている。ここで、端子電極８７と中継電極１５７との間に下地電極１６１を介在させることが好ましい。これは、ＩＴＯとアルミニウムとを直接的に接続することが困難であるからである。なお、下地電極１６１の材料としては、例えば窒化チタンなどが採用され得る。

図１９に示す構成では、保護膜１０１の表示面６５側から配線８９までの間を、コンタクトホール１５９の区間と、コンタクトホール１１３ｃの区間とにわけることができる。そして、これらの区間ごとに電極（端子電極８７や中継電極１５７）が形成されている。よって、各コンタクトホール１５９，１１３ｃの深さが浅くなり、コンタクトホール１５９，１１３ｃの形成が容易になる。コンタクトホールを基板全面に均一に形成しやすくなるので、液晶パネル６１の信頼性が一層向上する。

第１実施形態では、液晶パネル６１をプロジェクタ１に適用した例を説明したが、液晶パネル６１の適用はプロジェクタ１に限定されない。液晶パネル６１は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
液晶パネル６１を表示装置に適用した例を、第２実施形態として説明する。
以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。

表示装置１０は、図２０に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６３と、偏光板１７１と、を有している。
表示装置１０では、表示面６５を介して液晶７５に入射された外光を、画素電極１０７で表示面６５側に反射させて、その反射光を表示面６５側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置１０の表示面６５から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。

液晶パネル６１は、図２０中のＥ−Ｅ線における断面図である図２１に示すように、対向基板１７３を有している。第２実施形態での液晶パネル６１は、第１実施形態での液晶パネル６１の対向基板７３が対向基板１７３に替えられていることを除いては、第１実施形態での液晶パネル６１と同様の構成を有している。
偏光板１７１は、位相差板６３よりも表示面６５側に設けられている。偏光板１７１は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。

なお、偏光板１７１よりも表示面６５側や、偏光板１７１と位相差板６３との間、位相差板６３と対向基板１７３との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶７５を表示面６５の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶７５の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。

光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。

表示装置１０に設定されている複数の画素６７は、それぞれ、表示面６５から射出する光の色が、図２２に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素６７は、Ｒの光を射出する画素６７Ｒと、Ｇの光を射出する画素６７Ｇと、Ｂの光を射出する画素６７Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素６７という表記と、画素６７Ｒ、６７Ｇ及び６７Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

また、表示装置１０では、１つの画素列９１内の各画素６７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素６７ＲがＹ方向に配列した画素列９１Ｒと、複数の画素６７ＧがＹ方向に配列した画素列９１Ｇと、複数の画素６７ＢがＹ方向に配列した画素列９１Ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列９１Ｒ、画素列９１Ｇ及び画素列９１Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列９１という表記と、画素列９１Ｒ、画素列９１Ｇ及び画素列９１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。

ここで、対向基板１７３の構成について説明する。
対向基板１７３は、図２２中のＦ−Ｆ線における断面図である図２３に示すように、対向層１７４を有している。対向層１７４は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。
対向層１７４には、光吸収層１７５と、カラーフィルタ１７７と、オーバーコート層１７９と、対向電極１２５と、配向膜１２７と、が含まれている。

光吸収層１７５は、第２基板１２１の対向面１２１ｂに設けられている。光吸収層１７５は、平面図で格子状に設けられており、各画素６７を区画している。表示装置１０では、各画素６７の領域は、光吸収層１７５によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層１７５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
カラーフィルタ１７７は、各画素６７に対応して設けられている。カラーフィルタ１７７は、第２基板１２１の対向面１２１ｂ側に設けられており、光吸収層１７５によって囲まれた各領域、すなわち各画素６７の領域を底面７９側から覆っている。

ここで、カラーフィルタ１７７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１７７は、画素６７Ｒ、画素６７Ｇ及び画素６７Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素６７Ｒに対応するカラーフィルタ１７７は、Ｒの光を透過させることができる。画素６７Ｇに対応するカラーフィルタ１７７はＧの光を透過させ、画素６７Ｂに対応するカラーフィルタ１７７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１７７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１７７Ｒ、１７７Ｇ及び１７７Ｂという表記が用いられる。

オーバーコート層１７９は、カラーフィルタ１７７の底面７９側に設けられている。オーバーコート層１７９は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、カラーフィルタ１７７を底面７９側から覆っている。
第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、第２実施形態においても、素子基板７１として、図１７、図１８及び図１９のそれぞれに示す構成が採用され得る。

なお、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。

また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、半導体層１０９として多結晶シリコンが採用されているが、半導体層１０９はこれに限定されない。半導体層１０９としては、例えば、単結晶シリコンや非晶質シリコンなども採用され得る。

上述した表示装置１０は、例えば、図２４に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１０が適用されているので、表示部５１０における信頼性を向上させやすくすることができる。

なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
また、液晶パネル６１としては、適用される電子機器は、これらに限定されず、ヘッドアップディスプレイなどの電子機器にも適用され得る。

第１実施形態におけるプロジェクタの主要構成を示すブロック図。 第１実施形態におけるプロジェクタの画像形成部の主要構成を示す図。 第１実施形態におけるプロジェクタの画像形成パネルを示す斜視図。 本実施形態での液晶パネルを示す平面図。 図３中のＡ−Ａ線における断面図。 本実施形態での液晶パネルにおける複数の画素の一部を示す平面図。 図６中のＣ−Ｃ線における断面図。 図７中のＴＦＴ素子の拡大図。 本実施形態での半導体層、信号線及び走査線の配置を説明する平面図。 本実施形態での画素電極の配置を説明する平面図。 第１実施形態での画像形成パネルにおける偏光状態を説明する図。 図４中のＤ−Ｄ線における断面図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する断面図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する断面図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する断面図。 本実施形態における素子基板の製造工程を説明する断面図。 本実施形態での素子基板の他の構成例を示す断面図。 本実施形態での素子基板の他の構成例を示す断面図。 本実施形態での素子基板の他の構成例を示す断面図。 第２実施形態における表示装置の主要構成を示す斜視図。 図２０中のＥ−Ｅ線における断面図。 第２実施形態での表示装置における複数の画素の一部を示す平面図。 図２２中のＦ−Ｆ線における断面図。 第２実施形態における表示装置が適用された電子機器の斜視図。

符号の説明

１…プロジェクタ、５…制御回路、１０…表示装置、１３…画像形成部、２５…液晶パネル制御部、３３，３５，３７…画像形成装置、５３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６５…表示面、６７…画素、６９…表示領域、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８７…端子電極、８９…配線、９３…第１基板、９３ａ…第１面、９３ｂ…第２面、９５…絶縁膜、９７…絶縁膜、９９…絶縁膜、１０１…保護膜、１０５…ＴＦＴ素子、１０７…画素電極、１１３ａ，１１３ｂ…コンタクトホール、１１３ｃ…コンタクトホール、１２１…第２基板、１２１ａ…外向面、１２１ｂ…対向面、１２５…対向電極、１５１…トランジスタ素子、１５３…中継電極、１５５…コンタクトホール、１５７…中継電極、１５９…コンタクトホール、１６１…下地電極、１７３…対向基板、１７４…対向層、５００…電子機器、Ｓ…信号線、Ｔ…走査線。

Claims (11)

1. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、
   複数の画素と、
   前記画素に対応して前記第１基板と前記液晶との間に設けられた、前記液晶から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
   前記反射膜の前記液晶側の面を覆う保護膜と、
   前記画素に対応して前記第１基板と前記反射膜との間に設けられたスイッチング素子と、
   前記第１基板と前記反射膜との間に設けられた、前記液晶の駆動を制御する電気信号を前記スイッチング素子に伝送する配線と、
   前記保護膜を貫通するコンタクトホールと、
   少なくとも前記コンタクトホールと重なるように設けられた、前記電気信号が入力される端子電極と、
   を有することを特徴とする液晶装置。
2. 前記反射膜は、前記液晶を駆動するための電界を生成する電極を兼ねていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
3. 前記反射膜は、アルミニウムを含有する材料で構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
4. 前記端子電極は、光透過性を有する材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
5. 前記光透過性を有する材料は、インジウム錫酸化物及びインジウム亜鉛酸化物の少なくとも一方を含有していることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
6. 前記保護膜は、無機材料で構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置。
7. 前記端子電極は、前記コンタクトホールを介して前記配線と電気的につながっていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
8. 前記配線が前記端子電極を兼ねていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の液晶装置。
9. 第１基板と、
   前記第１基板に対向する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶と、
   複数の画素と、
   前記画素に対応して前記第１基板と前記液晶との間に設けられた、前記液晶から前記第１基板側に向かう光を前記第２基板側に反射させる反射膜と、
   前記画素に対応して前記第１基板と前記反射膜との間に設けられたスイッチング素子と、
   前記第１基板と前記反射膜との間に設けられた、前記液晶の駆動を制御する電気信号を前記スイッチング素子に伝送する配線と、
   前記配線に電気的につながった、前記電気信号が入力される端子電極と、を有する液晶装置の製造方法であって、
   前記反射膜の前記液晶側の面を覆う保護膜を形成し、前記保護膜にコンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールを介して前記配線に電気的につながる導電膜を形成し、前記導電膜にエッチング処理を施すことにより、前記端子電極を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
10. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置をライトバルブとして有することを特徴とするプロジェクタ。
11. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。

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