JP2010085882A - 液晶装置、プロジェクタ及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】従来の液晶装置では、表示品位を向上させることが困難である。
【解決手段】表示領域６９内に設けられた複数の有効画素と、表示領域６９の外周に沿って表示領域６９の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、第１ダミー画素に対して表示領域６９とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、第１ダミー画素に対して表示領域６９とは反対側から表示領域６９内に向かって延在し、有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続され、第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示を行う電位に維持されることを特徴とする液晶装置。
【選択図】図７
【解決手段】表示領域６９内に設けられた複数の有効画素と、表示領域６９の外周に沿って表示領域６９の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、第１ダミー画素に対して表示領域６９とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、第１ダミー画素に対して表示領域６９とは反対側から表示領域６９内に向かって延在し、有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続され、第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示を行う電位に維持されることを特徴とする液晶装置。
【選択図】図７
Description
本発明は、液晶装置、プロジェクタ及び電子機器に関する。
従来、反射型の液晶パネルにおいて、表示領域の周囲にダミーパターンを配置した構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
上記特許文献１に記載された構成によれば、液晶パネル用基板に研磨処理を施したときの平坦性を向上させやすくすることができる。この結果、液晶の厚み（セルギャップ）のばらつきを軽減しやすくすることができるので、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
ところで、液晶パネルにおいては、セル内の空間（以下、「セル空間」と呼ぶ）に液晶を注入する方法の１つとして減圧注入法が広く知られている。減圧注入法とは、セルに設けられた液晶の注入口と液晶とを真空に近い減圧環境下で当接させてから、減圧環境の圧力を上昇させることによってセル空間に液晶を注入する方法である。
ここで、液晶が注入されるセル空間は、一対の基板間に環状のシール材が挟持されることによって形成され得る。一対の基板と環状のシール材とによって仕切られた空間がセル空間とされる。そして、液晶の注入口は、環状のシール材の一部を欠いた構成を有し、セル空間とセル外とを連通させる。この注入口は、液晶をセル内に注入した後に、封止材などで塞がれる。
ここで、表示領域に対するシール材の位置には、誤差が発生する。この誤差を吸収するために、表示領域の周囲にマージンとしてのダミーパターン（ダミー画素）を設けることがある。ダミー画素が設けられている領域（以下、ダミー領域と呼ぶ）内にシール材の位置誤差が収まれば、表示領域がシール材に重なってしまうことを避けることができる。ところが、この構成では、ダミー画素がシール材の内側で視認されることがある。そこで、表示領域を囲むダミー画素に、黒表示と白表示の表示モードのうちで黒表示を維持させることが考えられる。これにより、ダミー画素がシール材の内側で視認されることがあっても、ダミー画素を目立ちにくくすることができる。
さて、前述した注入口を封止材で塞いだ後に、封止材による注入口の閉塞状態を確認するために、注入口を透かして封止材を目視や画像認識技術でチェックすることがある。
ところが、反射型の液晶パネルでは、光を反射させるための反射膜（反射電極）があるため、反射膜が注入口に重なっていると、注入口を透かすことができない。
そこで、注入口に重なる領域に対しては、ダミー画素を配置することを避けることが考えられる。この構成では、注入口に重なる領域とシール材に重なる領域とで、ダミー領域の幅が異なる。ダミー領域の幅は、シール材に重なる領域と、注入口に重なる領域とでは、注入口に重なる領域の方が狭い。
ところが、反射型の液晶パネルでは、光を反射させるための反射膜（反射電極）があるため、反射膜が注入口に重なっていると、注入口を透かすことができない。
そこで、注入口に重なる領域に対しては、ダミー画素を配置することを避けることが考えられる。この構成では、注入口に重なる領域とシール材に重なる領域とで、ダミー領域の幅が異なる。ダミー領域の幅は、シール材に重なる領域と、注入口に重なる領域とでは、注入口に重なる領域の方が狭い。
ところで、液晶パネルには、各画素に画像信号を供給する信号線が設けられているものがある。信号線は、シール材の外側から表示領域の内側に向かって延びている。
前述したダミー画素を有する構成では、信号線は、ダミー領域をまたぐことになる。このため、ダミー画素の画素電極と信号線との間に寄生容量が形成される。この寄生容量は、液晶を駆動するための駆動電圧を降下させる要因の１つとなる。
上述したダミー領域の幅が異なる構成では、ダミー領域と信号線との重畳領域は、ダミー領域の幅に応じて異なる。上述の例では、ダミー領域と信号線との重畳領域は、注入口に重なる領域における重畳領域の方が、シール材に重なる領域における重畳領域よりも小さい。
前述したダミー画素を有する構成では、信号線は、ダミー領域をまたぐことになる。このため、ダミー画素の画素電極と信号線との間に寄生容量が形成される。この寄生容量は、液晶を駆動するための駆動電圧を降下させる要因の１つとなる。
上述したダミー領域の幅が異なる構成では、ダミー領域と信号線との重畳領域は、ダミー領域の幅に応じて異なる。上述の例では、ダミー領域と信号線との重畳領域は、注入口に重なる領域における重畳領域の方が、シール材に重なる領域における重畳領域よりも小さい。
つまり、信号線には、ダミー領域に重なり合う重畳領域が小さい信号線と、重畳領域が大きい信号線とが出現する。また、ダミー画素の画素電極と信号線との間に形成される寄生容量は、ダミー領域と信号線との重畳領域の大きさに応じて異なる。これらの結果、信号線には、寄生容量が大きい信号線と、寄生容量が小さい信号線とが出現する。このことは、駆動電圧の降下（電圧降下）量が大きい画素と小さい画素とが出現することを意味する。このため、表示領域内のすべての画素に同じ駆動電圧を印加しても、画素間での輝度のばらつきが発生することがある。
つまり、信号線がダミー領域をまたぐ液晶装置では、表示品位を向上させることが困難であるという課題がある。
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現され得る。
［適用例１］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、画像が表示され得る表示領域内に設けられた複数の有効画素と、前記表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、複数の前記有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、複数の前記第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、複数の前記第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側から前記表示領域内に向かって延在し、前記有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、前記信号線は、前記信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続され、前記信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されず、前記第１ダミー画素電極は、前記第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち前記黒表示を行う電位に維持される、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の有効画素と、複数の第１ダミー画素と、複数の第２ダミー画素と、有効画素電極と、第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素電極と、対向電極と、複数の信号線と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
上記の構成によれば、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
［適用例２］上記の液晶装置であって、前記信号線と前記第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、前記複数の信号線間で相互に同じ大きさであることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、信号線と第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、複数の信号線間で相互に同じ大きさである。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。これにより、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
［適用例３］上記の液晶装置であって、ノーマリブラックの表示モードにおいて、前記第１ダミー画素電極は、前記対向電極と略同等の電位に維持される、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例では、ノーマリブラックの表示モードにおいて、第１ダミー画素電極が対向電極と略同等の電位に維持される。このため、第１ダミー画素は、黒表示を行うことができる。
［適用例４］上記の液晶装置であって、前記有効画素、前記第１ダミー画素及び前記第２ダミー画素を含めた複数の画素の前記画素ごとに設けられ、前記第２基板を経て前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜を有することを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、反射膜を有している。反射膜は、有効画素、第１ダミー画素及び第２ダミー画素を含めた複数の画素の画素ごとに設けられている。反射膜は、第２基板を経て液晶に入射された光を第２基板側に反射させる。
この構成により、反射表示を行うことができる。
この構成により、反射表示を行うことができる。
［適用例５］上記の液晶装置であって、複数の前記第２ダミー画素のうちの一部の前記第２ダミー画素には、前記反射膜が欠落した欠落画素が含まれていることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、複数の第２ダミー画素のうちの一部の第２ダミー画素に、反射膜が欠落した欠落画素が含まれている。第２ダミー画素は、表示領域よりも外側に位置している。このため、一部の第２ダミー画素に欠落画素が含まれていても、表示品位を維持することができる。
［適用例６］上記の液晶装置であって、前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極のそれぞれが、前記反射膜を兼ねていることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極のそれぞれが、反射膜を兼ねている。このため、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極、並びに反射膜のそれぞれを個別に設ける構成に比較して、液晶装置の構成を簡略化することができる。
［適用例７］上記の液晶装置であって、前記表示領域の外側で前記表示領域を囲む領域に設けられたシール材と、前記シール材に設けられた前記液晶の注入口と、を有しており、前記欠落画素が、前記注入口の領域に重なっている、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、シール材と、液晶の注入口と、を有している。シール材は、表示領域の外側で表示領域を囲む領域に設けられている。注入口は、シール材に設けられている。
この適用例では、欠落画素が注入口の領域に重なっているので、注入口の領域において、第２基板から液晶側に入射した光が液晶及び第１基板を透過しやすい。このため、注入口を透かしやすくすることができる。
この適用例では、欠落画素が注入口の領域に重なっているので、注入口の領域において、第２基板から液晶側に入射した光が液晶及び第１基板を透過しやすい。このため、注入口を透かしやすくすることができる。
［適用例８］第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、画像が表示され得る表示領域内に設けられた複数の有効画素と、前記表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、複数の前記有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、複数の前記第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、複数の前記第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側から前記表示領域内に向かって延在し、前記有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、前記第１ダミー画素電極は、前記第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち前記黒表示を行う電位に維持され、前記第２ダミー画素電極は、電気的に浮いている、ことを特徴とする液晶装置。
この適用例の液晶装置は、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の有効画素と、複数の第１ダミー画素と、複数の第２ダミー画素と、有効画素電極と、第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素電極と、対向電極と、複数の信号線と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。第２ダミー画素電極は、電気的に浮いている。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。第２ダミー画素電極は、電気的に浮いている。
上記の構成によれば、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
［適用例９］上記の液晶装置であって、前記信号線と前記第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、前記複数の信号線間で相互に同じ大きさであることを特徴とする液晶装置。
この適用例では、信号線と第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、複数の信号線間で相互に同じ大きさである。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。これにより、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
［適用例１０］上記の液晶装置をライトバルブとして有することを特徴とするプロジェクタ。
この適用例のプロジェクタは、ライトバルブとしての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の有効画素と、複数の第１ダミー画素と、複数の第２ダミー画素と、有効画素電極と、第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素電極と、対向電極と、複数の信号線と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１ダミー画素に対して表示領域とは反対側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
この液晶装置によれば、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この適用例では、表示品位を向上させやすくすることができる液晶装置がライトバルブとして適用されているので、プロジェクタにおける表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この適用例では、表示品位を向上させやすくすることができる液晶装置がライトバルブとして適用されているので、プロジェクタにおける表示品位を向上させやすくすることができる。
［適用例１１］上記の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
この適用例の電子機器は、表示部としての液晶装置が、第１基板と、第２基板と、液晶と、複数の有効画素と、複数の第１ダミー画素と、複数の第２ダミー画素と、有効画素電極と、第１ダミー画素電極と、第２ダミー画素電極と、対向電極と、複数の信号線と、を有している。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１領域の外側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
第２基板は、第１基板に対向している。液晶は、第１基板及び第２基板の間に挟持されている。複数の有効画素は、表示領域内に設けられている。表示領域は、画像が表示され得る領域である。複数の第１ダミー画素は、表示領域の外周に沿って、表示領域の外側に設けられている。複数の第２ダミー画素は、第１領域の外側に設けられている。
有効画素電極は、有効画素ごとに設けられている。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素ごとに設けられている。第２ダミー画素電極は、第２ダミー画素ごとに設けられている。対向電極は、有効画素電極、第１ダミー画素電極及び第２ダミー画素電極に対向している。複数の信号線は、第１領域の外側から表示領域内に向かって延在している。複数の信号線は、有効画素電極に画像信号を供給する。信号線は、信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続されており、信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されていない。第１ダミー画素電極は、第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち黒表示を行う電位に維持される。
この液晶装置によれば、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、液晶を駆動するための駆動電圧における電圧降下を、複数の信号線間で相互に同等にしやすくすることができる。このため、第２ダミー画素の個数を信号線ごとに異ならせても、有効画素の輝度を表示領域内でそろえやすくすることができる。この結果、液晶装置における表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この適用例では、表示品位を向上させやすくすることができる液晶装置が表示部として適用されているので、電子機器の表示部における表示品位を向上させやすくすることができる。
そして、この適用例では、表示品位を向上させやすくすることができる液晶装置が表示部として適用されているので、電子機器の表示部における表示品位を向上させやすくすることができる。
第１実施形態について、電子機器の１つであるプロジェクタを例に、図面を参照しながら説明する。
本実施形態におけるプロジェクタ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクタ１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
本実施形態におけるプロジェクタ１は、主要構成を示すブロック図である図１に示すように、光学系３と、制御回路５と、電源部７と、を有している。プロジェクタ１は、図示しない外部装置から入力される画像信号に応じた画像を、光学系３を介してスクリーン８などに投射することができる。
光学系３は、画像信号に基づいた画像を形成し、形成した画像をスクリーン８などに投射する。制御回路５は、画像信号に基づいて光学系３の駆動を制御する。
なお、プロジェクタ１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
なお、プロジェクタ１では、外部電源９から入力される電力が、電源部７によって直流電力に変換される。光学系３や制御回路５などには、電源部７から直流電力が供給される。
光学系３は、ランプ１１と、画像形成部１３と、投射レンズ部１５と、を有している。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
ランプ１１は、画像形成部１３や投射レンズ部１５を経てスクリーン８に向けて射出される投射光１７を発生する。ランプ１１としては、例えば、高圧水銀ランプやメタルハライドランプなどが採用され得る。
画像形成部１３は、後述する液晶パネルなどを有している。画像形成部１３は、制御回路５から入力される画像データなどに基づいて液晶パネルに画像を形成する。画像形成部１３には、ランプ１１からの光が照射される。このため、画像形成部１３に形成された画像は、ランプ１１からの光によって投射レンズ部１５に投影される。
投射レンズ部１５には、ランプ１１からの光が画像形成部１３を経て入射される。投射レンズ部１５は、入射された光を広げる方向に屈折させて、投射光１７として射出する。このため、画像形成部１３に形成された画像は、拡大された状態でスクリーン８に投射され得る。
制御回路５は、制御部２１と、画像処理部２３と、液晶パネル制御部２５と、を有している。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリ部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリ部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ１の動作を統括制御する。メモリ部２９は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
制御部２１は、例えば、マイクロコンピュータで構成され、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２７と、メモリ部２９と、を有している。
ＣＰＵ２７は、メモリ部２９に格納されている制御プログラムに従って、プロジェクタ１の動作を統括制御する。メモリ部２９は、フラッシュメモリ等のＲＯＭ（Read Only Memory）や、ＲＡＭ（Random Access Memory）等を含んでいる。ＲＯＭには、ＣＰＵ２７が実行する制御プログラムなどが格納されている。ＲＡＭは、ＣＰＵ２７によって実行される制御プログラムを一時的に展開したり、各種設定値等を一時的に格納したりする。
画像処理部２３には、画像信号が入力される。画像処理部２３は、制御部２１からの指示に基づいて、画像信号に種々の処理を施す。また、画像処理部２３は、画像信号を画像データに変換する。画像信号から変換された画像データは、液晶パネル制御部２５に出力される。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレイ）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル制御部２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
なお、画像処理部２３が画像信号に施す処理としては、各種の画質調整や、メニュー、メッセージ等のＯＳＤ（オンスクリーンディスプレイ）画像を合成する処理などが挙げられる。また、各種の画質調整としては、解像度変換、輝度調整、コントラスト調整、シャープネス調整などが挙げられる。
液晶パネル制御部２５は、入力された画像データに応じて、画像形成部１３の駆動を制御する。
ここで、画像形成部１３の構成について、詳細を説明する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成装置３３と、画像形成装置３５と、画像形成装置３７と、光合成部３９と、を有している。
分光部３１は、ランプ１１（図１）からの光４１が入射される。分光部３１は、図２に示すように、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
画像形成部１３は、主要構成を示す図である図２に示すように、分光部３１と、画像形成装置３３と、画像形成装置３５と、画像形成装置３７と、光合成部３９と、を有している。
分光部３１は、ランプ１１（図１）からの光４１が入射される。分光部３１は、図２に示すように、光４１から、赤系（Ｒ）の色の光４１Ｒ、緑系（Ｇ）の色の光４１Ｇ、及び青系（Ｂ）の色の光４１Ｂのそれぞれを分離する。
ここで、Ｒの色は、純粋な赤の色相に限定されず、橙等を含む。Ｇの色は、純粋な緑の色相に限定されず、青緑や黄緑等を含む。Ｂの色は、純粋な青の色相に限定されず、青紫や青緑等を含む。他の観点から、Ｒの色を呈する光４１Ｒは、光の波長のピークが、可視光領域で５７０ｎｍ以上の範囲にある光であると定義され得る。また、Ｇの色を呈する光４１Ｇは、光の波長のピークが５００ｎｍ〜５６５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。Ｂの色を呈する光４１Ｂは、光の波長のピークが４１５ｎｍ〜４９５ｎｍの範囲にある光であると定義され得る。
分光部３１は、クロスダイクロイックミラー４３と、反射ミラー４５と、反射ミラー４７と、ダイクロイックミラー４９と、を有している。光４１は、クロスダイクロイックミラー４３に照射される。
クロスダイクロイックミラー４３は、分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂと、を有している。分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂとは、互いに交差している。分離ミラー部４３ａは、光４１の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部４３ｂも、光４１の入射方向に対して傾斜している。
クロスダイクロイックミラー４３は、分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂと、を有している。分離ミラー部４３ａと、分離ミラー部４３ｂとは、互いに交差している。分離ミラー部４３ａは、光４１の入射方向に対して傾斜している。分離ミラー部４３ｂも、光４１の入射方向に対して傾斜している。
このため、光４１は、分離ミラー部４３ａ及び分離ミラー部４３ｂの双方に対して斜めに照射される。
分離ミラー部４３ａは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを反射させることができる。他方で、分離ミラー部４３ｂは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを反射させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを透過させることができる。
分離ミラー部４３ａは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを透過させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを反射させることができる。他方で、分離ミラー部４３ｂは、光４１のうちで、Ｂの光４１Ｂを反射させ、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇを透過させることができる。
従って、クロスダイクロイックミラー４３によって、光４１からＢの光４１Ｂが分離され得る。他方で、Ｒの光４１Ｒ及びＧの光４１Ｇが混合した光５１が、光４１から分離され得る。
光４１Ｂの光軸５２ａと、光５１の光軸５２ｂとは、それぞれ、光４１の入射方向とは交差する。また、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
光４１Ｂの光軸５２ａと、光５１の光軸５２ｂとは、それぞれ、光４１の入射方向とは交差する。また、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに異なる向きになる。本実施形態では、光４１Ｂが進行する向きと、光５１が進行する向きとは、互いに反対の向きになっている。
反射ミラー４５は、光４１Ｂの光軸５２ａと交差する位置に設けられている。反射ミラー４５は、光軸５２ａの方向に対して傾斜している。
また、反射ミラー４７は、光５１の光軸５２ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５２ｂの方向に対して傾斜している。光５１は、反射ミラー４７によって光軸５２ｂが光軸５２ｃに変えられてから、ダイクロイックミラー４９に導かれる。
また、反射ミラー４７は、光５１の光軸５２ｂと交差する位置に設けられている。反射ミラー４７は、光軸５２ｂの方向に対して傾斜している。光５１は、反射ミラー４７によって光軸５２ｂが光軸５２ｃに変えられてから、ダイクロイックミラー４９に導かれる。
ダイクロイックミラー４９は、光５１の光軸５２ｃと交差する位置に設けられている。ダイクロイックミラー４９は、光軸５２ｃの方向に対して傾斜している。ダイクロイックミラー４９は、光５１のうちで、Ｒの光４１Ｒを透過させ、Ｇの光４１Ｇを反射させることができる。従って、ダイクロイックミラー４９によって、光５１からＲの光４１Ｒと、Ｇの光４１Ｇとが分離され得る。
光４１Ｒは、光軸５２ｄに沿って画像形成装置３３に導かれる。光４１Ｇは、光軸５２ｅに沿って画像形成装置３５に導かれる。また、光４１Ｂは、反射ミラー４５によって光軸５２ａが光軸５２ｆに変えられてから、画像形成装置３７に導かれる。
画像形成装置３３、画像形成装置３５及び画像形成装置３７は、それぞれ、画像形成パネル５３を有している。
また、画像形成装置３３は、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを有している。画像形成装置３５は、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを有している。画像形成装置３７は、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを有している。
また、画像形成装置３３は、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを有している。画像形成装置３５は、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを有している。画像形成装置３７は、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを有している。
光合成部３９は、クロスダイクロイックプリズム５７を有している。クロスダイクロイックプリズム５７は、面５７ａと、面５７ｂと、面５７ｃと、面５７ｄと、を有している。
各画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７に対向した状態で設けられている。
画像形成装置３３の画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａに対向している。画像形成装置３５の画像形成パネル５３は、面５７ｂに対向している。画像形成装置３７の画像形成パネル５３は、面５７ｃに対向している。
各画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７に対向した状態で設けられている。
画像形成装置３３の画像形成パネル５３は、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａに対向している。画像形成装置３５の画像形成パネル５３は、面５７ｂに対向している。画像形成装置３７の画像形成パネル５３は、面５７ｃに対向している。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、画像形成装置３３において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、画像形成装置３５において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、画像形成装置３７において、画像形成パネル５３と、クロスダイクロイックプリズム５７との間に介在している。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１Ｒの光軸５２ｄと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光軸５２ｄの方向に対して傾斜しており、光４１Ｒを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１Ｇの光軸５２ｅと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光軸５２ｅの方向に対して傾斜しており、光４１Ｇを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１Ｂの光軸５２ｆと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光軸５２ｆの方向に対して傾斜しており、光４１Ｂを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１Ｇの光軸５２ｅと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光軸５２ｅの方向に対して傾斜しており、光４１Ｇを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１Ｂの光軸５２ｆと交差する位置に設けられている。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光軸５２ｆの方向に対して傾斜しており、光４１Ｂを受ける面が画像形成パネル５３側に向けられている。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒは、光４１ＲのうちのＳ偏光４１Ｒｓを反射させ、光４１ＲのうちのＰ偏光４１Ｒｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｇは、光４１ＧのうちのＳ偏光４１Ｇｓを反射させ、光４１ＧのうちのＰ偏光４１Ｇｐを透過させることができる。偏光ビームスプリッタ５５Ｂは、光４１ＢのうちのＳ偏光４１Ｂｓを反射させ、光４１ＢのうちのＰ偏光４１Ｂｐを透過させることができる。
ここで、各画像形成パネル５３は、ライトバルブとして反射型の液晶パネルを有している。
各液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。各液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル５３は、図２に示すように、複数の画素に入射されたＳ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓを、画素ごとに選択的にＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐに変化させることができる。
各液晶パネルは、後述する複数の画素と、画素ごとに駆動が制御される液晶と、を有している。各液晶パネルは、複数の画素に入射された光の偏光状態を、画素ごとに変化させることができる。なお、液晶パネルについては、詳細を後述する。
本実施形態では、各画像形成パネル５３は、図２に示すように、複数の画素に入射されたＳ偏光４１Ｒｓ，４１Ｇｓ，４１Ｂｓを、画素ごとに選択的にＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐに変化させることができる。
画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過することができる。他方で、画像形成パネル５３で偏光状態が維持されたまま、画像形成パネル５３から射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射する。このため、画像形成装置３３では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＲｐでＲの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置３５では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＧｐでＧの画像を形成することができる。画像形成装置３７では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＢｐでＢの画像を形成することができる。
同様に、画像形成装置３５では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＧｐでＧの画像を形成することができる。画像形成装置３７では、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１ＢｐでＢの画像を形成することができる。
画像形成装置３３において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過してから、光合成部３９のクロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３５において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｇｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３７において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｂｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３５において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｇｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｇを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
画像形成装置３７において、画像形成パネル５３から射出されたＰ偏光４１Ｂｐは、偏光ビームスプリッタ５５Ｂを透過してから、クロスダイクロイックプリズム５７に導かれる。
Ｐ偏光４１Ｒｐは、クロスダイクロイックプリズム５７の面５７ａからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｇｐは、面５７ｂからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。Ｐ偏光４１Ｂｐは、面５７ｃからクロスダイクロイックプリズム５７に入射する。
このため、面５７ａには、Ｒの画像が投影され、面５７ｂには、Ｇの画像が投影され、面５７ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
このため、面５７ａには、Ｒの画像が投影され、面５７ｂには、Ｇの画像が投影され、面５７ｃには、Ｂの画像が投影され得る。
クロスダイクロイックプリズム５７に入射したＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、クロスダイクロイックプリズム５７によって合成される。つまり、クロスダイクロイックプリズム５７によって、Ｒの画像、Ｇの画像及びＢの画像が合成され得る。
クロスダイクロイックプリズム５７によって合成されたＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、画像光５９としてクロスダイクロイックプリズム５７の面５７ｄから射出される。
クロスダイクロイックプリズム５７によって合成されたＰ偏光４１Ｒｐ，４１Ｇｐ，４１Ｂｐは、画像光５９としてクロスダイクロイックプリズム５７の面５７ｄから射出される。
面５７ｄから射出された画像光５９は、投射レンズ部１５へ導かれてから、投射レンズ部１５に入射する。投射レンズ部１５に入射した画像光５９は、投射光１７（図１）としてスクリーン８などに投射され得る。
ここで、画像形成パネル５３の構成について、詳細を説明する。
画像形成パネル５３は、図３に示すように、液晶装置の１つである液晶パネル６１と、位相差板６３と、を有している。
なお、プロジェクタ１では、画像形成パネル５３は、位相差板６３側の面６５が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム５７側に向けられている。画像形成パネル５３では、面６５側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６５は、表示面６５と表記される。
画像形成パネル５３は、図３に示すように、液晶装置の１つである液晶パネル６１と、位相差板６３と、を有している。
なお、プロジェクタ１では、画像形成パネル５３は、位相差板６３側の面６５が、図２に示すクロスダイクロイックプリズム５７側に向けられている。画像形成パネル５３では、面６５側に画像が形成（表示）される。従って、以下においては、面６５は、表示面６５と表記される。
ここで、液晶パネル６１には、液晶パネル６１の平面図である図４に示すように、複数の画素６７が設定されている。複数の画素６７は、領域６９内で、図中のＸ方向及びＹ方向に配列しており、Ｘ方向を行方向とし、Ｙ方向を列方向とするマトリクスＭを構成している。図４では、構成をわかりやすく示すため、画素６７が誇張され、且つ画素６７の個数が減じられている。
なお、Ｘ方向は、走査線Ｔが延在する方向に相当している。Ｙ方向は、信号線Ｓが延在する方向に相当している。
また、領域６９は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６９は、表示領域６９と表記される。
なお、Ｘ方向は、走査線Ｔが延在する方向に相当している。Ｙ方向は、信号線Ｓが延在する方向に相当している。
また、領域６９は、画像が形成（表示）される領域に相当する。このため、以下において、領域６９は、表示領域６９と表記される。
液晶パネル６１は、図３中のＡ−Ａ線における断面図である図５に示すように、素子基板７１と、対向基板７３と、液晶７５と、シール材７７と、を有している。
素子基板７１には、表示面６５側すなわち液晶７５側に、複数の画素６７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６５側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル５３における表示面６５の裏面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
素子基板７１には、表示面６５側すなわち液晶７５側に、複数の画素６７のそれぞれに対応して、後述するスイッチング素子などが設けられている。
対向基板７３は、素子基板７１よりも表示面６５側で素子基板７１に対向し、且つ素子基板７１との間に隙間を有した状態で設けられている。対向基板７３には、面７９側すなわち液晶７５側に、後述する対向電極などが設けられている。なお、面７９は、画像形成パネル５３における表示面６５の裏面に相当している。このため、以下において、面７９は、底面７９と表記される。
液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３の間に挟持されており、対向基板７３の周縁よりも内側で表示領域６９を囲むシール材７７によって、素子基板７１及び対向基板７３の間に封止されている。本実施形態では、液晶７５の駆動方式として、ＶＡ（Vertical Alignment）型の駆動方式が採用されている。
なお、素子基板７１、対向基板７３及びシール材７７によって囲まれた空間は、セルと呼ばれる。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６５側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル５３では、位相差板６３は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。
なお、素子基板７１、対向基板７３及びシール材７７によって囲まれた空間は、セルと呼ばれる。
位相差板６３は、対向基板７３よりも表示面６５側、すなわち液晶７５側とは反対側に設けられている。画像形成パネル５３では、位相差板６３は、入射された光に対して１／２波長の位相差を付与する。
また、液晶パネル６１は、図４に示すように、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、封止材８５と、端子電極８７と、を有している。
なお、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、端子電極８７とは、後述するスイッチング素子と同様に、素子基板７１に形成されている。図４では、構成をわかりやすく示すため、端子電極８７が誇張され、且つ端子電極８７の個数が減じられている。
なお、走査線駆動回路８１と、信号線駆動回路８３と、端子電極８７とは、後述するスイッチング素子と同様に、素子基板７１に形成されている。図４では、構成をわかりやすく示すため、端子電極８７が誇張され、且つ端子電極８７の個数が減じられている。
走査線駆動回路８１は、各走査線Ｔに選択信号を供給する。信号線駆動回路８３は、各信号線Ｓにデータ信号（画像データ）を供給する。
端子電極８７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの外部配線を接続するための端子である。端子電極８７と走査線駆動回路８１との間や、端子電極８７と信号線駆動回路８３との間は、配線８９を介して電気的につながっている。
端子電極８７は、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）などの外部配線を接続するための端子である。端子電極８７と走査線駆動回路８１との間や、端子電極８７と信号線駆動回路８３との間は、配線８９を介して電気的につながっている。
さて、シール材７７には、注入口７７ａが形成されている。注入口７７ａは、液晶７５のセル内への導入路である。注入口７７ａは、環状に設けられるシール材７７の一部を欠いた構成を有しており、セル内とセル外とを連通させる。
本実施形態では、液晶７５のセル内への注入方法として、減圧注入法が採用されている。減圧注入法とは、注入口７７ａと液晶７５とを真空に近い減圧環境下で当接させてから、減圧環境の圧力を上昇させることによってセル内に液晶７５を注入する方法である。
注入口７７ａは、封止材８５によって塞がれている。これにより、液晶７５は、セル内に封止されている。
なお、セル内への液晶７５の注入方法は、減圧注入法に限定されず、滴下法（ＯＤＦ（One Drop Fill）とも呼ばれる）も採用され得る。滴下法が採用される場合、注入口７７ａ及び封止材８５は省略され得る。
本実施形態では、液晶７５のセル内への注入方法として、減圧注入法が採用されている。減圧注入法とは、注入口７７ａと液晶７５とを真空に近い減圧環境下で当接させてから、減圧環境の圧力を上昇させることによってセル内に液晶７５を注入する方法である。
注入口７７ａは、封止材８５によって塞がれている。これにより、液晶７５は、セル内に封止されている。
なお、セル内への液晶７５の注入方法は、減圧注入法に限定されず、滴下法（ＯＤＦ（One Drop Fill）とも呼ばれる）も採用され得る。滴下法が採用される場合、注入口７７ａ及び封止材８５は省略され得る。
液晶パネル６１は、図６に示すように、遮光領域９１と、シール領域９３と、を有している。
遮光領域９１は、表示領域６９の外側に設けられている。遮光領域９１は、液晶パネル６１への光の入射や、液晶パネル６１からの光の射出が遮られる領域である。遮光領域９１は、表示領域６９の外側から、表示領域６９を囲んでいる。
遮光領域９１は、表示領域６９の外側に設けられている。遮光領域９１は、液晶パネル６１への光の入射や、液晶パネル６１からの光の射出が遮られる領域である。遮光領域９１は、表示領域６９の外側から、表示領域６９を囲んでいる。
ここで、表示領域６９と遮光領域９１との間には、誤差吸収領域９２が設定されている。誤差吸収領域９２は、表示領域６９に対する遮光領域９１の位置のばらつきや、遮光領域９１の寸法のばらつきなどを吸収するための領域である。本実施形態では、この誤差吸収領域９２の設定により、遮光領域９１が表示領域６９に重なることを避けることができる。この結果、液晶パネル６１間における表示領域６９の寸法のばらつきが低く抑えられている。
シール領域９３は、遮光領域９１の外側に設けられている。シール領域９３は、シール材７７（図４）が設けられる領域である。シール領域９３は、遮光領域９１の外側から、注入口７７ａの領域を残した状態で、遮光領域９１を囲んでいる。
なお、走査線駆動回路８１は、遮光領域９１に重なる領域に設けられている。
なお、走査線駆動回路８１は、遮光領域９１に重なる領域に設けられている。
液晶パネル６１は、遮光領域９１、誤差吸収領域９２及びシール領域９３の他に、図７に示すように、第１ダミー領域９５と、第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９と、を有している。さらに、液晶パネル６１は、これらの他に、第１回路領域１０１ａと、第２回路領域１０１ｂと、第３回路領域１０１ｃと、を有している。
第１ダミー領域９５には、後述する第１ダミー画素が設けられている。第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂには、それぞれ、後述する第２ダミー画素が設けられている。
中立領域９９は、画素６７、第１ダミー画素及び第２ダミー画素のいずれも設けられない領域である。
第１ダミー領域９５には、後述する第１ダミー画素が設けられている。第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂには、それぞれ、後述する第２ダミー画素が設けられている。
中立領域９９は、画素６７、第１ダミー画素及び第２ダミー画素のいずれも設けられない領域である。
第１ダミー領域９５は、表示領域６９の外側に設けられている。第１ダミー領域９５は、表示領域６９の外側から、表示領域６９を囲んでいる。
第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、第１ダミー領域９５の外側に設けられている。第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、Ｘ方向に沿って延在している。
第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、第１ダミー領域９５の外側に設けられている。第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、Ｘ方向に沿って延在している。
第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向において、第２ダミー領域９７ａと中立領域９９とが互いに隣り合い、中立領域９９と第２ダミー領域９７ｂとが互いに隣り合っている。第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、Ｘ方向において、中立領域９９を挟んで互いに対峙している。
また、Ｙ方向において、第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、第１ダミー領域９５に隣り合っている。
また、Ｙ方向において、第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、第１ダミー領域９５に隣り合っている。
第１回路領域１０１ａと、第２回路領域１０１ｂとは、それぞれ、第１ダミー領域９５内に設けられている。第１回路領域１０１ａ及び第２回路領域１０１ｂは、それぞれ、走査線駆動回路８１（図６）が設けられる領域である。第１回路領域１０１ａ及び第２回路領域１０１ｂは、それぞれ、Ｙ方向に沿って延在している。第１回路領域１０１ａ及び第２回路領域１０１ｂは、Ｘ方向において、表示領域６９を挟んで互いに対峙している。
第３回路領域１０１ｃは、Ｙ方向において、第２ダミー領域９７ａ、中立領域９９及び第２ダミー領域９７ｂを挟んで、第１ダミー領域９５に対峙する位置に設けられている。換言すれば、第２ダミー領域９７ａと、第２ダミー領域９７ｂと、中立領域９９とは、それぞれ、第１ダミー領域９５と第３回路領域１０１ｃとの間に設けられている。
第３回路領域１０１ｃは、信号線駆動回路８３（図６）が設けられる領域である。第３回路領域１０１ｃは、Ｘ方向に沿って延在している。
なお、第２ダミー領域９７ａ、中立領域９９及び第２ダミー領域９７ｂと、第３回路領域１０１ｃとの間には、Ｙ方向に隙間が設けられている。
第３回路領域１０１ｃは、信号線駆動回路８３（図６）が設けられる領域である。第３回路領域１０１ｃは、Ｘ方向に沿って延在している。
なお、第２ダミー領域９７ａ、中立領域９９及び第２ダミー領域９７ｂと、第３回路領域１０１ｃとの間には、Ｙ方向に隙間が設けられている。
表示領域６９内に設けられた複数の画素６７（図４）が構成するマトリクスＭでは、図７中のＦ部の拡大図である図８に示すように、Ｙ方向に沿って並ぶ複数の画素６７が、１つの画素列１１１を構成している。また、Ｘ方向に沿って並ぶ複数の画素６７が、１つの画素行１１２を構成している。
図７に示す第１ダミー領域９５内には、図７中のＨ部の拡大図である図９に示すように、複数の第１ダミー画素１１３が設けられている。また、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂ内には、それぞれ、複数の第２ダミー画素１１５が設けられている。
図７に示す第１ダミー領域９５内には、図７中のＨ部の拡大図である図９に示すように、複数の第１ダミー画素１１３が設けられている。また、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂ内には、それぞれ、複数の第２ダミー画素１１５が設けられている。
複数の第１ダミー画素１１３は、第１ダミー領域９５内で、Ｘ方向及びＹ方向の双方に配列している。
複数の第２ダミー画素１１５は、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂのそれぞれにおいて、Ｘ方向及びＹ方向の双方に配列している。
なお、中立領域９９には、画素６７、第１ダミー画素１１３及び第２ダミー画素１１５のいずれも設けられていない。
複数の第２ダミー画素１１５は、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂのそれぞれにおいて、Ｘ方向及びＹ方向の双方に配列している。
なお、中立領域９９には、画素６７、第１ダミー画素１１３及び第２ダミー画素１１５のいずれも設けられていない。
ここで、遮光領域９１及びシール領域９３、並びに第１ダミー領域９５、第２ダミー領域９７ａ，９７ｂ、中立領域９９、第１回路領域１０１ａ、及び第２回路領域１０１ｂの重畳状態について説明する。
シール領域９３は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図１０に示すように、第１ダミー領域９５の一部に重なっている。シール領域９３は、第１ダミー領域９５の最外縁側、すなわち表示領域６９とは反対側に位置している。
シール領域９３は、図６中のＣ−Ｃ線における断面図である図１０に示すように、第１ダミー領域９５の一部に重なっている。シール領域９３は、第１ダミー領域９５の最外縁側、すなわち表示領域６９とは反対側に位置している。
遮光領域９１は、第１ダミー領域９５の一部に重なっている。遮光領域９１は、シール領域９３の内側、すなわち表示領域６９側に位置しており、第１ダミー領域９５内に設けられている。
第１ダミー領域９５からシール領域９３と遮光領域９１とを除いた領域が誤差吸収領域９２となっている。
第１回路領域１０１ａ及び第２回路領域１０１ｂは、それぞれ、遮光領域９１内に位置している。
第１ダミー領域９５からシール領域９３と遮光領域９１とを除いた領域が誤差吸収領域９２となっている。
第１回路領域１０１ａ及び第２回路領域１０１ｂは、それぞれ、遮光領域９１内に位置している。
信号線駆動回路８３（図６）と表示領域６９との間において、シール領域９３と第１ダミー領域９５とは、図６中のＤ−Ｄ線における断面図である図１１に示すように、重なっていない。第３回路領域１０１ｃ側において、シール領域９３は、第１ダミー領域９５の外側、すなわち第３回路領域１０１ｃ側に位置している。
第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、それぞれ、第１ダミー領域９５の外側、すなわち第３回路領域１０１ｃ側に位置している。第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、それぞれ、シール領域９３に重なっている。
第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、それぞれ、第１ダミー領域９５の外側、すなわち第３回路領域１０１ｃ側に位置している。第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、それぞれ、シール領域９３に重なっている。
なお、信号線駆動回路８３から表示領域６９に向かって延びる複数の信号線Ｓ（図４）が第１ダミー領域９５（図１１）を交差する長さは、信号線Ｓ間で相互に同じ長さに設定されている。また、信号線Ｓの幅（太さ）寸法は、信号線Ｓ間で相互に同じ寸法に設定されている。
従って、本実施形態では、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１とが重なり合う領域の面積が、信号線Ｓ間で相互に同じ大きさに設定されている。
従って、本実施形態では、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１とが重なり合う領域の面積が、信号線Ｓ間で相互に同じ大きさに設定されている。
第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、図６中のＥ−Ｅ線における断面図である図１２に示すように、それぞれ、シール領域９３内に設けられている。
中立領域９９は、注入口７７ａの領域をＸ方向にまたいでいる。換言すれば、注入口７７ａは、中立領域９９内に設けられている。
中立領域９９は、注入口７７ａの領域をＸ方向にまたいでいる。換言すれば、注入口７７ａは、中立領域９９内に設けられている。
ここで、液晶パネル６１の素子基板７１及び対向基板７３のそれぞれの構成について、詳細を説明する。
素子基板７１は、図８中のＪ−Ｊ線における断面図である図１３に示すように、第１基板１２１と、素子層１２２と、を有している。
第１基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６５側に向けられた第１面１２１ａと、底面７９側に向けられた第２面１２１ｂとを有している。
素子基板７１は、図８中のＪ−Ｊ線における断面図である図１３に示すように、第１基板１２１と、素子層１２２と、を有している。
第１基板１２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６５側に向けられた第１面１２１ａと、底面７９側に向けられた第２面１２１ｂとを有している。
素子層１２２は、第１基板１２１の第１面１２１ａに設けられている。素子層１２２には、絶縁膜１２３と、絶縁膜１２４と、絶縁膜１２５と、絶縁膜１２６と、配向膜１２７と、が含まれている。また、素子層１２２には、画素６７ごとに、スイッチング素子の１つであるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子１２８と、画素電極１２９と、が含まれている。
絶縁膜１２３は、第１基板１２１の第１面１２１ａに設けられている。絶縁膜１２４は、絶縁膜１２３の表示面６５側に設けられている。絶縁膜１２５は、絶縁膜１２４の表示面６５側に設けられている。画素電極１２９は、絶縁膜１２５の表示面６５側に設けられている。絶縁膜１２６は、画素電極１２９の表示面６５側に設けられている。配向膜１２７は、絶縁膜１２６の表示面６５側に設けられている。
なお、絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
なお、絶縁膜１２３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ＴＦＴ素子１２８と、画素電極１２９とは、それぞれ、各画素６７に対応して設けられている。
ＴＦＴ素子１２８は、拡大図である図１４に示すように、半導体層１３１と、ゲート電極１３２と、を有している。半導体層１３１は、絶縁膜１２３の表示面６５側に設けられている。各半導体層１３１は、ゲート絶縁膜１３３によって表示面６５側から覆われている。
ＴＦＴ素子１２８は、拡大図である図１４に示すように、半導体層１３１と、ゲート電極１３２と、を有している。半導体層１３１は、絶縁膜１２３の表示面６５側に設けられている。各半導体層１３１は、ゲート絶縁膜１３３によって表示面６５側から覆われている。
半導体層１３１としては、例えば、単結晶シリコンや、多結晶シリコン、非晶質シリコンなどが採用され得る。本実施形態では、半導体層１３１として、多結晶シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１３３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１３３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート絶縁膜１３３の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、ゲート絶縁膜１３３の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ゲート電極１３２は、ゲート絶縁膜１３３を挟んで半導体層１３１に対向する位置に設けられている。
ゲート電極１３２の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどの不純物を注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１３２の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１３２として、多結晶シリコンにイオンなどの不純物を注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
ゲート電極１３２の材料としては、例えば、多結晶シリコンなどにイオンなどの不純物を注入したものなどが採用され得る。また、ゲート電極１３２の材料として、モリブデン、タングステン、タンタル、クロムなどの金属や、これらを含む合金なども採用され得る。モリブデンやタングステンなどを含む合金としては、例えば、モリブデンシリサイドや、タングステンシリサイドなどが挙げられる。
本実施形態では、ゲート電極１３２として、多結晶シリコンにイオンなどの不純物を注入した所謂ポリシリコンゲートが採用されている。
本実施形態では、半導体層１３１は、チャネル領域１３１ａと、ソース領域１３１ｂと、ドレイン領域１３１ｃと、を有している。
チャネル領域１３１ａは、平面視でゲート電極１３２に重なっている。ソース領域１３１ｂ及びドレイン領域１３１ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１３１ａの外側に設けられている。チャネル領域１３１ａは、ソース領域１３１ｂとドレイン領域１３１ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１３１としては、チャネル領域１３１ａとソース領域１３１ｂとの間や、チャネル領域１３１ａとドレイン領域１３１ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
チャネル領域１３１ａは、平面視でゲート電極１３２に重なっている。ソース領域１３１ｂ及びドレイン領域１３１ｃは、それぞれ、平面視でチャネル領域１３１ａの外側に設けられている。チャネル領域１３１ａは、ソース領域１３１ｂとドレイン領域１３１ｃとの間に設けられている。
なお、半導体層１３１としては、チャネル領域１３１ａとソース領域１３１ｂとの間や、チャネル領域１３１ａとドレイン領域１３１ｃとの間に、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域を設けた構成も採用され得る。
上記の構成を有するＴＦＴ素子１２８は、絶縁膜１２４によって表示面６５側から覆われている。絶縁膜１２４の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２４の材料として、酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜１２４及びゲート絶縁膜１３３には、図１４に示すように、コンタクトホール１３４ａと、コンタクトホール１３４ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１３４ａは、ソース領域１３１ｂに及んでいる。コンタクトホール１３４ｂは、ドレイン領域１３１ｃに及んでいる。コンタクトホール１３４ａ内には、ソース電極１３５が設けられている。コンタクトホール１３４ｂ内には、ドレイン電極１３６が設けられている。
絶縁膜１２４及びゲート絶縁膜１３３には、図１４に示すように、コンタクトホール１３４ａと、コンタクトホール１３４ｂと、が設けられている。
コンタクトホール１３４ａは、ソース領域１３１ｂに及んでいる。コンタクトホール１３４ｂは、ドレイン領域１３１ｃに及んでいる。コンタクトホール１３４ａ内には、ソース電極１３５が設けられている。コンタクトホール１３４ｂ内には、ドレイン電極１３６が設けられている。
絶縁膜１２４の表示面６５側には、図１３に示すように、信号線Ｓが設けられている。信号線Ｓは、平面視でソース電極１３５に重なる位置に設けられている。信号線Ｓとソース電極１３５とは、互いに電気的につながっている。信号線Ｓは、ソース電極１３５を介して半導体層１３１のソース領域１３１ｂ（図１４）に電気的につながっている。信号線Ｓは、図１３に示すように、絶縁膜１２５によって表示面６５側から覆われている。絶縁膜１２５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１２５の材料として、酸化シリコンが採用されている。
ここで、図１４に示すコンタクトホール１３４ｂは、絶縁膜１２５の表示面６５側に及んでいる。ドレイン電極１３６は、図１３に示すように、絶縁膜１２５の表示面６５側に及んでいる。画素電極１２９とドレイン電極１３６とは、互いに電気的につながっている。画素電極１２９は、ドレイン電極１３６を介して半導体層１３１のドレイン領域１３１ｃ（図１４）に電気的につながっている。
画素電極１２９としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１２９の材料として、アルミニウムが採用されている。本実施形態では、画素電極１２９は、反射膜としての機能も有している。
画素電極１２９としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、画素電極１２９の材料として、アルミニウムが採用されている。本実施形態では、画素電極１２９は、反射膜としての機能も有している。
画素電極１２９及び絶縁膜１２５の表示面６５側には、図１３に示すように、画素電極１２９を覆う絶縁膜１２６が設けられている。
絶縁膜１２６は、光透過性を有する絶縁膜である。絶縁膜１２６の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料が採用され得る。無機材料は、有機材料に比較して化学的な安定性が高い。このため、絶縁膜１２６の材料として無機材料を採用することは好ましい。酸化シリコンは光透過性が高く、形成も容易である。絶縁膜１２６として窒化シリコンを採用すれば、絶縁膜１２６下への水分の浸入を抑制することができるので、素子基板７１の信頼性が向上する。絶縁膜１２６は単一層で形成しても良いし、複数層で形成しても良い。例えば、絶縁膜１２６を酸化シリコンと窒化シリコンの積層構造としても良い。
絶縁膜１２６は、光透過性を有する絶縁膜である。絶縁膜１２６の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの有機材料が採用され得る。無機材料は、有機材料に比較して化学的な安定性が高い。このため、絶縁膜１２６の材料として無機材料を採用することは好ましい。酸化シリコンは光透過性が高く、形成も容易である。絶縁膜１２６として窒化シリコンを採用すれば、絶縁膜１２６下への水分の浸入を抑制することができるので、素子基板７１の信頼性が向上する。絶縁膜１２６は単一層で形成しても良いし、複数層で形成しても良い。例えば、絶縁膜１２６を酸化シリコンと窒化シリコンの積層構造としても良い。
薄膜による光の干渉効果を利用して、絶縁膜１２６の膜厚を最適化することにより、反射率を向上させることもできる。シミュレーションによると、アルミニウムの画素電極１２９上に、絶縁膜１２６として酸化シリコン膜を６０ｎｍから１００ｎｍの膜厚に形成し、酸化シリコン膜上に窒化シリコン膜を５０ｎｍから８０ｎｍの膜厚で形成すると、反射率が向上するという結果が得られた。
また、絶縁膜１２６の表面が比誘電率の高い窒化シリコン膜である場合、液晶７５の焼き付き現象が発生しやすいという実験結果が得られた。実験結果によれば、絶縁膜１２６の表面は、焼き付き現象を軽減できる点で、窒化シリコン膜よりも酸化シリコン膜である方が好ましい。絶縁膜１２６として、画素電極１２９側から順に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、という層構造にすると、反射率が高く、焼き付き現象が発生しにくい液晶パネル６１を得ることができる。
なお、本実施形態では、絶縁膜１２６の材料として、無機材料の１つである酸化シリコンが採用されている。
また、絶縁膜１２６の表面が比誘電率の高い窒化シリコン膜である場合、液晶７５の焼き付き現象が発生しやすいという実験結果が得られた。実験結果によれば、絶縁膜１２６の表面は、焼き付き現象を軽減できる点で、窒化シリコン膜よりも酸化シリコン膜である方が好ましい。絶縁膜１２６として、画素電極１２９側から順に酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、という層構造にすると、反射率が高く、焼き付き現象が発生しにくい液晶パネル６１を得ることができる。
なお、本実施形態では、絶縁膜１２６の材料として、無機材料の１つである酸化シリコンが採用されている。
絶縁膜１２６の表示面６５側には、配向膜１２７が設けられている。配向膜１２７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。また、斜方蒸着した酸化シリコンなどの無機材料も採用され得る。本実施形態では、配向膜１２７の材料として、斜方蒸着した酸化シリコンが採用されている。
対向基板７３は、第２基板１４１と、対向層１４２と、を有している。第２基板１４１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料で構成されており、表示面６５側に向けられた外向面１４１ａと、底面７９側に向けられた対向面１４１ｂとを有している。
対向層１４２は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。対向層１４２には、絶縁膜１４５と、対向電極１４６と、配向膜１４７と、が含まれている。
また、対向層１４２は、対向基板７３を図６中のＣ−Ｃ線で切断したときの断面図である図１５に示すように、遮光膜１４３を有している。
対向層１４２は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。対向層１４２には、絶縁膜１４５と、対向電極１４６と、配向膜１４７と、が含まれている。
また、対向層１４２は、対向基板７３を図６中のＣ−Ｃ線で切断したときの断面図である図１５に示すように、遮光膜１４３を有している。
遮光膜１４３は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。遮光膜１４３は、遮光領域９１にわたって設けられている。遮光膜１４３の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
絶縁膜１４５は、遮光膜１４３の底面７９側に設けられており、遮光膜１４３を底面７９側から覆っている。
絶縁膜１４５は、遮光膜１４３の底面７９側に設けられており、遮光膜１４３を底面７９側から覆っている。
絶縁膜１４５の材料としては、例えば、酸化シリコンや窒化シリコンなどの無機材料や、光透過性を有する樹脂などの有機材料が採用され得る。本実施形態では、絶縁膜１４５の材料として、光透過性を有する樹脂が採用されている。絶縁膜１４５は、遮光領域９１によって囲まれた領域内からシール領域９３に及ぶ範囲にわたって設けられている。
対向電極１４６は、絶縁膜１４５の底面７９側に設けられている。対向電極１４６の材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やインジウム亜鉛酸化物（Indium Zinc Oxide）などの光透過性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、対向電極１４６の材料として、ＩＴＯが採用されている。
対向電極１４６は、表示領域６９、第１ダミー領域９５、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂ（図７）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１４６は、マトリクスＭを構成する複数の画素６７、第１ダミー画素１１３及び第２ダミー画素１１５に対して共通に機能する。
なお、本実施形態では、画素６７の領域は、図１３に示すように、１つの画素電極１２９と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
対向電極１４６は、表示領域６９、第１ダミー領域９５、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂ（図７）にわたって一連した状態で設けられている。対向電極１４６は、マトリクスＭを構成する複数の画素６７、第１ダミー画素１１３及び第２ダミー画素１１５に対して共通に機能する。
なお、本実施形態では、画素６７の領域は、図１３に示すように、１つの画素電極１２９と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
配向膜１４７は、対向電極１４６の底面７９側に設けられている。対向電極１４６は、配向膜１４７によって底面７９側から覆われている。配向膜１４７の材料としては、例えばポリイミドなどの光透過性を有する材料が採用され得る。また、斜方蒸着した酸化シリコンなどの無機材料も採用され得る。本実施形態では、配向膜１４７の材料として、斜方蒸着した酸化シリコンが採用されている。
なお、対向基板７３の構成としては、各画素６７の領域を区画する光吸収層を設けた構成も採用され得る。この場合、光吸収層は、対向面１４１ｂに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。光吸収層の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
なお、対向基板７３の構成としては、各画素６７の領域を区画する光吸収層を設けた構成も採用され得る。この場合、光吸収層は、対向面１４１ｂに設けられる。この構成により、表示におけるコントラストの向上を図りやすくすることができる。光吸収層の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
ここで、Ｙ方向に並ぶ複数のソース電極１３５は、図１６に示すように、信号線Ｓを介して、画素列１１１（図８）単位で相互に電気的につながっている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１３２は、図１６に示すように、走査線Ｔを介して、画素行１１２（図８）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
また、Ｘ方向に並ぶ複数のゲート電極１３２は、図１６に示すように、走査線Ｔを介して、画素行１１２（図８）単位で相互に電気的につながっている。
複数の信号線Ｓは、それぞれＹ方向に延びており、Ｘ方向に並んでいる。Ｘ方向に隣り合う信号線Ｓ同士の間には、隙間が設けられている。
複数の走査線Ｔは、それぞれＸ方向に延びており、Ｙ方向に並んでいる。Ｙ方向に隣り合う走査線Ｔ同士の間には、隙間が設けられている。
画素６７は、複数の信号線Ｓと、複数の走査線Ｔとの各交差に対応して設定されている。
各画素電極１２９は、図１７に示すように、各半導体層１３１に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素電極１２９は、各信号線Ｓと、各走査線Ｔとに重なっている。信号線Ｓと走査線Ｔとの交差部は、対応する画素電極１２９に重なっている。
各画素電極１２９は、図１７に示すように、各半導体層１３１に重なる領域に設けられている。本実施形態では、各画素電極１２９は、各信号線Ｓと、各走査線Ｔとに重なっている。信号線Ｓと走査線Ｔとの交差部は、対応する画素電極１２９に重なっている。
素子基板７１及び対向基板７３の間に介在する液晶７５は、図１３に示すように、配向膜１２７と配向膜１４７との間に介在している。
本実施形態では、図５に示すシール材７７は、図１３に示す第１基板１２１の第１面１２１ａと、第２基板１４１の対向面１４１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板１２１及び第２基板１４１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１２７及び配向膜１４７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
本実施形態では、図５に示すシール材７７は、図１３に示す第１基板１２１の第１面１２１ａと、第２基板１４１の対向面１４１ｂとによって挟持されている。つまり、液晶パネル６１では、液晶７５は、第１基板１２１及び第２基板１４１によって保持されている。なお、シール材７７は、配向膜１２７及び配向膜１４７の間に設けられていてもよい。この場合、液晶７５は、素子基板７１及び対向基板７３に保持されているとみなされ得る。
液晶７５は、図１３に示すように、Ｌ１なる厚みに設定されている。液晶７５は、入射した光を変調することができる。本実施形態では、液晶７５は、入射した光に位相差を付与することができる。これは、液晶７５のリタデーション（複屈折率と厚みＬ１との積）の設定により実現され得る。本実施形態では、入射した光に１／４波長の位相差を付与するリタデーションが設定されている。
第１ダミー画素１１３には、図９中のＫ−Ｋ線における断面図である図１８に示すように、絶縁膜１２５の表示面６５側に第１ダミー電極１５１が設けられている。
第１ダミー電極１５１は、第１ダミー画素１１３に対応して設けられている。第１ダミー電極１５１としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、第１ダミー電極１５１の材料として、画素電極１２９の材料と同じアルミニウムが採用されている。
なお、第１ダミー画素１１３には、ＴＦＴ素子１２８が設けられていない。
第１ダミー電極１５１は、第１ダミー画素１１３に対応して設けられている。第１ダミー電極１５１としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、第１ダミー電極１５１の材料として、画素電極１２９の材料と同じアルミニウムが採用されている。
なお、第１ダミー画素１１３には、ＴＦＴ素子１２８が設けられていない。
Ｘ方向及びＹ方向のそれぞれにおいて隣り合う第１ダミー電極１５１同士は、図１９に示すように、接続部１５３を介して互いに電気的につながっている。このため、複数の第１ダミー電極１５１は、相互に電気的につながっている。また、第１ダミー電極１５１は、図示しない配線を介して対向電極１４６に電気的につながっている。このため、対向電極１４６と第１ダミー電極１５１とは、互いに略同電位に保たれる。
なお、第１ダミー電極１５１と信号線Ｓとは、図１８に示すように、絶縁膜１２５を介して互いに離間している。第１ダミー電極１５１と信号線Ｓとは、電気的につながっていない。
第１ダミー電極１５１は、絶縁膜１２６によって表示面６５側から覆われている。
本実施形態では、第１ダミー画素１１３の領域は、１つの第１ダミー電極１５１と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
なお、第１ダミー電極１５１と信号線Ｓとは、図１８に示すように、絶縁膜１２５を介して互いに離間している。第１ダミー電極１５１と信号線Ｓとは、電気的につながっていない。
第１ダミー電極１５１は、絶縁膜１２６によって表示面６５側から覆われている。
本実施形態では、第１ダミー画素１１３の領域は、１つの第１ダミー電極１５１と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
第２ダミー画素１１５には、図９中のＮ−Ｎ線における断面図である図２０に示すように、絶縁膜１２５の表示面６５側に第２ダミー電極１５５が設けられている。
第２ダミー電極１５５は、第２ダミー画素１１５に対応して設けられている。第２ダミー電極１５５としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、第２ダミー電極１５５の材料として、画素電極１２９の材料と同じアルミニウムが採用されている。
なお、第２ダミー画素１１５には、ＴＦＴ素子１２８が設けられていない。
第２ダミー電極１５５は、第２ダミー画素１１５に対応して設けられている。第２ダミー電極１５５としては、例えば、金や、銀、アルミニウムなどの高い導電性及び高い光反射性を有する材料が採用され得る。本実施形態では、第２ダミー電極１５５の材料として、画素電極１２９の材料と同じアルミニウムが採用されている。
なお、第２ダミー画素１１５には、ＴＦＴ素子１２８が設けられていない。
本実施形態では、第２ダミー電極１５５は、接続部１５７を介して信号線Ｓに電気的につながっている。
このため、Ｙ方向に並ぶ複数の第２ダミー電極１５５は、図２１に示すように、信号線Ｓを介して相互に電気的につながっている。Ｘ方向に隣り合う第２ダミー電極１５５は、互いに離間している。つまり、Ｘ方向に隣り合う第２ダミー電極１５５同士は、電気的につながっていない。
このため、Ｙ方向に並ぶ複数の第２ダミー電極１５５は、図２１に示すように、信号線Ｓを介して相互に電気的につながっている。Ｘ方向に隣り合う第２ダミー電極１５５は、互いに離間している。つまり、Ｘ方向に隣り合う第２ダミー電極１５５同士は、電気的につながっていない。
接続部１５７は、図２０に示すように、コンタクトホール１３４ｃ内に設けられている。コンタクトホール１３４ｃは、絶縁膜１２５に形成されている。コンタクトホール１３４ｃは、信号線Ｓと第２ダミー電極１５５とが互いに重なり合う領域に設けられている。
第２ダミー電極１５５は、絶縁膜１２６によって表示面６５側から覆われている。
本実施形態では、第２ダミー画素１１５の領域は、１つの第２ダミー電極１５５と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
第２ダミー電極１５５は、絶縁膜１２６によって表示面６５側から覆われている。
本実施形態では、第２ダミー画素１１５の領域は、１つの第２ダミー電極１５５と、対向電極１４６とが重なり合う領域であると定義され得る。
図９に示す中立領域９９では、図９中のＱ部の拡大図である図２２に示すように、図２１に示す第２ダミー電極１５５及び接続部１５７が省略されている。つまり、中立領域９９は、第２ダミー画素１１５の第２ダミー電極１５５が欠落した構成を有している。このため、中立領域９９は、第２ダミー画素１１５から第２ダミー電極１５５が欠落した欠落画素１５９が設けられている領域であるともみなされ得る。この観点から、中立領域９９には、複数の欠落画素１５９がＸ方向及びＹ方向の双方に配列しているとみなされ得る。
液晶パネル６１では、画素電極１２９と対向電極１４６（図１３）との間に電圧を印加すると、画素電極１２９と対向電極１４６との間に電界が発生する。液晶パネル６１では、ＴＦＴ素子１２８がＯＦＦ状態からＯＮ状態に変化すると、画素電極１２９と対向電極１４６との間に電界が発生する。この電界によって液晶７５の配向状態を画素６７ごとに変化させることができる。
プロジェクタ１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１２８のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
プロジェクタ１では、図２に示す画像形成部１３に光４１を照射した状態で、各液晶パネル６１における液晶７５の配向状態を画素６７ごとに変化させることにより、表示が制御される。液晶７５の配向状態は、ＴＦＴ素子１２８のＯＦＦ状態及びＯＮ状態を切り替えることによって変化し得る。
図１３に示す配向膜１２７及び配向膜１４７のそれぞれには、配向処理が施されている。配向処理が施された配向膜１２７及び配向膜１４７によって、液晶７５の初期的な配向状態が規制される。
図２３（ａ）は、ＴＦＴ素子１２８がＯＦＦ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図であり、図２３（ｂ）は、ＴＦＴ素子１２８がＯＮ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図である。
図２３（ａ）は、ＴＦＴ素子１２８がＯＦＦ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図であり、図２３（ｂ）は、ＴＦＴ素子１２８がＯＮ状態のときの画像形成装置３３における偏光状態を示す図である。
画像形成装置３３では、偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１６１は、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）に示すように、Ｓ偏光４１Ｒｓの偏光軸に対して直交している。
なお、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向がＰ偏光４１Ｒｐの偏光軸の方向を示し、Ｙ'方向がＳ偏光４１Ｒｓの偏光軸の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
なお、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）において、Ｘ'方向及びＹ'方向は、Ｘ'方向がＰ偏光４１Ｒｐの偏光軸の方向を示し、Ｙ'方向がＳ偏光４１Ｒｓの偏光軸の方向を示している。Ｘ'方向及びＹ'方向は、ＸＹ平面内で互いに直交する任意の２方向である。
位相差板６３の遅相軸６３ａは、平面視でＸ'方向に対して、反時計方向に６７．５度の傾きを有する方向に設定されている。
従って、位相差板６３に入射されたＳ偏光４１Ｒｓは、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１６２として液晶７５に入射される。なお、直線偏光１６２の偏光軸は、Ｘ'方向に対して、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有している。
従って、位相差板６３に入射されたＳ偏光４１Ｒｓは、１／２波長の位相差が与えられ、直線偏光１６２として液晶７５に入射される。なお、直線偏光１６２の偏光軸は、Ｘ'方向に対して、図２３（ａ）及び図２３（ｂ）で見て反時計方向に４５度の傾きを有している。
液晶７５に入射された直線偏光１６２は、ＴＦＴ素子１２８がＯＦＦ状態のときに、図２３（ａ）に示すように、偏光状態が維持されたまま（位相差が付与されずに）直線偏光１６２として画素電極１２９に向けて射出される。
画素電極１２９に向けて射出された直線偏光１６２は、偏光状態が維持されたまま画素電極１２９で反射され、液晶７５に入射される。
画素電極１２９に向けて射出された直線偏光１６２は、偏光状態が維持されたまま画素電極１２９で反射され、液晶７５に入射される。
画素電極１２９から液晶７５に入射された直線偏光１６２は、偏光状態が維持されたまま位相差板６３に入射される。位相差板６３に入射された直線偏光１６２は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＹ'方向に沿った偏光軸を有するＳ偏光４１Ｒｓとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＳ偏光４１Ｒｓは、偏光ビームスプリッタ５５Ｒで反射するため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過できない。
他方で、ＴＦＴ素子１２８がＯＮ状態のときに、液晶７５に入射された直線偏光１６２は、図２３（ｂ）に示すように、１／４波長の位相差が与えられ、平面視で反時計方向に回転する円偏光１６３として画素電極１２９に向けて射出される。
円偏光１６３は、画素電極１２９で反射され、平面視で時計方向に回転する（円偏光１６３とは逆回転の）円偏光１６４として液晶７５に入射される。
円偏光１６３は、画素電極１２９で反射され、平面視で時計方向に回転する（円偏光１６３とは逆回転の）円偏光１６４として液晶７５に入射される。
液晶７５に入射された円偏光１６４は、１／４波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に対して反時計方向に１３５度の傾きを有する偏光軸を有する直線偏光１６５として位相差板６３に入射される。
位相差板６３に入射された直線偏光１６５は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有するＰ偏光４１Ｒｐとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１６１の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過する。
位相差板６３に入射された直線偏光１６５は、１／２波長の位相差が与えられ、平面視でＸ'方向に沿った偏光軸を有するＰ偏光４１Ｒｐとして偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出される。
偏光ビームスプリッタ５５Ｒに向けて射出されたＰ偏光４１Ｒｐは、偏光軸が偏光ビームスプリッタ５５Ｒの透過軸１６１の方向に沿っているため、偏光ビームスプリッタ５５Ｒを透過する。
このように、画像形成装置３３では、ＴＦＴ素子１２８のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｒの画像の形成が制御される。
なお、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置３３と同様である。このため、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、ＴＦＴ素子１２８のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｇの画像の形成及びＢの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
なお、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、偏光状態は画像形成装置３３と同様である。このため、画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおける画像の形成方法については、詳細な説明を省略する。
画像形成装置３５及び画像形成装置３７のそれぞれにおいても、ＴＦＴ素子１２８のＯＮ状態及びＯＦＦ状態の切り替えにより、Ｇの画像の形成及びＢの画像の形成のそれぞれが制御され得る。
なお、本実施形態では、ＴＦＴ素子１２８がＯＦＦ状態のときに画像形成パネル５３からの光の射出が遮断される所謂ノーマリブラック（初期的に“黒表示”の状態）の表示モードが採用されている。しかしながら、表示モードは、ノーマリブラックに限定されず、所謂ノーマリホワイト（初期的に“白表示”の状態）も採用され得る。
さて、第１ダミー画素１１３では、第１ダミー電極１５１が対向電極１４６に電気的につながっているため、対向電極１４６と第１ダミー電極１５１とが互いに略同電位に保たれる。つまり、第１ダミー画素１１３では、対向電極１４６と第１ダミー電極１５１との間に、液晶７５を駆動するための電界が発生しない。このため、第１ダミー画素１１３では、黒表示の状態が保たれる。よって、第１ダミー領域９５（図７）では、黒表示の状態が保たれる。
前述したように、表示領域６９と遮光領域９１（図６）との間には、誤差吸収領域９２が設けられている。本実施形態では、図１０に示すように、誤差吸収領域９２が第１ダミー領域９５から遮光領域９１とシール領域９３とを除いた領域である。従って、本実施形態では、誤差吸収領域９２は、黒表示の状態が保たれる。
第２ダミー画素１１５では、第２ダミー電極１５５が信号線Ｓに電気的につながっている。このため、第２ダミー電極１５５の電位は、信号線Ｓの電位に応じて変化する。従って、対向電極１４６と第２ダミー電極１５５との間には、液晶７５を駆動するための電界が信号線Ｓの電位に応じて発生する。この結果、第２ダミー画素１１５では、液晶７５が、信号線Ｓの電位に応じて駆動され得る。つまり、第２ダミー画素１１５では、信号線Ｓの電位によって、表示の状態が、黒表示の状態と白表示の状態との間で変化する。よって、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂ（図７）では、表示の状態が、黒表示の状態と白表示の状態との間で変化する。
ここで、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、図１１に示すように、遮光領域９１の外側に位置している。且つ、第２ダミー領域９７ａ及び第２ダミー領域９７ｂは、図１２に示すように、シール領域９３内に設けられている。このため、表示面６５側から、第２ダミー画素１１５は観察されない。このため、第２ダミー画素１１５における黒表示の状態と白表示の状態との変化も観察されない。
本実施形態において、画素６７が有効画素に対応し、画素電極１２９が有効画素電極に対応し、第１ダミー電極１５１が第１ダミー画素電極に対応し、第２ダミー電極１５５が第２ダミー画素電極に対応している。
本実施形態では、第２ダミー領域９７ａと第２ダミー領域９７ｂとの間に、図１２に示すように、注入口７７ａに重なる中立領域９９が設けられている。このため、注入口７７ａを透視しやすくすることができる。この結果、注入口７７ａを介して封止材８５（図４）を透視しやすくすることができる。よって、封止材８５による注入口７７ａの閉塞状態を、目視や画像認識技術で確認しやすくすることができる。
本実施形態では、第２ダミー領域９７ａと第２ダミー領域９７ｂとの間に、図１２に示すように、注入口７７ａに重なる中立領域９９が設けられている。このため、注入口７７ａを透視しやすくすることができる。この結果、注入口７７ａを介して封止材８５（図４）を透視しやすくすることができる。よって、封止材８５による注入口７７ａの閉塞状態を、目視や画像認識技術で確認しやすくすることができる。
本実施形態では、複数の信号線Ｓは、中立領域９９をまたぐ信号線Ｓと、第２ダミー領域９７ａをまたぐ信号線Ｓと、第２ダミー領域９７ｂをまたぐ信号線Ｓと、を含んでいる。第２ダミー領域９７ａ又は第２ダミー領域９７ｂをまたぐ信号線Ｓは、複数の第２ダミー電極１５５に交差している。他方で、中立領域９９をまたぐ信号線Ｓは、第２ダミー電極１５５とは交差していない。このように、本実施形態では、複数の信号線Ｓは、交差する第２ダミー電極１５５の個数が信号線Ｓ間で異なっている。ところが、本実施形態では、第２ダミー電極１５５に交差する信号線Ｓは、交差する第２ダミー電極１５５に電気的につながっている。
そして、本実施形態では、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１とが重なり合う領域が、信号線Ｓ間で相互に同じ大きさに設定されている。このため、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１との間の寄生容量は、信号線Ｓ間で相互に同じ容量となる。よって、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１との間の寄生容量に起因する電圧降下は、画素列１１１（図８）間で同等となる。
つまり、本実施形態では、交差する第２ダミー電極１５５の個数が信号線Ｓ間で異なっていても、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１との間の寄生容量に起因する電圧降下は、画素６７間で同等にしやすくすることができる。このため、画素６７の輝度を表示領域６９内でそろえやすくすることができる。この結果、画像形成パネル５３における表示品位を向上させやすくすることができる。
つまり、本実施形態では、交差する第２ダミー電極１５５の個数が信号線Ｓ間で異なっていても、信号線Ｓと第１ダミー電極１５１との間の寄生容量に起因する電圧降下は、画素６７間で同等にしやすくすることができる。このため、画素６７の輝度を表示領域６９内でそろえやすくすることができる。この結果、画像形成パネル５３における表示品位を向上させやすくすることができる。
なお、本実施形態では、第２ダミー画素１１５において、第２ダミー電極１５５と信号線Ｓとを、図２０に示すように、接続部１５７を介して電気的につないだ構成としたが、第２ダミー画素１１５の構成はこれに限定されない。第２ダミー画素１１５の構成としては、図２４に示すように、第２ダミー電極１５５と信号線Ｓとを電気的に離間させた構成も採用され得る。図２４に示す構成では、第２ダミー電極１５５は、電気的に浮いた状態になっている。第２ダミー電極１５５が電気的に浮いた状態であっても、第２ダミー電極１５５と信号線Ｓとが電気的につながっている構成と同様の効果が得られる。
第１実施形態では、液晶パネル６１をプロジェクタ１に適用した例を説明したが、液晶パネル６１の適用はプロジェクタ１に限定されない。液晶パネル６１は、例えば、ディスプレイなどの表示装置にも適用され得る。
液晶パネル６１を表示装置に適用した例を、第２実施形態として説明する。
以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
液晶パネル６１を表示装置に適用した例を、第２実施形態として説明する。
以下の第２実施形態では、重複した説明を避けるため、第１実施形態と同様の構成については同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
表示装置１０は、図２５に示すように、液晶パネル６１と、位相差板６３と、偏光板１７１と、を有している。
表示装置１０では、表示面６５を介して液晶７５に入射された外光を、画素電極１２９で表示面６５側に反射させて、その反射光を表示面６５側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置１０の表示面６５から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
表示装置１０では、表示面６５を介して液晶７５に入射された外光を、画素電極１２９で表示面６５側に反射させて、その反射光を表示面６５側に射出することによって、反射表示が行われ得る。なお、外光とは、表示装置１０の表示面６５から入射されるあらゆる光である。外光には、例えば、屋内外の照明光や、太陽光、照明装置からの光などが含まれる。
液晶パネル６１は、図２５中のＵ−Ｕ線における断面図である図２６に示すように、対向基板１７３を有している。第２実施形態での液晶パネル６１は、第１実施形態での液晶パネル６１の対向基板７３が対向基板１７３に替えられていることを除いては、第１実施形態での液晶パネル６１と同様の構成を有している。
偏光板１７１は、位相差板６３よりも表示面６５側に設けられている。偏光板１７１は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
偏光板１７１は、位相差板６３よりも表示面６５側に設けられている。偏光板１７１は、透過軸の方向に偏光軸を有する光を透過させることができる。
なお、偏光板１７１よりも表示面６５側や、偏光板１７１と位相差板６３との間、位相差板６３と対向基板１７３との間に、光学補償フィルムを設けた構成も採用され得る。光学補償フィルムを設けることで、液晶７５を表示面６５の法線方向から見たときや、法線方向から傾斜した方向から見たときなどの液晶７５の位相差を補償することができる。これにより、光漏れを低減することができ、コントラストの向上が図られる。
光学補償フィルムとしては、屈折率異方性が負のディスコティック液晶分子等をハイブリッド配向させた負の一軸性媒体（例えば、富士フィルム製のＷＶフィルム）などが採用され得る。また、屈折率異方性が正のネマチック液晶分子等をハイブリッド配向させた正の一軸性媒体（例えば、日本石油製のＮＨフィルム）なども採用され得る。さらに、負の一軸性媒体と正の一軸性媒体とを組み合わせた構成も採用され得る。その他、各方向の屈折率がｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚとなる二軸性媒体や、負のＣ−Ｐｌａｔｅ等も採用され得る。
表示装置１０に設定されている複数の画素６７は、それぞれ、表示面６５から射出する光の色が、図２７に示すように、Ｒ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭを構成する複数の画素６７は、Ｒの光を射出する画素６７Ｒと、Ｇの光を射出する画素６７Ｇと、Ｂの光を射出する画素６７Ｂとを含んでいる。
なお、以下においては、画素６７という表記と、画素６７Ｒ、６７Ｇ及び６７Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素６７という表記と、画素６７Ｒ、６７Ｇ及び６７Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
また、表示装置１０では、１つの画素列１１１内の各画素６７は、光の色がＲ、Ｇ及びＢのうちの１つに設定されている。つまり、マトリクスＭは、複数の画素６７ＲがＹ方向に配列した画素列１１１Ｒと、複数の画素６７ＧがＹ方向に配列した画素列１１１Ｇと、複数の画素６７ＢがＹ方向に配列した画素列１１１Ｂとを有している。そして、マトリクスＭでは、画素列１１１Ｒ、画素列１１１Ｇ及び画素列１１１Ｂが、この順でＸ方向に沿って反復して並んでいる。
なお、以下においては、画素列１１１という表記と、画素列１１１Ｒ、画素列１１１Ｇ及び画素列１１１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
なお、以下においては、画素列１１１という表記と、画素列１１１Ｒ、画素列１１１Ｇ及び画素列１１１Ｂという表記とが、適宜、使いわけられる。
ここで、対向基板１７３の構成について説明する。
対向基板１７３は、図２７中のＷ−Ｗ線における断面図である図２８に示すように、対向層１７４を有している。対向層１７４は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。
対向層１７４には、光吸収層１７５と、カラーフィルタ１７７と、オーバーコート層１７９と、対向電極１４６と、配向膜１４７と、が含まれている。
対向基板１７３は、図２７中のＷ−Ｗ線における断面図である図２８に示すように、対向層１７４を有している。対向層１７４は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。
対向層１７４には、光吸収層１７５と、カラーフィルタ１７７と、オーバーコート層１７９と、対向電極１４６と、配向膜１４７と、が含まれている。
光吸収層１７５は、第２基板１４１の対向面１４１ｂに設けられている。光吸収層１７５は、平面図で格子状に設けられており、各画素６７を区画している。表示装置１０では、各画素６７の領域は、光吸収層１７５によって囲まれた領域であると定義され得る。
光吸収層１７５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
カラーフィルタ１７７は、各画素６７に対応して設けられている。カラーフィルタ１７７は、第２基板１４１の対向面１４１ｂ側に設けられており、光吸収層１７５によって囲まれた各領域、すなわち各画素６７の領域を底面７９側から覆っている。
光吸収層１７５の材料としては、例えば、カーボンブラックやクロムなどの光吸収性が高い材料を含有する樹脂などが採用され得る。
カラーフィルタ１７７は、各画素６７に対応して設けられている。カラーフィルタ１７７は、第２基板１４１の対向面１４１ｂ側に設けられており、光吸収層１７５によって囲まれた各領域、すなわち各画素６７の領域を底面７９側から覆っている。
ここで、カラーフィルタ１７７は、入射された光のうち所定の波長域の光を透過させることができる。カラーフィルタ１７７は、画素６７Ｒ、画素６７Ｇ及び画素６７Ｂごとに異なる色に着色された樹脂などで構成されている。画素６７Ｒに対応するカラーフィルタ１７７は、Ｒの光を透過させることができる。画素６７Ｇに対応するカラーフィルタ１７７はＧの光を透過させ、画素６７Ｂに対応するカラーフィルタ１７７はＢの光を透過させることができる。なお、以下において、各カラーフィルタ１７７に対してＲ、Ｇ及びＢが識別される場合に、カラーフィルタ１７７Ｒ、１７７Ｇ及び１７７Ｂという表記が用いられる。
オーバーコート層１７９は、カラーフィルタ１７７の底面７９側に設けられている。オーバーコート層１７９は、光透過性を有する樹脂などで構成されており、カラーフィルタ１７７を底面７９側から覆っている。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、液晶パネル６１には、遮光領域９１、誤差吸収領域９２及びシール領域９３、並びに第１ダミー領域９５、第２ダミー領域９７ａ、第２ダミー領域９７ｂ及び中立領域９９が設けられている。さらに、これらの他に、液晶パネル６１に、第１回路領域１０１ａと、第２回路領域１０１ｂと、第３回路領域１０１ｃと、が設けられている点においても、第１実施形態と同様である。
上記の構成により、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、第２実施形態においても、第２ダミー画素１１５の構成として、図２４に示す構成が採用され得る。つまり、第２実施形態においても、第２ダミー電極１５５と信号線Ｓとを電気的に離間させた構成が採用され得る。
なお、第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、液晶パネル６１には、遮光領域９１、誤差吸収領域９２及びシール領域９３、並びに第１ダミー領域９５、第２ダミー領域９７ａ、第２ダミー領域９７ｂ及び中立領域９９が設けられている。さらに、これらの他に、液晶パネル６１に、第１回路領域１０１ａと、第２回路領域１０１ｂと、第３回路領域１０１ｃと、が設けられている点においても、第１実施形態と同様である。
上記の構成により、第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果が得られる。
また、第２実施形態においても、第２ダミー画素１１５の構成として、図２４に示す構成が採用され得る。つまり、第２実施形態においても、第２ダミー電極１５５と信号線Ｓとを電気的に離間させた構成が採用され得る。
なお、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、液晶７５の駆動方式としてＶＡ型の駆動方式が採用されているが、駆動方式はこれに限定されない。液晶７５の駆動方式は、ＴＮ（Twisted Nematic）型、ＩＰＳ（In Plane Switching）型、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）型等の種々の方式も採用され得る。
また、第１実施形態及び第２実施形態では、それぞれ、半導体層１３１として多結晶シリコンが採用されているが、半導体層１３１はこれに限定されない。半導体層１３１としては、例えば、単結晶シリコンや非晶質シリコンなども採用され得る。
上述した表示装置１０は、例えば、図２９に示す電子機器５００の表示部５１０に適用され得る。この電子機器５００は、携帯電話機である。この電子機器５００は、操作ボタン５１１を有している。表示部５１０は、操作ボタン５１１で入力した内容や着信情報を始めとする様々な情報について表示を行うことができる。この電子機器５００では、表示部５１０に表示装置１０が適用されているので、表示部５１０における表示品位を向上させやすくすることができる。
なお、電子機器５００としては、携帯電話機に限られず、モバイルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、カーナビゲーションシステム用の表示機器などの車載機器、オーディオ機器等の種々の電子機器が挙げられる。
また、液晶パネル６１としては、適用される電子機器は、これらに限定されず、ヘッドアップディスプレイなどの電子機器にも適用され得る。
また、液晶パネル６１としては、適用される電子機器は、これらに限定されず、ヘッドアップディスプレイなどの電子機器にも適用され得る。
１…プロジェクタ、１０…表示装置、１３…画像形成部、３３…画像形成装置、３５…画像形成装置、３７…画像形成装置、５３…画像形成パネル、６１…液晶パネル、６３…位相差板、６５…表示面、６７…画素、６９…表示領域、７１…素子基板、７３…対向基板、７５…液晶、７７…シール材、７７ａ…注入口、７９…底面、８１…走査線駆動回路、８３…信号線駆動回路、８５…封止材、９１…遮光領域、９２…誤差吸収領域、９３…シール領域、９５…第１ダミー領域、９７ａ，９７ｂ…第２ダミー領域、９９…中立領域、１０１ａ…第１回路領域、１０１ｂ…第２回路領域、１０１ｃ…第３回路領域、１１３…第１ダミー画素、１１５…第２ダミー画素、１２１…第１基板、１２８…ＴＦＴ素子、１２９…画素電極、１３４ａ，１３４ｂ，１３４ｃ…コンタクトホール、１３５…ソース電極、１３６…ドレイン電極、１４１…第２基板、１４６…対向電極、１５１…第１ダミー電極、１５３…接続部、１５５…第２ダミー電極、１５７…接続部、１５９…欠落画素、１７１…偏光板、１７３…対向基板、５００…電子機器、５１０…表示部、Ｓ…信号線、Ｔ…走査線。
Claims (11)
- 第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
画像が表示され得る表示領域内に設けられた複数の有効画素と、
前記表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、
前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、
複数の前記有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、
複数の前記第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、
複数の前記第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、
前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、
前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側から前記表示領域内に向かって延在し、前記有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、
前記信号線は、前記信号線と平面的に重なる第２ダミー画素電極と電気的に接続され、前記信号線と平面的に重なる第１ダミー画素電極とは電気的に接続されず、
前記第１ダミー画素電極は、前記第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち前記黒表示を行う電位に維持される、
ことを特徴とする液晶装置。 - 前記信号線と前記第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、前記複数の信号線間で相互に同じ大きさであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
- ノーマリブラックの表示モードにおいて、
前記第１ダミー画素電極は、前記対向電極と略同等の電位に維持される、ことを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。 - 前記有効画素、前記第１ダミー画素及び前記第２ダミー画素を含めた複数の画素の前記画素ごとに設けられ、前記第２基板を経て前記液晶に入射された光を前記第２基板側に反射させる反射膜を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置。
- 複数の前記第２ダミー画素のうちの一部の前記第２ダミー画素には、前記反射膜が欠落した欠落画素が含まれていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
- 前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極のそれぞれが、前記反射膜を兼ねていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
- 前記表示領域の外側で前記表示領域を囲む領域に設けられたシール材と、
前記シール材に設けられた前記液晶の注入口と、を有しており、
前記欠落画素が、前記注入口の領域に重なっている、ことを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。 - 第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板の間に挟持された液晶と、
画像が表示され得る表示領域内に設けられた複数の有効画素と、
前記表示領域の外周に沿って、前記表示領域の外側に設けられた複数の第１ダミー画素と、
前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側に設けられた複数の第２ダミー画素と、
複数の前記有効画素ごとに設けられた有効画素電極と、
複数の前記第１ダミー画素ごとに設けられた第１ダミー画素電極と、
複数の前記第２ダミー画素ごとに設けられた第２ダミー画素電極と、
前記有効画素電極、前記第１ダミー画素電極及び前記第２ダミー画素電極に対向する対向電極と、
前記第１ダミー画素に対して前記表示領域とは反対側から前記表示領域内に向かって延在し、前記有効画素電極に画像信号を供給する複数の信号線と、を有し、
前記第１ダミー画素電極は、前記第１ダミー画素が黒表示及び白表示のうち前記黒表示を行う電位に維持され、
前記第２ダミー画素電極は、電気的に浮いている、ことを特徴とする液晶装置。 - 前記信号線と前記第１ダミー画素電極とが重なり合う領域の面積は、前記複数の信号線間で相互に同じ大きさであることを特徴とする請求項８に記載の液晶装置。
- 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置をライトバルブとして有することを特徴とするプロジェクタ。
- 請求項１乃至９のいずれか一項に記載の液晶装置を表示部として有することを特徴とする電子機器。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2008257084A JP2010085882A (ja) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 液晶装置、プロジェクタ及び電子機器 |
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|---|---|
| JP2010085882A true JP2010085882A (ja) | 2010-04-15 |
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| JP2008257084A Pending JP2010085882A (ja) | 2008-10-02 | 2008-10-02 | 液晶装置、プロジェクタ及び電子機器 |
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| JP (1) | JP2010085882A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101916032A (zh) * | 2010-07-19 | 2010-12-15 | 明基电通有限公司 | 具有卡合设计的投影机模组及其相关组合式投影机模组 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007170A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Seiko Epson Corporation | Dispositif electro-optique, son procede de fabrication, affichage a projection et dispositif electronique |
| JP2000352717A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Nec Corp | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2006267937A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型の液晶表示装置 |
| JP2007212817A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2007264233A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Epson Imaging Devices Corp | Ｅｃｂモードの液晶表示装置 |
-
2008
- 2008-10-02 JP JP2008257084A patent/JP2010085882A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007170A1 (fr) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Seiko Epson Corporation | Dispositif electro-optique, son procede de fabrication, affichage a projection et dispositif electronique |
| JP2000352717A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Nec Corp | 液晶表示パネルおよびその製造方法 |
| JP2006267937A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型の液晶表示装置 |
| JP2007212817A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| JP2007264233A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Epson Imaging Devices Corp | Ｅｃｂモードの液晶表示装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101916032A (zh) * | 2010-07-19 | 2010-12-15 | 明基电通有限公司 | 具有卡合设计的投影机模组及其相关组合式投影机模组 |
| CN101916032B (zh) * | 2010-07-19 | 2012-08-08 | 明基电通有限公司 | 具有卡合设计的投影机模组及其相关组合式投影机模组 |
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