JPH0456827A - 反射型液晶パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概　要〕 反射型液晶パネルに関し、 画素電極を反射層として利用する場合に平坦な反射面を
得ることのできる反射型液晶パネルを提供することを目
的とし、 透明電極を設けた基板と画素電極を設は基板との間に液
晶を封入し、該画素電極に接続するＦＥＴを有するアク
ティブマトリクスを設け、さらに該画素電極の下方に位
置し且つ各液晶の容量と並列な蓄積容量を設け、該画素
電極が該蓄積容量の電極面上だけに設けられ、該画素電
極の表面を入射光に対する反射面とした構成とする。

〔産業上の利用分野〕

本発明は画素電極の表面を入射光に対する反射面とした
反射型液晶パネルに関する。

最近、液晶パネルが各種のデイスプレィに使用されるよ
うになってきている。液晶デイスプレィはＣＲＴデイス
プレィに比べて小型、軽量にすることができるので、設
置の自由度が大きく、大画面システムを構成するのに適
し、例えばノ＼イビジョンテレビへの応用が期待されて
いる。

液晶パネルは光の伝播方法から見て透過型と反射型に分
類することができる。ハイビジョンテレビへの応用等の
ためには画素数を多くすることが必要であり、一定の面
積の中で画素数を多くすると各画素の面積を小さくしな
ければならず、アクティブマ）　ＩＪクス駆動の液晶パ
ネルでは各画素の面積に対するスイッチング用電解効果
トランジスタ（ＦＥＴ）の比面積が大きくなる。ＦＥＴ
は直接に入射光が当たると特性が変化するので、入射光
が当たらないようにするのが好ましく、ＦＥＴに向かう
入射光を遮断することが必要になり、透過型液晶パネル
では開口率が低下する。反射型液晶パネルは反射層を有
し、ＦＥＴを反射層の後方に設けることができるので、
比較的に開口率を大きくすることができる。従って、高
解像度のデイスプレィには反射型液晶パネルが適する場
合が多い。

〔従来の技術〕

反射型液晶パネルは、対向する基板の間に液晶を封入し
、一方の基板が透明で、他方の基板に反射層が設けられ
、透明な基板から入射された光（偏光）が反射層で反射
し、再び透明な基板から出射するようにしたものである
。通常、入射側の透明な基板に透明な全面電極を設ける
とともに、他方の基板に微小な所定の形状の画素電極を
設け、この画素電極を上記したアクティブマトリクスに
より駆動する。アクティブマトリクスは走査用Ｘ電極線
及び信号用Ｙ電極線からなり、各スイッチング用ＦＥＴ
のゲートが走査用Ｘ電極線に接続され、ソースが信号用
のＹ電極線に接続され、ドレインが画素電極に接続され
る。かくしてＦＥＴのスイッチング作用により透明電極
と画素電極との間の印加電圧を変化させ、液晶の光透過
性質を変化させて、例えば明暗の変化した画素像を形成
することができる。このようなＦＥＴとして、例えばＭ
ＯＳＦＥＴや薄膜層トランジスタであるＴＰＴを使用す
る提案がある。

反射型液晶パネルでは、画素電極が透明なものであれば
、その下に反射層を設けることが必要である。しかし、
最近、画素電極を金属により形成し、その表面を反射層
として利用する提案が行われている。このような構成に
すれば、反射層を兼用する画素電極をできるだけ広い面
積で平坦に形成し、ＦＥＴをその下（裏側）に配置して
入射光を受けないようにすることができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

液晶は、電気回路的には入射側の透明電極及び反射層と
なる画素電極の間で容量（コンデンサ）を構成したもの
と等価である。この容量は、ＦＥＴのゲートがオンにさ
れたときに充電し、オフにされたときに放電してその容
量値及びＦＥＴの抵抗によって定まる時定数で電圧を保
持し、よって次のオン時近くまで画像を形成させる。

容量の値は一般的に電極の面積に比例し、電極間の距離
に反比例する。液晶からなる容量の場合には、容量の値
は画素電極の面積によって定められる。例えばハイビジ
ョン対応等のために一定の面積の中で画素数を多くする
と、各画素電極の面積が小さくなり、よって得られる容
量の値が小さくなる。このように容量の値が小さくなる
と、時定数が小さくなって画像保持期間が減少し、画像
を十分に形成することができなくなる。このために、液
晶からなる容量と並列に補助容量を設け、合成容量値に
よって時定数を上げ、十分な画像保持期間が確保される
ようにする。このような補助容量を蓄積容量と呼ぶ。

上記した画素電極を反射層として利用する従来の構成の
場合には、各画素電極とそれに隣接する画素電極との間
隔をできるだけ詰約て各画素電極の面積をできるだけ大
きくし、それによってＦＥＴをその下に隠すとともに液
晶からなる容量の値を大きくし、補助容量（蓄積容量）
をなくすことができるようにしたものである。しかし、
このように各画素電極の面積を大きくすることによって
液晶からなる容量の値を大きくしようとする試みは、画
素数が多くなる場合には通用しなくなる（画素数が多く
なると各画素電極の面積は必然的に小さくなる）。従っ
て、画素電極の面積が小さい場合には、画素電極の下方
に位置し且つ液晶の容量と並列な蓄積容量を設けること
が必要になる。

ところで、画素電極を反射層として利用する場合には反
射層となる画素電極の表面の平坦さが問題になる。例え
ば偏光の旋光性や複屈折を利用するツイストネマチック
型や複屈折伝播型の液晶ノ＜ネル等では、反射層に凹凸
があると反射時の光の方向が旋光性や複屈折に関して定
められた所定の反射方向から変化し、輝度の低下を招く
等の問題を生じる。特に、反射層となる画素電極の下方
にＦＥＴや蓄積容量を設ける場合には、反射層となる画
素電極に段差が発生しやすく、平坦な反射面を得ること
が望まれていた。

本発明の目的は画素電極を反射層として利用する場合に
平坦な反射面を得ることのできる反射型液晶パネルを提
供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明による反射型液晶パネルは、対向する基板の間に
液晶を封入し、入射側の基板に透明電極を設けるととも
に、他方の基板に微小な所定の形状の画素電極を設け、
該画素電極に接続するスイッチング用電解効果トランジ
スタを有するアクティブマ）　ＩＪクスを設け、さらに
該画素電極の下方に位置し且つ各液晶の容量と並列な蓄
積容量を設けるとともに該画素電極及び該蓄積容量の一
方の電極が該電解効果トランジスタのドレインと共通的
に接続され、該画素電極が該蓄積容量の該一方の電極面
上だけに設けられ、該画素電極の表面を入射光に対する
反射面としたことを特徴とするものである。

〔作　用〕

上記構成においては、蓄積容量の電極面は本質的に平坦
に形成されるものであり、しかも画素電極はそのように
平坦にされた蓄積容量の電極面上だけに設けられるので
、特別の平坦化処理をしなくても平坦になる。

反射型液晶パネルの使用においては、例えば液晶に電圧
を印加していないときに入射偏光が液晶を所定の複屈折
率で複屈折しながら伝播し、その出射偏光が反射型液晶
パネルの出射側に設けた偏光手段を実質的に透過し、そ
の先に設けられるスクリーンに白表示を行う。また、液
晶に電圧を印加すると液晶が立ち上がるので複屈折率が
小さくなり、よって出射偏光の振動面が変わって、出射
偏光が偏光手段を実質的に透過しないようになり、スク
リーンに黒表示を行う。従って、コントラストの明瞭な
表示を行うことができるようになる。

このように、偏光は反射型液晶パネル内を複屈折モード
によって伝播し、平坦な反射面において反射した後も反
射前と同等の偏光の特性を維持して伝播する。

〔実施例〕

第３図は本発明を投射型ハイビジョンテレビに応用した
例を示し、テレビの外箱１０内には、反射型液晶装置１
２、光源１４、投射レンズ１６、反射鏡１８゜２０が配
置される。テレビの外箱１０の前面にはスクリーン２２
が設けられ、反射型液晶装置１２で形成された画像が投
射レンズ１６で拡大され、反射鏡１８２０で反射されて
スクリーン２２に結像するようになっている。

第４図及び第５図は第３図の反射型液晶装置１２の概略
を示している。投射レンズ１６は単一の凸レンズ１６に
よって代表的に示されているが、あらゆる組み合わせレ
ンズとすることができる。反射型液晶装置１２はビーム
スプリッタ２４及び液晶ノ（ネＪし２６からなり液晶パ
ネル２６は反射層２８を備えてＧ）る。

ビームスプリッタ２４は２個のプリズムの傾斜面を接合
してなる半透過反射膜２４ａを有し、光源１４はビーム
スプリッタ２４に液晶ノスネル２６の入射面（こほぼ平
行な方向に光源光を供給するようになっている。そこで
、光源光のうち、ビームスプリッタ２４への入射面と平
行な振動面を有する偏光成分Ｓがビームスプリツタ２４
０半透過反射膜２４ａにお０）で反射し、入射面と直角
な振動面を有する偏光成分Ｐがビームスプリツタ２４０
半透過反射膜２４ａを透過する。このようにして、液晶
ノくネＪし２６（こ入射した偏光Ｓは、反射層３で反射
して再び液晶）くネル２６から出射する。入射偏光Ｓの
振動面（ま液晶）（ネル２６内の液晶層を伝播する間に
複屈折作用（こよって制御され、場合に応じて入射偏光
Ｓと同じ振動面をもつ出射偏光Ｓ、又は入射偏光Ｓと異
なった振動面をもつ出射偏光Ｐとが出射する。入射偏光
Ｓと同じ振動面をもつ出射偏光Ｓはビームスプリッタ２
４の半透過反射膜２４ａで反射して投射レンズ装置１６
へ達せず（第５図）、入射偏光Ｓと異なった振動面をも
つ出射偏光Ｐがビームスプリッタ２４の半透過反射膜２
４ａを透過して投射レンズ１６へ向かう（第４図）。

第゛１図を参照すると、液晶パネル２６は入射側ガラス
基板３０、反射層２８側のガラス基板３２、これらのガ
ラス基板３０．３２の間に封入された液晶３４、及び液
晶３４に電圧を印加する電極からなっている。

入射側ガラス基板３０の入射表面には反射防止膜３１が
形成され、入射偏光及び出射偏光の反射損を防止するよ
うになっている。液晶３４に電圧を印加するために、透
明電極３６が入射側ガラス基板３０の内面に全面に形成
され、金属の画素電極３８が反射側ガラス基板３２の内
面に微小区画毎に形成されている。この画素電極３８が
上記した反射層２８としても作用するようになっている
。透明電極３６には黒色の遮蔽層３７が所定のパターン
で設けられる。

第２図に示されるように、画素電極３８は走査用電極線
ｘ、　、　Ｘ２　、　Ｘ３　、及び信号用ｉｘ電極線ｌ
　。

Ｙ２　、Ｙ３　、Ｙ４からなるアクティブマトリクスに
スイッチング素子としての電解効果トランジスタ（ＦＥ
Ｔ）　４０を介して接続される。

第１図に示されるように、このＦＥＴ　４０は反射側ガ
ラス基板３２に取りつけたＭＯ３ＦＩＥＴからなり、Ｐ
型シリコン基板４２に設けた半導体デバイスである。

各ＦＥＴ　４０はシリコン基板４２に絶縁膜を介して取
りつけたゲートと、ゲートの両側に形成したｎ十層のソ
ース及びドレインを含み、これらの各要素にはそれぞれ
ゲート電極４０Ｇ１ソース電極４０Ｓ、及びドレイン電
極４０Ｄが接続される。ゲート電極４０Ｇがアクティブ
マトリクスの走査用電極線ｘＩ。

Ｘ、、Ｘ３に接続され、ソース電極４０Ｓが信号用電極
線ＹＩ、Ｙ２　、Ｙ３　、Ｙ４に接続され、ドレイン電
極４０Ｄが画素電極３８に接続される。さらに、シリコ
ン基板４２の隣接するＦＥＴ　４０の間の領域にｐ十層
からなる蓄積容量の電極４４が設けられる。

ｎ〒屡のソース及びドレイン、及びｐ十層からなる蓄積
容量の電極４４を有するシリコン基板４２には第１の絶
縁膜４６が形成される。この第１の絶縁膜４６はソース
電極４０Ｓ及びドレイン電極４０Ｄの接続部を除いてシ
リコン基板４２のほぼ全面を覆い、従って、ゲート電極
４０Ｇの下層の絶縁膜４６ａ１及び蓄積容量の電極４４
を覆う絶縁膜４６ｂとなる。ゲート電極４０Ｇ及び走査
用電極線Ｘ、、Ｘ２．Ｘ３は多結晶シリコンの膜として
絶縁膜４６ａの上に形成される。同様に蓄積容量の電極
４８が多結晶シリコンの膜として絶縁膜４６ｂの上に形
成される。従って、蓄積容量は電極４４．４８及びその
間の絶縁膜４６ｂによって構成される。画素電極３８は
この電極４８の上に珪素アルミニウム等の反射性を備え
た金属によって形成されたものであり、蓄積容量の一方
の電極４８が画素電極３８と共通的にドレイン電極４０
Ｄに接続される。さらにこれらの全電極を覆って第２の
絶縁膜５０が設けられる。第２の絶縁膜５０の膜厚を入
射光の中心波長の１７２の波長厚さになるようにして偏
光の位相が第２の絶縁膜５０がない場合と変わらないよ
うにするとよい。第１及び第２の絶縁膜４６．５０は二
酸化シリコン（Ｓ１０□）からなり、より好ましくはシ
リコン酸化物とシリコン窒化物の合成複合体から構成さ
れる。このような合成複合体は緻密性に優れ、特にチャ
ンネル長の非常に小さなＦＥＴ　４０の製造が可能にな
り、しかも比誘電率が４以上で厚さ２Ｑｎｍ以下にする
ことができるので電極面積が小さ（でも蓄積容量の大き
な値を得ることができる。

第１図から明らかなように、ｐ十層からなる蓄積容量の
電極４４は隣接するＦＥＴ　４０の間に延びるが、ＦＥ
Ｔ　４０からは分離されている。絶縁膜４６ｂの上の蓄
積容量の電極４８は蓄積容量のもう一方の電極４４とほ
ぼ重ね合わせの形状を有し、これらの電極４４４８はと
もに平坦に形成される。画素電極３８は一方の電極４８
の上にだけ設けられ、すなわちこの電極４８の表面から
実質的にはみ出さないような形状に形成される。従って
、平坦な電極４８の上に平坦な画素電極３８を容易に形
成することができる。各ＦＥＴ　４０は画素電極３８及
び蓄積容量の電極４８から分離した位置に形成されてい
る。

第８図は画素電極３８の表面形状及びＦＥＴ　４０の配
置を示す図である。アクティブマ）Ｉ＋クスの走査用電
極線Ｘ＋　、Ｘ２　、Ｘ３　、及び信号用電極線Ｙ１Ｙ
２　、Ｙ３　、Ｙ４はほぼ矩形状の空間を区画し、各画
素電極３８（及びその下の蓄積容量の電極４８）は矩形
の１隅を切り取った形状に形成され、ＦＥＴ４０がその
切り取った部分に配置される。すなわち、ＦＥＴ　４０
はアクティブマトリクスの走査用電極線Ｘ　Ｉ　ＩＸ２
．Ｘ３、及び信号用電極線Ｙ＋　、Ｙ２　、Ｙｌ　。

Ｙ、の近傍に画素電極３８（及びその下の蓄積容量の電
極４８）から分離して配置される。透明電極３６の内面
に設けた黒色の遮蔽層３７は、このような配置のＦＥＴ
　４０に向かって入射光線が当たるのを遮蔽するように
配置される。

第９図においては、アクティブマトリクスの走査用電極
線Ｘ＋　、Ｘ２　、Ｘ３　、及び信号用電極線Ｙ、、Ｙ
２．Ｙ３．Ｙ４の交差点を中心として４個の画素電極３
８（及びその下の蓄積容量の電極４８）を組として配置
し、それぞれのＦＥＴ　４０が該交差点の近傍に集めて
配置される。これらのＦＥＴ　４０は１個の黒色の遮蔽
層３７によって入射光線に対して遮蔽される。第８図及
び′第９図のように配置することによって、ＦＥＴ　４
０を画素電極３８（及びその下の蓄積容量の電極４８）
から分離しつつ、画素電極３８（及びその下の蓄積容量
の電極４８）の面積を最大にすることができ、且つ遮蔽
層３７をブラックストライプと一体にすればパターン形
成が容易になる。

さらに、第１０図に示されるように、ゲートドライバ５
２及びソースドライバ５４をそれぞれＩＣチップとして
構成し、液晶パネル２６の反射側ガラス基板３２を広く
して、ゲートドライバ５２及びソースドライバ５４をこ
の反射側ガラス基板３２に取りつけると、駆動回路一体
型の液晶パネル２６とすることができる。特に、ゲート
ドライバ５２及びソースドライバ５４が液晶パネル２６
に対して左右、上下に形成されていると、全体的な構成
のまとまりがよく、端子接続がやりやすくなる。また、
画素電極３８・ＦＥＴ　４０及び蓄積容量のシリコン基
板４２を広くし、このシリコン基板４２に少なくともゲ
ートドライバ５２を直接に集積化して形成することがで
きる。ソースドライバ５４は別のＩＣチップとして構成
し、それをこのシリコン基板４２に搭載することもでき
る。

なお、第１図及び第６図に示されるように、ガラス基板
３０．３２の間に封入された液晶３４を、ホモジニアス
配向で封入された正の複屈折率をもったネマティック液
晶とすると、液晶３４を伝播する偏光を複屈折モードで
制御することができる。すなわち、液晶の異方性による
複屈折率Δｎｃ（Δｎ”ｎａ　　ｎｏ）が正で、液晶３
４の各分子の長軸がガラス基板３０．３２と平行に−様
な方向を向いて配向されたものである。液晶３４のディ
レクタｎは液晶３４の分子の長軸の方向になる。この場
合、第６図に示されるように、ビームスプリッタ２４及
び液晶パネル２６は、ビームスプリッタ２４から液晶パ
ネル２６に入射する入射偏光Ｓの振動面Ｅが液晶３４の
ディレクタｎに対して所定の角度ｅをなすように配置さ
れる。このように角度ｅがあると、入射偏光Ｓは液晶３
４内を常光ｎ０及び異常光ｎ８に分かれて複屈折しなが
ら伝播する。角度ｅは４５度にするのが好ましい。

このような液晶３４の構成によって、透明電極３６と画
素電極３８との間に電圧を印加していないときには、液
晶３４の分子の長軸がガラス基板３０．３２と平行に配
向した状態になっており、入射偏光Ｓは液晶３４内を所
定の複屈折率で複屈折しながら伝播し、伝播する偏光の
振動面Ｅが常光ｎ０と異常光ｎ８との速度差に応じて回
転していく。従って、反射層２８で反射して、液晶３４
から出射する出射偏光の振動面Ｅは、入射偏光Ｓの振動
面Ｅから大きく回転し、第４図に示されるように偏光Ｐ
の振動面Ｅ、と同等になり、よって出射偏光Ｐはビーム
スプリツタ２４０半透過反射膜２４ａを透過して投射レ
ンズ１６へ向かい、スクリーン２２に明るい画素像を形
成する。

また、電圧が印加されたときには、液晶３４０分子の長
袖がガラス基板３０．３２に平行な平面に対してチルト
角αで立ち上がり、印加電圧が大きくなるにつれて液晶
３４のチルト角αは大きくなり、それとともに液晶３４
の複屈折率は小さくなる。従って、複屈折率が小さくな
るほど、入射偏光Ｓの振動面Ｅの液晶３４内での回転量
が減少し、出射偏光は入射時の偏光Ｓに近づいていく。

従って、液晶３４から出射する出射偏光はビームスプリ
ッタ２４の半透過反射膜２４ａを透過しにくくなり、投
射レンズ１６へ向かう光量が減少して、スクリーン２２
の画素像は暗くなり、液晶３４の分子が完全に立ち上が
ったときにはほとんど暗状態になる。この暗状態におい
ては、液晶３４の複屈折率はほとんどＯと見てよいので
、光源１４の光の波長依存性はなく、よって上記した明
状態との間で明瞭なコントラストを形成できる。

なお、上記説明では、単に出射偏光Ｓ、出射偏光Ｐと呼
んだが、実際の出射偏光は偏光Ｓの成分と偏光Ｐの成分
とが混在したものであり、偏光Ｐの成分が多いほどビー
ムスプリッタ２４を透過する光量が多く、明るい画素像
が得られることになる。

ここで、印加電圧がないときに最も明るい画素像を得る
ためには、液晶の厚さｄ１光源光の中心波長λ。、その
中心波長での異常光及び常光の屈折率ｎ＠ｏ・ｎｏｃ１
同複屈折率Δｎｃ　＝　（ｎｅｃ　　ｎｏｃ）、ｍを０
及び自然数とすると、次に関係のあることが好ましい。

ｄΔ７１ｅ　　　（２ｍ−’−，１） λｃ４ これは位相角Δψがπ又は３π等になったときの関係を
満足する式であり、このときに偏光Ｓの振動面Ｅの回転
量は２θになる。θが４５度の場合には、２θは９０度
になる。従って、出射偏光の振動面は入射偏光Ｓの振動
面Ｅから９０度回転し、光源光の偏光成分Ｐと同等にな
る。

次に、第７図はカラー表示をするのに適した３個組の液
晶装置１２を備え、各液晶装置１２がビームスプリッタ
２４、液晶パネル２６、及び投射レンズ１６を備えてい
る。光源１４から各ビームスプリッタ２４に向かう光路
の途中にダイクロイックミラー６０６２．６４が配置さ
れ、これらのダイクロイックミラー６０　、６２・６４
は光源１４の光を赤、緑、青の成分に分離するものであ
る。例えば、ダイクロイックミラー６０は赤色の成分と
して約６００から７５０ｎｍの光（中心波長６４０ｎｍ
）を関連するビームスプリッタ２４に向かって反射し、
残りの色の成分を透過させる。次のグイクロイックミラ
ー６２は緑色の成分として約５００から６００ｎｍの光
（中心波長５５０ｎｍ）を関連するビームスプリッタ２
４に向かって反射し、残りの色の成分を透過させる。そ
して、最後のグイクロイックミラー６４は青色の成分と
して約４００から５００ｎｍの光（中心波長４６０ｎｍ
）を関連するビームスプリッタ２４に向かって反射する
。

このようにして分離された各色の波長成分はそれぞれの
ビームスプリッタ２４及び液晶パネル２６によって選択
的に透過せしめられ、投射レンズ１６を介してスクリー
ンに結像する。

このような構成においては、各液晶パネル２６の液晶３
４の厚さは各色の成分の中心波長に基づいて単色の場合
と同様に次の関係で定められる。

使用する光源の赤、緑、青の分離された波長領域の各中
心波長λｒｃ’λｇ（ｌ　λｂｅ、各中心波長λ、。、
２ｇ（ｌ　λ、Ｃにおける液晶の複屈折率Δｎｒｃ（Δ
ｎｒｃ＝ｎｒ、ｃ−ｎｒｏｃ）、Δｎ、ｃ（Δｎ９ｅｎ
９＠Ｃｎ９０ｃ　）　、Δｎｂｃ（Δｎ　ｂｃ　＝　ｎ
　ｂｅ。

ｎ、。Ｃ）、各液晶パネル２６の液晶３４の犀さｄｒ。

ｄ７．ｄ、、ｍを０及び自然数とすると、λｒｃ　　　
　　　λ９ｃ　　　　　　λｂｃ　　　　　　　４関係
を満足すると、それぞれの色毎に最も明瞭なコントラス
トを得ることができる。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明による反射型液晶パネルは
、対向する基板の間に液晶を封入し、入射側の基板に透
明電極を設けるとともに、他方の基板に微小な所定の形
状の画素電極を設け、該画素電極に接続するスイッチン
グ用電解効果トランジスタを有するアクティブマトリク
スを設け、さらに該画素電極の下方に位置し且つ各液晶
の容量と並列な蓄積容量を設けるとともに該画素電極及
び該蓄積容量の一方の電極が該電解効果トランジスタの
ドレインと共通的に接続され、該画素電極が該蓄積容量
の該一方の電極面上だけに設けられ、該画素電極の表面
を入射光に対する反射面とじた構成としたので、画素電
極は平坦な蓄積容量の電極面上だけに設けられ、特別の
平坦化処理をしなくても容易に平坦にすることができ、
液晶内を伝播する偏光を正しく反射させることができ、
よって複屈折モード等を使用する反射型液晶パネルにお
ける偏光の制御性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による液晶パネルの断面図、第２図は第
１図の画素電極を示す図、第３図は本発明を投射型テレ
ビに応用した例を示す図、第４図は第５図のビームスプ
リッタ及び電圧不印加時の液晶パネルを示す図、第５図
は同じくビームスプリッタ及び電圧印加時の液晶パネル
を示す図、第６図は液晶分子と入射偏光の振動面を示す
図、第７図はカラー表示をするのに適した３個組の液晶
装置を示す図、第８図は画素電極の表面形状及びＦＥＴ
の配置を示す図、第９図は画素電極の表面形状及びＦＥ
Ｔの他の配置を示す図、第１０図は液晶パネルとその駆
動装置を示す図である。 １２・・・反射型液晶装置、　１４・・・光源、１６・
・・投射レンズ、２２・・・スクリーン、２４・・・ビ
ームスプリッタ、２６・・・液晶ノ寸ネノベ２８・・・
反射層、　　　　　３０．３２・・・ガラス基板、３１
・・・反射防止膜、　　　３４・・・液晶、３６・・・
透明電極、　　　　３７・・・遮蔽層、３８・・・画素
電極、　　　　４０・・・ＦＥＴ、４２・・・シリコン
基板、　　４６．５０・・・絶縁層、４４．４８・・・
蓄積容量の電極。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、対向する基板（３０、３２）の間に液晶（３４）を
   封入し、入射側の基板に透明電極（３６）を設けるとと
   もに、他方の基板に微小な所定の形状の画素電極（３８
   ）を設け、該画素電極に接続するスイッチング用電解効
   果トランジスタ（４０）を有するアクティブマトリクス
   （Ｘ、Ｙ）を設け、さらに該画素電極の下方に位置し且
   つ各液晶の容量と並列な蓄積容量（４６ｂ）を設けると
   ともに該画素電極及び該蓄積容量の一方の電極（４８）
   が該電解効果トランジスタのドレインと共通的に接続さ
   れ、該画素電極が該蓄積容量の該一方の電極面上だけに
   設けられ、該画素電極の表面を入射光に対する反射面と
   したことを特徴とする反射型液晶パネル。 ２、各電解効果トランジスタがアクティブマトリクスの
   Ｘ及びＹ電極線の近傍に該画素電極及び該蓄積容量の電
   極から分離して配置され、かつ各電解効果トランジスタ
   への入射光線を遮蔽する遮蔽層が設けられる請求項１に
   記載の反射型液晶パネル。 ３、アクティブマトリクスアレイのＸ及びＹ電極線の交
   差点を中心として４個の該画素電極を組として配置し、
   それぞれの電解効果トランジスタが該交差点の近傍に集
   めて配置される請求項２に記載の反射型液晶パネル。 ４、アクティブマトリクスアレイを構成する電極線が、
   シリコン多結晶により形成されている請求項１に記載の
   反射型液晶パネル。 ５、各電解効果トランジスタのゲートの絶縁膜及び該蓄
   積容量の絶縁膜が、シリコン酸化物とシリコン窒化物の
   合成複合体から構成されている請求項１に記載の反射型
   液晶パネル。 ６、前記画素電極を設けた基板に少なくともゲートドラ
   イバが配置されている請求項１に記載の反射型液晶パネ
   ル。 ７、ゲート及びソースドライバＩＣがアクティブマトリ
   クスアレイ部分に対し、左右、上下に形成されているこ
   とを特徴とするシリコン基板上の回路構成からなる請求
   項６に記載の反射型液晶パネル。 ８、液晶材はネマティック液晶とし、液晶パネル内での
   光の伝播は複屈折モードで行って、光の輝度変化を実現
   する請求項１に記載の反射型液晶パネル。 ９、入射側の基板の液晶材と接触していない面に反射防
   止膜を形成している請求項１に記載の反射型液晶パネル
   。 １０、前記画素電極の表面を酸化膜で被覆し、その膜厚
   を入射光の中心波長の１／２の波長厚さになるようにし
   た請求項１に記載の反射型液晶パネル。