JP2008009199A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】開口率が高く且つ段差も不要な反射透過併用型の液晶表示装置を提供する。
【解決手段】液晶表示装置は、透明な画素電極１２が形成された駆動基板と、対向電極が形成された対向基板と、駆動基板と対向基板との間に配され基板に対して垂直に配向する液晶とからなる。駆動基板は、画素電極１２の下方に配された画素容量６と、画素電極１２及び画素容量６に信号電圧を書き込む画素トランジスタとが形成されている。画素電極１２は液晶を分割的に垂直配向する為のスリット３１が画素容量６の上に形成されている。画素容量６は、光を反射する電極６２を有して反射領域を形成する。液晶は、反射領域にある部分の厚みが、反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きい。
【選択図】図１

Description

本発明は、ノートパソコン、携帯端末、携帯型ＶＴＲ装置、デジタルスチルカメラなどに幅広く使用されている液晶表示装置に関する。液晶表示装置の中でも、反射型と透過型の機能を兼ね備えた液晶表示装置に関する発明である。反射及び透過機能を持つことは、屋内と屋外のいずれでも視認性に優れた液晶表示装置であることを意味する。よって携帯端末、携帯ＶＴＲ、デジタルスチルカメラなどのモニタ用ディスプレイに好適である。

従来から、反射機能と透過機能を併せ持った併用型（半透過型）の液晶表示装置が開発されている。特に、半透過型で垂直配向した液晶を利用する表示装置が、以下の特許文献１に記載されている。
２００２‐３５０８５３公報

図６は、従来の半透過型液晶表示装置を示しており、（Ａ）は模式的な一画素分の断面図、（Ｂ）は同じく模式的な一画素分の平面図である。（Ａ）に示す様に、液晶表示装置は基本的に、駆動基板１と対向基板２と液晶３とで構成されている。駆動基板１の内面側には平坦化膜１１の上に透明な画素電極１２と反射電極１３とが形成されている。ガラスなどからなる駆動基板１の外面側には、補償板１３、λ／４板１４及び偏光板１５が配されている。

対向基板２の内面側にはカラーフィルタ２０が形成されている。カラーフィルタ２０は保護膜２１で被覆されており、その上に透明な対向電極２２が形成されている。ガラスなどからなる対向基板２の外面側には、補償板２３、λ／４板２４及び偏光板２５が取り付けられている。

液晶３は、駆動基板１及び対向基板２に対して垂直に配向する。この為に、図示しないが液晶３と接する上下の界面は、垂直配向処理が施されている。また、駆動基板１側の透明な画素電極１２にはスリット３１が形成されている一方、対向基板２側の対向電極２２上には、突起３２が形成されている。このスリット３１と突起３２の作用により、液晶３の垂直配向状態は、平面的に分割されている。

（Ｂ）に示すように、液晶表示装置の一画素分は、信号ライン４とゲートライン５によって囲まれている。この画素で、透明な画素電極１２の形成されている部分が、透過領域となる。一方、反射電極１３が形成されている部分が反射領域となる。図示する様に、液晶３は、スリット３１と突起３２とによって、平面分割的に垂直配向している。図示の例では、透過領域の液晶３が２つの部分に分割されている。また反射領域も１つの部分として分割配向されている。

再び（Ａ）を参照すると、液晶３は、反射領域の部分と透過領域の部分とで厚みが異なっている。この目的で、対向基板２側に形成された保護膜２１の厚みに段差２６がつけられている。この段差２６により、反射領域にある液晶３の厚みが、透過領域にある液晶３の厚みの半分となっている。その他図示しないが、駆動基板１側には、画素電極１２の下方に配された画素容量と、画素電極１２及び画素容量に信号電圧を書き込む画素トランジスタとが形成されている。この画素トランジスタのゲートはゲートライン５に接続し、ソースは信号ライン４に接続し、ドレインは画素電極１２及び反射電極１３に接続している。

図６に示した従来の液晶表示装置は、液晶３の垂直配向状態を平面分割している。即ち、画素内にスリット３１と突起３２を作り込むことで、液晶３の垂直配向を平面分割し、これにより広い視野角を得ている。一般的に、駆動基板１側に形成する画素電極１２は、個々の画素の形状に併せてパターニングする必要がある。そこでこのパターニングと同時に画素電極１２にスリット３１を形成して、液晶３を配向分割している。ある程度の配向規制力を得るためには、スリット３１の幅をある程度広げる必要がある。しかしながら、このスリット３１の部分は十分な電界が液晶３にかからず、最大の信号電圧を印加しても十分に明るくならず、パネル透過率を落とす原因となっている。

また反射領域と透過領域の両方で十分な表示機能を奏するためには、反射領域にある液晶１３の厚みを透過領域にある液晶３の厚みの半分にしなければならない。この為製造プロセスの工程が増えてしまうと共に、プロセス自体も複雑になってしまう。また反射領域にある液晶３の厚みが薄くなるので、異物などの影響を受け歩留り低下につながる。

加えて、反射領域と透過領域とで別々に反射電極１３と透明な画素電極１２を形成しなければならず、プロセスの増加につながると共に、反射領域がある分だけ画素の開口率をロスしてしまい、パネルの透過率を落とす原因となっている。

図７は、画素の信号電圧Ｖと輝度Ｌとの関係を示すグラフである。カーブＶＲは反射領域の電圧反射率特性を示し、曲線ＶＴは透過領域の電圧透過率特性を表している。但しこのグラフは、反射領域と透過領域で、液晶の厚みを同一にした場合である。グラフから明らかなように、液晶の厚みを反射領域と透過領域で共通にすると、電圧反射率曲線ＶＲと電圧透過率曲線ＶＴがずれてしまう。したがって同じ信号電圧Ｖを画素に印加しても、反射領域と透過領域で輝度Ｌが異なってしまい、正しい表示を得ることが出来ない。特に、反射領域の液晶の厚みを透過領域の液晶の厚みと同じにすると、電圧反射率曲線ＶＲにピークが生じてしまい問題である。即ち、信号電圧Ｖが最大レベルに近づくと、輝度Ｌが逆に低下してしまうという不具合がある。この為、図６に示した従来の液晶表示装置は、段差２６を作り込むことで、反射領域にある液晶３の厚みを透過領域にある液晶の厚みの半分にしている。しかしながら、この段差を作り込むことで、上述したようにプロセスの増加や複雑化さらには歩留りの悪化を招いている。

対向基板側に段差を設けない構造も提案されてり、対向基板側の対向電極は反射領域と透過領域を通して平坦に形成する。一方、駆動基板側の反射電極と液晶との間に所定の厚みの絶縁膜を形成する。この絶縁膜を利用した電気容量の分割によって、反射領域にある液晶に印加する実効電圧を下げる。これにより、図７に示したＶＲ曲線を等価的にＶＴ曲線に近づけることが出来る。しかしながら、この方法も反射電極の上に絶縁膜を形成するためにプロセスが増加してしまう。また反射電極があるため、画素の開口率が低くなる点は、図６に示した従来例と変わりがない。

上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明は開口率が高く且つ段差も不要な反射透過併用型の液晶表示装置を提供することを目的とする。かかる目的を達成するために以下の手段を講じた。即ち本発明にかかる液晶表示装置は、透明な画素電極が形成された駆動基板と、対向電極が形成された対向基板と、該駆動基板と対向基板との間に配され基板に対して垂直に配向する液晶とからなり、前記駆動基板は、該画素電極の下方に配された画素容量と、該画素電極及び画素容量に信号電圧を書き込む画素トランジスタとが形成されており、前記画素電極は該液晶を分割的に垂直配向する為のスリットが該画素容量の上に形成されており、前記画素容量は、光を反射する電極を有して反射領域を形成し、前記液晶は、該反射領域にある部分の厚みが、該反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きいことを特徴とする。

好ましくは前記画素容量は、下側の電極と、上側の電極と、両電極の間に配された誘電体とからなり、該上側の電極は該画素電極と同電位にある。又前記画素電極は、該画素容量の上に形成された該スリットの面積が、該画素容量の平面積の半分以上に及ぶ。又前記対向基板は該液晶に接する配向核を有し、該配向核は該駆動基板に形成された画素電極のスリットと協働して該液晶を分割的に垂直配向する。実施態様では、前記駆動基板側には偏光板とλ／４板又はその機能を奏する部材が配され、前記対向基板側にも偏光板とλ／４板又はその機能を奏する部材が配されている。この場合好ましくは、前記液晶は該画素電極に最大の信号電圧が印加された時、該反射領域にある部分がλ／４板として機能し、該透過領域にある部分がλ／２板として機能する。

本発明によれば、画素電極は、液晶を平面分割的に垂直配向するためのスリットが、画素容量の上に形成されている。この画素容量は画素電極に印加する信号電圧を保持するため必要なものであり、通常金属膜を電極とするので光は通さない。元々画素の開口率に寄与しない画素容量の上に配向分割用のスリットを設けることで、開口率の損失を防いでいる。スリットの部分は液晶の垂直配向が乱れるが、これを画素容量の上に配することで、透過率には影響を及ぼさない様にして画素の実効開口率を確保している。一方、この画素容量は、光を反射する電極を備えるようにして、反射領域に利用している。この為反射領域の平面積は、透過領域の平面積に比べてかなり小さくなる。したがって本液晶表示装置は反射領域が比較的小さい微反射型となるが、最近では屋内の通常の使用ではコントラストが優れている透過型の表示が重視され、晴天などの明るい外光で反射性能が補助的に働くようなディスプレイが求められており、微反射型でも十分市場の要求を満足することが出来る。加えて、画素容量の上部を反射領域に利用すると、画素電極が形成されている透過領域に比べ液晶に加わる実効電圧が低くなる。又電界が低くなるのみでなく、印加される斜め電界が生じ、その方向に沿って液晶が倒れる。これら２つの効果を利用することで、従来のように反射領域の液晶の厚みを選択的に小さくする必要がなく、電圧反射率特性と、電圧透過率特性を互いに合わせこむことが可能になる。このようにして、純透過型と同様の最大開口率を確保しつつ、透過領域と反射領域で液晶の厚みを変える必要のない、垂直配向型平面分割式広視野角液晶ディスプレイを実現することが出来る。単に、画素容量の上に位置する画素電極にスリットを形成するだけで本発明の液晶表示装置が実現でき、プロセスの増加や複雑化を招くことはない。

以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる液晶表示装置の基本的な構成を示す一画素分の平面図である。図示する様に、液晶表示装置の画素は、列状の信号ライン４と行状のゲートライン５とによって囲まれた格子状の領域である。この格子状の領域に合わせて画素電極１２が形成されており、１個の画素となる。画素電極１２の下には画素容量６と画素トランジスタとが形成されている。なお画素トランジスタの占有面積は画素容量６に比べて小さいため、図示を省いてある。画素電極１２は、液晶を分割的に垂直配向するためのスリット３１が画素容量６の上に形成されている。また別のスリット３１も形成されている。この様にして一個の画素は、２個のスリット３１により、三分割されている。これと対応するように、突起３２が３個対向基板側に形成されている。これは配向の核となる役割をもっており、この核を起点に放射状に配向せしめる。この突起３２の代わりに対向側に形成される透明電極をくりぬいて配向核とすることも可能である。画素容量６は、光を反射する電極を有しており、反射領域を形成する。液晶は、この反射領域にある部分の厚みが、反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きい。基本的には、反射領域にある液晶の厚みは、透過領域にある液晶の厚みとほぼ等しくすることが出来る。

画素容量６は、上側電極６１と下側電極６２と、両電極６１，６２の間に配された誘電体とからなる。上側電極６１は、図示しない配線を介して画素電極１２と接続しており、これと同電位にある。但し本発明はこれに限られるものではなく、必ずしも上側電極６１を画素電極１２と同電位にする必要はない。画素電極１２は、画素容量６の上に形成されたスリット３１の面積が、画素容量６の平面積の半分以上に及んでいる。可能な限りスリット３１の面積を画素容量６の平面積に近づけることで、反射領域を最大限に確保することが出来る。この様にスリットを可能な限りひろげることでより強い配向制御ができる。

図２は、図１に示した液晶表示装置の模式的な断面図であり、特に電圧無印加状態を表している。図示する様に、本液晶表示装置は、透明な画素電極１２が形成された駆動基板１と、対向電極２２が形成された対向基板２と、駆動基板１と対向基板２との間に配され基板に対して垂直に配向する液晶３とからなる。駆動基板１は画素電極１２の下方に配された画素容量６と、画素電極１２及び画素容量６に信号電圧を書き込む画素トランジスタ７とが形成されている。画素容量６は、下側電極６２と、上側電極６１と、両電極６２，６１の間に配された誘電体６３とからなる。上側電極６１は画素電極１２と同電位にある。画素電極１２は液晶３を分割的に垂直配向するためのスリット３１が画素容量６の上に形成されている。なお、画素電極１２と画素容量６は平坦化膜１１で上下に分離されている。この画素容量６は、光を反射する電極を有して反射領域を形成する。液晶３は、反射領域にある部分の厚みが、反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きい。典型的には、反射領域にある液晶３の厚みは、透過領域にある液晶３の厚みとほぼ等しくすることが出来る。換言すると、駆動基板１と対向基板２との間のギャップは、反射領域と透過領域を通して同じにすることが出来る。

画素トランジスタ７は、ゲート電極５ａとゲート絶縁膜６３とシリコンタ結晶膜などの半導体薄膜７１とで形成されている。ゲート電極５ａはゲートライン５に接続している。本実施形態は、ゲート電極５ａと画素容量６の下側電極６２が同一層の金属膜で形成されている。したがって下側電極６２は反射電極となっている。また画素トランジスタ７のゲート絶縁膜６３は画素容量６の誘電体膜６３と同一層である。また画素トランジスタ７の素子領域を構成する半導体薄膜７１はその一部が延設されており、画素容量６の上側電極６１となっている。かかる構成を有する画素トランジスタ７と画素容量６は層間絶縁膜６５で被覆されている。この層間絶縁膜６５の上にはソース電極４ａとドレイン電極６４が形成されている。ソース電極４ａは層間絶縁膜６５に形成されたコンタクトホールを介して画素トランジスタ７のソース領域に接続している。このソース電極４ａは信号ライン４に接続している。一方ドレイン電極６４は層間絶縁膜６５に開口したコンタクトホールを介して画素トランジスタ７のドレイン領域に接続している。このドレイン電極６４は平坦化膜１１に形成されたコンタクトホールを介して画素電極１２に接続している。したがって、画素容量６の上側電極６１は半導体薄膜７１、ドレイン電極６４を介して画素電極１２に接続しており、これと同電位になっている。

駆動基板１側は偏光板１５とλ／４板１４が配されている。対向基板２側にも、偏光板２５とλ／４板２４が配されている。この配置で、本液晶表示装置はノーマリブラックモードとなる。即ち電圧無印加状態で、画素は反射領域及び透過領域共に黒表示となる。なお図示しないが、対向基板２にはカラーフィルタも装着されている。

まず反射領域であるが、入射光は駆動基板１の反射領域で反射して２度λ／４板２４を通過するので、直線偏光が９０°回転することになる。つまり偏光板２５から入った直線偏光はまったく出射しないことになり、黒レベルが沈んで高いコントラストを得ることが出来る。液晶３は垂直配向である。垂直配向は電界オフ時に液晶分子が垂直配向しているためリダデーションはない。よって反射領域はノーマリブラックモードである。

反射領域をノーマリブラックモードで設計した場合、当然透過領域も同様にノーマリブラックモードに設計する必要がある。この目的で、駆動基板１側に、対向基板２側に配置したλ／４板２４と全く等価なλ／４板１４を９０°回転して配置している。バックライト（図示せず）から出た光は、偏光板１５により直線偏光に変換される。次にλ／４板１４により円偏光に変換される。次に液晶３を通過する時には液晶分子が垂直配向しているため位相差がなく偏光状態は変わらない。次にλ／４板１４に対して光軸が９０°回転した表面側のλ／４板２４を通過する。このとき円偏光は直線偏光に変換されて、その偏光方向は偏光板１５を通過した時と全く同じ方向をとる。偏光板１５と偏光板２５とは直交しているために、光は偏光板２５を透過せず黒を示す。このときの黒レベルは、偏光板をクロスニコル配置した時と同等であり、非常に黒レベルの透過光強度は小さく、透過モード時に高コントラストを容易に得ることが出来る。

なお、本発明は上述の構成に限られるのもではない。一対のλ／４板１４，１５や、一対の偏光板１５，２５を上記のように各々９０°直交させずに、パラレルにしてもノーマリブラックモードでの駆動が可能である。その原理は、λ／４板２枚で、λ／２板を形成することで、入射した直線偏光を９０°回転させることにより実現できる。又λ／４板は直線偏光をほぼ円偏光に変換する機能を有する光学部材であるが、数枚の位相差板を組み合わせてλ／４板の機能をもたせる場合もある。本発明は、λ／４板として、数枚の位相差板を組み合わせてλ／４板の機能をもたせた部材を用いてもよい。特にλ／２とλ／４の組み合わせで可視全波長領域にわたりλ／４となるよう（広帯域λ／４）な位相差構成にするとなおよい。

図３は、電圧印加状態の液晶表示装置を示す模式的な断面図である。ノーマリブラックモードでは、電圧印加により画素は白表示となる。まず透過領域において、信号電圧を印加すると液晶３は垂直配向から多軸配向に移行し、λ／２位相差板として機能する。なお多軸配向は、基本的に液晶分子が垂直配向から傾斜配向もしくは水平配向に移行し且つ個々の液晶分子が各分割領域で放射状に配向した状態である。液晶３がλ／２板として機能すると、入射直線偏光は９０°回転して出射直線偏光となり、表面側の偏光板２５を通過する。よって白表示が得られる。また反射領域において、電圧を印加すると液晶３は垂直配向から傾斜配向に移行し、λ／４板として機能する。反射領域では光が往復するので、結局液晶３は透過領域と同じく往復でλ／２板と等価になり、入射直線偏光は９０°回転し、更にλ／４板２４を往復通過することでもう９０°回転して出射直線偏光となり、表面側の偏光板２５を通過する。よって白表示が得られる。この様に液晶３は、画素電極１２に最大の信号電圧が印加された時、反射領域にある部分がλ／４板として機能し、透過領域にある部分がλ／２板として機能する。

以上の説明から明らかなように、本発明では垂直配向した液晶３の配向分割用に用いるスリット３１を有効活用するため、スリット３１を画素容量６の上に配置する。スリット３１は元々非開口部である画素容量６の上に配置するため透過率のロスとはならない。スリット３１は通常５μｍ程度の幅があれば、平面分割用の配向規制力は一応得られるが、幅は広い方が配向分割能力が高くなる。この為図１に示したように、画素容量６の上に可能な限り広いスリット３１を形成することが好ましい。画素容量６の平面積に対して少なくとも半分以上、より好ましくは８割以上の面積のスリット３１を設けると良い。この様にすると、配向分割力が強くなると共に、反射領域として機能する範囲も拡大する。

画素容量６は図２に示したように下側電極６２がメタル、上側電極６１が多結晶シリコンなどの半導体薄膜で、両者の間に誘電体膜６３を挟みこむ。このとき上側電極６１は画素電極１２と同電位である。スリット３１の部分は画素電極１２がないため透過領域のように電圧はかからないが、周囲からの横電界と上側電極６１からの電界との混合で、ある程度液晶３に対して斜め方向の電界が印加される。さらにスリット３１の大よそ中心部分が配向分割の境界となり、これらの効果が混ざって反射領域に位置する液晶３は傾斜配向状態となりほぼλ／４板として機能する。この結果反射領域による液晶の電圧反射特性曲線ＶＲは、平均的に見て透過用域にある液晶の電圧透過特性曲線ＶＴと一致するようになる。なお本実施形態は画素容量６の上側電極６１を多結晶シリコン膜としたが、これに代えて金属層としても良い。画素容量６の下側電極６２は抵抗を下げるため通常金属で形成されており、元々開口部にはならない。本画像表示装置はこの金属電極を反射板として利用するため、別途反射板用のメタルを形成する必要がない。

図１に示した構成にすると、反射領域が画素容量の平面積以内に限られるため、比較的反射領域の小さい微反射型となる。最近では屋内の通常の使用ではコントラストなどが優れる透過モードが重視され、晴天などの明るい外光で反射モードが補助的に働くような微反射形の液晶表示装置が求められている。よって微反射型でも十分市場の要求を満足する。より高い反射率を得るためには積極的に画素容量の金属電極面積を広げても良い。あるいは対向基板の反射領域から、カラーフィルタを取り除いても良い。さらに反射領域の上側に光散乱層を設けたり、偏光板２５を貼り付ける糊に散乱機能を付与しても良い。さらにはカラーフィルタと液晶３との間に光散乱層を設けても良い。あるいはパターニングして反射領域にのみ散乱層を設けるなどして、反射性能を向上させることが出来る。場合によっては、画素容量６の下側に凹凸層を形成し、散乱反射板としても良い。

図２及び図３に示したように、液晶３を上下から挟み込むように偏光板１５，２５を配することで、透過率が高い垂直配向液晶ディスプレイが得られる。このとき偏光板は可視光波長領域で円偏光板になるような広帯域円偏光板を使うと良い。さらに広視野角を得るためには、Ｃ−Ｐｌａｔｅと呼ばれる法線方向の屈折率ｎｚが小さい補償板あるいはｎｘ≧ｎｙ＞ｎｚの関係を有する二軸性の補償板を挿入すると良い。

最後に図４及び図５を参照して、実施例を詳細に説明する。図４は実施例の一画素分を示す平面図、図５は同じく実施例の一画素分を示す断面図である。図４に示すように、本実施例は個々の画素が横４５μｍ×縦１３５μｍのサイズとなっている。個々の画素を区画する信号ライン４は幅寸法が９μｍである。一方ゲートライン５はその幅寸法が６μｍである。画素の中央に画素容量６が配されており、さらにその上にスリット３１が配されている。これにより、画素電極１２は上下に二分割されている。二分割された画素電極１２と対応するように、対向基板側に２個の突起３２が形成されている。この突起３２の直径は１０μｍ、高さは１μｍである。スリット３１は２３μｍ×２９μｍのサイズとなっている。画素容量６の幅寸法は２５μｍである。上側電極６１は２３μｍ×３１μｍのサイズである。

続いて図５に示すように、上側の偏光板２５の吸収軸は０°に設定され、λ／４板２４の遅相軸は４５°に設定されている。下側の偏光板１５の吸収軸は９０°に設定され、λ／４板１４の遅相軸は１３５°に設定されている。反射領域にある液晶３の厚みは３．８μｍである。透過領域にある液晶３の厚みは４μｍである。この様に、液晶３は反射領域及び透過領域を通してほぼ等しい厚みとなっている。一方スリット３１と画素容量６の間に介在する平坦化膜１１の厚みは２．５μｍである。液晶３は垂直配向されている。その屈折率異方性はΔｎ＝０．１であり、誘電率異方性Δε＝−４の材料を使っている。

黒表示時、液晶３に信号電圧１Ｖを印加し、白表示時には液晶３に信号電圧４．５Ｖを印加した。グレー表示時は、１Ｖと４．５Ｖの間の電圧が階調に応じて印加される。白表示時またはグレー表示時には液晶３はスリット３１と突起３２の共同作用によって配向分割され、透過特性は広視野角を示した。またバックライトを点灯せずに画像を表示した時、外光の強い屋外では画像や文字など十分認識できる反射特性を示した。

本発明にかかる液晶表示装置の模式的な平面図である。 同じく本発明にかかる液晶表示装置の模式的な断面図である。 同じく模式的な断面図である。 本発明にかかる液晶表示装置の実施例を示す模式的な平面図である。 同じく実施例を示す模式的な断面図である。 従来の液晶表示装置の一例を示す模式的な断面図および平面図である。 液晶表示装置の信号電圧／輝度特性を示すグラフである。

符号の説明

１・・・駆動基板、２・・・対向基板、３・・・液晶、６・・・画素容量、７・・・画素トランジスタ、１２・・・画素電極、１４・・・λ／４板、１５・・・偏光板、２２・・・対向電極、２４・・・λ／４板、２５・・・偏光板、３１・・・スリット、３２・・・突起、６１・・・上側電極、６２・・・下側電極、６３・・・誘電体膜

Claims (6)

1. 透明な画素電極が形成された駆動基板と、対向電極が形成された対向基板と、該駆動基板と対向基板との間に配され基板に対して垂直に配向する液晶とからなり、
   前記駆動基板は、該画素電極の下方に配された画素容量と、該画素電極及び画素容量に信号電圧を書き込む画素トランジスタとが形成されており、
   前記画素電極は該液晶を分割的に垂直配向する為のスリットが該画素容量の上に形成されており、
   前記画素容量は、光を反射する電極を有して反射領域を形成し、
   前記液晶は、該反射領域にある部分の厚みが、該反射領域以外の透過領域にある部分の厚みの半分よりも大きいことを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記画素容量は、下側の電極と、上側の電極と、両電極の間に配された誘電体とからなり、該上側の電極は該画素電極と同電位にあることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
3. 前記画素電極は、該画素容量の上に形成された該スリットの面積が、該画素容量の平面積の半分以上に及ぶことを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
4. 前記対向基板は該液晶に接する配向核を有し、該配向核は該駆動基板に形成された画素電極のスリットと協働して該液晶を分割的に垂直配向することを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
5. 前記駆動基板側は偏光板とλ／４板又はその機能を奏する部材が配され、前記対向基板側にも偏光板とλ／４板又はその機能を奏する部材が配されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
6. 前記液晶は、該画素電極に最大の信号電圧が印加された時、該反射領域にある部分がλ／４板として機能し、該透過領域にある部分がλ／２板として機能することを特徴とする請求項５記載の液晶表示装置。
   

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