TWI385436B - 半穿透半反射式液晶顯示裝置 - Google Patents

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Rui Jie Hsiang
ying ling Chen
I An Yao
Wei Yi Ling
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Description

半穿透半反射式液晶顯示裝置
本發明係關於一種半穿透半反射式液晶顯示裝置。
液晶顯示裝置因具有低輻射性、體積輕薄短小及耗電低等特點，於使用上日漸廣泛，且隨著相關技術之成熟及創新，其種類亦日益繁多。
根據液晶顯示裝置所利用光源之不同，液晶顯示裝置可分為穿透式液晶顯示裝置與反射式液晶顯示裝置。穿透式液晶顯示裝置須於液晶顯示面板背面設置一背光源以實現圖像顯示，惟，背光源之耗能約佔整個穿透式液晶顯示裝置耗能的一半，故穿透式液晶顯示裝置之耗能較大。反射式液晶顯示裝置能解決穿透式液晶顯示裝置耗能大之問題，惟於光線微弱之環境下很難實現圖像顯示。半穿透半反射式液晶顯示裝置能解決以上之問題。
圖1係先前技術一種半穿透半反射式液晶顯示裝置之剖面示意圖。該半穿透半反射式液晶顯示裝置1包括一第一基板11，一相對第一基板設置之第二基板12，一夾在該第一基板11與第二基板12之間之液晶層13。該第二基板12包括複數穿透電極14及複數反射電極15。通常，該反射電極15所在區域定義為反射區R，該穿透電極14所在區域定義為穿透區T。該半穿透半反射式液晶顯示裝置1之反射區R能夠利用環境光線實現顯示，其穿透區T則能夠在光線微弱的環境中利用一光源(圖未示)發出的光線實 現顯示。惟，該反射區R的光線16先由外部環境經第一基板11及液晶層13入射至該反射電極15，反射後二次經液晶層13及第一基板11射出，該穿透區T的光線17則由光源經第二基板12、液晶層13及第一基板11射出。因此光線在反射區R與穿透區T的光程差並不相同，進而該半穿透半反射式液晶顯示裝置1在顯示同一畫面時，反射區R與穿透區T會顯示出不同的灰階或色彩，導致顯示品質不佳。
為了改善上述缺點，一種先前技術半穿透半反射式液晶顯示裝置於該第一基板11或第二基板12對應反射區R處設置突起，使反射區R與穿透區T的液晶厚度不同，以補償光線在反射區R與穿透區T的不同光程差。惟，在該第一基板11或第二基板12設置突起使基板的製程變的更為複雜。
有鑑於此，提供一種製程簡單、顯示品質較好之半穿透半反射式液晶顯示裝置實為必要。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括複數畫素區域，每一畫素區域包括一用於接收灰階電壓之穿透電極及複數電性浮接且相互獨立之反射單元。其中，該穿透電極包括複數開口，該反射單元對應該開口設置。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一基板；複數設置於該基板一側之掃描線；複數與該掃描線絕緣垂直之資料線；複數位於掃描線與資料線相交處之薄膜電晶 體；及複數分別與該薄膜電晶體電連接之穿透電極，每一穿透電極對應設置複數電性浮接且相互獨立之反射單元。其中，該穿透電極包括複數開口，該反射單元對應該開口設置。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一基板；複數設置於該基板一側之掃描線；一覆蓋該掃描線及部份該基板之第一絕緣層；一設置於該第一絕緣層部份區域之半導體層；複數覆蓋部份該半導體層及部份該第一絕緣層之源極/汲極；複數設置於該第一絕緣層之資料線及電容電極；一覆蓋該源極/汲極、該電容電極、部份該半導體層、部份該第一絕緣層之第二絕緣層；及複數設置於該第二絕緣層之穿透電極及反射單元。其中，每一穿透電極包括複數開口，該每一開口處對應設置一反射單元，該反射單元電性浮接。
一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基板、一第二基板及一夾於該二基板之間的液晶層，該第一基板包括：複數設置於該第一基板鄰近該液晶層一側之掃描線；一覆蓋該掃描線及部份該第一基板之第一絕緣層；一設置於該第一絕緣層部份區域且鄰近該液晶層一側之半導體層；複數覆蓋部份該半導體層及部份該第一絕緣層之源極/汲極；複數設置於該第一絕緣層鄰近該液晶層一側之資料線；一覆蓋該源極/汲極、部份該半導體層、部份該第一絕緣層之第二絕緣層；及複數設置於該第二絕緣層鄰近該液晶層一側之第一穿透電極及反射單元。其中，每一第 一穿透電極包括複數開口，該每一開口處對應設置一反射單元，該反射單元電性浮接。
相較於先前技術，該半穿透半反射式液晶顯示裝置具有複數反射單元，可在該反射區形成比穿透區弱的電場，進而該反射區的液晶分子旋轉的角度較穿透區小，光線在該反射區二次穿過液晶層後形成的光程差大致等於在該穿透區一次穿過液晶層後形成的光程差，進而使得該半穿透半反射式液晶顯示裝置在顯示同一畫面時，反射區與穿透區所顯示的灰階或色彩相同，顯示品質較佳。另，由於該半穿透半反射式液晶顯示裝置不需設置突起，因此其製程較為簡單。
請一併參閱圖2和圖3，圖2係本發明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實施方式之平面示意圖，圖3係沿圖2所示III-III線之剖面放大示意圖。該半穿透半反射式液晶顯示裝置2包括一薄膜電晶體基板(thin film transistor substrate)100，一彩色濾光片基板(color filter substrate)200及一液晶層300。該薄膜電晶體基板100與該彩色濾光片基板200平行相對設置。該液晶層300夾於該薄膜電晶體基板100與該彩色濾光片基板200之間。
該薄膜電晶體基板100包括一第一基板180，複數設置於該第一基板180鄰近該液晶層300一側之掃描線172、閘極170及公共電極171，一覆蓋該掃描線172、該公共電極171及部份該第一基板180之第一絕緣層160， 一設置於該第一絕緣層160部份區域且鄰近該液晶層300一側之半導體層150，複數覆蓋部份該半導體層150及部份該第一絕緣層160之源極/汲極141，複數設置於該第一絕緣層160鄰近該液晶層300一側之資料線173及電容電極142，一覆蓋該源極/汲極141、該電容電極142、部份該半導體層150、部份該第一絕緣層160之第二絕緣層130，複數設置於該第二絕緣層130鄰近該液晶層300一側之第一穿透電極121及反射單元122，一鄰近該液晶層300且覆蓋該第一穿透電極121、反射單元122及部份該第二絕緣層130之第一配向膜110。
該掃描線172相互平行間隔設置，每一公共電極171平行設置於二相鄰掃描線172之間。該資料線173相互平行間隔設置且與該掃描線172絕緣垂直。該閘極170、該源極/汲極141，該半導體層150構成複數薄膜電晶體(未標示)，每一薄膜電晶體位於掃描線172與資料線173相交處，且其閘極170與掃描線172電連接，源極141與資料線173電連接，汲極141藉由該第二絕緣層130內之一第一通孔131與該第一穿透電極121電連接。該第一穿透電極121藉由該第二絕緣層130內之一第二通孔132與該電容電極142電連接。該反射單元122與該第一穿透電極121及上述其它導電元件相絕緣不相接觸，即該反射單元122電性浮接(electrically floating)。該第一穿透電極121採用透明導電材料形成，如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)或氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)。該反射單元122採 用具有高反射系數的金屬材料形成，如鋁、銀。
該掃描線172及資料線173相交定義複數畫素區域(未標示)，每一畫素區域由相鄰之二掃描線172及二資料線173所圍區域構成，其包括一薄膜電晶體、一第一穿透電極121，複數反射單元122及一與部份公共電極171重疊之電容電極142。每一畫素區域內，該第一穿透電極121之二側包括複數面積不同且對稱設置之矩形開口1211。每一矩形開口1211內設置一比該矩形開口1211略小之反射單元122，且反射單元122與該第一穿透電極121相互不重疊。其中至少一(圖中為二)反射單元122與該電容電極142部份重疊。其中，一反射單元122與該第一穿透電極121的間隔寬度W1大於另一反射單元122與該第一穿透電極121的間隔寬度W2。至少二開口1211對應的反射單元122在開口中的位置不同。
該薄膜電晶體基板100包括進一步包括一設置於該第一基板180於遠離該液晶層300一側之第一偏振片(polarizer)190。
該彩色濾光片基板200包括一第二基板280，一設置於該第二基板280於遠離該液晶層300一側之第二偏振片290，一設置於該第二基板280鄰近該液晶層300一側之第二穿透電極221，一鄰近該液晶層300且覆蓋該第二穿透電極221之第二配向膜210。
為了便於描述，定義該第一穿透電極121所在的區域為穿透區T，該反射單元122所在的區域為反射區域R。 由於該薄膜電晶體基板100設置有位於同一層之該第一穿透電極121及該浮接之反射單元122，當灰階電壓經由資料線173及薄膜電晶體施加至該第一穿透電極121時，可在該反射區R形成比穿透區T弱的電場，進而該反射區R的液晶分子旋轉的角度較穿透區T小。因此，光線在該反射區R二次穿過液晶層130後形成的光程差大致等於在該穿透區T一次穿過液晶層130後形成的光程差，進而使得該半穿透半反射式液晶顯示裝置2在顯示同一畫面時，反射區R與穿透區T所顯示的灰階或色彩相同，顯示品質較佳。且該半穿透半反射式液晶顯示裝置2不需設置突起以使反射區R與穿透區T的液晶層厚度不同，因此其製程較為簡單。
另外，由於每一畫素區域包括複數相互獨立且面積不等的反射單元122，該不同反射單元122所對應反射區域R之電場亦有不同。如此，該不同反射區域R內之液晶分子之旋轉角度亦有差別，使複數反射區域R形成多域顯示的效果，進而可增加該半穿透半反射式液晶顯示裝置2的可視角度。
請一併參閱圖4和圖5，圖4係本發明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實施方式之平面示意圖，圖5係沿圖4中V-V線之剖面放大示意圖。該半穿透半反射式液晶顯示裝置3包括一薄膜電晶體基板400，一彩色濾光片基板500及一液晶層600。該薄膜電晶體基板400與該彩色濾光片基板500平行相對設置。該液晶層600夾於該薄膜電晶 體基板400與該彩色濾光片基板500之間。
該薄膜電晶體基板400包括一第一基板480，複數設置於該第一基板480鄰近該液晶層600一側之掃描線472、閘極470及公共電極471，一覆蓋該掃描線472、公共電極471及部份該第一基板480之第一絕緣層460，一設置於該第一絕緣層460部份區域且鄰近該液晶層600一側之半導體層450，複數覆蓋部份該半導體層450及部份該第一絕緣層460之源極/汲極441，複數設置於該第一絕緣層460鄰近該液晶層600一側之資料線473及電容電極442，一覆蓋該源極/汲極441、該資料線473、該電容電極442、部份該半導體層450、部份該第一絕緣層460之第二絕緣層430，複數設置於該第二絕緣層430鄰近該液晶層600一側之第一穿透電極421，一覆蓋該第一穿透電極421及部份該第二絕緣層430之第三絕緣層433，複數反射單元422，一鄰近該液晶層600且覆蓋該第三絕緣層433及該反射單元422之第一配向膜410。
該掃描線472相互平行間隔設置，每一公共電極471平行設置於二相鄰掃描線472之間。該資料線473相互平行間隔設置且與該掃描線472絕緣垂直。該閘極470、該源極/汲極441，該半導體層450構成複數薄膜電晶體(未標示)，每一薄膜電晶體位於掃描線472與資料線473相交處，且其閘極470與掃描線472電連接，源極441與資料線473電連接，汲極441藉由該第二絕緣層430內之一第一通孔431與該第一穿透電極421電連接。該第一穿透電 極421藉由該第二絕緣層430內之一第二通孔432與該電容電極442電連接。該反射單元422與該第一穿透電極421、薄膜電晶體及上述其它導電元件相絕緣，即該反射單元422電性浮接。該第一穿透電極421採用透明導電材料形成，如氧化銦錫或氧化銦鋅。該反射單元422採用具有高反射系數的金屬材料形成，如鋁、銀。
該掃描線472及資料線473相交定義複數畫素區域(未標示)，每一畫素區域由相鄰之二掃描線472及二資料線473所圍區域構成，其包括一薄膜電晶體、一第一穿透電極421，複數反射單元422及一電容電極442。每一畫素區域內，該第一穿透電極421之二側包括複數面積不同且對稱設置之矩形開口4211。每一矩形開口4211處設置一比該矩形開口4211略大之反射單元422，該反射單元422邊緣與該第一穿透電極421重疊。其中至少一(圖中為二)反射單元422與該電容電極442部份重疊。
該薄膜電晶體基板400包括進一步包括一設置於該第一基板480於遠離該液晶層600一側之第一偏振片490。
該彩色濾光片基板500包括一第二基板580，一設置於該第二基板580於遠離該液晶層600一側之第二偏振片590，一設置於該第二基板580鄰近該液晶層600一側之第二穿透電極521，一鄰近該液晶層600且覆蓋該第二穿透電極521之第二配向膜510。
該半穿透半反射式液晶顯示裝置3之第一穿透電極421與該反射單元422在邊緣處理重疊，可增大反射區域 R的面積，並進一步改善位於該第一穿透電極421與該反射單元422之間的電場的分布，提高顯示效果。
本發明並不限於上述實施方式，還可有其他變體實施方式，例如：該第一反射單元122、422與該第二絕緣層130、430之間還可進一步包括一透明導電層，以增大該第一反射單元122、422的接觸力，該透明導電層可採用氧化銦錫或氧化銦鋅形成。另，該反射單元122、422的形狀也不限於矩形，還可以為圓形、半圓形或不規則多邊形，該第一穿透電極之開口的形狀與反射單元122、422相適，以改善或增強反射區域R的多域顯示效果。該反射單元122、422還可以與資料線173、473部份重疊，以增加開口率。該第一穿透電極121、421之二邊緣可分別與掃描線172、472部份重疊，以增加開口率。另外，還可使至少二開口的面積相同，但該二開口對應的反射單元在開口中的位置不同。
綜上所述，本創作確已符合發明專利之要件，爰依法提出申請專利。惟，以上所述者僅係本發明之較佳實施方式，本發明之範圍並不以上述實施方式為限，舉凡熟悉本案技藝之人士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵蓋於以下申請專利範圍內。
2、3‧‧‧半穿透半反射式液晶顯示裝置
171、471‧‧‧公共電極
100、400‧‧‧薄膜電晶體基板
172、472‧‧‧掃描線
110、410‧‧‧配向膜
173、473‧‧‧資料線
121、421‧‧‧穿透電極
180、480‧‧‧第一基板
122、422‧‧‧反射單元
190、490‧‧‧第一偏振片
130、430‧‧‧第二絕緣層
200、500‧‧‧彩色濾光片基板
131、431‧‧‧第一通孔
210、510‧‧‧第二配向膜
132、432‧‧‧第二通孔
220、521‧‧‧第二穿透電極
141、441‧‧‧源極/汲極
280、580‧‧‧第二基板
142、442‧‧‧電容電極
290、590‧‧‧第二偏振片
150、450‧‧‧半導體層
300、600‧‧‧液晶層
160、460‧‧‧第一絕緣層
433‧‧‧第三絕緣層
170、470‧‧‧閘極
1211、4211‧‧‧矩形開口
圖1係先前技術一種半穿透半反射式液晶顯示裝置之剖面示意圖。
圖2係本發明半穿透半反射式液晶顯示裝置第一實施方式 之平面示意圖。
圖3係沿圖2所示III-III線之剖面放大示意圖。
圖4係本發明半穿透半反射式液晶顯示裝置第二實施方式之平面示意圖。
圖5係沿圖4中V-V線之剖面放大示意圖。
2‧‧‧半穿透半反射式液晶顯示裝置
121‧‧‧穿透電極
122‧‧‧反射單元
131‧‧‧第一通孔
132‧‧‧第二通孔
1211‧‧‧矩形開口
141‧‧‧源極/汲極
170‧‧‧閘極
171‧‧‧公共電極
172‧‧‧掃描線
173‧‧‧資料線

Claims (92)

  1. 一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括：複數畫素區域，每一畫素區域由相鄰之二掃描線及二資料線所圍區域構成，其包括一薄膜電晶體、一用於接收灰階電壓之穿透電極及複數電性浮接且相互獨立之反射單元，其中，該穿透電極包括複數開口，該反射單元對應該開口設置，該反射單元與該穿透電極及該薄膜電晶體相互絕緣。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一電容電極，其與至少一反射單元相互重疊。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二反射單元之面積不同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口小。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元與該穿透電極相互不重疊。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，一反射單元與該穿透電極的間隔寬度大於另一反射單元與一穿透電極的間隔寬度。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口大。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之半穿透半反射式液晶顯 示裝置，其中，該反射單元邊緣與該穿透電極部份重疊。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一絕緣層，其位於該反射單元與該穿透電極之間。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極採用透明導電材料形成。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中該反射單元採用有反射性的金屬材料形成。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為鋁。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為銀。
  16. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元可為矩形、圓形、半圓形或不規則多邊形，該開口的形狀與該反射單元相適。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯 示裝置，其中，至少二開口的面積不同。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口對應的反射單元在開口中的位置不同。
  19. 一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一基板，該基板之一側包括：複數掃描線；複數與該掃描線絕緣垂直之資料線；複數位於掃描線與資料線相交處之薄膜電晶體；及複數分別與該薄膜電晶體電連接之穿透電極，每一穿透電極對應設置複數電性浮接且相互獨立之反射單元；其中，該穿透電極包括複數開口，該反射單元對應該開口設置，該反射單元與該穿透電極及該薄膜電晶體相互絕緣。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該掃描線相互平行間隔設置，該資料線亦相互平行間隔設置。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括複數公共電極，每一公共電極平行設置於二相鄰掃描線之間。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括複數與該公共電極重疊之電容電極。
  23. 如申請專利範圍第22項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該電容電極重疊。
  24. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該資料線部份重疊。
  25. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極與該掃描線部份重疊。
  26. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二反射單元之面積不同。
  27. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口小。
  28. 如申請專利範圍第27項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元與該穿透電極相互不重疊。
  29. 如申請專利範圍第28項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，一反射單元與該穿透電極的間隔寬度大於另一反射單元與一穿透電極的間隔寬度。
  30. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口大。
  31. 如申請專利範圍第30項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之邊緣與該穿透電極部份重疊。
  32. 如申請專利範圍第31項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一絕緣層，其位於該反射單元與該穿透電極之間。
  33. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極採用透明導電材料形成。
  34. 如申請專利範圍第33項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦錫。
  35. 如申請專利範圍第33項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦鋅。
  36. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元採用有反射性的金屬材料形成。
  37. 如申請專利範圍第36項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為鋁。
  38. 如申請專利範圍第36項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為銀。
  39. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元可為矩形、圓形、半圓形或不規則多邊形，該開口的形狀與該反射單元相適。
  40. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口的面積不同。
  41. 如申請專利範圍第19項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口對應的反射單元在開口中的位置不同。
  42. 一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括：一基板； 複數設置於該基板一側之掃描線；一覆蓋該掃描線及部份該基板之第一絕緣層；一設置於該第一絕緣層部份區域之半導體層；複數覆蓋部份該半導體層及部份該第一絕緣層之源極/汲極；複數設置於該第一絕緣層之資料線及電容電極；一覆蓋該源極/汲極、該資料線、該電容電極、部份該半導體層、部份該第一絕緣層之第二絕緣層；及複數設置於該第二絕緣層之穿透電極及反射單元，該反射單元與該穿透電極、該源極/汲極及該半導體層相互絕緣；其中，每一穿透電極包括複數開口，該每一開口處對應設置一反射單元，該反射單元電性浮接。
  43. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一透明導電層，其位與第一反射單元與該第二絕緣層之間。
  44. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第二絕緣層包括複數第一通孔，該穿透電極藉由該第一通孔電連接至該汲極。
  45. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第二絕緣層包括複數第二通孔，該穿透電極藉由該第二通孔電連接至該電容電極。
  46. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶 顯示裝置，其中，該掃描線相互平行間隔設置，該資料線亦相互平行間隔設置。
  47. 如申請專利範圍第46項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括複數公共電極，每一公共電極平行設置於二相鄰掃描線之間，且與掃描線位於同一層。
  48. 如申請專利範圍第47項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，部份該公共電極與該複數電容電極重疊。
  49. 如申請專利範圍第48項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該電容電極重疊。
  50. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該資料線部份重疊。
  51. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極與該掃描線部份重疊。
  52. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二反射單元之面積不同。
  53. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口小。
  54. 如申請專利範圍第53項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元與該穿透電極相互不重疊。
  55. 如申請專利範圍第54項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，一反射單元與該穿透電極的間隔寬度 大於另一反射單元與該第一穿透電極的間隔寬度。
  56. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口大。
  57. 如申請專利範圍第56項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元邊緣與該穿透電極部份重疊。
  58. 如申請專利範圍第57項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一第三絕緣層，其位於該反射單元與該穿透電極之間。
  59. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極採用透明導電材料形成。
  60. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元採用有反射性的金屬材料形成。
  61. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元可為矩形、圓形、半圓形或不規則多邊形，該開口的形狀與該反射單元相適。
  62. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口的面積不同。
  63. 如申請專利範圍第42項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口對應的反射單元在開口中的位置不同。
  64. 一種半穿透半反射式液晶顯示裝置，其包括一第一基 板、一第二基板及一夾於該二基板之間的液晶層，該第一基板包括：複數設置於該第一基板鄰近該液晶層一側之掃描線；一覆蓋該掃描線及部份該第一基板之第一絕緣層；一設置於該第一絕緣層部份區域且鄰近該液晶層一側之半導體層；複數覆蓋部份該半導體層及部份該第一絕緣層之源極/汲極；複數設置於該第一絕緣層鄰近該液晶層一側之資料線；一覆蓋該源極/汲極、部份該半導體層、該資料線及部份該第一絕緣層之第二絕緣層；及複數設置於該第二絕緣層鄰近該液晶層一側之第一穿透電極及反射單元，該反射單元與該第一穿透電極、該源極/汲極及該半導體層相互絕緣；其中，每一第一穿透電極包括複數開口，該每一開口處對應設置一反射單元，該反射單元電性浮接。
  65. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一透明導電層，其位與第一反射單元與該第二絕緣層之間。
  66. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第二絕緣層包括複數第一通孔，該第一穿透電極藉由該第一通孔電連接至該汲極。
  67. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶 顯示裝置，其中，該掃描線相互平行間隔設置，該資料線亦相互平行間隔設置。
  68. 如申請專利範圍第67項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括複數公共電極，每一公共電極平行設置於二相鄰掃描線之間，且設置於該第一基板鄰近該液晶層一側，與掃描線位於同一層。
  69. 如申請專利範圍第68項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括複數電容電極，該電容電極設置於該第一絕緣層鄰近該液晶層一側，且與部份該公共電極重疊。
  70. 如申請專利範圍第69項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第二絕緣層包括複數第二通孔，該第一穿透電極藉由該第二通孔電連接至該電容電極。
  71. 如申請專利範圍第70項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該電容電極重疊。
  72. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少一反射單元與該資料線部份重疊。
  73. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該穿透電極與該掃描線部份重疊。
  74. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二反射單元之面積不同。
  75. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口小。
  76. 如申請專利範圍第75項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元與該第一穿透電極相互不重疊。
  77. 如申請專利範圍第76項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，一反射單元與該第一穿透電極的間隔寬度大於另一反射單元與該第一第一穿透電極的間隔寬度。
  78. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元之面積比對應之開口大。
  79. 如申請專利範圍第78項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元邊緣與該第一穿透電極部份重疊。
  80. 如申請專利範圍第79項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其進一步包括一第三絕緣層，其位於該反射單元與該第一穿透電極之間。
  81. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口的面積不同。
  82. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，至少二開口對應的反射單元在開口中的位置不同。
  83. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中該第一穿透電極採用透明導電材料形成。
  84. 如申請專利範圍第83項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦錫。
  85. 如申請專利範圍第83項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該透明導電材料為氧化銦鋅。
  86. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元採用有反射性的金屬材料形成。
  87. 如申請專利範圍第86項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為鋁。
  88. 如申請專利範圍第86項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該金屬材料為銀。
  89. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該反射單元可為矩形、圓形、半圓形或不規則多邊形，該開口的形狀與該反射單元相適。
  90. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第一基板進一步包括一設置於該第一基板於遠離該液晶層一側之第一偏振片(polarizer)，該第二基板包括一設置於該第二基板於遠離該液晶層一側之第二偏振片。
  91. 如申請專利範圍第64項所述之半穿透半反射式液晶顯示裝置，其中，該第二基板進一步包括一設置於該第二基板鄰近該液晶層一側之第二穿透電極。
  92. 如申請專利範圍第91項所述之半穿透半反射式液晶 顯示裝置，其中，該第一基板進一步包括一鄰近該液晶層且覆蓋該第一穿透電極、反射單元之第一配向膜，該第二基板進一步包括一鄰近該液晶層且覆蓋該第二穿透電極之第二配向膜。
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