JP4967807B2 - 反射型電気光学装置および投射型表示装置 - Google Patents
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また、透光性基板の一方の面に、複数の画素の各々に形成された電界効果型トランジスタと、前記複数の画素に跨るように延設されたデータ線および走査線と、前記電界効果型トランジスタ、前記データ線、および前記走査線より上層側に島状に形成された複数の光反射層とを備えた素子基板を有する反射型電気光学装置において、前記電界効果型トランジスタの能動層を構成する半導体層は、前記光反射層と重なる領域に島状に形成され、前記データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方は、前記光反射層と重なる領域で遮光性導電材料により形成された本線部分と、隣り合う前記光反射層の間と重なる領域で前記本線部分同士を電気的に接続する透光性導電材料により形成された中継配線部分とを備えていることを特徴とする。
(全体構成)
図1(a)、(b)は各々、本発明の実施の形態1に係る反射型電気光学装置をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのH−H′断面図である。図2は、図1に示す反射型電気光学装置の画像表示領域などの電気的な構成を示す等価回路図である。
図3は、本発明の実施の形態1に係る反射型電気光学装置の素子基板において相隣接する複数の画素の平面図である。図4(a)、(b)、(c)は各々、図3のA1−A1′線に相当する位置で反射型電気光学装置100を切断したときの断面図、図3のB1−B1′線に相当する位置で素子基板10を切断したときの断面図、および図3のC1−C1′線に相当する位置で素子基板10を切断したときの断面図である。なお、図3では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、画素電極9aは太くて長い点線で示し、中継配線は二点鎖線で示してある。また、図4(b)、(c)では、配向膜16の図示を省略してある。
厚さが150nm程度のシリコン酸化膜、シリコン窒化膜あるいはそれらの積層膜からなる保護膜(図示せず)が形成され、かかる保護膜の上層に配向膜16が形成されることもある。
本形態の反射型電気光学装置100は、例えば、後述する投射型表示装置などに用いられ、対向基板20の側からは光源部からの強い光が入射する。かかる入射光は、光反射層としての画素電極9aで反射して対向基板20の側から出射される間に液晶層50により光変調される。その際、入射した光の一部は、隣り合う画素電極9aの間9b(図3参照)を通って素子基板10に入射する。ここで、隣り合う画素電極9aの間9bを通って素子基板10に入射した光が、半導体層1aに入射することなく素子基板10を透過すればよいが、画素電極9aの間9bと重なる領域に金属層などの光反射性の層が存在すると、かかる層と画素電極9aとの間で光が多重反射し、半導体層1aに入射することがある。
以上説明したように、反射型電気光学装置100は、後述する投射型表示装置などに用いられた際、入射した光の一部は、隣り合う画素電極9aの境界領域を通って素子基板10に入射することがあるが、本形態の反射型電気光学装置100では、支持基板10dとして透光性基板が用いられ、かつ、半導体層1aが画素電極9aと重なる領域に島状に形成されている。このため、画素電極9aの間から光が侵入した場合でも、かかる光は、半導体層1aに入射せず、支持基板10dを透過する。
図5は、本発明の実施の形態2に係る反射型電気光学装置の素子基板において、隣り合う複数の画素の平面図である。図6(a)、(b)、(c)は各々、図5のA2−A2′線に相当する位置で反射型電気光学装置100を切断したときの断面図、図5のB2−B2′線に相当する位置で素子基板10を切断したときの断面図、および図5のC2−C2′線に相当する位置で素子基板10を切断したときの断面図である。なお、図5でも、図3と同様、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線3aおよび容量線3bは実線で示し、データ線6aおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し画素電極9aは太くて長い点線で示し、中継配線は二点鎖線で示してある。また、図6(b)、(c)では、配向膜16の図示を省略してある。また、本形態の基本的な構成は、実施の形態1と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
上記実施の形態2では、走査線3aについては長さ方向の全体にわたって、不純物が注入された多結晶シリコンなどの透光性導電材料より構成し、データ線6aについては、隣り合う画素電極9aの間9bと重なる領域を、透光性導電材料により形成された中継配線部分とした構成を採用した。しかし、かかる構成とは逆に、データ線6aについては長さ方向の全体にわたって、不純物が注入された多結晶シリコンなどの透光性導電材料より構成し、走査線3aについては、隣り合う画素電極9aの間9bと重なる領域を、透光性導電材料により形成された中継配線部分とした構成を採用してもよい。また、走査線3aおよびデータ線6aの双方において長さ方向の全体にわたって、不純物が注入された多結晶シリコンなどの透光性導電材料より形成した構成を採用してもよい。
本発明に係る反射型電気光学装置100は、図7(a)に示す投射型表示装置や(液晶プロジェクタ/電子機器)や、図7(b)、(c)に示す携帯用電子機器に用いることができる。
Claims (7)
- 透光性基板の一方の面に、複数の画素の各々に形成された電界効果型トランジスタと、前記複数の画素に跨るように延設されたデータ線および走査線と、前記電界効果型トランジスタ、前記データ線、および前記走査線より上層側に島状に形成された複数の光反射層とを備えた素子基板を有する反射型電気光学装置において、
前記電界効果型トランジスタの能動層を構成する半導体層は、前記光反射層と重なる領域に島状に形成され、
前記データ線および前記走査線は、隣り合う前記光反射層の間と重なる部分が夫々同一層に形成された透光性導電材料により形成されていることを特徴とする反射型電気光学装置。 - 透光性基板の一方の面に、複数の画素の各々に形成された電界効果型トランジスタと、前記複数の画素に跨るように延設されたデータ線および走査線と、前記電界効果型トランジスタ、前記データ線、および前記走査線より上層側に島状に形成された複数の光反射層とを備えた素子基板を有する反射型電気光学装置において、
前記電界効果型トランジスタの能動層を構成する半導体層は、前記光反射層と重なる領域に島状に形成され、
前記データ線および前記走査線のうちの少なくとも一方は、前記光反射層と重なる領域で遮光性導電材料により形成された本線部分と、隣り合う前記光反射層の間と重なる領域で前記本線部分同士を電気的に接続する透光性導電材料により形成された中継配線部分とを備えていることを特徴とする反射型電気光学装置。 - 前記透光性導電材料は、透光性の金属酸化膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型電気光学装置。
- 前記透光性導電材料は、不純物が注入された多結晶シリコン膜であることを特徴とする請求項1又は2に記載の反射型電気光学装置。
- 前記光反射層の間と重なる領域における前記素子基板の光透過率が10%以上であることを特徴とする請求項2乃至4の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
- 前記反射層は、画素電極であることを特徴とする請求項1乃至5の何れか一項に記載の反射型電気光学装置。
- 請求項1乃至6の何れか一項に記載の反射型電気光学装置を備えた投射型表示装置であって、
前記反射型電気光学装置に光を供給する光源と、前記反射型電気光学装置により光変調された光を投射する投射光学系とを備えていることを特徴とする投射型表示装置。
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