CN105742261B - 焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置 - Google Patents
焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105742261B CN105742261B CN201510563096.7A CN201510563096A CN105742261B CN 105742261 B CN105742261 B CN 105742261B CN 201510563096 A CN201510563096 A CN 201510563096A CN 105742261 B CN105742261 B CN 105742261B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal layer
- log
- engaging zones
- pad structure
- fba
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
- G02F1/13629—Multilayer wirings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05005—Structure
- H01L2224/05009—Bonding area integrally formed with a via connection of the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05573—Single external layer
Abstract
本公开提供了一种焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置。该焊盘结构包括:多个玻璃上线(LOG)线,所述多个玻璃上线(LOG)线沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域中,其中每个LOG线包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域的外侧,其中膜接合区域在基板的非有源区域中,并且其中LOG线彼此分隔开,其中焊盘结构还包括上覆层,所述上覆层位于膜接合区域的外部区域中并相邻于膜接合区域的两个边界,其中所述上覆层包括在LOG线中的每一个之间的移除部,其中该移除部沿第一方向延伸。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2014年12月29日提交的韩国专利申请第10-2014-0192206号的优先权和权益,其通过引用合并到本文中用于所有目的,如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本公开涉及焊盘结构以及具有其的显示装置。
背景技术
随着信息社会的发展,越来越需要各种形式的用于显示图像的显示装置。因此,持续进行开发各种平板显示装置的性能(例如薄化、轻量以及减少电力消耗)的研究。
作为典型的实例,平板显示装置包括:液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置、电致发光显示(ELD)装置、电湿润显示(EWD)装置、有机发光显示(OLED)装置等。
通常,平板显示装置包括:显示面板、栅极驱动装置、数据驱动装置、定时控制装置和电压生成装置。显示面板通过多个栅极线与多个数据线的交叉来限定像素。栅极驱动装置驱动多个栅极线。数据驱动装置包括驱动多个数据线的多个数据驱动集成电路。定时控制装置将各种控制信号提供给栅极驱动装置和数据驱动装置。电压生成装置生成参考电压并将参考电压提供给数据驱动装置。
多个栅极驱动集成电路或多个数据驱动集成电路可以以膜上芯片(Chip OnFilm,COF)的类型被安装在膜上。
同时,在显示装置中,焊盘结构将其上安装有数据驱动集成电路或栅极集成电路连接至各种信号线。在焊盘结构中,露出的线在膜被接合的区域周围受到腐蚀。另外,在相邻的线或金属层之间发生短路。另外,由于包括在焊盘结构中的绝缘膜的台阶差而在线中发生线开口或线断开。
发明内容
提供了一种可以防止LOG线的腐蚀、防止在绝缘膜台阶差区域中的线的开口并且防止不同金属层之间的短路的焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置。本发明的各方面限定在所附的独立权利要求中。
提供了一种焊盘结构,该焊盘结构包括:多个玻璃上线(LOG)线,所述多个玻璃上线(Line On Glass,LOG)线沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域中,并且包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域的外侧,膜接合区域在基板的非有源区域中,所述多个LOG线彼此分隔开;以及上覆层,所述上覆层位于膜接合区域的外部区域中,相邻于膜接合区域的两个边界并且包括在所述多个LOG线中的各个LOG线之间的凹部,所述凹部沿第一方向被挖凹。
还提供了一种显示装置,该显示装置包括:布置在基板的有源区域中的多个信号线;以及位于基板的非有源区域中的焊盘结构。
在此,焊盘结构可以包括:多个玻璃上线(LOG)线,所述多个玻璃上线(LOG)线沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域中,并且包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域的外侧,膜接合区域在基板的非有源区域中,所述多个LOG线彼此分隔开;以及上覆层,所述上覆层位于膜接合区域的外部区域中,相邻于膜接合区域的两个边界并且包括在所述多个LOG线中的各个LOG线之间的凹部,所述凹部沿第一方向被挖凹。
焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置可以防止LOG线的腐蚀,防止在绝缘膜台阶差区域中的线的开口并且防止不同金属层之间的短路。
附图说明
将根据结合附图所进行的以下详细描述来使上述以及其他目的、特征和优势更明显,在附图中:
图1为关于应用实施方案的显示装置的示意性系统配置图。
图2为应用实施方案的显示装置的示意性平面图。
图3A和图3B为示出在普通显示装置中的焊盘结构的实例的示意性截面图。
图4A为示出根据实施方案的显示装置的焊盘结构的平面图。
图4B为示出用于形成图4A中的焊盘结构的上覆层(overcoat layer)的掩模的平面图。
图5为示出图4A中的部分“A”的另一实例的平面图。
图6为沿图5的线B-B′所截取的截面图。
图7为沿图5的线C-C′所截取的截面图。
图8为沿图5的线D-D′所截取的截面图。
具体实施方式
下文中,将参考附图描述实施方案。在以下描述中,虽然相同的部件在不同图中示出,但其仍由相同的附图标记所指代。此外,在以下描述中,当合并在本文中的已知的功能和配置的详细描述反而会使本公开的主题变得不清楚时,将省略该详细描述。
另外,当描述部件时,在本文中可以使用术语例如第一、第二、A、B、(a)、(b)等。这些术语仅用于使一个结构元件区别于其他结构元件,并且相应的结构元件的特性、顺序、次序等不受该术语限制。应注意的是,如果在说明书中描述了一个部件“连接”、“耦接”或“接合”至另一部件,则虽然第一部件可以直接连接、耦接或接合至第二部件,但是第三部件可以“连接”、“耦接”或“接合”在第一部件与第二部件之间。同样地,当描述了某一元件形成在另一元件“上”或“下”时,应理解的是,所述某一元件可以经由又一元件直接地或间接地形成在另一元件上或下。
图1为关于应用实施方案的显示装置的示意性系统配置图。
参考图1,显示装置100包括:显示面板140,在该显示面板140中形成有m(m是自然数)个数据线DL1、…、和DLm、以及n(n是自然数)个栅极线GL1、…、和GLn;数据驱动装置,其驱动m个数据线DL1、…、和DLm;栅极驱动装置,其依次地驱动n个栅极线GL1、…、和GLn;定时控制装置110,其控制数据驱动装置120和栅极驱动装置130等。
首先,定时控制装置110基于从主系统输入的外部定时信号(例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、图像数据Data和时钟信号CLK)而输出用于控制数据驱动装置120的数据控制信号(DCS)和用于控制栅极驱动装置130的栅极控制信号(GCS)。另外,定时控制装置110可以将从主系统输入的图像数据(Data)转换成在数据驱动装置120中使用的数据信号格式,并且可以将经转换的图像数据(Data′)提供给数据驱动装置120。
数据驱动装置120响应于从定时控制装置110输入的DCS和经转换的图像数据Data′来将图像数据Data′转换成作为与灰度值对应的电压值的数据信号(模拟像素信号或数据电压),并且将该数据信号提供给数据线DL1至DLm。
也就是说,数据驱动装置120在定时控制装置110的控制下将输入图像数据Data存储在存储器(未示出)中,在特定栅极线被激活的情况下,数据驱动装置120将对应的图像数据Data转换成模拟格式的数据电压(Vdata),并且将数据电压提供给m个数据线DL1、…、和DLm以驱动m个数据线DL1、…、和DLm。
另外,数据驱动装置120可以包括多个数据驱动集成电路(即数据驱动器IC或源极驱动器IC)。所述多个数据驱动集成电路可以通过带式自动接合(TAB)方法或玻璃上芯片(COG)方法来连接至显示面板140的接合焊盘。可替代地,膜上芯片(COF)型的驱动芯片封装(未示出)可以通过玻璃上膜(FOG)方法来连接,或者所述多个驱动集成电路可以直接地形成在显示面板140中。有时,所述多个数据驱动集成电路可以集成或形成在显示面板140中。
同时,栅极驱动装置130响应于从定时控制装置110输入的GCS来向栅极线GL1、…、和GLn依次地提供扫描信号(栅极脉冲或扫描脉冲、和栅极接通信号)。
栅极驱动装置130可以如图1所示位于显示面板140的仅一侧上,或者可以根据栅极驱动装置130的驱动类型将栅极驱动装置130分成两个装置并位于显示面板140的两侧上。
另外,栅极驱动装置130可以包括多个栅极驱动集成电路。多个栅极驱动集成电路可以通过带式自动接合(TAB)方法或玻璃上芯片(COG)方法来连接至显示面板140的接合焊盘,或者以板内栅极(GIP)型实现并且直接形成在显示面板140中。有时,多个栅极驱动集成电路可以集成并形成在显示面板140中。
在本说明书中,栅极驱动装置130示出为GIP类型,并且位于显示面板140的仅一侧上,但是根据本公开的显示装置100不限于此。
在显示装置100的显示面板中,多个信号线DLm和GLn布置在基板(未示出)的有源区域中,并且焊盘结构(未示出)形成在基板(未示出)的非有源区域中。在此,焊盘结构(未示出)包括多个玻璃上线(LOG)线(未示出)和上覆层(未示出)。所述多个LOG线(未示出)沿第一方向平行布置,并且所述多个LOG线(未示出)布置在膜接合区域(未示出)中并且包括多个金属层(未示出),所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域(未示出)的外侧。在此,膜接合区域(未示出)在基板(未示出)的非有源区域中,并且所述多个LOG线(未示出)彼此分隔开。上覆层(未示出)位于膜接合区域(未示出)的外部区域中,上覆层相邻于膜接合区域(未示出)的两个边界并且包括在所述多个LOG线(未示出)中的每一个之间的凹部(未示出)。在此,凹部(未示出)沿第一方向被挖凹。
上覆层(未示出)与在LOG线(未示出)中的延伸至膜接合区域的外侧的金属层交叠。同时,上覆层(未示出)的凹部(未示出)不与LOG线的延伸至膜接合区域的外侧的金属层(未示出)交叠。另外,凹部(未示出)沿第一方向的被挖凹的长度比相邻LOG线(未示出)之间的宽度长。
根据实施方案的焊盘结构(未示出)以及具有该焊盘结构的显示装置100可以防止LOG线(未示出)的腐蚀,防止在绝缘膜的台阶差区域中的线的开口或断开并且防止不同金属层(未示出)之间的短路。
同时,显示面板140中的每个像素P可以形成在由数据线DL1至DLm以及栅极线GL1至GLn限定的区域中,并且因此可以设置成矩阵形式。例如,当显示面板140为有机发光显示面板时,在像素中可以形成有电路元件例如包括第一电极的像素电极、第二电极的公共电极(即阴极)和有机层的有机发光二极管;两个或更多个薄膜晶体管;以及一个或更多个电容器等。
图2为应用实施方案的显示装置的示意性平面图。
图2为根据实施方案的用于描述显示装置100以及在显示装置100中的焊盘结构的示例性图。
参考图2,显示装置100可以包括:布置在基板(未示出)的有源区域AA中的多个信号线GL和DL;以及位于基板(未示出)的非有源区域NA中并连接至信号线GL和DL的焊盘结构PS。
在此,虽然未示出,但是除栅极线GL和数据线DL之外的各种信号线可以设置在基板(未示出)上。另外,焊盘结构PS的位置、形状和数目不限于附图,并且可以以各种方式形成PS。
在此,焊盘结构PS可以包括多个玻璃上线(LOG)线(未示出)和上覆层(未示出)。所述多个LOG线(未示出)沿第一方向平行布置,并且所述多个LOG线(未示出)布置在膜接合区域(未示出)中并且包括多个金属层(未示出),所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域(未示出)的外侧。在此,膜接合区域(未示出)在基板的非有源区域NA中,并且所述多个LOG线(未示出)彼此分隔开。上覆层(未示出)位于膜接合区域(未示出)的外部区域中,上覆层相邻于膜接合区域(未示出)的两个边界并且包括在所述多个LOG线(未示出)中的每一个之间的凹部(未示出)。在此,凹部(未示出)沿第一方向被挖凹。
本说明书中,第一方向可以指代附图中的上下方向或左右方向。例如,在焊盘结构PS位于其上安装有数据驱动集成电路的数据驱动膜206被接合的区域中的情况下,第一方向可以指代上下方向。
焊盘结构PS可以为与多个信号线GL和DL中的数据线DL连接的数据焊盘结构PS,或者可以为与多个信号线GL和DL中的栅极线GL连接的栅极焊盘结构PS。在图2中,示出基于数据焊盘结构PS的焊盘结构PS,但是焊盘结构不限于此,并且可以将焊盘结构PS应用于栅极焊盘结构PS。
具体地,显示装置100的显示面板140可以包括有源区域AA和非有源区域NA。非有源区域NA形成在有源区域AA的周围。也就是说,非有源区域NA形成在显示面板140的边缘处。在有源区域AA中,所述多个栅极线GL1至GLn与数据线DL1至DLm交叉,并且在每个交叉点处限定了像素P。虽然未示出,但是在有源区域AA中,除栅极线GL1至GLn和数据线DL1至DLm之外的多个其他线可以形成在有源区域AA中。
在非有源区域NA的一侧(即附图的左侧)中,其上安装有栅极驱动集成电路209的栅极驱动膜208通过板内栅极(GIP)方法来形成。
,栅极驱动膜208接合至显示面板140的基板(未示出),以使栅极驱动膜208连接至玻璃上线(LOG)方法中在非有源区域NA中形成的线以及栅极线GL1至GLn。在图2中,栅极驱动集成电路209的数目为两个,但是显示面板140越大,栅极驱动集成电路209的数目越多。另外,在显示面板140的尺寸变得更大的情况下,栅极驱动集成电路209可以接合至显示面板140的左侧和右侧。栅极驱动集成电路209向栅极线GL依次地提供栅极脉冲。
同时,多个数据驱动膜206设置至非有源区域NA的上侧(即附图的上侧),数据驱动膜206的一端连接至源极印刷电路板(Source Printed Circuit Board,SPCB)160。
数据驱动集成电路207可以为源极驱动IC(即源极驱动集成电路)并且可以嵌入数据驱动膜206中。在此,数据驱动膜206可以为源极柔性电路膜。数据驱动膜206的输入端子可以通过包括导电球的各向异性导电膜(ACF)连接至显示面板140的基板(未示出)和SPCB160。可以通过膜上线(LOF)方法的形成在SPCB 160和数据驱动膜206上的线来将图像数据Data和定时控制信号传送至数据驱动集成电路207。
数据驱动集成电路207可以从定时控制器110接收图像数据Data,使用模数转换器(ADC)对图像数据Data进行转换以生成数据电压,并且将数据电压提供给数据线DL。
同时,SPCB 160通过柔性电路电缆170来连接至控制印刷电路板CPCB 180。CPCB180可以包括定时控制器110和电力驱动集成电路(未示出)。
用于在驱动数据驱动集成电路207和栅极驱动集成电路209时传送电力和信号所必需的线形成在SPCB 160上。SPCB 160可以根据显示面板140的尺寸分成多个SPCB 160并且可以连接至显示面板140。
定时控制器110和电路例如电力驱动集成电路(未示出)安装在CPCB180上。
如上所述,定时控制器110基于从主系统输入的外部定时信号(例如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、图像数据Data和时钟信号CLK)来将用于控制数据驱动装置120的数据控制信号(DCS)输出至数据驱动集成电路207并且将用于控制栅极驱动装置130的栅极控制信号(GCS)输出至栅极驱动集成电路209。另外,定时控制器110可以将从主系统输入的图像数据Data转换成在数据驱动装置120中使用的数据信号格式,并且可以将经转换的图像数据Data′提供给数据驱动装置120。
在此,主系统可以为TV系统、机顶盒、导航系统、DVD播放器、蓝光播放器、PC、家庭影院系统和电话系统中的任一种。
同时,电力驱动芯片(未示出)生成施加至像素P的电力、数据驱动集成电路207和栅极驱动集成电路209的电力、伽马补偿电压(VGMA)、栅极驱动电力(VGH和VGL)等。
下文中,焊盘结构PS指代数据焊盘结构PS、栅极焊盘结构PS或如图2所示的位于显示面板140中的非有源区域NA的一侧的区域的结构。
图3A和图3B为示出在普通显示装置中焊盘结构的实例的示意性截面图。
参考图3A,显示装置100的焊盘结构PS包括在基板302上的第一绝缘膜304、在第一绝缘膜304上的第一金属层310、覆盖第一金属层310并具有至少一个接触孔CH的第二绝缘膜312、以及设置在第二绝缘膜312上并通过接触孔CH连接至第一金属层310的第二金属层320。在此,第一金属层310和第二金属层320形成在接合有数据驱动膜206或栅极驱动膜208的膜接合区域(FBA)中。
另外,焊盘结构PS在膜接合区域FBA的外部区域中包括在第二绝缘膜312上的第三绝缘膜322以及在第三绝缘膜322上的上覆层330。另外,焊盘结构PS包括覆盖上覆层330的第三金属层340、露出的第二绝缘膜312和第二金属层320。
第一金属层310、第二金属层320和第三金属层340形成LOG线。
在普通焊盘结构PS的实例中,可能发生其中由于绝缘膜312和322中例如第二绝缘膜312的台阶差而使第三金属层340断开的开口现象。也就是说,在绝缘膜312和322中可能的台阶差部分中可能形成开口区域OA。当开口区域OA发生时,在将信号从驱动膜206和208传送至有源区域的信号线GL和DL时可能发生问题。另外,当检验显示面板140时,检验不能顺利地进行。
同时,参考图3B,显示装置100的焊盘结构PS包括在基板302上的第一绝缘膜304、在第一绝缘膜304上的第一金属层310、覆盖第一金属层310并具有至少一个接触孔CH的第二绝缘膜312、以及设置在第二绝缘膜312上并通过接触孔CH连接至第一金属层310的第二金属层320。
另外,焊盘结构PS在膜接合区域FBA的外部区域中包括在第二绝缘膜312上的第三绝缘膜322以及在第三绝缘膜322上的上覆层330。另外,焊盘结构PS包括设置至FBA并接触第二金属层320的第三金属层340。
在此,第一金属层310和第二金属层320形成在其上接合有数据驱动膜206或栅极驱动膜208的膜接合区域FBA中。与此相对,第二金属层320设置在膜接合区域FBA中,并进一步延伸至膜接合区域FBA的外侧。另外,第一金属层310、第二金属层320和第三金属层340形成LOG线。
在普通焊盘结构PS的实例中,如附图所示,可能出现其中第二金属层320暴露于外侧并被腐蚀的腐蚀区域CA。当产生这样的开口区域时,可能发生信号可能不会从驱动膜206和208传递至有源区域的信号线GL和DL的问题,并且当检验显示面板140时检验不能顺利地进行。
根据实施方案的焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置100具有能够解决上述问题的结构。
图4A为示出根据一个实施方案的显示装置的焊盘结构的平面图。
参考图4A,焊盘结构PS可以包括多个玻璃上线(LOG)线LOG和上覆层430。所述多个LOG线LOG沿第一方向(即附图中的上下方向)平行地布置,并且所述多个LOG线LOG布置在基板402的膜接合区域FBA中并且包括多个金属层410、金属层420和金属层440,所述多个金属层410、金属层420和金属层440中的至少之一延伸至膜接合区域FBA的外侧。在此,膜接合区域FBA在基板402的非有源区域NA中,并且所述多个LOG线LOG彼此分隔开。上覆层430位于膜接合区域FBA的外部区域中,上覆层430相邻于膜接合区域FBA的两个边界并且包括在所述多个LOG线LOG中的每一个之间的凹部432。在此,凹部432沿第一方向被挖凹。
在此,上覆层430可以与延伸至膜接合区域FBA的外侧的金属层410、420和440交叠。与此相对,上覆层430的凹部432不与延伸至膜接合区域FBA的外侧的金属层410、420和440交叠。
具体地,焊盘结构PS可以为其上接合有或安装有数据驱动膜206的数据焊盘结构PS,或者可以为其上接合有或安装有栅极驱动膜208的栅极焊盘结构PS。
焊盘结构PS包括其中接合有膜206和208的膜接合区域FBA。膜接合区域FBA为没有形成上覆层430的区域。也就是说,通过包括导电球的各向异性导电膜(ACF)将膜接合区域FBA接合至膜上线(Line On Film,LOF)方法的设置在数据驱动膜206或栅极驱动膜208上的线。
同时,在显示面板140的焊盘结构PS中,在基板(未示出)上设置有多个线,并且所述多个LOG线LOG和高电压电力线411可以包括在所述多个线中。然而,这被示出作为实例,并且实施方案不限于此。
所述多个LOG线LOG可以布置在沿第一方向布置的高电压电力线411中的每一个之间。然而,实施方案不限于此,并且可以以各种数目和各种形式进行设计。
LOG线LOG可以包括第一金属层410、第二金属层420和第三金属层440。第一金属层410可以通过第一金属层410与第二金属层420之间的绝缘膜(未示出)中的至少一个接触孔(未示出)来连接至第二金属层420。第二金属层420可以接触第三金属层440。也就是说,第一金属层410通过至少一个接触孔(未示出)接触第二金属层420,并且第二金属层420在膜接合区域FBA的整个区域中接触第三金属层440。
另外,在所述多个LOG线LOG中,第二金属层420和第三金属层440交替地延伸至膜接合区域FBA的外侧。具体地,在图4中,第二金属层420和第三金属层440交替地延伸至作为显示面板140的端部的膜接合区域FBA的上侧(即附图的上侧)。
针对显示面板140和显示装置100的各种检验,延伸部为线型。为了防止相邻LOG线LOG之间的短路,位于不同层上的第二金属层420和第三金属层440交替地设置。
同时,延伸至膜接合区域FBA的下侧(即附图中下侧)的第一金属层410可以为连接至形成在有源区AA中的信号线GL和DL的连接线,但是不限于此。
例如,在LOG线LOG中,第一金属层410可以与有源区AA的栅极线GL位于同一层上,并且同时可以由与栅极线GL相同的材料形成。例如,第一金属层410可以由铜(Cu)、钼(Mo)等构成,但是不限于此。
第二金属层420可以与有源区AA的数据线DL位于同一层上,并且同时可以由与数据线DL相同的材料形成。例如,第二金属层420可以由铜(Cu)、钼(Mo)等构成,但是不限于此。
另外,第三金属层440可以与位于有源区AA中的像素电极(第一电极或正电极)位于同一层上,并且同时可以由与像素电极(未示出)相同的材料形成。例如,第三金属层440可以由透明金属例如铟锡氧化物(ITO)构成,但是不限于此。
在图4中。四个LOG线LOG布置在高电压电力线411之间,但是实施方案不限于此,并且更多的LOG线LOG可以布置在高电压电力线411之间。
同时,上覆层430定位至膜接合区域FBA的外侧,并且相邻于膜接合区域FBA的两个边界。也就是说,在上覆层430中,除凹部432以外的部分接触膜接合区域FBA的上边界以及膜接合区域FBA的下边界。
上覆层430包括在所述多个LOG线LOG中的每一个之间沿第一方向挖凹的凹部432。在此,第一方向表示附图中的上下方向,并且沿远离膜接合区域FBA的方向来使凹部432被挖凹。除附图示出的矩形之外,可以以各种形式设计凹部432的形状。
与图3B所示的普通焊盘结构相比,上覆层430防止了LOG线LOG的暴露,并且因此可以防止LOG线的腐蚀。另外,与图3A所示的普通焊盘结构相比,上覆层430可以防止由于绝缘膜312和322的台阶差而导致的LOG线LOG的开口。
同时,当在上覆层430中不包括凹部432并且上覆层430的所有边界接触膜接合区域FBA时,在邻近LOG线LOG的金属层410、420和440中剩余的材料膜(例如与像素电极(未示出)材料相同的ITO)形成在绝缘膜312和322中,并且因此可能引起不同LOG线LOG之间的短路。上覆层430的凹部432防止了这样的短路。
同时,上覆层430中凹部432沿第一方向被挖的长度d1可以比相邻LOG线LOG之间的宽度d2长。因此,可以防止相邻LOG线LOG之间的短路。
图4B为示出用于形成图4A中焊盘结构的上覆层的掩模的平面图。
参考图4B,虽然未示出制造焊盘结构PS的方法,但是在焊盘结构PS的整个表面上沉积用于形成上覆层430的材料之后,通过使用包括光阻挡部460a和光透射部460b的掩模460的曝光工艺和显影工艺来形成包括凹部432的上覆层430。
使用图4B所示的掩模460的方法是负型的形成方法。用于形成上覆层430的材料可以包括光硬化材料。可以通过光透射部460b使用于形成上覆层430的材料的露出部硬化,可以通过显影剂去除与光阻挡部460a对应的部分,并且因此可以形成上覆层430。然而,这是为了方便描述,可以通过正型工艺来形成上覆层430。
图5为示出图4A中的部分“A”的另一实例的平面图,并且图5为用于更详细地示出焊盘结构的图。
参考图5,焊盘结构PS可以包括多个玻璃上线(LOG)线LOG和上覆层430。所述多个LOG线LOG沿第一方向(即附图中的上下方向)平行地布置,并且所述多个LOG线LOG布置在基板402的膜接合区域FBA中并且包括多个金属层410、金属层420和金属层440,所述多个金属层410、金属层420和金属层440中的至少之一延伸至膜接合区域FBA的外侧。在此,膜接合区域FBA在基板402的非有源区域NA中,并且所述多个LOG线LOG彼此分隔开。上覆层430位于膜接合区域FBA的外部区域中,上覆层430相邻于膜接合区域FBA的两个边界并且包括在所述多个LOG线LOG中的每一个之间的凹部432。在此,凹部432沿第一方向被挖凹。
在此,上覆层430可以与延伸至膜接合区域FBA的外侧的金属层410、420和440交叠。与此相对,上覆层430的凹部432不与延伸至膜接合区域FBA的外侧的金属层410、420和440交叠。
具体地,焊盘结构PS可以为其上接合有或安装有数据驱动膜206的数据焊盘结构PS,或者可以为其上接合有或安装有栅极驱动膜208的栅极焊盘结构PS。
LOG线LOG可以包括第一金属层410、第二金属层420和第三金属层440。第一金属层410可以通过在第一金属层410与第二金属层420之间的绝缘膜(未示出)中的至少一个接触孔CH来连接至第二金属层420。第二金属层420可以接触第三金属层440。也就是说,第一金属层410通过至少一个接触孔CH来接触第二金属层420,并且第二金属层420在膜接合区域FBA的整个区域中接触第三金属层440。
另外,在所述多个LOG线LOG中,第二金属层420和第三金属层440交替地延伸至膜接合区域FBA的外侧。具体地,在图5中,第二金属层420和第三金属层440交替地延伸至作为显示面板140的端部的膜接合区域FBA的上侧(即图的上侧)。
针对显示面板140和显示装置100的各种检验,延伸部为线型。为了防止相邻LOG线LOG之间的短路,位于不同层上的第二金属层420和第三金属层440交替设置。
同时,上覆层430定位至膜接合区域FBA的外侧,并且相邻于膜接合区域FBA的两个边界。也就是说,在上覆层430中,除凹部432以外的部分接触膜接合区域FBA的上边界以及膜接合区域FBA的下边界。
上覆层430包括在所述多个LOG线LOG中的每一个之间沿第一方向被挖凹的凹部432。在此,第一方向表示附图中的上下方向,并且沿远离膜接合区域FBA的方向来使凹部432被挖凹。除附图示出的矩形之外,可以以各种形式设计凹部432的形状。
与图3B所示的普通焊盘结构相比,上覆层430防止了LOG线LOG的暴露,并且因此可以防止LOG线的腐蚀。另外,与图3A所示的普通焊盘结构相比,上覆层430可以防止由于绝缘膜312和322的台阶差而导致的LOG线LOG的开口。
同时,当在上覆层430中不包括凹部432并且上覆层430的所有边界接触膜接合区域FBA时,在邻近LOG线LOG的在金属层410、420和440中剩余的材料膜(例如与像素电极(未示出)材料相同的ITO)形成在绝缘膜312和322中,并且因此可能引起不同LOG线LOG之间的短路。上覆层430的凹部432防止了这样的短路。
同时,上覆层430中凹部432沿第一方向被挖的长度d1可以比相邻LOG线LOG之间的宽度d2长。因此,可以防止相邻LOG线LOG之间的短路。
在图5中,五个LOG线LOG连续地平行地布置,但是实施方案不限于此,并且可以形成各种数目的LOG线。另外,可以形成各种形状和各种挖凹长度d1的凹部432。
图6为沿图5的线B-B′所截取的截面图。
参考图6,显示装置100的焊盘结构包括:在基板402上的第一绝缘膜404;在第一绝缘膜404上的第一金属层410;覆盖第一金属层410并具有至少一个接触孔CH的第二绝缘膜412;以及设置在第二绝缘膜412上并通过接触孔CH连接至第一金属层410的第二金属层420。在此,第一金属层410和第二金属层420形成在其中接合有数据驱动膜206或栅极驱动膜208的膜接合区域(FBA)中。
另外,焊盘结构PS在膜接合区域FBA的外部区域中包括在第二绝缘膜412上的第三绝缘膜422以及在第三绝缘膜422上的上覆层430。另外,焊盘结构PS包括覆盖上覆层430和第二金属层420的第三金属层440。
第一金属层410、第二金属层420和第三金属层440形成LOG线。
在普通焊盘结构PS的实例中,与图3A相比,可能发生其中由于绝缘膜312和322例如第二绝缘膜312的台阶差而使第三金属层340断开的开口现象。也就是说,防止了在绝缘膜312和322中可能的台阶差中的开口区域(OA)的出现。
图7为沿图5的线C-C′所截取的截面图。
参考图7,焊盘结构PS包括:在基板402上的第一绝缘膜404;在第一绝缘膜404上的第二绝缘膜412;在第二绝缘膜412上的第三绝缘膜422;以及在第三绝缘膜422上的上覆层430。
图7中示出的焊盘结构PS示出未形成LOG线LOG的区域。也就是说,图7中示出的焊盘结构PS示出相邻LOG线LOG之间的区域。在此,第二绝缘膜412、第三绝缘膜422和上覆层430定位至膜接合区域FBA的外侧,并且形成为与形成有上覆层430的凹部432的区域对应。
上覆层430的凹部432可以防止出现金属层410、420和440的可能形成在上覆层430中的剩余膜。
图8为沿图5的线D-D′所截取的截面图。
参考图8,显示装置100的焊盘结构PS包括:在基板402上的第一绝缘膜404;在第一绝缘膜404上的第一金属层410;覆盖第一金属层410并具有至少一个接触孔CH的第二绝缘膜412;以及设置在第二绝缘膜412上并通过接触孔CH连接至第一金属层410的第二金属层420。
另外,焊盘结构PS在膜接合区域FBA的外部区域中包括在第二绝缘膜412上的第三绝缘膜422以及在第三绝缘膜422上的上覆层430。另外,焊盘结构PS包括定位至膜接合区域FBA并接触第二金属层420的第三金属层440。
在此,第一金属层410和第二金属层420形成在其上接合有数据驱动膜206或栅极驱动膜208的膜接合区域FBA中。与此相对,第二金属层420设置在膜接合区域FBA中,并进一步延伸至膜接合区域FBA的外侧。另外,第一金属层410、第二金属层420和第三金属层440形成LOG线。
在这样的焊盘结构PS的实例中,与图3B示出的普通焊盘结构PS相比,可以防止第二金属层320暴露于外侧并被腐蚀的腐蚀区域的出现。
总之,根据实施方案的焊盘结构PS以及具有该焊盘结构PS的显示装置可以通过包括凹部432的上覆层430来防止LOG线LOG的腐蚀,防止在绝缘膜412和422的台阶区域中的LOG线LOG的开口,并且防止不同金属层410、420和440之间的短路。
虽然到目前为止已参考附图描述了多种实施方案,但本公开不限于已描述的实施方案。
另外,因为除非另有具体描述,否则术语例如“包括”、“包含”和“具有”意指可以存在一个或更多个对应部件,所以术语应该被解释成可以包括一个或更多个其他部件。除非另有限定,否则所有技术的、科学的或其他的术语与本领域技术人员所理解的含义一致。在字典中常见的术语除非本公开明确地对其进行了限定,否则不应当被解释成在相关技术的上下文中过分理想或不切实际的描述。
虽然为了说明的目的描述了实施方案,但是本领域技术人员应理解的是,在不脱离所附权利要求的情况下可以进行各种修改、附加和替换。因此,本文中所公开的实施方案仅为了描述而非限制。此外,本公开的范围不受实施方案的限制。本公开的范围应当基于所附权利要求以这样的方式来解释:包括在等同于权利要求的范围内的所有的技术构思属于本公开。
还提供了一种焊盘结构,所述焊盘结构包括:多个玻璃上线(LOG)线,所述多个玻璃上线(LOG)线沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域中,并且包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域的外侧,膜接合区域在基板的非有源区域中,所述多个LOG线彼此分隔开;以及上覆层,所述上覆层位于膜接合区域的外部区域中,相邻于膜接合区域的两个边界并且包括在所述多个LOG线中的每一个之间的凹部,所述凹部沿第一方向被挖凹。
可选地,上覆层与延伸至膜接合区域的外侧的金属层交叠。
可选地,上覆层的凹部不与延伸至膜接合区域的外侧的金属层交叠。
可选地,上覆层的凹部沿第一方向被挖的长度比相邻LOG线之间的宽度长。
可选地,LOG线包括第一金属层、第二金属层和第三金属层,第一金属层通过位于第一金属层与第二金属层之间的绝缘层中的至少一个接触孔来与第二金属层连接,并且第二金属层与第三金属层接触。
可选地,在所述多个LOG线中的第二金属层和第三金属层交替地延伸至膜接合区域的外侧。
还提供了一种显示装置,所述显示装置包括:布置在基板的有源区域中的多个信号线;以及位于基板的非有源区域中的焊盘结构,其中焊盘结构包括多个玻璃上线(LOG)线,所述多个玻璃上线(LOG)线沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域中,并且包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至膜接合区域的外侧,膜接合区域在基板的非有源区域中,所述多个LOG线彼此分隔开;以及上覆层,所述上覆层位于膜接合区域的外部区域,相邻于膜接合区域的两个边界并且包括在所述多个LOG线中的各个LOG线之间的凹部,所述凹部沿第一方向被挖凹。
可选地,上覆层与延伸至膜接合区域的外侧的金属层交叠。
可选地,上覆层的凹部不与延伸至膜接合区域的外侧的金属层交叠。
可选地,上覆层的凹部沿第一方向被挖的长度比相邻LOG线之间的宽度长。
可选地,其中多个信号线连接至LOG线的至少一个金属层。
Claims (14)
1.一种焊盘结构,包括:
多个玻璃上线(LOG),所述多个玻璃上线(LOG)沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域(FBA)中,其中所述玻璃上线(LOG)中的每一个包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧,所述膜接合区域(FBA)在基板的非有源区域(NA)中,并且所述玻璃上线(LOG)彼此分隔开,
其中所述焊盘结构还包括上覆层,所述上覆层位于所述膜接合区域(FBA)的外部区域中并且相邻于所述膜接合区域的第一边界和第二边界,其中所述上覆层包括在所述玻璃上线(LOG)中的每一个之间的移除部,其中所述移除部从所述上覆层的边缘沿所述第一方向延伸,以及
其中所述玻璃上线(LOG)以分组方式平行布置在高电压电力线之间。
2.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中所述上覆层与所述多个金属层中的延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧的所述至少一个金属层交叠。
3.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中所述上覆层的所述移除部不与所述多个金属层中的延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧的所述至少一个金属层交叠。
4.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中所述上覆层的所述移除部沿所述第一方向的长度比所述移除部在相邻玻璃上线(LOG)之间的宽度长。
5.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中所述上覆层的所述移除部沿第一方向的长度比所述移除部在同一组中的相邻玻璃上线(LOG)之间的宽度长。
6.根据权利要求1所述的焊盘结构,其中每个玻璃上线(LOG)包括第一金属层、第二金属层和第三金属层,其中所述第一金属层通过位于所述第一金属层与所述第二金属层之间的绝缘膜中的至少一个接触孔(CH)连接至所述第二金属层,并且其中所述第二金属层接触所述第三金属层。
7.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中在交替的玻璃上线(LOG)中,所述第二金属层延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧,并且在剩余的玻璃上线(LOG)中,所述第三金属层延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧。
8.根据权利要求7所述的焊盘结构,其中所述第二金属层和所述第三金属层穿过所述膜接合区域的所述第一边界延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧。
9.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中在每个玻璃上线(LOG)中,所述第一金属层延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧。
10.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中在每个玻璃上线(LOG)中,所述第一金属层穿过所述膜接合区域(FBA)的所述第二边界。
11.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中所述上覆层与所述第二金属层的延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧的部分交叠。
12.根据权利要求6所述的焊盘结构,其中所述第三金属层的延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧的部分与所述上覆层交叠。
13.一种显示装置,包括:
布置在基板的有源区域中的多个信号线(GL,DL);以及
焊盘结构,所述焊盘结构包括:多个玻璃上线(LOG),所述多个玻璃上线(LOG)沿第一方向平行布置并且布置在膜接合区域(FBA)中,其中所述玻璃上线(LOG)中的每一个包括多个金属层,所述多个金属层中的至少之一延伸至所述膜接合区域(FBA)的外侧,所述膜接合区域(FBA)在基板的非有源区域(NA)中,并且所述玻璃上线(LOG)彼此分隔开,其中所述焊盘结构还包括上覆层,所述上覆层位于所述膜接合区域(FBA)的外部区域中并且相邻于所述膜接合区域的第一边界和第二边界,其中所述上覆层包括在所述玻璃上线(LOG)中的每一个之间的移除部,其中所述移除部从所述上覆层的边缘沿所述第一方向延伸;
其中所述焊盘结构位于所述基板的非有源区域(NA)中,以及
其中所述玻璃上线(LOG)以分组方式平行布置在高电压电力线之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中所述多个信号线(GL,DL)中的每个信号线连接至对应的玻璃上线(LOG)中的至少一个金属层。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0192206 | 2014-12-29 | ||
KR1020140192206A KR102274701B1 (ko) | 2014-12-29 | 2014-12-29 | 패드 구조 및 이를 포함하는 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105742261A CN105742261A (zh) | 2016-07-06 |
CN105742261B true CN105742261B (zh) | 2019-04-09 |
Family
ID=54105653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510563096.7A Active CN105742261B (zh) | 2014-12-29 | 2015-09-07 | 焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9559128B2 (zh) |
EP (1) | EP3040770B1 (zh) |
KR (1) | KR102274701B1 (zh) |
CN (1) | CN105742261B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102593485B1 (ko) * | 2016-12-02 | 2023-10-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN108735777B (zh) * | 2017-04-21 | 2020-11-06 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
CN107104202B (zh) | 2017-06-02 | 2019-09-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled显示器件的封装结构、封装方法、显示装置 |
JP7068800B2 (ja) * | 2017-10-30 | 2022-05-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102543054B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 케이블, 컨넥터, 그를 이용한 인쇄회로기판 및 표시장치 |
KR102487050B1 (ko) | 2018-03-27 | 2023-01-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
CN110619815B (zh) * | 2019-09-26 | 2021-09-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置 |
TWI717911B (zh) * | 2019-11-25 | 2021-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
KR20210085121A (ko) * | 2019-12-30 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널 및 표시장치 |
CN116704941B (zh) * | 2023-08-07 | 2023-10-17 | 苏州华星光电技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203593A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 反射型液晶装置および電子機器 |
CN103365009A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 乐金显示有限公司 | 玻璃上布线型液晶显示器件及其制造方法 |
CN104007572A (zh) * | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3323091B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2002-09-09 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
JP4398601B2 (ja) * | 2001-05-18 | 2010-01-13 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 薄膜トランジスタ・アレイ基板、薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法および表示装置 |
JP2003161957A (ja) * | 2001-11-26 | 2003-06-06 | Toshiba Corp | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US7042149B2 (en) * | 2002-06-13 | 2006-05-09 | Tfpd Corporation | Circuit array substrate for display device |
KR100725492B1 (ko) * | 2005-09-24 | 2007-06-08 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
KR101297387B1 (ko) * | 2006-11-09 | 2013-08-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 터치 패널 일체형 액정 표시 장치 |
JP4553401B2 (ja) * | 2008-03-14 | 2010-09-29 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
KR101728497B1 (ko) * | 2010-04-16 | 2017-04-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-12-29 KR KR1020140192206A patent/KR102274701B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-09-07 CN CN201510563096.7A patent/CN105742261B/zh active Active
- 2015-09-08 EP EP15184287.9A patent/EP3040770B1/en active Active
- 2015-10-20 US US14/918,436 patent/US9559128B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008203593A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Seiko Epson Corp | 反射型液晶装置および電子機器 |
CN103365009A (zh) * | 2012-03-29 | 2013-10-23 | 乐金显示有限公司 | 玻璃上布线型液晶显示器件及其制造方法 |
CN104007572A (zh) * | 2013-02-27 | 2014-08-27 | 乐金显示有限公司 | 液晶显示器及其制造方法 |
EP2772798A1 (en) * | 2013-02-27 | 2014-09-03 | LG Display Co., Ltd. | Liquid crystal display and method of fabricating the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160082804A (ko) | 2016-07-11 |
EP3040770A1 (en) | 2016-07-06 |
KR102274701B1 (ko) | 2021-07-08 |
EP3040770B1 (en) | 2020-01-01 |
US20160190179A1 (en) | 2016-06-30 |
US9559128B2 (en) | 2017-01-31 |
CN105742261A (zh) | 2016-07-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105742261B (zh) | 焊盘结构以及具有该焊盘结构的显示装置 | |
CN106932979B (zh) | 阵列基板和包括其的显示装置 | |
CN103578418B (zh) | 显示装置和形成显示装置的方法 | |
US9504153B2 (en) | Pad structure and display device having the same | |
JP6497858B2 (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
US10595448B2 (en) | Display apparatus and manufacturing method thereof | |
CN107886893B (zh) | 显示装置 | |
US20110134104A1 (en) | Liquid crystal display device with gate-in-panel structure | |
KR102539495B1 (ko) | 플렉서블 표시패널 및 플렉서블 표시장치 | |
US10181275B2 (en) | Display device | |
KR20170026781A (ko) | 표시장치 및 표시패널 | |
US10274796B2 (en) | Display having narrow bezel | |
KR102600528B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR102466952B1 (ko) | 표시장치 및 그의 제조방법 | |
KR101604492B1 (ko) | 액정표시장치 | |
KR101712204B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
KR102520698B1 (ko) | Oled 표시패널 | |
KR20210116826A (ko) | 표시 장치 | |
US11876100B2 (en) | Array substrate and method of manufacturing the same, pixel driving method, and display panel | |
JP6845006B2 (ja) | 信号線駆動回路およびアクティブマトリクス基板並びに表示装置 | |
KR20170081075A (ko) | 칩 온 필름 및 이를 포함하는 유기발광 다이오드 표시장치 | |
KR20230102600A (ko) | 표시 장치 | |
KR20200076106A (ko) | 평판 표시 장치 | |
JP2008298990A (ja) | 画像表示媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |